CN101916743B - 电流控制用tft基板的制造方法 - Google Patents

电流控制用tft基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101916743B
CN101916743B CN2010102373554A CN201010237355A CN101916743B CN 101916743 B CN101916743 B CN 101916743B CN 2010102373554 A CN2010102373554 A CN 2010102373554A CN 201010237355 A CN201010237355 A CN 201010237355A CN 101916743 B CN101916743 B CN 101916743B
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
electrode
boss
resist layer
source electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010102373554A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101916743A (zh
Inventor
井上一吉
矢野公规
田中信夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Publication of CN101916743A publication Critical patent/CN101916743A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101916743B publication Critical patent/CN101916743B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G09G2320/0295—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel by monitoring each display pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

电流控制用TFT基板制造方法，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，用第1掩模形成扫描线、开关管栅极及栅极线；层叠开关管栅极绝缘膜；层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，用第2半色调掩模形成数据线、开关管源极线、源极、沟道部、漏极、漏极线、驱动管栅极线及栅电极；层叠驱动管栅极绝缘膜；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，用第3掩模形成驱动管活性层；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，用第4掩模或第4半色调掩模形成EL驱动线、驱动管源极线、源极、沟道部、漏极、漏极线及像素电极；和层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，用第5掩模使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台及像素电极露出。

Description

电流控制用TFT基板的制造方法
本申请是申请号为200780013174.X(申请日：2007.4.10；发明名称：电光学装置、电流控制用TFT基板及其制造方法)的分案申请。
技术领域
本发明涉及电光学装置、电流控制用TFT基板及其制造方法。特别是采用本发明的电光学装置、电流控制用TFT基板及其制造方法后，能够直接控制交流电流，输出高频的交流电流，另外还能够稳定地输出大电力，进而能够降低制造成本。
背景技术
有机EL显示装置，作为取代LCD(Liquid Crystal Dispiay)显示装置的下一代的显示装置及固体照明，令人瞩目。其理由是因为有机EL(Electronic Luminescence)元件是自发光元件，所以视场角依存性较小的缘故。另外，还因为有机EL元件不需要背景灯及反射光，所以具有节电等优异的特性的缘故。
另外，作为有机EL显示装置的驱动方式，有单纯矩阵驱动方式和有源矩阵驱动方式。有源矩阵驱动方式，在画质及应答速度等方面优于单纯矩阵驱动方式。有源矩阵驱动方式的有机EL显示装置，具有在各像素上形成开关晶体管及驱动晶体管等的TFT(薄膜晶体管)基板(通常还称作“电流控制用TFT基板”)。该有机EL显示装置利用上述TFT基板，控制流入各有机EL元件的电流量。
上述有源矩阵驱动方式的有机EL显示装置，具有优异的特性。但是驱动晶体管的特性存在离差后，各像素中流入各有机EL元件的电流量就互不相同。这时就会产生亮度不匀。另外，因为有机EL元件是电流发光装置，所以能够利用电流的大小使发光强度变化。但是，使其连续发光时，伴随着时间的流逝，发光强度下降。
为了解决上述弊端，人们提出了具有各种驱动电路的有机EL显示装置的方案。
(现有技术例)
例如专利文献1公布了可以光学性地反馈的地址可图像显示像素的技术。该地址可图像显示像素，在基板上形成光传感器和反馈读出电路。光传感器在基板上形成，与发光体光学性地结合。该光传感器对发光体发出的光做出反应，生成反馈电压信号，所以能够检出发光体发出的光。另外，反馈读出电路具备复位单元及选择开关。该复位单元对反馈电压信号做出反应，输出表示发光体的光输出的反馈信号。另外，复位单元将晶体管放大器及读出电路复位。
另外，专利文献2公布了修正TFT特性的离差导致的亮度不匀的电光学装置的技术。该电光学装置，在有源矩阵结构中，没有给各像素设置电流测量元件，可是测量流入有机EL元件的电流。该电光学装置，矩阵状地配置有源元件和有机EL元件，配置多条向有机EL元件供给电流的电流供给线，在各电流供给线中设置电流测量元件。该电光学装置向一条扫描线供给扫描电压，与之同步地向各数据线供给规定的数据电压，利用电流测量元件测量流入有机EL元件的电流值。接着，该电光学装置向同一条扫描线供给扫描电压，与之同步地向各数据线供给使电光学元件为0灰度的数据信号。然后，该电光学装置对各扫描线不进行上述驱动动作，根据获得的电流测量值，修正供给各有源元件的数据电压。
另外，专利文献3公布了给各像素设置旨在补偿驱动晶体管的特性离差的补偿晶体管的电光学装置的技术。该电光学装置具备由各像素的驱动晶体管和补充晶体管构成的电流反射镜电路。该电光学装置使各像素的驱动晶体管和补充晶体管的放大系数一致。这样，即使各像素形成的驱动晶体管发生离差，也能够向各像素的驱动晶体管供给相同大小的电流。所以，能够抑制起因于驱动晶体管的特性离差的亮度不匀。
专利文献1：JP特开2003-271098号公报
专利文献2：JP特开2002-278513号公报
专利文献3：JP特开2006-39574号公报
可是，在上述专利文献1、3公布的技术中，各像素的构成要素增大，结构变得复杂。这样就存在着成品率下降的问题，以及不能够降低制造成本的问题。
另外，在专利文献3公布的技术中，在制造阶段使各像素的驱动晶体管和补充晶体管的放大系数一致。这样，能够抑制起因于驱动晶体管的特性离差的亮度不匀。可是，长时间使用后，各像素的驱动晶体管和补充晶体管的通电时间就会不同。而且存在着劣化导致的性能的差异变大，作为亮度不匀出现的问题。
进而，在专利文献2公布的技术中，电流测量元件与一条向多个(n个)有机EL元件供给电流的电流供给线连接。这样，对于同一列的各像素，能够测量流入1个有机EL元件的电流。但是，需要在测量期间，使电流不流入同一列的其它像素(其理由是因为如果电流流入同一列的多个像素，就不能够测量流入1个像素的有机EL元件的电流变动量的缘故)。就是说，需要在使电流不流入同一列的其它像素的状态下进行测量，存在着测量条件受到限制的问题。
另外，一般的有机EL显示装置，具有配置着使用了多个硅半导体的薄膜晶体管的电流控制用TFT基板。但是，大量地流过电流时，存在着有可能使硅半导体劣化、不能够控制外加给有机EL发光元件的电压及电流时的问题。进而，大量地流过直流电流后，存在着有机EL发光装置的寿命变短的问题。
另外，作为电光学元件使用无机EL元件的电光学装置，利用交流电源驱动无机EL元件。该电光学装置不能够在一次驱动中进行交流驱动，而且在下一次的驱动中，使电压反转后驱动无机EL元件。就是说，尽管表面上成为交流驱动，但是在一次扫描中却是直流驱动。这样，为了提高交流驱动的频率，需要提高扫描的频率，存在着不能够实现高频化的问题。
发明内容
本发明就是针对上述情况研制的，其目的在于提供能够直接控制交流电流，输出高频的交流电流，还能够稳定地输出大电力，进而能够降低制造成本的电光学装置、电流控制用TFT基板及其制造方法。
为了达到上述目的，本发明的电流控制用TFT基板，是形成向电光学元件供给电流的驱动晶体管和控制该驱动晶体管的开关晶体管的电流控制用TFT基板，所述驱动晶体管的活性层，由氧化物半导体层构成。
这样，即使投入较大的交流电流及大电力，也与在驱动晶体管的活性层中使用非晶Si(硅)及多晶Si半导体的产品相比，其性能劣化较小。所以稳定性优异，而且能够提高耐久性。另外，如果在具有有机EL元件的发光装置中使用后，能够大大延长发光装置的寿命。
另外，在理想的方式中，所述开关晶体管的活性层，也可以由氧化物半导体层构成。
这样，与在开关晶体管的活性层中使用非晶Si及多晶Si半导体的产品相比，能够提高耐久性。
另外，在理想的方式中，所述驱动晶体管，具备源极线、漏极线、源极电极或漏极电极中的至少一个以上；所述源极线、漏极线、源极电极或漏极电极中的至少一个以上，由氧化物导电体层构成，而且该氧化物导电体层可以作为所述电光学元件的像素电极发挥作用。
这样，能够削减制造之际使用的掩模数量，削减制造工序。所以能够提高生产率，降低制造成本。另外，氧化物半导体层通常作为源极线、漏极线、源极电极、漏极电极及像素电极发挥作用。因此，能够高效率地制造源极线、漏极线、源极电极、漏极电极及像素电极。
另外，在理想的方式中，所述开关晶体管，具备源极线、漏极线、源极电极或漏极电极中的至少一个以上；所述源极线、漏极线、源极电极或漏极电极中的至少一个以上，可以由氧化物导电体层构成。
另外，在理想的方式中，所述电流控制用TFT基板，具备栅极线、源极线、漏极线、栅极电极、源极电极、漏极电极或像素电极中的至少一个以上；在所述栅极线、源极线、漏极线、栅极电极、源极电极、漏极电极或像素电极中的至少一个以上的上方，可以形成辅助导电体层。
这样，能够减少各布线及电极的电阻。所以能够提高可靠性，还能够抑制能量效率的下降。
另外，为了达到上述目的，本发明的电光学装置是具备被电流驱动的电光学元件和至少形成向该电光学元件供给电流的驱动晶体管和控制该驱动晶体管的开关晶体管的电流控制用TFT基板的电光学装置，所述电流控制用TFT基板，是上述权利要求1～5任一项所述的电流控制用TFT基板。
这样，即使投入较大的交流电流及大电力，也与在驱动晶体管的活性层中使用非晶Si及多晶Si半导体的产品相比，其性能劣化较小。所以稳定性优异，而且能够提高耐久性。另外，如果在具有有机EL元件的发光装置中使用后，能够大大延长发光装置的寿命。
另外，本发明的电光学装置是具备被电流驱动的电光学元件、向该电光学元件供给电流的驱动晶体管、控制该驱动晶体管的开关晶体管、旨在向所述驱动晶体管的栅极电极外加电容器电压的电容器、旨在测量供给所述电光学元件的电流的测量用晶体管的电光学装置，
所述开关晶体管的栅极线，与旨在控制所述开关晶体管的扫描线连接，该开关晶体管的源极线，与旨在控制向所述电光学元件供给的电流的数据线连接，该开关晶体管的漏极线，与所述驱动晶体管的栅极线及所述电容器的第1电极并联连接；所述驱动晶体管的源极线，与旨在向所述电光学元件供给电流的驱动线连接，该驱动晶体管的漏极线，与所述电光学元件、所述电容器的第2电极及所述测量用晶体管的源极线并联连接；所述测量用晶体管的栅极线，与所述扫描线连接，该测量用晶体管的漏极线，与旨在测量向所述电光学元件供给的电流的测量线连接。
这样，向扫描线供给直流电压后，开关晶体管及测量用晶体管就成为on状态。然后，通过开关晶体管作媒介，利用数据线供给的直流电压·电流，控制驱动晶体管的on状态。另外，还能够测量通过驱动晶体管及测量用晶体管，由驱动线流入测量线的直流电流。这样，能够通过测量线作媒介，控制数据线的电压·电流，直到供给电光学元件的直流电流成为所需的电流值为止，能够精调电光学的亮度。
进而，电容器的第1电极，与开关晶体管的漏极线及驱动晶体管的源极线并联连接。另外，电容器的第2电极，与驱动晶体管的漏极线、电光学元件及测量用晶体管的源极线并联连接。这样，在供给电光学元件的直流电流成为所需的电流值时，即使断开扫描线的电压，将开关晶体管及测量用晶体管置于off状态，也能够利用电容器积蓄的电压，使驱动晶体管维持on状态。就是说，通过测量用晶体管后被计测的直流电流，能够通过驱动晶体管作媒介，由驱动线供给电光学元件。这样，可以实现直流驱动型的电光学元件的稳定的发光。
另外，在理想的方式中，可以将所述电光学元件作为直流电流驱动型的电光学元件。
这样，可以实现直流电流驱动型的电光学元件的稳定的发光。
另外，在理想的方式中，可以将所述直流电流驱动型的电光学元件，作为有机EL元件及/或直流驱动型无机EL元件。
这样，可以实现有机EL元件及/或直流驱动型无机EL元件的稳定的发光。
另外，本发明的电光学装置是具备被电流驱动的电光学元件、向该电光学元件供给电流的驱动晶体管、控制该驱动晶体管的开关晶体管、旨在向所述驱动晶体管的栅极电极外加电容器电压的电容器、旨在测量供给所述电光学元件的电流的测量用晶体管的电光学装置，所述开关晶体管的栅极线，与旨在控制所述开关晶体管的扫描线连接，该开关晶体管的源极线，与旨在控制向所述电光学元件供给的电流的数据线连接，该开关晶体管的漏极线，与所述驱动晶体管的栅极线及所述电容器的第1电极并联连接；所述驱动晶体管的源极线，与旨在向所述电光学元件供给电流的驱动线连接，该驱动晶体管的漏极线，与所述电光学元件及所述测量用晶体管的源极线并联连接；所述电容器的第2电极，与旨在释放存储的电荷的电容器线连接；所述测量用晶体管的栅极线，与所述扫描线连接，该测量用晶体管的漏极线，与旨在测量向所述电光学元件供给的电流的测量线连接。
这样，向扫描线供给直流电压后，开关晶体管及测量用晶体管就成为on状态。然后，通过开关晶体管作媒介，利用数据线供给的直流电压·电流，控制驱动晶体管的on状态。另外，还能够测量通过驱动晶体管及测量用晶体管，由驱动线流入测量线的直流电流或交流电流。这样，能够通过测量线作媒介，控制数据线的电压·电流，直到供给电光学元件的直流电流或交流电流成为所需的电流值为止，能够精调电光学的亮度。
进而，电容器的第1电极，与开关晶体管的漏极线及驱动晶体管的栅极线并联连接。另外，电容器的第2电极，与被阴极接地的电容器线连接。这样，在供给电光学元件的直流电流或交流电流成为所需的电流值时，即使断开扫描线的电压，将开关晶体管及测量用晶体管置于off状态，也能够利用电容器积蓄的电压，使驱动晶体管维持on状态。就是说，通过测量用晶体管后被计测的直流电流或交流电流，能够通过驱动晶体管作媒介，由驱动线供给电光学元件。这样，可以实现直流驱动型或交流驱动型的电光学元件的稳定的发光。
另外，在理想的方式中，可以将所述电光学元件作为直流电流驱动型及/或交流驱动型的电光学元件。
这样，可以实现直流电流驱动型/或交流驱动型的电光学元件的稳定的发光。
另外，在理想的方式中，可以将所述直流电流驱动型/或交流驱动型的电光学元件，作为直流驱动型无机EL元件、有机EL元件及/或交流驱动型无机EL元件。
这样，可以实现直流驱动型无机EL元件、有机EL元件及/或交流驱动型无机EL元件的稳定的发光。
另外，在理想的方式中，可以在所述电流控制用TFT基板上上配置由所述电光学元件、开关晶体管、驱动晶体管、电容器及测量用晶体管构成的像素。
这样，能够在电光学装置中应用TFT(薄膜晶体管)技术。
另外，在理想的方式中，所述电流控制用TFT基板可以是上述权利要求1～5任一项所述的电流控制用TFT基板。
这样，即使投入较大的交流电流及大电力，也与在驱动晶体管的活性层中使用非晶Si及多晶Si半导体的产品相比，其性能劣化较小。所以稳定性优异，而且能够提高耐久性。因此能够大大延长电光学装置的寿命。
另外，在理想的方式中，具备旨在使所述电流控制用TFT基板动作的扫描线驱动电路、数据线驱动电路、电源线控制电路及电流测量电路；所述电流测量电路，测量供给所述电光学元件的电流，可以根据该电流的测量值，控制所述数据线驱动电路、扫描线驱动电路及电源线控制电路中的至少一个以上。
这样，能够测量供给电光学元件的电流。另外，可以根据该测量值，控制数据线驱动电路、扫描线驱动电路及电源线控制电路中的至少一个以上。所以，能够将设定的电流切实地供给电光学元件。
另外，为了达到上述目的，本发明的电流控制用TFT基板的制造方法，具有：在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，利用第1掩模形成扫描线、开关晶体管的栅极电极及栅极线的工序；层叠开关晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠具有非晶Si(硅)或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，使用第2半色调(half tone)掩模，形成数据线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；层叠驱动晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，使用第3掩模，形成驱动晶体管的活性(active)层的工序；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线及像素电极的工序；层叠驱动晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，使用第5掩模，使扫描线用凸台(pad)、数据线用凸台、EL驱动线用凸台及像素电极露出的工序。
这样，本发明作为TFT基板的制造方法也非常有效。就是说，使驱动晶体管的活性层成为n型氧化物半导体层。这样，即使向驱动晶体管投入较大的电流及大电力，驱动晶体管的性能劣化也较小。所以稳定性优异，而且能够提高TFT基板的耐久性。另外，能够使用第4半色调掩模，制造EL驱动线、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线及像素电极，能够减少使用的掩模数。从而能够削减制造工序。因此，能够提高生产效率，降低制造成本。进而，还形成保护用绝缘膜。这样，在TFT基板上设置有机材料、电极及保护膜后，能够很容易地获得有机EL显示装置。
另外，本发明的电流控制用TFT基板的制造方法，具有：在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，利用第1掩模形成扫描线、开关晶体管的栅极电极、栅极线及测量用晶体管的栅极电极、栅极线的工序；层叠开关晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠具有非晶Si(硅)或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，使用第2半色调掩模，形成数据线、电容器的第1电极、测量线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；层叠驱动晶体管、测量用晶体管及电容器用的栅极绝缘膜的工序；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，使用第3半色调掩模，形成驱动晶体管及测量用晶体管的活性层和测量线的接触孔的工序；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、电容器的第2电极、像素电极、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、测量用晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极及漏极线的工序；层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，使用第5掩模，使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台、测量线用凸台及像素电极露出的工序。
这样，能够向被直流电流驱动的电光学元件供给被电流测量电路测量的、和规定的预定值大致相同的值的驱动电流。因此，能够提供优质的图像。另外，使驱动晶体管及测量用晶体管的活性层成为n型氧化物半导体层。这样，即使向驱动晶体管及测量用晶体管投入较大的电流及大电力，驱动晶体管及测量用晶体管的性能劣化也较小。所以稳定性优异，而且能够提高TFT基板的耐久性。另外，能够减少使用的掩模数。从而能够削减制造工序。因此，能够提高生产效率，降低制造成本。
另外，本发明的电流控制用TFT基板的制造方法，具有：在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，利用第1掩模形成扫描线、开关晶体管的栅极电极、栅极线及测量用晶体管的栅极电极、栅极线的工序；层叠开关晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠具有非晶Si(硅)或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，使用第2半色调掩模，形成数据线、电容器的第1电极、测量线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；层叠驱动晶体管、测量用晶体管及电容器用的栅极绝缘膜的工序；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，使用第3半色调掩模，形成驱动晶体管及测量用晶体管的活性层、测量线的接触孔、数据线用凸台的开口部、扫描线用凸台的开口部及EL驱动线用凸台的开口部的工序；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、电容器的第2电极、像素电极、数据线用凸台、扫描线用凸台、测量线用凸台、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、测量用晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极及漏极线的工序；层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，使用第5掩模，使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台、测量线用凸台及像素电极露出的工序。
这样，能够在紧靠保护用绝缘膜的下层，形成数据线用凸台、扫描线用凸台、测量线用凸台及EL驱动线用凸台。所以，能够提高与数据线用凸台、扫描线用凸台、测量线用凸台及EL驱动线用凸台的连接性。
另外，本发明的电流控制用TFT基板的制造方法，具有：在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，利用第1掩模形成扫描线、电容器线、电容器的第2电极、开关晶体管的栅极电极、栅极线及测量用晶体管的栅极电极、栅极线的工序；层叠开关晶体管及电容器用的栅极绝缘膜的工序；层叠具有非晶Si(硅)或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，使用第2半色调掩模，形成数据线、电容器的第1电极、测量线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；层叠驱动晶体管及测量用晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，使用第3半色调掩模，形成驱动晶体管及测量用晶体管的活性层、测量线的接触孔的工序；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、像素电极、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、测量用晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极及漏极线的工序；层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，使用第5掩模，使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台、测量线用凸台及像素电极露出的工序。
这样，能够向被交流电力或直流电流驱动的电光学元件供给被电流测量电路测量的、和规定的预定值大致相同的值的驱动电流。因此，能够提供优质的图像。另外，使驱动晶体管及测量用晶体管的活性层成为n型氧化物半导体层。这样，即使向驱动晶体管及测量用晶体管投入较大的电流及大电力，驱动晶体管及测量用晶体管的性能劣化也较小。所以稳定性优异，而且能够提高TFT基板的耐久性。另外，能够减少使用的掩模数。从而能够削减制造工序。因此，能够提高生产效率，降低制造成本。
