JP5186345B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5186345B2 JP5186345B2 JP2008306654A JP2008306654A JP5186345B2 JP 5186345 B2 JP5186345 B2 JP 5186345B2 JP 2008306654 A JP2008306654 A JP 2008306654A JP 2008306654 A JP2008306654 A JP 2008306654A JP 5186345 B2 JP5186345 B2 JP 5186345B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- magnetic layer
- magnetic recording
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 369
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 274
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 10
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 8
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- -1 acrylate ester Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007476 Maximum Likelihood Methods 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-IGMARMGPSA-N Neon-20 Chemical compound [20Ne] GKAOGPIIYCISHV-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
(1)磁性層の表面にパターニングしたマスク層を設け、このマスク層を用いてイオンミリング等により磁性層を物理的に加工する方法。
(2)磁性層の表面に設けたマスク層を用いて磁性層に部分的にイオン注入等を行い、磁性層の磁気特性を部分的に改質して磁気記録パターンを形成する方法。
(1) 磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
非磁性基板の上に第1の磁性層を形成する第1の工程と、
前記第1の磁性層の上に前記磁気記録パターンに対応した形状にパターニングされたレジスト層を形成する第2の工程と、
前記第1の磁性層の前記レジスト層が形成された面上を覆う第2の磁性層を形成する第3の工程と、
前記レジスト層をその上に形成された前記第2の磁性層と共に除去する第4の工程と、
前記第1の磁性層を部分的に除去する、又は、前記第1の磁性層の磁気特性を部分的に改質する第5の工程とを、少なくとも有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
(2) 前記第5の工程において、前記第1の磁性層の前記第2の磁性層に覆われていない箇所を部分的に除去する、又は、当該箇所の磁気特性を部分的に改質することを特徴とする前項(1)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(3) 前記第5の工程において、前記第1の磁性層の表層部分を除去し、その除去した部分の下層の磁気特性を改質することを特徴とする前項(1)又は(2)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(4) 前記第5の工程において、第1の磁性層の表層部分を除去し、その除去した部分の下層の磁気特性を改質する際に、イオンビーム照射を用いることを特徴とする前項(3)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(5) 前記イオンビーム照射により前記第1の磁性層を除去した部分に非磁性材料を埋め込まずに保護層を形成する工程を含むことを特徴とする前項(4)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(6) 前記第3の工程と前記第4の工程との間に、前記レジスト層が表出するまで前記第2の磁性層を除去し、且つその表面を平坦化する工程を含むことを特徴とする前項(1)〜(5)の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(7) 第1の磁性層がグラニュラ構造の磁性層であり、第2の磁性層がグラニュラ構造ではない磁性層であることを特徴とする前項(1)〜(6)の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
本発明は、磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、例えば図1(a)〜(f)に示すように、非磁性基板10の上に第1の磁性層11を形成する第1の工程と、第1の磁性層11の上に磁気記録パターンMPに対応した形状にパターニングされたレジスト層12を形成する第2の工程と、第1の磁性層11のレジスト層12が形成された面上を覆う第2の磁性層13を形成する第3の工程と、レジスト層12をその上に形成された第2の磁性層13と共に除去する第4の工程と、第1の磁性層11を部分的に除去する、又は、第1の磁性層11の磁気特性を部分的に改質する第5の工程とを、少なくとも有することを特徴とする。
本発明において、磁気特性を改質するとは、イオンビーム照射を用いて、磁性層の一部にイオンを注入し、この部分を非磁性化する、又は、この部分の保磁力(Hc)や飽和磁化(Ms)などを低下させることを言う。
従来の製造方法では、先ず、図2(a)に示すように、非磁性基板100の上に第1の磁性層101を形成した後に、この第1の磁性層101の上に、例えばフォトリソグラフィー法やナノインプリント法などを用いて、磁気記録パターンMP’に対応した形状にパターニングされたレジスト層102を形成する。また、レジスト層102は、図2(b)に示すように、パターンを転写した後に、磁性層101が表出するまで、イオンミリング等により除去される。
次に、本発明を適用して製造される磁気記録媒体の具体的な構成について、例えば図3に示すディスクリート型の磁気記録媒体30を例に挙げて詳細に説明する。
なお、以下の説明において例示される磁気記録媒体30はほんの一例であって、本発明を適用して製造される磁気記録媒体はそのような構成に必ずしも限定されるものではなく、上述した非磁性基板10や第1及び第2の磁性層11,13以外の構成については適宜変更して実施することが可能である。
次に、本発明を適用した磁気記録再生装置(HDD)の一構成例を図3に示す。
本発明を適用した磁気記録再生装置は、図3に示すように、上記本発明を適用して製造された磁気記録媒体30と、この磁気記録媒体を回転駆動する回転駆動部(磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部)31と、磁気記録媒体30に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド32と、磁気ヘッド32を磁気記録媒体30の径方向に移動させるヘッド駆動部(磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動手段)33と、磁気ヘッド32への信号入力と磁気ヘッド32から出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系(記録再生信号処理手段)34とを備えている。
実施例1では、先ず、HD用ガラス基板をセットした真空チャンバを予め1.0×10−5Pa以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板はLi2Si2O5、Al2O3−K2O、Al2O3−K2O、MgO−P2O5、Sb2O3−ZnOを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径65mm、内径20mm、平均表面粗さ(Ra)は2オングストローム(単位:Å、0.2nm)である。
10…非磁性基板 11…第1の磁性層 12…レジスト層 13…第2の磁性層
30…磁気記録媒体 31…媒体駆動部 32…磁気ヘッド 33…ヘッド駆動部 34…記録再生信号系
Claims (7)
- 磁気的に分離された磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
非磁性基板の上に第1の磁性層を形成する第1の工程と、
前記第1の磁性層の上に前記磁気記録パターンに対応した形状にパターニングされたレジスト層を形成する第2の工程と、
前記第1の磁性層の前記レジスト層が形成された面上を覆う第2の磁性層を形成する第3の工程と、
前記レジスト層をその上に形成された前記第2の磁性層と共に除去する第4の工程と、
前記第1の磁性層を部分的に除去する、又は、前記第1の磁性層の磁気特性を部分的に改質する第5の工程とを、少なくとも有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記第5の工程において、前記第1の磁性層の前記第2の磁性層に覆われていない箇所を部分的に除去する、又は、当該箇所の磁気特性を部分的に改質することを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第5の工程において、前記第1の磁性層の表層部分を除去し、その除去した部分の下層の磁気特性を改質することを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第5の工程において、第1の磁性層の表層部分を除去し、その除去した部分の下層の磁気特性を改質する際に、イオンビーム照射を用いることを特徴とする請求項3に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記イオンビーム照射により前記第1の磁性層を除去した部分に非磁性材料を埋め込まずに保護層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第3の工程と前記第4の工程との間に、前記レジスト層が表出するまで前記第2の磁性層を除去し、且つその表面を平坦化する工程を含むことを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第1の磁性層をグラニュラ構造の磁性層とし、前記第2の磁性層をグラニュラ構造ではない磁性層とすることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008306654A JP5186345B2 (ja) | 2008-12-01 | 2008-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
US12/626,380 US8303828B2 (en) | 2008-12-01 | 2009-11-25 | Method for manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording-reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008306654A JP5186345B2 (ja) | 2008-12-01 | 2008-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010129164A JP2010129164A (ja) | 2010-06-10 |
JP5186345B2 true JP5186345B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=42329437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008306654A Expired - Fee Related JP5186345B2 (ja) | 2008-12-01 | 2008-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8303828B2 (ja) |
JP (1) | JP5186345B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9311948B2 (en) * | 2008-12-31 | 2016-04-12 | Seagate Technology Llc | Magnetic layering for bit-patterned stack |
JP4929384B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2012-05-09 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体 |
JP6076214B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2017-02-08 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置、磁気記録方法及び磁気再生方法 |
US10506722B2 (en) * | 2013-07-11 | 2019-12-10 | Hsio Technologies, Llc | Fusion bonded liquid crystal polymer electrical circuit structure |
US10667410B2 (en) | 2013-07-11 | 2020-05-26 | Hsio Technologies, Llc | Method of making a fusion bonded circuit structure |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05205257A (ja) | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
JP3691780B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2005-09-07 | Tdk株式会社 | パターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法 |
US6996894B2 (en) * | 2002-03-28 | 2006-02-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making magnetic heads with improved contiguous junctions |
JP2004164692A (ja) | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
US7147790B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-12-12 | Komag, Inc. | Perpendicular magnetic discrete track recording disk |
US20050036223A1 (en) | 2002-11-27 | 2005-02-17 | Wachenschwanz David E. | Magnetic discrete track recording disk |
US7118680B2 (en) * | 2003-11-20 | 2006-10-10 | Headway Technologies, Inc. | Self-alignment scheme for enhancement of CPP-GMR |
US7161753B2 (en) | 2005-01-28 | 2007-01-09 | Komag, Inc. | Modulation of sidewalls of servo sectors of a magnetic disk and the resultant disk |
JP2006309841A (ja) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tdk Corp | 磁性パターン形成方法、磁気記録媒体、磁気記録再生装置 |
JP2006331578A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
JP4634354B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2011-02-16 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2008135092A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置 |
US8168312B2 (en) | 2007-02-05 | 2012-05-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and a method of manufacturing the same |
JP2008217959A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-09-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP2008204529A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体および磁気記録装置 |
JP2008226395A (ja) | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク、この磁気ディスクの製造に用いられるスタンパ、および磁気ディスクの製造方法 |
JP2008287811A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
JP4110199B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
2008
- 2008-12-01 JP JP2008306654A patent/JP5186345B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-25 US US12/626,380 patent/US8303828B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8303828B2 (en) | 2012-11-06 |
JP2010129164A (ja) | 2010-06-10 |
US20100182717A1 (en) | 2010-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4881908B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
JP2008135092A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置 | |
JP4488236B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置 | |
JP2008052860A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録再生装置 | |
JP2008077756A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 | |
JP2007226862A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置 | |
JP2007273067A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置 | |
JP5478251B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4843825B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
JP4634354B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5186345B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5244380B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
JP2010140544A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置 | |
JP5140527B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 | |
JP5427441B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5334865B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 | |
JP5412196B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
JP5114285B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 | |
JP2011054254A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
JP2010140541A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置 | |
WO2010058548A1 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
JP5698952B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 | |
JP2010152978A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 | |
JP2010165398A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
JP2011023081A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110902 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |