JP2009157983A - 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法である。この製造方法は、磁気記録パターンの形成を、磁性層とオゾンとの反応により磁性層の磁気特性を部分的に非磁性化等により磁気特性を低下させ、その低下させた領域により磁性層を分離する方法である。
磁性層としてはグラニュラ構造の磁性層の上に非グラニュラ構造の磁性層を形成した2層構造とすることもできる。
【選択図】図1
Description
面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚を確保する必要がある。しかし、記録ビットを微細化していくと、1ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
このような熱揺らぎの問題やSNRの確保、あるいは十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体表面にトラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的に分離することによってトラック密度を上げようとする試みがなされている。このような技術を以下にディスクリートトラック法、それによって製造された磁気記録媒体をディスクリートトラック媒体と呼ぶ。
この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層が形成されており、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と物理的に分断された磁気記録領域が形成されている。
ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法と、あらかじめ基板表面に直接、あるいはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法とがある(例えば、特許文献2,特許文献3参照。)。このうち、前者の方法は、しばしば磁気層加工型とよばれる。一方で、後者はしばしばエンボス加工型とよばれる。
さらに特許文献5には、磁性層をイオンミリング加工するためのマスクに炭素を用いることが記載されている。また特許文献6には、基板上にFe,Co,Niのいずれかの元素を含む強磁性体層を形成し、強磁性体層表面を選択的にマスクし、露出部をハロゲンを含む反応ガスに曝し、化学反応により該露出部およびその下層を、化学的に磁性を変質させ、非強磁性体領域とすることが記載されている。
本発明は、記録密度の増加に伴い、技術的困難に直面している磁気記録装置において、従来と同等以上の記録再生特性を確保しつつ、記録密度を大幅に増加させた磁気記録媒体を効率よく生産する技術を提供することを課題とする。
(1)非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、該製造方法は、磁気記録パターンの形成を、磁性層とオゾンとの反応により磁性層の磁気特性を部分的に変化させることにより行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
(2)非磁性基板に磁性層を形成する工程、該磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に磁気記録パターンのネガパターンを形成する工程、マスク層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、マスクが除去された磁性層の箇所をオゾンで暴露する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程を、この順で有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
(4)オゾンと反応させる磁性層が、磁性粒子の周囲を酸化物が覆ったグラニュラ構造の磁性層であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
(5)非磁性基板にグラニュラ構造の磁性層を形成する工程、該磁性層の上に非グラニュラ構造の磁性層を形成する工程、非グラニュラ構造の磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に磁気記録パターンのネガパターンを形成する工程、マスク層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、非グラニュラ構造の磁性層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、非グラニュラ構造の磁性層が除去された箇所のグラニュラ構造の磁性層をオゾンで暴露する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程を、この順で有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
(7)磁性層の表層部の除去深さが、0.1nm〜15nmの範囲内であることを特徴とする上記(3)または(6)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(9)オゾンと反応させる磁性層の表面を、あらかじめ、フッ素系ガスに暴露することを特徴とする上記(1)〜(8)のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