另外，本发明的电流控制用TFT基板的制造方法，具有：在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，利用第1掩模形成扫描线、电容器线、电容器的第2电极、开关晶体管的栅极电极、栅极线及测量用晶体管的栅极电极、栅极线的工序；层叠开关晶体管及电容器用的栅极绝缘膜的工序；层叠具有非晶Si(硅)或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，使用第2半色调掩模，形成数据线、电容器的第1电极、测量线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；层叠驱动晶体管及测量用晶体管用的栅极绝缘膜的工序；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，使用第3半色调掩模，形成驱动晶体管及测量用晶体管的活性层、测量线的接触孔、数据线用凸台的开口部、扫描线用凸台的开口部、测量线用凸台的开口部、电容器线用的开口部的工序；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、像素电极、数据线用凸台、扫描线用凸台、测量线用凸台、电容器线用凸台、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、测量用晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极及漏极线的工序；层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，使用第5掩模，使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台、测量线用凸台、电容器线用凸台及像素电极露出的工序。
这样，能够在紧靠保护用绝缘膜的下层，形成数据线用凸台、扫描线用凸台、测量线用凸台、电容器线用凸台及EL驱动线用凸台。#所以，能够提高与数据线用凸台、扫描线用凸台、测量线用凸台、电容器线用凸台及EL驱动线用凸台的连接性。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置的结构的方框图。
图2是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置的像素的结构而绘制的简要方框图。
图3表示为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。
图4是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第1掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出金属层成膜/第1抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第1腐蚀/第1抗蚀剂层剥离后的断面图，(c)示出第1抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的平面图。
图5是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第2半色调掩模275的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/α-Si:H(i)膜成膜/α-Si:H(n)膜成膜/金属层成膜/第2抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第2腐蚀/第2抗蚀剂层重新形成后的断面图，(c)示出第3腐蚀/第2抗蚀剂层剥离后的断面图。
图6是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的形成开关晶体管后的TFT基板的主要部位的平面图。
图7是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图8是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第3抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图9是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第5腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成后的断面图。
图10是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
图11是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第4抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图12是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第7腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
图13是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第5抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图14表示为了讲述本发明的第1实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。
图15是为了讲述本发明的第1实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第2半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第2抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第2腐蚀/第2抗蚀剂层重新形成后的断面图，(c)示出第3腐蚀/第2抗蚀剂层剥离后的断面图。
图16是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的形成开关晶体管后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图17是表示本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置的结构的方框图。
图18是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置的像素的结构而绘制的简要方框图。
图19表示为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。
图20是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第1掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出金属层成膜/第1抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第1腐蚀/第1抗蚀剂层剥离后的断面图，(c)示出第1抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的平面图。
图21是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第2半色调掩模275的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/α-Si:H(i)膜成膜/α-Si:H(n)膜成膜/金属层成膜/第2抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第2腐蚀/第2抗蚀剂层重新形成后的断面图，(c)示出第3腐蚀/第2抗蚀剂层剥离后的断面图。
图22是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的形成开关晶体管后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图23是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图24是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成后的断面图。
图25是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图26是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成后的断面图。
图27是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
图28是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第4抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图29是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
图30是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第5抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图31表示为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。
图32是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层重新形成后的断面图。
图33是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图34是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图35是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成/第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
图36是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第4抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图37是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
图38是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第5抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图39是表示本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置的结构的方框图。
图40是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置的像素的结构而绘制的简要方框图。
图41表示为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。
图42是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第1掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出金属层成膜/第1抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第1腐蚀/第1抗蚀剂层剥离后的断面图，(c)示出第1抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的平面图。
图43是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第2半色调掩模275的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/α-Si:H(i)膜成膜/α-Si:H(n)膜成膜/金属层成膜/第2抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第2腐蚀/第2抗蚀剂层重新形成后的断面图，(c)示出第3腐蚀/第2抗蚀剂层剥离后的断面图。
图44是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的形成开关晶体管后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图45是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图46是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图47是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层重新形成后的断面图。
图48是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成后的断面图。
图49是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
图50是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第4抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图51是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
图52是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第5抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图53表示为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。
图54是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层重新形成后的断面图。
图55是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图56是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
图57是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成/第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
图58是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第4抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
图59是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
图60是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的第5抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的简要平面图。
具体实施方式
[有机EL显示装置的第1实施方式]
图1是表示本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置的结构的方框图。
在图1中，作为电光学装置的有机EL显示装置1，具备数据线驱动电路11、扫描线驱动电路12、电源线控制电路13及电流控制用TFT基板100(适当的简称为“TFT基板100”)。另外，TFT基板100阵列状地配置着m(列：m为自然数)×n(行：n为自然数)个像素。
数据线驱动电路11通过第1数据线111、第2数据线112…第m数据线113作媒介，与各像素10连接。例如数据线驱动电路11通过第m数据线113作媒介，与第m列配置的n个像素10并联连接。该数据线驱动电路11向各像素10输出数据信号。
另外，扫描线驱动电路12通过第1扫描线121、第2扫描线122…第n扫描线123作媒介，与各像素10连接。例如扫描线驱动电路12通过第n扫描线123作媒介，与第n行配置的m个像素10并联连接。该扫描线驱动电路12向各像素10输出扫描信号。
进而，电源线控制电路13通过第1EL驱动线131、第2EL驱动线132…第m EL驱动线133作媒介，与各像素10连接。例如电源线控制电路13通过第m EL驱动线133作媒介，与第m列配置的n个像素10并联连接。该电源线控制电路13向各像素10供给驱动电流。
接着，参照附图，讲述像素10的结构。
图2是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置的像素的结构而绘制的简要方框图。
在图2中，像素10具有开关晶体管2、驱动晶体管3及有机EL元件4。另外，开关晶体管2及驱动晶体管3，作为薄膜晶体管在TFT基板100上形成。
开关晶体管2通过栅极线21作媒介，与扫描线120连接。另外，开关晶体管2通过源极线22作媒介，与数据线110连接。进而，开关晶体管2的漏极线23与驱动晶体管3的栅极线31连接。另外，驱动晶体管3通过源极线32作媒介，与EL驱动线130连接。进而，驱动晶体管3的漏极线33与有机EL元件4连接。
上述结构的TFT基板100，从扫描线120输入开关晶体管2的栅极信号(扫描信号)后，开关晶体管2就成为on状态。接着，从数据线110向驱动晶体管3的栅电极34外加数据信号(驱动晶体管3的栅极电压)，驱动晶体管3成为on状态。按照该栅极电压，决定驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值，由EL驱动线130向有机EL元件4供给与数据信号对应的驱动电流。然后，有机EL元件4以与该驱动电流对应的亮度发光。
此外，本实施方式的有源矩阵结构，是基本性的结构。但是并不局限于这种结构。例如可以设置旨在保持驱动晶体管3的on状态的电容器等。
另外，本发明的有机EL显示装置1，将驱动晶体管3的活性层作为氧化物半导体层的n型氧化物半导体层371。这样，即使投入较大的交流电流及大电力，也与在驱动晶体管的活性层中使用非晶Si及多晶Si半导体的产品相比，其性能劣化较小。所以有机EL显示装置1的稳定性优异，而且能够提高TFT基板100的耐久性。因此，能够大大延长有机EL显示装置1的寿命。
接着，参照附图，讲述上述TFT基板100的制造方法及结构。首先讲述TFT基板100的制造方法。
[电流控制用TFT基板的制造方法的第1实施方式]
图3表示为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。此外，本实施方式的制造方法与《权利要求书》的第16条对应。
在图3中，首先在基板上依次层叠金属层210及第1抗蚀剂层211，利用第1掩模212形成扫描线120、开关晶体管2的栅极电极24及栅极线21(步骤S1)。
下面，参照附图，讲述使用第1掩模212的处理。
(使用第1掩模的处理)
图4是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第1掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出金属层成膜/第1抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第1腐蚀/第1抗蚀剂层剥离后的断面图，(c)示出第1抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的平面图。
在图4(a)中，首先准备透光性的玻璃基板101。
此外，成为TFT基板100的基材的板状部件，并不局限于上述玻璃基板101。例如还可以是树脂制的板状部件及薄片状部件。作为使用的树脂，可以列举聚丙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚碳酸脂树脂、多芳基化合物(ポリアリレ一ト)树脂等。另外，聚碳酸脂树脂、多芳基化合物树脂等耐热树脂非常适合。此外，并不局限于透光性的基材。例如也可以是遮光性及半透明的基材。
首先，在玻璃基板101上形成旨在形成扫描线120、栅电极24及栅极线21的、作为导电体层的金属层210。首先采用高频溅射法，层叠膜厚约250nm的Al(铝)。接着采用高频溅射法，层叠膜厚约50nm的Mo(钼)。另外，作为Mo以外的金属，可以使用Ti(钛)、Cr(铬)等。
此外，作为栅极线21，虽然还可以使用Ag(银)、Cu(铜)等金属薄膜及合金薄膜，但是Al类最好。另外，Al既可以是纯Al，也可以添加Nd(钕)、Ce(铈)、Mo、W(钨)、Nb(铌)等金属。Ce、W、Nb等在抑制和透明导电体层的电池反应方面也非常合适。添加量能够适当选择，但最好是大约0.1～2wt％。
接着，在金属层210上涂敷第1抗蚀剂层211，使用第1掩模212，采用光刻法，形成规定形状的第1抗蚀剂层211。
再接着，如图4(b)所示，使用由磷酸、醋酸、硝酸及水构成的腐蚀液(体积比分别约为9∶8∶1∶2。另外，还设定地简称为“混酸腐蚀液”)，对金属层210进行第1腐蚀，形成扫描线120、栅极线21及栅极电极24(步骤S1)。
接着，将第1抗蚀剂层211抛光后，就如图4(c)所示，在玻璃基板101上露出扫描线120和与该扫描线120连接的栅极线21及栅电极24。图4(b)所示的扫描线120示出图4(c)中的A-A断面。另外，栅电极24示出B-B断面。
再接着，如图3所示，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101、扫描线120、栅极线21及栅电极24上层叠栅极绝缘膜20(步骤S2)。栅极绝缘膜20是氮化硅(SiNx)膜，而且膜厚约为300nm。该栅极绝缘膜20作为开关晶体管2用的栅极绝缘膜20形成。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
最后，如图3所示，层叠α-Si:H(i)膜271、α-Si:H(n)膜272、作为导电体层的金属层273及第2抗蚀剂层274，，使用第2半色调掩模275，形成数据线110、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31及栅电极34(步骤S3)。
下面，参照附图，讲述使用第2半色调掩模275的处理。
(使用第2半色调掩模275的处理)
图5是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第2半色调掩模275的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/α-Si:H(i)膜成膜/α-Si:H(n)膜成膜/金属层成膜/第2抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第2腐蚀/第2抗蚀剂层重新形成后的断面图，(c)示出第3腐蚀/第2抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图5(a)中，在栅极绝缘膜20上，首先层叠α-Si:H(i)膜271。α-Si:H(i)膜271是非晶Si(硅)的绝缘层，膜厚大约为350nm。这时，作为放电气体，使用SiH4-N2类的混合气体。
接着，使用SiH4-N2-PN3类的混合气体，层叠α-Si:H(n)膜272。α-Si:H(n)膜272是非晶Si的n型半导体层，膜厚大约为300nm。
再接着，形成由Mo层/Al层/Mo层构成的金属层273。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。此外，金属层273的Mo层，作为保护Al层的阻挡金属层发挥作用。另外，在本实施方式中，作为开关晶体管2的活性层，使用非晶Si。但是并不局限于此。例如可以使用多晶Si。
接着，在金属层273上涂敷第2抗蚀剂层274。再接着，使用第2半色调掩模275及半色调曝光，形成规定形状的第2抗蚀剂层274。就是说，使第2抗蚀剂层274成为覆盖数据线110、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、栅电极24、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34的形状。另外，还使用半色调掩模部276，使第2抗蚀剂层274成为覆盖沟道部27的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图5(b)所示，作为第2腐蚀，首先使用第2抗蚀剂层274及混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀。接着，通过使用CHF气体的干腐蚀和使用联氨水溶液(NH2NH2·H2O)的湿腐蚀，对α-Si:H(n)膜272及α-Si:H(i)膜271进行腐蚀。经过该腐蚀后，形成数据线110、源极线22、漏极线23、栅极线31及栅电极34。
再接着，将第2抗蚀剂层274抛光，重新形成第2抗蚀剂层274。利用重新形成的第2抗蚀剂层274，沟道部27的上方的金属层273露出，而且覆盖数据线110、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34。
接着，如图5(c)所示，作为第3腐蚀，使用重新形成的第2抗蚀剂层274和混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀。这样，形成源极电极25及漏极电极26。进而，通过使用CHF气体的干腐蚀和使用联氨水溶液(NH2NH2·H2O)的湿腐蚀，对α-Si:H(n)膜272进行腐蚀。从而形成由α-Si:H(i)膜271构成的沟道部27。就是说，形成沟道部27和开关晶体管2的源极电极25及漏极电极26。
再接着，将重新形成的第2抗蚀剂层274抛光后，就如图5(c)所示，在栅极绝缘膜20上露出数据线110、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34。图5(c)所示的数据线110、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34示出图6中的C-C断面。
再接着，如图3所示，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101的上方层叠栅极绝缘膜30。栅极绝缘膜30是氮化硅(SiNx)膜，膜厚约为300nm。该栅极绝缘膜30作为驱动晶体管3用的栅极绝缘膜30形成。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，如图3所示，在栅极绝缘膜30上，层叠作为氧化物半导体层的n型氧化物半导体层371及第3抗蚀剂层372，利用第3掩模373形成驱动晶体管3的活性层(步骤S5)。
下面，参照附图，讲述使用第3掩模373的处理。
(使用第3掩模的处理)
图7是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图7中，使用氧化铟-氧化锌(In2O3∶ZnO＝大约97∶3wt％)的目标靶，在栅极绝缘膜30上形成膜厚约150nm的n型氧化物半导体层371。这时的条件是氧∶氩比大约为10∶90VoI.％，而且基板温度大约小于100℃。在该条件下，n型氧化物半导体层371可以作为非晶质膜获得。通常在大约200℃以下的低温中成膜后，可以作为非晶质膜获得；而在超过200℃的高温中成膜，则可以作为结晶质膜获得。另外，还通过热处理使非晶质膜结晶化。在本实施方式中，使其结晶化后使用。
此外，n型氧化物半导体层371并不局限于由上述氧化铟-氧化锌构成的氧化物半导体层。例如还可以采用由氧化铟-氧化镓-氧化锌类、氧化铟-氧化钐、氧化锌-氧化镁等构成的氧化物半导体层。
另外，本实施方式中的氧化铟-氧化锌薄膜的载流子密度，大约为10+16cm-3以下，是作为半导体充分动作的区域。此外，载流子密度如果小于10+16cm-3，就成为充分动作的区域。另外，霍尔迁移率大约为25cm2/V·sec。该霍尔迁移率与非晶子硅的霍尔迁移率相比，大约大10倍以上。因此，本实施方式中的氧化铟-氧化锌薄膜是非常有用的半导体薄膜。氧化物半导体的霍尔迁移率通常最好大约为10cm2/V·sec以上，进而更希望大约为50cm2/V·sec以上。这样，使用霍尔迁移率比非晶Si高的氧化物半导体后，可以杜绝投入大电流引起的发热及应答速度的延迟，成为稳定的驱动。
另外，因为n型氧化物半导体层371需要透明性，所以可以使用能隙大约为3.0ev以上的氧化物。最好是大约为3.2ev以上，大约为3.4ev以上则更好。由上述氧化铟-氧化锌类、氧化铟-氧化镓-氧化锌类、氧化铟-氧化钐、氧化锌-氧化镁等构成的n型氧化物半导体层的能隙大约为3.2ev以上，宜于使用。
另外，n型氧化物半导体层371为非晶质时，可以溶解于草酸水溶液及由磷酸、醋酸及硝酸水构成的混酸(适当地简称为“混酸”)中，但是使其加热结晶化后，就不溶于草酸水溶液及混酸，显示出耐酸性。另外，结晶化的温度可以根据氧化锌的添加量加以控制。
接着，在n型氧化物半导体层371上涂敷第3抗蚀剂层372，使用第3掩模373及曝光技术，在栅电极34的上方形成第3抗蚀剂层372。
再接着，如图7(b)所示，作为第4腐蚀，首先使用第3抗蚀剂层272及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀，形成由n型氧化物半导体层371构成的驱动晶体管3的活性层。接着将第3抗蚀剂层372抛光后，使n型氧化物半导体层371露出。图7(b)所示的栅电极34及n型氧化物半导体层371，示出图8中的D-D断面。
此外，在本实施方式中，为了便于理解而连接漏极线23、栅极线31及栅电极34，在栅电极34的上方形成n型氧化物半导体层371，但是并不局限于此。例如可以在开关晶体管2的漏极电极26的上方形成n型氧化物半导体层371。另外，在形成n型氧化物半导体层371的部位，用大约180℃以上的温度，对TFT基板100进行热处理，使n型氧化物半导体层371的活性层结晶化。热处理的温度只要在150℃以上就没有问题，但是最好在大约200℃以上。另外，上述热处理的温度必须采用不使树脂基板变形的温度。
接着，如图3所示，层叠作为氧化物导电体层的氧化物透明导体层374、作为辅助导电体层(辅助金属层)的金属层375及第4抗蚀剂层376，利用第4半色调掩模377形成EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33及像素电极38(步骤S6)。
下面，参照附图，讲述使用第4半色调掩模377的处理。
(使用第4半色调掩模的处理)
图9是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第5腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成后的断面图。
在图9(a)中，首先采用高频溅射法，使用氧化铟-氧化锡-氧化锌(In2O3∶SnO2∶ZnO＝大约60∶20∶20wt％)的目标靶，在露出的栅极绝缘膜30及n型氧化物半导体层371上形成膜厚约120nm的氧化物透明导体层374。这时的条件是氧∶氩比大约为1∶99VoI.％，而且基板温度是不使氧化物透明导体层374结晶化的温度。
在这里，由上述氧化铟-氧化锡-氧化锌构成的氧化物透明导体层374虽然是非晶质，但是溶于草酸水溶液而不溶于混酸。所以氧化物透明导体层374非常有用。这时氧化锡的含有量大约是10～40重量％，氧化锌大约是10～40重量％，其余的可以作为氧化铟。氧化锡及氧化锌分别小于大约10重量％时，就会丧失对混酸而言的耐性而被其溶解。另外，氧化锡如果超过大约40重量％后，就难溶于草酸水溶液，或者使比电阻变大。氧化锌如果超过大约40重量％后，就往往完全丧失对混酸而言的耐性。应该适当选择氧化锡和氧化锌的比。
另外，氧化物透明导体层374并不局限于本实施方式使用的氧化铟-氧化锡-氧化锌类的透明导体膜。只要透明导体膜能够被草酸水溶液腐蚀而且不溶于混酸，就可以将该透明导体膜用于氧化物透明导体层374。
另外，假设有在非晶质状态下溶于草酸水溶液及混酸的透明导体膜。给该透明导体膜带来膜质变化(例如由加热等引起的结晶化等)。如果该膜质变化使透明导体膜不溶于混酸，就可以使用该透明导体膜。作为这种透明导体膜，可以列举在氧化铟中包含氧化锡、氧化锗、氧化锆、氧化钨、氧化钼、氧化铈等阑系元素的材料。其中，氧化铟和氧化锡、氧化铟和氧化钨、氧化铟和氧化铈等氧化阑系元素的组合，宜于使用。作为添加的金属量，对于氧化铟而言，是大约1～20wt％，最好是大约3～15wt％。小于大约1wt％时，往往在成膜时结晶化，难溶于草酸水溶液，或者使比电阻变大，不宜于作为透明导体膜使用。超过大约20wt％后，则存在着通过加热等使其产生结晶化等膜质变化时，不产生膜质变化，溶于混酸，难以形成像素电极38等问题。
接着，形成作为辅助导体层的金属层375。该金属层375，由Mo层/Al层/Mo层构成。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。
再接着，在金属层375上涂敷第4抗蚀剂层376，使用第4半色调掩模377及半色调曝光，形成规定形状的第4抗蚀剂层376。就是说，使第4抗蚀剂层376成为覆盖EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、像素电极38的形状。另外，还使用半色调掩模部378，使第4抗蚀剂层376成为覆盖像素电极38的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图9(b)所示，作为第5腐蚀，首先使用第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀。接着，使用第4抗蚀剂层376及草酸水溶液，对氧化物透明导体层374进行腐蚀，形成EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、源极线32、像素电极38(步骤S6)。
再接着，将上述第4抗蚀剂层376抛光，重新形成第4抗蚀剂层376。重新形成的第4抗蚀剂层376，像素电极38的上方的金属层375露出，而且覆盖EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极线33。
此外，在本实施方式中，由于层叠作为辅助导体层的金属层375，所以使用第4半色调掩模377。但是，不层叠金属层375时，可以使用第4掩模。
图10是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图10中，作为第6腐蚀，使用重新形成的第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀，使像素电极38露出。此外，有机EL显示装置1为顶部发射结构等时，由于不需要除去像素电极38上的金属层375这，所以可以取代第4半色调掩模377，使用第4掩模。
再接着，将重新形成的第4抗蚀剂层376抛光后，就如图10所示，在栅极绝缘膜30上露出EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、像素电极38。图10所示的EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、栅电极34、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、像素电极38示出图11中的E-E断面。
接着，如图3所示，层叠保护用绝缘膜40及第5抗蚀剂层41，利用第5掩模，使扫描线用凸台124、数据线用凸台114、EL驱动线用凸台134及像素电极38露出(步骤S7)。
下面，参照附图，讲述使用第5掩模42的处理。
(使用第5掩模的处理)
图12是为了讲述本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第7腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图12(a)中，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101上层叠膜厚约为300nm的氮化硅(SiNx)膜——保护用绝缘膜40。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，在保护用绝缘膜40上涂敷第5抗蚀剂层41，使用第5掩模42及曝光技术，在像素电极38、数据线用凸台114、描线用凸台124及EL驱动线用凸台134的上方，形成具有开口部的第5掩模42。
再接着，作为第7腐蚀，通过使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，对保护用绝缘膜40、栅极绝缘膜30、栅极绝缘膜20进行腐蚀，使像素电极38、数据线用凸台114、扫描线用凸台124及EL驱动线用凸台134露出(步骤S7)。
再接着，将第5抗蚀剂层41抛光，就如图12(b)所示，使保护用绝缘膜40露出。图12(b)所示的像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、栅极电极34、沟道部37、漏极电极36、漏极线33，示出图13中的F-F断面。
此外，在本实施方式中，将开关晶体管2、驱动晶体管3及像素电极38的位置及形状，作为容易理解的位置及形状，但并不局限于此。
这样，采用本实施方式的电流控制用TFT基板的制造方法后，就使驱动晶体管3的活性层成为n型氧化物半导体层371。这样，即使向驱动晶体管3投入较大的电流及大电力，驱动晶体管3的性能劣化也较小，TFT基板100的稳定性优异，而且还能够提高TFT基板100的耐久性。另外，能够利用第4半色调掩模377形成EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33及像素电极38，能够减少使用的掩模数。这样，就能够削减制造工序，从而提高生产效率，降低制造成本。进而，因为形成保护用绝缘膜40，所以在TFT基板100上设置有机EL材料、电极及保护膜后，能够很容易地获得有机EL显示装置1。
下面，参照附图，讲述上述TFT基板100的结构。
[电流控制用TFT基板的第1实施方式]
本实施方式的电流控制用TFT基板100，如图1所示，在玻璃基板101上，阵列状地配置着m(列：m为自然数)×n(行：n为自然数)个像素。
另外，在行方向(水平方向)上，形成n条扫描线121、122…123。例如第n条扫描线123，与第n行配置的m个像素10并联连接。
另外，在列方向(垂直方向)上，形成m条数据线111、112…113。例如通过第m条数据线113作媒介，与第m列配置的n个像素10并联连接。
进而，在列方向(垂直方向)上，形成m条EL驱动线131、132…133。例如通过第m条EL驱动线133作媒介，与第m列配置的n个像素10并联连接。
另外，各像素10如图13所示，具有向电光学元件——有机EL元件4(参照图2)供给电流的驱动晶体管3和控制该驱动晶体管3的开关晶体管2。
开关晶体管2如图5及图6所示，具备栅电极24、栅极绝缘膜20、α-Si:H(i)膜271及α-Si:H(n)膜272、源极电极25、漏极电极26。
栅电极24通过栅极线21作媒介，与扫描线120连接。栅极绝缘膜20在栅电极24上形成。活性层——α-Si:H(i)膜271及α-Si:H(n)膜272，在栅极绝缘膜20上形成。源电极25通过源极线22作媒介，与数据线110连接。漏电极26通过漏极线23及栅极线31作媒介，与驱动晶体管3的栅极电极34连接。
驱动晶体管3如图10及图11所示，具备栅电极34、栅极绝缘膜30、n型氧化物半导体层371、源极电极35、漏极电极36。
栅极绝缘膜30在栅电极34上形成。活性层——n型氧化物半导体层371，在栅极绝缘膜30上形成。源电极35通过源极线32作媒介，与EL驱动线130连接。漏电极36通过漏极线33作媒介，与像素电极38连接。
另外，驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33，由氧化物透明导体层374构成。而且，该氧化物透明导体层374作为有机EL元件4的像素电极38发挥作用。这样，能够削减制造之际使用的掩模数量，削减制造工序。所以能够提高生产率，降低制造成本。
另外，最好在EL驱动线130、源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33的上方，形成作为辅助导电体层的金属层375。这样，能够减少各线及电极的电阻。所以能够提高可靠性，还能够抑制能量效率的下降。
这样，本实施方式的TFT基板100，就将驱动晶体管3的活性层作为n型氧化物半导体层371。因此，即使向驱动晶体管3投入较大的交流电流及大电力，驱动晶体管3的性能劣化也较小，TFT基板100的稳定性优异，而且能够提高TFT基板100的耐久性。
另外，上述有机EL显示装置的第1实施方式、电流控制用TFT基板的制造方法的第1实施方式及电流控制用TFT基板的第1实施方式，具有各种应用例。例如，在上述各实施方式中，作为开关晶体管2的活性层，使用α-Si:H(i)膜271。但是可以取代α-Si:H(i)膜271，使用氧化物半导体层。
下面，参照附图，讲述取代α-Si:H(i)膜271，使用氧化物半导体层的TFT基板100的制造方法的应用例。
[电流控制用TFT基板的制造方法的应用例]
图14表示为了讲述本发明的第1实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。此外，本实施方式的制造方法与《权利要求书》的第16条对应。
在图14中，本应用例的TFT基板的制造方法与上述第1实施方式相比，取代步骤S4(参照图3)，层叠n型氧化物半导体层271’、氧化物透明导体层272’、金属层273及第2抗蚀剂层274，使用第2半色调掩模275，形成数据线110’、开关晶体管2’的源极线22’、源极电极25’、沟道部27’、漏极电极26’、漏极线23’、驱动晶体管3的栅极线31’、栅电极34’(参照图3’)。这一点与第1实施方式不同。其它方法则与第1实施方式大致不同。
因此，在图14中，对于和图3同样的方法，赋予相同的符号，不再赘述。
下面，参照附图，讲述使用第2半色调掩模275的处理。
(使用第2半色调掩模的处理)
图15是为了讲述本发明的第1实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第2半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第2抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第2腐蚀/第2抗蚀剂层重新形成后的断面图，(c)示出第3腐蚀/第2抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图15(a)中，使用氧化铟-氧化锌(In2O3∶ZnO＝大约97∶3wt％)的目标靶，在栅极绝缘膜20上形成膜厚约150nm的n型氧化物半导体层271’。这时的条件是氧∶氩比大约为10∶90VoI.％，而且基板温度大约小于100℃。在该条件下，可以获得的n型氧化物半导体层271’是非晶质膜。
接着，首先采用高频溅射法，使用氧化铟-氧化锡-氧化锌(In2O3∶SnO2∶ZnO＝大约60∶20∶20wt％)的目标靶，在n型氧化物半导体层271’上形成膜厚约120nm的氧化物透明导体层272’。这时的条件是氧∶氩比大约为1∶99VoI.％，而且基板温度是不使氧化物透明导体层272’结晶化的温度。接着，形成金属层273。作为导体层的该金属层273，由Mo层/Al层/Mo层构成。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。此外，金属层273的Mo层，作为保护Al层的阻挡金属层发挥作用。
再接着，在金属层273上涂敷第2抗蚀剂层274，使用第2半色调掩模275及半色调曝光，形成规定形状的第2抗蚀剂层274。就是说，使第2抗蚀剂层274成为覆盖数据线110’、开关晶体管2的源极线22’、源极电极25’、栅电极24、漏极电极26’、漏极线23’、驱动晶体管3的栅极线31’、栅电极34’的形状。另外，还使用半色调掩模部276，使第2抗蚀剂层274成为覆盖沟道部27’的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图15(b)所示，作为第2腐蚀，首先使用第2抗蚀剂层274及混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀。接着，使用草酸水溶液，对氧化物透明导体层272’及n型氧化物半导体层271’进行腐蚀。从而形成数据线110’、源极线22’、漏极线23’、栅极线31’及栅电极34’。
在这里，通过热处理使n型氧化物半导体层271’结晶化。从而使n型氧化物半导体层271’具有对于混酸腐蚀液及草酸水溶液而言的耐性。
再接着，将上述第2抗蚀剂层274抛光，重新形成第2抗蚀剂层274。重新形成的第2抗蚀剂层274，是沟道部27’的上方的金属层273露出的形状。另外，第2抗蚀剂层274还是覆盖数据线110’、开关晶体管2’的源极线22’、源极电极25’、漏极电极26’、漏极线23’、驱动晶体管3的栅极线31’、栅电极34’的形状。
接着，如图15(c)所示，作为第3腐蚀，使用重新形成的第2抗蚀剂层274和混酸腐蚀液，对金属层273及氧化物透明导体层272’进行腐蚀，形成沟道部27’、源极电极25’及漏极电极26’(步骤S3’)。
再接着，将重新形成的第2抗蚀剂层274抛光后，就如图15(c)所示，在栅极绝缘膜20上露出数据线110’、开关晶体管2’的源极线22’、源极电极25’、沟道部27’、漏极电极26’、漏极线23’、驱动晶体管3的栅极线31’、栅电极34’。图15(c)所示的数据线110’、开关晶体管2’的源极线22’、源极电极25’、沟道部27’、漏极电极26’、漏极线23’、驱动晶体管3的栅极线31’、栅电极34’示出图16中的C-C断面。
此外，其它方法与第1实施方式大致不同。
这样，采用本应用例的电流控制用TFT基板的制造方法后，就可以获得和上述第1实施方式的制造方法大致相同的效果。另外，因为能够使制造驱动晶体管3之际使用的n型氧化物半导体层371及氧化物透明导体层374的材料共用化，所以能够降低制造成本。
[有机EL显示装置的第2实施方式]
图17是表示本发明的第1实施方式涉及的有机EL显示装置的结构的方框图。
在图17中，作为电光学装置的有机EL显示装置1a，具备数据线驱动电路11、扫描线驱动电路12、电源线控制电路13a、电流测量电路15及电流控制用TFT基板100a(适当的简称为“TFT基板100a”)。另外，TFT基板100阵列状地配置着m(列：m为自然数)×n(行：n为自然数)个像素10a。
数据线驱动电路11通过第1数据线111、第2数据线112…第m数据线113作媒介，与各像素10a连接。该数据线驱动电路11向各像素10a输出数据信号。
另外，扫描线驱动电路12通过第1扫描线121、第2扫描线122…第n扫描线123作媒介，与各像素10a连接。该扫描线驱动电路12向各像素10a输出扫描信号。
进而，电源线控制电路13a通过第1EL驱动线131a、第2EL驱动线132a…第n EL驱动线133a作媒介，与各像素10a连接。例如通过第n EL驱动线133作媒介，与第n行配置的m个像素10a并联连接。该电源线控制电路13a向各像素10a供给驱动电流。
进而，电流测量电路15通过第1测量线151、第2测量线152…第m测量线153作媒介，与各像素10a连接。例如通过第m测量线153作媒介，与第m列配置的n个像素10a并联连接。该电流测量电路15测量供给各像素10a的有机EL元件4的电流。
另外，电流测量电路15最好测量供给有机EL元件4的直流电流，根据该电流的测量值，控制部(未图示)可以至少控制数据线驱动电路11、扫描线驱动电路12及电源线控制电路13a中的一个以上。这样，能够测量供给有机EL元件4的直流电流。根据测量值，控制数据线驱动电路11、扫描线驱动电路12及电源线控制电路13a中的一个以上。因此，能够将适当的驱动电流供给有机EL元件4。
此外，上述控制部通常设置在电流测量电路15内部。但并不局限于此。另外，一般根据上述测量值，控制数据线驱动电路11。
接着，参照附图，讲述像素10a的结构。
图18是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置的像素的结构而绘制的简要方框图。
在图18中，像素10a具有驱动晶体管3、开关晶体管2、电容器6、测量用晶体管5及有机EL元件4。
驱动晶体管3向有机EL元件4供给直流电流。开关晶体管2控制驱动晶体管3。电容器6将电容器电压外加给驱动晶体管3的栅电极34。测量用晶体管5测量供给有机EL元件4的直流电流。作为电光学元件的有机EL元件4，被直流电流驱动。
另外，开关晶体管2、驱动晶体管3及测量用晶体管5，作为薄膜晶体管，在TFT基板100a上形成。进而，电容器6及有机EL元件4的像素电极38也在TFT基板100a上形成。
开关晶体管2通过栅极线21作媒介，与扫描线120连接。另外，开关晶体管2还通过源极线22作媒介，与数据线110连接。开关晶体管2的漏极线23，与驱动晶体管3的栅极线31及电容器6的第1电极61连接。
另外，驱动晶体管3通过源极线32作媒介，与EL驱动线130连接。进而，驱动晶体管3还通过漏极线33作媒介，与有机EL元件4、电容器6的第2电极62及测量用晶体管5的源极线52并联连接。
进而，测量用晶体管5的栅极线51与扫描线120连接。另外，测量用晶体管5的漏极线53，与测量线150连接。
接着，使用图18，讲述TFT基板100a的动作。
首先，在上述结构的TFT基板100a中，向扫描线120输入扫描信号。这样，栅极信号(扫描信号)就输入开关晶体管2的栅电极34，开关晶体管2成为on状态。另外，栅极信号(扫描信号)还由扫描线120输入测量用晶体管5的栅极电极54，测量用晶体管5成为on状态。
接着，驱动信号(驱动晶体管3的栅极电压)被数据线110外加给驱动晶体管3的栅极电极34，驱动晶体管3成为on状态。另外，与来自数据线110的数据信号对应的电荷，存储到电容器6中。这时，按照外加给驱动晶体管3的栅极电极34的栅极电压，决定驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值。然后，由EL驱动线130向漏极线33供给与驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值对应的驱动电流。在这里，测量用晶体管5处于on状态。所以，上述驱动电流(测量电流I(m×(n-1)))几乎不流入有机EL元件4地经由测量用晶体管5的源极线52及漏极线53，流入测量线150。
接着，测量用晶体管5测量上述测量电流I(m×(n-1))，控制部根据测量电流I(m×(n-1))的测量值，控制数据线驱动电路11。就是说，测量值小于规定的预定值时，控制部就提高供给数据线110的数据信号的电压。这样，驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值就变低，驱动电流增加。反之，测量值大于规定的预定值时，控制部就降低供给数据线110的数据信号的电压。这样，驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值就变高，驱动电流减少。控制部反复进行上述控制，从而使测量值成为几乎和规定的预定值相同的值。
再接着，测量值成为几乎和规定的预定值相同的值后，扫描线驱动电路12停止向扫描线120输出扫描信号。于是，开关晶体管2及测量用晶体管5成为off状态。开关晶体管2成为off状态后，栅极电压就不能够由数据线110外加给驱动晶体管3。但是在电容器6存储的电荷的作用下，与由数据线110外加的栅极电压相同的电压被外加给驱动晶体管3的栅极电极34。就是说，在开关晶体管2成为on状态时，电容器6的第1电极61被数据线110外加直流电压，进而电容器6的第2电极62被EL驱动线130外加直流电压。这时，电容器6存储电荷，栅电极34被电容器6外加栅极电压。
然后，在电容器6的作用下，驱动晶体管3被维持on状态，测量用晶体管5则成为off状态。这样，来自EL驱动线130的直流电流，经由驱动晶体管3，供给有机EL元件4。因此，TFT基板100a也称作“直流电流控制用TFT基板”。
该直流电流，和上述测量电流I(m×(n-1))相同。这样，被控制部控制的和规定的预定值大致相同的驱动电流，就供给有机EL元件4，而且有机EL元件4用与该驱动电流对应的亮度发光。
此外，变更上述驱动电流时，向扫描线120输出扫描信号，向数据线110输出与想变更的驱动电流对应的数据信号。
接着，有机EL显示装置1a能够对在列方向上并列设置的像素10a’进行和像素10a大致相同的动作。这样，即使驱动晶体管3的特性变化(劣化)，也能够向所有的像素供给和规定的预定值大致相同的驱动电流。因此，有机EL显示装置1a能够提供优质的图像。
此外，在本实施方式的有机EL显示装置1a中，控制部具备记忆单元(该记忆单元记忆各像素10a的规定的预定值)和演算处理部(该演算处理部计算测量值和规定的预定值之差)，使测量值成为和规定的预定值大致相同的值地进行控制。但是，控制方法并不局限于该方法，可以采用各种控制方法。
这样，本实施方式的有机EL显示装置1a，能够向被直流电流驱动的有机EL元件4供给被电流测量电路15测量的、和规定的预定值大致相同的值的驱动电流。因此，有机EL显示装置1a能够提供优质的图像。此外，在本实施方式中，作为电光学元件使用有机EL元件4。但是并不局限于此。例如可以广泛应用于直流电流驱动型的电光学元件。
另外，在本实施方式的有机EL显示装置1a中，驱动晶体管3的活性层是作为氧化物半导体层的n型氧化物半导体层371。这样，即使投入较大的交流电流及大电力，也与在驱动晶体管的活性层中使用非晶Si及多晶Si半导体的产品相比，其性能劣化较小。所以有机EL显示装置1a的稳定性优异，而且能够提高TFT基板100的耐久性。因此，能够大大延长有机EL显示装置1a的寿命。
接着，参照附图，讲述上述TFT基板100a的制造方法及结构。首先讲述TFT基板100a的制造方法。
[电流控制用TFT基板的制造方法的第2实施方式]
图19表示为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。此外，本实施方式的制造方法与《权利要求书》的第17条对应。
在图19中，首先在基板上依次层叠金属层210及第1抗蚀剂层211，利用第1掩模212形成扫描线120、开关晶体管2的栅极电极24及栅极线21，并且形成测量用晶体管5的栅极电极54及栅极线51(步骤S1a)。
下面，参照附图，讲述使用第1掩模212的处理。
(使用第1掩模的处理)
图20是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第1掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出金属层成膜/第1抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第1腐蚀/第1抗蚀剂层剥离后的断面图，(c)示出第1抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的平面图。
在图20(a)中，首先准备透光性的玻璃基板101。
首先，在玻璃基板101上，形成作为导电体层的金属层210。就是说，采用高频溅射法，依次层叠膜厚约250nm、50nm的Al(铝)和Mo(钼)。此外，利用该金属层210，形成扫描线120、栅电极24、54及栅极线21、51。
接着，在金属层210上涂敷第1抗蚀剂层211。进而，使用第1掩模212，采用光刻法，形成规定形状的第1抗蚀剂层211。
再接着，如图20(b)所示，使用混酸腐蚀液，对金属层210进行第1腐蚀，形成扫描线120、栅极线21、51及栅极电极24、54(步骤S1a)。
接着，将第1抗蚀剂层211抛光后，就如图20(c)所示，在玻璃基板101上露出扫描线120和与该扫描线120连接的栅极线21、51及栅电极24、54。图20(b)所示的扫描线120示出图20(c)中的Aa-Aa断面。另外，测量用晶体管5的栅极电极54示出Ba’-Ba’断面。
再接着，如图19所示，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101、扫描线120、栅极线21、51及栅电极24、54上层叠栅极绝缘膜20(步骤S2)。该栅极绝缘膜20是氮化硅(SiNx)膜，而且膜厚约为300nm。该栅极绝缘膜20作为开关晶体管2及测量用晶体管5用的栅极绝缘膜20形成。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
最后，如图19所示，层叠α-Si:H(i)膜271、α-Si:H(n)膜272、作为导电体层的金属层273及第2抗蚀剂层274，，使用第2半色调掩模275a，形成数据线110、电容器6的第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31及栅电极34(步骤S3a)。
下面，参照附图，讲述使用第2半色调掩模275a的处理。
(使用第2半色调掩模的处理)
图21是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第2半色调掩模275的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/α-Si:H(i)膜成膜/α-Si:H(n)膜成膜/金属层成膜/第2抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第2腐蚀/第2抗蚀剂层重新形成后的断面图，(c)示出第3腐蚀/第2抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图21(a)中，在栅极绝缘膜20上，首先层叠α-Si:H(i)膜271。该α-Si:H(i)膜271是非晶Si(硅)的绝缘层，膜厚大约为350nm。这时，作为放电气体，使用SiH4-N2类的混合气体。
接着，使用SiH4-N2-PN3类的混合气体，层叠α-Si:H(n)膜272。该α-Si:H(n)膜272是非晶Si的n型半导体层，膜厚大约为300nm。再接着，形成由Mo层/Al层/Mo层构成的金属层273。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。
接着，在金属层273上涂敷第2抗蚀剂层274，利用第2半色调掩模275a及半色调曝光，形成规定形状的第2抗蚀剂层274。就是说，使第2抗蚀剂层274成为覆盖数据线110、第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、栅电极24、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34的形状。另外，还使用半色调掩模部276，使第2抗蚀剂层274成为覆盖沟道部27的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图21(b)所示，作为第2腐蚀，首先使用第2抗蚀剂层274及混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀。接着，通过使用CHF气体的干腐蚀和使用联氨水溶液(NH2NH2·H2O)的湿腐蚀，对α-Si:H(n)膜272及α-Si:H(i)膜271进行腐蚀。经过该腐蚀后，形成数据线110、第1电极61、测量线150、源极线22、漏极线23、栅极线31及栅电极34。
再接着，将上述第2抗蚀剂层274抛光，重新形成第2抗蚀剂层274。利用重新形成的第2抗蚀剂层274，使沟道部27的上方的金属层273露出，而且覆盖数据线110、第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34。
接着，如图21(c)所示，作为第3腐蚀，使用重新形成的第2抗蚀剂层274和混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀。这样，形成源极电极25及漏极电极26。进而，通过使用CHF气体的干腐蚀和使用联氨水溶液(NH2NH2·H2O)的湿腐蚀，对α-Si:H(n)膜272进行腐蚀。从而形成由α-Si:H(i)膜271构成的沟道部27。就是说，形成沟道部27和开关晶体管2的源极电极25及漏极电极26(步骤S3a)。
再接着，将重新形成的第2抗蚀剂层274抛光后，就如图21(c)所示，在栅极绝缘膜20上露出数据线110、第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34。图21(c)所示的数据线110、第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34示出图22中的Ca-Ca断面。
再接着，如图19所示，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101的上方层叠栅极绝缘膜30(步骤S4a)。该栅极绝缘膜30是氮化硅(SiNx)膜，膜厚约为300nm。另外，该栅极绝缘膜30作为驱动晶体管3、测量用晶体管5及电容器6用的栅极绝缘膜30形成。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，如图19所示，在栅极绝缘膜30上，层叠作为氧化物半导体层的n型氧化物半导体层371及第3抗蚀剂层372，利用第3掩模373，形成驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层和测量线150的接触孔155(步骤S5a)。
下面，参照附图，讲述使用第3半色调掩模373a的处理。
(使用第3半色调掩模的处理)
图23是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图23中，使用氧化铟-氧化锌(In2O3∶ZnO＝大约97∶3wt％)的目标靶，在栅极绝缘膜30上形成膜厚约150nm的n型氧化物半导体层371。这时的条件是氧∶氩比大约为10∶90VoI.％，而且基板温度大约小于100℃。在该条件下，n型氧化物半导体层371可以作为非晶质膜获得。
接着，在n型氧化物半导体层371上涂敷第3抗蚀剂层372，使用第3掩模373a及半色调曝光技术，形成规定形状的第3抗蚀剂层372。就是说，使第3抗蚀剂层372成为全面覆盖玻璃基板101的上方(除了接触孔155的上方之外)的形状。另外，还使用半色调掩模部373a，使第3抗蚀剂层372成为覆盖栅电极34及漏极线53的部分比其它部分厚的形状。
再接着，如图23(b)所示，作为第4腐蚀，首先使用第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀。进而，通过使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，腐蚀栅极绝缘膜30，从而形成接触孔155。
接着，将第3抗蚀剂层372抛光，在覆盖栅电极34及漏极线53的基础上，重新形成第3抗蚀剂层372。
图24是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图24中，作为第5腐蚀，使用重新形成的第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀，从而形成由n型氧化物半导体层371构成的驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层。接着，将第3抗蚀剂层372抛光，使n型氧化物半导体层371露出。图24所示的栅电极34、第1电极61、栅极电极54、n型氧化物半导体层371及接触孔155，示出图25中的Da-Da断面。
另外，在形成n型氧化物半导体层371之后，用大约180℃以上的温度，对TFT基板100a进行热处理，使n型氧化物半导体层371的活性层结晶化。
接着，如图19所示，层叠作为氧化物导电体层的氧化物透明导体层374、作为辅助导电体层(辅助金属层)的金属层375及第4抗蚀剂层376，利用第4半色调掩模377形成EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33及测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56、漏极线53(步骤S6a)。
下面，参照附图，讲述使用第4半色调掩模377的处理。
(使用第4半色调掩模的处理)
图26是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成后的断面图。此外，在该图中，为了便于理解而省略了EL驱动线130。
在图26(a)中，首先采用高频溅射法，使用氧化铟-氧化锡-氧化锌(In2O3∶SnO2∶ZnO＝大约60∶20∶20wt％)的目标靶，在露出的栅极绝缘膜30及n型氧化物半导体层371上形成膜厚约120nm的氧化物透明导体层374。这时的条件是氧∶氩比大约为1∶99VoI.％，而且基板温度是不使氧化物透明导体层374结晶化的温度。
接着，形成金属层375。该金属层375，是辅助导体层，由Mo层/Al层/Mo层构成。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。
再接着，在金属层375上涂敷第4抗蚀剂层376，使用第4半色调掩模377及半色调曝光，形成规定形状的第4抗蚀剂层376。就是说，使第4抗蚀剂层376成为覆盖EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53的形状。另外，还使用半色调掩模部378，使第4抗蚀剂层376成为覆盖像素电极38的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图26(b)所示，作为第6腐蚀，首先使用第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀。接着，使用第4抗蚀剂层376及草酸水溶液，对氧化物透明导体层374进行腐蚀，形成EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53(步骤S6a)。
再接着，将上述第4抗蚀剂层376抛光，重新形成第4抗蚀剂层376。利用重新形成的第4抗蚀剂层376，使像素电极38的上方的金属层375露出，而且覆盖EL驱动线130、电容器6的第2电极62、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53。
图27是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图27中，作为第7腐蚀，使用重新形成的第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀，使像素电极38露出。
接着，将重新形成的第4抗蚀剂层376抛光后，就如图27所示，在栅极绝缘膜30上露出EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53。图27所示的EL驱动线130、、电容器6的第2电极62、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53示出图28中的Ea-Ea断面。
另外，测量用晶体管5的漏极线53，通过接触孔155作媒介，与测量线150连接。
接着，如图19所示，层叠保护用绝缘膜40及第5抗蚀剂层41，利用第5掩模，使扫描线用凸台124、数据线用凸台114、EL驱动线用凸台134及像素电极38露出(步骤S7a)。
下面，参照附图，讲述使用第5掩模42的处理。
(使用第5掩模的处理)
图29是为了讲述本发明的第2实施方式涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图29(a)中，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101上层叠保护用绝缘膜40。该第4抗蚀剂层376是氮化硅(SiNx)膜，膜厚约为250nm。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，在保护用绝缘膜40上涂敷第5抗蚀剂层41，使用第5掩模42及曝光技术，在像素电极38、数据线用凸台114、扫描线用凸台124、测量线用凸台154及EL驱动线用凸台134的上方，形成开口部。此外，在图29中，省略了数据线用凸台114、扫描线用凸台124、EL驱动线用凸台134及测量线用凸台154(此外，数据线用凸台114、扫描线用凸台124、EL驱动线用凸台134参照图12。另外，测量线用凸台154和数据线用凸台114大致相同。)。
再接着，作为第8腐蚀，通过使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，对保护用绝缘膜40、栅极绝缘膜30、栅极绝缘膜20进行腐蚀，使像素电极38、数据线用凸台114、扫描线用凸台124、测量线用凸台154及EL驱动线用凸台134露出(步骤S7a)。
再接着，将第5抗蚀剂层41抛光后，就如该图所示，使保护用绝缘膜40露出。图29(b)所示的EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53，示出图30中的Fa-Fa断面。
此外，在本实施方式中，将开关晶体管2、驱动晶体管3、电容器6、测量用晶体管5及像素电极38的位置及形状，作为容易理解的位置及形状，但并不局限于此。
这样，采用本实施方式的电流控制用TFT基板a的制造方法后，就能够向被直流电流驱动的有机EL元件4供给被电流测量电路15测量的、和规定的预定值大致相同的值的驱动电流。因此，能够提供优质的图像。另外，使驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层成为n型氧化物半导体层371。这样，即使向驱动晶体管3及测量用晶体管5投入较大的电流及大电力，驱动晶体管3及测量用晶体管5的性能劣化也较小。所以TFT基板100a的稳定性优异，而且还能够提高TFT基板100a的耐久性。另外，能够利用第4半色调掩模377，制造EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53。这样，能够减少使用的掩模数，削减制造工序，从而提高生产效率，降低制造成本。进而，还形成保护用绝缘膜40。所以在TFT基板100上设置有机EL材料、电极及保护膜后，能够很容易地获得有机EL显示装置1。
下面，参照附图，讲述上述TFT基板100a的结构。
[电流控制用TFT基板的第2实施方式]
本实施方式的电流控制用TFT基板100，如图17所示，在玻璃基板101上，阵列状地配置着m(列：m为自然数)×n(行：n为自然数)个像素10a。
另外，在行方向(水平方向)上，形成n条扫描线121、122…123。例如第n条扫描线123，与第n行配置的m个像素10a并联连接。
进而，在行方向(水平方向)上，形成n条EL驱动线131a、132a…133a。例如通过第n条EL驱动线133a作媒介，与第n行配置的m个像素10a并联连接。
另外，在列方向(垂直方向)上，形成m条数据线111、112…113。例如通过第m条数据线113作媒介，与第m列配置的n个像素10并联连接。
进而，在列方向(垂直方向)上，形成m条测量线151、152…153。例如通过第m条EL驱动线133作媒介，与第m列配置的n个像素10a并联连接。
另外，各像素10a如图30所示，具有驱动晶体管3、开关晶体管2、电容器6和测量用晶体管5。
驱动晶体管3向电光学元件——有机EL元件4(参照图18)供给电流。开关晶体管2控制驱动晶体管3。利用电容器6，能够维持驱动晶体管3的on状态。利用测量用晶体管5，则能够测定向有机EL元件4(参照图18)供给的电流。
开关晶体管2如图21及图22所示，具备栅电极24、栅极绝缘膜20、α-Si:H(i)膜271及α-Si:H(n)膜272、源极电极25、漏极电极26。
栅电极24通过栅极线21作媒介，与扫描线120连接。栅极绝缘膜20在栅电极24上形成。作为活性层的α-Si:H(i)膜271及α-Si:H(n)膜272，在栅极绝缘膜20上形成。源电极25通过源极线22作媒介，与数据线110连接。漏电极26通过漏极线23及栅极线31作媒介，与驱动晶体管3的栅极电极34连接，而且通过漏极线23作媒介，与电容器6的第1电极61连接。
驱动晶体管3如图27及图28所示，具备栅电极34、栅极绝缘膜30、n型氧化物半导体层371、源极电极35、漏极电极36。
栅极绝缘膜30在栅电极34上形成。作为活性层的n型氧化物半导体层371，在栅极绝缘膜30上形成。源电极35通过源极线32作媒介，与EL驱动线130连接。漏电极36通过漏极线33作媒介，与像素电极38及电容器6的第2电极62连接，而且通过漏极线23及源极线52作媒介，与测量用晶体管5的源极电极55连接。
另外，驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33，由氧化物透明导体层374构成。该氧化物透明导体层374作为有机EL元件4的像素电极38及电容器6的第2电极62发挥作用。这样，能够削减制造之际使用的掩模数量，削减制造工序。所以能够提高生产率，降低制造成本。
测量用晶体管5如图27及图28所示，具备栅电极54、栅极绝缘膜20及栅极绝缘膜30、n型氧化物半导体层371、源极电极55、漏极电极56。
栅电极54通过栅极线51作媒介，与扫描线120连接。栅极绝缘膜20及栅极绝缘膜30在栅电极54上形成。作为活性层的n型氧化物半导体层371，在栅极绝缘膜30上形成。漏电极56的一部分通过接触孔155内形成的漏极线53作媒介，与测量线150连接。
另外，最好在EL驱动线130、电容器6的第2电极62、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53的上方，形成作为辅助导电体层的金属层375。这样，能够减少各线及电极的电阻。所以能够提高可靠性，还能够抑制能量效率的下降。
电容器6在第1电极61和第2电极62之间，层叠栅极绝缘膜30。该电容器6通过on状态的开关晶体管2作媒介，由数据线110向第1电极61外加直流电压，进而通过on状态的驱动晶体管3作媒介，由EL驱动线130向第2电极62外加直流电压。这样，相当于由数据线110外加的直流电压的电荷，就被第1电极61积蓄。所以。即使开关晶体管2成为off状态，也能够利用被第1电极61积蓄的电荷，以和由EL驱动线130外加直流电压时相同的状态，维持开关晶体管2成为on状态。
这样，本实施方式的TFT基板100a，就像有机EL元件4那样，被用于直流电流驱动型的电光学元件。另外，TFT基板a能够向被直流电流驱动的有机EL元件4供给被电流测量电路15测量的、和规定的预定值大致相同的值的驱动电流。因此，能够提供优质的图像。另外，使驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层成为n型氧化物半导体层371。这样，即使向驱动晶体管3及测量用晶体管5投入较大的电流及大电力，驱动晶体管3及测量用晶体管5的性能劣化也较小。所以TFT基板100a的稳定性优异，而且还能够提高TFT基板100a的耐久性。
另外，上述有机EL显示装置的第2实施方式、电流控制用TFT基板的制造方法的第2实施方式及电流控制用TFT基板的第2实施方式，具有各种应用例。
例如，在上述电流控制用TFT基板的制造方法的第2实施方式中，在栅极绝缘膜30的下方，形成数据线用凸台114、描线用凸台124、EL线驱动用凸台134及测量线用凸台154。但是，并不局限于此。例如可以在保护用绝缘膜40的下方，而且是栅极绝缘膜30的上方(即更加接近于保护用绝缘膜40的上方)，形成数据线用凸台114、描线用凸台124、EL线驱动用凸台134及测量线用凸台154。
下面，参照附图，讲述上述电流控制用TFT基板的制造方法的第2实施方式涉及的应用例。
[电流控制用TFT基板的制造方法的应用例]
图31表示为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。此外，本实施方式的制造方法与《权利要求书》的第18条对应。
在图31中，本应用例的TFT基板的制造方法与上述第2实施方式相比，在步骤S5b中，在上述步骤S5a(参照图19)的基础上，形成数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’。进而，在步骤S6b中，在上述步骤S6a的基础上，形成数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b。这些点与第2实施方式不同。其它方法则与第2实施方式大致不同。
因此，在图31中，对于和图19同样的方法，赋予相同的符号，不再赘述。
在步骤S5b中，如图31所示，在栅极绝缘膜30上，形成作为氧化物活性层的n型氧化物半导体层371及第3掩模372。接着，使用第3半色调掩模373a，形成驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层、测量线150的接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’。
下面，参照附图，讲述使用第3半色调掩模373a的处理。
(使用第3半色调掩模的处理)
图32是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层重新形成后的断面图。
此外，步骤S5b的驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层的形成方法，和第2实施方式的步骤S5a大致相同(参照图23、24)。这样，在图32中，示出测量线150的接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’。
在图32中，在栅极绝缘膜30上形成n型氧化物半导体层371。接着，在n型氧化物半导体层371上涂敷第3抗蚀剂层372，使用第3掩模373a及半色调曝光技术，形成规定形状的第3抗蚀剂层372。就是说，使第3抗蚀剂层372成为全面覆盖玻璃基板101的上方(除了接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’的上方之外)的形状。另外，还使用半色调掩模部373l，使第3抗蚀剂层372成为比覆盖栅电极34及栅电极54的部分薄的形状。
再接着，如图32(b)所示，作为第4腐蚀，首先使用第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀。进而，通过第3抗蚀剂层372及使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，腐蚀栅极绝缘膜30，从而形成接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’。
接着，将第3抗蚀剂层372抛光，在覆盖栅电极34及栅电极54的形状上，重新形成第3抗蚀剂层372。
图33是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图33中，作为第5腐蚀，使用重新形成的第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀，从而形成由n型氧化物半导体层371构成的驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层。进而，使栅极绝缘膜30露出。接着，将第3抗蚀剂层372抛光，使n型氧化物半导体层371露出。图33所示的数据线用凸台114的开口部114b’、测量线用凸台154的开口部154b’、扫描线用凸台124的开口部124b’、测量线150的接触孔155，示出图34中的Db-Db断面。
接着，如图31所示，层叠氧化物透明导体层374、金属层375及第4抗蚀剂层376，利用第4半色调掩模377形成EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33及测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56、漏极线53(步骤S6b)。
下面，参照附图，讲述使用第4半色调掩模377的处理。
(使用第4半色调掩模的处理)
图35是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成/第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
此外，步骤S6b的驱动晶体管3及测量用晶体管5的制造方法，和第2实施方式的步骤S6a大致相同(参照图26、27)。这样，在图35中，示出数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、测量用晶体管5的漏极线53。
在图35(a)中，首先采用高频溅射法，使用氧化铟-氧化锡-氧化锌(In2O3∶SnO2∶ZnO＝大约60∶20∶20wt％)的目标靶，在露出的栅极绝缘膜30及n型氧化物半导体层371上形成膜厚约120nm的氧化物透明导体层374。这时的条件是氧∶氩比大约为1∶99VoI.％，而且基板温度是不使氧化物透明导体层374结晶化的温度。
接着，形成金属层375。该金属层375，是辅助导体层，由Mo层/Al层/Mo层构成。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。
再接着，在金属层375上涂敷第4抗蚀剂层376，使用第4半色调掩模377及半色调曝光，形成规定形状的第4抗蚀剂层376。就是说，使第4抗蚀剂层376成为覆盖EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53的形状。另外，还使用半色调掩模部378，使第4抗蚀剂层376成为覆盖像素电极38的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图35(b)所示，作为第6腐蚀，首先使用第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀。接着，使用第4抗蚀剂层376及草酸水溶液，对氧化物透明导体层374进行腐蚀，形成EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53(步骤S6b)。
此外，在步骤S6b中，如上所述，将上述第4抗蚀剂层376抛光，重新形成第4抗蚀剂层376。利用重新形成的第4抗蚀剂层376，使像素电极38上方的金属层375露出，而且覆盖EL驱动线130、电容器6的第2电极62、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53。
然后，作为第7腐蚀，使用重新形成第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀，使像素电极38露出。
再接着，将重新形成的第4抗蚀剂层376抛光后，就如图35所示，使EL驱动线130、电容器6的第2电极62、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53在栅极绝缘膜30上露出。图35所示的EL驱动线130、电容器6的第2电极62、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53，示出图36中的Eb-Eb断面。
(使用第5掩模的处理)
图37是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图37(a)中，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101上层叠保护用绝缘膜40。该保护用绝缘膜40是氮化硅(SiNx)膜，膜厚约为250nm。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，在保护用绝缘膜40上涂敷第5抗蚀剂层41，使用第5掩模42及曝光技术，在像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b及EL驱动线用凸台134的上方，形成具有开口部的第5掩模42。此外，在图37中，省略了数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、EL驱动线用凸台134及测量线用凸台154b(此外，其它的结构参照图29)。
再接着，作为第8腐蚀，通过使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，对保护用绝缘膜40进行腐蚀，使像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b及EL驱动线用凸台134露出(步骤S7a)。
(使用第3半色调掩模的处理)
图32是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层重新形成后的断面图。
此外，步骤S5b的驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层的形成方法，和第2实施方式的步骤S5a大致相同(参照图23、24)。这样，在图32中，示出测量线150的接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’。
在图32中，在栅极绝缘膜30上形成n型氧化物半导体层371。接着，在n型氧化物半导体层371上涂敷第3抗蚀剂层372，使用第3掩模373a及半色调曝光技术，形成规定形状的第3抗蚀剂层372。就是说，使第3抗蚀剂层372成为全面覆盖玻璃基板101的上方(除了接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’的上方之外)的形状。另外，还使用半色调掩模部3731，使第3抗蚀剂层372成为比覆盖栅电极34及栅电极54的部分薄的形状。
再接着，如图32(b)所示，作为第4腐蚀，首先使用第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀。进而，通过第3抗蚀剂层372及使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，腐蚀栅极绝缘膜30，从而形成接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’。
接着，将第3抗蚀剂层372抛光，在覆盖栅电极34及栅电极54的形状上，重新形成第3抗蚀剂层372。
图33是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图33中，作为第5腐蚀，使用重新形成的第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀，从而形成由n型氧化物半导体层371构成的驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层。进而，使栅极绝缘膜30露出。接着，将第3抗蚀剂层372抛光，使n型氧化物半导体层371露出。图33所示的数据线用凸台114的开口部114b’、测量线用凸台154的开口部154b’、扫描线用凸台124的开口部124b’、测量线150的接触孔155，示出图34中的Db-Db断面。
接着，如图31所示，层叠氧化物透明导体层374、金属层375及第4抗蚀剂层376，利用第4半色调掩模377形成EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33及测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56、漏极线53(步骤S6b)。
下面，参照附图，讲述使用第4半色调掩模377的处理。
(使用第4半色调掩模的处理)
图35是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成/第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
此外，步骤S6b的驱动晶体管3及测量用晶体管5的制造方法，和第2实施方式的步骤S6a大致相同(参照图26、27)。这样，在图35中，示出数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、测量用晶体管5的漏极线53。
在图35(a)中，首先采用高频溅射法，使用氧化铟-氧化锡-氧化锌(In2O3∶SnO2∶ZnO＝大约60∶20∶20wt％)的目标靶，在露出的栅极绝缘膜30及n型氧化物半导体层371上形成膜厚约120nm的氧化物透明导体层374。这时的条件是氧∶氩比大约为1∶99VoI.％，而且基板温度是不使氧化物透明导体层374结晶化的温度。
接着，形成金属层375。该金属层375，是辅助导体层，由Mo层/Al层/Mo层构成。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。
再接着，在金属层375上涂敷第4抗蚀剂层376，使用第4半色调掩模377及半色调曝光，形成规定形状的第4抗蚀剂层376。就是说，使第4抗蚀剂层376成为覆盖EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53的形状。另外，还使用半色调掩模部378，使第4抗蚀剂层376成为覆盖像素电极38的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图35(b)所示，作为第6腐蚀，首先使用第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀。接着，使用第4抗蚀剂层376及草酸水溶液，对氧化物透明导体层374进行腐蚀，形成EL驱动线130、电容器6的第2电极62、像素电极38、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53(步骤S6b)。
此外，在步骤S6b中，如上所述，将上述第4抗蚀剂层376抛光，重新形成第4抗蚀剂层376。利用重新形成的第4抗蚀剂层376，使像素电极38上方的金属层375露出，而且覆盖EL驱动线130、电容器6的第2电极62、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53。
然后，作为第7腐蚀，使用重新形成第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀，使像素电极38露出。
再接着，将重新形成的第4抗蚀剂层376抛光后，就如图35所示，使EL驱动线130、电容器6的第2电极62、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53在栅极绝缘膜30上露出。图35所示的EL驱动线130、电容器6的第2电极62、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53，示出图36中的Eb-Eb断面。
(使用第5掩模的处理)
图37是为了讲述本发明的第2实施方式的应用例涉及的有机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图37(a)中，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101上层叠保护用绝缘膜40。该保护用绝缘膜40是氮化硅(SiNx)膜，膜厚约为250nm。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，在保护用绝缘膜40上涂敷第5抗蚀剂层41，使用第5掩模42及曝光技术，在像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b及EL驱动线用凸台134的上方，形成具有开口部的第5掩模42。此外，在图37中，省略了数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、EL驱动线用凸台134及测量线用凸台154b(此外，其它的结构参照图29)。
再接着，作为第8腐蚀，通过使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，对保护用绝缘膜40进行腐蚀，使像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b及EL驱动线用凸台134露出(步骤S7a)。
再接着，将重新形成的第5抗蚀剂层41抛光后，就如图37所示，使保护用绝缘膜40露出。图37(b)所示的数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b及EL驱动线用凸台134，示出图38中的Fb-Fb断面。
这样，采用本实施方式的电流控制用TFT基板b的制造方法后，就能够获得和第2实施方式的制造方法大致相同的效果。另外，能够在紧靠保护用绝缘膜40的下层，形成数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b及EL驱动线用凸台134。所以，能够提高与数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b及EL驱动线用凸台134的连接性。
[分散型无机EL显示装置的第3实施方式]
图39是表示本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置的结构的方框图。
在图39中，作为电光学装置的分散型无机EL显示装置1c，具备数据线驱动电路11、扫描线驱动电路12、电源线控制电路13a、电流测量电路15及电流控制用TFT基板100c(适当的简称为“TFT基板100c”)。另外，TFT基板100c阵列状地配置着m(列：m为自然数)×n(行：n为自然数)个像素10c。
数据线驱动电路11通过第1数据线111、第2数据线112…第m数据线113作媒介，与各像素10c连接。例如数据线驱动电路11通过第m数据线113作媒介，与第m列配置的n个像素10c并联连接。该数据线驱动电路11向各像素10c输出数据信号。
另外，扫描线驱动电路12通过第1扫描线121、第2扫描线122…第n扫描线123作媒介，与各像素10c连接。例如扫描线驱动电路12通过第n扫描线123作媒介，与第n行配置的m个像素10c并联连接。该扫描线驱动电路12向各像素10c输出扫描信号。
进而，电源线控制电路13a通过第1EL驱动线131a、第2EL驱动线132a…第m EL驱动线133a作媒介，与各像素10c连接。例如电源线控制电路13a通过第m EL驱动线133a作媒介，与第m列配置的n个像素10c并联连接。该电源线控制电路13a向各像素10c供给驱动电流。
进而，电流测量电路15通过第1测量线151、第2测量线152…第m测量线153作媒介，与各像素10c连接。例如通过第m测量线153作媒介，与第m列配置的n个像素10c并联连接。该电流测量电路15测量供给各像素10a的分散型无机EL元件4c的电流。
另外，电流测量电路15最好测量供给分散型无机EL元件4c的交流电流，根据该电流的测量值，控制部(未图示)可以至少控制数据线驱动电路11、扫描线驱动电路12及电源线控制电路13a中的一个以上。这样，能够测量供给分散型无机EL元件4c的交流电流。根据测量值，控制数据线驱动电路11、扫描线驱动电路12及电源线控制电路13a中的一个以上。因此，能够将适当的驱动电流供给分散型无机EL元件4c。
接着，参照附图，讲述像素10c的结构。
图40是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置的像素的结构而绘制的简要方框图。
在图40中，像素10c具有驱动晶体管3、开关晶体管2、电容器6、电容器线160、测量用晶体管5及分散型无机EL元件4c。
驱动晶体管3向分散型无机EL元件4c供给交流电流。开关晶体管2控制驱动晶体管3。电容器6将电容器电压外加给驱动晶体管3的栅电极34。测量用晶体管5测量供给分散型无机EL元件4c的交流电流。作为电光学元件的分散型无机EL元件4c，被交流电流驱动。
另外，开关晶体管2、驱动晶体管3及测量用晶体管5，作为薄膜晶体管，在TFT基板100c上形成。进而，电容器6及分散型无机EL元件4c的像素电极38也在TFT基板100c上形成。
开关晶体管2通过栅极线21作媒介，与扫描线120连接。另外，开关晶体管2还通过源极线22作媒介，与数据线110连接。开关晶体管2的漏极线23，与驱动晶体管3的栅极线31及电容器6的第1电极61连接。另外，电容器6的第2电极62与电容器线160连接。电容器线160最好接地或者成为相当于接地的连接。
另外，驱动晶体管3通过源极线32作媒介，与EL驱动线130连接。驱动晶体管3还通过漏极线33作媒介，与分散型无机EL元件4c及测量用晶体管5的源极线52并联连接。
进而，测量用晶体管5的栅极线51与扫描线120连接。测量用晶体管5的漏极线53，则与测量线150连接。
接着，使用图40，讲述TFT基板100c的动作。
首先，在上述结构的TFT基板100c中，向扫描线120输入扫描信号。这样，栅极信号(扫描信号)就输入开关晶体管2的栅电极34，开关晶体管2成为on状态。另外，栅极信号(扫描信号)还由扫描线120输入测量用晶体管5的栅极电极54，测量用晶体管5成为on状态。
接着，驱动信号(驱动晶体管3的栅极电压(直流电压))被数据线110外加给驱动晶体管3的栅极电极34，驱动晶体管3成为on状态。另外，与来自数据线110的数据信号对应的电荷，存储到电容器6中。这时，按照外加给驱动晶体管3的栅极电极34的栅极电压，决定驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值。然后，由EL驱动线130向漏极线33供给与驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值对应的驱动电流。在这里，测量用晶体管5处于on状态。所以，上述驱动电流(测量电流I(m×(n-1)))几乎不流入分散型无机EL元件4c地经由测量用晶体管5的源极线52及漏极线53，流入测量线150。
接着，测量用晶体管5测量上述测量电流I(m×(n-1))，控制部根据测量电流I(m×(n-1))的测量值，控制数据线驱动电路11。就是说，测量值小于规定的预定值时，控制部就提高供给数据线110的数据信号的电压。这样，驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值就变低，驱动电流增加。反之，测量值大于规定的预定值时，控制部就降低供给数据线110的数据信号的电压。这样，驱动晶体管3的源·漏之间的电阻值就变高，驱动电流减少。控制部反复进行上述控制，从而使测量值成为几乎和规定的预定值相同的值。
再接着，测量值成为几乎和规定的预定值相同的值后，扫描线驱动电路12停止向扫描线120输出扫描信号。于是，开关晶体管2及测量用晶体管5成为off状态。开关晶体管2成为off状态后，栅极电压就不能够由数据线110外加给驱动晶体管3。但是在电容器6存储的电荷的作用下，与由数据线110外加的栅极电压相同的电压被外加给驱动晶体管3的栅极电极34。就是说，在开关晶体管2成为on状态时，电容器6的第1电极61被数据线110外加直流电压。这时，电容器6的第1电极61与电容器线160连接，从而使电容器6存储电荷。所以，栅电极34被电容器6外加栅极电压。此外，因为电容器6的第2电极62与电容器线160连接，所以不受驱动电流(交流电流)的影响。因此，TFT基板100c也称作“交流电流控制用TFT基板”。另外，该TFT基板100c也可以作为直流电流控制用TFT基板使用。
然后，在电容器6的作用下，驱动晶体管3被维持on状态，测量用晶体管5则成为off状态。这样，来自EL驱动线130的交流电流，经由驱动晶体管3，供给分散型无机EL元件4c。
该交流电流，和上述测量电流I(m×(n-1))相同。这样，被控制部控制的和规定的预定值大致相同的驱动电流，就供给分散型无机EL元件4c，而且分散型无机EL元件4c用与该驱动电流对应的亮度发光。
此外，变更上述驱动电流时，向扫描线120输出扫描信号，向数据线110输出与想变更的驱动电流对应的数据信号。
接着，分散型无机EL显示装置1c能够对像素10c’进行和像素10a大致相同的动作。就是说，即使驱动晶体管3的特性变化(劣化)，也能够向所有的像素10c供给和规定的预定值大致相同的驱动电流。因此，分散型无机EL显示装置1c能够提供优质的图像。
此外，在本实施方式的分散型无机EL显示装置1c的控制部，具备记忆单元(该记忆单元记忆各像素10c的规定的预定值)和演算处理部(该演算处理部计算测量值和规定的预定值之差)，使测量值成为和规定的预定值大致相同的值地进行控制。但是，控制方法并不局限于该方法，可以采用各种控制方法。
这样，本实施方式的分散型无机EL显示装置1c，能够向被交流电流驱动的分散型无机EL元件4c供给被电流测量电路15测量的、和规定的预定值大致相同的值的驱动电流。因此，能够提供优质的图像。此外，在本实施方式中，作为电光学元件使用分散型无机EL元件4c。但是并不局限于此。例如可以广泛应用于直流电流驱动型及/或交流电流驱动型的电光学元件。
另外，本实施方式的分散型无机EL显示装置1c的驱动晶体管3的活性层，是作为氧化物半导体层的n型氧化物半导体层371。这样，即使投入较大的交流电流及大电力，也与在驱动晶体管的活性层中使用非晶Si及多晶Si半导体的产品相比，其性能劣化较小。所以有机EL显示装置1a的稳定性优异，而且能够提高TFT基板100c的耐久性。因此，能够大大延长分散型无机EL显示装置1c的寿命。
此外，本实施方式的显示装置1c，作为驱动晶体管3的活性层，即使使用非晶Si及多晶Si半导体，也能够适应直流电流驱动型的电光学元件或交流电流驱动型的电光学元件中的任何一个。这一点非常有用。另外，供给电光学元件交流电流时，还能够供给高频电力。这一点也非常有用。进而，在现有技术中，使每个扫描的电压反转，或者在各扫描线中时电压反转地进行交流驱动。显示装置1c可以不进行这些动作。这一点也非常有用。
接着，参照附图，讲述上述TFT基板100c的制造方法及结构。首先讲述TFT基板100c的制造方法。
[电流控制用TFT基板的制造方法的第2实施方式]
图41表示为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。此外，本实施方式的制造方法与《权利要求书》的第19条对应。
在图41中，首先在基板上依次层叠金属层210及第1抗蚀剂层211，利用第1掩模212形成扫描线120、电容器线160、电容器6的第2电极62、开关晶体管2的栅极电极24及栅极线21、测量用晶体管5的栅极电极54及栅极线51(步骤S1c)。
下面，参照附图，讲述使用第1掩模212的处理。
(使用第1掩模的处理)
图42是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第1掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出金属层成膜/第1抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第1腐蚀/第1抗蚀剂层剥离后的断面图，(c)示出第1抗蚀剂层剥离后的TFT基板的主要部位的平面图。
在图42(a)中，首先准备透光性的玻璃基板101。
首先，在玻璃基板101上，形成作为导电体层的金属层210。就是说，采用高频溅射法，依次层叠膜厚约250nm、50nm的Al(铝)和Mo(钼)。此外，利用该金属层210，形成扫描线120、电容器6的第2电极62、栅电极24及栅极线21。
接着，在金属层210上涂敷第1抗蚀剂层211，使用第1掩模212，采用光刻法，形成规定形状的第1抗蚀剂层211。
再接着，如图42(b)所示，使用混酸腐蚀液，对金属层210进行第1腐蚀，形成扫描线120、电容器线160、电容器6的第2电极62、栅极线21、51及栅极电极24、54(步骤S1c)。
接着，将第1抗蚀剂层211抛光后，就如图42(c)所示，在玻璃基板101上露出扫描线120、电容器线160、与该电容器线160连接的电容器6的第2电极62、与扫描线120连接的栅极线21、51及栅电极24、54。图42(b)所示的扫描线120示出图43(c)中的Ac-Ac断面。另外，开关晶体管2的栅极电极24、测量用晶体管5的栅极电极54、第1电极61示出Bc-Bc断面。
再接着，如图41所示，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101、扫描线120、电容器线160、电容器6的第2电极62、栅极线21、51及栅电极24、54上层叠栅极绝缘膜20(步骤S2c)。该栅极绝缘膜20是氮化硅(SiNx)膜，而且膜厚约为300nm。该栅极绝缘膜20作为开关晶体管2、测量用晶体管5及电容器6用的栅极绝缘膜20形成。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
最后，如图41所示，层叠α-Si:H(i)膜271、α-Si:H(n)膜272、作为导电体层的金属层273及第2抗蚀剂层274，，使用第2半色调掩模275a，形成数据线110、电容器6的第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31及栅电极34(步骤S3c)。
下面，参照附图，讲述使用第2半色调掩模275c的处理。
(使用第2半色调掩模的处理)
图43是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第2半色调掩模275的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/α-Si:H(i)膜成膜/α-Si:H(n)膜成膜/金属层成膜/第2抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第2腐蚀/第2抗蚀剂层重新形成后的断面图，(c)示出第3腐蚀/第2抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图43(a)中，在栅极绝缘膜20上，首先层叠α-Si:H(i)膜271。该α-Si:H(i)膜271是非晶Si(硅)的绝缘层，膜厚大约为350nm。这时，作为放电气体，使用SiH4-N2类的混合气体。
接着，使用SiH4-N2-PN3类的混合气体，层叠α-Si:H(n)膜272。该α-Si:H(n)膜272是非晶Si的n型半导体层，膜厚大约为300nm。
再接着，形成由Mo层/Al层/Mo层构成的金属层273。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。
接着，在金属层273上涂敷第2抗蚀剂层274，利用第2半色调掩模275c及半色调曝光，形成规定形状的第2抗蚀剂层274。就是说，使第2抗蚀剂层274成为覆盖数据线110、电容器6的第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、栅电极24、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34的形状。另外，还使用半色调掩模部276，使第2抗蚀剂层274成为覆盖沟道部27的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图43(b)所示，作为第2腐蚀，首先使用第2抗蚀剂层274及混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀。接着，通过使用CHF气体的干腐蚀和使用联氨水溶液(NH2NH2·H2O)的湿腐蚀，对α-Si:H(n)膜272及α-Si:H(i)膜271进行腐蚀。这样，形成数据线110、电容器6的第1电极61、测量线150、源极线22、漏极线23、栅极线31及栅电极34。在这里，电容器6被栅极绝缘膜20绝缘。
再接着，将上述第2抗蚀剂层274抛光，重新形成第2抗蚀剂层274。利用重新形成的第2抗蚀剂层274，使沟道部27的上方的金属层273露出，而且覆盖数据线110、第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34。
接着，如图43(c)所示，作为第3腐蚀，使用重新形成的第2抗蚀剂层274和混酸腐蚀液，对金属层273进行腐蚀。这样，形成源极电极25及漏极电极26。进而，通过使用CHF气体的干腐蚀和使用联氨水溶液(NH2NH2·H2O)的湿腐蚀，对α-Si:H(n)膜272进行腐蚀。从而形成由α-Si:H(i)膜271构成的沟道部27，另外还形成开关晶体管2的源极电极25及漏极电极26(步骤S3c)。
再接着，将重新形成的第2抗蚀剂层274抛光后，就如图43(c)所示，在栅极绝缘膜20上露出数据线110、第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34。图43(c)所示的数据线110、电容器线160、第1电极61、测量线150、开关晶体管2的源极线22、源极电极25、栅电极24、沟道部27、漏极电极26、漏极线23、驱动晶体管3的栅极线31、栅电极34，示出图44中的Cc-Cc断面。
再接着，如图41所示，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101的上方层叠栅极绝缘膜30(步骤S4c)。该栅极绝缘膜30是氮化硅(SiNx)膜，膜厚约为300nm。另外，该栅极绝缘膜30作为驱动晶体管3、测量用晶体管5用的栅极绝缘膜30形成。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，如图41所示，在栅极绝缘膜30上，层叠作为氧化物半导体层的n型氧化物半导体层371及第3抗蚀剂层372，利用第3掩模373a，形成驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层和测量线150的接触孔155(步骤S5a)。
下面，参照附图，讲述使用第3半色调掩模373a的处理。
(使用第3半色调掩模的处理)
图45是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图45中，使用氧化铟-氧化锌(In2O3∶ZnO＝大约97∶3wt％)的目标靶，在栅极绝缘膜30上形成膜厚约150nm的n型氧化物半导体层371。这时的条件是氧∶氩比大约为10∶90VoI.％，而且基板温度大约小于100℃。在该条件下，n型氧化物半导体层371可以作为非晶质膜获得。
接着，在n型氧化物半导体层371上涂敷第3抗蚀剂层372，使用第3掩模373a及半色调曝光技术，形成规定形状的第3抗蚀剂层372。就是说，使第3抗蚀剂层372成为全面覆盖玻璃基板101的上方(除了接触孔155的上方之外)的形状。另外，还使用半色调掩模部373l，使第3抗蚀剂层372成为覆盖栅电极34及漏极线53的部分比其它部分厚的形状。
再接着，如图45(b)所示，作为第4腐蚀，首先使用第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀。进而，通过使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，腐蚀栅极绝缘膜30，从而形成接触孔155。
接着，将第3抗蚀剂层372抛光，在覆盖栅电极34及漏极线53的形状上，重新形成第3抗蚀剂层372。
图46是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图46中，作为第5腐蚀，使用重新形成的第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀，从而形成由n型氧化物半导体层371构成的驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层。接着，将第3抗蚀剂层372抛光，使n型氧化物半导体层371露出。图46所示的栅电极34、电容器6、栅极电极54、n型氧化物半导体层371及接触孔155，示出图47中的Dc-Dc断面。
另外，在形成n型氧化物半导体层371之后，用大约180℃以上的温度，对TFT基板100c进行热处理，使n型氧化物半导体层371的活性层结晶化。
接着，如图41所示，层叠作为氧化物导电体层的氧化物透明导体层374、作为辅助导电体层(辅助金属层)的金属层375及第4抗蚀剂层376，利用第4半色调掩模377c形成EL驱动线130、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33及测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56、漏极线53(步骤S6a)。
下面，参照附图，讲述使用第4半色调掩模377c的处理。
(使用第4半色调掩模的处理)
图48是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成后的断面图。此外，在该图中，为了便于理解而省略了EL驱动线130。
在图48(a)中，首先采用高频溅射法，使用氧化铟-氧化锡-氧化锌(In2O3∶SnO2∶ZnO＝大约60∶20∶20wt％)的目标靶，在露出的栅极绝缘膜30及n型氧化物半导体层371上形成膜厚约120nm的氧化物透明导体层374。这时的条件是氧∶氩比大约为1∶99VoI.％，而且基板温度是不使氧化物透明导体层374结晶化的温度。
接着，形成金属层375。该金属层375，是辅助导体层，由Mo层/Al层/Mo层构成。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。
再接着，在金属层375上涂敷第4抗蚀剂层376，使用第4半色调掩模377c及半色调曝光，形成规定形状的第4抗蚀剂层376。就是说，使第4抗蚀剂层376成为覆盖EL驱动线130、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53的形状。另外，还使用半色调掩模部378，使第4抗蚀剂层376成为覆盖像素电极38的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图48(b)所示，作为第6腐蚀，首先使用第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀。接着，使用第4抗蚀剂层376及草酸水溶液，对氧化物透明导体层374进行腐蚀，形成EL驱动线130、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53(步骤S6c)。
再接着，将上述第4抗蚀剂层376抛光，重新形成第4抗蚀剂层376。利用重新形成的第4抗蚀剂层376，使像素电极38的上方的金属层375露出，而且覆盖EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53。
图49是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图49中，作为第7腐蚀，使用重新形成的第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀，使像素电极38露出。
接着，将重新形成的第4抗蚀剂层376抛光后，就如图49所示，在栅极绝缘膜30上露出EL驱动线130、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53。图49所示的EL驱动线130、、电容器6、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53示出图50中的Ec-Ec、Ec’-Ec’、Ec”-Ec”断面。
另外，测量用晶体管5的漏极线53，通过接触孔155作媒介，与测量线150连接。
接着，如图41所示，层叠保护用绝缘膜40及第5抗蚀剂层41，利用第5掩模42c，使扫描线用凸台124、数据线用凸台114、EL驱动线用凸台134、测量线用凸台154、电容器线用凸台164及像素电极38露出(步骤S7c)。
下面，参照附图，讲述使用第5掩模42c的处理。
(使用第5掩模的处理)
图51是为了讲述本发明的第3实施方式涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图51(a)中，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101上层叠保护用绝缘膜40。该第4抗蚀剂层376是氮化硅(SiNx)膜，膜厚约为250nm。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，在保护用绝缘膜40上涂敷第5抗蚀剂层41，使用第5掩模42c及曝光技术，在像素电极38、数据线用凸台114、扫描线用凸台124、测量线用凸台154、电容器线用凸台164及EL驱动线用凸台134的上方，形成开口部。此外，在图51中，省略了数据线用凸台114、扫描线用凸台124、EL驱动线用凸台134、电容器线用凸台164及测量线用凸台154(此外，数据线用凸台114、扫描线用凸台124、EL驱动线用凸台134参照图12。另外，测量线用凸台154和数据线用凸台114大致相同。进而，电容器线用凸台164和扫描线用凸台124大致相同。)。
再接着，作为第8腐蚀，通过使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，对保护用绝缘膜40、栅极绝缘膜30、栅极绝缘膜20进行腐蚀，使像素电极38、数据线用凸台114、扫描线用凸台124、测量线用凸台154、电容器线用凸台164及EL驱动线用凸台134露出(步骤S7c)。
再接着，将第5抗蚀剂层41抛光后，就如图51所示，使保护用绝缘膜40露出。图51(b)所示的EL驱动线130、电容器6、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53，示出图52中的Fc-Fc、Fc’-Fc’、Fc”-Fc”断面。
此外，在本实施方式中，将开关晶体管2、驱动晶体管3、电容器6、测量用晶体管5及像素电极38的位置及形状，作为容易理解的位置及形状，但并不局限于此。
这样，采用本实施方式的电流控制用TFT基板c的制造方法后，就能够向被交流电流驱动的分散型无机EL元件4c供给被电流测量电路15测量的、和规定的预定值大致相同的值的驱动电流。因此，能够提供优质的图像。另外，使驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层成为n型氧化物半导体层371。这样，即使向驱动晶体管3及测量用晶体管5投入较大的电流及大电力，驱动晶体管3及测量用晶体管5的性能劣化也较小。所以TFT基板100c的稳定性优异，而且还能够提高TFT基板100a的耐久性。另外，能够利用第4半色调掩模377，制造EL驱动线130、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53。这样，能够减少使用的掩模数，削减制造工序，从而提高生产效率，降低制造成本。进而，还形成保护用绝缘膜40。所以在TFT基板100c上设置分散型无机EL材料、电极及保护膜后，能够很容易地获得分散型无机EL显示装置1c。
下面，参照附图，讲述上述TFT基板100c的结构。
[电流控制用TFT基板的第3实施方式]
本实施方式的电流控制用TFT基板100，如图39所示，在玻璃基板101上，阵列状地配置着m(列：m为自然数)×n(行：n为自然数)个像素10a。
另外，在行方向(水平方向)上，形成n条扫描线121、122…123。例如第n条扫描线123，与第n行配置的m个像素10c并联连接。
进而，在行方向(水平方向)上，形成n条EL驱动线131a、132a…133a。例如通过第n条EL驱动线133a作媒介，与第n行配置的m个像素10c并联连接。
另外，在行方向(水平方向)上，形成n条电容器线160。例如通过第n条电容器线160作媒介，与第n行配置的m个像素10c并联连接。
进而，在列方向(垂直方向)上，形成m条数据线111、112…113。例如通过第m条数据线113作媒介，与第m列配置的n个像素10c并联连接。
另外，在列方向(垂直方向)上，形成m条测量线151、152…153。例如通过第m条EL驱动线133作媒介，与第m列配置的n个像素10c并联连接。
另外，各像素10c如图52所示，具有驱动晶体管3、开关晶体管2、电容器6和测量用晶体管5。
驱动晶体管3向电光学元件——分散型无机EL元件4c(参照图40)供给电流。开关晶体管2控制驱动晶体管3。能够利用电容器6，维持驱动晶体管3的on状态。能够利用测量用晶体管5，测定向分散型无机EL元件4c(参照图40)供给电流。
开关晶体管2如图43及图44所示，具备栅电极24、栅极绝缘膜20、α-Si:H(i)膜271及α-Si:H(n)膜272、源极电极25、漏极电极26。
栅电极24通过栅极线21作媒介，与扫描线120连接。栅极绝缘膜20在栅电极24上形成。作为活性层的α-Si:H(i)膜271及α-Si:H(n)膜272，在栅极绝缘膜20上形成。源电极25通过源极线22作媒介，与数据线110连接。漏电极26通过漏极线23及栅极线31作媒介，与驱动晶体管3的栅极电极34连接，而且通过漏极线23作媒介，与电容器6的第1电极61连接。
电容器6在第1电极61和第2电极62之间，层叠作为绝缘层的栅极绝缘膜20。另外，通过on状态的开关晶体管2作媒介，由数据线110向第1电极61外加直流电压，进而，第2电极62与电容器线160连接。这样，相当于由数据线110外加的直流电压的电荷，就被第1电极61积蓄。所以即使开关晶体管2成为off状态，也能够利用被第1电极61积蓄的电荷，以和由EL驱动线130外加直流电压时相同的状态，维持开关晶体管2成为on状态。该on状态是和由数据线110外加直流电压时相同的状态。
驱动晶体管3如图49及图50所示，具备栅电极34、栅极绝缘膜30、n型氧化物半导体层371、源极电极35、漏极电极36。
栅极绝缘膜30在栅电极34上形成。作为活性层的n型氧化物半导体层371，在栅极绝缘膜30上形成。源电极35通过源极线32作媒介，与EL驱动线130连接。漏电极36通过漏极线33作媒介，与像素电极38连接，而且通过漏极线23及源极线52作媒介，与测量用晶体管5的源极电极55连接。
另外，驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33，由氧化物透明导体层374构成。该氧化物透明导体层374作为分散型无机EL元件4c的像素电极38发挥作用。这样，能够削减制造之际使用的掩模数量，削减制造工序。所以能够提高生产率，降低制造成本。
测量用晶体管5如图49及图50所示，具备栅电极54、栅极绝缘膜20及栅极绝缘膜30、n型氧化物半导体层371、源极电极55、漏极电极56。
栅电极54通过栅极线51作媒介，与扫描线120连接。栅极绝缘膜20及栅极绝缘膜30在栅电极54上形成。作为活性层的n型氧化物半导体层371，在栅极绝缘膜30上形成。漏电极56的一部分通过接触孔155内形成的漏极线53作媒介，与测量线150连接。
另外，最好在EL驱动线130、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53的上方，形成作为辅助导电体层的金属层375。这样，能够减少各线及电极的电阻。所以能够提高可靠性，还能够抑制能量效率的下降。
这样，本实施方式的TFT基板100c，就像分散型无机EL元件4c那样，被用于交流电流驱动型的电光学元件，能够向被交流电流驱动的分散型无机EL元件4c供给被电流测量电路15测量的、和规定的预定值大致相同的值的驱动电流。因此，能够提供优质的图像。另外，使驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层成为n型氧化物半导体层371。这样，即使向驱动晶体管3及测量用晶体管5投入较大的电流及大电力，驱动晶体管3及测量用晶体管5的性能劣化也较小。所以TFT基板100c的稳定性优异，而且还能够提高耐久性。
另外，上述分散型无机EL显示装置的第3实施方式、电流控制用TFT基板的制造方法的第3实施方式及电流控制用TFT基板的第3实施方式，具有各种应用例。
例如，在上述电流控制用TFT基板的制造方法的第3实施方式中，在栅极绝缘膜30的下方，形成数据线用凸台114、描线用凸台124、EL线驱动用凸台134及测量线用凸台154。但是，并不局限于此。例如可以在保护用绝缘膜40的下方，而且是栅极绝缘膜30的上方(即更加接近于保护用绝缘膜40的上方)，形成数据线用凸台114、描线用凸台124、EL线驱动用凸台134及测量线用凸台154。
下面，参照附图，讲述上述电流控制用TFT基板的制造方法的第3实施方式涉及的应用例。
[电流控制用TFT基板的制造方法的应用例]
图53表示为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法而绘制的简要流程图。此外，本实施方式的制造方法与《权利要求书》的第20条对应。
在图53中，本应用例的TFT基板的制造方法与上述第3实施方式相比，在步骤S5d中，在上述步骤S5a(参照图41)的基础上，形成数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’、电容器线用凸台164d的开口部164d’。进而，在步骤S6d中，在上述步骤S6c的基础上，形成数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d。这些点与第3实施方式不同。其它方法则与第3实施方式大致不同。
因此，在图53中，对于和图41同样的方法，赋予相同的符号，不再赘述。
在步骤S5d中，如图53所示，在栅极绝缘膜30上，形成作为氧化物活性层的n型氧化物半导体层371及第3掩模372。接着，使用第3半色调掩模373d，形成驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层、测量线150的接触孔155、数据线用凸台114b的开口部114b’、描线用凸台124b的开口部124b’、测量线用凸台154b的开口部154b’、电容器线用凸台164d的开口部164d’。
下面，参照附图，讲述步骤S5d中使用第3半色调掩模373d的处理。
(使用第3半色调掩模的处理)
图54是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出栅极绝缘膜成膜/n型氧化物半导体层成膜/第3抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第4腐蚀/第3抗蚀剂层重新形成后的断面图。
此外，步骤S5d的驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层的形成方法，和第2实施方式的步骤S5a大致相同(参照图45、46)。这样，在图54中，示出数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’、电容器线用凸台164d的开口部164d’。
在图54中，在栅极绝缘膜30上形成n型氧化物半导体层371。接着，在n型氧化物半导体层371上涂敷第3抗蚀剂层372，使用第3掩模373d及半色调曝光技术，形成规定形状的第3抗蚀剂层372。就是说，使第3抗蚀剂层372成为全面覆盖玻璃基板101的上方(除了接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’、电容器线用凸台164d的开口部164d’的上方之外)的形状。另外，还使用半色调掩模部373l，使第3抗蚀剂层372成为比覆盖栅电极34及栅电极54的部分薄的形状。
再接着，如图54(b)所示，作为第4腐蚀，首先使用第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀。进而，通过第3抗蚀剂层372及使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀，腐蚀栅极绝缘膜30，从而形成接触孔155、数据线用凸台114的开口部114b’、描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’、电容器线用凸台164d的开口部164d’。
接着，将第3抗蚀剂层372抛光，重新形成第3抗蚀剂层372。利用重新形成第3抗蚀剂层372，覆盖栅电极34及栅电极54。
图55是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第3半色调掩模的处理而绘制的示意图，示出第5腐蚀/第3抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图55中，作为第5腐蚀，使用重新形成的第3抗蚀剂层372及草酸水溶液，对n型氧化物半导体层371进行腐蚀，从而形成由n型氧化物半导体层371构成的驱动晶体管3及测量用晶体管5的活性层，使栅极绝缘膜30露出。接着，将第3抗蚀剂层372抛光，使n型氧化物半导体层371露出。图55所示的数据线用凸台114的开口部114b’、测量线用凸台154的开口部154b’、扫描线用凸台124的开口部124b’、电容器线用凸台164d的开口部164d’，示出图56中的Db-Db断面。
接着，如图53所示，层叠氧化物透明导体层374、金属层375及第4抗蚀剂层376，利用第4半色调掩模377形成EL驱动线130、像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33及测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56、漏极线53(步骤S6d)。
下面，参照附图，讲述使用第4半色调掩模377的处理。
(使用第4半色调掩模的处理)
图57是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第4半色调掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出氧化物透明导体层成膜/金属层成膜/第4抗蚀剂层涂敷/半色调曝光/显影的断面图，(b)示出第6腐蚀/第4抗蚀剂层重新形成/第7腐蚀/第4抗蚀剂层剥离后的断面图。
此外，步骤S6d的驱动晶体管3及测量用晶体管5的制造方法，和第3实施方式的步骤S6c大致相同(参照图48、49)。这样，在图57中，示出数据线用凸台114的开口部114b’、扫描线用凸台124的开口部124b’、测量线用凸台154的开口部154b’、电容器线用凸台164d的开口部164d’。
在图57(a)中，首先采用高频溅射法，使用氧化铟-氧化锡-氧化锌(In2O3∶SnO2∶ZnO＝大约60∶20∶20wt％)的目标靶，在露出的栅极绝缘膜30及n型氧化物半导体层371上形成膜厚约120nm的氧化物透明导体层374。这时的条件是氧∶氩比大约为1∶99VoI.％，而且基板温度是不使氧化物透明导体层374结晶化的温度。
接着，形成金属层375。该金属层375，是辅助导体层，由Mo层/Al层/Mo层构成。就是说，采用高频溅射法，按照该顺序，层叠成为膜厚约50nm、250nm、50nm的Mo、Al和Mo。
再接着，在金属层375上涂敷第4抗蚀剂层376。然后，使用第4半色调掩模377及半色调曝光，形成规定形状的第4抗蚀剂层376。就是说，使第4抗蚀剂层376成为覆盖EL驱动线130、像素电极38、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53的形状。另外，还使用半色调掩模部378，使第4抗蚀剂层376成为覆盖像素电极38的部分比其它部分薄的形状。
再接着，如图57(b)所示，作为第6腐蚀，首先使用第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀。接着，使用第4抗蚀剂层376及草酸水溶液，对氧化物透明导体层374进行腐蚀。从而形成EL驱动线130、像素电极38、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、漏极电极56及漏极线53(步骤S6d)。
此外，在步骤S6b中，如上所述，将上述第4抗蚀剂层376抛光，重新形成第4抗蚀剂层376。利用重新形成的第4抗蚀剂层376，使像素电极38上方的金属层375露出，而且覆盖EL驱动线130、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53。
然后，作为第7腐蚀，使用重新形成第4抗蚀剂层376和混酸腐蚀液，对金属层375进行腐蚀，使像素电极38露出。
再接着，将重新形成的第4抗蚀剂层376抛光后，就如图54所示，使EL驱动线130、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53在栅极绝缘膜30上露出。图57所示的EL驱动线130、数据线用凸台114b、描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d、像素电极38、驱动晶体管3的源极线32、源极电极35、沟道部37、漏极电极36、漏极线33、测量用晶体管5的源极线52、源极电极55、沟道部57、漏极电极56及漏极线53，示出图36中的Ed-Ed断面。
(使用第5掩模的处理)
图59是为了讲述本发明的第3实施方式的应用例涉及的分散型无机EL显示装置使用的TFT基板的制造方法中的使用第5掩模的处理而绘制的示意图，(a)示出保护用绝缘膜成膜/第5抗蚀剂层涂敷/曝光/显影的断面图，(b)示出第8腐蚀/第5抗蚀剂层剥离后的断面图。
在图59(a)中，采用辉光放电CVD(化学蒸镀法)，在玻璃基板101上层叠保护用绝缘膜40。该保护用绝缘膜40是氮化硅(SiNx)膜，膜厚约为250nm。此外，在本实施方式中，作为放电气体，使用SiH4-NH3-N2类的混合气体。
接着，在保护用绝缘膜40上涂敷第5抗蚀剂层41。再接着，使用第5掩模42及曝光技术，形成第5掩模42。第5掩模42在像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d及EL驱动线用凸台134的上方，具有开口部。此外，在图59中，省略了数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、EL驱动线用凸台134、电容器线用凸台164d及测量线用凸台154b(此外，其它的结构参照图51)。
再接着，作为第8腐蚀，通过使用CHF(CF4，CHF3等)气体的干腐蚀进行腐蚀。从而腐蚀保护用绝缘膜40、栅极绝缘膜30、栅极绝缘膜20，使像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b及EL驱动线用凸台134露出从而使保护用绝缘膜40、像素电极38、数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d及EL驱动线用凸台134露出(步骤S7c)。
再接着，将重新形成的第5抗蚀剂层41抛光后，就如图59所示，使保护用绝缘膜40露出。图59(b)所示的数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d及EL驱动线用凸台134，示出图60中的Fd-Fd断面。
这样，采用本实施方式的电流控制用TFT基板d的制造方法后，就能够获得和第3实施方式的制造方法大致相同的效果。另外，能够在紧靠保护用绝缘膜40的下层，形成数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d及EL驱动线用凸台134。所以，能够提高与数据线用凸台114b、扫描线用凸台124b、测量线用凸台154b、电容器线用凸台164d及EL驱动线用凸台134的连接性。
以上示出理想的实施方式，讲述了本发明涉及的电光学装置、电流控制用TFT基板及其制造方法。毫无疑问，本发明涉及的电光学装置、电流控制用TFT基板及其制造方法并不局限于上述实施方式，在本发明的范围内，可以有各种变更实施。
例如作为第1实施方式涉及的TFT基板100的制造方法的应用例，作为开关晶体管2的活性层，讲述了使用n型氧化物半导体层的应用例。但是该应用也能够适用于第2实施方式及第3实施方式和它们的应用例涉及的TFT基板100的制造方法。
另外，第3实施方式涉及的TFT基板100c，采用与分散型无机EL元件4c对应的结构。但是并不局限于此。例如一枚TFT可以驱动该TFT基板混载的直流驱动型及交流驱动型的电光学元件，可以实现各种变化(应用技术)。
进而，第2实施方式及第3实施中的电光学装置(有机EL显示装置1、分散型无机EL显示装置1c)中的电路结构，并不局限于此上述结构。例如还可以采用具备辅助性的电路(备用的电容器及晶体管等)的结构。
本发明的电光学装置、电流控制用TFT基板及其制造方法，并不局限于使用液晶元件、有机EL元件、无机EL元件等的电光学装置、电流控制用TFT基板及其制造方法。例如，使用液晶及有机EL以外的元件的显示装置或在其它用途中使用的TFT基板及TFT基板的制造方法制造方法，也能够应用本发明。

Claims (5)

1.一种电流控制用TFT基板的制造方法，其特征在于，具有：
在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，并利用第1掩模形成扫描线、开关晶体管的栅极电极及栅极线的工序；
层叠开关晶体管用的栅极绝缘膜的工序；
层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，并使用第2半色调掩模，形成数据线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；
层叠驱动晶体管用的栅极绝缘膜的工序；
层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，并使用第3掩模，形成驱动晶体管的活性层的工序；
层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，并使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线及像素电极的工序；和
层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，并使用第5掩模对绝缘保护膜、开关晶体管用的栅极绝缘膜进行蚀刻，使扫描线的一部分作为扫描线用凸台而露出，使数据线的一部分作为数据线用凸台而露出，使EL驱动线的一部分作为EL驱动线用凸台而露出，还使像素电极露出的工序。
2.一种电流控制用TFT基板的制造方法，其特征在于，具有：
在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，并利用第1掩模形成扫描线、开关晶体管的栅极电极、栅极线及测量用晶体管的栅极电极、栅极线的工序；
层叠开关晶体管用的栅极绝缘膜的工序；
层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层、或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，并使用第2半色调掩模，形成数据线、电容器的第1电极、测量线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；
层叠驱动晶体管、测量用晶体管及电容器用的栅极绝缘膜的工序；
层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，并使用第3半色调掩模，形成驱动晶体管及测量用晶体管的活性层和测量线的接触孔的工序；
层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，并使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、电容器的第2电极、像素电极、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、和测量用晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极及漏极线的工序；和
层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，并使用第5掩模对绝缘保护膜、开关晶体管用的栅极绝缘膜以及驱动晶体管、测量用晶体管及电容器用的栅极绝缘膜进行蚀刻，使扫描线的一部分作为扫描线用凸台而露出，使数据线的一部分作为数据线用凸台而露出，使EL驱动线的一部分作为EL驱动线用凸台而露出，使测量线的一部分作为测量线用凸台而露出，还使像素电极露出的工序。
3.一种电流控制用TFT基板的制造方法，其特征在于，具有：
在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，并利用第1掩模形成扫描线、开关晶体管的栅极电极、栅极线、和测量用晶体管的栅极电极、栅极线的工序；
层叠开关晶体管用的栅极绝缘膜的工序；
层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，并使用第2半色调掩模，形成数据线、电容器的第1电极、测量线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、和驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；
层叠驱动晶体管、测量用晶体管及电容器用的栅极绝缘膜的工序；
层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，并使用第3半色调掩模，形成驱动晶体管及测量用晶体管的活性层、和测量线的接触孔、数据线用凸台的开口部、扫描线用凸台的开口部及测量线用凸台的开口部的工序；
层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，并使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、电容器的第2电极、像素电极、数据线用凸台、扫描线用凸台、测量线用凸台、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、和测量用晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极及漏极线的工序；和
层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，并使用第5掩模，使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台、测量线用凸台及像素电极露出的工序。
4.一种电流控制用TFT基板的制造方法，其特征在于，具有：
在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，并利用第1掩模形成扫描线、电容器线、电容器的第2电极、开关晶体管的栅极电极、栅极线、和测量用晶体管的栅极电极、栅极线的工序；
层叠开关晶体管及电容器用的栅极绝缘膜的工序；
层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，并使用第2半色调掩模，形成数据线、电容器的第1电极、测量线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、和驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；
层叠驱动晶体管及测量用晶体管用的栅极绝缘膜的工序；
层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，并使用第3半色调掩模，形成驱动晶体管及测量用晶体管的活性层、和测量线的接触孔的工序；
层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，并使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、像素电极、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、和测量用晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极及漏极线的工序；和
层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，并使用第5掩模对绝缘保护膜、开关晶体管及电容器用的栅极绝缘膜、以及驱动晶体管及测量用晶体管用的栅极绝缘膜进行蚀刻，使扫描线的一部分作为扫描线用凸台而露出，使数据线的一部分作为数据线用凸台而露出，使EL驱动线的一部分作为EL驱动线用凸台而露出，使测量线的一部分作为测量线用凸台而露出，使电容器线的一部分作为电容器线用凸台而露出，还使像素电极露出的工序。
5.一种电流控制用TFT基板的制造方法，其特征在于，具有：
在基板的上方，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，并利用第1掩模形成扫描线、电容器线、电容器的第2电极、开关晶体管的栅极电极、栅极线、和测量用晶体管的栅极电极、栅极线的工序；
层叠开关晶体管及电容器用的栅极绝缘膜的工序；
层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，并使用第2半色调掩模，形成数据线、电容器的第1电极、测量线、开关晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、和驱动晶体管的栅极线及栅电极的工序；
层叠驱动晶体管及测量用晶体管用的栅极绝缘膜的工序；
层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，并使用第3半色调掩模，形成驱动晶体管及测量用晶体管的活性层、测量线的接触孔、数据线用凸台的开口部、扫描线用凸台的开口部、测量线用凸台的开口部、电容器线用的开口部的工序；
层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，并使用第4掩模或第4半色调掩模，形成EL驱动线、像素电极、数据线用凸台、扫描线用凸台、测量线用凸台、电容器线用凸台、驱动晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极、漏极线、和测量用晶体管的源极线、源极电极、沟道部、漏极电极及漏极线的工序；和
层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，并使用第5掩模，使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台、测量线用凸台、电容器线用凸台及像素电极露出的工序。
CN2010102373554A 2006-04-13 2007-04-10 电流控制用tft基板的制造方法 Expired - Fee Related CN101916743B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-110543 2006-04-13
JP2006110543A JP2007286150A (ja) 2006-04-13 2006-04-13 電気光学装置、並びに、電流制御用ｔｆｔ基板及びその製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200780013174XA Division CN101421767A (zh) 2006-04-13 2007-04-10 电光学装置、电流控制用tft基板及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101916743A CN101916743A (zh) 2010-12-15
CN101916743B true CN101916743B (zh) 2013-05-08

Family

ID=38609487

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102373516A Expired - Fee Related CN101916544B (zh) 2006-04-13 2007-04-10 电光学装置
CN2010102373554A Expired - Fee Related CN101916743B (zh) 2006-04-13 2007-04-10 电流控制用tft基板的制造方法
CNA200780013174XA Pending CN101421767A (zh) 2006-04-13 2007-04-10 电光学装置、电流控制用tft基板及其制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102373516A Expired - Fee Related CN101916544B (zh) 2006-04-13 2007-04-10 电光学装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200780013174XA Pending CN101421767A (zh) 2006-04-13 2007-04-10 电光学装置、电流控制用tft基板及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090160741A1 (zh)
EP (1) EP2006824A4 (zh)
JP (1) JP2007286150A (zh)
KR (1) KR101418611B1 (zh)
CN (3) CN101916544B (zh)
TW (1) TWI449179B (zh)
WO (1) WO2007119727A1 (zh)

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8803781B2 (en) * 2007-05-18 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP2009267399A (ja) * 2008-04-04 2009-11-12 Fujifilm Corp 半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5207885B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-12 キヤノン株式会社 画素回路、発光表示装置及びそれらの駆動方法
KR20160063402A (ko) * 2008-09-12 2016-06-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8130182B2 (en) * 2008-12-18 2012-03-06 Global Oled Technology Llc Digital-drive electroluminescent display with aging compensation
US8441007B2 (en) * 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100989134B1 (ko) * 2009-01-07 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101100999B1 (ko) 2009-01-13 2011-12-29 삼성모바일디스플레이주식회사 씨모스 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
KR101048965B1 (ko) * 2009-01-22 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224878A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101671210B1 (ko) * 2009-03-06 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI479574B (zh) 2009-03-16 2015-04-01 Hannstar Display Corp Ｔｆｔ陣列基板及其製造方法
JP5278119B2 (ja) * 2009-04-02 2013-09-04 ソニー株式会社 表示装置の駆動方法
US8441047B2 (en) * 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011007677A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101073542B1 (ko) 2009-09-03 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20230066115A (ko) 2009-09-04 2023-05-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011027701A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US9805641B2 (en) 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
WO2011043215A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device and driving method thereof
KR101832698B1 (ko) * 2009-10-14 2018-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101865546B1 (ko) 2009-10-16 2018-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
EP2494594B1 (en) 2009-10-29 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
SG178895A1 (en) * 2009-10-30 2012-04-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
CN104600074A (zh) * 2009-11-06 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20230173233A (ko) * 2009-11-13 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
WO2011058913A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101922849B1 (ko) 2009-11-20 2018-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102648490B (zh) * 2009-11-30 2016-08-17 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法、以及包括该液晶显示设备的电子设备
KR101921619B1 (ko) * 2009-12-28 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN102725842B (zh) * 2010-02-05 2014-12-03 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101050466B1 (ko) 2010-03-12 2011-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치의 커패시터 및 그것을 구비한 유기 발광 표시 장치
KR101343293B1 (ko) * 2010-04-30 2013-12-18 샤프 가부시키가이샤 회로 기판 및 표시 장치
KR101938726B1 (ko) * 2010-06-11 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5443588B2 (ja) * 2010-06-22 2014-03-19 パナソニック株式会社 発光表示装置及びその製造方法
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
US8664097B2 (en) * 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
EP2447997A1 (en) * 2010-10-26 2012-05-02 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
KR101826069B1 (ko) * 2010-10-26 2018-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101784014B1 (ko) * 2010-11-10 2017-10-10 가부시키가이샤 제이올레드 유기 ｅｌ 표시 패널 및 그 구동 방법
US9035298B2 (en) * 2010-12-01 2015-05-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, TFT substrate, and method for manufacturing semiconductor device and TFT substrate
KR101874144B1 (ko) * 2011-05-06 2018-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR102113160B1 (ko) * 2012-06-15 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102760837B (zh) * 2012-07-10 2015-02-25 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管器件结构及显示装置
TWI624936B (zh) * 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
DE112014006046T5 (de) * 2013-12-27 2016-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierende Vorrichtung
US9214508B2 (en) 2014-02-24 2015-12-15 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
US9881986B2 (en) 2014-02-24 2018-01-30 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US10186528B2 (en) 2014-02-24 2019-01-22 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US9691799B2 (en) 2014-02-24 2017-06-27 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US10985196B2 (en) 2014-02-24 2021-04-20 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
US10325937B2 (en) 2014-02-24 2019-06-18 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
US10903246B2 (en) 2014-02-24 2021-01-26 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
EP2911195B1 (en) 2014-02-24 2020-05-27 LG Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
CN104900653B (zh) * 2015-04-14 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 Tft布局结构
CN104778924A (zh) * 2015-04-28 2015-07-15 陕西科技大学 一种amoled像素阵列驱动显示装置
CN104992947B (zh) * 2015-06-03 2018-01-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种氧化物半导体tft阵列基板及其制备方法
US9911756B2 (en) * 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
CN105185321B (zh) * 2015-10-27 2018-05-29 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled驱动电路、显示面板及显示器
US9818344B2 (en) 2015-12-04 2017-11-14 Apple Inc. Display with light-emitting diodes
JP6917734B2 (ja) * 2016-03-18 2021-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7200418B2 (ja) 2016-06-22 2023-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2018004650A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Intel Corporation 1t-1r rram cell including group iii-n access transistor
KR20180025354A (ko) 2016-08-29 2018-03-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
WO2018122665A1 (en) * 2016-12-27 2018-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
US11170718B2 (en) 2017-05-12 2021-11-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display device and compensating method
CN108877651B (zh) * 2017-05-12 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及补偿方法
US10629730B2 (en) * 2018-05-25 2020-04-21 International Business Machines Corporation Body contact in Fin field effect transistor design
KR102625448B1 (ko) 2018-10-10 2024-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102082278B1 (ko) * 2019-02-01 2020-04-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TW202211195A (zh) 2020-08-12 2022-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、其工作方法以及電子裝置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1522470A (zh) * 2001-07-02 2004-08-18 出光兴产株式会社 Tft基板、使用它的液晶显示装置及其制造方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251705A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
US6608654B2 (en) * 1992-09-11 2003-08-19 Kopin Corporation Methods of fabricating active matrix pixel electrodes
JP2000227771A (ja) * 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
US6847341B2 (en) * 2000-04-19 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
JP3779166B2 (ja) * 2000-10-27 2006-05-24 シャープ株式会社 階調表示用電圧発生装置、及びそれを備えた階調表示装置
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP2003050405A (ja) * 2000-11-15 2003-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
JP2002278513A (ja) 2001-03-19 2002-09-27 Sharp Corp 電気光学装置
JP2002289859A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2003037268A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Minolta Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP4581893B2 (ja) 2001-09-10 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 電子装置、及び電子機器
JP4075505B2 (ja) * 2001-09-10 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電子装置、及び電子機器
JP4052865B2 (ja) * 2001-09-28 2008-02-27 三洋電機株式会社 半導体装置及び表示装置
JP2003115393A (ja) * 2001-10-02 2003-04-18 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、画像表示装置
JP2002319682A (ja) * 2002-01-04 2002-10-31 Japan Science & Technology Corp トランジスタ及び半導体装置
US6720942B2 (en) 2002-02-12 2004-04-13 Eastman Kodak Company Flat-panel light emitting pixel with luminance feedback
JP2003298062A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR100488835B1 (ko) * 2002-04-04 2005-05-11 산요덴키가부시키가이샤 반도체 장치 및 표시 장치
JP4115763B2 (ja) * 2002-07-10 2008-07-09 パイオニア株式会社 表示装置及び表示方法
JP2004233861A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nikon Corp マスク、露光方法及びデバイス製造方法
KR101058096B1 (ko) * 2004-04-01 2011-08-24 삼성전자주식회사 표시패널과, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
TWI376670B (en) * 2003-04-07 2012-11-11 Samsung Display Co Ltd Display panel, method for manufacturing thereof, and display device having the same
JP2006525539A (ja) * 2003-05-02 2006-11-09 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 閾値電圧のドリフト補償を有するアクティブマトリクスｏｌｅｄ表示装置
GB0320503D0 (en) * 2003-09-02 2003-10-01 Koninkl Philips Electronics Nv Active maxtrix display devices
JP4356467B2 (ja) * 2004-02-02 2009-11-04 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP4620046B2 (ja) * 2004-03-12 2011-01-26 独立行政法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2005268724A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Sony Corp 電子素子およびその製造方法
JP4665419B2 (ja) * 2004-03-30 2011-04-06 カシオ計算機株式会社 画素回路基板の検査方法及び検査装置
JP5152448B2 (ja) * 2004-09-21 2013-02-27 カシオ計算機株式会社 画素駆動回路及び画像表示装置
KR100953596B1 (ko) * 2004-11-10 2010-04-21 캐논 가부시끼가이샤 발광장치
US20060197092A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
JP5084111B2 (ja) * 2005-03-31 2012-11-28 三洋電機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP4732080B2 (ja) * 2005-09-06 2011-07-27 キヤノン株式会社 発光素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1522470A (zh) * 2001-07-02 2004-08-18 出光兴产株式会社 Tft基板、使用它的液晶显示装置及其制造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2004-233861A 2004.08.19
JP特开2005-217342A 2005.08.11

Also Published As

Publication number Publication date
TW200746436A (en) 2007-12-16
EP2006824A2 (en) 2008-12-24
CN101421767A (zh) 2009-04-29
US20090160741A1 (en) 2009-06-25
EP2006824A4 (en) 2014-08-20
KR20090004944A (ko) 2009-01-12
EP2006824A9 (en) 2009-08-05
TWI449179B (zh) 2014-08-11
CN101916544B (zh) 2013-06-19
CN101916544A (zh) 2010-12-15
JP2007286150A (ja) 2007-11-01
KR101418611B1 (ko) 2014-07-14
WO2007119727A1 (ja) 2007-10-25
CN101916743A (zh) 2010-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101916743B (zh) 电流控制用tft基板的制造方法
JP7503192B2 (ja) 半導体装置
JP7122421B2 (ja) 半導体装置
JP7224427B2 (ja) 表示装置
CN102738180B (zh) 显示装置
JP2023052516A (ja) 半導体装置
JP2018085518A (ja) 半導体装置
JP4844627B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法
JP2016028435A (ja) 半導体装置
CN106206620B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和显示器件
JP2007311404A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
TW201234603A (en) Thin film transistor and a method of manufacturing the same
CN102473732A (zh) 布线结构以及具备布线结构的显示装置
JP5244859B2 (ja) 電気光学装置、及び、電流制御用ｔｆｔ基板の製造方法
CN101826547B (zh) 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
CN103035737A (zh) 显示装置、其制造方法和电子单元
CN111063704A (zh) 显示面板和制造该显示面板的方法
JPH0555257A (ja) 薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130508

Termination date: 20190410

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee