JP2000149329A - 情報記録担体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】磁気と光の技術を融合した超高密度メモリー用
情報記録担体を製造する製造設備を新規に開発・投資す
る必要がある。また、両面同時スパッタでの製法では表
裏に磁気特性のバラツキが大きくなり実用に耐えない。 【解決手段】新規な情報記録担体の構造を考案し、従来
の光ディスク製造設備インフラストラクチャーを利用し
て超高密度メモリー用情報記録担体を製造できた。案内
溝（グルーブ）やプリピットなどの凹凸パターン基板１
０１の凹凸パターン側に情報層１０３を片面成膜する。
この情報層１０３上に保護機能と潤滑機能を有した保護
層１０５を塗布又はスパッタ法などで形成する。次に基
板側に紫外線硬化樹脂などハードコート層１０９を塗
布、露光硬化させる。こうしてできた物理的に略類似し
た二つの情報基体を情報層１０３を外側、言い換えると
ハードコート層１０９を各々内側にしてホットメルト樹
脂や熱硬化型のエポキシ系樹脂等接着層１０７で貼りあ
わせることにより超高密度メモリー用情報記録担体が完
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的又は磁気的
又はその両方を用いて、読み出し又は書き込み可能な情
報構体、特に最近研究され始めた光記録技術と磁気記録
技術を組み合わせたＯＡＷ（Optically Assisted Winch
ester）に代表されるＦＦＲ（Far Field Recording）又
はＮＦＲ（Near Field Recording）等の近接場記録方式
を用いた情報記録担体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来光学的に読み書きする情報記録担体
光ディスクは、通常、案内溝（グルーブ）やプリピット
などの凹凸パターンを備えたスタンパを用いて基板を作
製する。その手段として、感光性材料が塗布されたガラ
ス原盤、石英原盤、又はSiウエハー等の上にレーザビー
ムを連続的に又は、光変調して露光、記録する方法が一
般的に用いられている。上記露光によって感光された感
光性材料は、現像によって凹凸パターンが作製され、そ
の表面にメッキを施すことにより金属表面に転写されて
スタンパが作製される。

【０００３】次に、この案内溝（グルーブ）やプリピッ
トなどの凹凸パターンを備えたスタンパを用いて、射出
成形法又は紫外線硬化樹脂を用いた２P法などの方法で
その凹凸パターンを転写することにより基板が作製され
る。一般的に射出成形法の場合は通常一枚のスタンパか
ら約１０万枚の基板が作製可能であり、２Ｐ法のケース
ではスタンパとの離型性の良い紫外線硬化樹脂を利用す
ることで、１００万枚の基板作製も可能である。

【０００４】第４図に従来の光ディスクの構成を示す。

【０００５】前述のようにスタンパから射出成形法又は
紫外線硬化樹脂を用いた２P法などの方法で作製された
案内溝（グルーブ）やプリピットなどの凹凸パターンを
備えた基板４０１に情報層４０３として誘電体膜／記録
膜／誘電体膜／反射膜を形成する。

【０００６】書換型光ディスクのケースには記録できる
ミニディスクの様な光磁気ディスクとＤＶＤ−ＲＡＭの
様な相変化ディスクの２種類がある。光磁気ディスクの
場合は、情報層４０３はスパッタリングによりＳｉＮ系
／ＴｂＦｅＣｏ系／ＳｉＮ系／Ａｌ系を連続で成膜す
る。最近超解像や多層記録方式も提案され、光磁気記録
層が２〜７層であるものや光磁気記録膜間に誘電体膜が
形成されたものも多数提案されている。例えばＯＰＴＲ
ＯＮＩＣＳ（１９９８）Ｎｏ．４ １２３頁 表１の２層
４値記録膜の実際例の様に、基板／ＳｉＮ／ＴｂＦｅＣ
ｏ／ＳｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＰｔＣｏ媒体を複数の波長
を有したレーザーで読み出す多重メモリー等もその例で
ある。

【０００７】相変化ディスクの場合は、情報層４０３の
代表的な構成として、ＺｎＳ、ＳｉＯ2複合系／ＧｅＳ
ｂＴｅ系又はＡｇＩｎＳｂＴｅ系／ＺｎＳ、ＳｉＯ2複
合系／Ａｌ系を成膜する。

【０００８】次に再生専用ディスクのケースにはＣＤ−
ＲＯＭの様に情報源としての凹凸ピットが既に基板刻ま
れている。その上に反射膜としてＡｌ系の膜をスパッタ
する。実際には凹凸ピットに情報が入るわけであるが、
ここでは反射膜のＡｌを情報層４０３とみることにす
る。

【０００９】更に一度だけ書き込めるＣＤ−Ｒがある。
基板にはトラックサーボ用の溝がトラック状に刻まれて
いる。この基板に有機色素をスピン塗布し、更に反射膜
としてＡｕやＡｌ系の膜がスパッタされる。この有機色
素をレーザーであぶり凹凸に形状変化させ、情報を記録
する。ここでは有機色素と反射膜を合わせて情報層４０
３とする。

【００１０】上記の様に光ディスクには記録再生方式、
構造、記録材料等非常に多種の方式があり、これらは本
発明の主旨とは異なる為、第４図中には形成された記録
膜、誘電体膜、反射膜、有機色素層等各々又はそれらの
組み合わせを総称して情報層４０３と表した。

【００１１】これらの情報層の上に耐環境性及びスクラ
ッチ性を向上する為に保護層４０５をスピンコートす
る。通常は紫外線硬化樹脂が用いられたり、フィルムを
貼りあわせたりしている。

【００１２】通常、光ディスクは基板４０１に光学的に
透明で且つコストが安いことからポリカーボネイト樹脂
が使用されているケースが多いが、このポリカーボネイ
トはスクラッチ硬度が柔らかいことと静電気が発生する
という２つの課題がある。これらを改善する為、基板側
に帯電防止剤を含んだハードコート層４０９が塗布され
る。

【００１３】さて、これで片面に情報層を有した情報基
体が完成するが、光ディスクの場合は情報層を内側にし
２つの情報基体を接着層４０７で貼り合せ、情報記録担
体が完成する。例えば１．２ｍｍの基板ハードコート層
表面に５ミクロンの塵埃が付着した場合に読み書きする
光ピックアップ信号に与える信号劣化は、情報層を内側
にして貼り合せ、基板ハードコート面側から光ピックア
ップで読み書きすることで、１００００分の１以下に抑
えられる。これが、光ディスクがリムーバブル媒体とし
て使える非常に大きな特徴である。

【００１４】一方、従来の磁気ディスク駆動装置につ
き、説明する。磁気ディスク駆動装置の多くは固定型
で、磁気ヘッドが磁気ディスクに対して０．１ミクロン
前後の浮上量を確保しながら磁気ディスクが１万回転／
分前後で回転する。０．１ミクロン前後の磁気ヘッド浮
上量を安定的に確保する為に塵埃防止構造が重要とな
る。リムーバブル磁気ディスクも市販されているが、こ
れは磁気ディスクを密封性の高いカートリッジに入れる
ことで塵埃混入を防いでいるが、その信頼性は高いとは
いえない。

【００１５】さて、次に従来の磁気ディスクの構造を第
５図を参照しながら説明する。

【００１６】基板５０１には表面をアルマイト処理した
アルミニウム又は表面強化処理したガラスが一般的に用
いられる。この基板５０１に両面同時スパッタリング法
で、記録膜のＣｏＣｒＴａや摺動性を持つカーボンをス
パッタする。ＣｏＣｒＴａ記録膜の磁気特性を安定化さ
せる為下地にＣｒが成膜される事もある。ここでは記録
膜及びカーボン含め情報層５０３とした。

【００１７】また、磁気ディスクには前述の光ディスク
のようなトラッキングサーボ用又はアドレス信号用凹凸
はなく、一枚一枚サーボトラッキング信号やアドレス信
号をサーボライターで磁気的に記録膜に書き込む。

【００１８】最近は磁気ヘッドにバルク材料でなく、薄
膜プロセスで形成した磁気抵抗素子を用いるようにな
り、面密度を向上できるようになった。更に巨大磁気抵
抗素子の開発により磁気感度が大幅に向上でき、記録密
度の更なる向上が期待できるようになってきたが、水平
磁気記録の場合には反磁界の影響があり、１平方インチ
当たり１０ギガビットが限界とも言われている。

