CN102016987B - 磁记录介质及磁记录再生装置、磁记录介质的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够以高生产效率进行制造、能够通过凹状的分离区域将由磁性层形成的凸部间分离、磁头的浮起特性的稳定性优异的磁记录介质。所述磁记录介质(40)，在圆盘状的基板的至少一个表面具备圆环状的磁记录区域(A)和沿着磁记录区域(A)的边缘部配置的停放区域(B)，在磁记录区域(A)具备设置有数据图案(45)的数据区域(41)和设置有伺服图案(46)的伺服信息区域(42)，所述数据图案(45)由凸部(43a)和在凸部(43a)的周围形成的凹状的分离区域(44a)形成，所述凸部(43a)由磁性层形成，所述伺服图案(46)由凸部((43b)、(43c))和分离区域(44b)形成，具有俯视与数据图案(45)不同的形状，在停放区域(B)的至少一部分设置有具有形状与数据图案(45)的凸部(43a)的形状相同的凸部的凹凸图案(47)。

Description

磁记录介质及磁记录再生装置、磁记录介质的制造方法
技术领域
本发明涉及用于硬盘装置等的磁记录介质及磁记录再生装置。
本申请基于2008年5月1日在日本申请的特开2008-119769号主张优先权，在此引用其内容。
背景技术
最近，磁盘装置、软盘装置、磁带装置等磁记录装置的应用范围显著扩大，其重要性增加的同时，对于这些装置所使用的磁记录介质，谋求显著提高其记录(存储)密度。特别是，MR(磁阻)头和PRML技术引入以来，面记录密度的上升更为激烈，近年来还导入了GMR头、TMR头等，面记录密度的上升以一年大约100％的速度持续增加。对于这些磁记录介质，要求今后实现更高的记录密度，为此要求实现磁性层的高顽磁力化和高信噪比(SNR)、高分辨率。另外，近年来也在继续努力通过在提高线记录密度的同时增加磁道(track)密度来使面记录密度上升。
在最新的磁记录装置中，磁道密度达到110kTPI。但是，当磁道密度上升下去时，相邻的磁道间的磁记录信息会相互干扰，其边界区域的磁化过渡区域会成为噪声源，容易产生损害SNR的问题。就这样的话会牵涉到误码率(Bit Error rate，位出错率)的下降，因此对于提高记录密度成为障碍。为了使面记录密度上升，需要将磁记录介质上的各记录位(bit)的尺寸设为更细微的尺寸，需要在各记录位确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚。但是，当将记录位细微化下去时，则每一位的磁化最小体积变小，会产生由于由热波动导致的磁化反转而使记录数据消失的问题。
另外，当提高磁道密度时，由于磁道间距离接近，因此对于磁记录装置要求精度极高的磁道伺服技术。另外，为了尽可能地排除来自相邻磁道的影响，一般使用如下方法：宽幅地执行记录，比记录时窄地执行再生(reproducing)。该方法虽然能够将磁道间的影响抑制为最小限度，但是难以获得足够的再生输出。因此，存在难以确保足够的SN比(SNR)的问题。
作为解决上述的热波动的问题、实现确保足够的SN比或者确保足够的输出的方法之一，进行了如下尝试：在记录介质表面形成沿着磁道的凹凸，使记录磁道彼此物理分离或者磁分离，由此提高磁道密度。以下将这样的技术称为离散磁道法，将通过该方法制造的磁记录介质称为离散磁道介质。
作为离散磁道介质的一个例子，已知如下磁记录介质：在具有多个凸部和包围各凸部的凹部的非磁性基板上，层叠软磁性层和强磁性层，在软磁性层和强磁性层形成反映了非磁性基板的形状的凹凸，仅将磁分开后的强磁性层的凸部作为记录区域(例如，参考专利文献1)。
根据该磁记录介质，能够抑制软磁性层中产生磁畴壁，因此不容易出现热波动的影响，也没有相邻的信号之间的干扰，所以认为能够形成噪声少的高密度磁记录介质。
作为离散磁道介质的制造方法，具有如下方法：在形成了由几层薄膜形成的磁记录介质之后形成磁道的方法；在预先在基板表面直接形成凹凸图案或者在用于形成磁道的薄膜层形成凹凸图案之后，进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如，参考专利文献2、专利文献3)。其中，前者的方法常被称为磁层加工型。另一方面，后者常被称为压花(emboss)加工型。
作为离散方式或位图案(bit pattern)方式的磁记录介质的制造方法，一般形成了在表面具有凹凸形状的磁性层之后，在其凹部填充非磁性材料，使表面平滑。当磁记录介质的表面平滑时，磁头的浮起特性的稳定性优异，因此是优选的。但是，在通过该方法制造磁记录介质的情况下，当在凹部填充非磁性材料来进行平滑化时，使磁记录介质的表面污染的可能性较高。另外，当凹部填充非磁性材料时，制造工序变复杂、费事，会牵涉到磁记录介质的成本增加。
另外，作为离散方式的磁记录介质的制造方法，也有如下方法：通过从外部进行离子注入或者激光照射等，将非磁性基体上的连续的磁性层的所期望的部位的磁特性进行局部改变，形成记录磁道(例如，参考专利文献4)。在采用了该方法的情况下，不进行非磁性材料的填充也能够形成记录磁道，因此磁记录介质的表面平滑。
另外，作为形成了磁头的停放区(landing zone)的离散磁道介质，公开了包括形成了如下图案的数据区和位于最外周且没有形成所述图案的磁头的停放区的磁记录介质，所述图案是作为通过沟分离了的记录磁道使用的图案(例如，参考专利文献5)。根据专利文献5所记载的技术，由于磁头滑块(head slider)的停放区为没有图案的凹凸的区域，因此，能够改善磁头滑块的浮起稳定性。
在内置了磁记录介质的硬盘驱动器中，一般使磁记录介质以5000rpm以上进行旋转，使磁头浮起在磁记录介质的表面。在硬盘驱动中，当磁记录介质停止了旋转时，磁头不浮起，磁头和磁记录介质接触。此时，当磁头的与磁记录介质相对的面以及磁记录介质的表面足够平滑时，两者牢固地吸附，存在即使再次启动硬盘驱动器也无法使磁记录介质进行旋转的情况。因此，在硬盘驱动器中，设置有在磁记录介质停止了旋转的情况下使磁头从磁记录介质的表面自动浮起、或者退避的机构，或者，在磁记录介质表面的特定的部位设置使表面粗糙以使得即使磁头接触也不会吸附的区域(纹理区域)。
专利文献1：日本特开2004-164692号公报
专利文献2：日本特开2004-178793号公报
专利文献3：日本特开2004-178794号公报
专利文献4：日本特开平5-205257号公报
专利文献5：日本特开2006-031850号公报
发明内容
但是，专利文献4所记载的技术，与通过沟来将记录磁道之间分离的技术相比，有可能导致记录磁道间的磁分开不充分。
另外，在专利文献5所记载的技术中，在磁盘的表面形成有磁记录层的图案的凹凸，因此能够通过沟来分离记录磁道，但有时无法得到足够的磁头的浮起特性的稳定性。
