CN101989559B - 基板对位机构、使用其的真空预备室和基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能使对基板进行对位的容器内的用于基板对位的空间尽量缩小的基板对位机构、使用其的真空预备室和基板处理系统。在收容基板(G)的容器(81)内对支承在基板支承部(96、97、98)上的基板(G)进行对位的基板对位机构(86)具有通过转动而与容器(81)内的基板(G)的端面接触的对位构件(132)。

Description

基板对位机构、使用其的真空预备室和基板处理系统
技术领域
本发明涉及在对FPD、太阳能电池等基板进行真空处理时、对被收容在容器内的基板进行对位的对位机构、使用了这样的对位机构的真空预备室和设有这样的真空预备室的基板处理系统。
背景技术
在平板显示器(FPD)、太阳能电池等矩形基板的制造过程中，例如在专利文献1中公开有如下的多腔室型的基板处理系统，该多腔室型的基板处理系统具有实施蚀刻或成膜等规定的真空处理的处理室，并具有共用输送室和加载互锁真空室，该共用输送室被保持为真空，与上述那样的处理室、将基板预加热到预处理温度的预加热室等相连接，并具有相对于处理室、预加热室输送基板的输送机构；该加载互锁真空室作为真空预备室用于在输送室和大气之间输送基板。
在这样的基板处理系统中，在作为真空预备室的加载互锁真空室中进行基板的对位之后，利用输送室的输送机构将基板输送到处理室等中，从而在处理室中将基板输送到准确的位置上。作为进行这样的对位的技术，可使用呈直线状地按压矩形基板的对角的定位器(positioner)(例如，专利文献2)。
专利文献1：日本特开平10-98085号公报
专利文献2：日本特开2000-306980号公报
随着这种矩形基板大型化，要求反复在大气气氛和降压气氛之间进行切换的作为真空预备室的加载互锁真空室尽可能地小型化，但在专利文献2的技术中，由于利用定位器呈直线状地按压矩形基板的对角，因此，相应地需要较多的空间，无法使作为真空预备室的加载互锁真空室充分地小型化。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而做成的，其目的在于提供一种能使对基板进行对位的容器内的用于基板对位的空间尽量缩小的基板对位机构、使用了这样的基板对位机构的真空预备室和具有这样的真空预备室的基板处理系统。
为了解决上述课题，本发明的第1技术方案提供一种基板对位机构，其是在收容基板的容器内、对支承在基板支承部上的基板进行对位的基板对位机构，其特征在于，该基板对位机构具有通过转动与上述容器内的基板的端面接触的对位构件。
在上述第1技术方案中，上述基板呈矩形状，上述对位构件至少具有3个，能够构成为其中一个对位构件与上述基板的一个边接触，其他的两个对位构件与上述一个边相邻的边接触，从而进行基板的对位。在这种情况下，能够具有至少3个按压构件，该3个按压构件通过分别按压上述基板的与上述至少3个对位构件接触位置相对的位置而对基板进行对位。
在上述第1技术方案中，上述基板支承部以沿铅垂方向重叠的状态具有多个，能支承以在受各基板支承部支承的状态被进行对位的基板。此外，上述基板支承部以沿铅垂方向呈多层重叠的状态设置，上述对位构件相对于各基板支承部至少各设有3个，上述对位构件中的、与沿铅垂方向重叠的状态的上述多个基板支承部相对应的那些对位构件彼此安装在共用的能够旋转的轴上，通过使上述轴转动，能够使对位构件与支承在上述多个基板支承部上的多张基板同时接触。
在上述第1技术方案中，上述基板支承部能够为由多个支承销和多个可动支承部支承基板的构成。在这样的情况下，上述基板支承部能够为多个支承销和多个可动支承部交替配置的构成。此外，上述基板支承部被分为多个，能够为支承销与可动支承部的比例各自不同的构成。
本发明的第2技术方案提供一种真空预备室，其用于收容要在降压气氛的处理室中进行处理的基板，在将基板输送到处理室之前，在降压气氛中保持基板，其特征在于，包括：用于收容基板的容器；用于在上述容器内支承基板的基板支承部；用于对支承在上述基板支承部上的基板进行对位的上述第1技术方案的基板对位机构。
本发明的第3技术方案提供一种基板处理系统，其特征在于，包括：多个处理室，用于在降压气氛中对基板实施规定的处理；上述第2技术方案的真空预备室，用于收容要在上述处理室中进行处理的基板，在将基板输送到处理室之前，将基板保持在降压气氛中；基板输送装置，用于在上述真空预备室和上述处理室之间输送基板。
在上述第3技术方案中，上述基板处理系统具有与各处理室相对应的多个基准位置，以便上述输送装置将基板能够输送到多个上述处理室的规定位置上。在这种情况下，上述基准位置的确定是能够通过使上述基板对位构件与基板接触来确定的。
根据本发明，在收容基板的容器内对支承在基板支承部上的基板进行对位的情况下，作为基板对位机构，因为使用了具有通过转动而与上述容器内的基板的端面接触的对位构件的基板对位机构，所以对位构件在退避位置和接触位置之间转动即可，能尽可能地缩小基板对位用的空间。
附图说明
图1是概略地表示本发明的一实施方式的搭载有作为真空预备室的加载互锁真空室的基板处理系统的俯视图。
图2是表示图1的基板处理系统的基板输送装置的概略图。
图3是表示图1的基板处理系统的加载互锁真空室的铅垂剖视图。
图4是表示图1的基板处理系统的加载互锁真空室的水平剖视图。
