CN102027539B - 磁记录介质的制造方法和制造装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供使用同一个在线式装置进行介质的制造，由此能够减少处理造成的污染、提高生产率的磁记录介质的制造方法。该磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次地具有：将至少层叠有记录磁性层和用于将所述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载工序；通过对所述记录磁性层之中的没有被所述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的改性工序；除去所述掩模层的除去工序；在所述记录磁性层上形成保护膜的保护膜形成工序；以及，从所述运载器卸下所述非磁性基板的卸下工序。将所述改性工序、所述除去工序或所述保护膜形成工序中的任一个以上的工序分成多个室而连续处理。

Description

磁记录介质的制造方法和制造装置
技术领域
本发明涉及用于硬盘装置等的磁记录介质的制造方法和制造装置，更详细地讲，涉及具有磁分离的磁记录区域的所谓的离散(分离)介质和图案介质的制造方法和实现该制造方法的制造装置。
本申请基于在2008年5月13日在日本申请的专利申请2008-126245号要求优先权，将上述申请的内容援引到本申请中。
背景技术
近年，磁盘装置、软盘装置、磁带装置等的磁记录装置的适用范围在显著地扩大，随着其重要性增大，有关用于这些装置的磁记录介质正在谋求其记录密度的显著的提高，尤其是引入MR磁头和PRML技术以来，面记录密度的上升更加激烈，近年又引入GMR磁头、TMR磁头等，一年在以100％的速度继续增加。
对这些磁记录介质，今后要求进一步实现高记录密度，因此要求实现磁性层的高矫顽力化、高信噪比(SNR)、高分辨能力。另外，近年也继续努力着在提高线记录密度的同时，通过磁道密度的增加来使面记录密度上升。
最新的磁记录装置中磁道密度竟达到了110kTPI。然而，若不断提高磁道密度，则相邻的磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，容易产生损害SNR的问题，这直接关系到比特误码率(Bit Error rate)的降低，因此对记录密度的提高成为障碍。
为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸更加微细化，对各记录比特尽可能确保大的饱和磁化和磁性膜厚，但另一方面，若将记录比特不断微细化下去，则每一比特的磁化最小体积变小，产生由于热摆导致的磁化反转而使记录数据消失的问题。
另外，由于磁道间距离接近，磁记录装置要求极高精度的磁道伺服技术，同时宽幅地实行记录，为了尽量地排除来自相邻磁道的影响，一般地，采用比记录时窄地实行再生的方法，但该方法能够将磁道间的影响抑制在最小限度的另一面，是难以充分得到再生输出，因此存在难以确保充分的SNR的问题。
作为解决这样的热摆的问题和确保SNR，或者实现确保充分的输出的方法之一，进行了下述的尝试：通过在记录介质表面形成沿着磁道的凹凸、物理性地离散记录磁道彼此，来提高磁道密度，以下将这样的技术称作离散磁道法，将由此方法制造的磁记录介质称作离散磁道介质。另外，也有制造进一步分割了同一磁道内的数据区域的所谓的图案介质的尝试。
作为离散磁道介质的一例，已知：在表面形成了凹凸图案的非磁性基板上形成磁记录介质，形成物理性地分离的磁记录磁道和伺服信号图案的磁记录介质(例如，参照专利文献1)。
该磁记录介质是在表面具有多个凹凸的基板的表面上隔着软磁性层而形成强磁性层，在该强磁性层的表面形成了保护膜的磁记录介质。该磁记录介质中，在凸部区域形成有与周围物理性地分隔的磁记录区域。
根据该磁记录介质，由于能够抑制在软磁性层的畴壁发生，因此难以出现热摆的影响，也没有相邻的信号间的干扰，所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。
离散磁道法，有：在形成由几层的薄膜构成的磁记录介质后形成磁道的方法；预先在基板表面直接地或者在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图案后，进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如，参照专利文献2、专利文献3)。
另外，还公开了通过对预先形成的磁性层注入氮、氧等的离子或者照射激光，使该部分的磁特性变化而形成离散磁道介质的磁道间区域的方法(参照专利文献4～6)。
再者，在专利文献7中，公开了在制造磁记录介质时，环周状地运送保持了多片的基板的运载器，用于在基板上形成多层的膜的在线式成膜装置。
专利文献1：日本特开2004-164692号公报
专利文献2：日本特开2004-178793号公报
专利文献3：日本特开2004-178794号公报
专利文献4：日本特开平5-205257号公报
专利文献5：日本特开2006-209952号公报
专利文献6：日本特开2006-309841号公报
专利文献7：日本特开平8-274142号公报
发明内容
作为离散介质的制造方法，例如，通过以下的工序来进行：在非磁性基板的上面形成软磁性层、中间层、取向控制层、记录磁性层后，在该记录磁性层的表面采用光刻技术形成用于形成磁记录区域的掩模层，将记录磁性层之中的没有被掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体等中，将该部位的磁特性进行改性，除去掩模层，在其上面形成保护膜和润滑剂层。
这些工序尽量地使用一个装置连续地进行，这在处理基板的处理时防止污染基板、或减少处理工序等而使制造工序高效率化和使制品合格率良好、提高磁记录介质的生产率上是优选的。
然而，这些工序之中，虽然形成软磁性层、中间层、取向控制层、记录磁性层等的工序和形成保护膜的工序可以使用专利文献7中所述的在线式的成膜装置，但形成掩模层的工序、在记录磁性层中没有被掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体等中对该部位的磁特性进行改性的工序和除去掩模层的工序，难以加到使用了在线式的磁性层等的成膜装置的工序中。
即，记录磁性层等的成膜工序，每一片基板能够用十秒左右的时间处理，而在记录磁性层的表面形成图案化的掩模层的工序、对记录磁性层的磁特性部分地进行改性的工序、除去掩模层的工序难以在该时间内进行处理，难以连续地进行各工序。
另外，将记录磁性层表面的掩模层图案化的工序，包含在记录磁性层的表面上涂布液体状的抗蚀剂，将模压印在其表面从而转印模图案的工序的情况较多。该工序是湿式工艺，与作为干式工艺的记录磁性层的溅射工序相当地不同，因此难以使用一个装置连续地进行这些工序。
本发明的目的在于解决这些问题，提供尽量使用同一个在线式装置进行离散介质等的制造，由此能够减少处理基板的处理所造成的污染，提高离散介质等的制造中的生产率的磁记录介质的制造方法和制造装置。
本发明者为了解决上述课题而潜心努力研究的结果发现，在将装载于运载器的多片非磁性基板依次运送到所接续的多个室内，制造具有已磁分离的磁记录区域的磁记录介质的方法中，通过分成多个室来进行将对掩模层进行离子蚀刻的工序、对在磁性层中没有被掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而进行改性的工序、在磁性层上形成保护膜的工序之中的任何一个工序，能够以一定的速度连续地进行各工序的处理，由此能够得到磁记录介质的高的生产率，从而完成了本发明。
即，本发明涉及以下的发明。
[1]一种磁记录介质的制造方法，是将装载于运载器的多片非磁性基板依次运送到相互接续的多个室内，制造具有磁记录图案的磁记录介质的方法，其特征在于，依次地具有：将至少层叠有记录磁性层和用于将上述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载工序；通过对上述记录磁性层之中的没有被上述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的改性工序；除去上述掩模层的除去工序；在上述记录磁性层上形成保护膜的保护膜形成工序；以及，从上述运载器卸下上述非磁性基板的卸下工序，将上述改性工序、上述除去工序或上述保护膜形成工序中的任一个以上的工序分成多个室连续处理。
[2]根据[1]所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述改性工序中的上述磁特性的改性为非磁性化。
[3]根据[1]或[2]所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述装载工序与上述改性工序之间，进行将上述掩模层图案化的图案化工序。
[4]根据[1]～[3]的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述非磁性基板的两面形成上述记录磁性层，并且，在上述改性工序中，对上述非磁性基板的两面同时地进行上述反应性等离子处理或上述离子照射处理。
[5]根据[1]～[4]的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，采用选自离子枪、ICP、RIE中的任一种方法进行上述反应性等离子处理或上述离子照射处理。
[6]一种磁记录介质的制造装置，是将装载于上述运载器的多片的非磁性基板依次运送到相互接续的多个室内，制造具有磁记录图案的磁记录介质的装置，其特征在于，具有：将至少层叠有记录磁性层和用于将上述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载机构；具有通过对上述记录磁性层之中的没有被上述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的机构的改性室；除去上述掩模层的除去室；具有在上述记录磁性层上形成保护膜的机构的保护膜形成室；以及，从上述运载器卸下成膜后的非磁性基板的卸下机构，上述改性室、上述除去室或上述保护膜形成室中的任一种以上的室具有多个。
[7]根据[6]所述的磁记录介质的制造装置，其特征在于，在上述装载机构与上述改性室之间具有将上述掩模层图案化的图案化室。
根据本发明的磁记录介质的制造方法和制造装置，能够利用在线式的制造装置进行所谓的离散介质制造中的相当多的工序，因此能够减少处理基板的处理工序防止污染，能够提高磁记录介质的生产率。
附图说明
图1是表示作为本发明的实施方式的磁记录介质的放大剖面模式图。
图2是表示作为本发明的实施方式的磁记录介质的放大剖面模式图。
图3是表示作为本发明的实施方式的磁性录介质的制造装置一例的模式图。
图4是表示作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造装置的处理室和运载器的模式图。
图5是表示作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造装置具有的运载器的侧视图。
图6是依工序次序表示作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法的剖面模式图。
图7是依工序次序表示作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法的剖面模式图。
图8是依工序次序表示作为本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法的剖面模式图。
图9是表示作为本发明的实施方式的磁记录再生装置一例的概略构成图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。
本实施方式适用于：将装载于运载器的多片的非磁性基板依次运送到接续的多个室内，制造具有磁记录图案的磁记录介质的、使用了所谓在线式的制造装置的制造方法。
本实施方式的磁记录介质，例如，如图1和图2所示，具有：在非磁性基板80的两面层叠有软磁性层81、中间层82、记录磁性层83和保护膜84的结构，而且，在最表面形成有润滑膜85。由软磁性层81、中间层82和记录磁性层83形成磁性层810。如图1所示，在记录磁性层83上形成有省略了图示的磁记录图案和非磁性体区域。
作为非磁性基板80，可以使用以Al为主成分的例如Al-Mg合金等的Al合金基板、由通常的钠钙玻璃、铝硅酸盐系玻璃、结晶化玻璃、硅、钛、陶瓷、各种树脂形成的基板等，只要是非磁性基板则可以使用任意的基板。
其中，优选使用Al合金基板、结晶化玻璃等的玻璃制基板或硅基板，另外，这些基板的平均表面粗糙度(Ra)优选为1nm以下，更优选为0.5nm以下，其中，特别优选为0.1nm以下。
形成于如上述的非磁性基板80的表面上的磁性层810，可以是面内磁性层，也可以是垂直磁性层，但为了实现更高的记录密度优选垂直磁性层。
这些磁性层810优选由主要以Co为主成分的合金形成，例如，作为面内磁记录介质用的磁性层，可以利用包含非磁性的CrMo基底层和强磁性的CoCrPtTa磁性层的叠层结构。
另外，作为垂直磁记录介质用的磁性层，如图2所示，例如，可以利用层叠有由软磁性的FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB等)等形成的软磁性层81、由Ru等形成的中间层82、由60Co-15Cr-15Pt合金和/或70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金形成的记录磁性层83的磁性层。另外，也可以在软磁性层81与中间层82之间层叠由Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等形成的取向控制膜。
磁性层810的整体的厚度为3nm以上、20nm以下，优选为5nm以上、15nm以下，相应于使用的磁性合金的种类和叠层结构，以能够获得充分的磁头输出输入的方式形成磁性层810即可。磁性层810的膜厚，为了在再生时得到一定以上的输出，必须是某种程度以上的磁性层的膜厚，另一方面，通例是表示记录再生特性的各种参数随着输出的上升而劣化，因此必须设定成最适宜的膜厚。
另外，作为保护层84，可以使用碳(C)、烃(HxC)、氮化碳(CN)、无定形碳、碳化硅(SiC)等的碳质层和SiO2、Zr2O3、TiN等的通常所使用的保护膜材料。另外，保护层84可以由2层以上的层构成。保护层84的膜厚必须设为小于10nm。原因是当保护层84的膜厚超过10nm时，磁头与记录磁性层83的距离变大，不能得到充分的输出输入信号的强度。
此外，作为用于润滑层85的润滑剂，可举出氟系润滑剂、烃系润滑剂和它们的混合物等，通常以1～4nm的厚度形成润滑层85。
以下，参照附图对本实施方式的磁记录介质的制造装置进行说明。
图3是表示磁记录介质的制造装置一例的模式图，图4是表示磁记录介质制造装置的处理室和运载器的模式图，图5是表示磁记录介质制造装置具有的运载器的侧视图。
再者，在图4中，由实线表示的运载器25显示出停在第1处理位置的状态，由虚线表示的运载器25显示出停在第2处理位置的状态。即，在本例中表示的处理室，在室内具有与非磁性基板对向的2个部位的处理装置，因此在停在第1处理位置的状态下对运载器25左侧的非磁性基板进行处理，然后，运载器25移动到由虚线表示的位置，在停在第2处理位置的状态下对运载器25右侧的非磁性基板进行处理。再者，在室内与非磁性基板对向地设置各侧各2个部位的处理装置的场合，不需要这样的运载器25的移动，可以对保持在运载器25的右侧和左侧的基板同时地进行处理。
如图3所示，该磁记录介质的制造装置，具有：机器手台1、载置于机器手台1上的基板盒移载机器手3、与机器手台1相邻的基板供给机器手室2、配置于基板供给机器手室2内的基板供给机器手34、与基板供给机器手室2相邻的基板安装室52、使运载器旋转的隅角室4、7、14、17、配置在各隅角室4、7、14、17之间的处理室5、6、8～13、15、16、18～20、基板卸下室54、与基板卸下室54相邻地配置的基板卸下机器手室22、和设置在基板卸下机器手室22内的基板卸下机器手49。另外，在各处理室5...中内藏有装载多个处理用基板(非磁性基板)23、24的多个运载器25。
在上述的制造装置中，由机器手台1、基板盒移载机器手3、基板供给机器手室2、基板供给机器手34和基板安装室52构成装载机构。形成有磁性层810和掩模层的非磁性基板利用该装载机构装载在运载器25上。
此外，在上述的制造装置中，由机器手台1、基板盒移载机器手3、基板卸下室54、基板卸下机器手室22和基板卸下机器手49构成卸下机构。利用卸下机构从运载器25上卸下非磁性基板。
另外，在上述的制造装置中，由处理室6、8构成图案化室。在图案化室内具有将掩模层图案化的机构。
另外，在上述的制造装置中，由处理室10、11、12构成改性室。在改性室内具有对记录磁性层83之中的没有被图案化后的掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而改性成非磁性体，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的机构。
另外，在上述的制造装置中，由处理室16、18构成除去室。在除去室内具有除去掩模层的机构。
此外，在上述的制造装置中，由处理室19、20构成保护膜形成室。在保护膜形成室内具有在记录磁性层83上形成保护膜84的机构。
这样，在本实施方式的制造装置中，图案化室、改性室、除去室和保护膜形成室分别由多个处理室构成。
另外，构成为：在各室2、52、4～20、54、3A上分别连接有真空泵，将运载器25依次运送到通过这些真空泵的工作而形成为减压状态的各室内，通过在各室内对所装载的处理基板23、24的两面进行处理可以制造磁记录介质。
如图5所示，运载器25具有支撑台26和设置在支撑台26的上面的多个基板装载部27(在本实施方式中搭载2台)。
基板装载部27，是在具有与处理用基板(非磁性基板)23、24的厚度大致相等的厚度的板体28上，形成直径比处理用基板23、24的外周大一些的圆形状的贯通孔29而构成，在贯通孔29的周围设置有朝向该贯通孔29的内侧突出的多个支撑部件30。在该基板装载部27中，向贯通孔29的内部嵌入处理用基板23、24，通过支撑部件30与所述基板的边缘部卡合，从而保持处理用基板23、24。该基板装载部27，所装载的2片的处理用基板23、24的主面相对于支撑台26的上面大致正交，且在支撑台26的上面并列地设置并使得处于大致相同的面上。以下，将装载在这些基板装载部27上的2片的处理基板23、24分别称为第1处理用基板23和第2成膜用基板24。
基板盒移载机器手3，将基板从收纳有处理用基板23、24的盒向基板安装室2内供给，同时取出在基板卸下室22卸下的磁记录介质。在该基板安装室2和基板卸下室22的一侧壁上设置有向外部开放的开口和将该开口开闭的51、55。
另外，各室2、52、4～20、54、3A分别与相邻的2个壁部连接，在这些各室的连接部上设置有闸门阀，在这些闸门阀为关闭状态时，各室内分别成为独立的密闭空间。
隅角室4、7、14、17是变更运载器25的移动方向的室，在其内部设置有未图示的使运载器旋转而移动到下一个室内的机构。
在各室内设置有处理用气体供给管，在供给管上设置有利用没有图示的控制机构来控制开闭的阀，通过对这些阀和泵用闸门阀进行开闭操作，来控制来自处理用气体供给管的气体的供给、室内的压力和气体的排出。
在基板卸下室54的内部，利用机器手49卸下装载在运载器25上的第1处理用基板23和第2处理用基板24。
本实施方式，涉及使用上述磁记录介质的制造装置，制造在非磁性基板80上具有磁记录图案的磁记录介质的方法，在该磁记录介质的记录磁性层83上形成有被非磁性区域83b分离了的磁记录图案83a。非磁性区域83b，例如，通过对记录磁性层83部分性地进行反应性等离子处理或离子照射处理，将磁性体改性成非磁性体从而形成。
这样，通过在记录磁性层83的表面设置掩模层，将没有被该掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体等中，能够得到本实施方式的磁记录介质。
再者，所谓本实施方式的磁记录图案83a，包括：每1比特具有一定规则性地配置有磁记录图案的所谓的图案介质、磁记录图案配置成磁道状的介质、以及伺服信号图案等。
其中，本实施方式，从其制造的简便性考虑，优选适用于磁记录图案83a为磁记录磁道和伺服信号图案的所谓的离散型磁记录介质。
本实施方式的磁记录介质的制造方法，依次地具有：将至少层叠有记录磁性层83和用以将记录磁性层83图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载工序；将掩模层图案化的图案化工序；通过对记录磁性层83之中的没有被图案化掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而改性成非磁性体，形成磁记录图案的改性工序；除去掩模层的除去工序；在记录磁性层83上形成保护膜84的保护膜形成工序；以及，从运载器卸下非磁性基板的卸下工序，将改性工序、除去工序或保护膜形成工序中的任一个以上的工序分成多个室而连续处理。
本实施方式的各工序之中，装载工序和卸下工序能够以每1片基板1秒左右的处理时间进行，而改性工序、除去工序分别需要数十秒左右，保护膜形成工序需要数秒～30秒左右的处理时间。将这些工序使用各工序1个的室进行处理的场合，改性工序和除去工序构成律速，需要使其它的工序与改性工序和除去工序的速度一致。
本实施方式中，通过利用多个室来处理在从改性工序到保护膜形成工序中处理速度成为律速的工序，使各工序间的处理时间尽量地均等，由此来提高磁记录介质的生产率。例如，在一个室中的每1片基板的装载工序和卸下工序的处理时间为1秒，改性工序和除去工序的处理时间为60秒，保护膜形成工序的处理时间为30秒的场合，各工序的处理室分别各为一个的场合的总体的处理时间，每1片基板为60秒。在此如本实施方式那样，使改性工序和除去工序的处理室各为2个室的场合，每1片基板的处理时间为30秒。另外，使改性工序和除去工序各为4室，保护膜形成工序的处理室为2室的场合，每1片基板的处理时间为15秒。
本实施方式的磁记录介质的制造方法，为了在非磁性基板的两面形成磁记录图案，优选对非磁性基板的两面同时进行反应性等离子处理或照射离子的处理。原因是一般地磁记录介质在其两面具有记录磁性层，因此优选对磁记录介质的两面同时地进行处理。
通常，记录磁性层83采用溅法作为薄膜形成。例如，如图6所示，在非磁性基板80上依次层叠软磁性层81和中间层82后，至少采用溅射法形成记录磁性层83(图6(a))，接着在记录磁性层83的上面形成掩模层840(图6(b))，在掩模层840的上面形成抗蚀剂层850(图6(c))。
接着，如图7所示，使用印模86将磁记录图案的负图案转印在抗蚀剂层850上(图7(a))。图7(a)中的箭头表示印模86的移动。接着，通过图3所示的制造装置的装载机构，将到此为止已处理的非磁性基板80装载在基板安装室52内的运载器52上。然后，由运载器依次运送非磁性基板80，在2个处理室6和8(图案化室)中，利用转印有负图案的抗蚀剂层850将掩模层进行图案化(图7(b))。接着，在图3所示的处理室9中，通过将由掩模层840的图案化而露出的记录磁性层83的表面部分性地进行离子铣削处理，从而形成凹部83c(图7(c))。再者，标记d表示设置于记录磁性层83上的凹部83c的深度。
接着，如图3和图8所示，在3个处理室10、11、12(改性室)中，对记录磁性层83之中的没有被掩模层840覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理，将构成记录磁性层83的磁性体改性成非磁性体(图8(a))。由此，如图8(a)所示，在记录磁性层83上形成磁记录图案83a和非磁性区域83b。
接着，在2个处理室13、15中除去抗蚀剂层850，接着，在2个处理室16、18(除去室)中除去掩模层840(图8(b))。接着，在2个处理室19、20中，用保护膜84覆盖记录磁性层83的表面(图8(c))。通过依次进行以上的工序，能够制造本实施方式的磁记录介质。
在图6(b)的工序中，形成于记录磁性层83上的掩模层840优选使用下述材料形成，所述材料含有选自Ta、W、Ta氮化物、W氮化物、Si、SiO2、Ta2O5、Re、Mo、Ti、V、Nb、Sn、Ga、Ge、As、Ni中的任一种以上。通过使用这样的材料，能够提高由掩模层840带来的对铣削离子的遮蔽性，能够在记录磁性层83上设置凹部83c。
另外，能够提高使用掩模层840时的磁记录图案83a的形成特性。此外，这些物质容易进行使用反应性气体的干蚀刻，因此在图8(b)表示的掩模层840的除去工序中，能够减少残留物，减少磁记录介质表面的污染。
本实施方式的磁记录介质的制造方法中，作为掩模层840，在这些物质中优选使用As、Ge、Sn、Ga，更优选使用Ni、Ti、V、Nb，最优选使用Mo、Ta、W。
另外，本实施方式的磁记录介质的制造方法中，在图7(a)表示的工序中，优选：使利用印模86对抗蚀剂层850进行负图案转印后的抗蚀剂层850的残余部850a的厚度为0～10nm的范围内。
该场合，通过使抗蚀剂层850的残余部850a的厚度为该范围，在图7(b)中的掩模层84的图案化工序中，可消除掩模层840的边缘部分的塌边，提高掩模层840对铣削离子的遮蔽性，能够在记录磁性层83上设置凹部83c。并且，能够提高利用掩模层840时的磁记录图案83a的形成特性。
本实施方式的磁记录介质的制造方法中，优选：使抗蚀剂层850的构成材料为通过放射线照射而具有固化性的材料，在进行利用印模86对抗蚀剂层850进行图案转印的工序时，或者，在图案转印工序之后，对抗蚀剂层850照射放射线。
通过采用这样的制造方法，能够将印模86的形状精度良好地转印到抗蚀剂层850上，在图7(b)中的掩模层840的图案化工序中，可消除掩模层840的边缘部分的塌边，提高掩模层840对注入离子的遮蔽性。并且能够提高利用掩模层840时的磁记录图案83a的形成特性。
所谓本实施方式的放射线，是热射线、可见光线、紫外线、X射线、γ射线等的广义概念的电磁波。另外，所谓通过放射线照射而具有固化性的材料，例如，是针对热射线的热固化树脂、针对紫外线的紫外线固化树脂。
本实施方式的磁记录介质的制造方法中，尤其是，在利用印模86将图案转印在抗蚀剂层850上的工序时，在抗蚀剂层的流动性高的状态下，将印模按压在抗蚀剂层850上，在该按压了的状态下，对抗蚀剂层850照射放射线使抗蚀剂层850固化，然后，通过使印模86从抗蚀剂层850脱离，能够将印模86的形状精度良好地转印在抗蚀剂层850上。
作为在将印模86按压在抗蚀剂层850上的状态下，对抗蚀剂层850照射放射线的方法，可以采用：从印模86的相反侧，即从非磁性基板80侧照射放射线的方法、选择能够透过放射线的物质作为印模86的构成材料，从印模86侧照射放射线的方法、从印模86的侧照射放射线的方法、使用如热射线那样对固体传导性高的放射线，通过介由印模86或非磁性基板80的热传导来照射放射线的方法。
本实施方式的磁记录介质的制造方法中，其中，尤其是优选：作为抗蚀剂层850的构成材料，使用酚醛清漆(novolac)类树脂、丙烯酸酯类、脂环式环氧类等的紫外线固化树脂；作为印模86的构成材料，使用对紫外线透过性高的玻璃或树脂。
通过采用这样的方法，能够使磁记录图案83a的矫顽力和残留磁化降低到极限，能够消除磁记录时的透写，提供高的面记录密度的磁记录介质。
在上述的工艺中使用的印模86，例如，可以使用在金属板上采用电子束描图等方法形成了微细的磁道图案的印模，作为材料要求能够耐受工艺的硬度、耐久性。例如，可以使用Ni等，但只要是符合上述目的的材料则不论什么材料都可以，在印模86上除了形成记录通常的数据的磁道以外，还可以形成脉冲串图案(burst pattern)、格雷码图案(Gray code pattern)、前同步信号图案(preamble pattern)这些伺服信号的图案。
在本实施方式中，如图7(c)所示，通过离子铣削等除去记录磁性层83的表层的一部分来设置凹部83c。这样，在设置凹部83c后将其表面暴露在反应性等离子体或反应性离子中，使记录磁性层83的磁特性改性，这与没有设置凹部83c的情况相比，磁记录图案83a与非磁性区域83b的图案的对比度变得更鲜明，并且能够提高磁记录介质的S/N。作为其原因，可以认为是通过除去记录磁性层83的表层部，可谋求其表面的清洁化和活性化，与反应性等离子体或反应性离子的反应性提高，并且在记录磁性层83的表层部导入空穴等的缺陷，通过该缺陷反应性离子容易侵入到记录磁性层83中。
在本实施方式中，通过离子铣削等除去记录磁性层83的表层的一部分的深度d，优选为0.1nm～15nm的范围，更优选为1nm～10nm的范围。离子铣削的除去深度小于1nm时，不呈现上述的记录磁性层83的除去效果，而除去深度大于15nm时，磁记录介质的表面平滑性恶化，制造磁记录再生装置时的磁头的浮起特性变差。
本实施方式其特征在于，通过将已成膜的记录磁性层暴露在反应性等离子体或反应性离子中对记录磁性层的磁特性进行改性，形成例如磁分离磁记录磁道以及伺服信号图案部的区域。
本实施方式的所谓磁记录图案83a，如图8(a)所示，意指从表面侧观看磁记录介质时，记录磁性层83被已非磁性化的非磁性区域83b分离的状态。即，如果记录磁性层83从表面侧观看被分离，则在记录磁性层83的底部即使没有被分离，也能达到本发明的目的，包含在本发明的磁记录图案83a的概念内。另外，本发明的所谓磁记录图案83a，包含：每一比特具有一定规则性地配置磁记录图案的所谓的图案介质、磁记录图案被配置成磁道状的介质、以及伺服信号图案等。
其中，本实施方式，从磁记录介质制造的简便性考虑，优选适用于磁记录图案83a为磁记录磁道以及伺服信号图案的所谓的离散型磁记录介质。
在本实施方式中，所谓用于形成磁记录图案83a的记录磁性层83的改性，是指为了将记录磁性层83图案化，使记录磁性层83的矫顽力、残留磁化等部分性地变化，所谓该变化是指降低矫顽力、降低残留磁化。
在本实施方式中，尤其是作为磁特性的改性，优选采用：使暴露在反应性等离子体或反应性离子中的部位的记录磁性层83的磁化量为当初(未处理)的75％以下，更优选为50％以下，使矫顽力为当初的50％以下、更优选为20％以下的方法。通过采用这样的方法制造离散磁道型磁记录介质，在本介质上进行磁记录时可消除透写，能够提供高的面记录密度的磁记录介质。
此外，在本实施方式中，也能够通过将已成膜的记录磁性层暴露在反应性等离子体或反应性离子中，使记录磁性层83非晶质化，来实现分离磁记录磁道以及伺服信号图案部的部位(非磁性区域83b)。本发明中的记录磁性层的磁特性的改性，也包含通过记录磁性层的晶体结构的改变来实现。
在本实施方式中，所谓将记录磁性层83非晶质化，是指使记录磁性层83的原子排列成为不具有长距离秩序的不规则的原子排列的形态。更具体地讲，是指小于2nm的微晶粒成为无规地排列的状态。因此在采用分析方法确认该原子排列状态的场合，通过X射线衍射或电子束衍射，看不出表示晶面的峰，并且，成为只确认出光晕的状态。
作为本实施方式的反应性等离子体，可例举电感耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)和反应性离子等离子体(RIE：Reactive IonPlasma)。
另外，所谓本实施方式的反应性离子，可例举存在于上述的电感耦合等离子体、反应性离子等离子体内的反应性的离子。
所谓电感耦合等离子体，是通过对气体施加高电压而等离子体化，再通过高频的变动磁场使该等离子体内部发生涡电流产生的焦耳热而得到的高温的等离子体。电感耦合等离子体电子密度高，与使用以往的离子束制造离散磁道介质的场合相比，能够在宽广面积的磁性膜上以高的效率实现磁特性的改性。
所谓反应性离子等离子体，是在等离子体中加入了O2、SF6、CHF3、CF4、CCl4等的反应性气体的反应性高的等离子体。通过使用这样的等离子体作为本实施方式的反应性等离子体，能够以更高的效率实现记录磁性层83的磁特性改性。
在本实施方式中，通过将成膜了的记录磁性层83暴露在反应性等离子体中将记录磁性层83进行改性，但该改性优选通过构成记录磁性层83的磁性金属与反应性等离子体中的原子或离子的反应来实现。
该场合，所谓反应，可以例举：反应性等离子体中的原子等侵入磁性金属中，磁性金属的晶体结构发生变化、磁性金属的组成发生变化、磁性金属氧化、磁性金属氮化、磁性金属硅化等。
在本实施方式中，优选：作为反应性等离子体含有氧原子，通过使构成记录磁性层83的磁性金属与反应性等离子体中的氧原子反应，使记录磁性层83氧化。原因是通过使记录磁性层83部分性地氧化，能够高效率地降低氧化部分的残留磁化和矫顽力等，因此通过短时间的反应性等离子处理，能够制造具有磁记录图案的磁记录介质。
在本实施方式中，优选使反应性等离子体中含有卤原子。另外，作为卤原子特别优选使用F原子。卤原子既可以与氧原子一起添加到反应性等离子体中使用，也可以不使用氧原子而添加到反应性等离子体中。如上述，通过在反应性等离子体中加入氧原子等，能够使构成记录磁性层83的磁性金属与氧原子等反应使记录磁性层83的磁特性改性。此时，通过使反应性等离子体中含有卤原子，能够进一步提高该反应性。
另外，即使在不将氧原子添加到反应性等离子体中的场合，卤原子也与磁性合金反应而能够使记录磁性层83的磁特性改性。其原因的详细情况尚不清楚，但可以认为，反应性等离子体中的卤原子，将形成于记录磁性层83的表面上的异物蚀刻，由此记录磁性层83的表面清洁化、记录磁性层83的反应性提高。
另外，还可以认为清洁化了的磁性层表面与卤原子以高的效率进行反应。作为具有这样的效果的卤原子特别优选使用F原子。
在本实施方式中，优选在其后采用下述工序：如图8(b)所示，除去抗蚀剂层850和掩模层840，接着如图8(c)所示，形成保护层84，然后，涂布润滑材料(没有图示)制造磁记录介质。
抗蚀剂层850和掩模层840的除去，可以采用干蚀刻、反应性离子蚀刻、离子铣削、湿式蚀刻等的方法。
保护膜84的形成，一般是实施采用P-CVD等形成类金刚石碳(Diamond Like Carbon)的薄膜的方法，但没有特别的限定。
该场合，作为保护层84，可以使用碳(C)、氢化碳(HxC)、氮化碳(CN)、无定形碳、碳化硅(SiC)等的碳质层和SiO2、Zr2O3、TiN等通常所使用的保护膜材料。另外，保护层84也可以由2层以上的层构成。
保护层84的膜厚必须为小于10nm。原因是保护层84的膜厚超过10nm时，磁头与记录磁性层83的距离变大，不能够得到充分的输出输入信号的强度。
优选在保护层84的上面形成润滑层85。作为用于润滑层85的润滑剂，可举出氟系润滑剂、烃系润滑剂以及它们的混合物等，通常以1～4nm的厚度形成润滑层85。
图9是使用了上述磁记录介质的磁记录再生装置的一例。在此表示的磁记录再生装置，具有：上述构成的磁记录介质96、使磁记录介质96旋转工作的介质驱动部97、在磁记录介质96上将信息进行记录再生的磁头98、磁头驱动部99和记录再生信号处理系统100。磁再生信号处理系统100，将被输入的数据处理后将记录信号送给磁头98，对来自磁头98的再生信号进行处理后输出数据。
根据上述的制造方法和制造装置，能够使用一个装置连续地进行磁记录层83的改性～保护层84的形成，在处理基板的处理时基板不会被污染，并且减少处理工序等而能够使制造工序高效率化和使制品合格率高，提高磁记录介质的生产率。
另外，根据上述的制造方法和制造装置，由于由多个处理室分担进行将在记录磁性层上没有被掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体等中而对该部位的磁特性进行改性的工序以及除去掩模层的工序，因此能够容易地导入到在线式的成膜装置中。
即，记录磁性层等的成膜工序，每一片基板能够用十秒左右的时间处理，与其相对，对记录磁性层的磁特性部分地进行改性的工序、除去掩模层的工序难以在该时间内进行处理，通过分别由多个处理室分担地进行这些改性工序、除去工序，能够使这些工序的处理时间与记录磁性层等的成膜工序的处理时间一致，由此能够连续地进行各工序。
另外，在将记录磁性层表面的掩模层进行图案化的工序中，包含在记录磁性层的表面涂布液体状的抗蚀剂，将模压印在其表面从而转印模图案的湿式的工艺时，在上述的制造方法和制造装置中，除了抗蚀剂的涂布以外全部采用干式工艺进行，因此能够与同样作为干式工艺的记录磁性层的溅射工序组合，使用一个制造装置连续地进行。
实施例
以下通过实施例具体地说明本发明，但本发明不限定于以下的实施例。
如图1～2和图6～8所示，将安装了作为非磁性基板80的HD用玻璃基板的真空室预先真空排气到1.0×10-5Pa以下。在此使用的玻璃基板是以Li2Si2O5、Al2O3-K2O、MgO-P2O5、Sb2O3-ZnO为构成成分的结晶化玻璃为材质，外径为65mm、内径为20mm、平均表面粗糙度(Ra)为2埃。
采用DC溅射法，如图2所示在该玻璃基板上，依次层叠作为软磁性层81的FeCoB、作为中间层82的Ru、作为记录磁性层83的70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金。各层的膜厚为：FeCoB软磁性层为
Figure BPA00001254638500191
Ru中间层为记录磁性层为
Figure BPA00001254638500193
这样地形成了磁性层。
如图6(a)～(c)所示，采用溅射法在该磁性层上形成掩模层840，掩模层840使用Ta，膜厚为60nm，接着，在掩模层上采用旋涂法涂布出抗蚀剂层850。抗蚀剂层850使用了作为紫外线固化树脂的线型系树脂。并且膜厚为100nm。
如图7(a)～(c)所示，在其上面使用具有磁记录图案的负图案的玻璃制的印模86，以1MPa(约8.8kgf/cm2)的压力将印模86按压在抗蚀剂层850上。在该状态下，从紫外线透过率为95％以上的玻璃制的印模的上部照射波长250nm的紫外线10秒钟，使抗蚀剂固化。
然后，从抗蚀剂层850分离印模86。这样转印了磁记录图案的图案。转印在抗蚀剂层850上的图案，抗蚀剂的凸部是宽幅为120nm的圆周状，抗蚀剂的凹部是宽幅为6nm的圆周状，抗蚀剂层的层厚是80nm，构成抗蚀剂层的凹部的残余部850a的厚度是约5nm。另外，构成抗蚀剂层凹部的侧壁面的相对于基板面的角度是大约90度。
将由以上的工序制造的基板装入到图3～图5表示的磁记录介质的制造装置中。制造装置的运载器25，如图5所示是能够同时地装载2片处理用基板的结构。于是，该制造装置设为以下的构成：在1个处理室52中进行在运载器上装载处理基板的工序，在1个处理室5中进行抗蚀剂层的凹部的残余部850a的除去，在2个处理室6、8(图案化室)中进行掩模层的图案化工序，在1个处理室9中进行部分地除去记录磁性层表面的工序。
另外，该制造装置设为以下的构成：在3个处理室10、11、12(改性室)中进行对记录磁性层部分地改性的工序，在2个室13、15中进行除去抗蚀剂的工序，在2个处理室16、18(除去室)中进行除去掩模层的工序，在2个处理室19、20(保护膜形成室)中进行碳保护膜的成膜工序。进而，该制造装置设为在1个处理室54中进行从运载器卸下处理基板的工序。在15秒以内实现各室内的处理。以下，对各工序的详细情况进行说明。
在将处理基板装载于运载器的工序中，在运载器25中，以15秒/片的速度将处理基板装载到室52内。
另外，抗蚀剂凹部的除去工序，在隅角室4内使装载了处理基板的运载器旋转并移动到进行抗蚀剂凹部除去工序的处理室5内，采用干蚀刻除去抗蚀剂层的凹部的部位。干蚀刻条件，关于抗蚀剂的蚀刻，使O2气为40sccm、压力为0.3Pa、高频等离子体电力为300W、DC偏电压为30W、蚀刻时间为15秒。
在掩模层的图案化工序中，使蚀刻处理了的处理基板依次地移动到进行掩模层的图案化工序的2个处理室6、8内，采用干蚀刻除去Ta的掩模层之中的没有被抗蚀剂覆盖的部位。干蚀刻条件，关于抗蚀剂的蚀刻，使O2气为40sccm、压力为0.3Pa、高频等离子体电力为300W、DC偏电压为30W、蚀刻时间为10秒，关于Ta层的蚀刻，使CF4气为50sccm、压力为0.6Pa、高频等离子体电力为500W、DC偏电压为60W、蚀刻时间每一个室为15秒，合计使用30秒进行蚀刻。
另外，在部分地除去记录磁性层表面的工序中，使干蚀刻处理了的处理基板移动到部分地除去记录磁性层的处理室9内，对于记录磁性层上没有被掩模层覆盖的部位，采用离子铣削来除去其表面。离子铣削时使用了Ar离子。离子的量为5×1016原子/cm2，加速电压为20keV、记录磁性层的铣削深度设为0.1nm。离子铣削时间设为5秒。
接着，在对记录磁性层部分地进行改性的工序中，使离子铣削处理了的处理基板依次地移动到对记录磁性层部分地进行改性的3个处理室10、11、12内，将记录磁性层之中的没有被掩模层覆盖的部位的表面暴露在反应性等离子体中进行磁特性的改性。记录磁性层的反应性等离子处理，使用了アルバツク公司的电感耦合等离子装置。作为等离子体发生所使用的气体和条件，使用90cc/分的O2，用于等离子体发生的投入电力为200W、装置内的压力设为0.5Pa，处理磁性层每个室用15秒钟，3个室合计用45秒钟。
接着，在除去抗蚀剂的工序中，使改性处理了的处理基板移动到进行抗蚀剂层除去的2个处理室13、15内，采用干蚀刻除去抗蚀剂层。干蚀刻条件，关于抗蚀剂的蚀刻，使O2气为40sccm、压力为0.3Pa，高频等离子体电力为300W、DC偏电压为30W、蚀刻时间为15秒。
接着，在除去掩模层的工序中，使进行了抗蚀剂除去处理了的处理基板移动到进行掩模层除去的2个处理室16、18内，采用干蚀刻除去掩模层。干蚀刻条件，关于抗蚀剂的蚀刻，使O2气为40sccm、压力为0.3Pa，高频等离子体电力为300W、DC偏电压为30W、蚀刻时间为10秒，关于Ta层的蚀刻，使CF4气为50sccm、压力为0.6Pa，高频等离子体电力为500W、DC偏电压为60W，蚀刻时间每一个室为15秒、2个室合计为30秒来进行蚀刻。
接着，在碳保护膜的成膜工序中，使进行了掩模层除去处理的处理基板依次地移动到作为碳保护膜的成膜工序的2个处理室19、20内，采用CVD法在磁性层上成膜出5nm厚的碳保护膜。成膜时间为15秒。
最后，在从运载器卸下处理基板的工序中，使成膜处理了的处理基板移动到从运载器卸下处理基板的处理室54内，以1.5秒/片的速度从运载器25卸下处理完的基板。
如以上所述，根据本发明的磁记录介质的制造方法和制造装置，能够使用在线式的制造装置进行所谓的离散介质的制造中的很多的工序，因此能够减少处理基板的处理工序而防止污染，能够提高磁记录介质的生产率。
产业上的利用可能性
本发明能够适用于在硬盘装置等中所使用的磁记录介质的制造方法和制造装置，更详细地讲，能够适用于具有被磁分离了的磁记录区域的所谓的离散介质或图案介质的制造方法以及实现该制造方法的制造装置。
附图标记说明
1...基板盒移载机器手台(装载机构、卸下机构)；
2...基板供给机器手室(装载机构)；
3...基板盒移载机器手(装载机构、卸下机构)；
5、6、8～13、15、16、18～20...处理室(室)；
6、8...处理室(图案化室)；
10～12...处理室(改性室)；
16、18...处理室(除去室)；
19、20...处理室(保护膜形成室)；
22...基板卸下机器手室(卸下机构)；
25...运载器；
34...基板供给机器手(装载机构)；
49...基板卸下机器手(卸下机构)；
52...基板安装室(装载机构)；
54...基板卸下室(卸下机构)；
80...非磁性基板；
83...记录磁性层；
83a...磁记录图案；
84...保护层；
810...磁性层；
840...掩模层。

Claims (7)

1.一种磁记录介质的制造方法，是将装载于运载器的多片非磁性基板依次运送到相互接续的多个室内，制造具有磁记录图案的磁记录介质的方法，其特征在于，依次地具有：
装载工序，将至少层叠有记录磁性层和用于将所述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器；
改性工序，通过对所述记录磁性层之中的没有被所述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案；
除去所述掩模层的除去工序；
在所述记录磁性层上形成保护膜的保护膜形成工序；以及，
从所述运载器卸下所述非磁性基板的卸下工序，
将所述改性工序、所述除去工序或所述保护膜形成工序中的任一个以上的工序分成多个室而连续处理。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述改性工序中的所述磁特性的改性为非磁性化。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在所述装载工序与所述改性工序之间，进行将所述掩模层图案化的图案化工序。
4.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在所述非磁性基板的两面形成所述记录磁性层，并且，在所述改性工序中，对所述非磁性基板的两面同时地进行所述反应性等离子处理或所述离子照射处理。
5.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，采用选自离子枪、ICP、RIE中的任一种方法进行所述反应性等离子处理或所述离子照射处理。
6.一种磁记录介质的制造装置，是将装载于运载器的多片的非磁性基板依次运送到相互接续的多个室内，制造具有磁记录图案的磁记录介质的装置，其特征在于，具有：
将至少层叠有记录磁性层和用于将所述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载机构；
改性室，该改性室具有通过对所述记录磁性层之中的没有被所述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的机构；
除去所述掩模层的除去室；
具有在所述记录磁性层上形成保护膜的机构的保护膜形成室；以及，
从所述运载器卸下成膜后的非磁性基板的卸下机构，
所述改性室、所述除去室或所述保护膜形成室中的任一种以上的室的每一个具有多个且连续。
7.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造装置，其特征在于，在所述装载机构与所述改性室之间具有将所述掩模层图案化的图案化室。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5724746B2 (ja) * 2011-08-16 2015-05-27 富士電機株式会社 複数の磁気記録媒体をｕｖ処理する方法
US8871528B2 (en) 2011-09-30 2014-10-28 HGST Netherlands B.V. Medium patterning method and associated apparatus
KR101590082B1 (ko) * 2011-11-23 2016-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 실리콘 산화물 화학 기상 증착 포토레지스트 평탄화를 위한 장치들 및 방법들
JP6040074B2 (ja) * 2013-03-27 2016-12-07 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法
SG10201401376TA (en) * 2013-12-27 2015-07-30 Showa Denko Kk Film-forming apparatus, carrier and method of manufacturing substrate on which film is formed
KR101714733B1 (ko) * 2015-08-13 2017-03-09 한국기계연구원 로봇용 로딩유닛의 탈부착장치, 이를 이용한 로봇 및 로봇의 제어방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027618A (en) * 1995-03-30 2000-02-22 Anelva Corporation Compact in-line film deposition system
US6841224B2 (en) * 2001-03-30 2005-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of patterning magnetic products using chemical reactions

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992017621A1 (en) * 1991-04-04 1992-10-15 Conner Peripherals, Inc. Apparatus and method for high throughput sputtering
JPH06131658A (ja) * 1992-10-21 1994-05-13 Sony Corp 磁気記録媒体の製造方法
JP3371062B2 (ja) * 1996-11-05 2003-01-27 株式会社日立製作所 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置
US6087704A (en) * 1997-09-30 2000-07-11 National Science Council Structure and method for manufacturing group III-V composite Schottky contacts enhanced by a sulphur fluoride/phosphorus fluoride layer
JP2000149329A (ja) * 1998-11-04 2000-05-30 Seiko Epson Corp 情報記録担体及びその製造方法
US6168845B1 (en) * 1999-01-19 2001-01-02 International Business Machines Corporation Patterned magnetic media and method of making the same using selective oxidation
JP2001247963A (ja) * 2000-03-03 2001-09-14 Shimadzu Corp Ｅｃｒスパッタ成膜装置
JP2003141719A (ja) * 2001-10-30 2003-05-16 Anelva Corp スパッタリング装置及び薄膜形成方法
JP2004164692A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Toshiba Corp 磁気記録媒体及びその製造方法
US7147790B2 (en) * 2002-11-27 2006-12-12 Komag, Inc. Perpendicular magnetic discrete track recording disk
US20050036223A1 (en) * 2002-11-27 2005-02-17 Wachenschwanz David E. Magnetic discrete track recording disk
US7161753B2 (en) * 2005-01-28 2007-01-09 Komag, Inc. Modulation of sidewalls of servo sectors of a magnetic disk and the resultant disk
US8389048B2 (en) * 2006-02-10 2013-03-05 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium, method for production thereof and magnetic recording and reproducing device
US8213118B2 (en) * 2006-02-14 2012-07-03 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium, method for production thereof and magnetic recording and reproducing device
JP4221415B2 (ja) * 2006-02-16 2009-02-12 株式会社東芝 磁気記録媒体の製造方法
WO2007097438A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-30 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium, method for production thereof, and magnetic recording and reproducing device
JP4597933B2 (ja) * 2006-09-21 2010-12-15 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法、並びに磁気記録再生装置
JP4634354B2 (ja) * 2006-09-22 2011-02-16 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法
JP4881908B2 (ja) * 2007-06-19 2012-02-22 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
JP4794514B2 (ja) * 2007-07-11 2011-10-19 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法および製造装置
JP2010020841A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Showa Denko Kk インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
JP2010027175A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Showa Denko HD Singapore Pte Ltd 炭素膜の形成方法、磁気記録媒体の製造方法、及び炭素膜の形成装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027618A (en) * 1995-03-30 2000-02-22 Anelva Corporation Compact in-line film deposition system
US6841224B2 (en) * 2001-03-30 2005-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of patterning magnetic products using chemical reactions

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Publication number Publication date
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