本发明是鉴于这样的问题而完成的发明，课题在于提供一种磁记录介质，其能够在不进行向凹部填充非磁性材料来进行平滑化的工程的情况下，容易地以高生产效率进行制造，能够通过凹状的分离区域将由磁性层形成的凸部之间分离，并且，磁头的浮起特性的稳定性优异，能够适应高记录密度。
另外，本发明的课题在于提供一种能够使磁头的浮起量降低、且稳定性高、记录密度高的磁记录再生装置。
本发明者作为磁记录介质的制造方法开发了如下方法：在磁性层的表面设置与磁记录图案对应的掩模层，使没有被掩模层覆盖的磁性层与氧等进行化学反应，使磁性层部分非磁性化。并且，本发明者进一步反复认真研究，发现在采用该方法的情况下，在进行非磁性化之前仅除去了磁性层的与氧等进行化学反应的反应区域表面时，氧等与磁性层的反应性会增加。但是，当进行磁性层的反应区域表面的除去时，会在得到的磁记录介质的表面形成凹凸。当在磁记录介质的表面存在凹凸时，磁头的浮起特性的稳定性下降，因此优选磁记录介质的表面是平滑的。但是，当为了使磁记录介质的表面平滑而在凹部填充非磁性材料来进行平滑化时，如上所述，会产生使磁记录介质的表面污染的问题和/或制造工序变复杂的问题。
于是，本发明者为了解决在使用了表面具有凹凸的磁记录介质的硬盘驱动中经常发生磁头破损的情况的问题而进行了解析。其结果，发现了当磁头在磁记录介质的磁记录区域浮起时，在数据区域与伺服信息区域的边界部磁头会振动。另外，发现了在磁头从磁记录介质的停放区域移动到了磁记录区域的情况下，在数据区域与伺服信息区域的边界部磁头会振动，磁头会与磁记录介质瞬间接触而发生破损。
具体而言，发现：例如，在数据图案为规则的凹凸形状、伺服图案为不规则的凹凸形状的离散型磁记录介质中，能够通过沟来将记录磁道磁分离，但在磁头从伺服信息区域移动到数据区域时，或者，从数据区域移动到伺服信息区域时，容易导致磁头浮起的不稳定性。
通过使数据区域中的数据图案的形状和伺服信息区域中的伺服图案的形状最优化，能够某种程度地缓和该不稳定性。但是，根据本申请发明者的研究，即使对数据图案和伺服图案的形状进行了最优化，也无法完全消除该不稳定性。特别是，难以抑制磁头从数据区域突入伺服信息区域时的瞬间的振动。另外，在磁头从退避位置移动到了磁记录区域时、并且从数据区域突入伺服信息区域时，难以防止磁头瞬间与磁记录介质接触。
为了解决该问题，可以考虑如下方法：在磁记录介质设置没有图案的凹凸的区域来作为停放区域，提高停放区域的磁头的浮起量。但是，当设置没有形成图案的停放区域时，在停放区域和数据区域中的磁头的浮起特性的差异变大，磁头从数据区域突入伺服信息区域时，磁头和磁记录介质接触的可能性变高。
另外，可以考虑如下方法：通过使停放区域的表面粗糙而设为纹理(texture)区域，与平滑的情况相比，稍微降低停放区域中的磁头的浮起量。但是，即使是设置了使表面粗糙的停放区域的情况下，也难以在停放区域和磁记录区域中使磁头的浮起特性完全相同，无法得到足够的磁头浮起特性的稳定性。
本发明者为了解决该问题，使磁头的悬浮特性的稳定性提高，防止磁头和磁记录介质的接触而专心努力进行了研究。其结果，发现在停放区域设置具有形状与数据区域的数据图案的凸部的形状相同的凸部的凹凸图案，使停放区域和磁记录区域中的磁头的浮起特性近似即可。在这样的磁记录介质中，在使磁头从停放区域移动到磁记录区域之前，在停放区域中预选使磁头的浮起稳定，之后，使磁头移动到磁记录区域，由此，能够缓和磁头从停放区域移动到磁记录区域时在数据区域和伺服信息区域的边界部产生的磁头的振动，并且能够防止在磁头从数据区域突入伺服信息区域时磁头和磁记录介质瞬间接触。即，本申请发明涉及如下方案。
(1)一种磁记录介质，其特征在于，在圆盘状的基板的至少一个表面具备圆环状的磁记录区域和沿着所述磁记录区域的边缘部配置的停放区域，在所述磁记录区域具备设置有数据图案的数据区域和设置有伺服图案的伺服信息区域，所述数据图案由凸部和在所述凸部的周围形成的凹状的分离区域形成，所述凸部由磁性层形成，所述伺服图案由所述凸部和所述分离区域形成，具有俯视与所述数据图案不同的形状，在所述停放区域的至少一部分设置有具有形状与所述数据图案的凸部的形状相同的凸部的凹凸图案。
(2)根据上述(1)所述的磁记录介质，其特征在于，所述停放区域实质上没有形状与所述伺服图案的凸部的形状相同的凸部。
(3)根据上述(1)所述的磁记录介质，其特征在于，所述数据区域、所述伺服信息区域、所述停放区域各自的所述分离区域的面积比率的最大值和最小值的差在10％以下。
(4)根据上述(1)～(3)的任一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述数据区域、所述伺服信息区域、所述停放区域各自的所述分离区域的面积比率都在10％～50％的范围内。
(5)根据上述(1)～(4)的任一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述数据区域中的凸部为磁道部。
(6)根据上述(1)～(5)的任一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述分离区域相对于所述凸部的深度在0.1nm～15nm的范围内。
(7)根据上述(1)～(6)的任一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述数据图案和所述凹凸图案具有由在所述基板的圆周方向上呈带状等间隔地延伸的凸部和分离区域形成的规则的凹凸形状。
(8)一种磁记录再生装置，其特征在于，具备：上述(1)～(7)的任一项所述的磁记录介质；在记录方向上对该磁记录介质进行驱动的驱动部；包括记录部和再生部的磁头；使所述磁头相对于所述磁记录介质进行相对运动的单元；用于进行向所述磁头的信号输入和来自所述磁头的输出信号再生的记录再生信号处理单元。
(9)上述(1)～(7)的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，至少包括：在所述基板上形成磁性层的工序；在所述磁性层上的成为所述凸部的区域形成掩模层的工序；除去成为所述分离区域的区域的所述磁性层的表层部的工序；对除去了所述表层部的区域的所述磁性层的磁特性进行改性的工序；除去所述掩模层的工序。
根据本发明的磁记录介质，在基板的至少一个表面设置有由凸部和分离区域形成的数据图案、伺服图案、凹凸图案，而在所述停放区域的至少一部分设置有具有形状与所述数据图案的凸部的形状相同的凸部的凹凸图案，因此，能缓和在磁头从磁记录介质的停放区域移动到了磁记录区域的情况下，在数据区域和伺服信息区域的边界部产生的磁头的振动。因此，本发明的磁记录介质的磁头的浮起特性的稳定性优异，能够防止磁头和磁记录介质的接触。
另外，本发明的磁记录介质，在磁记录区域具备设置有数据图案的数据区域和设置有伺服图案的伺服信息区域，所述数据图案由凸部和在所述凸部的周围形成的凹状的分离区域形成，所述凸部由磁性层形成，所述伺服图案由所述凸部和所述分离区域形成，具有俯视与所述数据图案不同的形状，能够通过凹状的分离区域将由磁性层形成的凸部间分离，能够可靠地使凸部间磁分开。
另外，本发明的磁记录介质在基板的至少一个表面设置有由凸部和分离区域形成的数据图案、伺服图案、凹凸图案，因此不需要向凹部填充非磁性材料来进行平滑化的工程，与进行向凹部填充非磁性材料来平滑化的工程的情况相比，能够容易地以高生产效率进行制造。
另外，本发明的磁记录介质在磁记录区域具备设置有由凸部和分离区域形成的、具有俯视与数据图案不同形状的伺服图案的伺服信息区域，因此，磁头在伺服信息区域能够读入对应的数据区域的磁道信息和扇区信息，能够在数据区域进行信息的读写。
另外，本发明的磁记录介质具有由凸部和分离区域形成的伺服信息区域，因此不需要将伺服信息磁写入到数据区域(不需伺服写入(writing))，能够提高磁记录介质的生产率。
另外，本发明的磁记录再生装置具备本发明的磁记录介质，磁头的浮起特性的稳定性优异，因此，能够防止磁头和磁记录介质的接触，能够减少磁头的浮起量，能够确保稳定的电磁变换特性，能够提高记录密度。
附图说明
图1是用于说明离散型磁记录介质的一个例子的俯视图，图1(a)是仅将图1(b)中用矩形表示的离散型磁记录介质的一部分的区域放大表示的放大示意图，图1(b)是表示了离散型磁记录介质的整体的示意图。
图2是用于说明图1所示的离散型磁记录介质的剖面构造的剖视图，是从半径方向观察离散型磁记录介质的数据区域的一部分而得到的放大示意图。
图3是用于说明磁头在图1所示的离散型磁记录介质上浮起的状态的示意图。
图4是用于说明图1～图3所示的本实施方式的离散型磁记录介质的制造方法的概略工序图。
图5是表示本发明的磁记录再生装置的一个例子的概略立体图。
图6是表示图5所示的磁记录再生装置所具备的磁头悬架组件的概略示意图。
标号说明
A：磁记录区域；B：停放区域；C：退避位置；d：分离区域相对于凸部的深度；L：分离区域的宽度；W：凸部的宽度；1：基板；2：磁性层；3：碳掩模层；4：抗蚀剂层；5：印模；9：保护膜层；20：磁头悬架组件(gimbal assembly)(磁头万向架组件)；21：悬臂(suspension arm)；24：磁头滑块：25：信号线；26：磁头；32：记录再生信号系统；33：磁头驱动部；34：介质驱动部；40：离散型磁记录介质；41：数据区域；42：伺服信息区域；43a、43b、43c、43d：凸部；44a、44b、44d：分离区域；45：数据图案；46：伺服图案；47：凹凸图案；48：磁特性下降区域。
具体实施方式
接着，参照附图详细说明本发明的磁记录介质及其制造方式。在以下的说明所参考的附图中，存在所图示的各部的大小、厚度、尺寸等，与实际的磁记录介质和磁记录再生装置的尺寸关系不同的情况。
<离散型磁记录介质>
首先，作为本发明的磁记录介质的一个例子，对离散型磁记录介质的一个例子进行说明。
图1是用于说明离散型磁记录介质的一个例子的俯视图，图1(a)是仅将图1(b)中用矩形表示的离散型磁记录介质的一部分的区域D放大表示的放大示意图，图1(b)是表示了离散型磁记录介质的整体的示意图。另外，图2是用于说明图1所示的离散型磁记录介质的剖面构造的剖视图，是从半径方向观察离散型磁记录介质的数据区域的一部分而得到的放大示意图。在图2中，为了容易说明，只对基板和磁性层进行表示。另外，图3是用于说明磁头在图1所示的离散型磁记录介质上浮起的状态的示意图。
图1所示的离散型磁记录介质40如图1(b)所示，在圆盘状的基板的一个表面具备圆环状的磁记录区域A、以及沿着磁记录区域A的外缘部相对于圆盘状的基板而配置成同心圆状的停放区域B。
如图1(a)所示，在磁记录区域A具备数据区域41和伺服信息区域42。在图1(b)中，用从中心呈放射状延伸的线所表示的区域相当于伺服信息区域42，放射状的线和线之间的区域相当于数据区域41。如图1(b)所示，磁记录区域A的大部分为数据区域41，与数据区域41的面积相比较，伺服信息区域42的面积较小。
另外，如图1(b)所示，在离散型磁记录介质40的表面设置有多个数据区域41，那些数据区域41通过在伺服信息区域42所记录的磁道信息和扇区(sector)信息来定位位置。
图1(a)所示的箭头Y表示离散型磁记录介质40的表面上的磁头的移动位置和移动方向。如以箭头Y所示那样，在圆周方向进行移动的磁头，首先在伺服信息区域42中读入对应的数据区域41的磁道信息和扇区信息，在设置在同一圆周上的突发(burst，脉冲)图案区域(未作图示)中进行磁道位置的微调整，之后，在数据区域41中进行信息的读写。
图1所示的离散型磁记录介质40如图2所示，在圆盘状的基板1的表面形成有磁性层2，在磁性层2上形成有保护膜层(在图2中省略图示)，进一步在最表面形成有润滑层(在图2中省略图示)。磁性层2既可以是面内磁性层也可以是垂直磁性层，但是为了实现更高的记录密度而优选是垂直磁性层。
如图1和图2所示，在数据区域41的磁性层2，设置有由凸部43a和在凸部43a的周围形成的凹状的分离区域44a形成的数据图案45。在数据图案45中，通过凹状的分离区域44a将由磁性层形成的凸部43a间磁分离。如图1(a)所示，构成数据图案45的凸部43a和分离区域44a在基板的圆周方向上呈带状等间隔地延伸，设为规则的凹凸形状。
另外，如图1(a)所示，在伺服信息区域42设置有由凸部43b、43c和在凸部43b、43c的周围形成的凹状的分离区域44b形成的伺服图案46，所述凸部43b、43c由磁性层形成。在伺服图案46中，通过凹状的分离区域44b将由磁性层形成的凸部43b、43c之间磁分离。构成伺服图案46的凸部43b、43c包括在基板的直径方向上形成为带状的带状凸部43b和形成为点状的点状凸部43c。在伺服图案46中，磁道信息和扇区信息被作为数字信息进行记录。另外，伺服图案46被设为不规则的凹凸形状，具有俯视与数据图案45不同的形状。
停放区域B是在磁头从图1(a)和图1(b)所示的退避位置C移动到磁记录区域A之前，为了使磁头的浮起稳定而设置的。停放区域B的宽度不特别限定，但为了有效地使磁头的浮起稳定，优选设为与磁头滑块的宽度的相同程度以上。
在本实施方式的离散型磁记录介质40中，如图1(a)所示，在停放区域B的整个区域，设置由凸部43d和在凸部43d的周围形成的凹状的分离区域44d形成的凹凸图案47，其中，所述凸部43d由磁性层形成。在凹凸图案47中，通过凹状的分离区域44d将由磁性层形成的凸部43d之间磁分离。构成凹凸图案47的凸部43d和分离区域44d，在基板的圆周方向上呈带状等间隔地延伸，凹凸图案47和数据图案45为相同形状。因此，在停放区域B内，实际上不包括形状与设置于伺服信息区域42的伺服图案46相同的部分。
虽然优选凹凸图案47和数据图案45是相同形状，但是凹凸图案47具有形状与数据图案45的凸部43a形状相同的凸部43d即可。此处，所说的凹凸图案47的凸部43d形状与数据图案45的凸部43a形状相同，不只是凹凸图案47的凸部43d形状和数据图案45的凸部43a形状完全相同的情况，也包含为相似形状的情况。作为相似形状的情况，例如，列举凸部的延伸方向的长度不同的情况等。
另外，在本实施方式的离散型磁记录介质40中，优选将数据区域41中的凸部43a作为磁道部，即，优选设为离散方式的磁记录介质。
另外，在本实施方式的离散型磁记录介质40中，如图2所示，数据区域41和停放区域B中的凸部43a、43d的宽度W，为了提高记录密度而优选为200nm以下，凹状的分离区域44a、44d的宽度L优选为100nm以下。因此，磁道间距(track pitch)P(＝凸部的宽度W+分离区域的宽度d)优选在300nm以下的尽可能窄的范围内。
另外，在本实施方式中，优选分离区域相对于数据区域41、伺服信息区域42、停放区域B的各区域中的凸部的深度(在图2中用标号d表示)相同，都在0.1nm～15nm的范围内。当上述的分离区域的深度在0.1nm～15nm的范围内时，能够更加可靠地将相邻的凸部之间磁分开，并且能得到更加稳定的磁头的浮起特性。
当上述的分离区域的深度小于0.1nm时，有可能无法充分地进行相邻的磁道部之间的磁分开。另外，当上述的分离区域的深度超过15nm时，在离散型磁记录介质40的表面与磁头之间产生的空气的流动变得不稳定，磁头的浮起特性可能会极度恶化。
数据区域41、伺服信息区域42、停放区域B的各区域中的凹状的分离区域是通过除去磁性层2的预定位置的表层部而形成的。如图2所示，分离区域的下部，通过非磁性化等而成为磁特性下降了的磁特性下降区域48。因此，在本实施方式的离散型磁记录介质40中，通过磁特性下降区域48的磁特性下降、和由凹状的分离区域分离磁性层2的相乘效果，形成与相邻的凸部磁分开的凸部。
在本发明中所说的与相邻的凸部磁分开的凸部，如图2所示，当磁性层2从离散型磁记录介质40的表面侧来看是分离的时，即使在磁性层2的底部没有分离，也能够实现本发明的目的，在本发明中，包含在与相邻的凸部磁分开的凸部的概念中。
另外，在本发明的离散型磁记录介质40中，如图1(a)所示，优选在停放区域B的整个区域设置由与数据图案45相同的形状形成的凹凸图案47。但是，为了具有本发明的效果，在停放区域B的至少一部分，设置具有形状与数据图案45的凸部43a的形状相同的凸部43d的凹凸图案46即可，在停放区域B也可以包括没有设置凹凸图案46的区域、设置有与数据图案45不同形状的图案的区域。因此，即使对于在停放区域B中包含伺服信息区域42的伺服图案46，只要该图案微小、能实质上确保凹凸图案47和数据图案45的形状近似、能得到本申请发明的效果，则也是被允许的。
在仅在停放区域B的一部分设置具有形状与数据图案45的凸部43a的形状相同的凸部43d的凹凸图案46的情况下，数据区域41中的分离区域44a的面积比率b((分离区域44a的面积/数据区域41的面积)×100)、和停放区域B中的分离区域44d的面积比率c((分离区域44的面积/停放区域的面积)×100)的差(b-c)，优选在正负10％(-10％≤b-c≤+10％)的范围内。
磁头的浮起量根据安装有磁头的磁头滑块受到的风压变化而变化。由此，当与磁头滑块相对的离散型磁记录介质40上的凸部和分离区域的面积比率发生变化时，磁头滑块受到的风压发生变化，磁头的浮起量变化。因此，为了使磁头的悬浮量稳定，优选离散型磁记录介质40上的凸部和分离区域的面积比率的偏差要小。
在数据区域41中的分离区域44a的面积比率b与停放区域B中的分离区域44d的面积比率c的差在上述范围内的情况下，离散型磁记录介质40上的凸部和分离区域的面积比率的偏差小，因此，能够使磁头从停放区域B移动到了磁记录区域A时的磁头的浮起特性更加稳定，并且，能够减小磁头从数据区域41突入伺服信息区域42时的磁头的振动，能够更有效地防止磁头瞬间与磁记录介质接触。
另外，伺服信息区域42中的分离区域44b的面积比率a((分离区域44b的面积/伺服信息区域42的面积)×100)、数据区域41中的分离区域44a的面积比率b、以及停放区域B中的分离区域44d的面积比率c的各面积比率中的最大值和最小值的差，优选为10％以下。在该情况下，离散型磁记录介质40上的凸部和分离区域的面积比率的偏差非常小，因此磁头的浮起特性的稳定性更优异。
另外，优选伺服信息区域42中的分离区域44b的面积比率a、和数据区域41中的分离区域44a的面积比率b，满足以下所述的式(1)，并且，伺服信息区域42中的分离区域44b的面积比率a、和停放区域B中的分离区域44d的面积比率c，满足以下所述的式(2)。
b-(b/10)≤a≤b+(b/10)...(1)
c-(c/10)≤a≤c+(c/10)...(2)
例如，在数据区域41中的分离区域44a的面积比率b、以及停放区域B中的分离区域44d的面积比率c都为15％(凸部的面积比率85％)的情况下，优选伺服信息区域42中的分离区域44b的面积比率a在13.5％～16.5％的范围内。通过将伺服信息区域42中的分离区域44b的面积比率a设为满足上述式(1)和式(2)的范围内，从而在磁头从停放区域B移动到了磁记录区域A、从伺服信息区域42移动到了数据区域41、另外进行了相反的移动的情况下，不会导致磁头的浮起特性的不稳定化，能够有效地防止磁头与离散型磁记录介质40接触。
另外，优选数据区域41、伺服信息区域42、停放区域B各自的分离区域的面积比率((分离区域的面积/各区域的面积)×100)，都在10％～50％的范围内。通过将上述各区域中的分离区域的面积比率都设在10％～50％的范围内，能够使磁头更加稳定地浮起，并且能够得到更加优异的电磁变换特性。
当上述各区域中的分离区域的面积比率小于10％时，磁头的浮起特性虽然稳定，但是数据区域41中的磁道间的分离可能变得不充分。另外，当上述各区域中的分离区域的面积比率超过50％时，由于凹状的分离区域所产生的空气的旋涡，磁头的浮起可能会变得不稳定。
进一步，数据区域41、伺服信息区域42、停放区域B各自的分离区域的面积比率((分离区域的面积/各区域的面积)×100)都在10％～50％的范围内，并且，将伺服信息区域42中的分离区域44b的面积比率a设为在满足上述式(1)和式(2)的范围内，能够使磁头更加稳定地在离散型磁记录介质40的表面浮起，并且能够得到更加优异的电磁变换特性。
此处，对图1所示的离散型磁记录介质40和一边在离散型磁记录介质40的表面上浮起一边进行移动的磁头的关系进行说明。
图3所示的磁头26设置在磁头滑块24，所述磁头滑块24设置在磁头悬架组件的悬臂(suspension arm)21的顶端侧。磁头26配置磁头滑块24的位于与形成有斜面的先导(leading)侧相反一侧的交换(trading)侧的靠近离散型磁记录介质40的部分。磁头26如图3所示，一边在离散型磁记录介质40的表面上浮起一边进行移动。
安装有磁头26的磁头滑块24的大小设为0.5～2mm见方左右。磁头滑块24如图3所示，以倾斜的姿势在离散型磁记录介质40的表面移动，因此在其对向面的整体上并不受到离散型磁记录介质40的表面的凹凸的影响。根据发明者们的研究，明确地发现在通常的磁头滑块中500μm见方左右的对向面区域会受到磁记录介质表面的凹凸的影响。另外，通常的，凹凸图案47、数据图案45、伺服图案46的各图案是以数十到数百nm的间距(pitch)形成的。因此，形成在离散型磁记录介质40的表面的图案，相对于作为磁头滑块24的对向面区域的500μm见方左右的区域是足够小的，通过磁头滑块24的大小而使构成这些图案的分离区域的面积比率(凹凸的比)平均化。
因此，所说的“上述各区域中的分离区域的面积比率”，实际上意味着“离散型磁记录介质40的与磁头滑块24的对向面区域中的分离区域的面积比率”。
另外，在本实施方式的离散型磁记录介质40中，作为基板1可以使用由将Al作为主成分的例如Al-Mg合金等的Al合金基板、由通常的钠玻璃(soda glass)、铝硅酸盐(aluminosilicate)类玻璃、结晶化玻璃类硅、钛(Titan)、陶瓷(ceramics)、各种树脂形成的基板等圆盘状基板的任意基板。其中尤其优选使用Al合金甚板、结晶化玻璃等玻璃制基板或硅基板。另外，这些基板的平均表面粗糙度(Ra)优选为1nm以下，进一步优选为0.5nm以下，其中尤其优选为0.1nm以下。
另外，优选磁性层2由以Co为主成分的合金形成。
例如，作为面内磁记录介质用的磁性层，可以利用由非磁性的CrMo基底层和强磁性的CoCrPtTa磁性层形成的层叠构造。
另外，作为垂直磁记录介质用的磁性层，例如，可以利用层叠了由软磁性材料形成的衬里层、取向控制膜、以及磁性膜而得到构造。
作为衬里层，可以列举由FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB等)等形成的层。
衬里层优选为层叠构造，例如，在构成衬里层的软磁性膜之间设置由Ru、Re、Cu的任一方形成的中间层，设为预定的厚度，由此能够使上下设置的软磁性膜反铁磁性(antiferromagnetic)结合。
另外，作为取向控制膜，可以列举由Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等形成的膜。
作为磁性膜，可列举由60Co-15Cr-15Pt合金、70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金形成的膜。另外，作为磁性膜，优选使用由颗粒(granular)构造的磁性材料形成的膜。此处，颗粒构造的磁性材料是具有氧化物覆盖了磁性材料粒子的周围的构造的磁性材料。作为颗粒构造所包含的氧化物，上述的SiO2以外还可以使用Ti氧化物、W氧化物、Cr氧化物、Co氧化物、Ta氧化物、Ru氧化物等
颗粒构造的磁性材料的磁性结晶以非磁性相分离，因此磁性粒子间的磁相互作用微弱，并且，由于磁性结晶粒微小，所以能够形成极低噪声的磁性层。另外，在通过氧和/或臭氧对由颗粒构造的磁性材料形成的磁性膜进行了非磁性化处理的情况下，能够选择性地通过使用了氟类气体的反应性离子蚀刻装置等对存在于粒界的氧化物进行蚀刻，能够促进磁性膜中的Co等金属和氧、臭氧的氧化反应，能够更有效地使磁性膜的磁特性发生变化，能够提高形成使磁性膜非磁性化而得到的磁特性下降区域48时的反应性。
另外，磁性层2可以是由颗粒构造的磁性层和其上的非颗粒构造的磁性层形成的2层构造。
磁性层2的厚度为3nm以上20nm以下，优选设为5nm以上15nm以下。磁性层2与使用的磁性合金的种类和叠层构造相匹配地形成为能得到足够的磁头输入输出即可。另外，为了在再生时得到一定以上的输出，磁性层2需要某一程度以上的膜厚，另一方面，通常表示记录再生特性的诸参数会随着输出的上升而劣化，因此磁性层2需要设定成最适当的膜厚。
<离散型磁记录介质的制造方法>
接着，作为本发明的磁记录介质的制造方法，举例对图1～图3所示的本实施方式的离散型磁记录介质的制造方法进行详细说明。
图4是用于说明图1～图3所示的本实施方式的离散型磁记录介质的制造方法的概略工序图。
首先，如图4(a)所示，在圆盘状基板1上，通过溅射法等形成磁性层2。接着，如图4(b)所示，在磁性层2上形成碳掩模层3。
碳掩模层3可以通过溅射法、或者CVD法来进行成膜，但是使用CVD法能够形成致密性更高的碳膜。
碳掩模层3能够容易地进行使用了氧气的干式蚀刻(反应性离子蚀刻或者反应性离子铣削(ion milling))，因此通过在磁性层2上设置碳掩模层3，能够使除去后述的抗蚀剂层的工序中的残留物减少，能够减少磁性层2表面的污染。
优选将碳掩模层3的膜厚设为5nm～40nm的范围内，进一步优选设为10nm～30nm的范围内。当碳掩模层3的膜厚比5nm薄时，碳掩模层3的边缘部分松弛，形成在圆盘状基板1上的各图案的形成特性有可能发生恶化。另外，在使磁性层2的一部分非磁性化时，氧和/或臭氧会透过碳掩模层3和形成在碳掩模层3上的抗蚀剂层而侵入磁性层2，有可能使磁性层2的磁特性发生恶化。另一方面，当碳掩模层3比40nm厚时，碳掩模层3的蚀刻时间变长，生产率下降。另外，当碳掩模层3比40nm厚时，对碳掩模层3进行蚀刻时的残渣容易残留在磁性层2的表面。
接着，如图4(c)所示，在碳掩模层3上形成抗蚀剂层4，如图4(d)所示，在抗蚀剂层4形成在圆盘状的基板1上形成的各图案的负片图案。在此所形成的负片图案是在抗蚀剂层4形成了与构成各图案的凹状的分离区域对应的凹部的图案。
作为在抗蚀剂层4形成负片图案的方法，可以使用通常的光刻技术，但从作业效率方面来看使用如下方法是优选的，即如图4(d)所示，对抗蚀剂层4使用印模5，转印各图案的形状。
另外，在本制造工序中，优选使用印模5形成了负片图案之后在抗蚀剂层4的凹部残留的抗蚀剂层8的厚度在0～20nm的范围内。通过将在抗蚀剂层4的凹部残留的抗蚀剂层8的厚度设为该范围，能够在碳掩模层3和磁性层2的蚀刻工序中，消除碳掩模层3的边缘部分的松弛，使碳掩模层3对于铣削离子的遮蔽性提高，另外，能够提高基于碳掩模层3的各图案的形成特性。
接着，如图4(e)所示，除去形成了负片图案之后残留的抗蚀剂层8、和碳掩模层3的与构成各图案的凹状的分离区域对应的部分。由此，在成为磁性层2上的凸部的区域形成由碳掩模层3和抗蚀剂层4形成的掩模层。
使用印模5形成了负片图案之后残留的抗蚀剂层8，可以通过反应性离子蚀刻、离子铣削等的干式蚀刻来除去。另外，碳掩模层3的与构成各图案的凹状的分离区域对应的部分，可以通过反应性离子蚀刻、离子铣削等的干式蚀刻来除去。
在本实施方式中，优选将用于抗蚀剂层4的材料设为通过放射线照射来硬化性的材料，在抗蚀剂层4使用印模5来转印图案的工序时，或者，在图案转印工序之后，向抗蚀剂层4照射放射线。
通过使用这样的制造方法，能够高精度地在抗蚀剂层4转印印模5的形状。另外，在碳掩模层3的蚀刻工序中，能够消除碳掩模层3的边缘部分的松弛，能提高碳掩模层3对于铣削离子的遮蔽性，另外，能够提高碳掩模层3的各图案的形成特性。
本发明中使用的放射线是红外线、可视光线、紫外线、X射线、伽马射线等的广义概念的电磁波。另外，通过发射线照射具有硬化性的材料，例如，相对于红外线是热硬化树脂，相对于紫外线是紫外线硬化树脂。
在本制造工序中，在对抗蚀剂层4使用印模5来转印图案的工序时，在抗蚀剂层4的流动性高的状态下，向抗蚀剂层4押压印模5，在进行了该押压的状态下，通过向抗蚀剂层4照射放射线来使抗蚀剂层4硬化，之后，使印模5从抗蚀剂层4离开，由此能够高精度地将印模5的形状转印到抗蚀剂层4。
作为在向抗蚀剂层4押压了印模5的状态下向抗蚀剂层4照射放射线的方法，可以使用：从印模5的相反一侧、即基板1一侧照射放射线的方法；选择能透射放射线的物质来作为印模5的材料，从印模5一侧照射放射线的方法；从印模5的侧面照射放射线的方法；使用如红外线那样相对于固体传导性高的放射线，通过来自印模材料或者基板1的热传导来照射放射线的方法。在该情况下，特别地，优选使用酚醛(novolak)类树脂、丙烯(Acryl)酸酯类、脂环族环氧树脂类等紫外线硬化树脂来作为抗蚀剂材料，使用对于紫外线透射性高的玻璃或者树脂来作为印模材料。
另外，在本制造工序中，作为抗蚀剂材料，特别地，优选使用SiO2类的抗蚀剂材料。SiO2类的抗蚀剂材料，对于使用了氧气的干式蚀刻的耐性高，因此，能够在碳掩模层3使用离子铣削来形成负片图案时降低像的模糊。即，通过使用了氧气的干式蚀刻能够容易地加工碳掩模层3，另一方面，SiO2类的抗蚀剂材料对于使用了氧气的干式蚀刻的耐性高。因此，能够通过干式蚀刻将碳掩模层3加工成垂直陡立的形状，能得到尖锐的各图案的形状。
接着，如图4(f)所示，例如通过离子铣削6以0.1nm～15nm的范围内的深度将除去碳掩模3而漏出了的成为构成各图案的凹状的分离区域的区域的磁性层2的表层部除去。
除去碳掩模层3而漏出的磁性层2的表层部，有时由于层叠在磁性层2上的碳掩模层3和/或大气的影响而会发生变质。当磁性层2发生变质时。有时磁性层2的非磁性化反应不会有效地发生作用。
除去碳掩模层3而漏出的磁性层2的表层部，例如在通过反应性离子蚀刻等的干式蚀刻除去了碳掩模层3之后，接着，能够通过进行离子铣削6等的干式蚀刻的方法来进行除去。通过采用这样的方法，能够垂直地形成除去表层部后残留的磁性层2的边缘部。这是因为磁性层2上的碳掩模层3是垂直陡立的形状，所以其下的磁性层2也变成同样的形状。通过采用这样的工序，能够形成边缘(fringe)特性优异的磁性层2。
在本制造工序中，优选使用氧气来进行碳掩模层3的反应性离子蚀刻，优选使用氩、氮等惰性气体进行磁性层2的离子铣削6。即，优选分别将碳掩模层3的干式蚀刻和磁性层2的干式蚀刻变为最适当的方式。
另外，优选在进行磁性层2的非磁性化之前，将除去碳掩模3而露出的磁性层2的被非磁性化的区域的表面暴露在氟类气体中。通过进行这样的处理，能够提高被非磁性化的磁性层2的表面的反应性，能够更加有效地实现非磁性化反应。
接着，使除去了表层部的区域7的磁性层2的磁特性改性来进行非磁性化，形成磁特性下降区域48。磁性层2的非磁性化(改性)，可以通过例如暴露氧和/或臭氧的方法、或者照射激光的方法等来进行。在本制造工序中，优选在进行磁性层2的非磁性化前，将除去了表层部的区域7暴露在氟类气体中。
在磁性层2的非磁性化之后，如图4(g)所示，通过除去设置在磁性层2上的抗蚀剂4和碳掩模层3来除去掩模层。抗蚀剂层4和碳掩模层3，优选使用干式蚀刻、反应性离子蚀刻、离子铣削等的方法来进行除去。
优选在除去了掩模层之后，如图4(h)所示，对磁性层2照射Ar等的惰性气体11，在1～2nm的范围内蚀刻除去磁性层2的表层部。由此，即使在由于进行磁性层2的非磁性化处理而使磁性层2的表面粗面化了的情况下，也能够除去粗面化了的磁性层2的表面。
接着，如图4(i)所示，优选在磁性层2上形成保护膜层9。通常，保护膜层9通过溅射法或者CVD法进行形成。
作为保护膜层9，可以使用碳(C)、氢化碳(HxC)、氮化碳(CN)、无定形碳、碳化硅(SiC)等碳质层、SiO2、Zr2O3、TiN等通常使用的保护膜层材料。另外，保护膜层9可以由2层以上的层构成。
优选保护膜层9的膜厚为10nm以下。当保护膜层9的膜厚超过10nm时，磁头26和磁性层2的距离变大，有可能无法得到足够的输入输出信号的强度。
进一步，优选在保护膜层9上形成润滑层(省略图示)。作为用于润滑层的润滑剂，可以列举氟类润滑剂、碳化氢类润滑剂以及它们的混合物等，通常形成1～4nm的厚度。
这样能制造图1～图3所示的离散型磁记录介质40。
本实施方式的离散型磁记录介质40，在基板1的一个表面设置有由凸部和凹状的分离区域形成的数据图案45、伺服图案46、凹凸图案47的各图案，在停放区域B的整个区域设置有与数据图案45相同形状的凹凸图案47，因此能够使数据区域41和停放区域B中的磁头26的浮起特性近似，使得离散型磁记录介质40的表面上的大部分上的磁头26的浮起特性变得近似。其结果，在磁头26从停放区域B移动到了磁记录区域A的情况下，能缓和在数据区域41和伺服信息区域42的边界部产生的磁头26的振动。因此，本实施方式的离散型磁记录介质40的磁头26的浮起特性的稳定性优异，能够防止磁头26和离散型磁记录介质40的接触。
进一步，在本实施方式的离散型磁记录介质40中，由于数据图案45和凹凸图案47被设为规则的凹凸形状，因此磁头26的浮起特性的稳定性优异。
另外，本实施方式的离散型磁记录介质40，在磁记录区域A具备：数据区域41，其设置有数据图案45，所述数据图案45由凸部43a和在凸部43a的周围形成的凹状的分离区域44a形成，所述凸部43a由磁性层2形成；和伺服信息区域42，其设置有伺服图案46，所述伺服图案46由凸部和分离区域形成，具有俯视与数据图案45不同的形状；该离散型磁记录介质40能够通过凹状的分离区域将由磁性层2形成的凸部之间分离，能够可靠地将凸部间磁分开。
进一步，本实施方式的离散型磁记录介质40，在基板1的一个表面设置有由凸部和分离区域形成的数据图案45、伺服图案46、凹凸图案47的各图案，因此不需要在凹部填充非磁性材料来进行平滑化的工序，与进行在凹部填充非磁性材料来平滑化的工序的情况相比，能够容易地以高生产效率进行制造。
另外，本实施方式的离散型磁记录介质40的制造方法是包括在基板1上形成磁性层2的工序、在磁性层2上的成为凸部的区域形成由碳掩模层3和抗蚀剂层4形成的掩模层的工序、除去成为分离区域的区域的磁性层2的表层部的工序、使除去了表层部的区域7的磁性层2非磁性化的工序、以及除去掩模层的工序的方法，由于在除去成为分离区域的区域的磁性层2的表层部之后进行磁性层2的非磁性化，因此能够提高要被非磁性化的磁性层2的表面的反应性，能够有效地进行非磁性化反应。
在上述的实施方式中，作为本发明的磁记录介质的一个例子，将离散方式磁记录介质作为例子进行了具体的说明，但是本发明的磁记录介质能够适用于离散方式、或者位图案方式的磁记录介质这两者。
进一步，在本发明中由凸部和分离区域形成的各图案可以是按每一位以一定的规则性配置的所谓的位图案方式的图案。
另外，在上述的实施方式中，将在基板的一个表面设置了磁记录区域和停放区域的磁记录介质作为例子进行了说明，但是也可以在基板的两个表面设置磁记录区域和停放区域。
另外，在上述实施方式中，沿着圆环状的磁记录区域的外缘部配置有停放区域，但是停放区域也可以沿着磁记录区域的内缘部配置。
<磁记录再生装置>
接着，举例对本发明的磁记录再生装置进行说明。
图5是示出了本发明的磁记录再生装置的一个例子的概略立体图，图6是示出了图5所示的磁记录再生装置所具备的磁头悬架组件的概略示意图。
图5所示的磁记录再生装置具备：图1示出的离散型磁记录介质40；在记录方向上驱动所述离散型磁记录介质40的介质驱动部34；安装于磁头悬架组件20的磁头26；使磁头26相对于离散型磁记录介质40进行相对运动的磁头驱动部33；用于进行向磁头26的信号输入和来自磁头26的输出信号再生的记录再生信号系统32(记录再生信号处理单元)。
磁头悬架组件20如图6所示，具有由金属制的薄板形成的悬臂21、设置在悬臂21的顶端侧的磁头滑块24、设置在磁头滑块24上的磁头26、以及通过信号线25进行导电连接的控制单元(省略图示)。
磁头26配置磁头滑块24的与形成有斜面的前导(leading)侧相反一侧的交换(trading)侧的靠近离散型磁记录介质40的部分。
磁头26包括记录部和再生部。作为磁头26可以使用适合高记录密度的磁头，该磁头作为再生元件不仅包括利用了巨磁阻效应(GMR：GiantMagneto Resistive)的MR(magneto resistance，磁阻)元件，也包括利用了隧道磁阻效应(TMR：Tunnel-type Magneto Resistive)的TMR元件等。另外，通过使用TMR元件，能够实现更高密度记录。
图5所示的磁记录再生装置是具备图1示出的离散型磁记录介质40的装置，因此能够减少磁头26的浮起量，成为稳定性高、记录密度高的装置。
例如，当使磁头26的浮起量为以比以往低的0.005μm～0.020μm的高度而浮起时，能提供输出提高、得到高的装置SNR、且大容量的可靠性高的磁记录装置。
另外，如图5所示的磁记录再生装置是具备设置有由凸部和凹状的分离区域形成的图案的离散型磁记录介质40，所述凸部由磁性层形成，因此不容易受到来自相邻磁道的影响，即使不是宽幅地执行记录且比记录时窄地执行再生，也能够给将再生磁头宽度和记录磁头宽度设为大致相同的宽度来进行动作。因此，在图5示出的磁记录再生装置中，与再生磁头宽度比记录磁头宽度窄的情况相比较，能够得到高再生输出和高信噪比(SNR)。
进一步，在图5所示的磁记录再生装置中，通过由GMR头或者TMR头构成磁头26的再生部，即使在高记录密度时也能得到足够的信号强度，成为具有高记录密度的磁记录再生装置。
另外，在图5示出的磁记录再生装置组合了基于最优解码法的信号处理电路的情况下，能够进一步提高记录密度，例如，即使在以磁道密度为100k磁道/英寸以上、线记录密度为1000k位/英寸以上、每1平方英寸为100G位以上的记录密度进行记录、再生的情况下也能得到足够的SNR。
实施例
(实施例1～11、比较例1～9)
首先，在真空室内设置圆盘状的硬盘(HD)用的玻璃基板，真空排气为1.0×10-5Pa以下。作为玻璃基板，使用了由将Li2Si2O5、Al2O3-K2O、Al2O3-K2O、MgO-P2O5、Sb2O3-ZnO作为构成成分的结晶化玻璃形成的外径65mm、内径20mm、平均表面粗糙度(Ra)2埃的基板。
使用DC溅射法在该玻璃基板形成了磁性层，该磁性层是依次层叠由60Fe30Co10B软磁性膜形成的衬里层、由Ru形成的中间层、以及由70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金形成的颗粒构造的磁性膜而得到的。接着，使用P-CVD法，在磁性层上层叠碳掩模层的薄膜。
将各个层的膜厚设为：衬里层为60nm、中间层为10nm、磁性膜为15nm、碳掩模层为30nm。
接着，在碳掩模层上，通过旋涂法来涂敷SiO2抗蚀剂，形成了抗蚀剂层。抗蚀剂层的膜厚为100nm。
接着，在抗蚀剂层上配置与实施例1～11、比较例1～9的各图案形状对应的玻璃制的印模，用1MPa(约8.8kgf/cm2)的压力将印模押压到抗蚀剂层。之后，使印模从抗蚀剂层分离，将与实施例1～11、比较例1～9的各图案对应的图案转印到抗蚀剂层，成为负片图案。
此处，作为用于形成负片图案的印模，使用了在实施例1～11、比较例1～9中各自形状不同的印模。
形成了负片图案之后在抗蚀剂层的凹部残留的抗蚀剂层的厚度为5nm，凸部的厚度为80nm。另外，形成了负片图案之后的抗蚀剂层的凹部相对于基板面的角度为大致90度。
接着，通过干式蚀刻除去了残留在凹部的抗蚀剂层。干式蚀刻条件设为：使用CF4、0.5Pa、40sccm、等离子体电力200W、偏压20W、蚀刻时间10秒。
其后，通过反应性离子蚀刻除去了除去抗蚀剂层而露出了的与构成碳掩模层3的各图案的凹状的分离区域对应的部分。对于碳掩模层，反应性离子蚀刻条件设为：氧气为40sccm、压力0.3Pa、高频等离子体电力300W、DC偏压30W、蚀刻时间30秒。
接着，通过离子铣削除去了构成除去碳掩模而露出了的成为各图案的凹状的分离区域的区域的磁性层的表层部。离子铣削条件设为：N2气体10sccm、压力0.1Pa，加速电压300V、蚀刻时间5秒。在此形成的磁性层的凹部的深度为1nm。
其后，使除去了表层部的区域的磁性层暴露在臭氧气体中而进行了非磁性化。臭氧气体的暴露是在室内使臭氧以40sccm进行流动，在1Pa、10秒、基板温度150℃的条件进行的。
磁性层的非磁性化之后，通过干式蚀刻除去了设置在磁性层上的抗蚀剂层和碳掩模层。之后，通过离子铣削装置在Ar为10sccm、0.5Pa、5秒的条件下，在大约1～2nm的范围内对磁性层的表面进行蚀刻。
这样，在实施例1～11、比较例1～9的玻璃基板上形成了圆环状的磁记录区域、以及沿着磁记录区域的外缘部相对于基板呈同心圆状配置的宽度1mm的停放区域，在磁记录区域形成了数据区域、以及分开数据区域从中心呈放射状延伸的宽度20μm的带状的伺服信息区域。
另外，在实施例1～11、比较例1～9的数据区域的磁性层形成了由凸部和在凸部的周围形成的凹状的分离区域形成的数据图案。构成数据图案的凸部和分离区域在基板的圆周方向上呈带状等间隔地延伸，凸部的宽度为120nm。另外，求出了数据区域中的分离区域的面积比率((分离区域的面积/数据区域的面积)×100)。在实施例1～11、比较例1～9中，通过使分离区域的宽度变化，从而使数据区域中的分离区域的面积比率发生了变化。其结果示于表1中。
[表1]
Figure BPA00001251572100251
另外，在实施例1～11、比较例1～9的伺服信息区域的磁性层，形成了由凸部和在凸部的周围形成的凹状的分离区域形成的伺服图案。构成伺服图案的凸部不规则地配置，凸部的宽度为120nm。另外，求出了伺服信息区域中的分离区域的面积比率((分离区域的面积/伺服信息区域的面积)×100)。伺服图案具有俯视与数据图案不同的形状，在实施例1～11、比较例1～9中，通过使伺服图案的平面形状发生变化，从而使伺服信息区域中的分离区域的面积比率发生了变化。其结果示于表1中。
另外，在实施例1～11、比较例1～9中，只在实施例1～11中，在停放区域的磁性层形成了由凸部和在凸部的周围形成的凹状的分离区域形成的凹凸图案。构成凹凸图案的凸部和分离区域在基板的圆周方向上呈带状等间隔地延伸，凸部的宽度为120nm，凹凸图案的凸部形状与数据图案的凸部形状是相同的形状。在比较例1～9的停放区域的磁性层，没有形成凹凸图案，而将比较例1～9的停放区域设为了平滑面。
另外，求出了实施例1～11、比较例1～9的停放区域中的分离区域的面积比率((分离区域的面积/停放区域的面积)×100)。在实施例1～11、比较例1～9中，通过使分离区域的宽度发生变化，而使停放区域中的分离区域的面积比率发生了变化。在表1中示出其结果。在停放区域为平滑面的情况下，停放区域的面积比率变成0。
进一步，求出了停放区域中的分离区域的面积比率和数据区域中的分离区域的面积比率的差(停放区域的面积比率-数据区域的面积比率＝差)。其结果示于表1中。
接着，在设置了数据图案、伺服图案、凹凸图案的各图案的磁性层上，通过CVD法对由碳形成的厚度5nm的保护膜层进行成膜。之后，在保护膜层上，通过涂敷氟类润滑剂来形成厚度2nm的润滑层，得到了实施例1～11、比较例1～9的磁记录介质。
并且，使实施例1～11、比较例1～9的磁记录介质高速旋转，调查了宽度300μm、长度500μm的磁头滑块的浮起特性。悬浮特性的评价是在磁头从退避位置通过停放区域移动到磁记录区域时，通过测定磁记录介质和磁头滑块接触的浮起界限高度来进行的。测定了悬浮界限高度的结果示于表1中。
如表1所示，在停放区域形成了具有形状与数据图案的凸部形状相同的凸部形状的凹凸图案的实施例1～11中，与将停放区域设为了平滑面的比较例1～9相比，悬浮界限高度变低。
另外，如从表1可知的那样，在实施例1～11中，悬浮界限高度比在伺服信息区域和数据区域中面积比率相同的比较例9的悬浮界限高度低，通过在停放区域形成具有形状与数据图案的凸部形状相同的凸部形状的凹凸图案，能够使悬浮界限高度变低。
产业上的利用可能性
根据本发明，在表面具有凹凸形状的磁记录图案的磁记录介质中，能够确保磁头浮起的稳定性，由此，能够使磁头的浮起高度下降，因此能够制造高记录密度特性优异的磁记录介质。

Claims (6)

1.一种磁记录介质，其特征在于，
在圆盘状的基板的至少一个表面具备圆环状的磁记录区域和沿着所述磁记录区域的边缘部配置的停放区域，
在所述磁记录区域具备设置有数据图案的数据区域和设置有伺服图案的伺服信息区域，所述数据图案由凸部和在所述凸部的周围形成的凹状的分离区域形成，所述凸部由磁性层形成，所述伺服图案由所述凸部和所述分离区域形成，具有俯视与所述数据图案不同的形状，
在所述停放区域的至少一部分设置有具有形状与所述数据图案的凸部的形状相同的凸部的凹凸图案，
所述数据区域中的所述分离区域的面积比率、所述伺服信息区域中的所述分离区域的面积比率、所述停放区域中的所述分离区域的面积比率的最大值和最小值的差在10％以下，
所述数据区域中的所述分离区域的面积比率、所述伺服信息区域中的所述分离区域的面积比率、所述停放区域中的所述分离区域的面积比率都在10％～50％的范围内，
所述分离区域相对于所述凸部的深度在0.1nm～15nm的范围内，
所述数据区域中的所述分离区域的面积比率为分离区域的面积/数据区域的面积，
所述伺服信息区域中的所述分离区域的面积比率为分离区域的面积/伺服信息区域的面积，
所述停放区域中的所述分离区域的面积比率为分离区域的面积/停放区域的面积。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，
所述停放区域没有形状与所述伺服图案相同的部分。
3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，
所述数据区域中的凸部为磁道部。
4.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，
所述数据图案和所述凹凸图案具有由在所述基板的圆周方向上呈带状等间隔地延伸的凸部和分离区域形成的规则的凹凸形状。
5.一种磁记录再生装置，其特征在于，具备：
权利要求1～4的任一项所述的磁记录介质；
在记录方向上对该磁记录介质进行驱动的驱动部；
包括记录部和再生部的磁头；
使所述磁头相对于所述磁记录介质进行相对运动的单元；
用于进行向所述磁头的信号输入和来自所述磁头的输出信号再生的记录再生信号处理单元。
6.权利要求1～4的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，至少包括：
在所述基板上形成磁性层的工序；
在所述磁性层上的成为所述凸部的区域形成掩模层的工序；
除去成为所述分离区域的区域的所述磁性层的表层部的工序；
对除去了所述表层部的区域的所述磁性层的磁特性进行改性的工序；
除去所述掩模层的工序。
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