图5是用于说明图4的加载互锁真空室的对位支承部所用的支承销103和可动支承部104的构造的概略图。
图6是表示图4的加载互锁真空室的搬入用支架85和搬出用支架120的构成以及它们的配置关系的侧视图。
图7是表示设于图4的加载互锁真空室中的对位机构86的按压部90、91的概略图。
图8是表示设于图4的加载互锁真空室中的对位机构86的按压部92的侧视图和俯视图。
图9是用于说明图4的加载互锁真空室中的对位机构86的对位顺序的图。
图10是用于说明设于图4的加载互锁真空室中的对位支承部的另一例的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。在所参照的所有的附图中，对相同的部分标注相同的附图标记。
图1是概略地表示本发明的一实施方式的搭载有作为真空预备室的加载互锁真空室的基板处理系统的俯视图。该基板处理系统1例如构成为对被用作如液晶显示器(LCD)那样的FPD用玻璃基板或太阳能电池用玻璃基板的矩形基板进行诸如蚀刻、成膜的装置。
如图1所示，基板处理系统1包括：共用输送室10；预加热室20，其与该共用输送室10连接，用于对基板G进行预加热；两个处理室30a、30b，其用于对基板G实施蚀刻、成膜等处理；加载互锁真空室40，其用于在配置于大气侧的基板收容容器(未图示)和被保持为真空的共用输送室10之间交换基板G；基板输送装置50，其设于共用输送室10中，用于输送基板G。共用输送室10俯视形状呈矩形状，预加热室20、处理室30a、30b、加载互锁真空室40分别经由闸阀61、62a、62b、63与共用输送室10的各侧面连接。此外，在加载互锁真空室40的大气侧设有闸阀64。另外，在本例子中，共用输送室10的俯视形状构成为矩形状，但是共用输送室10的俯视形状也可以构成为多边形，例如六边形或八边形，形成追加有预加热室、处理室或加载互锁真空室的构成。
在本例子中，共用输送室10、预加热室20、处理室30a、30b构成为真空室，分别在各自内部具有用于载置基板G的载置台21、31a、31b，并被保持为规定的降压气氛。此外，作为真空预备室的加载互锁真空室40用于在配置于大气侧的基板收容容器(未图示)和被保持为真空的共用输送室10之间交换基板G，作为能够在大气气氛和降压气氛之间进行切换的真空预备室而发挥作用。
该基板处理系统1构成为一次将多张例如3张基板G沿高度方向水平载置并进行处理的结构，利用未图示的大气侧输送装置将多张基板G从外部的基板收容容器经由闸阀64搬入到加载互锁真空室40中，被搬入的基板G从加载互锁真空室40经由闸阀63向共用输送室10输送，从该共用输送室10经由闸阀61向预加热室20输送，从该预加热室20经由闸阀62a或62b向处理室30a或30b输送。然后，在处理室30a或30b中处理完毕的基板G从处理室30a或30b经由闸阀62a或62b向共用输送室10输送，从该共用输送室10经由闸阀63向加载互锁真空室40输送，处理完毕的基板G从加载互锁真空室40输送出。另外，在本例子中，处理室30a和处理室30b是进行相同处理的处理室，但是它们也可以构成为进行不同处理的处理室。即，也可以构成为在处理室30a中处理第一工序，在处理室30b中连续地处理接下来进行的第二工序。
基板输送装置50用于在共用输送室10、预加热室20、处理室30a、30b和加载互锁真空室40相互之间一并输送多张例如3张基板G，如图2所示，构成为沿铅垂方向排列的3个基板支承臂51a、51b、51c在能够旋转的基座构件52上能直线移动，由此，利用进入-退回动作和旋转动作，能够进入预加热室20、处理室30a、30b和加载互锁真空室40。另外，附图标记53是用于实现基座构件52的旋转动作的驱动系统。
基板处理系统1的各构成部由控制部(计算机)70控制。控制部70包括具有微处理器的处理控制器71，在该处理控制器71上连接有用户接口72和存储部73，该用户接口72由用于供操作者管理基板处理系统1而进行命令的输入操作等的键盘、将基板处理系统1的工作状况可视化地显示的显示器等构成；该存储部73存储有用于利用处理控制器71的控制实现在基板处理系统1中执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使基板处理系统1执行规定处理的控制程序、制程程序。存储部73具有存储介质，制程程序等被存储在该存储介质中。存储介质既可以是硬盘、半导体存储器，也可以是CD-ROM、DVD、闪存等可携带的存储介质。通过来自用户接口72的指令等，根据需要从存储部73读出制程程序等，使处理控制器71执行该制程程序等，由此在处理控制器71的控制下，进行基板处理系统1的期望的处理。
