KR20110013310A - 기판 위치맞춤 기구, 그것을 이용한 진공 예비실 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

기판 위치맞춤 기구, 그것을 이용한 진공 예비실 및 기판 처리 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판의 위치맞춤을 실행하는 용기내에 있어서의 기판 위치맞춤을 위한 스페이스를 극력 작게 할 수 있는 기판 위치맞춤 기구를 제공한다. 기판 G를 수용하는 용기(81)내에서 기판 지지부(96, 97, 98)에 지지된 기판 G의 위치맞춤을 실행하는 기판 위치맞춤 기구(86)는 회전운동해서 용기(81)내의 기판 G의 변에 접촉하는 위치맞춤 부재(132)를 갖는다.

Description

기판 위치맞춤 기구, 그것을 이용한 진공 예비실 및 기판 처리 시스템 {SUBSTRATE POSITION ALIGNMENT MECHANISM, VACUUM PRECHAMBER AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM HAVING SAME}
본 발명은 플랫 패널 디스플레이(FPD)나 태양 전지 등의 기판을 진공 처리할 때에, 용기내에 수용된 기판의 위치맞춤을 실행하는 위치맞춤 기구, 이러한 위치맞춤 기구를 이용한 진공 예비실, 및 이러한 진공 예비실을 탑재한 기판 처리 시스템에 관한 것이다．
FPD나 태양 전지 등의 직사각형 기판의 제조 과정에서, 에칭 혹은 성막 등의 소정의 진공 처리를 실시하는 처리실을 갖고, 이와 같은 처리실이나, 기판에 대해 미리 프로세스 온도까지 예비 가열하는 예비 가열실 등이 접속되고, 처리실이나 예비 가열실에 대해 기판을 반송하는 반송 기구를 갖는 진공으로 유지된 공통의 반송실과, 반송실과 대기의 사이에서 기판을 반송하기 위한, 진공 예비실로서의 로드 록 실(load-lock chamber)을 갖는 멀티 챔버 타입의 기판 처리 시스템이, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시되어 있다.
이와 같은 기판 처리 시스템에 있어서는 진공 예비실인 로드 록 실에서 기판의 위치맞춤을 실행하고 나서, 반송실의 반송 기구에 의해 처리실 등에 기판을 반송하는 것에 의해, 처리실내의 정확한 위치에 기판을 반송하도록 되어 있다. 이와 같은 위치맞춤을 실행하는 기술로서, 직사각형 기판의 마주하는 코너(또는, 모서리)를 직선적으로 가압하는 포지셔너(positioners)가 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2).
일본국 특허공개공보 평성10-98085호 일본국 특허공개공보 제2000-306980호
이러한 종류의 직사각형 기판은 대형화가 진행되고 있으며, 대기 분위기(약 1기압)와 감압 분위기를 반복하는 진공 예비실인 로드 록 실을 극히 소형화하고자 하는 요청이 있지만, 특허문헌 2의 기술에서는 포지셔너에 의해 직사각형 기판의 마주하는 코너(또는, 모서리)를 직선적으로 가압하기 때문에, 그 만큼의 스페이스가 많이 필요하여, 진공 예비실인 로드 록 실을 충분히 소형화할 수 없다.
본 발명은 이러한 사정을 감안해서 이루어진 것이며, 기판의 위치맞춤을 실행하는 용기내에 있어서의 기판 위치맞춤을 위한 스페이스를 최대한 작게 할 수 있는 기판 위치맞춤 기구, 이러한 기판 위치맞춤 기구를 이용한 진공 예비실, 및 이러한 진공 예비실을 구비한 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에서는 기판을 수용하는 용기내에서 기판 지지부에 지지된 기판의 위치맞춤을 실행하는 기판 위치맞춤 기구로서, 회전운동해서 상기 용기내의 기판의 변에 접촉하는 위치맞춤 부재를 갖는 기판 위치맞춤 기구를 제공한다.
상기 제 1 관점에 있어서, 상기 기판은 직사각형형상을 이루고, 상기 위치맞춤 부재는 적어도 3개 갖고, 그 중 하나의 위치맞춤 부재는 상기 기판의 하나의 변에 접촉하고, 다른 두개의 위치맞춤 부재는 그 변에 인접하는 변에 접촉해서 기판의 위치맞춤을 실행하도록 구성할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판의 상기 적어도 3개의 위치맞춤 부재의 접촉 위치에 대향한 위치를 각각 가압해서 기판을 위치맞춤하는 적어도 3개의 가압 부재를 갖도록 할 수 있다.
상기 제 1 관점에 있어서, 상기 기판 지지부는 수직방향으로 중첩된 상태에서 복수 갖고, 각 기판 지지부에 기판을 지지한 상태에서 기판의 위치맞춤을 실행하는 기판을 지지하도록 할 수 있다. 또한, 상기 기판 지지부는 수직방향에 복수단으로 중첩된 상태에서 마련되고, 상기 위치맞춤 부재는 각 기판 지지부에 대해 적어도 3개씩 마련되고, 상기 위치맞춤 부재 중, 수직방향으로 중첩된 상태의 상기 복수의 기판 지지부에서 대응하는 것끼리가 공통의 회전 가능한 샤프트에 부착되고, 상기 샤프트를 회전운동시키는 것에 의해, 상기 복수의 기판 지지부에 지지된 복수의 기판에 대해 일괄해서 위치맞춤 부재를 접촉시키도록 구성할 수 있다.
상기 제 1 관점에 있어서, 상기 기판 지지부는 복수의 지지 핀과 복수의 가동 지지부에 의해 기판을 지지하는 구성으로 할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판 지지부는 복수의 지지 핀과 복수의 가동 지지부가 교대로 배치된 구성으로 할 수 있다. 또한, 상기 기판 지지부는 복수로 분할되어 구성되고, 각각 지지 핀과 가동 지지부의 개수의 비율을 다르게 하는 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 제 2 관점에서는 감압 분위기의 처리실에서 처리하는 기판을 수용하고, 기판을 처리실에 반송하기 전에 기판을 감압 분위기에서 유지하는 진공 예비실로서, 기판을 수용하는 용기와, 상기 용기내에서 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부에 지지된 기판의 위치맞춤을 실행하는 상기 제 1 관점의 기판 위치맞춤 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 진공 예비실을 제공한다.
본 발명의 제 3 관점에서는 감압 분위기에서 기판에 대해 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리실과, 상기 제 2 관점의 진공 예비실과, 상기 진공 예비실과 상기 처리실의 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템을 제공한다.
