CN101960517A - 制造磁记录介质的方法以及磁记录/再现装置 - Google Patents
制造磁记录介质的方法以及磁记录/再现装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101960517A CN101960517A CN2008801274374A CN200880127437A CN101960517A CN 101960517 A CN101960517 A CN 101960517A CN 2008801274374 A CN2008801274374 A CN 2008801274374A CN 200880127437 A CN200880127437 A CN 200880127437A CN 101960517 A CN101960517 A CN 101960517A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic recording
- magnetospheric
- magnetic
- recording media
- ozone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 337
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 92
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 198
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 43
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 38
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 37
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 36
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 29
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 22
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 12
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 4
- -1 nitrogen ion Chemical class 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008485 antagonism Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 2
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005333 ferromagnetic domain Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/674—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having differing macroscopic or microscopic structures, e.g. differing crystalline lattices, varying atomic structures or differing roughnesses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
提供了一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质具有在非磁性基底的至少一个表面上形成的磁性分离的磁记录图形，所述方法包括通过使形成在所述非磁性基底上的磁性层的一部分与臭氧反应并由此改变所述磁性层的该区域的磁特性而形成所述磁性分离的磁记录图形的步骤。所述磁性层还可以具有两层结构，在该两层结构中，具有非颗粒状结构的磁性层形成在具有颗粒状结构的磁性层上。该制造方法可以高效地制造其记录密度大幅提高的磁记录介质，同时保持等于或优于常规磁记录介质的记录和再现特性。
Description
技术领域
本发明涉及制造用于诸如硬盘装置的磁记录/再现装置的磁记录介质的方法。还涉及磁记录/再现装置。
背景技术
近年来，诸如磁盘装置、软盘装置和磁带装置的磁记录装置被广泛地应用，其重要性也日益增加。在磁记录装置中使用的磁记录介质的记录密度也被极大地提高。特别地，因为MR头和PRML技术的发展，面记录密度日益增加。最近，已经开发了GMR头和TMR头，并且面记录密度以每年约100％的速率增加。对于进一步增加记录密度的需求仍然日益增加，因此，热切需要具有更高矫顽力和更高信噪比(SNR)以及高分辨率的磁性层。
同样还进行了通过增加磁道密度和增加线记录密度来提高面记录密度的尝试。
在近期的磁记录装置中，磁道密度已达到约110kTPI。然而，随着磁道密度的增加，磁记录信息倾向于在相邻的磁道之间彼此干扰，并且作为噪声源的在其边界区域中的磁化过渡区倾向于损害SNR。这些问题导致误码率的降低并阻碍了记录密度的增加。
为了增加面记录密度，需要使每一个记录位的尺寸变小并使每一个记录位具有最大饱和磁化和磁性膜厚度。然而，随着位尺寸的减小，每位的最小磁化体积变小，并且所记录的数据往往会因为由热波动造成的磁化反转而消失。
此外，为了减小相邻磁道之间的距离，磁记录装置需要高精度磁道伺服系统技术，并且通常采用这样的操作，其中，进行宽幅记录，但进行窄幅再现，以使相邻磁道的影响最小化。该操作的优点为可以使相邻磁道的影响最小化，而缺点为再现输出相当低。这还导致难以将SNR提高到希望的高水平。
为了减小热波动、保持希望的SNR并获得希望的再现输出，已经有这样的提议，其中形成沿磁记录介质表面上的磁道延伸的凸起和凹陷，以便通过凹陷来分离位于凸起上的每一个构图的磁道，由此增加磁道密度。下文中，将该类型的磁记录介质称为离散磁道介质，并且将用于提供该类型的磁记录介质的技术称为离散磁道方法。
离散磁道介质的一个已知实例为在例如专利文献1中公开的磁记录介质，其被这样制造，提供具有在其表面上形成的凸起和凹陷的非磁性基底，并且在非磁性基底上形成对应于表面结构的磁性层，以产生物理离散的磁记录磁道和伺服信号图形。
上述磁记录介质具有的结构使得可以通过在其表面上形成有凸起和凹陷的非磁性基底上的软磁性衬层(underlayer)来形成铁磁性层，并在铁磁性层上形成外涂层(overcoat)。磁记录构图区域在与周围区域物理分离的凸起上形成磁记录区域。
在上述磁记录介质中，可以防止或最小化在软磁性衬层中铁磁畴壁的出现，因此减小了由热波动造成的影响，并且使相邻信号之间的干扰最小化，从而提供具有大SNR的磁记录介质。
离散磁道方法包括两种方法：第一种为在形成包括若干个层叠的膜的多层磁记录介质之后形成磁道的方法；第二种为直接在基底上或在用于在其上形成磁道的膜层上形成具有凸起和凹陷的图形且然后使用构图的基底或构图的膜层形成多层磁记录介质的方法(参见，例如，专利文件2和专利文件3)。第一种方法通常称为磁性层处理型方法，第二种方法通常称为压纹(embossing)型方法。
在专利文件4中提出了另一离散磁道方法。在所提出的方法中，例如，对预先形成的磁性层进行氮离子或氧离子注入或利用激光进行辐射，由此形成在离散磁道介质中分离磁道的区域。
此外，还提出了一种制造磁记录介质的方法，其包括使用碳掩模对磁性层进行离子铣削的步骤(参见专利文件5)。
此外，在专利文件6中提出了另一种形成磁性图形的方法，其包括形成包含选自Fe、Co和Ni的至少一种元素的铁磁性层的步骤，选择性地掩蔽铁磁性层的表面的步骤，以及将铁磁性层的表面的被选择性掩蔽所暴露的区域暴露到包含卤素的反应气体的步骤，从而在铁磁性层的所述暴露的区域中使铁磁性层和衬层与反应气体中的活性成分发生化学反应，铁磁性层的所述暴露的区域由此将形成非铁磁性区。
专利文件1JP 2004-164692A1
专利文件2JP 2004-178793A1
专利文件3JP 2004-178794A1
专利文件4JP H5-205257A1
专利文件5JP 2006-31849A1
专利文件6JP 2002-359138A1
发明内容
本发明所要解决的问题
迄今已进行了形成磁性分离的磁记录图形的各种尝试，但在这些尝试中出现问题。例如，在用激光辐照或者用氧离子或其他离子注入磁性层的区域以使磁性层的所述区域的磁特性改性时，改性的区域往往会被损伤并且其表面有时被粗糙化。此外，用激光的辐照或者氧离子或其他离子的注入具有低的处理效率，这导致了磁记录介质生产率的降低。在卤化磁性层的区域以使磁性层的所述区域的磁特性改性时，往往会损伤邻近的层。因此，在实践中难以采用卤化。
由于迄今提出的磁记录介质仍然会面对进一步增加记录密度的问题，本发明的主要目的为提供一种制造改善的磁记录介质的方法，该磁记录介质呈现极大地增加的记录密度而同时确保记录/再现特性等于或优于迄今提出的磁记录介质的记录/再现特性，并且该方法能够以提高的效率制造这样的改善的磁记录介质。
解决问题的手段
发明人为实现上述目标而进行的研究表明，可以通过下列方法制造上述改善的磁记录介质。由此，完成了本发明。
根据本发明，提供了制造磁记录介质的下列方法。
(1)一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质在非磁性基底的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形，其特征在于包括以下步骤：使形成在所述非磁性基底上的磁性层的部分与臭氧反应而使所述磁性层的所述部分的磁特性改性，以形成所述磁性分离的磁记录图形。
(2)如以上(1)所述的制造磁记录介质的方法，其特征在于包括依次执行的以下七个步骤(A)到(G)：
(A)在非磁性基底的至少一个表面上形成磁性层的步骤；
(B)在所述磁性层上形成掩模层的步骤；
(C)在所述掩模层上形成抗蚀剂层的步骤；
(D)在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的负图形的步骤；
(E)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述掩模层的部分的步骤；
(F)使所述磁性层的已经在步骤(E)中通过去除所述掩模层的所述部分而暴露的区域与臭氧接触，从而使所述磁性层的所述区域与臭氧反应，以使所述磁性层的所述区域中的磁特性改性的步骤；以及
(G)去除剩余的掩模层或者剩余的掩模层和抗蚀剂层的步骤。
(3)如以上(2)所述的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F)中使所述磁性层的所述暴露的区域与臭氧接触以使所述磁性层的所述区域中的磁特性改性之前，去除所述磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分。
(4)如以上(2)所述的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F)中使所述磁性层的所述暴露的区域与臭氧接触以使所述磁性层的所述区域中的磁特性改性之前，进行以下步骤(i)或步骤(ii)：
(i)将所述磁性层的所述暴露的区域暴露到含氟气体的步骤，
(ii)去除所述磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分且然后将所述磁性层的所述暴露的区域暴露到含氟气体的步骤。
(5)如以上(1)到(3)中任一项所述的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F)中将要与臭氧接触的所述磁性层具有颗粒状结构，所述颗粒状结构由被氧化物包围的磁性颗粒构成。
(6)如以上(5)所述的制造磁记录介质的方法，其特征在于，包括依次执行的以下九个步骤(A1)到(G1)：
(A1)在非磁性基底的至少一个表面上形成具有颗粒状结构的磁性层的步骤，所述颗粒状结构由被氧化物包围的磁性颗粒构成；
(A2)在所述具有颗粒状结构的磁性层上形成具有非颗粒状结构的磁性层的步骤；
(B1)在所述具有非颗粒状结构的磁性层上形成掩模层的步骤；
(C1)在所述掩模层上形成抗蚀剂层的步骤；
(D1)在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的负图形的步骤；
(E1)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述掩模层的部分的步骤；
(E2)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述具有非颗粒状结构的磁性层的部分的步骤；
(F1)使所述具有颗粒状结构的磁性层的已经在步骤(E2)中通过去除所述具有非颗粒状结构的磁性层的部分而暴露的区域与臭氧接触，从而使所述具有颗粒状结构的磁性层与臭氧反应，以使所述具有颗粒状结构的磁性层的所述区域中的磁特性改性的步骤；以及
(G1)去除剩余的掩模层或者剩余的掩模层和抗蚀剂层的步骤。
(7)如以上(6)所述的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F1)中使所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域与臭氧接触以使所述磁性层的所述区域中的磁特性改性之前，去除所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分。
(8)如以上(6)所述的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F1)中使所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域与臭氧接触以使所述具有颗粒状结构的磁性层的所述区域中的磁特性改性之前，进行以下步骤(i)或步骤(ii)：
(i)将所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域暴露到含氟气体的步骤，
(ii)去除所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分且然后将所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域暴露到含氟气体的步骤。
(9)如以上(3)、(4)、(7)和(8)中任一项所述的制造磁记录介质的方法，其中，将要去除的所述磁性层的所述表面层部分具有0.1nm到15nm的范围内的厚度。
(10)如以上(1)到(9)中任一项所述的制造磁记录介质的方法，其中，通过使所述磁性层的所述暴露的区域与臭氧气体或者包含臭氧气体的液体接触来实现所述磁性层的所述区域与臭氧的反应。
(11)如以上(2)到(10)中任一项所述的制造磁记录介质的方法，其中，所述掩模层由碳形成。
(12)如以上(11)所述的制造磁记录介质的方法，其中，所形成的所述碳掩模层具有5nm到40nm的范围内的厚度。
(13)如以上(2)到(12)中任一项所述的制造磁记录介质的方法，其中，通过使用压模的转移印刷来实施步骤(D)或(D1)中的在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的所述负图形。
(14)如以上(2)到(13)中任一项所述的制造磁记录介质的方法，还包括：
(H)在用于去除所述剩余的抗蚀剂层或者所述剩余的抗蚀剂层和掩模层的步骤(G)或(G1)之后通过使用惰性气体来蚀刻所述磁性层的表面层部分的步骤。
根据本发明，还提供了以下磁记录/再现装置。
(15)一种磁记录再现装置，其特征在于组合地包括：通过如以上(1)到(14)中任一项所述的方法制造的磁记录介质；用于沿记录方向驱动所述磁记录介质的驱动部；包括记录部和再现部的磁头；用于以与所述磁记录介质相对运动的方式移动所述磁头的装置；以及用于向所述磁头输入信号并用于从所述磁头再现输出信号的记录和再现信号处理装置。
发明的效果
根据本发明，通过其中在非磁性基底上形成磁性层且然后在该磁性层上形成磁记录图形的制造磁记录介质的方法，可以以高生产率提供这样的磁记录介质，其特征在于，确保良好的磁头悬浮性(floatability)，并且通过呈现优良分离性的区域分离了磁记录图形，且抑制了发生在磁记录图形中的相邻的分离区域之间的信号干扰，并且特征在于可以实现高记录密度。
在本发明的方法中，在与磁记录图形的负图形对应的区域中去除掩模层，然后使磁性层的由此暴露的区域与臭氧接触，从而使磁性层的该区域与臭氧反应，以使磁性层的该区域中的磁特性改性。因此，磁性层的磁记录图形变得轮廓鲜明(sharp)，所产生的磁记录介质呈现优良的边缘特性。也就是，当在磁道中进行写入并对读出输出(read output)(即，初始读出输出)进行测量，此外，对邻近的磁道重复进行例如1000次写入，并测量第一磁道的读出输出，后一读出输出比初始读出输出仅仅低了极小的程度。
当通过使用抗蚀剂层和由碳构成的掩模层并通过使用含SiO2材料和O2气体的干法蚀刻(特别地，反应离子蚀刻或反应离子铣削)进行对抗蚀剂层和掩模层的构图来形成磁性层的将要暴露到臭氧的区域时，通过掩模层的陡峭的壁而高精度地限定磁性层的由此形成的区域。
此外，根据本发明，可以提供配备有上述磁记录介质的磁记录/再现装置，因此，该装置呈现良好的磁头悬浮性，并且以优良的分离性使磁记录图形分离，抑制了发生在相邻的分离区域之间的信号干扰，因而该装置具有高记录密度特性。
附图说明
图1示例了在根据本发明制造的磁记录介质中的包括基底和磁性层的叠层结构的一个实例的截面图；
图2示例了在根据本发明制造的磁记录介质中的包括基底和磁性层的叠层结构的另一实例的截面图；
图3为根据本发明的用于制造磁记录介质的前半部分步骤的流程图；
图4为根据本发明的用于制造磁记录介质的后半部分步骤的流程图；
图5示例了在根据本发明制造的磁记录介质中的包括基底和磁性层的叠层结构的再一实例的截面图；
图6示例了在根据本发明制造的磁记录介质中的包括基底和磁性层的叠层结构的又一实例的截面图；以及
图7为根据本发明的磁记录-再现装置的示意图。
参考标号
在图1、2、5和6中
W磁记录图形中的磁性区域的宽度
L磁记录图形中的非磁性区域的宽度
1非磁性基底
2磁性层
21具有经改性的磁特性的区域或非磁化区域
2-1具有颗粒状(granular)结构的磁性层
2-2具有非颗粒状结构的磁性层
22，23凹陷
在图3和4中
3碳掩模层
4抗蚀剂层
5压模
6铣削离子
7已经从其中部分地去除了磁性层的表面层部分的区域
8通过压制而形成的在抗蚀剂层中的凹陷
9保护性外涂层
d已经从其中部分地去除了磁性层的表面层部分的区域的深度，即，磁性层的被去除的表面层部分的厚度
在图7中
11介质驱动部
27磁头
28磁头驱动部
29记录-再现信号系统
30磁记录介质
具体实施方式
本发明涉及一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，其特征在于，利用磁性层中的其磁特性被通过使磁性层与臭氧反应而改性的区域来实现磁性分离。更具体而言，使部分磁性层与臭氧反应，由此使磁性层的所述部分的磁特性改性(例如，降低所述部分的磁化)，从而形成被磁性层的所述区域磁性分离的磁记录图形。
将参考离散型磁记录介质来具体说明根据本发明的制造磁记录介质的方法。
磁记录介质的典型实例具有多层结构，该多层结构包括非磁性基底、依次形成在非磁性基底上的软磁性衬层、中间层、由具有磁性图形的磁性区域和非磁性区域构成的磁性层、以及保护性外涂层。在该多层结构的最外表面上，通常形成有润滑膜。通过非磁性区域分离磁性层的磁性区域(即，形成记录磁道的区域)。
在根据本发明的方法的实施例中，制造具有如图1所示的包括非磁性基底和磁性层的叠层结构的磁记录介质(在图1中未示出除非磁性基板和磁性层之外的层)。
在图1中，参考标号1为非磁性基底，参考标号2为在非磁性基底1上形成的磁性层。磁性层2具有深度为“d”的凹陷22，凹陷22通过去除磁性层2的特定的表面层部分而形成。由具有被改性的磁特性(例如，通过退磁获得的差的磁特性)的区域21形成每一个凹陷22的底部。通过凹陷22和具有被改性的磁特性的区域21分离磁记录层2。
将参考图3和4描述根据本发明制造具有图1所示的结构的磁记录介质的方法。
如图3和4所示的制造磁记录介质的方法包括依次执行的下列七个步骤(A)到(G)。
如图3所示，在步骤(A)中，在非磁性基底1的至少一个表面上形成磁性层2。
在步骤(B)中，在磁性层2上形成由例如碳构成的掩模层3。
在步骤(C)中，在掩模层3上形成抗蚀剂层4。
在步骤(D)中，在抗蚀剂层4上形成磁记录图形的负图形。这里所使用的术语“负图形”表示抗蚀剂层4中的具有凹陷8的图形，这些凹陷形成用于分离所产生的磁记录介质的磁记录图形中的记录磁道的区域。例如，通过使用压模5的转移印刷而形成负图形。图3的步骤(D)中的箭头表示为了转移印刷而使压模5移动的方向。
在步骤(E)中，去除掩模层3的在与磁记录图形的负图形对应的区域中的部分。
如图4所示，在步骤(F)中，使磁性层2的已经在步骤(E)中通过去除掩模层3的部分而暴露的区域7与臭氧接触。
优选地，在步骤(F)中的使磁性层2的所述暴露的区域7与臭氧接触之前，去除在磁性层2的所述暴露的区域7中的至少表面层部分。可以通过将所述区域7暴露到含氟气体来实现对磁性层2的所述暴露的区域7中的表面层部分的去除。
在步骤(G)中，去除剩余的掩模层3或者剩余的掩模层3和剩余的抗蚀剂层4。
在用于去除剩余的抗蚀剂层或者剩余的抗蚀剂层和掩模层的步骤(G)之后，优选进行通过使用例如惰性气体来蚀刻磁性层的表面部分的步骤(H)，由此稍微地去除磁性层的表面层部分。更具体而言，优选通过使用诸如氩或N2的惰性气体的离子蚀刻来蚀刻磁性层的表面部分，以去除具有1到2nm的范围内的厚度的其表面层部分。
优选地，在磁性层2的表面上形成保护性外涂层9，如图4中的步骤(I)所示。如果需要，在该多层结构的最外表面上形成润滑膜(图4中未示出)。
在根据本发明的方法的另一实施例中，在上述步骤(F)中使磁性层2的暴露的区域7与臭氧接触，但不进行用于去除暴露的区域7中的表面层部分的预处理。当磁性层2的暴露的区域7与臭氧接触时，在磁性层2的表面层中形成具有改性的磁特性的区域21，如图2所示。
将具体并更详细地描述本发明的制造方法中的各步骤。
对用于本发明的非磁性基底1没有特别的限制，并且，作为其具体的实例，可以提及主要由铝构成的铝合金基底，例如，Al-Mg合金基底；以及由常规的钠玻璃、铝硅酸盐玻璃、玻璃陶瓷、硅、钛、陶瓷以及有机树脂构成的基底。在这些基底中，优选使用铝合金基底、诸如玻璃陶瓷基底的玻璃基底、以及硅基底。
非磁性基底的平均表面粗糙度(Ra)优选不大于1nm、更优选不大于0.5nm，特别优选不大于0.1nm。
形成在上述非磁性基底1的表面上的磁性层2可以为面内磁性层或垂直磁性层。考虑到更大幅增加的记录密度，垂直磁性层是优选的。
优选地，从主要由钴构成的合金形成磁性层。
面内磁性层的优选实例为铁磁性CoCrPtTa层与非磁性CrMo衬层的组合。
垂直磁性层的优选实例包括主要由钴构成的合金，该合金包括，例如，70Co-15Cr-15Pt合金以及70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金(紧接在每一种元素之前出现的数字表示该元素的摩尔％)。
磁记录介质的优选的多层结构包括以下层的组合：软磁性衬层，其由诸如FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB或FeCoZrBCu的FeCo合金、诸如FeTaN或FeTaC的FeTa合金、或诸如CoTaZr、CoZrNB或CoB的Co合金构成；取向控制层，其由Pt、Pd、NiCr或NiFeCr构成；以及可选的中间钌层；以及在其上形成的由钴合金构成的上述垂直铁磁性层。
在本发明的制造方法中，优选形成具有颗粒状结构的磁性层作为磁性层，这是因为具有颗粒状结构的磁性层呈现出与臭氧的高反应性。这里使用的术语“具有颗粒状结构的磁性层”表示具有由被氧化物包围的磁性颗粒构成的结构的磁性层。作为氧化物的特定实例，可以提及SiO2(在上面被示例为铁磁性钴合金的一个成分)、Ti氧化物、W氧化物、Cr氧化物、Co氧化物、Ta氧化物以及Ru氧化物。
磁性层的厚度通常在3nm到20nm的范围内，优选在5nm到15nm的范围内。考虑到磁性合金的类型和叠层结构，将磁性层形成为可以获得足够高的输入和输出磁头功率。磁性层具有至少特定值的厚度，以便在再现时获得至少特定水平的输出功率。然而，随着输出功率的增加，与记录-再现特性相关的参数通常会劣化。因此，优选地，考虑到输出功率和记录-再现特性而选择磁性层的最优厚度。
在本发明的制造方法中，通常在磁性层的表面上形成掩模层。掩模层优选由碳构成。当掩模层由碳构成时，使用氧气对掩模层的干法蚀刻(例如，使用氧气进行反应离子蚀刻或反应离子铣削)可以以高效率进行，因此减小了在上述步骤(G)中剩余的掩模层的量，从而使所产生的磁记录介质的污染最小化。
例如，可以通过溅射或CVD方法实现碳层的形成。优选采用CVD方法，这是因为可以形成致密的碳膜。
碳层的厚度范围优选在5nm到40nm，更优选在10nm到30nm。如果厚度小于5nm，便倾向于在碳层的边缘部分发生不希望的下沉(sagging)并劣化磁记录图形的可成形性。此外，离子易于穿透抗蚀剂层和碳掩模层而进入到磁性层中，由此劣化磁性层的磁特性。相反地，如果厚度大于40nm，蚀刻碳掩模层所需的时间变长，由此使生产率变差。此外，当蚀刻碳掩模层时，会在磁性层上留下不希望的残留物。
在本发明的制造方法中，在碳掩模层上形成抗蚀剂层，然后将磁记录图形的负图形形成在抗蚀剂层上。可以通过常规光刻技术来实现在抗蚀剂层上的磁记录图形的负图形的形成。然而，从操作效率方面考虑，优选采用将压模压向抗蚀剂层由此将磁记录图形的负图形转移到抗蚀剂层的方法。
在本发明的制造方法中，在图3所示的步骤(D)中将磁记录图形的负图形形成在抗蚀剂层4上之后，抗蚀剂层4的凹陷区域8优选具有0到20nm的范围内的厚度。当抗蚀剂层的凹陷区域8具有这样的厚度时，可以以有利的方式实现在图3的步骤(E)和图4的步骤(F)中的抗蚀剂层和碳层的选择性去除。也就是，可以避免在碳掩模层3的边缘部分处的不希望的下沉，并且在图4的步骤(F)中可以增强碳掩模层3对抗铣削离子6的屏蔽能力，此外还可以增强磁记录图形通过碳掩模层3的可成形性。