在如上所述那样被构成的基板处理系统1中，首先，打开闸阀64，利用大气侧基板输送装置(未图示)将多张例如3张未处理的基板G搬入大气气氛的加载互锁真空室40，关闭闸阀64，使加载互锁真空室40内为降压气氛。然后，打开闸阀63，一并使基板输送装置50的基板支承臂51a、51b、51c进入加载互锁真空室40内，接收被搬入加载互锁真空室40内的未处理的基板G。接着，使基板输送装置50的基板支承臂51a、51b、51c退回到共用输送室10中，关闭闸阀63。接着，使基板输送装置50的基座构件52旋转，使基板支承臂51a、51b、51c与预加热室20相对。接着，打开闸阀61，使基板支承臂51a、51b、51c进入到预加热室20中，向预加热室20输送未处理的基板G。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共用输送室10中、关闭了闸阀61之后，在预加热室20中开始基板G的预加热。预加热结束之后，打开闸阀61，使基板支承臂51a、51b、51c进入到预加热室20中，接收预加热完毕的基板G。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共用输送室10中，关闭闸阀61。接着，使基座构件52旋转，使基板支承臂51a，51b，51c与处理室30a或30b相对。接着，打开闸阀62a或62b，使基板支承臂51a、51b、51c进入处理室30a或30b，向处理室30a或30b输送预加热完毕的基板G。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共用输送室10中，关闭闸阀62a或62b，开始在处理室30a或30b中的处理。处理结束之后，打开闸阀62a或62b，使基板支承臂51a、51b、51c进入处理室30a或30b，接收处理完毕的基板G。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共用输送室10中，关闭闸阀62a或62b。接着，使基座构件52旋转，使基板支承臂51a、51b、51c与加载互锁真空室40相对。接着，打开闸阀63，使基板支承臂51a、51b、51c进入到加载互锁真空室40，向加载互锁真空室40输送处理完毕的基板G。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共用输送室10中，关闭闸阀63，使加载互锁真空室40内为大气气氛。之后，打开闸阀64，利用大气侧基板输送装置(未图示)从加载互锁真空室40搬出处理完毕的基板G。
接着，详细地说明加载互锁真空室40。图3是表示加载互锁真空室40的铅垂剖视图，图4是其水平剖视图。
加载互锁真空室40具有容器81，在容器81的一方的侧壁设有能够与被保持为真空的共用输送室10连通的开口82，在与该一方的侧壁相对的侧壁设有能够与大气连通的开口83。而且，开口82能由闸阀63打开或关闭，开口83能由闸阀64打开或关闭。
在容器81内，以固定在容器81的底部的状态设有用于对3张基板G进行对位的对位支架84，在对位支架84的内侧，为了搬入基板，能够升降地设有用于保持基板G的搬入用支架85。此外，在搬入用支架85的内侧，为了搬出基板，设有用于保持基板的搬出用支架，然而，因为其构成与搬入用支架85大致相同，所以在图3、4中省略图示。矩形状的基板G以其短边与开口82、83平行的状态呈3层地载置在上述对位支架84、搬入用支架85和搬出用支架上。
此外，在容器81内具有用于对载置在对位支架84上的状态的基板G进行对位的对位机构86。该对位机构86包括：2个对位部87、88，其设于基板G的一长边侧；1个对位部89，其设于基板G的一短边侧；2个按压部90、91，其与对位部87、88相对地设置，用于按压基板G的另一长边；按压部92，其与对位部89相对地设置，用于按压基板G的另一短边。而且，利用对位部87、88限定基板G的短边方向位置和角度，利用对位部89限定基板G的长边方向位置，利用按压部90、91、92按压基板G，由此进行基板G的对位。
对位支架84包括：4根支柱95，其从容器81的底部向上方延伸；第2层对位支承部97，其形成在上述支柱95的与第2层基板G的高度位置相对应的部分，用于支承第2层基板G；第3层对位支承部98，其形成在支柱95的与最上层的第3层基板G的高度位置相对应的部分，用于支承第3层基板。此外，在容器81的底面形成有支承第1层(最下层)的基板G的第1层对位支承部96。第2层对位支承部97和第3层对位支承部98由3根沿着基板短边方向的短边方向框101a、101b、101c和2根沿着基板长边方向的长边方向框102a、102b构成。第1层对位支承部96由设于容器81的底面的、3根沿着基板短边方向的短边方向框101a、101b、101c构成。第1层对位支承部第96、第2层对位支承部97和第3层对位支承部98分别具有用于支承基板的4个支承销103和5个可动支承部104，上述4个支承销103和5个可动支承部104交替设置。具体而言，在与基板G的中心相对应的第2根短边方向框101b的中央设有可动支承部104，在其两侧设有支承销103，在短边方向框101a、101c的中央设有支承销103，在其两侧设有可动支承部104。
如图5的(a)所示，支承销103用于利用呈半球状的顶端部支承基板G，且固定地设置，所以移动基板G时作用有较大的摩擦力。另一方面，如图5的(b)所示，可动支承部104具有球状体106能够旋转自如地嵌入承托部105的构造，利用球状体106支承基板G，所以移动基板G时几乎不作用有摩擦力。因此，通过组合支承销103和可动支承部104，对基板G产生适度的摩擦力地支承基板G。
如图6所示，搬入用支架85具有框构造，该框构造包括：4根铅垂框111；连结铅垂框111的上端部的4根上部水平框112；连结4根铅垂框111的下端部的4根下部水平框113，搬入用支架85整体呈长方体状。该搬入用支架85利用设于容器81的下方的作动缸机构114而升降，搬入用支架85能够与基板输送装置50的基板支承臂51a、51b、51c进入加载互锁真空室40的动作相对应地进行升降，将基板G交给基板支承臂51a、51b、51c。