상기 제 3 관점에 있어서, 상기 반송 장치가 복수의 상기 처리실의 소정 위치에 기판을 반송 가능하도록 각 처리실에 대응한 복수의 기준위치를 갖도록 구성할 수 있다. 이 경우에, 상기 기준위치의 결정은 상기 기판 위치맞춤 부재를 기판에 접촉시키는 것에 의해 결정되도록 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판을 수용하는 용기내에서 기판 지지부에 지지된 기판의 위치맞춤을 실행하는 경우에, 기판 위치맞춤 기구로서 회전운동해서 상기 용기내의 기판의 변에 접촉하는 위치맞춤 부재를 갖는 것을 이용했으므로, 위치맞춤 부재는 퇴피 위치와 접촉 위치에서 회전운동하면 좋고, 기판 위치맞춤을 위한 스페이스를 최대한 작게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 진공 예비실로서의 로드 록 실이 탑재된 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템의 기판 반송 장치를 나타내는 개략도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 로드 록 실을 나타내는 수직 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 시스템의 로드 록 실을 나타내는 수평 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 로드 록 실의 위치맞춤 지지부에 이용되는 지지 핀(103)과 가동 지지부(104)의 구조를 설명하기 위한 개략도이다.
도 6은 도 4의 로드 록 실의 반입용 랙(85) 및 반출용 랙(120)의 구성 및 이들의 배치 관계를 나타내는 측면도이다.
도 7은 도 4의 로드 록 실에 마련된 위치맞춤 기구(86)의 가압부(90, 91)를 나타내는 개략도이다.
도 8a 및 도 8b는 도 4의 로드 록 실에 마련된 위치맞춤 기구(86)의 가압부(92)를 나타내는 측면도 및 평면도이다.
도 9a 내지 도 9d는 도 4의 로드 록 실에 있어서의 위치맞춤 기구(86)의 위치맞춤 순서(sequence)를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 4의 로드 록 실에 마련된 위치맞춤 지지부의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
이하, 첨부 도면을 참조해서 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에서, 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙인다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 진공 예비실로서의 로드 록 실이 탑재된 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 평면도이다. 이 기판 처리 시스템(1)은, 예를 들면, 액정 모니터(LCD)와 같은 FPD용 유리 기판 혹은 태양 전지용 유리 기판으로서 이용되는 직사각형 기판에 대해, 예를 들면, 에칭이나 성막을 실행하는 장치로서 구성되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 공통 반송실(10)과, 이 공통 반송실(10)에 접속된 기판 G를 예비 가열하는 예비 가열실(20), 기판 G에 에칭이나 성막 등의 처리를 실시하는 2개의 처리실(30a, 30b), 및 대기측에 배치된 기판 수용 용기(도시하지 않음)와 진공으로 유지된 공통 반송실(10)의 사이에서 기판 G를 교환하는 로드 록 실(40)과, 공통 반송실(10)내에 마련되고 기판 G를 반송하는 기판 반송 장치(50)를 구비하고 있다. 공통 반송실(10)은 평면형상이 직사각형형상을 이루고, 예비 가열실(20), 처리실(30a, 30b), 로드 록 실(40)은 공통 반송실(10)의 각 측면에, 각각 게이트밸브(61, 62a, 62b, 63)를 거쳐서 접속되어 있다. 또한, 로드 록 실(40)의 대기측에는 게이트밸브(64)가 마련되어 있다. 또, 본 예에 있어서는 공통 반송실(10)의 평면형상은 직사각형형상으로서 구성되지만, 공통 반송실(10)의 평면형상을 다각형, 예를 들면, 육각형 혹은 팔각형으로 구성하고, 예비 가열실, 처리실 혹은 로드 록 실을 추가한 구성으로 해도 좋다.
본 예에 있어서는 공통 반송실(10), 예비 가열실(20), 처리실(30a, 30b)은 진공 챔버로서 구성되고, 각각 내부에 기판 G를 탑재하는 탑재대(21, 31a, 31b)를 가지며, 소정의 감압 분위기로 유지되도록 되어 있다. 또한, 진공 예비실인 로드 록 실(40)은 대기측에 배치된 기판 수용 용기(도시하지 않음)와 진공으로 유지된 공통 반송실(10)의 사이에서 기판 G를 교환하기 위한 것이고, 대기 분위기와 감압 분위기의 사이에서 전환 가능한 진공 예비실로서 기능한다.
이 기판 처리 시스템(1)은 한번에 복수개, 예를 들면, 3개의 기판 G를 높이방향으로 수평으로 탑재해서 처리하도록 구성되어 있고, 외부의 기판 수용 용기로부터 도시하지 않은 대기측 반송 장치에 의해 게이트 밸브(64)를 거쳐서 로드 록 실(40)에 복수개의 기판 G가 반입되고, 반입된 기판 G는 로드 록 실(40)로부터 게이트밸브(63)를 거쳐서 공통 반송실(10)에, 이 공통 반송실(10)로부터 게이트밸브(61)를 거쳐서 예비 가열실(20)에, 이 예비 가열실(20)로부터 게이트밸브(62a , 62b)를 거쳐서 처리실(30a , 30b)에 반송된다. 그리고, 처리실(30a , 30b)에서 처리가 종료한 기판 G는 처리실(30a , 30b)로부터 게이트밸브(62a , 62b)를 거쳐서 공통 반송실(10)에, 이 공통 반송실(10)로부터 게이트밸브(63)를 거쳐서 로드 록 실(40)에 반송되고, 처리가 종료된 기판 G가 로드 록 실(40)로부터 반출된다. 또, 본 예에 있어서는 처리실(30a) 및 처리실(30b)은 동일한 처리를 실행하는 처리실이지만, 다른 처리를 실행하는 처리실로서 구성해도 좋다. 즉, 처리실(30a)에서 제 1 공정을 처리하고, 계속해서 실행되는 제 2 공정을 처리실(30b)에서 연속해서 처리하는 구성이라도 좋다.
기판 반송 장치(50)는 공통 반송실(10)과, 예비 가열실(20), 처리실(30a, 30b), 및 로드 록 실(40)과의 상호간에서 복수개, 예를 들면, 3개의 기판 G를 일괄해서 반송하기 위한 것이고, 도 2에 나타내는 바와 같이, 수직방향으로 배열된 3개의 기판 지지 암(arm)(51a, 51b, 51c)이 선회 가능한 베이스 부재(52)상을 직선주행 가능하게 구성되어 있고, 이것에 의한 진출 퇴피 동작 및 선회 동작에 의해 예비 가열실(20), 처리실(30a, 30b), 및 로드 록 실(40)로 액세스 가능하게 되어 있다. 또, 부호 ‘53’은 베이스 부재(52)의 선회 동작을 실현하기 위한 구동계이다.
기판 처리 시스템(1)의 각 구성부는 제어부(컴퓨터)(70)에 의해 제어된다. 제어부(70)는 마이크로 프로세서를 구비한 프로세스 컨트롤러(71)를 갖고 있으며, 이 프로세스 컨트롤러(71)에는 오퍼레이터가 기판 처리 시스템(1)을 관리하기 위한 커맨드의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 기판 처리 시스템(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스(72)와, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(71)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 기판 처리 시스템(1)에 소정의 처리를 실행시키기 위한 제어 프로그램이나 레시피가 저장된 기억부(73)가 접속되어 있다. 기억부(73)는 기억 매체를 갖고 있고, 레시피 등은 그 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는 하드 디스크나 반도체 메모리라도 좋고, CD-ROM, DVD, 플래시 메모리 등의 가반성(可搬性)의 것이라도 좋다. 레시피 등은 필요에 따라 유저 인터페이스(72)로부터의 지시 등으로 기억부(73)로부터 읽어내고, 프로세스 컨트롤러(71)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(71)의 제어 하에, 기판 처리 시스템(1)에서의 원하는 처리가 실행된다.
이상과 같이 구성되는 기판 처리 시스템(1)에 있어서는 우선, 게이트밸브(64)를 열어 대기측 기판 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 복수개, 예를 들면, 3개의 미처리의 기판 G를 대기 분위기의 로드 록 실(40)에 반입하고, 게이트밸브(64)를 닫고 로드 록 실(40)내를 감압 분위기로 한다. 그리고, 게이트밸브(63)를 열고, 기판 반송 장치(50)의 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 일괄해서 로드 록 실(40)내에 진출시키고, 로드 록 실(40)내에 반입된 미처리의 기판 G를 수취한다. 다음에, 기판 반송 장치(50)의 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 공통 반송실(10)로 퇴피시키고, 게이트밸브(63)를 닫는다.
다음에, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)이 예비 가열실(20)을 향하도록 기판 반송 장치(50)의 베이스 부재(52)를 선회시킨다. 다음에, 게이트밸브(61)를 열고, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 예비 가열실(20)에 진출시키고, 미처리의 기판 G를 예비 가열실(20)에 반송한다. 다음에, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 공통 반송실(10)에 퇴피시키고, 게이트밸브(61)를 닫은 후, 예비 가열실(20)에서 기판 G의 예비 가열을 시작한다. 예비 가열이 종료하면, 게이트밸브(61)를 열고, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 예비 가열실(20)에 진출시키고, 예비 가열 완료된 기판 G를 수취한다. 다음에, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 공통 반송실(10)에 퇴피시키고, 게이트밸브(61)를 닫는다.
다음에, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)이 처리실(30a , 30b)을 향하도록 베이스 부재(52)를 선회시킨다. 다음에, 게이트밸브(62a , 62b)를 열고, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 처리실(30a , 30b)에 진출시키고, 예비 가열 완료의 기판 G를 처리실(30a , 30b)에 반송한다. 다음에, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 공통 반송실(10)에 퇴피시키고, 게이트밸브(62a , 62b)를 닫고, 처리실(30a , 30b)에서 처리를 시작한다.
처리가 종료하면, 게이트밸브(62a , 62b)를 열고, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 처리실(30a , 30b)에 진출시키고, 처리완료의 기판 G를 수취한다. 다음에, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 공통 반송실(10)에 퇴피시키고, 게이트밸브(62a , 62b)를 닫는다. 다음에, 베이스 부재(52)를 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)이 로드 록 실(40)을 향하도록 선회시킨다. 다음에, 게이트밸브(63)를 열고, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 로드 록 실(40)에 진출시키고, 처리완료의 기판 G를 로드 록 실(40)에 반송한다. 다음에, 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)을 공통 반송실(10)에 퇴피시키고, 게이트밸브(63)를 닫고, 로드 록 실(40)내를 대기 분위기로 한다. 그 후, 게이트밸브(64)를 열어 대기측 기판 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 처리완료의 기판 G를 로드 록 실(40)로부터 반출한다.
다음에, 로드 록 실(40)에 대해 상세하게 설명한다. 도 3은 로드 록 실(40)을 나타내는 수직 단면도, 도 4는 그 수평 단면도이다.
로드 록 실(40)은 용기(81)를 갖고, 용기(81)의 한쪽의 측벽에는 진공으로 유지된 공통 반송실(10)과 연통 가능한 개구(82)가 마련되어 있고, 이것과 대향하는 측벽에는 대기와 연통 가능한 개구(83)가 마련되어 있다. 그리고, 개구(82)는 게이트밸브(63)에 의해 개폐 가능하게 되어 있으며, 개구(83)는 게이트밸브(64)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.
용기(81)내에는 3개의 기판 G의 위치맞춤을 실행하기 위한 위치맞춤 랙(84)이 용기(81)의 바닥부에 고정된 상태로 마련되고, 위치맞춤 랙(84)의 내측에는 공통 반송실(10)로의 기판 반입을 위해 기판 G를 유지하는 반입용 랙(85)이 승강 가능하게 마련되어 있다. 또한, 반입용 랙(85)의 내측에는 공통 반송실(10)로부터의 기판 반출을 위해 기판을 유지하는 반출용 랙이 마련되어 있지만, 그 구성은 반입용 랙(85)과 대략 마찬가지이기 때문에, 도 3, 도 4에서는 도시를 생략한다. 이들 위치맞춤 랙(84), 반입용 랙(85), 및 반출용 랙에는 직사각형형상의 기판 G가 그 짧은 변을 개구(82, 83)에 대해 평행하게 한 상태에서 3단으로 탑재되도록 되어 있다.
또한, 용기(81)내에는 위치맞춤 랙(84)에 탑재되어 있는 상태의 기판 G의 위치맞춤을 실행하기 위한 위치맞춤 기구(86)를 갖고 있다. 이 위치맞춤 기구(86)는 기판 G의 한쪽의 긴 변에 접촉하는 2개의 위치맞춤부(87, 88)와, 기판 G의 한쪽의 짧은 변에 접촉하는 1개의 위치맞춤부(89)와, 위치맞춤부(87, 88)와 대향해서 마련되고, 기판 G의 다른쪽의 긴 변을 가압하는 2개의 가압부(90, 91)와, 위치맞춤부(89)와 대향해서 마련되고, 기판 G의 다른쪽의 짧은 변을 가압하는 가압부(92)를 갖고 있다. 그리고, 위치맞춤부(87, 88)에 의해 기판 G의 짧은 변 방향 위치 및 각도를 규정하고, 위치맞춤부(89)에 의해 기판 G의 긴 변 방향 위치를 규정하며, 가압부(90, 91, 92)에 의해 기판 G를 가압함으로써 기판 G의 위치맞춤이 실행된다.
위치맞춤 랙(84)은 용기(81)의 바닥부로부터 위쪽으로 신장하는 4개의 지주(95)와, 이들 지주(95)의 2단째의 기판 G의 높이 위치에 대응하는 부분에 형성된 2단째의 기판 G를 지지하는 2단째 위치맞춤 지지부(97)와, 지주(95)의 최상단인 3단째의 기판 G의 높이 위치에 대응하는 부분에 형성된 3단째의 기판을 지지하는 3단째 위치맞춤 지지부(98)를 갖는다. 또한, 용기(81)의 저면에는 1단째 (최하단)의 기판 G를 지지하는 1단째 위치맞춤 지지부(96)가 형성되어 있다. 2단째 위치맞춤 지지부(97) 및 3단째 위치맞춤 지지부(98)는 기판의 짧은 변 방향을 따라서 형성된 3개의 짧은 변 방향 프레임(101a, 101b, 101c) 및 기판의 긴 변 방향을 따라서 형성된 2개의 긴 변 방향 프레임(102a, 102b)으로 이루어진다. 1단째 위치맞춤 지지부(96)는 용기(81)의 저면에 마련되고 기판의 짧은 변 방향을 따라서 형성된 3개의 짧은 변 방향 프레임(101a, 101b, 101c)으로 이루어진다. 1단째 위치맞춤 지지부(96), 2단째 위치맞춤 지지부(97) 및 3단째 위치맞춤 지지부(98)는 각각 기판을 지지하기 위한 4개의 지지 핀(103)과 5개의 가동 지지부(104)를 갖고 있으며, 이들이 교대로 되도록 마련되어 있다. 구체적으로는, 기판 G의 중심에 대응하는 2단째의 짧은 변 방향 프레임(101b)에는 중앙에 가동 지지부(104)가, 그 양측에 지지 핀(103)이 마련되어 있고, 짧은 변 방향 프레임(101a, 101c)에는 중앙에 지지 핀(103)이, 그 양측에 가동 지지부(104)가 마련되어 있다.
지지 핀(103)은 도 5a에 나타내는 바와 같이, 반구형상을 이루는 선단부에서 기판 G를 지지하는 것이며, 고정적으로 마련되어 있기 때문에, 기판 G를 이동할 때에 비교적 큰 마찰력이 작용한다. 한편, 가동 지지부(104)는 도 5b에 나타내는 바와 같이, 받이부(105)에 자유롭게 회전할 수 있도록 볼(106)이 끼워 넣어진 구조를 갖고 있고, 볼(ball)(106)에 의해 기판 G를 지지하는 것이기 때문에, 기판 G를 이동할 때에 거의 마찰력이 작용하지 않는다. 이 때문에, 이들을 조합하는 것에 의해, 기판 G에 대해 적절한 마찰력이 생기도록 기판 G가 지지된다.
도 6은 로드 록 실(40) 내부의 반입용 랙(85)과 반출용 랙(120)을 공통 반송실(10)측에서 본 측면도이다. 반입용 랙(85)은 도 6에 나타내는 바와 같이, 4개의 수직 프레임(111)과, 수직 프레임(111)의 상단부를 연결하는 4개의 상부 수평 프레임(112)과, 4개의 수직 프레임(111)의 하단부를 연결하는 4개의 하부 수평 프레임(113)을 갖는 프레임 구조를 갖고 있고, 전체가 직방체형상을 이루고 있다. 이 반입용 랙(85)은 용기(81)의 아래쪽에 마련된 실린더 기구(114)에 의해 승강되도록 되어 있고, 기판 반송 장치(50)의 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)이 로드 록 실(40)에 진입하는 동작에 맞추어 반입용 랙(85)이 승강해서 기판 G를 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)에 수수할 수 있다.
반입용 랙(85)에는 각각, 1단째(최하단)의 기판 G를 지지하기 위한 1단째 반입용 지지부(115)와, 2단째의 기판 G를 지지하기 위한 2단째 반입용 지지부(116)와, 3단째(최상단)의 기판 G를 지지하기 위한 3단째 반입용 지지부(117)가 마련되어 있다. 이들 1단째 반입용 지지부(115), 2단째 반입용 지지부(116), 및 3단째 반입용 지지부(117)는 각 지지부의 높이 위치에, 4개의 수직 프레임(111)으로부터 각각 수평연장하는 4개의 지지 부재 및 이 지지 부재에 마련된 기판 지지 핀(118)을 갖고 있다.
상술한 바와 같이, 반출용 랙은 반입용 랙(85)과 마찬가지의 구조를 갖고 있고, 그 구성 및 반입용 랙(85)과의 배치 관계는 도 6에 나타내는 바와 같이 되어 있다. 즉, 반출용 랙(120)은 반입용 랙(85)의 내측에 마련되고, 4개의 수직 프레임(121)과, 수직 프레임(121)의 상단부를 연결하는 4개의 상부 수평 프레임(122)과, 4개의 수직 프레임(121)의 하단부를 연결하는 4개의 하부 수평 프레임(123)을 갖는 프레임 구조를 갖고 있고, 전체가 직방체형상을 이루고 있다. 이 반출용 랙(120)은 용기(81)의 아래쪽에 마련된 실린더 기구(124)에 의해 승강되도록 되어 있고, 기판 반송 장치(50)의 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)이 처리 후의 기판 G를 실은 상태에서 로드 록 실(40)에 진입하는 동작에 맞추어 반출용 랙(120)이 승강해서 기판 G를 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)으로부터 수취할 수 있다.
반출용 랙(120)에는 각각, 1단째(최하단)의 기판 G를 지지하기 위한 1단째 반출용 지지부(125)와, 2단째의 기판 G를 지지하기 위한 2단째 반출용 지지부(126)와, 3단째(최상단)의 기판 G를 지지하기 위한 3단째 반출용 지지부(127)가 마련되어 있다. 이들 1단째 반출용 지지부(125), 2단째 반출용 지지부(126), 및 3단째 반출용 지지부(127)는 각 지지부의 높이 위치에, 4개의 수직 프레임(121)으로부터 각각 연장하는 4개의 지지 부재 및 이 지지 부재에 마련된 기판 지지 핀(128)을 갖고 있다.
기판 G의 교체시에, 기판 반송 장치(50)의 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)으로부터 처리 후의 기판 G를 1~3단째 반출용 지지부(125~127)의 기판 지지 핀(128)에 수수한 후, 1~3단째 반입용 지지부(115~117)의 기판 지지 핀(118)에 지지된 미처리의 기판 G를 기판 지지 암(51a, 51b, 51c)이 수취할 수 있다.
도 3 및 도 4를 다시 참조하면, 위치맞춤 기구(86)의 3개의 위치맞춤부(87, 88, 89)는 모두 수직방향으로 연장하는 회전 가능한 샤프트(131)와, 샤프트(131)에 부착되고, 1~3단째 위치맞춤 지지부(96~98)에 지지된 기판 G에 접촉하여, 각 단의 기판 G의 위치를 맞추는 3개의 위치맞춤 부재(132)와, 샤프트(131)를 회전시켜, 위치맞춤 부재(132)의 위치를 조절하는 회전 구동 기구(133)를 갖는다. 위치맞춤 부재(132)는 샤프트(131)로부터 연장하는 암(134)과 기판 G에 접촉하는 수지(resin)제의 접촉자(135)를 갖는다.
위치맞춤 기구(86)의 가압부(90, 91)는 도 7에 나타내는 바와 같이, 1~3단째 위치맞춤 지지부(96~98)에 지지된 기판 G를 가압하는 3개의 가압자(141)와, 3개의 가압자(141)가 부착되고 수직방향으로 연장하는 가압 부재(142)와, 가압 부재(142)를 가압하는 피스톤(143)을 갖는 실린더 기구(144)를 갖는다.
위치맞춤 기구(86)의 가압부(92)는 도 8a 및 도 8b에 나타내는 바와 같이, 수직방향으로 연장하는 회전 가능한 샤프트(151)와, 샤프트(151)에 부착되고, 1~3단째 위치맞춤 지지부(96~98)에 지지된 기판 G를 가압하는 3개의 가압 부재(152)와, 샤프트(151)를 회전시켜, 가압 부재(152)에 기판 G를 가압시키는 회전 구동 기구(153)를 갖는다. 가압 부재(152)는 샤프트(151)로부터 연장하는 제 1 암(154)과, 제 1 암(154)에 링크(155)로 연결된 제 2 암(156)과, 제 2 암(156)의 선단에 마련되어 기판 G를 가압하는 수지제의 가압자(157)와, 제 1 암(154) 및 제 2 암(156)을 연결하는 코일 스프링(158)을 갖는다. 이 코일 스프링(158)에 의해, 기판 G가 위치맞춤부(89)에 접촉했을 때에 기판 G가 파손되는 것이 방지된다.
도 3을 다시 참조하면, 용기(81)의 바닥부에는 배기구(161) 및 퍼지 가스 공급구(171)가 마련되어 있다. 배기구(161)에는 배기 라인(162)이 접속되어 있으며, 배기 라인(162)에는 개폐 밸브(163), 진공 펌프(165)가 마련되어 있다. 또한, 퍼지 가스 공급 구(171)에는 퍼지 가스 공급 라인(172)이 접속되어 있으며, 퍼지 가스 공급 라인(172)에는 개폐 밸브(173), 유량 조정 밸브(174), 퍼지 가스 공급원(175)이 접속되어 있다. 그리고, 용기(81)내를 감압 분위기로 하는 경우에는 개폐 밸브(173)를 닫고, 개폐 밸브(163)를 열어, 진공 펌프에 의해 진공 배기한다. 또한, 용기(81)내를 대기 분위기로 하는 경우에는 개폐 밸브(163)를 닫고, 개폐 밸브(173)를 열어, 유량 조정 밸브(174)로 유량을 조정하면서 퍼지 가스 공급원(175)으로부터 질소 가스 등의 퍼지 가스를 용기(81)내에 공급한다.
다음에, 이와 같이 구성되는 진공 예비실인 로드 록 실(40)에서의 위치맞춤 동작에 대해 상세하게 설명한다.
우선, 용기(81)내를 대기 분위기로 한 상태에서, 게이트밸브(64)를 열어 개구(83)로부터 기판 G를 반입하고, 1~3단째 위치맞춤 지지부(96~98)의 지지 핀(103) 및 가동 지지부(104)상에 기판 G를 지지시키고, 위치맞춤 기구(86)에 의해, 이하의 순서(sequence)에 의해 기판 G의 위치맞춤을 실행한다.
이 때의 순서를 도 9a 내지 도 9d의 모식도를 참조해서 설명한다.
기판 G를 반입할 때에는 도 9a에 나타내는 바와 같이, 위치맞춤부(87~89), 가압부(90~92)를 대기 상태로 한다. 그리고, 기판 G가 1~3단째 위치맞춤 지지부(96~98)에 지지된 시점에서, 우선, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 위치맞춤부(87, 88, 89)의 위치맞춤 부재(132)를 기준으로 되는 위치에 회전운동시켜 위치를 조정하고, 기판 G의 위치의 기준을 설정한다. 이 때의 순서는, 예를 들면, 최초로 위치맞춤부(89)에 있어서의 위치 조정을 실행해서 기판 G의 긴 변 방향 위치의 기준을 설정하고, 다음에 위치맞춤부(87, 88)에 있어서의 위치 조정을 실행해서 기판 G의 짧은 변 방향 위치 및 각도의 기준을 설정한다.
다음에, 도 9c에 나타내는 바와 같이, 가압부(92)의 가압 부재(152)를 회전운동시켜, 기판 G의 위치맞춤부(89)와 접촉하는 짧은 변과 대향하는 짧은 변을 가압하고, 기판 G의 긴 변 방향의 위치를 맞춘다.
다음에, 도 9d에 나타내는 바와 같이, 가압부(90, 91)의 피스톤(143)을 진출시켜, 기판 G의 위치맞춤부(87, 88)와 접촉하는 긴 변과 대향하는 긴 변을 가압하고, 기판 G의 짧은 변 방향의 위치 및 각도를 맞춘다. 이 때, 가압부(92)의 가압 부재(152)는 기판 G의 위치맞춤이 용이하도록 퇴피시킨 상태 (즉, 대기 위치로 이동한 상태) 로 한다.
이상에 의해, 기판 G가 설정된 위치에 위치맞춤된다. 이 위치맞춤은 기판 반송 장치(50)가 처리실(30a, 30b)에 있어서의 소정 위치에 기판 G를 반송하기 위한 것이다. 즉, 처리실(30a, 30b)에서는 에칭이나 성막 등의 처리가 실행되지만, 처리의 균일성 등의 관점으로부터 기판 G의 위치는 중요하기 때문에, 이와 같은 기판 G의 위치맞춤을 실행한다.
종래에는 로드 록 실 내의 직사각형의 기판의 위치맞춤을, 기판의 마주하는 코너(또는, 모서리)를 직선적으로 가압하는 포지셔너를 이용해서 실행하고 있었기 때문에, 그 만큼의 스페이스가 많이 필요하고, 로드 록 실이 대형화 될 수밖에 없었다.
이에 반해, 본 실시형태에서는 위치맞춤 기구(86)의 위치맞춤부(87~89)에 있어서, 위치맞춤 부재(132)를 회전운동시켜 기판 G의 위치의 기준을 설정한다. 또한, 기판 G를 가압해서 기판 G의 위치를 맞추는 가압부에 대해서도, 가압부(92)는 가압 부재(152)를 회전운동시키는 것이며, 가압부(90, 91)는 용기(81) 밖에 마련된 실린더 기구(144)에 의해 피스톤(143)을 진출시켜 기판 G를 가압하는 것이기 때문에, 종래와 같은 큰 스페이스는 필요가 없고, 로드 록 실(40)을 소형화할 수 있다. 또한, 기판 G의 위치맞춤의 중요성을 감안해서, 처리실(30a , 30b)에 있어서도 마찬가지의 위치맞춤 기구를 마련하고, 처리실(30a , 30b)에 있어서도 마찬가지의 기판 G의 위치맞춤을 실행해도 좋다.
또한, 위치맞춤 지지부(96~98)는 4개의 지지 핀(103)과 5개의 가동 지지부(104)가 교대로 배치된 구성으로 되어 있으므로, 기판 G의 위치맞춤을 양호하게 할 수 있다. 즉, 직사각형 기판 G의 위치맞춤을 확실하게 실행하기 위해서는 이와 같이 9점 지지가 바람직하지만, 모두 지지 핀(103)으로 지지하면 마찰에 의해 기판 G가 이동하기 어려워져, 기판 G를 위치맞춤하기 어렵다. 또한, 모두 가동 지지부(104)로 지지하면 기판 G가 용이하게 이동해서 위치맞춤이 용이하게 되지만, 기판 G가 정지하기 어렵게 되는 경우가 있다. 이에 반해, 이와 같이 지지 핀(103)과 가동 지지부(104)를 교대로 배치하는 것에 의해, 기판 G를 적절히 이동시켜 양호한 위치맞춤성을 얻을 수 있다. 물론, 기판 G의 이동의 용이를 중시하는 경우에는 모두 가동 지지부(104)로 해도 좋다.
또한, 위치맞춤 지지부(96~98)로서, 내측 탑재대와 외측 탑재대로 독립적으로 승강 가능한 것을 이용하고, 예를 들면, 도 10에 나타내는 바와 같이, 내측 탑재대(181)에 복수(도면에서는 4개)의 가동 지지부(104)만을 마련하고, 외측 탑재대(182)에 복수(도면에서는 8개)의 지지 핀(103)만을 마련하고, 이들을 구별해서 사용하도록 해도 좋다. 구체적으로는, 기판 G의 위치맞춤을 실행하는 경우에 내측 탑재대(181)를 상승시켜 가동 지지부(104)에 의해 기판 G를 지지하도록 하고, 위치맞춤이 끝난 후, 외측 탑재대(182)를 상승시켜 지지 핀(103)에 의해 확실하게 지지하도록 할 수 있다. 또한, 기판 G의 위치맞춤시에 기판 G를 크게 이동시킬 필요가 있는 경우에는 내측 탑재대(181)를 이용하고, 기판 G의 이동량이 작아도 좋은 경우에는 외측 탑재대(182)를 이용하도록 할 수도 있다.
또, 도 10의 예에 한정되지 않고, 예를 들면, 내측 탑재대(181) 및 외측 탑재대(182)에 지지 핀(103)과 가동 지지부(104)의 비율을 변화시켜, 필요로 하는 기판 G의 이동성에 따라 내측 탑재대(181)와 외측 탑재대(182)를 구별해서 사용할 수도 있다. 또한, 탑재대의 분할의 방법(예를 들어, 분할된 탑재대의 형상), 분할의 수도 도 10의 예에 한정되지 않는다.
또, 로드 록 실(40)내에서의 기판 G의 기준 위치는 처리실(30a, 30b)의 소정의 탑재 위치에 배치된 기판 G를 기판 반송 장치(50)의 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)에 의해 로드 록 실(40)에 역 반송하고, 그 때의 기판 G에 위치맞춤부(87, 88, 89)의 위치맞춤 부재(132)를 접촉시키는 것에 의해 결정한다. 기판 G의 위치는 이들 위치맞춤부(87, 88, 89)의 위치맞춤 부재(132)의 위치가 결정되면 정해지고, 그 위치는 회전 구동 기구(133)에 마련된 인코더에서 검출되는 회전 위치로부터 구해지므로, 이것을 위치맞춤부(87, 88, 89)의 기준위치로서 기억부(73)에 데이터로서 기억해 둔다.
또한, 기판 G를 처리부(30a)에 반송하는 경우와 처리부(30b)에 반송하는 경우에 위치맞춤부(87, 88, 89)의 기준위치가 다른 경우가 있다. 예를 들면, 처리실(30a)과 처리실(30b)을 공통 반송실(10)에 부착할 때에, 약간의 오차가 생겨 버린 경우 등이 고려된다. 이와 같은 경우, 처리실(30a)에서의 기준위치와 처리실(30b)에서의 기준위치의 양쪽을 각각 기억해 두고, 기판 G를 처리부(30a)에 반송하는 경우와 처리부(30b)에 반송하는 경우에 다른 기준위치를 호출해서 위치맞춤을 실행하는 것이 바람직하다. 또한, 이 기준위치의 결정은 자동 모드에서 실행해도 좋고, 운용자가 수동으로 실행해도 좋다.
이상과 같은 기판 G의 위치맞춤을 실행한 후, 또는 기판 G의 위치맞춤과 병행해서, 개폐 밸브(173)를 닫고, 개폐 밸브(163)를 연 상태에서, 진공 펌프(165)를 동작시켜, 용기(81)내를 소정 압력의 감압 분위기로 한다. 그리고, 기판 G의 위치맞춤이 종료한 후에, 반입용 랙(85)을 상승시키고, 1~3단째 반입용 지지부(115, 116, 117)의 지지 핀(118)에서 기판 G를 수취하고, 게이트밸브(63)를 열고, 기판 반송 장치(50)의 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)을 로드 록 실(40)의 용기(81)내의 소정 위치에 진입시키고, 반입용 랙(85)을 하강시켜 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)에 기판 G를 싣는다. 그리고, 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)을 공통 반송실(10)내에 퇴피시키고, 게이트밸브(63)를 닫는다.