(10)磁性層を除去した箇所に非磁性材料を埋め込む工程を有することを特徴とする上記(3)〜(9)のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
(11)マスク層が炭素であることを特徴とする上記(1)〜(10)のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
(12)炭素マスク層の膜厚が、5nm〜40nmの範囲内であることを特徴とする上記(11に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(14)オゾンで暴露する工程に続くレジスト層およびマスク層を除去する工程の後、不活性ガスで磁性層の表層をエッチングする工程を有することを特徴とする上記(2)〜(13)のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
(15)上記(1)〜(14)のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造した磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を組み合わせて具備してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
本発明では、磁気記録パターンを形成するためのマスク層にレジストおよび炭素膜を使用し、またこのマスク層のパターン化に、SiO2系レジストおよびO2ガスを用いたドライエッチング技術、特に、反応性イオンエッチングまたは反応性イオンミリングを使用することにより、垂直に切り立った精度の高いマスク層を形成することが可能となる。
また、本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体を使用しているので、ヘッドの浮上特性に優れており、磁気記録パターン分離性能に優れ、隣接パターン間の信号干渉の影響を受けないので、高記録密度特性に優れた磁気記録再生装置が得られる。
本発明の磁気記録媒体の製造方法を、ディスクリート型磁気記録媒体を例にしてさらに具体的に説明する。
磁気記録媒体は、一般に非磁性基板の表面に軟磁性層および中間層、磁気的パターンが形成された磁性領域および非磁性領域と保護膜層が形成されており、さらに最表面には潤滑膜が形成された構造を有している。そして記録トラック領域である磁性領域が非磁性領域により分離された構造を有する。
図1は本発明の製造方法で得られた磁気記録媒体の一実施形態であるが、図には基板と磁性層のみを示す。
図1において、1は非磁性基板、2はその上に形成された磁性層である。磁性層2には所定の箇所にその表層部が除去されて凹部22が形成されている。dは凹部の深さである。凹部の下部は非磁性化等により磁気特性が低下した領域21である。この磁気特性低下領域21と凹部22により、磁性層2が分離される。
図3に示すように、製造工程は非磁性基板1に、少なくとも磁性層2を形成する工程A、磁性層2の上に炭素マスク層3を形成する工程B、炭素マスク層3の上にレジスト層4を形成する工程C、レジスト層4に磁気記録パターンのネガパターン(記録トラックを分離するため、記録トラックに対応してレジスト層に凹部を形成したものを本発明ではネガパターンという)を、スタンプ5を用いて転写することにより形成する工程D(工程Dにおける矢印はスタンプ5の動きを示す。)、レジスト層4、炭素マスク層3の磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程E、炭素マスク3が除去されて露出した磁性層2の表層部を除去する工程及び表層部が除去された磁性層にオゾンを暴露する工程F、レジスト4および炭素マスク層3を除去する工程Gを、この順に有するものである。
図2は本発明の別の実施形態の磁気記録媒体を示すもので、図1における工程Fにおいて、表層部の除去工程を行わずにオゾンを暴露し、磁気特性低下領域21を形成したものである。
以下、磁気記録媒体の製造方法を工程の順番に詳細に説明する。
例えば、面内磁気記録媒体用の磁性層としては、非磁性のCrMo下地層と強磁性のCoCrPtTa磁性層からなる積層構造が利用できる。
垂直磁気記録媒体用の磁性層としては、例えば軟磁性のFeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCuなど)、FeTa合金(FeTaN、FeTaCなど)、Co合金(CoTaZr、CoZrNB、CoBなど)等からなる裏打ち層と、Pt、Pd、NiCr、NiFeCrなどの配向制御膜と、必要によりRu等の中間膜、及び60Co−15Cr−15Pt合金や70Co−5Cr−15Pt−10SiO2合金からなるグラニュラ構造の磁性層を積層したものを利用することがきる。
磁性層の厚さは、3nm以上20nm以下、好ましくは5nm以上15nm以下とする。磁性層は使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。磁性層の膜厚は再生の際に一定以上の出力を得るにはある程度以上の磁性層膜厚が必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメーターは出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な膜厚に設定する必要がある。
通常、磁性層はスパッタ法により薄膜として形成する。