在搬入用支架85上分别设有：用于支承第1层(最下层)的基板G的第1层搬入用支承部115；用于支承第2层基板G的第2层搬入用支承部116；用于支承第3层(最上层)的基板G的第3层搬入用支承部117。在这些第1层搬入用支承部第115、2层搬入用支承部116和第3层搬入用支承部117的各支承部的高度位置分别具有从4根铅垂框111延伸出的4根支承构件和设于该支承构件上的基板支承销118。
如上所述，搬出用支架具有与搬入用支架85同样的构造，其构成和与搬入用支架85的配置关系如图6所示。即，搬出用支架120设于搬入用支架85的内侧，具有框构造，该框构造包括：4根铅垂框121；连结铅垂框121的上端部的4根上部水平框122；连结4根铅垂框121的下端部的4根下部水平框123，该搬出用支架120整体呈长方体状。该搬出用支架120利用设于容器81的下方的作动缸机构124而升降，搬出用支架120能够与基板输送装置50的基板支承臂51a、51b、51c以载置有处理后的基板G的状态进入加载互锁真空室40的动作相对应地进行升降，从基板支承臂51a、51b、51c接收基板G。
在搬出用支架120分别设有：用于支承第1层(最下层)的基板G的第1层搬出用支承部125；用于支承第2层基板G的第2层搬出用支承部126；用于支承第3层(最上层)的基板G的第3层搬出用支承部127。在这些第1层搬入用支承部第125、第2层搬入用支承部126和第3层搬入用支承部127的各支承部的高度位置分别具有从4根铅垂框121延伸出的4根支承构件和设于该支承构件上的基板支承销128。
在更换基板G时，将处理后的基板G从基板输送装置50的基板支承臂51a、51b、51c交给第1～3层搬出用支承部125～127的基板支承销128之后，基板支承臂51a、51b、51c能够接收支承在第1～3层搬入用支承部115～117的基板支承销118上的未处理的基板G。
另外，图6是从共用输送室10侧观察加载互锁真空室40内部的搬入用支架85和搬出用支架120的侧视图。
对位机构86的3个对位部87、88、89均包括：沿铅垂方向延伸且能旋转的轴131；安装在轴131上并与支承在第1～3层对位支承部96～98上的基板G接触而对各层的基板G进行对位的3个对位构件132；用于使轴131旋转来调节对位构件132的位置的旋转驱动机构133。对位构件132具有从轴131延伸的臂134和与基板G接触的树脂制的接触件135。
如图7所示，对位机构86的按压部90、91包括：对支承在第1～3层对位支承部96～98上的基板G进行按压的3个按压件141；安装有3个按压件141的、沿铅垂方向延伸的按压构件142；具有用于对按压构件142进行按压的活塞143的作动缸机构144。
如图8的(a)、(b)所示，对位机构86的按压部92包括：沿铅垂方向延伸且能旋转的轴151；安装在轴151上、用于对支承在第1～3层对位支承部96～98上的基板G进行按压的3个按压构件152；用于使轴151旋转而使按压构件152按压基板G的旋转驱动机构153。按压构件152包括：从轴151延伸的第1臂154；利用连杆155与第1臂154连结的第2臂156；设于第2臂156的顶端、按压基板G的树脂制的按压件157；将第1臂154和第2臂156连结起来的螺旋弹簧158。利用该螺旋弹簧158，在基板G与对位部89抵接时防止基板G受损。
在容器81的底部设有排气口161和吹扫气体供给口171。在排气口161连接有排气管线162，在排气管线162上设有开闭阀163、真空泵165。此外，在吹扫气体供给口171连接有吹扫气体供给管线172，吹扫气体供给管线172连接有开闭阀173、流量调整阀174、吹扫气体供给源175。而且，在使容器81内为降压气氛的情况下，关闭开闭阀173，打开开闭阀163，利用真空泵进行真空排气。此外，在使容器81内为大气气氛的情况下，关闭开闭阀163，打开开闭阀173，一边用流量调整阀174调整流量一边从吹扫气体供给源175向容器81内供给氮气等吹扫气体。
接着，详细地说明这样构成的作为真空预备室的加载互锁真空室40的对位动作。
首先，在使容器81内处于大气气氛的状态下，打开闸阀64，从开口83搬入基板G，将基板G支承在第1～3层对位支承部96～98的支承销103和可动支承部104上，利用对位机构86，按照以下的顺序进行基板G的对位。
参照图9的示意图说明此时的顺序。
如图9的(a)所示，在搬入基板G时，对位部87～89、按压部90～92处于待命状态。
然后，在基板G支承在第1～3层对位支承部96～98上的时刻，首先，如图9的(b)所示，使对位部87、88、89的对位构件132转动到成为基准的位置，并调整位置，设定基板G的位置的基准。此时的顺序，例如，首先进行对位部89的位置调整，设定基板G的长边方向位置的基准，接着进行对位部87、88的位置调整，设定基板G的短边方向位置和角度的基准。
接着，如图9的(c)所示，使按压部92的按压构件152转动，对基板G的与对位部89侧的短边相对的短边进行按压，进行基板G的长边方向的对位。
接着，如图9的(d)所示，使按压部90、91的活塞143伸出，对基板G的与对位部87、88侧的长边相对的长边进行按压，进行基板G的短边方向的位置和角度对位。此时，按压部92的按压构件152为退避状态，以便容易进行基板G的对位。
