CN102047330B - 垂直磁记录介质、垂直磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置 - Google Patents

Abstract

一种垂直磁记录介质，是在非磁性基板上形成有在相对于所述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层，所述记录层具有多个记录部和分离相邻的所述记录部的多个分离区域部的垂直磁记录介质，其特征在于，所述分离区域部由粒状结构的材料构成。

Description

垂直磁记录介质、垂直磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置

技术领域

本发明涉及用于硬盘装置等中的垂直磁记录介质、垂直磁记录介质的制造方法和具有垂直磁记录介质的磁记录再生装置。

本申请基于在2008年3月28日在日本申请的专利申请2008-88146号要求优先权，将上述申请的内容援引到本申请中。

背景技术

近年，磁盘装置，软(フロッピ一；注册商标)盘装置、磁带装置等的磁记录装置的适用范围在显示著地增大，其重要性也在增大。随之，用于这些装置中的磁记录介质的记录密度正在谋求显著的提高。尤其是引入MR磁头(磁阻效应型磁头)和引入PRML(Partial Response MaximumLikelihood；部分响应最大似然)技术以来，作为每单位面积信息量的面记录密度的上升更加激烈增长。近年又引入GMR磁头(巨磁阻效应型磁头)和TMR磁头(隧道磁阻型磁头)等，每年在以100％的增长速度继续记录密度的增加。

关于这些磁记录介质，今后要求实现更高面记录密度。因此，要求实现磁记录层的高矫顽力化、高分辨力和高信噪比(高SN比)。近年，为了实现高面记录密度，介质的绝对膜厚变薄，随之，记录磁化受热扰乱而减弱的现象成为问题。

尤其是记录的热稳定性是个大的技术课题。特别是希望改善上述的SN比时，该热稳定性降低的情况较多，因此，兼顾SN比和热稳定性两者成为今后开发的目标。SN比优异的介质，一般地构成磁性层的磁性粒子的晶粒尺寸微细的情形较多。微细对减轻介质噪声是有效的，但从磁性的热稳定性的观点考虑，认为微细的情况是接近于不稳定区域的状态。上述的性质可认为是希望改善SN比时热稳定性降低的一个原因。

另外，在近年，随着线记录密度的提高，也在继续努力通过进行磁道密度的增加来提高面记录密度。最新的磁记录装置，磁道密度竟达到了110kTPI。然而，若不断提高磁道密度，则起因于密度上升而引起相邻磁道间的磁记录信息相互干扰的现象。其结果，处于其边界区域的磁化迁移区域受到影响成为噪声源，容易产生损害SN比的问题。上述问题直接关系到比特错码率(Bit Errorrate)的降低，因此对记录密度的提高构成障碍。

另外，当磁道密度增加时，磁道间距离变小。因此，磁记录装置要求极高精度的磁道伺服技术。另外，与之同时，为了宽幅地实行记录，并且尽量地排除进行再生时来自相邻的磁道的影响，一般地采用使磁道宽度比记录时窄而实行的方法。然而，虽然该方法能够将磁道间的影响抑制在最小限度，但难以充分获得再生输出。因此，存在难以确保充分的SN比的问题。

在如以上所述的高面记录介质中为了确保满意的SN比，并且确保热稳定性，近年采用与以往的面内磁记录方式不同的、在对薄膜介质的膜面垂直的方向进行磁记录的垂直磁记录介质。

现在，垂直磁记录介质，一般例如依次地具有基板、软磁性底层(SUL)、中间层、垂直磁记录层和根据需要的保护膜等，作为用于高记录密度化的技术使用。然而，该垂直磁记录介质也要求进一步的高记录密度化。为了对应于这种要求，垂直磁记录介质也必须增加磁道密度。为了增加磁道密度，必须减轻垂直磁记录介质中记录部的端部的洇写(fringe)。

作为解决洇写的一种方法，可举出离散磁道介质(例如，参照专利文献1、2)。

在专利文献1中，记载了：用于记录数据的记录部分是凸部，用于分隔相邻的记录部分的保护间距部分是凹部的盘状介质。(所谓凸部和凹部，可以理解为高的部分和低的部分，例如峰(peak)部位和谷(valley)部位。

另外，在专利文献2中，提出了：具有由磁性材料形成的记录磁道部和位于相互相邻的记录磁道部间的保护间距部，并且具备设置于保护间距部内的由非磁性材料形成的分离区域构件的磁盘。另外，在专利文献2中，作为分离区域构件，例举出使用氧化物、氮化物、碳化物或硼化物，或者使用C系、CH系和CF系中的任一种的聚合物。此外，在专利文献2中，记载了：通过进行溅射直到填埋保护间距空间，由SiO₂膜覆盖盘表面，然后，在通过研磨SiO₂膜的同时将SiO₂膜平坦化直到记录磁道部的记录磁性构件的上面露出，得到记录磁性构件和分离区域构件交替地显露于表面的盘的技术。

专利文献1所述的盘状介质，记录部分是凸部，保护间距为凹部，因此在盘表面存在的凹凸。盘表面具有凹凸的盘状介质，存在表面的凹凸对记录再生磁头的浮起特性给予影响的问题。

另一方面，专利文献2所述的磁盘，没有记录磁性构件与分离区域构件的高低阶差，因此从没有由表面的凹凸导致的对记录再生磁头的浮起特性的影响的观点考虑而优选。

然而，专利文献2所述的磁盘，在记录磁性构件与分离区域构件中，容易产生起因于制造工艺的构成元素的相互扩散，因此存在磁盘的电磁转换特性随着时间经过而恶化的问题。

另外，在专利文献2中，为了制造专利文献2的磁盘，在表面设置形成分离区域构件的膜后，通过离子束蚀刻等将形成分离区域构件的膜蚀刻、平坦化直到记录磁性构件的上面露出。然而，此时蚀刻后的存在于记录磁道部间的分离区域构件的表面会粗糙，存在表面的平滑性变得不充分的问题。为了解决该问题，也可以考虑在蚀刻后的表面上形成保护膜。然而，蚀刻后的分离区域构件的表面已经粗糙，因此即使在蚀刻后的制品的表面上形成保护膜，也有时不能够充分地得到表面的平滑性。另外，即使是分离区域构件使用了金属的场合，也存在采用溅射等成膜的膜表面产生不均匀、难以平坦化的问题。

另外，专利文献2所述的具有使用了非磁性材料的分离区域构件的磁盘，存在起因于研磨工序而使表面容易受伤的问题。例如，组装到磁记录再生装置中后，在磁头偶然地冲撞时等，存在表面容易擦伤的倾向，为了解决该问题，可以考虑在磁盘的表面形成保护膜。然而，即使是在磁盘的表面形成了保护膜的场合，如果保护膜的耐冲击性不充分，则保护膜不耐受磁头对磁盘表面的冲撞而存在表面擦伤的可能性。

专利文献1：日本特开平6-259709号公报

专利文献2：日本特开平9-97419号公报

发明内容

本发明是鉴于如上所述的状况而完成的。本发明目的在于提供分离区域部表面的平滑性优异，能够实现高记录密度，在备置于磁记录再生装置中的场合，没有由磁头导致的洇写，能够获得长期稳定的电磁转换特性，而且，针对磁头等冲撞的耐冲击性优异的垂直磁记录介质及其制造方法。

此外，本发明目的在于提供具有本发明的垂直磁记录介质，分离区域部表面的平滑性优异，能够实现高记录密度，没有由磁头导致的洇写，能够获得长期稳定的电磁转换特性，针对磁头等冲撞的耐冲击性优异的磁记录再生装置。

本申请发明者为了达到上述目的而潜心进行研究的结果发现：由于粒状结构(颗粒结构；granular structure)的材料具有微细的结晶结构，因此通过使分离区域部成为含有粒状结构的材料的结构，在对成为分离区域部的膜进行蚀刻和/或研磨的场合，可均匀地进行蚀刻和/或研磨。另外，其结果还发现：能够消除在蚀刻和/或研磨后产生的分离区域部表面粗糙的问题，能够得到平滑且耐环境性优异的分离区域部表面。另外，通过本申请发明者的进一步研究，弄清了下述情况：采用干式工艺对粒状结构的材料进行蚀刻的场合，即使是其最初的表面存在凹凸的场合，随着蚀刻进行，表面也平滑化。

此外，本申请发明者又反复研究的结果发现：除了使记录部成为含有由粒状结构的磁性材料形成的磁性层的结构以外，还通过使分离区域部成为由粒状结构的材料形成的结构，而且根据需要使构成分离区域部的材料的组成与构成磁性层的材料的组成近似，能够防止分离区域部和磁性层中的构成元素的相互扩散，并且能够提高针对磁头等冲撞的耐冲击性。

本发明的第一方式是以下的记录介质。

(1)一种垂直磁记录介质，是在非磁性基板上形成有在相对于上述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层，上述记录层具有多个记录部和分离相邻的上述记录部的多个分离区域部的垂直磁记录介质，其特征在于，上述分离区域部由粒状结构的材料形成。

以下描述第一方式的记录介质中优选的例。

(2)上述(1)中记载的分离区域部的粒状结构的材料，优选是非磁性材料。

(3)上述(1)所述的垂直磁记录介质，优选：上述记录部是叠层体，并且含有由粒状结构的磁性材料形成的磁性层。

(4)上述(2)所述的垂直磁记录介质，优选：上述磁性层和上述分离区域部含有相同的氧化物。

(5)上述(2)或(3)所述的垂直磁记录介质，优选：上述磁性层和上述分离区域部含有Cr。

(6)上述(2)～(5)所述的垂直磁记录介质，优选：上述磁性层和上述分离区域部含有5～40体积％的范围内的氧化物。

(7)上述(2)～(5)所述的垂直磁记录介质，优选：上述磁性层和上述分离区域部含有SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃和TiO₂中的任一种以上。

(8)上述(2)～(7)所述的垂直磁记录介质，优选：上述磁性层被配置作为上述记录部的最上层，在上述记录层上形成有覆盖上述记录部和上述分离区域部的保护膜。

本发明的第二方式是以下的垂直磁记录介质的制造方法。

(9)一种垂直磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上形成有在相对于上述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层，上述记录层具有多个记录部和分离相邻的上述记录部的多个分离区域部的垂直磁记录介质的制造方法，包括：

在非磁性基板上形成在相对于非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层的记录层形成工序；

通过从上述记录层除去成为上述分离区域部的区域而形成凹槽，形成多个记录部和分离相邻的上述记录部的多个凹槽的凹槽形成工序；和

向上述凹槽填充粒状结构的材料，形成分离区域部的凹槽填充工序。

以下描述第二方式的记录介质中的优选的例。

(10)上述(9)中记载的被填充到凹槽中的粒状结构的材料，优选是非磁性材料。

(11)上述(9)所述的垂直磁记录介质的制造方法，优选：上述记录部包含由粒状结构的磁性材料形成的磁性层。

(12)上述(9)～(11)所述的垂直磁记录介质的制造方法，优选：填充上述凹槽的工序具有：在形成有上述凹槽的上述记录层上沉积上述粒状结构的材料，形成在上述凹槽内填充有上述材料的非磁性层的非磁性层形成工序；和

除去上述非磁性层直到上述磁性层的表面露出并且上述磁性层的表面的一部分被除去，将形成有上述非磁性层的表面上平坦化的工序。

(13)上述(12)所述的垂直磁记录介质的制造方法，优选：具有在上述记录层上形成覆盖上述记录部和上述分离区域部的保护膜的工序。

(14)上述(9)～(13)所述的垂直磁记录介质的制造方法，优选：形成上述凹槽的工序具有：在上述记录层上涂布抗蚀剂而形成抗蚀剂层，使用印模除去成为上述分离区域部的上述抗蚀剂层的区域，将除去了上述抗蚀剂层的上述记录层的区域除去的工序。

(15)上述(9)～(14)所述的垂直磁记录介质的制造方法，优选：在填充上述凹槽的工序中，采用溅射法向上述凹槽填充粒状结构的材料。

(16)上述(11)所述的垂直磁记录介质的制造方法，优选：在上述平坦化的工序中，采用离子束蚀刻法将形成有上述非磁性层的表面上平坦化。

本发明的第三方式是以下的垂直磁记录介质的制造方法。

(17)一种磁记录再生装置，是具有磁记录介质和对该磁记录介质记录再生信息的磁头的磁记录再生装置，其特征在于，上述磁记录介质是(1)～(8)的任一项所述的垂直磁记录介质。

本发明提供分离区域部表面的平滑性优异，能够实现高记录密度，而且在备置于磁记录再生装置中的场合，没有由磁头导致的洇写，能够获得长期稳定的电磁转换特性，针对磁头等冲撞的耐冲性优异的垂直磁记录介质。

附图说明

图1A是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图1B是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图1C是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图1D是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图1E是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图1F是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图1G是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图1H是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图1I是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。

图2是作为本发明的磁记录再生装置显示硬盘装置一例的立体图。

附图标记说明

A-垂直磁记录介质、1-非磁性基板、2-软磁性衬里层、3-取向控制层、4-磁性层、6-记录层、7-抗蚀剂层、8-介质、9-印模、9a-凹部、10-凹凸部、11b-凹槽、12-非磁性层、14-分离区域部、15-记录部、16-保护膜、17-润滑层

具体实施方式

以下，对本发明的优选例进行说明，但本发明不限定于这些例。在不脱离本发明的宗旨的范围内，可以进行构成的附加、省略、置换以及其他的变更。本发明不受上述的说明限定，只受所附的要求保护的范围的限定。

以下描述有关本发明的优异的效果

本发明的垂直磁记录介质，是在非磁性基板上形成有在相对于非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层，记录层具有多个记录部和分离相邻的上述记录部的分离区域部的垂直磁记录介质，分离区域部由粒状结构的材料构成，优选由非磁性材料构成。因此，能够容易地得到具有平滑且耐环境性优异的表面的分离区域部。更详细地讲，粒状结构的材料具有微细的结晶结构，因此在为了得到由粒状结构的材料构成的分离区域部而对成为分离区域部的膜进行蚀刻和/或研磨的场合，成为分离区域部的膜的蚀刻和/或研磨均匀地进行。其结果，可消除蚀刻和/或研磨后产生的分离区域部表面粗糙的问题，能够得到具有平滑且耐环境性优异的表面的分离区域部。

另外，本发明的垂直磁记录介质，由于在非磁性基板上形成有在相对于非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层，记录层具有多个记录部和分离相邻的上述记录部的分离区域部，因此能够实现高记录密度。另外，在备置于磁记录再生装置中的场合，成为由磁头导致的洇写少的优异的垂直磁记录介质。也能够使磁道密度增加。

本发明的垂直磁记录介质，优选：记录部包含由粒状结构的磁性材料形成的磁性层，并且，分离区域部由粒状结构的非磁性材料构成。在该场合，也可以使构成分离区域部的材料的组成与构成磁性层的材料的组成近似。其结果，能够防止分离区域部和磁性层中的构成元素的相互扩散。因此，通过制成为这样的垂直磁记录介质，在备置于磁记录再生装置中的场合，能够获得长期稳定的电磁转换特性。

另外，由于可以使分离区域部与磁性层的材料的组成近似，因此能够使分离区域部与磁性层的硬度、密度近似。当柔软的部分与硬的部分两者存在时，一般地柔软的部分会成为龟裂的起点。然而，本发明中，记录部内的硬度差、密度差小，难以发生如上述的起点。由此，成为针对磁头等冲撞的耐冲击性优异的垂直磁记录介质。

另外，在磁性层配置成记录部的最上层的垂直磁记录介质上设置了覆盖记录部和分离区域部的保护膜的场合，成为保护膜的基底层而支撑保护膜的记录部和分离区域部，在本发明中其硬度、密度相互近似。因此，如上所述从难以形成龟裂起点的理由考虑，保护膜难以受到损伤，因此耐冲击性更加优异。

本发明的垂直磁记录介质，优选：记录部包含由粒状结构的磁性材料构成的磁性层，并且分离区域部由粒状结构的非磁性材料构成。并且，该场合下，优选使分离区域部与磁性层的材料的组成近似。其结果，能够使分离区域部与磁性层的蚀刻速率或研磨速率近似。由于近似，因此在为了制造磁性层配置成记录层的最上层的垂直磁记录介质而对分离区域部和磁性层同时地进行蚀刻或研磨的场合，在分离区域部与磁性层的边界部分难以产生高低阶差，因此，能够使分离区域部上与磁性层上成为连续的平滑面，能够容易地得到具有优异的表面平滑性的记录层。当垂直磁记录介质的记录层是表面平滑性优异的记录层时，在垂直磁记录介质备置于磁记录再生装置中的场合，能够减小磁头的浮起量。

本发明的垂直磁记录介质的制造方法，能够制造本发明的垂直磁记录介质。

另外，本发明的磁记录再生装置，具有本发明的垂直磁记录介质，因此分离区域部表面的平滑性优异，能够实现高记录密度，没有由磁头导致的洇写，能够获得长期稳定的电磁转换特性，针对磁头等冲撞的耐冲击性优异。

以下，一边参照附图一边对本发明的垂直磁记录介质、垂直磁记录介质的制造方法、磁记录再生装置详细地进行说明。

「磁记录介质」

图1(A)～图1(I)，是说明本发明的垂直磁记录介质和本发明的垂直磁记录介质的制造方法一例的图。图1(I)是表示本发明的垂直磁记录介质的放大剖面图。再者，在图1(I)中，只将圆盘状的垂直磁记录介的一部分放大表示出来。

图1(I)表示的垂直磁记录介质A，具有：非磁性基板1、形成于非磁性基板1上的记录层6、形成于记录层6上的保护膜16和形成于保护膜16上的润滑层17。

记录层6在相对于非磁性基板1面垂直的方向上具有磁各向异性，如图1(I)所示，具有被磁记录的多个记录部15和分离相邻的记录部15的分离区域部14。记录部15是以同心圆状的设定的宽度形成的记录磁道部或凹槽部，如图1(I)所示，依次层叠有软磁性衬里层2、取向控制层3和磁性层4。

在本实施方式中，磁性层4被配置作为记录部15中的最上层。因此，记录层6的上表面由磁性层4的表面部分与分离区域部14的表面部分构成。记录部15上表面(磁性层4的上表面)与分离区域部14上表面被保护膜16覆盖。

如图1(I)所示，磁性层4与分离区域部14的边界部分没有高低阶差，记录层6的表面成为由磁性层4的表面部分与分离区域部14的表面部分构成的连续的平滑面。优选记录层6的表面粗糙度(Ra)小，具体地，优选为1nm以下，更优选为0.5nm以下，最优选为0.3nm以下。记录层6的表面粗糙度越小，则越能够减小形成于记录层6上的保护膜16和润滑层17的表面粗糙度，能够制成为表面平坦性优异的垂直磁记录介质A。表面平坦性优异的垂直记录介质A，备置于磁记录再生装置中时，能够减小磁头的浮起量，因此能够实现更高密度的磁记录。

非磁性基板可以根据需要来选择。例如Al-Mg合金等的以Al为主要成分的Al合金基板、由结晶化玻璃、非晶玻璃、硅、钛、陶瓷、碳或各种树脂形成的基板等，只要是非磁性基板则可以从任意的材料中选择来使用。作为由结晶化玻璃制成的基板，可以使用锂系结晶化基板，作为由非晶玻璃制成的基板，可举出钠钙玻璃或铝硅酸盐玻璃的基板。

优选非磁性基板1的平均表面粗糙度Ra小。具体地，为1nm以下，优选为0.5nm以下，这从磁性层4的垂直取向性良好的观点、能够减小如后述那样以高压对印模加压时的压力分布、提高加工的均匀性的观点等考虑而优选。另外，当非磁性基板1表面的微小起伏Wa为0.3nm以下，更优选为0.2nm以下时，从以高压加压印模时的压力分布变小、加工的均匀性提高的观点考虑而优选。基板的厚度可以根据需要选择。

软磁性衬里层2由软磁性材料形成。可以根据需要进行选择，作为具体例，作为软磁性衬里层2的材料，可以举出含有Fe、Co和Ni中的至少一种的材料。作为软磁性衬里层2所使用的含有Fe、Co和/或Ni的材料，可以举出FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr和FeCoZrB等)、FeTa合金(FeTaN和FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、CoZrNb和CoB等)。

软磁性衬里层2可以是单层，但优选具有叠层结构。可以根据需要进行设计，例如，通过在2个软磁性膜之间设置由Ru、Re和Cu中的任一种形成的层，制成为设定的厚度，能够使上下设置的软磁性膜进行反铁磁性耦合。通过使软磁性衬里层2成为这样的叠层结构，能够改善作为垂直磁记录介质特有的问题的WATE(Wide Area Track Erasure；宽面积磁道擦除)的现象。软磁性衬里层2的厚度可以根据需要选择，但优选10～200nm，更优选20～100nm。

取向控制膜3作为磁性层4的基底层，是为了控制磁性层4的结晶取向性和结晶尺寸而设置。取向控制膜3所使用的材料可以根据需要选择，但优选具有hcp结构或fcc结构的元素，特别优选Ru。另外，取向控制膜3的厚度优选为30nm以下。取向控制膜3的厚度超过30nm时，在制成为如图1所示的具有垂直磁记录介质A的磁记录再生装置的场合，由于记录再生时的磁头与软磁性衬里层2的距离增大，OW(over write；重写)特性、再生信号的分辨力降低，因此不优选。取向控制膜3的厚度可以根据需要来选择，但优选1～100nm，更优选10～50nm。

磁性层4优选由粒状结构的磁性材料构成。所谓粒状结构的磁性材料，意指多个磁性材料粒子分散在作为基质的氧化物中的结构。换言之，具有：氧化物覆盖了多个磁性材料粒子的周围的结构。再者，磁性材料粒子可以是柱状，但也可以是柱状以外的球状等的其他的形状。磁性材料粒子可以比磁性层4的膜厚大，例如磁性材料粒子可以是贯穿磁性层4的比磁性层4的膜厚大的柱状的形状。磁性材料粒子可以由根据需要选择的材料形成。作为优选的例子，可举出含有Co、Cr和/或Pe等的材料等。磁性材料粒子的形状、尺寸可以根据需要选择。优选的形状有柱状等。优选的尺寸是：长度1～50nm、宽度1～10nm左右。磁性层4，优选是在99～70原子％的范围内，更优选在95～85原子％的范围内含有磁性材料粒子的层。另外，本申请发明中的粒状结构的磁性材料，可以是磁性材料粒子的周围完全被氧化物被覆的结构的材料，但也可以是只一部分被氧化物被覆的结构的材料。例如，可以是如含有上下贯穿氧化物层的柱状晶(磁性材料粒子)那样的只磁性材料粒子的侧面被氧化物覆盖的结构的材料。

构成磁性层4的粒状结构的磁性材料，可以根据需要来选择，但特别优选使用至少含有Co、Pt和氧化物的磁性材料。Co的量可以根据需要选择，但优选相对于全部磁性材料粒子为50～80原子％。Pt的量优选为相对于全部磁性材料粒子为10～20原子％。此外，出于改善SNR特性(SN比)等的目的，也可以根据需要在磁性材料中添加Cr、B、Cu、Ta和Zr等的元素。这些元素的量可以根据需要选择，但优选：分别相对于全部磁性材料粒子为5～25原子％。

构成磁性层4的粒状结构的磁性材料中含有的氧化物，可以根据需要选择。例如，可以举出SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃和TiO₂中的任一种以上等等。

另外，磁性层4优选是在15～40体积％的范围内、更优选在15～25体积％的范围内含有氧化物的层。氧化物的体积不到15体积％时，存在SNR特性不充分的可能性因而不优选。另外，氧化物的体积超过40体积％时，存在不能够得到足以适应高记录密度的矫顽力的可能性因而不优选。另外，磁性层4的新生(ニュ一クリェ一ション)磁场(-Hn)优选是1.5(kOe)以上。-Hn不到1.5(kOe)时，存在发生热摆的可能性因而不优选。

另外，磁性层4的厚度优选为6～18nm。通过使磁性层4的厚度在上述范围，不会产生OW特性的恶化，能够确保充分的输出因而优选。

分离区域部14，优选由粒状结构的材料构成。上述粒状结构的材料也可以记载为粒状结构的非磁性材料。在本发明中所谓“非磁性材料”和“非磁性材料粒子”，在磁性上不需要完全为非磁性，即，所谓“非磁性材料”和“非磁性材料粒子”，是使磁性降低到足以能够分离磁记录部，并且，对磁记录部能够进行磁记录和再生的程度的材料。即，非磁性材料是磁性比磁记录部的磁性材料低的材料。所谓在分离区域部所使用的粒状结构的材料，意指多个材料粒子、即非磁性材料粒子分散在作为基质的氧化物中而成的结构。换言之，具有氧化物覆盖了多个非磁性材料粒子的周围的结构。再者，非磁性材料粒子可以是球状，但也可以不是球状而是柱状等的其他的形状。非磁性材料粒子可以比分离区域部14的膜厚大，非磁性材料粒子也可以是贯穿分离区域部14的比磁性层4的膜厚大的柱状。非磁性材料粒子可以由根据需要选择的材料形成。作为优选的例，可举出含有Co、Cr和/或Pe等的材料等。尺寸、形状可以根据需要选择，但优选的尺寸是长度1～50nm、宽度1～10nm左右。分离区域14优选是在99～70原子％的范围内、更优选在95～85原子％的范围内含有材料粒子的区域。粒状结构的非磁性材料中所含有的氧化物可以根据需要选择。

另外，本申请发明中的粒状结构的非磁性材料，可以是非磁性材料粒子的周围完全被氧化物被覆的结构的材料，但也可以是只一部分被氧化物被覆的结构的材料。例如，可以是只非磁性材料粒子的侧面被氧化物被覆的结构的材料。

作为构成分离区域部14的粒状结构的材料，更优选使用至少含有Cr的粒状结构的非磁性材料。含有Cr的粒状结构的材料，为干蚀刻容易的材料，因此容易得到具有平滑且耐环境性优异的表面的分离区域部14。Cr的比例可以根据需要选择，但优选相对于非磁性粒子为25～50原子％。另外，如果量不多，则也可以含有显示磁性的元素。

另外，作为粒状结构的非磁性材料中含有的氧化物，可以举出SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃和TiO₂中的任一种以上等等。通过设为含有这些氧化物的粒状结构的非磁性材料，成为干蚀刻等容易的材料，因而优选。

另外，分离区域部14，优选在15～40体积％的范围内、更优选在20～30体积％的范围内含有氧化物。通过使分离区域部14中含有的氧化物的体积率为上述范围，能够使形成分离区域部14时的干蚀刻容易，能够使干蚀刻后得到的分离区域部14的表面粗糙度均匀。

「磁性层4与分离区域部14的材料的更加近似」

在本实施方式中，为了使构成磁性层4的材料与构成分离区域部14的材料相互地更近似，更优选：使构成磁性层4以及分离区域部14的材料成为至少以下的(1)～(5)所示的任一个构成。

(1)在构成磁性层4的材料和构成分离区域部14的材料中使用相同的氧化物。通过含有相同的氧化物，可以消除起因于所含有的氧化物的不同，在磁性层4与分离区域部14之间氧与构成氧化物的元素的共价键的大小不同。由此，在磁性层4与分离区域部14中，难以引起由于氧与构成氧化物的元素的共价键大小的不同而产生的氧原子的相互扩散(即，氧原子从记录磁道部15的氧化物向分离区域部14的移动，或者，氧原子从分离区域部14的氧化物向记录磁道部15的移动)。例如，在具有如图1(I)表示的垂直磁记录介质A的磁记录再生装置中，若起因于所含有的氧化物的不同而在磁性层4与分离区域部14之间发生氧原子的移动的话，则长期在高温下保持磁性层4和分离区哉部14后，有时产生SNR特性和矫顽力这些特性变化的问题。然而，通过在磁性层4和分离区域部14中含有相同的氧化物，能够解决上述的问题。

(2)作为构成磁性层4的材料和构成分离区域部14的材料之一，包含Cr。通过含有Cr，在制成为具有如图1(I)表示的垂直磁记录介质A的磁记录再生装置的场合，能够改善SNR特性，并且磁性层4和分离区域部14的干蚀刻变得容易。其结果，在同时地干蚀刻分离区域部14与磁性层4的场合，能够容易地得到具有优异的表面平滑性的记录层6。

(3)在构成磁性层4的材料和构成分离区域部14的材料中，在5～40体积％的范围内、优选在10～20体积％的范围内含有氧化物。也优选氧化物的量为相互相同、或相近的值，但只要是在该范围则也可以不同。通过在上述范围内含有氧化物，能够使分离区域部14与磁性层4的蚀刻速率或研磨速率更进一步近似。因此，在对分离区域部14与磁性层4同时地进行蚀刻和/或研磨的场合，在分离区域部14与磁性层4的边界部分不会产生高低阶差，能够使分离区域部14上和磁性层4上容易地成为连续的平滑面。

(4)作为构成磁性层4的材料和构成分离区域部14的材料的氧化物，包含SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃和TiO₂中的任一种以上。在磁性层与分离区域部中，优选含有相互相同的化合物，但也可以含有相互不同的化合物。由此，能够将磁性层4制成为粒状结构，能够实现磁性粒子的孤立化和微细化，能够提高磁性层4的磁特性。并且，能够进一步提高构成分离区域部14的非磁性材料的蚀刻特性，能够得到平滑的蚀刻面。

(5)在本实施方式中，为了使磁性层4与分离区域部14的材料近似，还可以在磁性层4与分离区域部14中添加Co、Pt等。优选添加相互相同的元素，但也可以不同。在添加了的场合，能够使磁性层4成为噪声特性更优异的粒状结构的磁性层。并且，分离区域部14成为与磁性层4近似的组织，能够使两者的蚀刻特性相同。

另外，在磁性层4和分离区域部14中添加Co、Pt等的场合，分离区域部14中的非磁性粒子，优选是含有Co作为第一主成分的Cr合金。

保护膜16可以根据需要选择。可以适当使用作为一般的磁记录介质的保护膜而使用的保护膜。例如，可以使用DLC(Diamond Like Carbon；类金刚石碳)的薄膜等。另外，作为保护层16，除了DLC薄膜以外，也可以使用C、氢化碳、氮化碳、无定形碳或SiC等的碳质层、由SiO₂、Zr₂O₃或TiN等形成的薄膜。另外，保护层16也可以由2层以上的薄膜层构成。

保护层16的膜厚优选为1～10nm，更优选为1～5nm，优选：在能够确保充分的耐久性的范围设定得尽量薄。

作为润滑层17，可以根据需要选择，可举出：使用从氟系润滑剂、烃系润滑剂以及它们的混合物等中选择的润滑剂形成的润滑层。润滑层17的厚度可以根据需要选择，但通常设为1～4nm。

「垂直磁记录介质的制造方法」

以下，作为本发明的垂直磁记录介质的制造方法的一例，利用图1(A)～图1(H)说明图1(I)表示的垂直磁记录介质A的制造方法。

图1(A)是表示在非磁性基板上形成了记录层的状态的放大剖面图。图1(B)是表示在上述记录层上形成了抗蚀剂层的状态的放大剖面图。图1(C)是表示利用印模除去相当于成为分离区域部的区域的抗蚀剂层部分的状态的放大剖面图。图1(D)是表示除去全体抗蚀剂层，在记录部(记录层)上形成了将记录部分离成多个的多个凹槽的状态的放大剖面图。图1(F)是表示在形成有凹槽的记录部上沉积有粒状结构的非磁性材料的层的状态的放大剖面图。图1(G)是表示除去非磁性材料的层的表面，记录层的表面被平滑化了的状态的放大剖面图。图1(H)是表示在平滑化了的记录层的表面形成有保护层的状态的放大剖面图。

为了制造图1(I)表示的垂直磁记录介质A，首先，如图1(A)所示，通过在圆盘状的非磁性基板1上依次形成软磁性衬里层2、取向控制层3和磁性层4，形成作为叠层的记录层(6)(记录层形成工序)。

接着，如图1(B)所示，采用溅射法、CVD法等在记录层6上设置例如由碳构成的掩模层5。掩模层5，在除去相当于分离区域部14的记录层6的部分时，为了更切实地遮蔽成为记录部15的记录层6的部分，可以根据需要设置。

然后，在设置有掩模层5的记录层6上涂布抗蚀剂，如图1(B)所示，形成形成有抗蚀剂层7的介质8。用于抗蚀剂层7形成的抗蚀剂可以根据需要选择，可以广泛地使用在工业上使用的光致抗蚀剂。抗蚀剂层7，通常可以采用下述方法来形成：使用旋涂等薄而均匀地涂布抗蚀剂后，根据需要采用烘箱在设定的温度、时间下进行烧成，除去不需要的有机溶剂等。抗蚀剂层7的形成方法，也可以根据所使用的抗蚀剂的性质等进行适当调整。

接着，使印模9密着在介质8的表面，通过以高压进行加压，除去成为分离区域部14的区域的抗蚀剂层7的部分，如图1(C)所示，在介质8的表面形成具有所希望的形状，例如所希望的磁道形状或比特形状的凹凸部10。

印模9可以根据需要选择。例如，可以使用下述的印模等，该印模是与圆盘状的非磁性基板1一致的圆盘状印模，在表面形成有与图1(I)表示的垂直磁记录介质A的记录部15的表面形状对应的凹部9a。印模9，例如，可以通过采用电子束描绘等的方法在金属板上形成微细的凹部9a形状而得到。作为印模9的材料，只要是具有足够的硬度和耐久性的材料即可，没有特别的限定，例如可使用Ni等的金属。

然后，通过采用离子束蚀刻(IBE：Ion Bean Etching)法、离子铣削等的方法，除去位于已除去了抗蚀剂层7的区域(成为分离区域部14的区域)的记录层6和掩模层5，形成包含磁性层4的多个记录部15和分离相邻的记录部15的多个凹槽11b。如图1(D)所示，除去残留在记录部15上的抗蚀剂层7(凹槽形成工序)。记录部15和凹槽11b的形状、位置、尺寸可以根据需要选择。再者，在此得到的记录层6成为沿径向相互不同地形成了记录部15和位于记录部15之间的凹槽11b的结构。

然后，如图1(E)所示，通过氧等离子体蚀刻、离子铣削等除去残留在记录部15上的掩摸层5。

接着，如图1(F)所示，在形成有凹槽11b的记录层6上沉积粒状结构的非磁性材料而形成非磁性层12(非磁性层形成工序)。由此，至少在凹槽11b内填充粒状结构的非磁性材料，形成分离区域部14(凹槽填充工序)。在向凹槽11b填充粒状结构的非磁性材料时，优选采用溅射法。通过采用溅射法并适当调节沉积速度和气压等的条件，能够容易地填充粒状结构的非磁性材料直到极微细且深的凹槽11b的底部。

再者，当在凹槽11b内具有未填充粒状结构的非磁性材料的部分时，有时不能充分地隔断记录部15之间的磁相互作用，不能够得到充分的记录再生特性。另外，凹槽11b内的未填充粒状结构的非磁性材料的部分，通过与大气中的氧等的气体接触，存在对垂直磁记录介质A的耐腐蚀性带来不良影响的可能性。

然后，如图1(G)所示，为了将所形成的非磁性层12的表面上平坦化，同时地除去磁性层4的一部分和非磁性层12的一部分，使磁性层4露出(平坦化工序)。由此，形成了被分离区域部14分隔的露出的各记录部15。非磁性层12由粒状结构的非磁性材料形成，因此即使是在平坦化前的非磁性层12的初期表面上存在凹凸而不均匀的场合，随着采用研磨或蚀刻的平坦化的进行，能够缓和表面的凹凸而将表面平滑化。

在形成非磁性层12后将表面上平坦化时，与非磁性层12同时地被除去的磁性层4的除去厚度没有特别的限定。例如，为了充分地得到同时地除去非磁性层12和磁性层4的平坦化效果，优选除去1nm以上。

在平坦化工序中，只要是不损害所得的垂直磁记录介质A的性能，并且能够将包含记录部15和分离区域部14的记录层6的表面平滑地加工成足以可用于垂直磁记录介质A的程度的方法，则可以使用任何的方法。例如，可以使用采用CMP(化学机械抛光；Chemical mechanical polish)法的研磨、离子束蚀刻法等的干蚀刻，但优选采用离子束蚀刻法。在采用离子束蚀刻法将记录层6的表面上平坦化的场合，能够减少蚀刻面的污染。

然后，如图1(H)所示，采用等离子CVD法等的成膜方法，成膜出作为覆盖平坦化了的记录部15和分离区域部14的保护膜16的DLC膜。

然后，通过在保护膜16上再形成润滑层17，能够得到图1(I)表示的垂直磁记录介质A。

本实施方式的垂直磁记录介质A中，在非磁性基板1上形成有在相对于非磁性基板1面垂直的方面具有磁各向异性的记录层6，记录层6具有多个记录部15和分离相邻的记录部15的分离区域部14。上述记录部15，包含优选由粒状结构的磁性材料形成的磁性层4，上述分离区域部14由粒状结构的非磁性材料构成时，可以得到以下的(A)～(D)所示的效果。

(A)分离区域部14由粒状结构的非磁性材料构成，因此分离区域部14具有微细的结晶结构。由于结晶组织微细，因此蚀刻的进行也均匀，其结果，在为了得到分离区域部14而对非磁性层12进行蚀刻和/或研磨的场合，非磁性层12的蚀刻和/或研磨能够均匀地进行。在蚀刻和/或研磨后，可以得到具有平滑且耐环境性优异的表面的分离区域部14。

(B)分离区域部14与磁性层4的材料的组成近似，因此分离区域部14与磁性层4的蚀刻速率或研磨速率也近似。其结果，蚀刻和/或研磨后得到的分离区域部14和磁性层4的表面状态也近似。因此，在进行蚀刻和/或研磨时，能够容易地同时除去分离区域部14与磁性层4，能够使分离区域部14上表面与磁性层4上表面成为连续的平滑面，能够容易地得到具有优异的表面平滑性的记录层6。

(C)能够使构成分离区域部14的材料组成与构成磁性层4的材料组成近似，因此两区域的电位近似，难以发生分离区域部14与磁性层4之间的构成元素的相互扩散。所以，本实施方式的垂直磁记录介质A，即使是备置于磁记录再生装置中长期在高温下保持的场合，SNR特性、矫顽力这些特性也难以变化，能够得到长期稳定的电磁转换特性。另外，本实施方式的垂直磁记录介质A，难以发生分离区域部14和磁性层4之间的构成元素的相互扩散，在备置于磁记录再生装置中的场合，由磁头导致的洇写少。

(D)能够使分离区域部14与磁性层4的材料的组成近似，因此也能够使分离区域部14与磁性层4的硬度、密度近似。其结果，可使整个表面的硬度、密度大致均匀，由分离区域部14与磁性层4构成的记录层6的表面的耐冲击性提高，针对磁头等的冲撞的耐冲击性优异。

此外，本实施方式的垂直磁记录介质A中，磁性层4被配置作为记录部15的最上层，并设置有覆盖记录部15与分离区域部14的保护膜16，但成为保护膜16的基底层而支撑保护膜16的记录部15和分离区域部14，其硬度、密度相互近似。因此，在保护膜16偶然地接触了磁头等的场合，在表面全区域能够均匀地吸收冲击、难以受到损伤且耐冲击性非常优异。因此，垂直磁记录介质A具有非常优异的耐冲击性。

另外，本实施方式的垂直磁记录介质A的制造方法，能够制造本实施方式的垂直磁记录介质A。另外，在平坦化工序后，能够得到分离区域部14上与磁性层4上相连续的平滑面。另外，在本实施方式中，能够以高精度容易地形成由记录部15与分离区域部14构成的图案形状。

「磁记录再生装置」

以下，作为本发明的磁记录再生装置的一例，利用图2说明具有图1(I)表示的垂直磁记录介质A的磁记录再生装置。

图2是表示作为本发明的磁记录再生装置一例的硬盘装置的立体图。图2表示的磁记录再生装置B，具有：上面侧开口的矩形箱状的筐体21和封堵筐体21的开口的省略图示的顶盖。在筐体21内收纳有图1(I)表示的垂直磁记录介质A、主轴电动机23、磁头24(单磁极磁头)、磁头致动器(head actuator)25、音圈电动机27和磁头放大电路28。

主轴电动机23是支撑并使垂直磁记录介质A旋转的驱动机构。

另外，磁头24具有记录部和再生部，对垂直磁记录介质A进行磁信号的记录和再生。磁头24可以根据需要选择，例如可以使用GMR磁头或TMR磁头。作为磁头24使用GMR磁头或TMR磁头的场合，即使在高记录密度下也能够得到充分的信号强度，能够实现具有高记录密度的磁记录再生装置B。另外，磁头24的浮起量可以根据需要选择，例如通过设为0.005μm～0.020μm，能够使输出提高，并且能够得到高的装置S/N比，其结果，能够成为大容量且具有高的可靠性的磁记录再生装置B。

磁头致动器25，相对于磁记录介质22移动自如地支撑磁头24。磁头致动器25，具有在顶端装载了磁头24的悬架(suspension)，由旋转轴26旋转自如地支撑着。

另外，音圈电动机27，在通过旋转轴26使磁头致动器25旋转的同时进行定位。

另外，磁记录再生装置B中，通过组合材料了最大似然法的信号处理电路，能够进一步提高记录密度。例如，在以磁道密度100kTPI以上、线记录密度1000kbpI以上以及每1平方英寸为100G比特/英寸以上的记录密度进行记录和再生的场合，也能够得到充分的S/N比。

图2表示的磁记录再生装置B，是具有图1(I)表示的垂直磁记录介质A的装置。因此，能够实现高记录密度，没有由磁头24导致的洇写，能够得到长期稳定的电磁转换特性，针对磁头24等的冲撞的耐冲击性优异。

实施例

采用以下示出的制造方法，制作了图1(I)表示的垂直磁记录介质A。

首先，作为非磁性基板1，准备洗净过的圆盘状的HD用玻璃基板(ォハラ(株)制，外径0.85英寸)，设置在预先真空排气到1.0×10^-5pa以下的真空室内。然后，在非磁性基板1上，不加热而依次成膜出65Fe-25Co-10B(原子％)50nm，Ru 0.8nm、65Fe-25Co-10B(原子％)50nm，由此形成了软磁性衬里层2。接着，在软磁性衬里层2上形成由Ru构成的厚度20nm的取向控制层3。通过在上述取向控制层3上再形成由65Co-10Cr-15Pc-10SiO₂(原子％)构成的厚度12nm的磁性层4，形成了记录层6。该磁性层4具有包含Co、Cr和Pt的磁性材料粒子分散在SiO₂中的粒状结构。

接着，从真空室内取出形成有记录层6的非磁性基板1，在记录层6上形成由碳构成的厚度4nm的掩模层5。然后，在形成有掩模层5的记录层6上采用旋涂法涂布抗蚀剂。然后，通过将涂布了抗蚀剂的非磁性基板1在约100℃的恒温槽中烧成20分钟来除去多余的溶剂，得到抗蚀剂层。

接着，使用形成有磁道间距(Track pitch)150nm的同心圆状的凹部的Ni制的印模，除去成为分离区域部14的区域的抗蚀剂层，在基板1上形成了所希望的凹凸部。然后，在高真空室内设置形成了具有凹凸部的抗蚀剂层的非磁性基板1，采用离子束蚀刻除去没有形成抗蚀剂层的区域(成为分离区域部14的区域)的记录层6和掩模层5，形成同心圆状的凹槽11b。然后，除去残留在记录部15上的掩模层5和抗蚀剂层7。

然后，采用RF(高频)溅射法，在形成有凹槽11b的记录层6上沉积作为粒状结构的非磁性材料的40Co-35Cr-15Pt-10SiO₂(原子％)膜，形成包含Co、Cr和Pt的非磁性材料粒子分散在SiO₂中的平均膜厚80nm的非磁性层，再者，该非磁性材料，与磁性材料相比虽然构成元素的种类相同，但Co的量少，因此显示非磁性。其结果，形成了在凹槽11b中填充有粒状结构的非磁性材料的分离区域部14。由SEM照片、TEM照片可以确认具有粒状结构。

接着，在将采用离子束蚀刻形成的非磁性层的表面上平坦化的同时，从非磁性层和磁性层4的表面同时除去1nm左右使磁性层4露出。

然后，采用等离子CVD法，在记录层6上形成厚度4nm的DLC膜构成的保护膜16，通过在保膜16上涂布2nm的润滑剂而形成润滑层17，由此得到图1(I)表示的垂直磁记录介质A。

比较例1～比较例4

作为分离区域部14的材料，使用表1所示的SiO₂、Si、Cr或Cr₂O₃，除此以外，与上述的实施例同样地制作了垂直磁记录介质。

再者，在比较例1～比较例4中，填充到分离区域部中的材料当然不具有粒状结构。

表1

对这样地得到的实施例、比较例1～比较例4的垂直磁记录介质进行了以下所示的评价。

(电磁转换特性的经时变化评价)

将实施例和比较例1～4的垂直磁记录介质投入到温度80℃、湿度80％的环境下的烘箱中，保持了720小时。测定投入到烘箱中之前和之后的实施例和比较例1～4的垂直磁记录介质的信噪比(SNR)和矫顽力(Hc)。将其结果示于表1。

再者，在SNR的评价中，使用GUZIK公司制的读写分析仪(リ一ドラィトァナラィザ)RWA1632和旋转台S1701MP，使用在写入部使用密封固定不动型磁头、且在再生部使用GMR元件的磁头，通过写入160kFCl以及960kFCl的信号时的rms值(rootmean square-inches；均方根英寸)进行评价。

由表1可知，分离区域部14由粒状结构的非磁性材料构成的实施例，由于可防止记录部15与分离区域部14的相互扩散，因此基本上没有SNR和矫顽力的经时变化。另一方面，可知，比较例1～4，由于经时变化，SNR、矫顽力与实施例相比都大大地降低，不优选。

(垂直磁记录介质表面的耐冲击性评价)

使实施例和比较例1～4的垂直磁记录介质以5600rpm旋转，在其表面的一定半径的地方，使磁头各用0.5秒接触1000次，对垂直磁记录介质的表面受到的损伤进行比较。

损伤的评价，使用300倍的ノルマルスキ-微分干涉光学显微镜观察垂直磁记录介质的表面，统计所观察到的伤的条数来进行。将其结果示于表1。

由表1可知，实施例的垂直磁记录介质没有伤，表面的耐冲击性优异。与此相对，比较例1～4的垂直磁记录介质观察到伤，与实施例相比，耐冲击性低。

再者也可以利用上述的耐冲击性评价(擦伤评价)来间接地评价平滑性。本发明由于平滑性优异，因此没有由接触导致的损伤，不发生擦伤。另一方面，比较例由于平滑性差，因此由接触导致的损伤大，发生的擦伤的条数多。

产业上的利用可能性

能够提供分离区域部表面的平滑性优异，可以实现高记录密度，在备置于磁记录再生装置中的场合没有由磁头导致的洇写，可得到长期稳定的电磁转换特性，针对磁头等的冲撞的耐冲击性优异的垂直磁记录介质。

Claims (12)

1.一种垂直磁记录介质，是在平均表面粗糙度Ra为1nm以下的非磁性基板的平坦表面上形成有在相对于所述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层，所述记录层具有多个记录部和分离相邻的所述记录部的多个分离区域部的垂直磁记录介质，所述记录部是含有由粒状结构的磁性材料形成的磁性层的叠层体，其特征在于，所述分离区域部由粒状结构的非磁性材料形成，所述磁性层和所述分离区域部含有5～40体积％的范围内的氧化物。

2.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述磁性层和所述分离区域部含有相同的氧化物。

3.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述磁性层和所述分离区域部含有Cr。

4.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述磁性层和所述分离区域部含有SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃和TiO₂中的任一种以上。

5.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述磁性层被配置作为所述记录部的最上层，在所述记录层上形成有覆盖所述记录部和所述分离区域部的保护膜。

6.一种垂直磁记录介质的制造方法，包括：

在平均表面粗糙度Ra为1nm以下的非磁性基板的平坦表面上形成在相对于所述非磁性基板面垂直的方向具有磁各向异性的记录层的工序，所述记录层具有多个记录部和分离相邻的所述记录部的多个分离区域部，所述记录部是含有由粒状结构的磁性材料形成的磁性层的叠层体，所述磁性层和所述分离区域部含有5～40体积％的范围内的氧化物；

通过从所述记录层除去成为分离区域部的区域而形成凹槽，形成多个记录部和分离相邻的所述记录部的多个凹槽的工序；和

向所述凹槽填充粒状结构的非磁性材料，形成分离区域部的工序。

7.根据权利要求6所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，填充所述凹槽的工序具有：

在形成有所述凹槽的所述记录层上沉积所述粒状结构的材料，形成在所述凹槽内填充有所述材料的非磁性层的工序；和

除去所述非磁性层直到所述磁性层的表面露出并且所述磁性层的表面的一部分被除去，将形成有所述非磁性层的表面上平坦化的工序。

8.根据权利要求7所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，具有在所述记录层上形成覆盖所述记录部和所述分离区域部的保护膜的工序。

9.根据权利要求6所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽的工序具有：在所述记录层上涂布抗蚀剂而形成抗蚀剂层，使用印模除去成为所述分离区域部的所述抗蚀剂层的区域，将除去了所述抗蚀剂层的所述记录层的区域除去的工序。

10.根据权利要求6所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，在填充所述凹槽的工序中，采用溅射法向所述凹槽填充粒状结构的材料。

11.根据权利要求7所述的垂直磁记录介质的制造方法，其特征在于，在所述平坦化的工序中，采用离子束蚀刻法将形成有所述非磁性层的表面上平坦化。

12.一种磁记录再生装置，是具有磁记录介质和对该磁记录介质记录再生信息的磁头的磁记录再生装置，其特征在于，所述磁记录介质是权利要求1所述的垂直磁记录介质。