로드 록 실(40) 내에서, 처리 후의 기판 G를 미처리의 기판 G와 교체할 때에도 상기와 마찬가지로 해서 로드 록 실(40)내에서 미처리의 기판 G의 위치맞춤을 실행하고, 용기(81)내를 감압 분위기로 하고, 미처리의 기판 G를 1~3단째 반입용 지지부(115, 116, 117)의 지지 핀(118)으로 수취한 상태로 하고, 게이트밸브(63)를 열고, 처리 후의 기판 G를 실은 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)을 로드 록 실(40)의 용기내에 진입시키고, 반출용 랙(120)을 상승시켜 1~3단째 반출용 지지부(125~127)의 기판 지지 핀(128)으로 처리 후의 기판 G를 수취하고, 다음에, 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)을 퇴피시킨 후, 반입용 랙(85)을 상승시키고, 계속해서 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)을 1~3단째 반입용 지지부(115, 116, 117)에 지지된 미처리의 기판 G의 아래에 삽입하고, 반입용 랙(85)을 하강시키는 것에 의해 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)상에 미처리의 기판 G를 싣는다. 그리고, 기판 반송 암(51a, 51b, 51c)을 공통 반송실(10)내로 퇴피시키고, 게이트밸브(63)를 닫는다.
반출용 랙(120)의 1~3단째 반출용 지지부(125~127)에 처리된 기판 G가 지지된 상태의 로드 록 실(40)에 있어서는 개폐 밸브(163)를 닫고, 개폐 밸브(173)를 열어, 유량 조정 밸브(174)로 유량을 조정하면서 퍼지 가스원(175)으로부터 N2 가스 등의 퍼지 가스를 용기(81)내에 도입하고, 용기(81)를, 예를 들어, 대기 분위기로 하고, 게이트밸브(64)를 열어 반출용 랙(120)의 1~3단째 반출용 지지부(125~127)에 지지된 기판 G를 반출한다.
본 실시형태에 의하면, 로드 록 실(40)내에서 기판 G의 위치맞춤을 실행하는 위치맞춤 기구(86)에 있어서, 위치맞춤 기준을 정하는 위치맞춤부(87~89)는 위치맞춤 부재(132)를 회전운동시켜 위치맞춤 기준을 정하고, 가압부(92)는 가압 부재(152)를 회전운동시켜 기판 G를 가압하며, 가압부(90, 91)는 용기(81) 밖에 마련된 실린더 기구(144)에 의해 피스톤(143)을 진출시켜 기판 G를 가압하는 것이기 때문에, 종래와 같은 큰 스페이스는 필요가 없고, 로드 록 실(40)을 소형화할 수 있다.
또한, 기판 G의 위치맞춤을 실행할 때에 기판 G를 지지하는 위치맞춤 지지부(96~98)에 있어서, 지지 핀(103)과 가동 지지부(104)를 교대로 배치하는 것에 의해, 위치맞춤시에 기판 G를 적절히 이동시켜 양호한 위치맞춤성을 얻을 수 있다.
또한, 위치맞춤 지지부(96~98)를 기판 G의 이동성이 다른 부분으로 분할해서, 필요로 하는 기판 G의 이동성에 따라 이들을 구별해서 사용할 수도 있다.
또한, 복수의 기판, 예를 들면, 3개의 기판 G를 일괄해서 위치맞춤을 실행하고, 반송하고, 처리할 수 있으므로, 처리 효율을 높일 수 있다.
또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 일 없이 각종 변형 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는 로드 록 실에 있어서의 기판 G의 위치맞춤을 예로 들어 나타냈지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 상술한 바와 같이 처리실에 있어서 기판 G의 위치맞춤을 해도 좋다. 또한, 상기 실시형태에서는 3개의 기판을 일괄해서 반송하고, 처리하는 기판 처리 시스템을 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고 1개라도 좋으며, 3개 이외의 복수개라도 좋고, 기판 처리 시스템의 형태에 대해서도 도 1의 것에 한정되지 않는다. 또한, 상기 실시형태에서는 3개의 위치맞춤부와 3개의 가압부를 마련한 예에 대해서 나타냈지만, 가압부는 반드시 필요하지는 않으며, 또한, 위치맞춤부의 수는 3개에 한정되는 것은 아니다. 또한, 위치맞춤 지지부에 있어서 지지 핀과 가동 지지부를 교대로 배치했지만, 원하는 기판의 이동성을 얻을 수 있으면, 이것에 한정되지 않고, 이들을 적절한 배치 형태로 배치할 수 있다.
1: 기판 처리 시스템 10: 공통 반송실
20: 예비 가열실 30a, 30b: 처리실
40: 로드 록 실(진공 예비실) 50: 기판 반송 장치
51a, 51b, 51c: 기판 반송 암 61, 62a, 62b, 63, 64: 게이트밸브
70: 제어부 81: 용기
86: 위치맞춤 기구 87, 88, 89: 위치맞춤부
90, 91, 92: 가압부 96, 97, 98: 위치맞춤 지지부
103: 지지 핀 104: 가동 지지부
131: 샤프트 132: 위치맞춤 부재
133: 회전 구동 기구 G: 기판

Claims (12)

  1. 기판을 수용하는 용기내에서 기판 지지부에 지지된 기판의 위치맞춤을 실행하는 기판 위치맞춤 기구로서,
    회전운동해서 상기 용기내의 기판의 변에 접촉하는 위치맞춤 부재를 갖는 것을 특징으로 하는
    기판 위치맞춤 기구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 직사각형형상을 이루고, 상기 위치맞춤 부재는 적어도 3개 마련되고, 그 중 하나의 위치맞춤 부재는 상기 기판의 하나의 변에 접촉하고, 다른 두개의 위치맞춤 부재는 상기 하나의 변에 인접하는 변에 접촉해서 기판의 위치맞춤을 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 위치맞춤 기구.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 적어도 3개의 위치맞춤 부재의 접촉 위치에 대향한 위치를 각각 가압해서 기판을 위치맞춤하는 적어도 3개의 가압 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 위치맞춤 기구.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 수직방향으로 중첩된 상태로 복수 마련되고, 각 기판 지지부에 기판을 지지한 상태에서 기판의 위치맞춤을 실행하는 것을 특징으로 하는 기판 위치맞춤 기구.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 수직방향으로 중첩된 상태로 복수 마련되고,
    상기 위치맞춤 부재는 각 기판 지지부에 대해 적어도 3개씩 마련되고,
    상기 위치맞춤 부재 중, 수직방향으로 중첩된 상태의 상기 복수의 기판 지지부에서 대응하는 위치맞춤 부재끼리가 공통의 회전 가능한 샤프트에 부착되고, 상기 샤프트를 회전운동시키는 것에 의해, 상기 복수의 기판 지지부에 지지된 복수의 기판에 대해 일괄해서 위치맞춤 부재를 접촉시키는 것을 특징으로 하는
    기판 위치맞춤 기구.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 복수의 지지 핀과 복수의 가동 지지부에 의해 기판을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 위치맞춤 기구.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 복수의 지지 핀과 복수의 가동 지지부가 교대로 배치되어 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 위치맞춤 기구.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 복수로 분할되어 구성되고, 각각에서 지지 핀과 가동 지지부의 개수의 비율을 다르게 한 것을 특징으로 하는 기판 위치맞춤 기구.
  9. 감압 분위기의 처리실에서 처리하는 기판을 수용하고, 기판을 처리실에 반송하기 전에 기판을 감압 분위기에서 유지하는 진공 예비실로서,
    기판을 수용하는 용기와,
    상기 용기내에서 기판을 지지하는 기판 지지부와,
    상기 기판 지지부에 지지된 기판의 위치맞춤을 실행하는 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 하나의 기판 위치맞춤 기구를 갖는 것을 특징으로 하는
    진공 예비실.

  10. 감압 분위기에서 기판에 대해 소정의 처리를 실시하는 복수의 처리실과,
    제 9 항에 기재된 진공 예비실과,
    상기 진공 예비실과 상기 처리실의 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 위치맞춤 기구는 상기 반송 장치가 복수의 상기 처리실의 소정 위치에 기판을 반송 가능하도록 각 처리실에 대응한 복수의 기판의 기준위치를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기준위치의 결정은 상기 기판 위치맞춤 부재를 기판에 접촉시키는 것에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160110862A (ko) * 2015-03-13 2016-09-22 주식회사 원익아이피에스 얼라인모듈

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8616821B2 (en) * 2010-08-26 2013-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated apparatus to assure wafer quality and manufacturability
CN103350886B (zh) * 2013-07-19 2015-06-17 深圳市华星光电技术有限公司 物件位置校正装置
JP2015115528A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 Ntn株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR101883804B1 (ko) * 2014-03-25 2018-07-31 카와사키 주코교 카부시키 카이샤 기판 각도정렬 장치, 기판 각도정렬 방법 및 기판 이송 방법
CN105177514B (zh) * 2014-05-28 2018-04-10 佳能安内华股份有限公司 基板处理装置
CN104310060B (zh) * 2014-08-29 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 基板的整列装置
US10373860B2 (en) * 2015-06-30 2019-08-06 Applied Materials, Inc. Batch processing apparatus
CN106697878A (zh) * 2017-01-12 2017-05-24 江苏欧圣木业有限公司 用于强化地板端部开槽的位置校正装置
JP2019102721A (ja) * 2017-12-06 2019-06-24 エスペック株式会社 基板用位置決め装置
JP2018085523A (ja) * 2017-12-21 2018-05-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板用キャリア
KR20210026270A (ko) * 2019-08-29 2021-03-10 주식회사 원익아이피에스 얼라인모듈 및 그를 포함하는 기판처리시스템
GB201913356D0 (en) 2019-09-16 2019-10-30 Spts Technologies Ltd Wafer processing system
CN111332788B (zh) * 2020-03-12 2021-08-03 徐州谷阳新能源科技有限公司 一种镀膜自动化设备取片定位方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5374147A (en) * 1982-07-29 1994-12-20 Tokyo Electron Limited Transfer device for transferring a substrate
US4655584A (en) * 1984-05-11 1987-04-07 Nippon Kogaku K. K. Substrate positioning apparatus
US4784377A (en) * 1986-12-23 1988-11-15 Northern Telecom Limited Apparatus for locating and supporting ceramic substrates
US5173029A (en) * 1991-07-16 1992-12-22 Toledo Automated Concepts, Inc. Glass sheet positioning device
JP3410118B2 (ja) * 1992-04-14 2003-05-26 アネルバ株式会社 基板処理装置
US5558482A (en) * 1992-07-29 1996-09-24 Tokyo Electron Limited Multi-chamber system
JP3139155B2 (ja) * 1992-07-29 2001-02-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US5636960A (en) * 1992-07-29 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for detecting and aligning a substrate
JP3468430B2 (ja) * 1994-02-15 2003-11-17 東京エレクトロン株式会社 位置検出案内装置、位置検出案内方法及び真空処理装置
JPH06140492A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Fujitsu Ltd クラスタ装置
JP3335983B2 (ja) 1993-02-26 2002-10-21 東京エレクトロン株式会社 Ｌｃｄ用ガラス基板の位置合わせ機構及び真空処理装置
JPH0751793Y2 (ja) * 1994-05-10 1995-11-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板の熱処理装置
JPH08244909A (ja) * 1995-03-14 1996-09-24 Hitachi Electron Eng Co Ltd カセット内のガラス基板整列方法
US5957651A (en) * 1995-06-08 1999-09-28 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate carrying apparatus
JPH0927536A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Nissin Electric Co Ltd ロ−ドロック室内に基板位置合わせ機構を有するイオン注入装置
US5853214A (en) * 1995-11-27 1998-12-29 Progressive System Technologies, Inc. Aligner for a substrate carrier
US5980195A (en) * 1996-04-24 1999-11-09 Tokyo Electron, Ltd. Positioning apparatus for substrates to be processed
JPH09290890A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Nikon Corp 基板キャリア
JPH1098085A (ja) 1996-09-19 1998-04-14 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および薄膜トランジスタ製造方法
US5955858A (en) * 1997-02-14 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Mechanically clamping robot wrist
DE19829580A1 (de) * 1998-07-02 2000-01-05 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur mechanischen Ausrichtung eines Trägersubstrats für elektronische Schaltungen
US6824343B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Substrate support
US7499767B2 (en) * 2003-02-20 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage
US6917755B2 (en) * 2003-02-27 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Substrate support
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
JP4222997B2 (ja) * 2004-11-15 2009-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7547181B2 (en) * 2004-11-15 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate position correcting method and apparatus using either substrate radius or center of rotation correction adjustment sum
JP4642610B2 (ja) * 2005-09-05 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板位置合わせ装置および基板収容ユニット
KR100751277B1 (ko) * 2005-12-07 2007-08-23 코닉시스템 주식회사 로드락 챔버의 기판 정렬 장치
JP4849227B2 (ja) * 2006-07-31 2012-01-11 株式会社ダイフク 荷位置ずれ自動矯正装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160110862A (ko) * 2015-03-13 2016-09-22 주식회사 원익아이피에스 얼라인모듈

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JP2011035021A (ja) 2011-02-17

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