炭素マスク層の膜厚は5nm〜40nmの範囲内とするのが好ましく、より好ましくは10nm〜30nmの範囲内とする。炭素マスク層の膜厚が5nmより薄いと、マスク層のエッジ部分がだれて磁気記録パターンの形成特性が悪化する。また、レジスト層、マスク層を透過したイオンが磁性層に侵入して、磁性層の磁気特性を悪化させる。一方、炭素マスク層が40nmより厚くなると、炭素マスク層のエッチング時間が長くなり生産性が低下する。また、炭素マスク層をエッチングする際の残渣が磁性層表面に残留しやすくなる。
本発明の磁気記録媒体の製造方法では、図3の工程Dで示した、レジスト層4に磁気記録パターンのネガパターン形成後の、レジスト層4の凹部の厚さ8を、0〜20nmの範囲内とするのが好ましい。レジスト層4の凹部の厚さ8をこの範囲とすることにより、図3の工程Eで示した炭素マスク層3および磁性層のエッチング工程において、マスク層3のエッジの部分のダレを無くし、マスク層のミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層による磁気記録パターン形成特性を向上させることができる。
本発明は、磁性層で炭素マスク及びレジストに覆われていない箇所に真空中でオゾンガスを暴露するか、もしくは純水にオゾンガスを溶存させたものに反応させるが、その工程の前に、該箇所の表層部(図3の工程Fのd)を0.1nm〜15nmの範囲内で除去する工程を設けるのが好ましい。磁性層の表層部は、その上に積層した炭素マスク層や、大気の影響によって変質している場合があり、そのような変質層があると、磁性層のオゾンに対する反応が効果的に作用しない場合があるからである。磁性層の除去は、例えば炭素マスク層をイオンミリング、または、反応性イオンエッチングなどでドライエッチングした後に、引き続き、磁性層をイオンミリングにてドライエッチングする。このような方法を採用することにより、残された磁性層のエッジ部を垂直に形成することが可能となる。これは、磁性層の上の炭素マスク層が垂直に切り立った形状であるため、その下の磁性層も同様の形状となるからである。
本発明では、前述のように、炭素マスクの反応性イオンエッチングを、酸素ガスを用いて行うのが好ましい。また、磁性層のイオンミリングを、アルゴン、窒素等の不活性ガスを用いて行うことが好ましい。すなわち、炭素マスク層のミリングイオンと磁性層のミリングイオンとを、それぞれ最適なものに変えるのが好ましい。
本発明では、磁性層で炭素マスク及びレジストに覆われていない箇所をオゾンで処理する前に、その表面をフッ素系ガスに暴露するのが好ましい。このような処理を行うことにより、磁性層表面の反応性を高め、オゾンと磁性材料との反応をより効率的に実現することが可能となる。
本発明でオゾンガスもしくはオゾン溶存純水に暴露する磁性層として、グラニュラ構造の磁性層を用いるのが好ましい。グラニュラ構造の磁性層とは、磁性粒子の周囲を酸化物が覆った構造を有する磁性層であり、磁性結晶が非磁性相で分離されているため、磁性粒間の磁気的相互作用が微弱であり、かつ、磁性結晶粒が微細であるので極めて低ノイズの磁性層を形成できる特徴を有する。このような磁性層をオゾンガスもしくはオゾン溶存純水に暴露した場合、粒界に存在する酸化物層を、選択的にフッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチング装置などでの処理によりエッチングでき、磁性層中のCoなどの金属とオゾンとの酸化反応が促進でき、より効率よく磁性層の磁気特性を変化させることができる。
グラニュラ構造の磁性層の厚さは5〜10nmが好ましく、非グラニュラ構造の磁性層の厚さは2〜7nmが好ましい。
本発明では、磁性層の凹部(図1の22、図4、5の 23)に非磁性材料を埋め込むことができる。このような方法を用いることにより、磁気記録媒体の表面平滑度をより高めることができる。この際の非磁性材料としては、SiO2系のSOGを用いるのが作業の簡便性から好ましい。
また本発明では、磁性層の凹部が15nm以下の場合は、該箇所に非磁性材料を埋め込まないことも可能である。凹部がこの程度の範囲の場合は、その表面を直接炭素保護膜で覆うことにより、磁気ヘッドをクラッシュさせることなく、磁気記録媒体表面に浮上させることが可能である。
本発明の、磁気的に分離した磁気記録パターンとは、磁性層が磁気記録媒体の表面側から見て分離されていれば、磁性層の底部において分離されていなくとも、本発明の目的を達成することが可能であり、本発明の、磁気的に分離した磁気記録パターンの概念に含まれる。さらに、本発明の磁気記録パターンとは、磁気記録パターンが1ビットごとに一定の規則性をもって配置されたものや、磁気記録パターンが、トラック状に配置されたものや、その他、サーボ信号パターン等を含んでいる。
本発明では、磁性層を部分的にオゾンガスに暴露した後、磁性層の上に設けられているレジスト層および炭素マスク層を除去する工程を設ける。本発明の、レジスト層およびマスク層の除去に際しては、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリングなどの手法を用いるのが好ましい。
本発明では、レジスト層および炭素マスク層を除去した後の磁性層(磁性領域および非磁性材料を埋め込んだ領域、または非磁性材料を埋め込まない凹部の領域。)の表面に保護膜層9を形成する。保護膜層としては、炭素(C)、水素化炭素(HxC)、窒素化炭素(CN)、アルモファスカーボン、炭化珪素(SiC)等の炭素質層やSiO2、Zr2O3、TiNなど、通常用いられる保護膜層材料を用いることができる。また、保護膜層が2層以上の層から構成されていてもよい。
保護膜の上には潤滑層を形成することが好ましい。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられ、通常1〜4nmの厚さで潤滑層を形成する。
初めにオゾン処理前後の磁化量変化を見るための試験例を示す。
(試験例1〜22、比較試験例1〜7)
HD用ガラス基板をセットした真空チャンバをあらかじめ1.0×10-5Pa以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板はLi2Si2O5、Al2O3−K2O、Al2O3−K2O、MgO−P2O5、Sb2O3−ZnOを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径65mm、内径20mm、平均表面粗さ(Ra)は2オングストロームである。
該ガラス基板にDCスパッタリング法を用いて、軟磁性層として60Fe30Co10B、中間層としてRu、グラニュラ構造の磁性層として70Co−5Cr−15Pt−10SiO2合金の順に薄膜を積層した。それぞれの層の膜厚は、60Fe30Co10B軟磁性層は60nm、Ru中間層は10nm、磁性層は15nmとした。
この表面を、試験例1〜8、試験例12〜19、比較試験例1、2、比較試験例4〜6については、ICPを用いて処理し、磁性層の表面を約3nm除去した。ICPによる処理条件は、CF4ガスを10sccm、圧力0.1Pa、加速電圧300V、投入電力200W、基板バイアス20W、エッチング時間を45秒とした。試験例9〜11、試験例20〜22、比較試験例3、7については磁性層のICPによる処理を行わなかった。また、比較試験例1〜3はアルゴン(Ar)雰囲気下とした。
HD用ガラス基板をセットした真空チャンバをあらかじめ1.0×10-5Pa以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板はLi2Si2O5、Al2O3−K2O、Al2O3−K2O、MgO−P2O5、Sb2O3−ZnOを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径65mm、内径20mm、平均表面粗さ(Ra)は2オングストロームである。
該ガラス基板にDCスパッタリング法を用いて、軟磁性層として60Fe30Co10B、中間層としてRu、グラニュラ構造の磁性層として70Co−5Cr−15Pt−10SiO2合金、P−CVD法を用いて炭素マスク層の順に薄膜を積層した。それぞれの層の膜厚は、60Fe30Co10B軟磁性層は60nm、Ru中間層は10nm、磁性層は15nm、炭素マスク層は30nmとした。その上に、SiO2レジストをスピンコート法により塗布した。膜厚は100nmとした。
先ず、凹部に残っていたレジスト層をCF4を用い、0.5Pa・40sccmでプラズマ電力200w、バイアス20w、エッチング時間10秒で除去した。
その後、レジスト層の凹部の箇所について、炭素マスク層をドライエッチングで、磁性層の表層部をイオンエッチングで除去した。ドライエッチング条件は、炭素マスク層についてはO2ガスを40sccm、圧力0.3Pa,高周波プラズマ電力300W、DCバイアス30W、エッチング時30秒とした。
その後、磁性層で炭素マスク層に覆われていない箇所をオゾンガスに暴露した。オゾンガスの暴露は、チャンバ内にオゾンガスを40sccmで流し、1Pa、10秒、基板温度150℃の条件にて行った。
その後、磁気記録媒体表面の炭素マスク層およびレジスト層をドライエッチングにより除去した。その後、イオンミリング装置にてAr 10sccm,0.5Pa、5秒の条件にて磁性層の表面を約1〜2nmの範囲でエッチングし、CVD法によりカーボン保護膜5nmを成膜し、最後にフッ素系潤滑膜2nmを塗布し、磁気記録媒体の製造を完了した。
磁性層として基板上にグラニュラ構造のCo10Cr20Pt8(SiO2) を10nm、その上に非グラニュラ構造のCo14Cr14Pt4bを5nm積層した。グラニュラ構造の表層部の除去深さは5.5nmとした。他の条件は実施例1と同様にした。実施例1同様電磁変換特性の評価を実施したところ、3T−squashは92%であった。
L 磁気パターンにおける非磁性部幅
1 非磁性基板
2 磁性層
21 非磁性領域
2−1 グラニュラ構造の磁性層
2−2 非グラニュラ構造の磁性層
22、23 凹部
3 炭素マスク層
4 レジスト層
5 スタンプ
6 イオンミリング
7 磁性層で部分的に除去した箇所
8 レジスト層の凹部の厚さ
9 保護膜
d 磁性層の除去した深さ
11 媒体駆動部
27 磁気ヘッド
28 ヘッド駆動部
29 記録再生信号系
30 磁気記録媒体
Claims (15)
- 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、該製造方法は、磁気記録パターンの形成を、磁性層とオゾンとの反応により磁性層の磁気特性を部分的に変化させることにより行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 非磁性基板に磁性層を形成する工程、該磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に磁気記録パターンのネガパターンを形成する工程、マスク層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、マスクが除去された磁性層の箇所をオゾンで暴露する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程を、この順で有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 非磁性基板に磁性層を形成する工程、該磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に磁気記録パターンのネガパターンを形成する工程、マスク層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、マスク層の除去により露出した磁性層の表層部を除去する工程、表層部が除去された磁性層の箇所をオゾンで暴露する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程を、この順で有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- オゾンと反応させる磁性層が、磁性粒子の周囲を酸化物が覆ったグラニュラ構造の磁性層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 非磁性基板にグラニュラ構造の磁性層を形成する工程、該磁性層の上に非グラニュラ構造の磁性層を形成する工程、非グラニュラ構造の磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に磁気記録パターンのネガパターンを形成する工程、マスク層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、非グラニュラ構造の磁性層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、非グラニュラ構造の磁性層が除去された箇所のグラニュラ構造の磁性層をオゾンで暴露する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程を、この順で有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 非磁性基板にグラニュラ構造の磁性層を形成する工程、該磁性層の上に非グラニュラ構造の磁性層を形成する工程、非グラニュラ構造の磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に磁気記録パターンのネガパターンを形成する工程、マスク層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、非グラニュラ構造の磁性層でネガパターンに対応する部分を除去する工程、非グラニュラ構造の磁性層が除去された箇所のグラニュラ構造の磁性層の表層部を除去する工程、表層部が除去されたグラニュラ構造の磁性層の箇所をオゾンで暴露する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程を、この順で有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 磁性層の表層部の除去深さが、0.1nm〜15nmの範囲内であることを特徴とする請求項3または6に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- オゾンと磁性層との反応が、オゾンガスと磁性層との反応、または、オゾンガスを含む液体と磁性層との反応であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- オゾンと反応させる磁性層の表面を、あらかじめ、フッ素系ガスに暴露することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 磁性層を除去した箇所に非磁性材料を埋め込む工程を有することを特徴とする請求項3〜9のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- マスク層が炭素であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 炭素マスク層の膜厚が、5nm〜40nmの範囲内であることを特徴とする請求項11に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- レジスト層へのパターン形成を、スタンプを用いた転写により行うことを特徴とする請求項2〜12のいずれに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- オゾンで暴露する工程に続くレジスト層およびマスク層を除去する工程の後、不活性ガスで磁性層の表層をエッチングする工程を有することを特徴とする請求項2〜13のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項1〜14のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造した磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を組み合わせて具備してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
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