在根据本发明的制造磁记录介质的方法的优选实施例中，使用可以通过辐射辐照而固化的材料作为用于在图3的步骤(C)中形成抗蚀剂层4的材料；并且，当在步骤(D)中使用压模5将负磁记录图形转移到抗蚀剂层4上时，或在已经完成了负磁记录图形的转移之后，用辐射来辐照抗蚀剂层4。在该优选实施例中，压模5的形状可被高精度地转移到抗蚀剂层4上。因此，当在图3的步骤(E)中通过蚀刻去除碳掩模层3的与磁记录图形的负磁记录图形对应的区域时，可以避免在碳层3的边缘部分处的不希望的下沉，并且可以增强碳掩模层3对抗铣削离子6的屏蔽能力，此外还可以增强磁记录图形通过碳掩模层3的可成形性。
用于固化可固化材料的辐射是指广义上的电磁波，其包括热射线、可见光、紫外光、X射线、以及γ射线。作为可固化材料的具体实例，可以提及可通过热射线固化的热固性树脂和可通过紫外光固化的紫外固化树脂。
在根据本发明的制造磁记录介质的方法的实施例中，在通过使用压模5将负磁记录图形转移到抗蚀剂层4上的步骤(D)中，优选将压模5压在具有高流动性的抗蚀剂层4上，并且，在抗蚀剂层处于受压状态的同时，用辐射来辐照抗蚀剂层4以由此使其固化，然后将压模5从抗蚀剂层4移除。通过该步骤，可以将压模的形状高精度地转移到抗蚀剂层4上。
为了在抗蚀剂层处于受压状态的同时用辐射来辐照具有高流动性的抗蚀剂层，可以采用：通过将叠层结构的基底侧(即，与被压模按压的抗蚀剂层相反的一侧)暴露到辐射来利用辐射辐照包括该抗蚀剂层的叠层结构的方法；使用透射辐射的(radiation-transmitting)压模并将叠层结构的被压模按压的一侧暴露到辐射的方法；通过从叠层结构的侧面施加辐射来将被压模按压的抗蚀剂层暴露到辐射的方法；以及使用对于固体呈现高传导性的辐射(例如，热射线)暴露叠层结构的被压模按压的一侧或其相反侧(基底侧)的方法。
在用辐射辐照可辐射固化的抗蚀剂层来固化抗蚀剂层的步骤的优选的具体实例中，使用诸如酚醛清漆树脂、丙烯酸酯树脂或脂环系环氧树脂的可紫外线固化的树脂作为可辐射固化的抗蚀剂树脂，并且使用由高度透射紫外线的玻璃或树脂构成的压模。
优选地，将SiO2材料或包含SiO2的材料用于抗蚀剂层。SiO2材料或包含SiO2的材料呈现对使用氧气的干法蚀刻的高抵抗力，因此，当通过离子铣削在碳掩模层上形成磁记录图形的负图形时，可以避免负图形图像的不希望的模糊。换言之，可以无困难地且高效地使用氧气对碳掩模层进行干法蚀刻。因为SiO2材料或包含SiO2的材料呈现对使用氧气的干法蚀刻的高抵抗力，当通过干法蚀刻在碳掩模层上形成磁记录图形的负图形时，可以形成在碳掩模层的负图形图像的边缘中具有陡峭(sheer)的侧壁的负图形的轮廓鲜明的图像。由此，使磁性层具有轮廓鲜明的磁记录图形，可以获得具有改善的边缘特性的磁记录介质。
在图3所示的步骤(D)中将磁记录图形的负图形形成到抗蚀剂层4之后，在抗蚀剂层4的凹陷区域8残留的情况下，在步骤(E)中去除抗蚀剂层的凹陷区域并进一步去除碳掩模层的对应区域。通过诸如反应离子蚀刻或反应离子铣削的干法蚀刻来实现抗蚀剂的凹陷区域和碳掩模层的对应区域的去除。
在本发明的制造方法中，使磁性层的未被碳掩模层和抗蚀剂层覆盖的区域与臭氧接触，由此使磁性层的该区域与臭氧反应。更具体地，使在步骤(E)中通过去除部分掩模层而暴露的所述区域与真空下的气态臭氧或诸如气态臭氧的水溶液的含臭氧溶液接触，磁性层的该区域由此与臭氧反应。
在步骤(F)中使磁性层的暴露区域与臭氧接触之前，优选将磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分去除到0.1nm到15nm的范围内的深度(该深度由图4的步骤(F)中的“d”表示)。这是因为磁性层的暴露区域中的表面层部分通常已经受到掩蔽碳层或空气的影响而被改性，并且经改性的表面层部分倾向于干扰磁性层与臭氧的反应。
通过例如干法蚀刻(更具体地，离子铣削或反应离子蚀刻)碳掩模层的表面层部分，且之后干法蚀刻磁性层的表面层部分，来实现磁性层的表面层部分的去除。通过采用上述步骤，可以形成在碳掩模层的负图形图像的边缘中具有陡峭侧壁的负图形的轮廓鲜明的图像。这导致形成了在磁性层的边缘中具有陡峭侧壁的轮廓鲜明的图形。
上述步骤产生具有改善的边缘特性的磁记录介质。
优选地，通过使用氧气的反应离子蚀刻方法，进行上述对剩余碳层的去除。优选地，通过干法蚀刻，例如，在引入诸如氩气或N2气的惰性气体的同时进行离子铣削，来实施对磁性层的表面层部分的上述去除。优选地，应通过最优步骤和在最优条件下实施对碳层的离子铣削和对磁性层的表面层部分的离子铣削。
在本发明的制造方法的优选实施例中，在使未被碳掩模层和抗蚀剂层覆盖的磁性层的暴露部分与臭氧接触之前，优选执行以下步骤(i)或步骤(ii)：(i)将磁性层的所述暴露区域暴露到含氟气体的步骤，或(ii)如上所述去除磁性层的所述暴露区域中的表面层部分的步骤，然后，将磁性层的所述暴露区域暴露到含氟气体。通过对磁性层的暴露区域的表面的该处理，可以提高磁性层的该暴露区域中的磁性层与臭氧的反应性，因而可以以进一步提高的效率实现在该暴露区域中的磁性层与臭氧的反应。
在本发明的制造方法中，磁性层的未被碳掩模层和抗蚀剂层覆盖的区域与臭氧(更具体地，气态臭氧或含臭氧溶液)接触，从而磁性层的该区域与臭氧反应。作为含臭氧溶液，优选使用臭氧在纯水中的溶液。通过使磁性层接触臭氧，使磁性层的所述经处理的区域的磁特性改性，因此，在磁性层上形成已经被经臭氧处理的区域分离的磁记录图形。臭氧具有用于氧化的高反应性，因此，认为臭氧氧化了磁性层的所述暴露区域，由此使得磁性层的经处理的区域的磁特性改性。与常规离子注入或激光辐射过程相比，通过臭氧对磁特性的该改性可以高效率地进行。这是因为，可以在叠层结构的宽广面积内高反应性和高效率地实现与臭氧的接触处理，因此可以缩短制造时间。
优选在0.1Pa到5Pa的范围内的反应压力下以5秒到60秒的范围内的反应时间将磁性层暴露到臭氧。为了进行反应，优选将基底和磁性层保持在25℃到300℃的范围内的温度下。
在使用臭氧作为纯水中的水溶液时的情况下，臭氧的浓度范围优选在0.01到10ppm，更优选在0.1到10ppm。在小于0.01ppm的臭氧浓度下，难以获得希望的效果。相反地，在超过10ppm的臭氧浓度下，经常会发生诸如配管腐蚀的问题。
在本发明的制造方法中，将要暴露到气态臭氧或纯水中的臭氧水溶液的磁性层优选具有颗粒状结构。通过这里使用的术语“颗粒状结构”，来表示由被氧化物包围的磁性颗粒构成的结构。在具有颗粒状结构的磁性层中，磁晶体颗粒被非磁性相分隔，因此，颗粒之间的磁相互作用弱，并且所产生的磁性层的特征为呈现极低的噪声。当将具有颗粒状结构的磁性层暴露到气态臭氧或纯水中的臭氧水溶液时，易于通过例如使用含氟气体的反应离子蚀刻来选择性蚀刻在晶粒边界处包围磁性颗粒的氧化物层，因此，可以加速磁性层中的诸如钴的磁性金属与臭氧的氧化反应，从而可以以进一步提高的效率实现对在分离磁记录图形的区域中的磁特性的改性。
在根据本发明的制造磁记录介质的方法的另一优选实施例中，形成具有两层结构的磁性层，该磁性层包括具有颗粒状结构的磁性层和具有非颗粒状结构的磁性层。
本发明的涉及该优选实施例的方法特性在于，包括依次执行的下列九个步骤(A1)到(G1)。
(A1)在非磁性基底的至少一个表面上形成具有颗粒状结构的磁性层的步骤；
(A2)在具有颗粒状结构的磁性层上形成具有非颗粒状结构的磁性层的步骤；
(B1)在具有非颗粒状结构的磁性层上形成掩模层的步骤；
(C1)在掩模层上形成抗蚀剂层的步骤；
(D1)在抗蚀剂层上形成磁记录图形的负图形的步骤；
(E1)去除掩模层的在与磁记录图形的负图形对应的区域中的部分的步骤；
(E2)去除具有非颗粒状结构的磁性层的在与磁记录图形的负图形对应的区域中的部分的步骤；
(F1)使具有颗粒状结构的磁性层的已经通过在步骤(E2)中去除具有非颗粒状结构的磁性层的部分而暴露的区域与臭氧接触的步骤，从而使具有颗粒状结构的磁性层与臭氧反应，以使具有颗粒状结构的磁性层的所述区域中的磁特性改性；以及
(G1)去除剩余的掩模层或者剩余的掩模层和抗蚀剂层的步骤。
在图5和图6中示例了根据本发明的上述优选实施例制造的磁记录介质中的包括基底和两层磁性层的结构的实例。
在图5中，所示例的结构包括非磁性基底1、形成在基底1上的具有颗粒状结构的磁性层2-1、形成在磁性层2-1上的具有非颗粒状结构的磁性层2-2。制造具有图5中所示例的结构的磁记录介质的方法的特征在于包括：在去除掩模层的在与磁记录图形的负图形对应的区域中的部分的步骤(E1)之后，并在去除具有非颗粒状结构的磁性层的在与磁记录图形的负图形对应的区域中的部分22的步骤(E2)之后，实施步骤(F1)，在步骤(F1)中，使具有颗粒状结构的磁性层的已经通过在步骤(E2)中去除具有非颗粒状结构的磁性层的部分而暴露的区域与臭氧(即，气态臭氧或臭氧在纯水中的水溶液)接触。通过实施该制造方法中的步骤(F1)，可以高效率地使磁性层中的与磁记录图形的负图形对应的所述区域中的磁特性改性。
具有颗粒状结构的磁性层优选具有5到10nm的范围内的厚度，具有非颗粒状结构的磁性层优选具有2到7nm的范围内的厚度。