由此，基板G被对位于设定的位置。该对位用于基板输送装置50将基板G输送到处理室30a、30b的规定位置上。即，在处理室30a、30b中进行蚀刻、成膜等处理，然而，从处理的均匀性等观点出发，基板G的位置很重要，因此，这样对基板G进行对位。
以往，使用呈直线状地按压基板对角的定位器来进行加载互锁真空室内的矩形的基板的对位，因此，相应地需要较多的空间，不得不使加载互锁真空室大型化。
相对于此，在本实施方式中，在对位机构86的对位部87～89中，使对位构件132转动而设定基板G的位置的基准，对于通过按压基板G而使基板G对位的按压部来说，按压部92使按压构件152转动，按压部90、91利用设于容器81外的作动缸机构144使活塞143伸出而按压基板G，所以无需如以往那样的大的空间，能使加载互锁真空室40小型化。另外，鉴于基板G对位的重要性，也可以在处理室30a或30b中设有同样的对位机构，也可以在处理室30a或30b中进行同样的基板G的对位。
此外，对位支承部96～98成为4个支承销103和5个可动支承部104交替配置的构成，所以能良好地进行基板G的对位。即，为了可靠地进行矩形基板G的对位，优选这样地9点支承，但是若全部由支承销103支承，则由于摩擦，基板G难以移动，难以进行基板G的对位。此外，若全部由可动支承部104支承，则基板G容易移动，容易对位，但是有时基板G难以停止。相对于此，通过这样交替配置支承销103、可动支承部104，能够使基板G适度地移动而得到良好的对位性。当然，在重视基板G的移动容易性的情况下，也可以全部为可动支承部104。
此外，作为对位支承部96～98，使用利用内侧支承台和外侧支承台能独立升降的构成，例如，如图10所示，在内侧载置台181上只设有多个(在图中为4个)可动支承部104，在外侧载置台182上只设有多个(在图中为8个)支承销103，也可以灵活运用上述可动支承部104和支承销103。具体而言，能够在进行基板G的对位的情况下，使内侧载置台181上升，利用可动支承部104支承基板G，在对位结束之后，使外侧载置台182上升，利用支承销103可靠地支承基板G。此外，在进行基板G的对位时，能够在需要使基板G大幅移动的情况下使用内侧载置台181，在基板G的移动量较小即可的情况下使用外侧载置台182。
另外，不限于图10的例子，例如，也可以在内侧载置台181和外侧载置台182上使支承销103和可动支承部104的比率变化，根据所需的基板G的移动性，灵活运用内侧载置台181和外侧载置台182。此外，载置台的分割方式、分割数量也不限于图10的例子。
另外，利用基板输送装置50的基板输送臂51a、51b、51c，向加载互锁真空室40反向输送已放置于处理室30a、30b的规定的载置位置的基板G，使对位部87、88、89的按压构件132与此时的基板G接触，以此来确定基板G在加载互锁真空室40内的基准位置。只要这些对位部87、88、89的按压构件132的位置被确定，就确定了基板G的位置，因为该位置能够从由设于旋转驱动机构133的编码器检测出的旋转位置求出，所以将该位置作为对位部87、88、89的基准位置，作为数据而向存储部73预先存储。此外，在向处理部30a输送基板G的情况和向处理部30b输送基板G的情况下，有时对位部87、88、89的基准位置不同。例如，向共用输送室10安装处理室30a和处理室30b时，考虑到会产生微小的误差的情况等。在这样的情况下，优选分别预先存储在处理室30a中的基准位置和在处理室30b中的基准位置这两个基准位置，在向处理部30a输送基板G的情况和向处理部30b输送基板G的情况下，调出不同的基准位置来进行对位。此外，该基准位置的确定既可以以自动模式进行，也可以由操作者手动进行。
在进行了以上那样的基板G的对位之后或与基板G的对位同时，在关闭开闭阀173，打开开闭阀163的状态下，使真空泵165动作，使容器81内为规定压力的降压气氛。然后，在基板G的对位结束了之后，使搬入用支架85上升，由第1～3层用搬入用支承部115、116、117的支承销118接收基板G，打开闸阀63，使基板输送装置50的基板输送臂51a、51b、51c进入加载互锁真空室40的容器81内的规定位置，使搬入用支架85下降，将基板G载置到基板输送臂51a、51b、51c上。然后，使基板输送臂51a、51b、51c退回到共用输送室10内，关闭闸阀63，进行上述的一连串的动作。
在加载互锁真空室40内，在交换处理后的基板G和未处理的基板G时，同样在加载互锁真空室40内进行未处理的基板G的对位，使容器81内为降压气氛，在由第1～3层用搬入用支承部115、116、117的支承销118接收未处理的基板G的状态下，打开闸阀63，使载置有处理后的基板G的基板输送臂51a、51b、51c进入到加载互锁真空室40的容器内，使搬出用支架120上升，由第1～3层因搬出用支承部125～127的基板支承销128接收处理后的基板G，接着，使基板输送臂51a、51b、51c退回后，使搬入用支架85上升，接着将基板输送臂51a、51b、51c插入到支承在第1～3层搬入用支承部115、116、117上的未处理的基板G下，通过使搬入用支架85下降，将基板G载置到基板输送臂51a、51b、51c上。然后，使基板输送臂51a、51b、51c退回到共用输送室10内，关闭闸阀63，进行上述的一连串的动作。
在搬出用支架120的第1～3层搬出用支承部125～127上支承有基板G的状态的加载互锁真空室40中，关闭开闭阀163，打开开闭阀173，一边用流量调整阀174调整流量一边将N2气体等吹扫气体从吹扫气体源175导入到容器81内，使容器81为大气气氛，打开闸阀84，搬出被支承在搬出用支架120的第1～3层搬出用支承部125～127上的基板G。
根据本实施方式，在加载互锁真空室40内进行基板G的对位的对位机构86中，确定对位基准的对位部87～89使动对位构件132转动而确定对位基准，按压构件92使按压构件152转动而按压基板G，按压构件90、91利用设于容器81外的作动缸机构144使活塞143伸出而按压基板G，因此，无需如以往那样的大空间，能使加载互锁真空室40小型化。
此外，在进行基板G的对位时支承基板G的对位支承部96～98中，通过交替配置支承销103和可动支承部104，在对位时使基板G适度地移动，能得到良好的对位性。
另外，也能够将对位支承部96～98分成基板G的移动性不同的部分，根据所需的基板G的移动性灵活运用上述部分。
而且，因为能够一并进行多张基板例如3张基板G的对位、输送、处理，所以能提高处理效率。
另外，本发明不限定于上述实施方式，能进行各种变形。例如，在上述实施方式中，例示了加载互锁真空室中的基板G的对位，但是不限于此，也可以像上述那样在处理室中进行基板G的对位。此外，在上述实施方式中，表示了一并进行3张基板的输送、处理的基板处理系统，但是不限于此，既可以是1张，也可以是3张以上的多张基板，基板处理系统的配置方式也不限定于图1的配置方式。而且，在上述实施方式中，例示了设有3个对位部和3个按压部，然而按压部未必是必需的，而且，对位部的数量也不限定于3个。而且，在对位支承部上交替配置了支承销和可动支承部，但是只要能得到期望的基板的移动性，就不限于此，能以适宜的配置方式配置这些支承销和可动支承部。

Claims (11)

1.一种基板对位机构，其是在收容基板的容器内对支承在基板支承部上的基板进行对位的基板对位机构，其特征在于，该基板对位机构具有通过转动而与上述容器内的基板的端面接触的对位构件，上述基板支承部通过组合多个支承销和多个可动支承部而构成，该多个支承销具有半球状的顶端部，且以固定方式设置，该多个可动支承部以能够旋转自如的方式嵌入有球状体。
2.根据权利要求1所述的基板对位机构，其特征在于，上述基板呈矩形状，上述对位构件至少具有3个，其中一个对位构件与上述基板的一个边接触、其他两个对位构件与上述基板中与该一个边相邻的边相接触来进行基板的对位。
3.根据权利要求2所述的基板对位机构，其特征在于，具有至少3个按压构件，该至少3个按压构件通过分别对上述基板的与上述至少3个对位构件接触位置相对的位置进行按压来对基板进行对位。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板对位机构，其特征在于，上述基板支承部以在沿铅垂方向重叠的状态具有多个，用于支承以在受各基板支承部支承的状态被进行对位的基板。
5.根据权利要求3所述的基板对位机构，其特征在于，上述基板支承部以沿铅垂方向呈多层重叠的状态设置多个，上述对位构件相对于各基板支承部至少各设有3个，上述对位构件中的、与沿铅垂方向重叠的状态的上述多个基板支承部相对应的那些对位构件安装在共用的能够旋转的轴上，通过使上述轴转动，能够使对位构件与支承在上述多个基板支承部上的多张基板一并接触。
6.根据权利要求1所述的基板对位机构，其特征在于，上述基板支承部为交替配置多个支承销和多个可动支承部而构成的。
7.根据权利要求1所述的基板对位机构，其特征在于，上述基板支承部被分为多个，各自的支承销与可动支承部的比率不同。
8.一种真空预备室，其用于收容要在降压气氛的处理室中进行处理的基板，在将基板输送到处理室之前，在降压气氛中保持基板，其特征在于，包括：
容器，其用于收容基板；
基板支承部，其用于在上述容器内支承基板；
权利要求1～7中任一项所述的基板对位机构，其用于对支承在上述基板支承部上的基板进行对位。
9.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
多个处理室，其用于在降压气氛中对基板实施规定的处理；
权利要求8所述的真空预备室，其用于收容要在上述处理室中进行处理的基板，在将基板输送到处理室之前，将基板保持在降压气氛中；
基板输送装置，其用于在上述真空预备室和上述处理室之间输送基板。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，上述基板对位机构具有与各处理室相对应的多个基板基准位置，以便上述输送装置能够将基板输送到多个上述处理室的规定位置上。
11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其特征在于，上述基准位置的确定是通过使上述基板对位构件与基板接触来确定的。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8616821B2 (en) * 2010-08-26 2013-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated apparatus to assure wafer quality and manufacturability
CN103350886B (zh) * 2013-07-19 2015-06-17 深圳市华星光电技术有限公司 物件位置校正装置
JP2015115528A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 Ntn株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2015145480A1 (ja) * 2014-03-25 2015-10-01 川崎重工業株式会社 基板角度合わせ装置、基板角度合わせ方法及び基板搬送方法
CN105177514B (zh) * 2014-05-28 2018-04-10 佳能安内华股份有限公司 基板处理装置
CN104310060B (zh) * 2014-08-29 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 基板的整列装置
KR102123825B1 (ko) * 2015-03-13 2020-06-18 주식회사 원익아이피에스 얼라인모듈
US10373860B2 (en) * 2015-06-30 2019-08-06 Applied Materials, Inc. Batch processing apparatus
CN106697878A (zh) * 2017-01-12 2017-05-24 江苏欧圣木业有限公司 用于强化地板端部开槽的位置校正装置
JP2019102721A (ja) * 2017-12-06 2019-06-24 エスペック株式会社 基板用位置決め装置
JP2018085523A (ja) * 2017-12-21 2018-05-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板用キャリア
KR20210026270A (ko) * 2019-08-29 2021-03-10 주식회사 원익아이피에스 얼라인모듈 및 그를 포함하는 기판처리시스템
GB201913356D0 (en) * 2019-09-16 2019-10-30 Spts Technologies Ltd Wafer processing system
CN111332788B (zh) * 2020-03-12 2021-08-03 徐州谷阳新能源科技有限公司 一种镀膜自动化设备取片定位方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1202866A (zh) * 1995-11-27 1998-12-23 渐进系统技术公司 用于基片载运器的准直器

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5374147A (en) * 1982-07-29 1994-12-20 Tokyo Electron Limited Transfer device for transferring a substrate
US4655584A (en) * 1984-05-11 1987-04-07 Nippon Kogaku K. K. Substrate positioning apparatus
US4784377A (en) * 1986-12-23 1988-11-15 Northern Telecom Limited Apparatus for locating and supporting ceramic substrates
US5173029A (en) * 1991-07-16 1992-12-22 Toledo Automated Concepts, Inc. Glass sheet positioning device
JP3410118B2 (ja) * 1992-04-14 2003-05-26 アネルバ株式会社 基板処理装置
JP3468430B2 (ja) * 1994-02-15 2003-11-17 東京エレクトロン株式会社 位置検出案内装置、位置検出案内方法及び真空処理装置
US5636960A (en) * 1992-07-29 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for detecting and aligning a substrate
US5558482A (en) * 1992-07-29 1996-09-24 Tokyo Electron Limited Multi-chamber system
JP3139155B2 (ja) * 1992-07-29 2001-02-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JPH06140492A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Fujitsu Ltd クラスタ装置
JP3335983B2 (ja) 1993-02-26 2002-10-21 東京エレクトロン株式会社 Ｌｃｄ用ガラス基板の位置合わせ機構及び真空処理装置
JPH0751793Y2 (ja) * 1994-05-10 1995-11-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板の熱処理装置
JPH08244909A (ja) * 1995-03-14 1996-09-24 Hitachi Electron Eng Co Ltd カセット内のガラス基板整列方法
WO1996042108A1 (fr) * 1995-06-08 1996-12-27 Kokusai Electric Co., Ltd. Dispositif de transport de substrat
JPH0927536A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Nissin Electric Co Ltd ロ−ドロック室内に基板位置合わせ機構を有するイオン注入装置
US5980195A (en) * 1996-04-24 1999-11-09 Tokyo Electron, Ltd. Positioning apparatus for substrates to be processed
JPH09290890A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Nikon Corp 基板キャリア
JPH1098085A (ja) 1996-09-19 1998-04-14 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および薄膜トランジスタ製造方法
US5955858A (en) * 1997-02-14 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Mechanically clamping robot wrist
DE19829580A1 (de) * 1998-07-02 2000-01-05 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur mechanischen Ausrichtung eines Trägersubstrats für elektronische Schaltungen
US6824343B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Substrate support
US7499767B2 (en) * 2003-02-20 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage
US6917755B2 (en) * 2003-02-27 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Substrate support
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
JP4222997B2 (ja) * 2004-11-15 2009-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7547181B2 (en) * 2004-11-15 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate position correcting method and apparatus using either substrate radius or center of rotation correction adjustment sum
JP4642610B2 (ja) * 2005-09-05 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板位置合わせ装置および基板収容ユニット
KR100751277B1 (ko) * 2005-12-07 2007-08-23 코닉시스템 주식회사 로드락 챔버의 기판 정렬 장치
JP4849227B2 (ja) * 2006-07-31 2012-01-11 株式会社ダイフク 荷位置ずれ自動矯正装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1202866A (zh) * 1995-11-27 1998-12-23 渐进系统技术公司 用于基片载运器的准直器

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Publication number Publication date
EP2282331B1 (en) 2013-03-13
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KR101321612B1 (ko) 2013-10-23
JP5501688B2 (ja) 2014-05-28
TW201117315A (en) 2011-05-16
JP2011035021A (ja) 2011-02-17
EP2282331A3 (en) 2011-06-15
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