【００１９】そこで、光ディスク技術と磁気ディスク技
術を組み合わせ、更なる大容量のメモリーを考案しよう
とする開発が盛んになってきた。光ディスクで使用して
いる案内溝（グルーブ）やプリピットなどの凹凸パター
ンを備えたスタンパを用いて基板を作製し、その基板上
に光磁気記録媒体を多層にした磁気超解像技術や、光ビ
ームサイズを波長限界以上に絞り込めるＳＩＬ（Ｓｏｌ
ｉｄ ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｌｅｎｓ）等の光ピックアッ
プと磁気ディスクで用いられている空気浮上原理を応用
し、レンズを記録媒体の光ディスクに近接させる方式で
ある。

【００２０】この開発状況を詳述した文献の一例とし
て、ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ（１９９８）Ｎｏ．４ Ｐ．１
１５〜Ｐ．１６５の特集「超高密度化を目指す光メモリ
ー」が参考になる。今後更に新たな方式が提案されるで
あろうが、本文ではこの光ディスクメモリーと磁気ディ
スクメモリーを合体させたＯＡＷやＮＦＲ/ＦＦＲ製品
を総称して「超高密度メモリー」と呼ぶことにする。さ
て、現在はこの超高密度メモリー用媒体の膜構造、読み
出し方式については多数の研究が進められている。この
超高密度メモリー用媒体の構造を第６図に示す。

【００２１】基板６０１は２Ｐ法で案内溝（グルーブ）
やプリピットなどの凹凸パターン６２７を両面に設けた
Ａｌ基材やガラス基材か、アモルファスポリオレフィン
等のエンジニアリングプラスティックで射出成形したも
のが用いられる。次に情報層６０３として例えば光磁気
媒体の場合はＡｌ／ＳｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＧｄＦｅＣ
ｏ／ＳｉＮ／ＧｄＦｅＣｏ／ＳｉＮが挙げられる。更に
ＭＲヘッド（磁気抵抗素子）、薄膜コイルやＳＩＬ等光
ピックアップを有した光学磁気ヘッドのＣＳＳ（コンタ
クトスタートストップ）向上の為に、摺動性が高く情報
層の保護効果もある紫外線硬化樹脂やカーボン膜等の保
護層６０５を設ける。

【００２２】しかし、現在はこの超高密度メモリー用媒
体は、その膜構造、読み出し方式については多数の研究
が進められているが、生産方式に関してはほとんど論じ
られていないのが実態である。

【００２３】この超高密度メモリー用媒体の製法につい
ては、第８図に示すような方法が考えられる。

【００２４】案内溝（グルーブ）やプリピットなどの凹
凸パターンを備えたスタンパ８１５を２枚準備し、射出
成形機又は２Ｐ設備に設け、両面同時に凹凸パターン８
１７が転写された基板を作製する。射出成形法の場合は
基板８０１と基板両側の凹凸パターン８１７は機械的に
安定したアモルファスポリオリフィンやエンジニアリン
グプラスティックが一体で成形される。又はコストの安
さからポリカーボネイト樹脂が使われることもある。こ
の近接場方式の超高密度メモリー用媒体は基板を通して
読み書きする光ディスクと異なり、この基板８０１は光
学的に透明である必要はない。成形性が高く高速回転時
の機械強度が高いものが望ましい。２Ｐ法の転写方法の
ケースでは基板８０１はアルミニウムでもガラスでも構
わない。表面に形成される凹凸パターン８１７形成に放
射線硬化樹脂を用いることができる。次にスパッタリン
グ装置等を用いて両側に同種のターゲット８１９を設
け、両面同時にスパッタし、情報層８２１を作製する。
後に保護塗膜槽８２３にデッピングし、保護層８２５を
作製する。

【００２５】つまり、磁気ディスクは第５図に示したよ
うに基板５０１に磁気薄膜と潤滑薄膜からなる情報層５
０３を両面に同時にスパッタ形成する設備が基本となっ
ている。一方、光ディスクは第４図に示すように案内溝
（グルーブ）やプリピットなどの凹凸パターンを備えた
基板４０１の凹凸パターン側の片面に保護膜、光磁気
膜、保護膜、反射膜等を層上に成膜した情報層４０３を
形成し、保護層４０５やハードコート層４０９を形成し
た２枚の情報基体を接着層４０７で貼り合せていた。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】超大容量メモリー媒体
の製造方法は、第８図に示すように基板の両側に案内溝
（グルーブ）やプリピットなどの凹凸パターン８１７を
形成した上に Ａｌ／ＳｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＧｄＦｅ
Ｃｏ／ＳｉＮ／ＧｄＦｅＣｏ／ＳｉＮ 等光磁気膜と保
護膜を多層化した情報層８２１を形成する為に、少なく
とも７チャンバーが必要であり、更に生産性を上げる目
的でタクトタイムを律速している薄膜のチャンバー数を
増やすと１０チャンバー前後のスパッタチャンバー数が
必要になる。これは、記録膜が相変化であるＧｅＳｂＴ
ｅをＺｎＳ−ＳｉＯ２等の保護膜で鋏み、多層化した超
解像相変化媒体でも同様な状況である。

【００２７】更に両面同時に成膜できる設備は光業界に
はインフラストラクチャーがなく、新たに開発する必要
がある。結果的に、超高密度メモリー用の情報記録担体
の製造コストが非常に高くなるという問題が発生してく
る。

【００２８】また、両面同時の放電スパッタリングは、
成膜される基板の表裏に対し、チャンバーの電気的な対
称性、放電ガスや反応ガスの流れの対称性を極力同等に
する必要があるなど解決すべき技術的な課題が大きい。

【００２９】例えば、筆者らが所有する両面同時スパッ
タを行った結果を第９図に示す。作製したディスクはフ
ラットＰＣ基板上にＳｉＮ／Ｔｂ２２Ｆｅ６５Ｃｏ１３
／ＳｉＮ／Ａｌを形成した。保磁力Ｈｃ（単位：ＫＯｅ
キロエルステッド）測定は室温、半径方向及び９０度毎
に基板の表裏で比較した。例えば第９図（ａ）におい
て、Ｎｏｒｔｈ方向、半径５０ｍｍでのＡ面の保磁力は
１２．７ＫＯｅであるのに対し、第９図（ｂ）に示した
Ｂ面の同じポイントでは１６．５ＫＯｅもあり、表Ａ面
／裏Ｂ面での保持力の違いは４ＫＯｅ弱と非常に大きく
なり、超高密度記録媒体としては不適切であることは明
らかである。しかも、更に近接場記録方式の光磁気層が
多層の媒体では、制御性は容易ではない。また、相変化
媒体の誘電体ＺｎＳ、ＳｉＯ2の複合材料ターゲットを
スパッタするケースはＲＦ（高周波）スパッタリングが
必要であり、この高周波スパッタリングを行うとその両
面同時成膜の難易度は放電プラズマの広がりのため更に
増えてしまう。

【００３０】そこで、筆者は従来の製造設備インフラを
用いて、容易に超高密度メモリー用情報記録担体が製造
できる方式及びその構造を考案した。

【００３１】

【課題を解決するための手段】超高密度メモリー用情報
記録担体の総厚の略半分の厚みの案内溝（グルーブ）や
プリピットなどの凹凸パターン基板を作製し、光磁気記
録膜、相変化膜、色素膜、反射膜など情報層を凹凸パタ
ーン側に片面形成し、物理的に略類似した二つの前記情
報基体を前記情報層を外側、言い換えると前記基板側を
内側にして直接乃至は間接的に貼りあわせた構造を有し
た情報記録担体及びその製造方法を考案した。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例について、
図面を参照しながら説明する。

【００３３】[実施例１]第１図〜第３図は、請求項１の
実施形態に関わる超高密度メモリー用情報記録担体を示
す構成図である。

【００３４】案内溝（グルーブ）やプリピットなどの凹
凸パターンを有した基板１０１の凹凸パターン側に情報
層１０３を片面成膜する。情報層１０３は記録膜、保護
膜、反射膜、色素膜等の一部又は複合からなり、通常の
光ディスクの製造方法と全く同じである。この情報層１
０３上に保護機能と潤滑機能を有した保護層１０５を塗
布又はスパッタ法などで形成する。次に基板側に紫外線
硬化樹脂などハードコート層１０９を塗布、露光硬化さ
せる。こうしてできた物理的に略類似した二つの情報基
体を情報層１０３を外側、言い換えるとハードコート層
１０９を各々内側にしてホットメルト樹脂や熱硬化型の
エポキシ系樹脂等接着層１０７で貼りあわせることによ
り超高密度メモリー用情報記録担体が完成する。

【００３５】また、情報基体の接着の他の方法として
は、第２図に示すように嫌気性紫外線硬化樹脂接着層２
０７を大気中でスピンコートし、真空中で貼り合せるこ
とで、脱泡、硬化する方法や、第３図に示すように情報
基体の片方に円周状に紫外線硬化樹脂を垂らし、２つの
情報基体を貼り合せることで全面に紫外線硬化接着層３
０７を充填し、後に紫外線を照射し硬化させる方法でも
よいことがわかった。

【００３６】最終的には、駆動装置のスピンドルから伝
わる熱や一分に１万回転前後の高速回転に際し、情報記
録担体の機械特性が変化しないよう接着方法や接着剤を
検討するべきである。

【００３７】[実施例２］次に、請求項１についての実
施形態に関わる製造方法を第７図を用いて説明する。

【００３８】案内溝（グルーブ）やプリピットなどの凹
凸パターン７１７を有した基板７０１は射出成形にて作
製した。基板材料は光ディスクのように光ピックアップ
のレーザー波長光に対し光学的に透明である必要は全く
無い。熱的且つ高速回転時に安定性高い材料が望まし
い。具体的にはアモルファスポリオリフィンやポリスチ
レンなどエンジニアリングプラスティックが望ましい。
また、２Ｐ法の場合には強化処理したガラス基材又はア
ルマイト処理したＡｌ基材に紫外線硬化樹脂により凹凸
パターン７１７をスタンパから転写させたものでも良
い。次に凹凸パターン７１７側に情報層７０３を片面成
膜する。情報層７０３は記録膜、誘電体膜、反射膜、有
機色素膜等の一部又は複合からなり、通常の光ディスク
の製造方法と全く同じである。この情報層７０３上に保
護機能と潤滑機能を有した保護層７０５を塗布するか、
又はＳＩＬ等の浮上型光学ヘッドの摺動耐久性を高める
為カーボンをスパッタ法などで形成するのも良い。次に
基板側に空気が有ると硬化せず、真空中で硬化する嫌気
性紫外線硬化樹脂接着層７０９を塗布する。嫌気性紫外
線硬化樹脂接着層の替りに熱硬化性エポキシ系の樹脂で
もよいが、生産性を考えると嫌気性紫外線硬化樹脂接着
層の方が望ましい。こうしてできた物理的に略類似した
二つの情報基体を情報層７０３を外側、言い換えると接
着層７０９を各々内側にして真空中７１１にて貼りあわ
せる。真空中にする理由は接着層中に巻き込んだ空気泡
を残し、部分的な接着又は未硬化のまま駆動装置にて高
速回転させると、機械特性的に不安定な情報記録担体と
なるからである。その後、貼り合せ外周端の未硬化接着
剤や貼り合せ面の完全硬化を促進させる為、放射線ラン
プ７１３により紫外線照射・硬化させる。こうして超高
密度メモリー用情報記録担体が完成する。

【００３９】［実施例３]次に、本発明の方式による片
面スパッタを行った結果を第１０図に示す。第１０図の
ディスク作製方法は第９図で使用したスパッタ装置と同
じスパッタ装置で片面だけスパッタした。膜の厚み、構
造、ターゲットも従来と本発明で全く同じとし、フラッ
トＰＣ基板上にＳｉＮ／Ｔｂ２２Ｆｅ６５Ｃｏ１３／Ｓ
ｉＮ／Ａｌを形成した。

【００４０】６００枚の基板に繰り返し同じ条件で成膜
した。その中から１００枚毎ディスクを抽出し、ディス
ク測定位置をＮｏｒｔｈ方向、半径４０ｍｍと５０ｍｍ
に限定して、室温で保磁力Ｈｃ[ＫＯｅ]を測定したもの
が第１０図である。

【００４１】半径４０ｍｍでは１２．８ＫＯｅ〜１３．
４ＫＯｅ、半径５０ｍｍでは１１．８ＫＯｅ〜１２．７
ＫＯｅと従来の方式に比べバラツキが約１ＫＯｅ以内と
なった。つまり、本方式の２つの情報基体を貼り合せる
事により、表裏の特性が安定した情報記録担体が製造で
きる事が分かった。

【００４２】[実施例４]ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒのような
有機色素を塗布した一度だけ書き込める光ディスク、又
はＤＶＤ−ＲＯＭのような、再生専用型光ディスクにお
いても、本発明による効果がある。ＲもＲＯＭも書き込
んだ後は凹凸のピットに動画や音声などの情報が刻み込
まれているが、読み出す時は凹凸ピットの反射率差で読
み出す。本発明の情報記録担体の片面の内の一部表面又
は両面の内の片面側にＲやＲＯＭを設け、他方の面に実
施例１のような多層の光磁気記録媒体を設けても良い。
両面に設けられたＳＩＬピックアップで、片面のＲＯＭ
又はＲに書き込まれたＯＳやアプリケーションを読み出
しながら、別の面に設けられた記録再生できる記録面に
アプリケーションのバージョンアップ情報を記録した
り、ユーザーが作製した辞書等オリジナル情報を蓄積す
る事ができる。

【００４３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の情報記録担体によると、従来の光ディスクの製造設備
がそのまま使用でき、両面の情報層の特性も安定する、
高品位な超高密度メモリー用情報記録担体を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報記録担体を示す図。

【図２】本発明の情報記録担体を示す図。

【図３】本発明の情報記録担体を示す図。

【図４】従来の光ディスクを示す図。

【図５】従来の磁気ディスクを示す図。

【図６】本発明の情報記録担体の製造方法を示す図。

【図７】本発明の情報記録担体の製造方法を示す図。

【図８】従来の情報記録担体の製造方法を示す図。

【図９】従来の情報記録担体の磁気特性を示す図。

【図１０】本発明の情報記録担体の磁気特性を示す図。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１、４０１、５０１
基板 １０３、２０３、３０３、４０３、５０３
情報層 １０５、２０５、３０５、４０５
保護層 １０７、２０７、３０７、４０７
接着層 １０９、４０９
ハードコート層 ６０１
基板 ６０３
情報層 ６０５
保護層 ６２７
凹凸パターン ７０１
基板 ７０３
情報層 ７０５
保護層 ７０９
接着層 ７１１
真空槽 ７１３
放射線ランプ ７１７
凹凸パターン ８０１
基板 ８１５
スタンパ ８１７
凹凸パターン ８１９
ターゲット ８２１
情報層 ８２３
保護塗膜槽 ８２５
保護層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】トラック状に配置され、かつ光学的又は磁
   気的又はその両方を用いて、読み書き可能な情報構体用
   の情報層を両面外側に配置する情報記録担体にあって、
   物理的に略類似した二つの基板上に各々少なくとも片面
   に情報層を設けた情報基体を前記情報層を外側、言い換
   えると前記基板側を内側にして直接乃至は間接的に貼り
   あわせたことを特徴とする情報記録担体
2. 【請求項２】上記請求項１記載の情報層を基板上に片面
   に設けた情報基体にあって、物理的に略類似した二つの
   情報基体の基板側に放射線硬化樹脂を塗布する工程、前
   記二つの放射線硬化樹脂を塗布した情報基体を基板面側
   を対向させる工程、二つの放射線硬化樹脂を塗布した情
   報基体を真空中にて貼りあわる工程、貼り合わされた二
   つの情報基体に放射線照射し前記放射線硬化樹脂を硬化
   させる工程、とによって作製されたことを特徴とする情
   報記録担体の製造方法
3. 【請求項３】上記請求項1記載の情報層を基板上に片面
   に設けた情報基体にあって、前記二つの物理的に略類似
   した情報基体を基板面側を対向させる工程、二つの物理
   的に略類似した情報基体の内の一つの情報基体に放射線
   硬化樹脂を塗布する工程、前記二つの物理的に略類似し
   た情報基体を真空中にて合わせる工程、合わされた二つ
   の情報基体に放射線照射し前記放射線硬化樹脂を硬化、
   貼り合せる工程、とによって作製されたことを特徴とす
   る情報記録担体の製造方法
4. 【請求項４】上記請求項1記載の情報層を基板上に片面
   に設けた情報基体にあって、前記二つの物理的に略類似
   した情報基体を基板面側を対向させる工程、二つの物理
   的に略類似した情報基体の内の一つの情報基体にエポキ
   シ系樹脂と紫外線硬化樹脂の混合物を塗布する工程、前
   記二つの物理的に略類似した情報基体を真空中にて合わ
   せる工程、合わされた二つの情報基体に熱もしくは放射
   線を照射し前記混合物を硬化させる工程、とによって作
   製されたことを特徴とする情報記録担体の製造方法