在图5中示例了修改后的结构。通过执行去除具有非颗粒状结构的磁性层2-2的在与磁记录图形的负图形对应的区域中的部分22的步骤(E2)、去除具有颗粒状结构的磁性层2-1的表面层部分的附加步骤、以及之后的使具有颗粒状结构的磁性层2-1的通过在步骤(E2)中去除具有非颗粒状结构的磁性层的部分而已经暴露的区域与臭氧接触的步骤(F1)，制成该修改后的结构。通过去除具有颗粒状结构的磁性层2-1的表面层部分的附加步骤而形成的凹陷具有优选范围在0.1到15nm的深度“d”。
除了在包括步骤(A1)到(G1)的上述方法中采用的特定步骤之外，在制造具有图5或图6中所示例的结构的磁记录介质的方法中所采用的步骤和条件与在制造具有图1或图2中所示例的结构的磁记录介质的方法中所采用的步骤和条件基本上相同。
可以用非磁性材料填充磁记录层中的具有深度“d”的凹陷(图1中的参考标号22以及图5和6中的参考标号23)，以形成磁性层的顶部平坦表面。为了易于处理容易和简化加工，非磁性材料的优选实例为由SiO2形成材料(SiO2-forming material)构成的SOG(旋涂玻璃)。
可替代地，当磁记录层中的凹陷具有极小的深度(即，深度“d”不大于15nm)时，可以不用非磁性材料填充凹陷。即使这样的凹陷未被非磁性材料填充，通过直接用碳保护膜涂覆磁记录介质的最上表面也可以获得呈现良好的磁头悬浮性(即，在记录/再现时磁头不会被压碎(crush))的磁记录介质。
为了通过本发明的方法制造呈现高记录密度的磁记录介质，优选将具有如图1、2、5和6中所示的由宽度为“W”的磁性部分和宽度为“L”的非磁性部分构成的磁性图形的磁性层形成为W和L分别不大于200nm和不大于100nm，由此，考虑到高记录密度，磁道间距(pitch)(即，W+L之和)优选大于300nm。磁道间距越小，记录密度越高。
在通过本发明的方法制造的磁记录介质中的磁性分离的磁记录图形可以包括这样类型的图形，其中每一个磁性部分的上部被相邻的非磁性部分分离，而每一个磁性部分的下部不被非磁性部分分离，即，磁性部分的下部与相邻的磁性部分下部相连(contiguous)。该部分分离的磁记录图形应被解释为包括在本发明所制造的磁记录介质的磁性分离的磁记录图形中。
在本说明书中使用的术语“磁记录图形”表示广义的磁记录图形，其包括：其中磁记录图形以每位有特定的规则性设置的构图的介质；其中磁记录图形以磁道的方式设置的介质；以及伺服信号介质。
为了简化和容易，优选采用本发明的方法来制造离散型磁记录介质，其中，磁性分离的磁记录图形包括磁记录磁道和伺服信号图形。
在本发明的制造方法中，在使磁性层的已经在步骤(E)中通过去除掩模层的部分而暴露的区域与臭氧接触的步骤(F)之后，采用去除剩余的掩模层或剩余的掩模层和抗蚀剂层的步骤(G)。优选通过干法蚀刻、反应离子蚀刻或离子铣削进行对剩余的抗蚀剂层和剩余的掩模层的去除。
在本发明的方法的优选实施例中，在步骤(G)之后，优选在如图3所示的步骤(H)中将磁性层暴露到诸如氩气的惰性气体，由此蚀刻已经被暴露到臭氧的磁性层的最外表面部分，从而去除1到2nm的厚度的表面层部分。由此，使磁性层的暴露到臭氧的区域中的表面光滑。
如图4中的步骤I所示，通常用保护性碳外涂层9涂覆磁性层的已经从其去除了剩余的抗蚀剂层和剩余的碳掩模层的最上表面以及被非磁性材料填充或未填充的凹陷部分。
外涂层9可以由通常用于一般的外涂层的材料形成，例如，该材料包括诸如碳(C)、氢化碳(HxC)、氮化碳(CN)、非晶碳和碳化硅(SiC)的含碳材料；以及诸如SiO2、Zr2O3和TiN的其他常规使用的材料。可以形成两个或更多的外涂层。
外涂层9的厚度优选不大于10nm。如果保护性外涂层的厚度大于10nm，磁头与磁性层之间的距离会不希望地变大，经常导致输入和输出功率不足。
通常通过溅射方法或CVD方法进行外涂层的形成。
优选地，在外涂层上形成润滑层(在图4中未示出)。例如，由含氟的润滑剂、碳氢化合物润滑剂、或其混合物来形成润滑层。润滑层的厚度通常在1到4nm的范围内。
在图7中示例了根据本发明的磁记录-再现装置的实例的结构。本发明的磁记录-再现装置组合地包括：本发明的上述磁记录介质30；用于沿记录方向驱动磁记录介质的驱动部11；包括记录部和再现部的磁头27；用于以与磁记录介质30相对运动的方式移动磁头27的磁头驱动部28；以及用于向磁头27输入信号并用于从磁头27再现输出信号的记录和再现信号处理装置29。
包括上述装置的组合的磁记录-再现装置可以提供高记录密度。更具体地，在该磁记录-再现装置的磁记录介质中，磁记录磁道是磁性离散的，因此，记录磁头宽度和再现磁头宽度可以彼此近似相同，从而获得足够高的再现输出功率和高SNR。这与其中再现磁头宽度必须小于记录磁头宽度以使磁道边缘中的磁化过渡区域的影响最小化的常规磁记录介质形成了鲜明的对比。
通过将磁头的再现部构造为GMR头或TMR头，即使在高记录密度下也可以获得足够高的信号强度，也就是，可以提供具有高记录密度的磁记录装置。
当磁头以0.005μm到0.020μm的范围内的悬浮高度(其低于常规采用的悬浮高度)悬浮时，输出功率增大且SNR变大，由此磁记录装置可具有大尺寸和高可靠性。
如果在磁记录介质中组合使用和-积复合算法(sum-product composite algorithm)的信号处理电路，可以更进一步地提高记录密度，并且即使在以每英寸100k磁道或更高的磁道密度或每英寸1000k比特或更高的线记录密度或每平方英寸至少100G比特或更高的高记录密度下进行记录-再现时，也可以获得足够高的SNR。
实例
下面将通过用于评估由于利用臭氧的处理而发生的磁化改变的以下实验和本发明的以下实例来具体地描述本发明。
实验1到22，比较实验1到7
将用于HD的玻璃基底置于真空腔中，并将该腔排空到不大于1.0×10-5Pa的压力以去除空气。所使用的玻璃基底包括具有Li2Si2O5、Al2O3-K2O、Al2O3-K2O、MgO-P2O5以及Sb2O3-ZuO的组合物的玻璃陶瓷，并具有65mm的外径和20mm的内径以及2埃的平均表面粗糙度(Ra)。
在玻璃基底上，通过DC溅射依次形成由60Fe30Co10B构成的软磁性衬层、由Ru构成的中间层以及由70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金构成的具有颗粒状结构的磁性层(紧接在元素前面的数字表示该元素的摩尔百分比)。
各层具有以下厚度。60Fe30Co10B软磁性衬层：60nm；Ru中间层：10nm；以及磁性层：15nm。
然后对每一个多层结构进行如下处理。
在实验1-8和12-19以及比较实验1、2和4-6中，通过ICP处理每一个多层结构以去除磁性层的具有约3nm厚度的表面部分。在下列条件下进行ICP处理。CF4气：10sccm；压力：0.1Pa；加速电压：300V；输入功率：200W；基底偏置电压：20W；以及蚀刻时间：45秒。
在实验9-11和20-22以及比较实验3和7中，不对每一个多层结构进行ICP处理。
在比较实验3和7中，将每个多层结构暴露到氩气。
此后，用臭氧如下处理每一个多层结构。
在实验1-11中将每个多层结构暴露到臭氧气体，而在实验12-22中用含水臭氧(aqueous ozone)旋转冲洗(spin-rinse)每个多层结构。在真空腔中在5.0×10-5Pa的压力下进行向臭氧气体的暴露。如下执行用含水臭氧的旋转冲洗。以1升/分的流速将其中溶解有臭氧的纯水喷淋到基底上，然后，旋转基底以去除水而得到干燥的基底。在实验12-16和19-22中，在使用从KAIJO Corporation可得的超声清洗设备在950KHz和500W的条件下将超声波施加到含水臭氧的同时喷淋含水臭氧。
为了比较，在实验4-7中未进行臭氧暴露处理。
在表1和表2中示出了处理条件以及由在处理之前和之后的测量所确定的磁化量的变化。
表1
注
＊1在实验1-11中用臭氧气体辐照的时间
在比较实验1-3中用氩气辐照的时间
＊2在实验1-11中用臭氧气体辐照之前和在比较实验1-3中用氩气辐照之前测量的磁化量
＊3在实验1-11中用臭氧气体辐照之后和在比较实验1-3中用氩气辐照之后测量的磁化量
表2
注
＊1在实验12-22中用含水臭氧旋转冲洗之前测量的磁化量
＊2在实验12-22中用含水臭氧旋转冲洗之后测量的磁化量
实例1
将用于HD的玻璃基底置于真空腔中，并将该腔排空到不大于1.0×10-5Pa的压力以去除空气。所使用的玻璃基底包括具有Li2Si2O5、Al2O3-K2O、Al2O3-K2O、MgO-P2O5和Sb2O3-ZuO的组合物的玻璃陶瓷，并具有65mm的外径和20mm的内径以及2埃的平均表面粗糙度(Ra)。
在玻璃基底上，通过DC溅射依次形成由60Fe30Co10B构成的软磁性衬层、由Ru构成的中间层以及由70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金构成的具有颗粒状结构的磁性层。通过P-CVD方法在磁性层上形成碳掩模层。
各层具有以下厚度。60Fe30Co10B软磁性衬层：60nm；Ru中间层：10nm；磁性层：15nm；以及碳掩模层：30nm。
然后，通过旋涂在碳掩模层上形成具有100nm厚度的SiO2抗蚀剂层。
以1MPa(约8.8kgf/cm2)的压力将具有与希望的磁记录图形对应的负图形的玻璃压模按压到抗蚀剂层上。此后，将压模从抗蚀剂层分离，由此将磁记录图形转移到抗蚀剂层上。如此转移的磁记录图形具有的形状使得抗蚀剂层中的凸起为具有120nm的宽度的圆形且抗蚀剂层中的凹陷为具有60nm的宽度的圆形。经构图的抗蚀剂层的厚度为80nm，抗蚀剂层的凹陷部分的厚度为约5nm。凹陷部分与基底表面成约90度的角。
通过使用CF4的蚀刻在以下条件下去除抗蚀剂层的凹陷部分。压力：0.5Pa；流速：40sccm；等离子体功率：200W；偏置电压：20W；以及蚀刻时间：10秒。
此后，通过干法蚀刻去除与抗蚀剂层的凹陷部分对应的碳掩模层的部分。用于蚀刻碳掩模层的干法蚀刻条件如下。O2气：40sccm；压力：0.3Pa；高频等离子体功率：300W；DC偏置：30W；以及蚀刻时间：30秒。
然后，通过离子蚀刻去除每一个磁性层的对应部分的表面层部分。用于蚀刻磁性层的表面层部分的离子蚀刻条件为：N2气：10sccm；压力：0.1Pa；加速电压：300V；以及蚀刻时间：5秒。磁性层的通过离子蚀刻形成的凹陷区域具有约1nm的深度(图1中的“d”)。
此后，将磁性层的暴露的区域(未被碳掩模层的剩余部分覆盖的区域)暴露到臭氧气体。在1Pa的压力下和150℃的基底温度下通过使臭氧气体以40sccm的流速在腔中流动而进行10秒的对臭氧气体的暴露。
然后，通过干法蚀刻去除保留在叠层结构的表面上的抗蚀剂层的剩余部分和碳层的剩余部分。此后，对磁性层的暴露的表面进行离子铣削，以去除具有约1nm到约2nm的厚度的表面层。离子铣削条件如下。Ar气：10sccm；压力：0.5Pa；以及时间：5秒。此后，通过CVD方法形成具有5nm厚度的保护性碳外涂层，并最终用含氟润滑剂涂覆叠层结构以形成2nm厚度的润滑膜。由此，完成了磁记录介质的制造。
通过使用旋转支架(spin stand)评估磁记录介质的电磁转换特性。在评估时使用垂直记录头和TuMR读取头。通过在记录750kFCl的信号时测量3T-挤压(3T-squash)来确定电磁转换特性。3T-挤压为90％，因此电磁转换特性是优异的。
实例2
通过与实例1描述的步骤相同的步骤，制造磁记录介质，其中形成了10nm厚度的由Co10Cr20Pt8(SiO2)构成的具有颗粒状结构的磁性层，并且在其上形成了5nm厚度的由Co14Cr14Pt4B构成的具有非颗粒状结构的磁性层。以5.5nm的深度去除具有颗粒状结构的磁性层的表面层部分。所有其他条件和步骤保持与实例1相同。通过与实例1中相同的步骤评估磁记录介质的电磁转换特性。3T-挤压为92％。
工业适用性
通过其中在非磁性基底上形成磁性层且然后在磁性层上形成磁记录图形的本发明的方法制造的磁记录介质的特征在于，确保了良好且稳定的磁头悬浮性，并且通过呈现优良分离性的区域而使磁记录图形分离，抑制了发生在图形中的相邻的被分离区域之间的信号干扰，并且可以实现高记录密度。
考虑到上述有益的特性，通过本发明的方法制造的磁记录介质可以特别地用作具有磁性分离的记录图形的离散型磁记录介质，该磁性分离的记录图形包括磁记录磁道和伺服信号图形。该制造磁记录介质的方法是简单且容易的。
Claims (15)
1.一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质在非磁性基底的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形，其特征在于包括以下步骤：使形成在所述非磁性基底上的磁性层的部分与臭氧反应而使所述磁性层的所述部分的磁特性改性，以形成所述磁性分离的磁记录图形。
2.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其特征在于包括依次执行的以下七个步骤(A)到(G)：
(A)在非磁性基底的至少一个表面上形成磁性层的步骤；
(B)在所述磁性层上形成掩模层的步骤；
(C)在所述掩模层上形成抗蚀剂层的步骤；
(D)在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的负图形的步骤；
(E)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述掩模层的部分的步骤；
(F)使所述磁性层的已经在步骤(E)中通过去除所述掩模层的所述部分而暴露的区域与臭氧接触，从而使所述磁性层的所述区域与臭氧反应，以使所述磁性层的所述区域中的磁特性改性的步骤；以及
(G)去除剩余的掩模层或者剩余的掩模层和抗蚀剂层的步骤。
3.根据权利要求2的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F)中使所述磁性层的所述暴露的区域与臭氧接触以使所述磁性层的所述区域中的磁特性改性之前，去除所述磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分。
4.根据权利要求2的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F)中使所述磁性层的所述暴露的区域与臭氧接触以使所述磁性层的所述区域中的磁特性改性之前，进行以下步骤(i)或步骤(ii)：
(i)将所述磁性层的所述暴露的区域暴露到含氟气体的步骤，
(ii)去除所述磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分且然后将所述磁性层的所述暴露的区域暴露到含氟气体的步骤。
5.根据权利要求1到3中任一项的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F)中将要与臭氧接触的所述磁性层具有颗粒状结构，所述颗粒状结构由被氧化物包围的磁性颗粒构成。
6.根据权利要求5的制造磁记录介质的方法，其特征在于，包括依次执行的以下九个步骤(A1)到(G1)：
(A1)在非磁性基底的至少一个表面上形成具有颗粒状结构的磁性层的步骤，所述颗粒状结构由被氧化物包围的磁性颗粒构成；
(A2)在所述具有颗粒状结构的磁性层上形成具有非颗粒状结构的磁性层的步骤；
(B1)在所述具有非颗粒状结构的磁性层上形成掩模层的步骤；
(C1)在所述掩模层上形成抗蚀剂层的步骤；
(D1)在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的负图形的步骤；
(E1)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述掩模层的部分的步骤；
(E2)去除在与所述磁记录图形的所述负图形对应的区域中的所述具有非颗粒状结构的磁性层的部分的步骤；
(F1)使所述具有颗粒状结构的磁性层的已经在步骤(E2)中通过去除所述具有非颗粒状结构的磁性层的部分而暴露的区域与臭氧接触，从而使所述具有颗粒状结构的磁性层与臭氧反应，以使所述具有颗粒状结构的磁性层的所述区域中的磁特性改性的步骤；以及
(G1)去除剩余的掩模层或者剩余的掩模层和抗蚀剂层的步骤。
7.根据权利要求6的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F1)中使所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域与臭氧接触以使所述磁性层的所述区域中的磁特性改性之前，去除所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分。
8.根据权利要求6的制造磁记录介质的方法，其中，在步骤(F1)中使所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域与臭氧接触以使所述具有颗粒状结构的磁性层的所述区域中的磁特性改性之前，进行以下步骤(i)或步骤(ii)：
(i)将所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域暴露到含氟气体的步骤，
(ii)去除所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域中的表面层部分且然后将所述具有颗粒状结构的磁性层的所述暴露的区域暴露到含氟气体的步骤。
9.根据权利要求3、4、7和8中任一项的制造磁记录介质的方法，其中，将要去除的所述磁性层的所述表面层部分具有0.1nm到15nm的范围内的厚度。
10.根据权利要求1到9中任一项的制造磁记录介质的方法，其中，通过使所述磁性层的所述暴露的区域与臭氧气体或者包含臭氧气体的液体接触来实现所述磁性层的所述部分与臭氧的反应。
11.根据权利要求2到10中任一项的制造磁记录介质的方法，其中，所述掩模层由碳形成。
12.根据权利要求11的制造磁记录介质的方法，其中，所形成的所述碳掩模层具有5nm到40nm的范围内的厚度。
13.根据权利要求2到12中任一项的制造磁记录介质的方法，其中，通过使用压模的转移印刷来实施步骤(D)或(D1)中的在所述抗蚀剂层上形成所述磁记录图形的所述负图形。
14.根据权利要求2到13中任一项的制造磁记录介质的方法，还包括以下步骤：
(H)在用于去除所述剩余的抗蚀剂层或者所述剩余的抗蚀剂层和掩模层的步骤(G)或(G1)之后通过使用惰性气体来蚀刻所述磁性层的表面层部分的步骤。
15.一种磁记录再现装置，其特征在于组合地包括：通过权利要求1到14中任一项的方法制造的磁记录介质；用于沿记录方向驱动所述磁记录介质的驱动部；包括记录部和再现部的磁头；用于以与所述磁记录介质相对运动的方式移动所述磁头的装置；以及用于向所述磁头输入信号并用于从所述磁头再现输出信号的记录和再现信号处理装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP333492/2007 | 2007-12-26 | ||
| JP2007333492A JP5244380B2 (ja) | 2007-12-26 | 2007-12-26 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
| PCT/JP2008/073415 WO2009081932A1 (ja) | 2007-12-26 | 2008-12-24 | 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101960517A true CN101960517A (zh) | 2011-01-26 |
| CN101960517B CN101960517B (zh) | 2012-09-19 |
Family
ID=40801232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008801274374A Expired - Fee Related CN101960517B (zh) | 2007-12-26 | 2008-12-24 | 制造磁记录介质的方法以及磁记录/再现装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8551349B2 (zh) |
| JP (1) | JP5244380B2 (zh) |
| CN (1) | CN101960517B (zh) |
| TW (1) | TWI381373B (zh) |
| WO (1) | WO2009081932A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102629475A (zh) * | 2011-02-07 | 2012-08-08 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009072439A1 (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Showa Denko K.K. | 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 |
| JP4468439B2 (ja) | 2007-12-27 | 2010-05-26 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011070753A (ja) | 2009-08-27 | 2011-04-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ディスクリートトラックメディア型垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011054254A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
| US10426043B2 (en) * | 2016-08-19 | 2019-09-24 | Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc | Method of thin film adhesion pretreatment |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685210B2 (ja) | 1985-01-12 | 1994-10-26 | ソニ−ケミカル株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH03212819A (ja) * | 1990-01-16 | 1991-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPH05205257A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH06131658A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4157185B2 (ja) * | 1997-02-26 | 2008-09-24 | 財団法人国際科学振興財団 | 洗浄液及び洗浄方法 |
| JPH1196553A (ja) | 1997-09-26 | 1999-04-09 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法、及び製造装置 |
| US6168845B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-01-02 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic media and method of making the same using selective oxidation |
| US6383597B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording media with magnetic bit regions patterned by ion irradiation |
| JP3886802B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-02-28 | 株式会社東芝 | 磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ |
| JP2003162806A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| US20030231437A1 (en) * | 2002-06-17 | 2003-12-18 | Childress Jeffrey R. | Current-perpendicular-to-plane magnetoresistive device with oxidized free layer side regions and method for its fabrication |
| JP2004164692A (ja) | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US20050036223A1 (en) | 2002-11-27 | 2005-02-17 | Wachenschwanz David E. | Magnetic discrete track recording disk |
| US7147790B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-12-12 | Komag, Inc. | Perpendicular magnetic discrete track recording disk |
| JP2004235223A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Anelva Corp | 磁性多層膜作製の装置および方法、膜作製の評価方法、膜作製の制御方法 |
| JP2005190517A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| JP4706260B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
| US7378028B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-05-27 | Seagate Technology Llc | Method for fabricating patterned magnetic recording media |
| JP2006012332A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Tdk Corp | ドライエッチング方法、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 |
| JP2006031849A (ja) | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体および磁気ディスク装置 |
| JP4262159B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | シート処理装置及びこれを備えた画像形成装置 |
| JP2006278622A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Tdk Corp | 凹凸パターン形成方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| US20070069429A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Albrecht Thomas R | System and method for patterning a master disk for nanoimprinting patterned magnetic recording disks |
| JP2007133940A (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP4585476B2 (ja) | 2006-03-16 | 2010-11-24 | 株式会社東芝 | パターンド媒体および磁気記録装置 |
| JP2007287300A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-11-01 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体 |
| JP2008097679A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体製造方法 |
| JP4881908B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2012-02-22 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
| JP4821780B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2011-11-24 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| JP4309945B1 (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2009271973A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| JP4575499B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4686623B2 (ja) * | 2009-07-17 | 2011-05-25 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
2007
- 2007-12-26 JP JP2007333492A patent/JP5244380B2/ja active Active
-
2008
- 2008-12-24 US US12/810,772 patent/US8551349B2/en active Active
- 2008-12-24 WO PCT/JP2008/073415 patent/WO2009081932A1/ja active Application Filing
- 2008-12-24 CN CN2008801274374A patent/CN101960517B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-26 TW TW097151041A patent/TWI381373B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102629475A (zh) * | 2011-02-07 | 2012-08-08 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100277829A1 (en) | 2010-11-04 |
| TWI381373B (zh) | 2013-01-01 |
| TW200945327A (en) | 2009-11-01 |
| CN101960517B (zh) | 2012-09-19 |
| WO2009081932A1 (ja) | 2009-07-02 |
| JP2009157983A (ja) | 2009-07-16 |
| JP5244380B2 (ja) | 2013-07-24 |
| US8551349B2 (en) | 2013-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101542604B (zh) | 制造磁记录介质的方法以及磁记录和再现装置 | |
| US8250736B2 (en) | Method for manufacturing a magnetic recording medium | |
| CN101960517B (zh) | 制造磁记录介质的方法以及磁记录/再现装置 | |
| CN101809658B (zh) | 磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置 | |
| JP4843825B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
| CN102016987B (zh) | 磁记录介质及磁记录再生装置、磁记录介质的制造方法 | |
| CN102027539B (zh) | 磁记录介质的制造方法和制造装置 | |
| US8303828B2 (en) | Method for manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording-reproducing apparatus | |
| CN101933090B (zh) | 制造磁记录介质的方法以及磁记录/再现装置 | |
| CN101971254B (zh) | 制造磁记录介质的方法以及磁记录和再现装置 | |
| CN102349103B (zh) | 磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置 | |
| CN102473422B (zh) | 磁记录介质的制造方法及磁记录再生装置 | |
| CN102089818B (zh) | 磁记录介质以及磁记录/再现装置 | |
| US20120200956A1 (en) | Method for producing magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing device | |
| JP2009277264A (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 | |
| JP2010140541A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置 | |
| JP4927778B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2010152978A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 | |
| JP2011138593A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
| JP2010165398A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JP2010123173A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
| JP2011146109A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120919 Termination date: 20141224 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |