CN101819984A - 电子书 - Google Patents

电子书 Download PDF

Info

Publication number
CN101819984A
CN101819984A CN201010004765A CN201010004765A CN101819984A CN 101819984 A CN101819984 A CN 101819984A CN 201010004765 A CN201010004765 A CN 201010004765A CN 201010004765 A CN201010004765 A CN 201010004765A CN 101819984 A CN101819984 A CN 101819984A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
substrate
light
display surface
transistorized
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201010004765A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101819984B (zh
Inventor
藤井照幸
山崎舜平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN101819984A publication Critical patent/CN101819984A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101819984B publication Critical patent/CN101819984B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/128Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/06Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0626Adjustment of display parameters for control of overall brightness
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2380/00Specific applications
    • G09G2380/14Electronic books and readers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree

Abstract

本申请提供一种电子书,设有第1~第4显示面,该电子书设有:具有所述第1显示面的第1单面发光显示面板;具有所述第2及第3显示面的两面发光面板;具有所述第4显示面的第2单面发光显示面板,所述两面发光面板插入所述第1单面发光显示面板和所述第2单面发光显示面板之间,用于所述两面发光面板的基板是膜基板。

Description

电子书
本申请属分案申请,其母案的申请号为200480007898.X。该母案的申请日为2004年1月14。
技术领域
本发明涉及具有用在一对电极间介入了包含电致发光(ElectroLuminescence:EL)材料的发光层的发光元件形成的像素部的发光装置。
背景技术
近年来,使用EL元件作为自发光型的发光元件的发光装置的研究越来越活跃。将该发光装置称为有机EL显示器或有机发光二极管。由于这些发光装置具有适合于动画显示的快的响应速度、低电压、低功耗驱动等的特征,故作为以新一代的便携电话或便携信息终端(PDA)为代表的下一代显示器非常引人注目。
将有机化合物的层作为发光层的EL元件具有在基板上层叠在由一方具有透光性的一对阳极和阴极构成的电极间插入了包含至少一层的EL材料的层(以下,记为EL层)的结构的多层膜的结构,通过对阳极和阴极施加电场,从EL层发出电致发光的光。此外,从EL元件发出的光有电子从激励一阶状态转移到基态时的发光(荧光)和电子从激励三阶状态转移到基态时的发光(磷光)。
再有,在本说明书中,将被设置在阴极与阳极之间的全部的层总称为EL层。
上述的EL层具有以“空穴输送层/发光层/电子输送层”为代表的层叠结构。此外,形成EL层的EL材料大致分为低分子类(单体类)材料和高分子类(聚合物类)材料。
有机EL元件具有在对置的一对电极之间夹住有机物的层叠结构,为了将从EL层发出的光取出到外部,必须使用透光性的导电物质、例如铟锡氧化物(以下,记为ITO)等作为阳极或阴极的至少一方。典型的有机EL元件具有将在基板上用溅射法进行成膜的ITO作为阳极并在其上层叠了EL层和使用了铝等金属的阴极的结构。在该结构的有机EL元件中,从在基板上进行了成膜的阳极取出发光。在用有源矩阵驱动来显示以该结构的有机EL元件为像素的显示器的情况下,基板上的TFT遮住透过阳极的发光,使发光效率大为下降。因此,近年来,研究了在基板上对没有透光性的金属的电极进行成膜并在其上层叠了EL层和透光性的导电物质的结构的有机EL元件。在该结构的有机EL元件中,在用有源矩阵驱动来显示显示器的情况下,基板上的TFT不会遮住发光。
发明内容
(发明打算解决的课题)
上述的从基板两面取出发光的结构的有机EL元件的典型的元件是通过将在基板上用溅射法进行了成膜的ITO作为阳极并在其上层叠了有机EL层和金属薄膜或ITO作成的。由于该结构的现有的有机EL元件将从EL层发出的光分在基板两面,故发光亮度对于驱动电压的特性为从单面取出发光的结构的有机EL元件的约一半。
因而,作为第1课题,可举出难以在低的驱动电压下从阴极和阳极的双方的透明电极取出高亮度的发光的问题。
此外,在EL层上用溅射法对ITO进行成膜来作成阴极的情况下,由于EL层的离子化电位和ITO的功函数的间隙大,故从ITO至EL层的电子注入性低,需要高的驱动电压。为了解决该问题,用在EL层与ITO等之间插入金属薄膜或在EL层的一部分中添加电子给予性高的金属、例如碱金属或碱土类金属等的方法提高了从ITO至EL层的电子注入性。由于该金属薄膜或被添加了碱金属或碱土类金属使阴极的透射率下降,故成为使阴极侧的发光亮度大幅度地下降的原因。
因而,作为第2课题,可举出因电极的透射率的差别难以在阳极侧和阴极侧使亮度在相同的程度上一致、此外也不可能根据用途只使一个面发光的问题。
此外,在EL层上溅射ITO的工序中,如果在基板上至EL层进行了成膜的阶段中在将基板从蒸镀装置运送至溅射装置时EL层暴露于大气中,则EL层容易被大气中的水分或氧氧化。特别是以提高从阴极至EL层的电子注入性的目的添加的碱金属或碱土类金属容易被大气中的氧氧化而成为绝缘物。
因而,作为第3课题,可举出如果在基板上至EL层进行了成膜的阶段中EL层暴露于大气中则有机EL元件的特性大幅度地恶化的问题。
此外,在现有的技术中,如果驱动显示以从阴极侧和阳极侧的两面取出发光的结构的有机EL元件为像素的发光装置,则对于一个面的图像,在另一个面上显示其镜像。
因而,作为第4课题,可举出在某一个面上产生使文字反转等的问题的问题。
再者,在从基板两面取出发光的类型的发光装置中,不能如以往那样使用密封罐密封干燥剂。此外,在使2片玻璃对置来密封的情况下,也存在缺乏插入干燥剂的空间、不能使用充足量的干燥剂的难点。
因而,作为第5课题,可举出必须用少量的干燥剂来密封的方法或不使用干燥剂来密封的方法那样的问题。
因此,本发明鉴于上述课题,其目的在于提供以用低电压发光、独立地控制两面的亮度、独立地显示两面的图像为特征的发光装置。
此外,关于上述的发光装置的制造方法,提供在不将EL层暴露于大气中对ITO电极进行成膜的方法、不使用密封罐或干燥剂来密封的方法。
(解决课题用的方法)
本发明为了解决上述课题,是以下述为特征的发光装置:在基板上具有以矩阵状配置的像素部,上述像素具有层叠了在至少一方具有透光性的一对阳极与阴极间插入了至少一层的有机层的结构的多层膜结构的第1发光元件和第2发光元件,上述第1发光元件只在相对于上述基板的面为垂直且从上述基板起在形成了上述像素部的一侧的方向上发出光,上述第2发光元件只在相对于上述基板的面为垂直且在与上述第1发光元件相反的方向上发出光。
利用上述方法,由于避免在两面上使1个有机EL元件发光的方式的结构,故没有必要为了在像素的两面上实现高亮度而施加高的驱动电压,可提高发光装置整体的耐用性。
此外,由于分别独立地驱动两发光面,故使两发光面的亮度达到一致变得容易,也可根据用途只使一个面发光。
此外,在上述的发光装置的制造中,提供下述的方法:在1台真空蒸镀装置中设置蒸镀室和溅射室,通过经运送室将基板从蒸镀室运送到溅射室,在不使EL层暴露于大气中的情况下对ITO电极进行成膜。
此外,通过分别独立地驱动两发光面,解决了对于一个面的图像在另一个面上显示其镜像等难点。
再者,本发明的密封的特征在于:作成贴合设置了发光元件的基板与透明的对置基板的结构,在贴合2片基板时,用透明的密封材料覆盖像素区域的整个面,用包含保持2片基板间隔的间隙材料(充填剂、微粒子等)的另外的粘度高的密封材料包围外部,使用这2种密封材料进行密封以免混入气泡等。利用这样的密封方法,可不使用密封罐或干燥剂就得到可靠性高的发光装置。
(本发明的效果)
利用本发明,可提供能进行两面显示且薄型、轻量的发光装置。
特别是,可在以往因空间或成本的关系只能安装尺寸小的子画面的便携信息终端上安装大画面的子画面,实现便携信息终端的进一步的高附加值化。
此外,通过将本发明的显示装置安装在电子书或笔记本个人计算机中,可实现多用途且具有方便性的使用。
附图说明
图1是示出本发明的发光装置的剖面的图。
图2是示出本发明的发光的光学干涉的图。
图3是示出本发明的显示装置的电路结构例的图。
图4是示出本发明的显示装置的电路结构例的图。
图5是示出本发明的显示装置的电路结构例的图。
图6是示出本发明的实施例1的图。
图7是示出本发明的实施例1的图。
图8是示出本发明的实施例2的图。
图9是示出本发明的实施例3的图。
图10是示出本发明的实施例4的图。
图11是示出本发明的发光装置的剖面的图。
图12是示出本发明的实施例3的结构的图。
具体实施方式
以下,使用附图详细地说明本发明的实施方式。
(实施方式1)
以下说明本发明的像素和密封的结构和制造方法。在图1中示出本发明的像素的基本结构。在此,图示了有源矩阵方式的驱动用TFT,但驱动方式也可以是单纯矩阵方式。
本发明的发光装置的基本结构大致分为第1基板、第1发光元件及其驱动用TFT、第2发光元件及其驱动用TFT、透明保护膜、密封剂和第2基板。第1发光元件通过将第1阳极1009定为反射电极、将阴极1011定为透明电极,只在相对于基板的面为垂直且从基板起在形成了上述像素部的一侧的方向上发出光,第2发光元件通过将第2阳极1024定为透明电极、将第2阴极1023定为反射电极,只在相对于基板的面为垂直且与第1发光元件相反的方向上发出光。以后,将第1发光元件发出的光的方向记为上方,将其反方向记为下方。
第1基板1000的材料最好是在平滑性方面良好的、可视区域的透射率高的材料。例如,玻璃或塑料是合适的材料。基底膜1001对基板与TFT进行电绝缘,隔断从基板发生的污染物,使其不到达TFT或EL层,起到了降低基板表面的凹凸的作用。
在基底膜1001上形成了第1驱动用TFT1002和第2驱动用TFT1021。第1驱动用TFT1002具有有源层1003、栅电极1005和在有源层1003与栅电极1005之间被夹住的栅绝缘膜1004。
此外,第1驱动用TFT1002被第1层间绝缘膜1006覆盖,在第1层间绝缘膜1006上以层叠的方式形成了第2层间绝缘膜1007和第3层间绝缘膜1008。
再有,第1驱动用TFT1002和第2驱动用TFT1021成为相同的结构。
此外,第1阳极1009和第2阳极1024分别是第1发光元件的阳极和第2发光元件的阳极,1010是EL层,1011是阴极,第1阳极1009与EL层1010和阴极1011重叠的部分相当于第1发光元件1012,第2阳极1024与EL层1010和阴极1011重叠的部分相当于第2发光元件1022。第1驱动用TFT1002控制对第1发光元件1012供给的电流,与第1发光元件1012直接或经其它的元件电连接。此外,第2驱动用TFT1021控制对第2发光元件1022供给的电流,与第2发光元件1022直接或经其它的元件电连接。
第1阳极1009是在空穴注入性方面良好的物质,最好是功函数大的物质。例如,是Ti、TiN、TiSiXNY、Ni、W、WSiX、WNX、WSiXNY、NbN、Mo、Cr、Pt、Se、Pd、Ir、Au等,也可以是这些金属的混合物或合金。此外,即使是上述以外的金属电极,通过在其上层叠ITO,也有能发挥充分的空穴注入性的情况。
第2阳极1024只要是起到透明电极的功能的材料即可,例如,ITO是合适的。
在溅射装置中成膜后,通过用干法刻蚀装置进行构图,可形成第1阳极1009和第2阳极1024。
有机树脂膜1013防止已被成膜的EL层1010或阴极1011因在第1阳极1009和第2阳极1024的端部上的台阶差而被断开。例如,丙烯酸树脂或聚酰亚胺等作为合适的材料用作有机树脂膜1013。特别是感光性丙烯酸树脂适合于微细加工。感光性丙烯酸树脂的硬化后的剖面形状带有圆角,具有在其上成膜的层即使是约1~10nm的极薄膜也难以断开这样的优点。使用旋转涂敷机、曝光机、显影机来形成感光性丙烯酸树脂,其膜厚由旋转涂敷机的旋转速度或旋转时间来调节。
EL层1010使用与基板的制造装置不同的装置来制造。如果用于EL层1010的有机物是低分子的,则使用真空蒸镀装置来成膜,如果用于EL层1010的有机物是高分子的,则使用旋转涂敷机或喷墨装置来成膜。例如,如果使用蒸镀装置,以20nm的CuPc、30nm的α-NPD、50nm的Alq3的结构来层叠,则可作成绿色发光的有机EL元件。再有,CuPc是电子注入层、α-NPD是电子输送层、Alq3是发光层。该工序中的蒸镀室的压力最好为约10-7Pa~10-4Pa。这是因为,如果压力高,则在蒸镀工序中因热的缘故有机物与残存氧发生氧化。此外,成膜速率最好为约0.1~0.2nm/s。这是因为,如果成膜速率高,则有机分子存在热分解的危险。
阴极1101,例如周溅射法对ITO进行成膜。此时,如果EL层的有机物暴露于大气中,则容易与水分与氧反应,导致作为EL元件的性能的恶化。因而,最好使用蒸镀室与溅射室经与外部气体隔离了的真空室连结的结构的装置。在使用了这样的装置的情况下,由于从蒸镀到溅射为止的一系列的工序(也包含基板的运送工序)全部可在真空中进行,故排除了大气中的水分或氧的影响。
此外,在有机物的EL层上直接对ITO进行成膜的情况下,由于从ITO至EL层的电子注入性低,故驱动电压变得非常高。因此,必须在提高从ITO至EL层的电子注入性方面下工夫。
例如,有在与ITO的界面附近的EL层中利用共同蒸镀添加电子注入性高的物质、例如碱金属或碱土类金属等的方法。特别是,在Alq3中添加Li的方法或在Alq3层上设置添加了Li的BCP或CuPc的层的方法是有效的。使用这样的方法,通过对EL层中的阴极附近的有机物赋予接近于N型半导体的物理性质,可飞跃性地提高从ITO至EL层的电子注入性。此外,由于碱金属或碱土类金属在大气中容易被氧化而成为绝缘体,故在上述的装置中最好避免暴露于大气中。
作为其它的方法,通过在EL层与ITO之间插入金属薄膜,可提高从ITO至EL层的电子注入性。例如,只要是Al-Li合金或Mg-Ag合金的约10nm的薄膜,就有透光性,提高从ITO至EL层的电子注入性的效果也很好。
此外,在溅射室中对ITO进行成膜的工序中,由于在溅射室内发生的等离子体对EL层造成损伤,故成为使有机EL元件的亮度特性下降的原因。为了将该损伤抑制为最低限度,有调整溅射的条件(压力、气体流量比、投入功率)以降低等离子体浓度的方法、在靶上覆盖网以免等离子体与基板接触的方法和在EL层上设置无机物的保护层的方法等。一般来说,如果降低溅射时的放电功率值来成膜,则可减少对EL层造成的损伤,但存在低功率下被成膜的ITO的电阻率变高的趋势,故在低功率成膜的情况下,必须调节压力和气体流量比,在ITO的电阻率为最低的条件下进行最佳化。例如,在用低于等于RF100W成膜的情况下,最好将气体流量比O2/Ar定为0,将全压力定为约1Pa。在通常的溅射装置中,在该条件下,可对电阻率为μΩcm的数量级的ITO进行成膜。此外,不仅进行成膜参数的最佳化,而且覆盖与靶对置的网,作成只在被靶和网夹住的区域中发生等离子体的结构,最好合并使用不使等离子体与基板接触的方法(遥控等离子体·溅射)或在EL层上设置无机物的保护层、例如金属或金属氮化物或金属硼化物等的薄膜的方法等。
上述ITO电极必须具有充分地起到作为电极的功能的低的薄层电阻值(10~100Ω/□)、高的光透射率(在可视区域中为大于等于80~90%)和不会因干涉而减弱可见光的全部的良好的光学特性。
特别是,由于光学特性较大地依赖于ITO电极的膜厚,故最佳化是不可缺少的。图2是图1中的第2发光元件的主要部分的放大图,示出了在层2000、空穴注入层2001、空穴输送层2002、发光层+添加物2003这样的结构的EL层上层叠了阴极(透明电极)2004和第2阴极(反射电极)2005的结构的发光元件的光学干涉。如果分别将发光层+添加物2003和阴极(透明电极)2004的折射率定为n4、n5,从发光层+添加物2003直接到达外部的光(直接光)与从发光层+添加物2003经由阴极(透明电极)2004在与第2阴极(反射电极)2005的界面上反射而到达外部的光(反射光)的光路差用2×(n4×d1+n5×d2)来表示。在此应注意的是,在n4>n5的情况下,由于发光进行自由端反射,故没有在反射部中的相位的变化,但在n4<n5的情况下,由于发光进行固定端反射,故在反射部中相位变化π。例如,在ITO与Al的层叠的情况下,发光进行自由端反射。因而,如果作成光路差2×(n4×d1+n5×d2)使其成为可见光波长λ的整数倍,则波长λ的光发生较强的干涉。
这样对图1的第2阴极1023进行成膜,使其完全覆盖第2发光元件1022且不完全覆盖第1发光元件1012。最好使用反射率高的金属、例如Al等作为第2阴极1023的材质。由于Al在约10nm的膜厚的情况下透过光,故最好作成约100nm的膜厚。蒸镀也好、溅射也好,都能容易地对Al进行成膜。
透明保护层1014的成膜的目的在于保护电极和EL层,使其不受水分和氧的影响。因而,最好使用在水中难溶的物质,以完全覆盖阴极的形状来成膜。合适的物质是CaF2、BaF2、MgF2等。利用蒸镀可容易地对这些物质进行成膜。由于膜厚越厚保护效果越大,故最好将膜厚定为大于等于100nm。
充填密封剂1025,使其完全填埋透明保护层1014与第2基板1026之间的空间。作成贴合设置了发光元件的第1基板1000与对置的第2基板1026的结构,在贴合2片基板时,用透明的密封材料覆盖像素区域的整个面,用包含保持2片基板间隔的间隙材料(充填剂、微粒子等)的另外的粘度高的密封材料包围外部,使用这2种密封材料进行密封以免混入气泡等。在密封剂的构图中使用分配器。再有,在贴合一对基板时,如果微量的水分混入,则对已作成的有机EL元件的耐久性显现出严重的影响,因此,希望使密封室的环境成为减压或氮的环境。贴合作业中的密封室的露点越低,就越是合适的条件,希望低于等于-80℃。
在使用紫外线硬化树脂作为上述的密封剂的情况下,在使其硬化时,由于也对像素部照射紫外线,故将透明保护膜1014作成2层,希望在上层形成只吸收或反射紫外线的层、例如ZnO等的层。
在本实施方式中,可在低于等于1×10-3Pa的压力下进行形成有机层、上述透明电极和上述透明保护膜为止的全部的工序。
(实施方式2)
在图11中示出本发明的像素的基本结构。在此,示出单纯矩阵方式的发光装置的结构。再有,对于本实施方式,使用相同的符号说明与实施方式1同样的构成要素。
对于与本实施方式有关的发光装置来说,在第1基板1000与第2基板1026之间形成第1发光元件1012和第2发光元件1022,用混入了衬垫的粘接剂1033在具有间隙的情况下对两基板进行了固定。将阳极1031和阴极1011定为透明电极,通过在第1发光元件1012中在阳极1031一侧、在第2发光元件1022中在阴极1011一侧分别设置遮光膜1030、1032,决定光的发射方向。
在单纯矩阵方式中,以条状形成阳极1031和阴极1011,在其交叉部中通过介入EL层形成以矩阵状排列的像素。在图11的结构中,在阳极1031和阴极1011之间形成了EL层1010,第1发光元件1012从第1基板1000一侧和第2发光元件1022从第2基板一侧发射各元件发射的光。
阳极1031可使用ITO或为了提高其平坦性而添加了1~10重量%、例如5重量%的SiO2的透明电极。对于阴极1011来说,作为在与ITO的界面附近的EL层中电子给予性高的物质,利用共同蒸镀,添加碱金属或碱土类金属等。作为其它的方法,通过在EL层与ITO之间插入金属薄膜,可提高从ITO至EL层的电子注入性。
用Al、Ti、Mo、其他的金属或包含颜料的非透光性的树脂材料形成遮光膜1030、1032即可。
透明保护层1014以完全覆盖阴极的形状来成膜。合适的物质是CaF2、BaF2、MgF2等。利用蒸镀可容易地对这些物质进行成膜。由于膜厚越厚保护效果越大,故最好将膜厚定为大于等于100nm。此外,也可使用由高频溅射法从硅靶形成的氮化硅膜。
将密封剂1025形成为充填透明保护膜1014与第2基板1026之间的空隙。密封剂1025最好使用光硬化型的树脂,使用第1发光元件1012发射的光的透射率高的透光性的材料。
此外,虽然在此未图示,但也可在第1发光元件1012与第2基板1026之间和第2发光元件1022与第1基板1000之间设置着色层,作成使各发光元件发射的光的特定的波长频带透过的结构。即,可提高发射的光的色纯度或可进行多色显示。
通过分别个别地形成并独立地控制阳极1031和阴极1011,即使采用单纯矩阵方式,也能得到以低电压发光、独立地控制两面的亮度、独立地显示两面的图像的发光装置。
(实施方式3)
其次,在以下的实施方式3中说明在实施方式1中示出的本发明的发光装置的驱动方法。
在图3中示出本发明的一实施方式。再有,在此使用了薄膜晶体管(TFT)作为开关元件或驱动元件,但不特别限定于此。例如,可举出MOS晶体管、有机晶体管、分子晶体管等,但都可同样地使用。此外,在TFT中,由于源区和漏区难以根据其结构或工作条件来区别,故将一方作为第1电极来标记,将另一方作为第2电极来标记。
在图3中,用点线框3000包围的区域是1个像素,具有源信号线3001、栅信号线3002、电流供给线3003、开关用TFT3004、第1驱动用TFT3005、第2驱动用TFT3006、第1发光元件3007和第2发光元件3008。在各像素中,可得到第1发光元件3007的射出光的区域是第1区域,可得到第2发光元件3008的射出光的区域是第2区域,都包含在1个像素中。
开关用TFT3004的栅电极与栅信号线3002电连接,第1电极与源信号线3001电连接,第2电极与第1、第2驱动用TFT3005、3006的栅电极电连接。第1驱动用TFT3005的第1电极与电流供给线3003电连接,第2电极与第1发光元件3007的第1电极电连接。第2驱动用TFT3006的第1电极与电流供给线3003电连接,第2电极与第2发光元件3008的第1电极电连接。第1发光元件3007的第2电极和第2发光元件3008的第2电极分别与对置电极3009、3010电连接,其中对置电极3009、3010与电流供给线彼此具有电位差。
对源信号线3001输出的影像信号在开关用TFT3004导通的时刻被输入到第1、第2驱动用TFT3005、3006的栅电极中,按照影像信号,对第1、第2发光元件3007、3008供给电流而发光。如上所述,对于第1区域、第2区域来说,分别从基板的表面背面可得到射出光。
按照该结构,第1发光元件3007和第2发光元件3008的发光、非发光的控制由第1、第2驱动用TFT3005、3006来进行,但例如如图4中所示,在电流供给线4003与第1和第2驱动用TFT4005、4006的第1电极之间分别设置以排他的方式工作的模拟开关4011、4012,通过利用显示面控制信号控制导通、关断,如果在某个期间内模拟开关4011导通,对第1发光元件4007供给电流,则在第1区域中显示影像。另一方面,如果与模拟开关4011以排他的方式工作的模拟开关4012在此时关断了,则隔断对第2发光元件4008的电流供给路径。于是,第2区域不发光。相反,在模拟开关4012导通、对第2发光元件4008供给电流、在第2区域中显示影像的期间中,模拟开关4012关断,隔断对第1发光元件4007的电流供给路径。于是,第1区域不发光。此时,可通过使用者进行某种操作输出显示面控制信号,进行显示面的转换,也可根据使用的状态(例如终端处于折叠的状态或打开的状态等)自动地进行转换工作。
此外,模拟开关4011、4012也可不以排他的方式工作,而是如图5中所示,使用显示面控制信号1、显示面控制信号2独立地控制。按照该结构,可任意地在第1区域、第2区域中转换显示、非显示。
作为使用图4、图5中示出的结构在第1区域、第2区域中互相显示不同的图像的方法,例如可举出在1帧期间中用奇数帧进行第1区域的显示、用偶数帧进行第2区域的显示等的方法。此时,按每1帧期间使显示面控制信号反转,模拟开关5011、5012按每1帧互相转换导通、关断即可。
对于用以上的结构构成的本发明,用以下示出的实施例进行更详细的说明。
(实施例)
〔实施例1〕
在本实施例中,记述以发光装置的作成为目的多反应室方式的制造装置和制造方法。该制造装置中,在投入预先设置了薄膜晶体管、阳极(第1电极)、覆盖该阳极的端部的绝缘物等的基板并连续地进行了成膜等的处理后,通过将基板与另外投入的对置基板一体化来进行密封处理,以完成面板。
图6是具有下述部分的多反应室方式的制造装置:入口6000a~6000w;运送室6001·6002·6003·6004·6005(在各运送室中设置了运送基板用的运送机械手);装入室6011;交接室6012·6013·6014;盒室6020a·6020b;托盘安放台6021;成膜室6022;基板加热室6023;基板·掩模储存室6024;前处理室6025;基板加热室6026;蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ga·6027Ea;设置蒸镀源的蒸镀前室6027Hb·6027Rb·6027Gb·6027Bb·6027Eb;蒸镀室6028·6029;溅射室6030·6031;对置玻璃用N2置换室6032·手套式操作箱(glove box)6033·准备室6034;基板·对置基板储存室6035;密封室6036;以及取出室6037。
说明对本制造装置的基板的投入方法。
在盒室6020a或6020b中投入容纳了基板的盒。本制造装置具有能处理2种大小的基板的特征。在所处理的基板是大型基板(在本实施例中,定为300mm×360mm)的情况下,在盒室6020b中最多可投入2个容纳了大型基板的大型盒(在本实施例中,定为12段)。在所处理的基板是小型基板(在本实施例中,定为126.6mm×126.6mm)的情况下,在盒室6020a中投入容纳了小型基板的小型盒(在本实施例中,定为20段,其中上部16段中容纳小型基板,下部4段作为插入运送室6001的运送机械手的臂的空间来使用),同时在盒室6020b中投入容纳了安装并运送多片(在本实施例中,定为4片)小型基板用的基板托盘(在本实施例中,定为与大型基板相同的尺寸的300mm×360mm)的托盘盒(在本实施例中,定为4段)。这样,在盒室6020b中成为能设置大型盒和托盘盒这两者的形状。此外,大型基板、小型基板的投入时的方向都是面朝上(在后述工序中被成膜的面是上侧)。从上述可知,在本实施例中一次可投入的基板的最多数、即每1批次的最多基板数在大型基板的情况下是24片,在小型基板的情况下是32片。
说明对本制造装置的金属掩模的投入方法。
在基板·掩模储存室6024中合计放置10片在前处理室6025、蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ba·6027Ga·6027Ea、蒸镀室6028·6029、溅射室6030·6031的合计10室中使用的金属掩模。在本实施例中,基板·掩模储存室6024成为11段的起卸器结构。在图7a中示出掩模放置后的状态。如果基板·掩模储存室6024的排气结束后,则对各处理室运送必要的金属掩模即可。在图7b中示出掩模运出后的状态。此外,各段兼用于掩模和基板。在将掩模运送到各室中后,该屋子的全部段成为空段,故如后述那样,可将基板·掩模储存室6024作为基板的暂时退避场所来使用。
将基板·掩模储存室6024的全部段数设定为比最多掩模片数多1段的原因是,由此,在某个批次A结束后,在回收该批次A中使用了的掩模之前,可如图7c那样预先准备应在下一个批次B中使用的不同种类的10片掩模。即,使用空闲的1段,由于可在每个使用掩模的处理室1中如图7d→图7e→图7f→图7g...那样连续地进行在批次A中使用的掩模的回收→在批次B中使用的掩模的运送这样的处理,故最终如图7h那样关于使用掩模的全部的屋子可交换掩模。其结果,可缩短掩模交换的作业时间。
说明对本制造装置的对置基板的投入方法。
在基板为大型基板(300mm×360mm)的情况下,将与基板相同尺寸的大型对置基板容纳在与在盒室6020b中使用了的为同一的大型盒(12段)中,在对置玻璃用N2置换室中最多放置2个大型对置基板(即,大型对置基板可投入的片数最多为24片)。在基板为小型基板(126.6mm×126.6mm)的情况下,将比基板小一圈的尺寸(在本实施例中,为122.6mm×122.6mm,与基板相比,外周小了2mm)的小型对置基板安装在可安装多片(在本实施例中,定为4片)的对置基板托盘(在本实施例中,定为300mm×360mm)上,将该对置基板托盘容纳在与盒室6020b使用的为同一的托盘盒中,在对置玻璃用N2置换室6032中最多放置2个托盘盒(即,小型对置基板可投入的片数最多为32片)。此外,大型对置基板、小型对置基板的投入时和其后的处理时的方向都是面朝上(在之后与基板贴合时,与基板接触的面是上侧)。
以下,首先按顺序说明基板的处理方法。
运送室6001一直成为N2环境大气压,在其中设置的运送机械手(具有基板吸附机构)进行基板的取出。在大型基板的情况下,从盒室6020b取出基板,运送到装入室6011中。在小型基板的情况下,从盒室6020b取出托盘运送到托盘安放台6021上后,从盒室6020a取出小型基板运送到托盘安放台6021上后,装在托盘上(在本实施例中,最多为4片)。其后,将放入大型基板或小型基板的托盘运入装入室6011中。在该时刻以后,基板的方向为面朝下(在后述工序中被成膜的面是下侧)。
这样,在本制造装置中,由于对小型基板进行4片的同时处理,故可以说对于小型基板的生产率非常高。以下,只要不特别指出,假定只记载对于大型基板的处理,将大型基板仅记为基板,但对于小型基板的处理也是完全相同的。
此外,由于装入室6011与一直保持为真空的运送室6002连结,故在运入了基板后在进行了排气之后将基板运出到运送室6002中。在基板运出后,具备将惰性气体导入到装入室6011中返回到大气压(充气),其次从运送室6001过来的基板的运入即可。
作为可进行运送室6001等的真空排气的处理室的真空排气用的泵,准备了磁浮型的涡轮分子泵、低温泵或干泵,由此,可使到达真空度成为10-5~10-6Pa,进而,可控制来自泵侧和排气系统的杂质的反扩散。为了防止杂质导入到装置内部,使用氮或稀有气体等的惰性气体作为导入的气体。关于导入到装置内部的这些气体,使用在导入到装置内之前由气体精制机进行了高纯度化了的气体。因而,必须具备精制机,以便在对气体进行了高纯度化之后导入到蒸镀装置内。由此,由于可预先除去在气体中包含的氧或水等其他杂质,故可防止这些杂质导入到装置内部。
但是,在完成后的发光元件中有时可看到在显示像素内亮度从像素周边部起发生恶化这样的收缩现象。作为其防止对策的一个,可举出包含有机化合物的膜的蒸镀之前的真空加热。可用在被设置在前处理室6025或基板加热室6026中的加热器(护套加热器等)来进行该真空加热。为了彻底地除去在上述基板中包含的水分或其它的气体,在真空(低于等于5×10-5to rr(0.665Pa),最好为10-4~10-6Pa)下进行脱气用的退火。特别是在使用了有机树脂膜作为层间绝缘膜或间隔壁的材料的情况下,由于因有机树脂材料的缘故容易吸附水分,进而存在发生去气的危险,故在形成包含有机化合物的层之前,在进行了100℃~250℃、最好是150℃~200℃、例如大于等于30分钟的加热后,进行30分钟的自然冷却,再进行除去吸附水分的真空加热,这样做是有效的。
但是,由于必要的加热和冷却时间长,故在连续地传过基板的情况下,生产率显著地下降。因此,将基板加热室6026做成多段的。在本实施例中,由于在前处理室6025中的基板加热(为了使基板面内温度分布变得均匀,采用了护套加热器)最多同时为1片,而基板加热室6026成为了4段的起卸器结构,故最多同时可进行4片的基板加热,实现大幅度的处理时间的缩短。此外,在本实施例中,由于在基板加热室6026中护套加热器为5段、即设置成比基板的段数多1段,故将基板容纳在哪个段中都能以完全相同的方式从基板两面进行加热。加热后的基板运送到基板·掩模储存室6024中,在该处进行冷却即可。利用该处理,可在基板加热室6026的空闲段中迅速地运入下一个基板,作为结果,与处理时间的缩短产生关联。
其次,在进行了上述真空加热后,将基板从运送室6002运送到蒸镀室6027Ha,进行真空蒸镀,形成空穴注入层或空穴输送层。其次,从运送室6002经由一直保持为真空的交接室6012,将基板运送到一直保持为真空的运送室6003。
其后,将基板适当地运送到与运送室6003连结的蒸镀室6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea,利用真空蒸镀法形成红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层、电子输送层或电子注入层等有机层。在此对蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea进行说明。
在蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea中设置了可安装多个蒸镀源(本实施例中定为4个源)的移动式的蒸镀源保持器。在蒸镀时一边移动蒸镀源、一边进行成膜,除此以外,也可容易地进行多源共同蒸镀。此外,在各蒸镀源中设置了蒸镀源挡板,通过该挡板的开闭,进行是否实际地使材料蒸发的控制。
最好使用以下示出的制造系统进行对这些蒸镀室的EL材料的设置。即,最好使用预先由厂家容纳了EL材料的容器(代表性地是坩埚)进行成膜。在进一步设置时最好不接触大气来进行,在从材料厂家运送时,最好将坩埚在密闭于第2容器中的原有状态下导入到成膜室中。希望使连结到蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea上的具有真空排气单元的蒸镀前室6027Hb·6027Rb·6027Gb·6027Bb·6027Eb成为真空或惰性气体环境,在其中从第2容器取出坩埚,将坩埚设置在蒸镀室的蒸镀源保持器上。由此,不仅可在不使各蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea开放于大气中的情况下在各蒸镀源设置EL材料,而且直至蒸镀之前可将坩埚和容纳于该坩埚中的EL材料保持为清洁的状态。
通过适当地选择在蒸镀室6027Ha·6027Ra·6027Ga·6027Ba·6027Ea中使用的EL材料,作为发光元件整体,可形成显示出单色(例如白色)或全彩色(红色·绿色·蓝色)的发光的发光元件。
此外,显示出白色的发光的有机化合物层在层叠具有不同的发光色的发光层的情况下,大致分为含有红色·绿色·蓝色的3原色的3波长类型和使用了蓝色/黄色或绿色/橙色的补色的关系的2波长类型。在通过只用一个蒸镀室进行全有机化合物层的形成来作成3波长类型的白色发光元件的情况下,分别准备形成白色发光层的芳香族二胺TPD(三苯基胺衍生物)作为第1蒸镀源,形成白色发光层的3-(4-叔-丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑,3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1,2,4-triazole(以下,示出为p-EtTAZ)作为第2蒸镀源,形成白色发光层的Alq3作为第3蒸镀源,作为红色发光色素的NileRed作为第4蒸镀源。然后,按第1至第4的顺序实际地使材料蒸发来层叠各层即可。具体地说,首先,预先加热第1至第4蒸镀源。此时,关闭了在各蒸镀源中设置的蒸镀源挡板。其次,打开第1蒸镀源挡板,在基板上对TPD进行成膜后,关闭第1蒸镀源挡板。其后,打开第2蒸镀源挡板,在基板上对p-EtTAZ进行成膜后,关闭第2蒸镀源挡板。其次,打开第3蒸镀源挡板,在基板上对Alq3进行成膜后,关闭第3蒸镀源挡板。进而,打开第3·第4蒸镀源挡板,形成Alq3和NileRed的共同蒸镀层后,关闭第3·第4蒸镀源挡板。最后,再次打开第3蒸镀源挡板,在基板上对Alq3进行成膜后,关闭第3蒸镀源挡板。利用这样的一系列的手续,可在基板上顺序地对TPD、p-EtTAZ、Alq3、Alq3:NileRed、Alq3的层成膜。此外,在最初的Alq3层与Alq3:NileRed层的界面和Alq3:NileRed层与最后的Alq3层的界面中,可维持打开了第3蒸镀源挡板的原有状态。
在利用上述工序适当地层叠了包含有机化合物的层后,从运送室6003经由一直保持为真空的交接室6013,将基板运送到一直保持为真空的运送室6004。
可使用溅射法形成阴极(透明电极)。将基板适当地运送到溅射室6030、溅射室6031中,利用溅射法形成以ITO为代表的透明导电膜。
其次,形成阴极(反射电极)。可利用采用了电阻加热的真空蒸镀法在蒸镀室6028或蒸镀室6029中形成金属的阴极、例如Al,也可利用溅射法在溅射室6030或溅射室6031中形成。
最后,在蒸镀室6028或蒸镀室6029中形成CaF2或ZnO的透明保护膜。
利用以上的工序形成层叠结构的发光元件。
其次,在不使形成了发光元件的基板对大气开放的情况下,从运送室6004运送到交接室6014。进而,从交接室6014经由运送室6005运送到基板·对置基板储存室6035。基板·对置基板储存室6035是暂时储存基板和对置基板的屋子,经由多段起卸器结构。各段对于基板·对置基板是兼用的。在本实施例中成为24段的起卸器结构,在大型基板、对置大型基板的情况下,可容纳已投入的基板和对置基板的一部分,在小型基板、对置小型基板的情况下,可容纳已投入的基板(托盘)和对置基板(托盘)的全部。因此,如果基板·对置基板储存室6035不存在空段的情况下,直至存在空段为止使基板在交接室6014待机即可。此外,在基板·对置基板储存室6035与运送室6005之间未特别设置隔开用的入口等,作为空间,基板·对置基板储存室6035与运送室6005是一体的。
此外,运送室6005为了尽可能预先除去水分或氧等,必须在使批次运转之前预先充分地排气,但为了在开始使批次运转后常时地保持为N2大气压,必须在将基板运送到运送室6005时对交接室6014充气。在将基板运送到运送室6005后,再次对交接室6014排气,使之成为能从运送室6004运送下一个基板的状态。即,每当基板通过时,交接室6014重复地进行排气·充气。
以下,按顺序说明对置基板的处理方法。
在对对置玻璃用N2置换室6032进行了大于等于1次(本实施例中定为3次)的排气·充气处理后,将对置基板运送到手套式操作箱6033中。这样,通过进行大于等于1次的排气·充气处理将手套式操作箱内的水分浓度·氧浓度保持为尽可能低的浓度。
在手套式操作箱6033中进行关于对置基板的前处理(密封剂的准备)。将基板运送到密封剂分配器部分上,使用密封剂分配器在对置基板上涂敷与设置了发光元件的基板最终地贴合的密封剂(在本实施例中,定为UV硬化型树脂)。关于密封剂,使用覆盖像素区域的整个面的透明的密封材料和包含保持2片基板间隔的间隙材料(充填剂、微粒子等)的另外的粘度高的密封材料这2种。这样来进行涂敷构图,使得粘度低的密封剂覆盖像素部整体,而且使粘度高的密封剂包围像素部整体。在该密封剂分配器上预先设置了用手工作业进行密封剂分配器的各种各样的调整用的手套(未图示)。此外,通过对置玻璃用N2置换室6032,在使批次运转前预先从外部在手套式操作箱6033内准备密封剂即可。
在对准备室6034进行了大于等于1次(本实施例中定为2次)的排气·充气处理后,最后再对准备室6034进行1次充气。其后,从准备室6034通过运送室6005将对置基板运送到基板·对置基板储存室6035。但是,在基板·对置基板储存室6035不存在空段的情况下,直至存在空段为止使对置基板在准备室6034待机即可。
以下,说明贴合在基板·对置基板储存室6035中暂时储存的基板与对置基板的处理。
从基板·对置基板储存室6035经由运送室6005将基板和对置基板运送到密封室6036。其后,在进行了基板与对置基板的对准后,贴合基板与对置基板并进行加压。其后,使密封剂硬化,将基板与对置基板作成一体的面板。在本实施例中,密封剂是UV硬化树脂,在密封室6036中设置了UV照射机构,从对置基板一侧(下侧)进行UV照射。
将这样完成的面板经由运送室6005运送到取出室6037。在取出室中可放置在盒室6020b或对置玻璃用N2置换室6032中也使用的2个大型盒(24段)或4个托盘盒(4段),根据取出室6037的段转换可选择放置两者中的哪一个。在投入的全部的基板和对置基板的处理结束后,从取出室取出在盒中容纳的面板即可。
通过以上述的程序使用本制造装置,可制作可靠性高的发光装置。
〔实施例2〕
在以下的实施例中,例示包含本发明的发光装置作为显示部的电气设备。
在本实施例中,示出将本发明的显示装置应用于在便携信息终端中代表性的便携电话机的例子。
如图8(A)中所示,如果使用本发明的显示装置,则由于可在一体的显示装置中进行两面显示,故即使在两面上设置了显示部的情况下,也可抑制壳体8000的厚度。
作为使用例,在打开了终端的情况下,主要将第1显示面8001作为显示面来使用。利用操作按钮8002进行画面操作。对于在关闭了终端的状态下主要使用的第2显示面8003来说,以往因空间的关系只能内置尺寸小的画面,但根据本发明,可使用具有与第1显示面8001为同等的显示尺寸的第2显示面8003,可进行邮件、Web页等的阅览。利用操作按钮8004进行在关闭状态下的操作。
此外,最近,安装数码相机的便携电话机等得到了普及,但是即使在使透镜8005朝向自己的面前的状态下摄影时,也可用显示区域宽的第2显示面8002一边进行监视、一边进行摄影。
图8(B)是从横向看图8(A)的便携电话机的图。如果同时显示第1显示面8001和第2显示面8003,则从摄影者一侧也好、从被摄影者一侧也好,都可看到监视器影像,在被摄影者确认了是否满足了摄影角度等的摄影意图之后,摄影者可按下快门。在这样的摄影中,摄影者和被摄影者的交流变得顺畅,具有减少摄影失败的效果。8006是摄影者,8007是被摄影者,8008是显示控制器,8009是主体驱动用模块,8010是电池,8011是第1基板。
这样的利用方法也可在数码相机或数码摄像机中实施。
〔实施例3〕
在本实施例中,示出将在膜基板上作成的本发明的两面发光装置应用于电子书的例子。
在电子书中,利用采用了本发明的膜方式的两面发光面板,可同时显示多个页。如图9中所示,使用通常的单面发光显示装置作为第1显示面9000和第4显示面9003,通过在中央部插入作为本发明的显示装置的第2显示面9001和第3显示面9002,可同时显示合计4页。
在本实施例的电子书中,图9中示出的第1显示面9000和第4显示面9003是固定在电子书主体上的通常的单面发光显示面板,基板没有必要是膜,可以是通常的玻璃基板。
此外,第1显示面9000和第4显示面9003可以是从基板一侧取出发光的下面射出(bottom emission)类型的,也可以是从成膜面一侧取出发光的上面射出(top emission)类型的。
另一方面,第2显示面9001和第3显示面9002是利用了本发明的膜方式的两面发光显示面板,在塑料等的材质的膜基板上对电极或EL层进行成膜来制作。关于密封,有用透明粘接剂贴合对置膜的方法或使用溅射法或CVD法用氮化硅等的保护膜覆盖基板整体的方法。
在图12中示出本实施例的电子书的结构。
在本实施例的电子书中内置了电源9012、电池9013、电源控制器9014、CPU9015、ROM9016、RAM9017、调制解调器9018、无线电话单元9019、调制解调器控制器9020、硬盘9021、CD-ROM9022、存储卡9023、声音信号处理电路9024、声音输出单元9025、处理从操作按钮9026输入的信号的输入控制器9027、视频信号处理电路9011、信号处理电路9010、影像信号控制电路9009和信号分割电路9004~9008等。
在本实施例的电子书中包含了硬盘9021、CD-ROM9022、存储卡9023等的记录媒体,可从这些记录媒体引出必要的信息,在显示面上显示。此外,也可从外部连接这些记录媒体。再者,本实施例的电子书通过用调制解调器控制器9020处理来自连接到外部的网络上的调制解调器9018、无线电话单元9019的信息,也可使其显示。
用视频信号处理电路9011处理这些记录媒体或来自外部的信号,经过信号处理电路9010、影像控制电路9009输入到与各显示面连接的信号分割电路9004~9008中。在同一基板上形成了第2显示面9001和第3显示面9002,但可从信号分割电路9005、9006输入各自独立的信号,可显示各自独立的图像。
再者,本实施例的电子书不仅可输出图像,也可用声音输出单元9025输出用声音信号处理电路9024处理的信号。
在具有这样的功能的电子书中,在一边参照图表、一边读另外的页的正文的情况下或一边参照辞典、一边读正文的情况等下是便利的。
〔实施例4〕
在图10中示出将本发明的显示装置应用于笔记本个人计算机的例子。
在笔记本个人计算机的显示装置中利用了本发明的情况下,如图10中所示,即使设置2面的显示面,也可抑制厚度。作为合适的制作例,是能分开使用作为通常的个人计算机显示装置使用的大面积的主显示器10000和在中断了使用的情况下等显示必要的最低限度的信息的小面积的子显示器1001的2个显示器的类型的笔记本个人计算机。
关于制作方法,用在本说明书中已叙述的次序就可以。主显示器10000和子显示器10001是独立驱动的,可显示完全不同的图像。
在个人计算机使用者注视主显示器10000进行工作的状态下,子显示器10001可关断,或者,也可朝向另外的人显示某种消息。
在个人计算机使用者中断作业、关闭显示器部分、只是子显示器10001对外部露出的状态下,主显示器10000可关闭。子显示器10001根据使用者的意图,也可关闭,也可只显示必要的最低限度的信息。
例如,有在作业中断中显示时刻、或显示起动中的应用程序的种类、或显示电子邮件的到达消息、或显示作业者的去向等的利用方法。

Claims (10)

1.一种电子书,设有第1~第4显示面,该电子书设有:
具有所述第1显示面的第1单面发光显示面板;
具有所述第2及第3显示面的两面发光面板;
具有所述第4显示面的第2单面发光显示面板,
所述两面发光面板插入所述第1单面发光显示面板和所述第2单面发光显示面板之间,
用于所述两面发光面板的基板是膜基板。
2.一种电子书,设有第1~第4显示面,该电子书设有:
具有所述第1显示面的第1单面发光显示面板;
具有所述第2及第3显示面的两面发光面板;
具有所述第4显示面的第2单面发光显示面板,
所述两面发光面板插入所述第1单面发光显示面板和所述第2单面发光显示面板之间,
用于所述第1及第2单面发光显示面板的基板是玻璃基板,
用于所述两面发光面板的基板是膜基板。
3.一种电子书,设有第1~第4显示面,该电子书设有:
具有所述第1显示面的第1单面发光显示面板;
具有所述第2及第3显示面的两面发光面板;
具有所述第4显示面的第2单面发光显示面板,
所述两面发光面板插入所述第1单面发光显示面板和所述第2单面发光显示面板之间,
用于所述两面发光面板的基板是膜基板,
所述两面发光面板具有以矩阵状配置像素的像素部,所述像素由在一对电极间介入包含电致发光材料的有机层的发光元件形成,
所述像素以所述有机层作为共同的层,并列地配置了:
在一对电极中,一个是透光性的第1电极、另一个是位于上述透光性的电极的下方的非透光性的第2电极的第1发光元件和
在一对电极中,另一个是透光性的第3电极、一个是位于该透光性的电极的上方的非透光性的第4电极的第2发光元件。
4.如权利要求3中所述的电子书,其中:
在所述第2电极和所述第3电极之间,有机树脂膜覆盖所述第2电极和第3电极的端部且形成在所述有机层的下方。
5.如权利要求1~4中任一项所述的电子书,其中:
所述两面发光面板具有以矩阵状配置像素的像素部,所述像素具有第1发光元件、第2发光元件、第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、源信号线、栅信号线、电流供给线、第1及第2模拟开关,
所述第3晶体管的栅电极与所述栅信号线电连接,
所述第3晶体管的第1电极与所述源信号线电连接,
所述第3晶体管的第2电极与所述第1晶体管的栅电极及所述第2晶体管的栅电极电连接,
所述第1晶体管的第1电极经由所述第1模拟开关与所述电流供给线电连接,
所述第2晶体管的第1电极经由所述第2模拟开关与所述电流供给线电连接,
所述第1晶体管的第2电极与所述第1发光元件电连接,
所述第2晶体管的第2电极与所述第2发光元件电连接,
所述第1模拟开关和所述第2模拟开关之间以排他方式工作。
6.如权利要求1~4中任一项所述的电子书,其中:
所述两面发光面板具有以矩阵状配置像素的像素部,所述像素具有第1发光元件、第2发光元件、第1晶体管、第2晶体管、第3晶体管、源信号线、栅信号线、电流供给线、第1及第2模拟开关,
所述第3晶体管的栅电极与所述栅信号线电连接,
所述第3晶体管的第1电极与所述源信号线电连接,
所述第3晶体管的第2电极与所述第1晶体管的栅电极及所述第2晶体管的栅电极电连接,
所述第1晶体管的第1电极经由所述第1模拟开关与所述电流供给线电连接,
所述第2晶体管的第1电极经由所述第2模拟开关与所述电流供给线电连接,
所述第1晶体管的第2电极与所述第1发光元件电连接,
所述第2晶体管的第2电极与所述第2发光元件电连接,
分别独立地控制所述第1模拟开关和所述第2模拟开关。
7.如权利要求1~4中任一项所述的电子书,其中:
在所述电子书关闭时,所述第1显示面和所述第2显示面相对地配置的同时,所述第3显示面和所述第4显示面相对地配置。
8.如权利要求1~4中任一项所述的电子书,其中:
还设有:电源、电池、CPU、视频信号处理电路及信号处理电路。
9.如权利要求1~4中任一项所述的电子书,其中:
还设有硬盘。
10.如权利要求1~4中任一项所述的电子书,其中:
还设有无线电话单元。
CN201010004765.4A 2003-01-24 2004-01-14 电子书 Expired - Fee Related CN101819984B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-016409 2003-01-24
JP2003016409 2003-01-24

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200480007898A Division CN100594748C (zh) 2003-01-24 2004-01-14 发光装置及其制造方法以及使用了上述发光装置的电气设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101819984A true CN101819984A (zh) 2010-09-01
CN101819984B CN101819984B (zh) 2014-04-30

Family

ID=32820544

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200480007898A Expired - Fee Related CN100594748C (zh) 2003-01-24 2004-01-14 发光装置及其制造方法以及使用了上述发光装置的电气设备
CN201010004765.4A Expired - Fee Related CN101819984B (zh) 2003-01-24 2004-01-14 电子书

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200480007898A Expired - Fee Related CN100594748C (zh) 2003-01-24 2004-01-14 发光装置及其制造方法以及使用了上述发光装置的电气设备

Country Status (5)

Country Link
US (4) US7199520B2 (zh)
EP (2) EP2326143B1 (zh)
JP (6) JP4430010B2 (zh)
CN (2) CN100594748C (zh)
WO (1) WO2004068910A1 (zh)

Families Citing this family (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004061807A1 (ja) 2002-12-27 2004-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置
WO2004068910A1 (ja) 2003-01-24 2004-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 発光装置及びその製造方法、並びに前記発光装置を用いた電気機器
JP4531341B2 (ja) * 2003-02-28 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US7333072B2 (en) * 2003-03-24 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device
CN1768556A (zh) * 2003-04-08 2006-05-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 双面发光设备
JP4614633B2 (ja) 2003-04-09 2011-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US7566902B2 (en) * 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US7161184B2 (en) 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7772756B2 (en) * 2003-08-01 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device including a dual emission panel
JP4316960B2 (ja) 2003-08-22 2009-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US8884845B2 (en) * 2003-10-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and telecommunication system
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US7453426B2 (en) * 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
TWI367686B (en) * 2004-04-07 2012-07-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, electronic device, and television device
TW200537976A (en) * 2004-05-13 2005-11-16 Au Optronics Corp Protection structure of organic light-emitting display unit and fabricating method thereof
US8681140B2 (en) 2004-05-21 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having the same
KR100565674B1 (ko) 2004-05-21 2006-03-30 엘지전자 주식회사 양방향 유기 el 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR100581913B1 (ko) * 2004-05-22 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
KR20050112031A (ko) * 2004-05-24 2005-11-29 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 및 그 형성 방법
US9070647B2 (en) * 2004-08-05 2015-06-30 Au Optronics Corporation Dual emitting method and device for active matrix organic electroluminescence
US20060049751A1 (en) * 2004-09-07 2006-03-09 Jiun-Haw Lee Display device with dual display areas
KR100699997B1 (ko) * 2004-09-21 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 다수개의 구동 트랜지스터와 다수개의 애노드 또는캐소드전극을 갖는 유기 전계 발광 표시장치
JP4289332B2 (ja) 2004-09-30 2009-07-01 セイコーエプソン株式会社 El表示装置、el表示装置の製造方法、及び電子機器
KR100600883B1 (ko) 2004-11-11 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
JP4586560B2 (ja) * 2005-02-15 2010-11-24 セイコーエプソン株式会社 画像印刷装置
JP4613637B2 (ja) * 2005-02-23 2011-01-19 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4619186B2 (ja) * 2005-04-19 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR101253998B1 (ko) * 2005-04-21 2013-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치 및 전자 장치
JP4596976B2 (ja) * 2005-05-20 2010-12-15 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
TWI295144B (en) * 2005-06-10 2008-03-21 Au Optronics Corp Dual emitting device
US7722929B2 (en) * 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
TWI326379B (en) * 2005-09-20 2010-06-21 Au Optronics Corp A double-sided liquid crystal display
EP1770672A1 (en) * 2005-09-28 2007-04-04 Samsung SDI Co., Ltd. Flat panel display and a method of driving the same
TWI331479B (en) * 2005-12-02 2010-10-01 Au Optronics Corp Dual emission display
TWI327042B (en) * 2006-01-19 2010-07-01 Au Optronics Corp Double-sided organic electro-luminescence device and electronic device
US7615285B2 (en) * 2006-06-21 2009-11-10 Southern Taiwan University Fabrication method and structure of an ITO anode containing nickel points for an OLED to selectively light
KR101261604B1 (ko) * 2006-07-06 2013-05-06 삼성디스플레이 주식회사 양면 표시 장치
KR20080037754A (ko) * 2006-10-27 2008-05-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법
TW200830593A (en) * 2006-11-15 2008-07-16 Univ California Transparent mirrorless light emitting diode
WO2008060586A2 (en) 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
JP5087927B2 (ja) * 2007-01-09 2012-12-05 大日本印刷株式会社 有機発光素子、有機発光トランジスタ及び発光表示装置
NL1033860C2 (nl) * 2007-05-16 2008-11-18 Otb Group Bv Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze.
US20080284934A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR100874458B1 (ko) * 2007-11-22 2008-12-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR101073561B1 (ko) * 2009-02-05 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
US20100237374A1 (en) * 2009-03-20 2010-09-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Transparent Organic Light Emitting Diode Lighting Device
CN103871330B (zh) * 2009-05-02 2017-09-12 株式会社半导体能源研究所 电子书
CN104133314B (zh) 2009-05-02 2019-07-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备
JP2011029172A (ja) * 2009-06-30 2011-02-10 Fujifilm Corp 有機el装置及びその設計方法
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
JP4942223B2 (ja) * 2009-11-25 2012-05-30 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機el装置
JP5287683B2 (ja) * 2009-11-26 2013-09-11 セイコーエプソン株式会社 ヘッドマウントディスプレイ
JP5672695B2 (ja) * 2009-12-18 2015-02-18 セイコーエプソン株式会社 表示装置
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP2011150119A (ja) * 2010-01-21 2011-08-04 Toppan Forms Co Ltd 記入情報表示装置
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US8928644B2 (en) * 2010-02-19 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving display device
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
JP5614067B2 (ja) * 2010-03-18 2014-10-29 富士ゼロックス株式会社 露光装置及び画像形成装置
TWI413039B (zh) * 2010-03-26 2013-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 自身攜帶照明裝置的電子書
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) * 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101678056B1 (ko) * 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101788285B1 (ko) * 2010-10-22 2017-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101391244B1 (ko) * 2010-12-20 2014-05-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI441328B (zh) 2010-12-24 2014-06-11 Au Optronics Corp 主動矩陣式有機電激發光顯示面板之畫素結構及其製作方法
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101880184B1 (ko) * 2011-02-14 2018-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
JP2013008663A (ja) * 2011-05-24 2013-01-10 Canon Inc 表示装置
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
TWI478333B (zh) * 2012-01-30 2015-03-21 Ind Tech Res Inst 雙面發光顯示面板
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN104282844B (zh) * 2013-07-08 2017-02-08 上海和辉光电有限公司 有机发光结构及其制造方法及有机发光组件
KR102092705B1 (ko) * 2013-08-16 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
US9285660B2 (en) * 2013-09-11 2016-03-15 Disney Enterprises, Inc. Animated document using an integrated projector
KR102114317B1 (ko) 2013-09-13 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR102155736B1 (ko) 2013-09-13 2020-09-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20150056112A (ko) * 2013-11-14 2015-05-26 삼성디스플레이 주식회사 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2015109192A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US9691835B2 (en) 2013-12-24 2017-06-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Double-face display panel
CN103730485B (zh) * 2013-12-27 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 双面显示的oled阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103715230B (zh) * 2013-12-31 2018-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种透明oled器件及其显示装置
USRE48695E1 (en) 2013-12-31 2021-08-17 Beijing Visionox Technology Co., Ltd. Transparent OLED device and display device employing same
KR20150097359A (ko) * 2014-02-18 2015-08-26 주식회사 엘지화학 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치
TWI548130B (zh) * 2014-07-03 2016-09-01 逢甲大學 有機發光裝置及其製作方法
GB201413578D0 (en) 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour iled display on silicon
CN105789239A (zh) * 2014-12-15 2016-07-20 北京维信诺科技有限公司 Oled显示屏双面发光的装置及制备方法
KR102637151B1 (ko) * 2015-02-06 2024-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102426712B1 (ko) * 2015-02-16 2022-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN105140260B (zh) * 2015-07-23 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102498276B1 (ko) * 2016-05-31 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 화소 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102504630B1 (ko) * 2016-07-01 2023-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN106252383B (zh) * 2016-09-30 2019-01-01 京东方科技集团股份有限公司 双面显示面板及其制作方法、显示装置
KR102562001B1 (ko) * 2017-01-13 2023-08-02 삼성전자주식회사 발광 장치를 포함하는 전자 장치
US10340323B2 (en) * 2017-07-04 2019-07-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Double-sided OLED display device
CN109285860A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、显示装置及其获取图像显示方法
CN107359175B (zh) * 2017-07-25 2020-02-11 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板和显示装置
CN107331693B (zh) * 2017-08-31 2022-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
WO2019112601A1 (en) * 2017-12-08 2019-06-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Dual-sided displays
CN110911440B (zh) * 2018-09-14 2020-10-16 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示屏和显示终端
WO2020052232A1 (zh) * 2018-09-14 2020-03-19 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示屏和显示终端
CN109300960B (zh) * 2018-10-10 2021-04-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示器件及其制作方法
KR102651733B1 (ko) * 2018-12-20 2024-03-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210050023A (ko) * 2019-10-25 2021-05-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
US11610877B2 (en) * 2019-11-21 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
CN111430414A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及制备方法、显示装置
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN113049753A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 徐州工牛高新材料有限公司 一种高纯低维电子材料制备与表征一体化方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001022303A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Canon Inc 両面表示装置
US20010046081A1 (en) * 2000-01-31 2001-11-29 Naoyuki Hayashi Sheet-like display, sphere-like resin body, and micro-capsule
JP2001345184A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Nippon Menbrane:Kk エレクトロルミネセンス素子及び表示装置
US20020119384A1 (en) * 2001-02-26 2002-08-29 Seiko Epson Corporation Light emitting device, display device, and electric appliance

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6249897A (ja) 1985-08-29 1987-03-04 シャープ株式会社 全自動洗濯機
JPS6249897U (zh) 1985-09-17 1987-03-27
US5493129A (en) * 1988-06-29 1996-02-20 Hitachi, Ltd. Thin film transistor structure having increased on-current
JP2553696B2 (ja) 1989-03-24 1996-11-13 松下電器産業株式会社 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置
US5484292A (en) 1989-08-21 1996-01-16 Mctaggart; Stephen I. Apparatus for combining audio and visual indicia
US5167508A (en) 1989-08-21 1992-12-01 Mc Taggart Stephen I Electronic book
JPH0392398A (ja) 1989-09-04 1991-04-17 Mitsuo Ishihara 座右の銘台及びその製造法
JPH0392398U (zh) * 1990-01-06 1991-09-19
JP2844575B2 (ja) * 1990-04-19 1999-01-06 キヤノン株式会社 印刷装置
JPH04355786A (ja) 1991-06-03 1992-12-09 Hitachi Ltd 表示システム
JPH0613184A (ja) * 1992-06-24 1994-01-21 Shinko Electric Co Ltd 有機薄膜el素子およびその製造方法
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JPH0696858A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Toppan Printing Co Ltd 有機薄膜el素子
WO1994011980A1 (en) 1992-11-09 1994-05-26 Patoroma Research Yugenkaisha Portable communicator
JPH07220871A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Res Dev Corp Of Japan 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP3078188B2 (ja) 1994-11-29 2000-08-21 シャープ株式会社 液晶表示装置及び電子機器
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6124851A (en) 1995-07-20 2000-09-26 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
US5748160A (en) 1995-08-21 1998-05-05 Mororola, Inc. Active driven LED matrices
US5780174A (en) * 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
JP3528470B2 (ja) * 1995-10-27 2004-05-17 株式会社豊田中央研究所 微小光共振器型有機電界発光素子
JP3698506B2 (ja) 1996-11-08 2005-09-21 株式会社アルバック El素子、及び有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法
JPH10162959A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE69729394T2 (de) 1996-11-29 2005-06-02 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Organische elektrolumineszente Vorrichtung
JPH10255976A (ja) 1997-03-11 1998-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびその製造方法
JPH10289784A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JPH10321374A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Tdk Corp 有機el素子
JPH10335061A (ja) 1997-06-04 1998-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機el素子の製造方法及びその製造装置
JPH1145779A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機el素子の製造方法および装置
JPH1173158A (ja) 1997-08-28 1999-03-16 Seiko Epson Corp 表示素子
KR20000071044A (ko) * 1998-03-19 2000-11-25 모리시타 요이찌 액정표시소자 및 그 제조방법
JP3546697B2 (ja) 1998-05-06 2004-07-28 トヨタ自動車株式会社 有機el素子
JP2000058260A (ja) 1998-08-07 2000-02-25 Mitsubishi Electric Corp 両面発光型エレクトロルミネッセンス素子および両面自発光型情報表示素子
JP4505067B2 (ja) * 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6281552B1 (en) * 1999-03-23 2001-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having ldd regions
JP2000292777A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Minolta Co Ltd ディスプレイ装置
TW444257B (en) * 1999-04-12 2001-07-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for fabricating the same
KR100307027B1 (ko) * 1999-06-17 2001-11-01 서평원 액정 표시장치 및 이것을 이용한 이동 통신 단말기의 표시장치
US6819309B1 (en) * 1999-07-07 2004-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Double-face display device
JP2001035652A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた照光ユニット
TW522453B (en) * 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP2001109395A (ja) 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd El表示装置
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4434411B2 (ja) 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法
US7194085B2 (en) * 2000-03-22 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US6936485B2 (en) 2000-03-27 2005-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device
US7262763B2 (en) 2000-04-18 2007-08-28 Fujifilm Corporation Image display apparatus and image display method
JP2001312228A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置、表示方法と表示部内蔵携帯型装置
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
JP2001319776A (ja) * 2000-05-12 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Elパネルの作製方法
JP2001332392A (ja) 2000-05-19 2001-11-30 Sony Corp 両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子、両面発光型有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
JP5110748B2 (ja) * 2000-06-06 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6995753B2 (en) 2000-06-06 2006-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP2001356714A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Alpine Electronics Inc 表示装置
US6542205B2 (en) 2000-08-04 2003-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4896314B2 (ja) 2000-08-04 2012-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7430025B2 (en) * 2000-08-23 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
US20020121848A1 (en) * 2000-10-05 2002-09-05 Chih-Kung Lee Backlight module for electro-optical display
US6424093B1 (en) * 2000-10-06 2002-07-23 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent display device with performed images
US6906705B2 (en) 2000-10-16 2005-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic file with flexible display medium
JP3999958B2 (ja) * 2000-10-16 2007-10-31 松下電器産業株式会社 電子ペーパファイル
JP3408514B2 (ja) 2000-11-24 2003-05-19 セイレイ工業株式会社 収穫機
US6764776B2 (en) * 2000-11-30 2004-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3593982B2 (ja) * 2001-01-15 2004-11-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
US20040070633A1 (en) 2001-01-15 2004-04-15 Tetsuroh Nakamura Electronic paper file and mark setting system
JP4644938B2 (ja) 2001-01-15 2011-03-09 ソニー株式会社 有機電界発光素子
JP2002304136A (ja) 2001-01-17 2002-10-18 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えた電子機器
JP4765170B2 (ja) 2001-01-24 2011-09-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP4822590B2 (ja) 2001-02-08 2011-11-24 三洋電機株式会社 有機el回路
JP3644392B2 (ja) * 2001-02-23 2005-04-27 トヨタ車体株式会社 車両用扉開閉構造
JP2002296063A (ja) 2001-03-30 2002-10-09 Denso Corp ナビゲーション装置
US6814642B2 (en) * 2001-04-04 2004-11-09 Eastman Kodak Company Touch screen display and method of manufacture
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP2002373792A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその制御方法及びその制御システム及びその素子を用いたディスプレイ及びその素子を用いた感光体露光用光源を有する電子写真式の画像形成装置
US6635306B2 (en) * 2001-06-22 2003-10-21 University Of Cincinnati Light emissive display with a black or color dielectric layer
JP2003058081A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Casio Comput Co Ltd 電子表示装置
US7215313B2 (en) 2002-03-13 2007-05-08 Koninklije Philips Electronics N. V. Two sided display device
JP4120259B2 (ja) 2002-04-26 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP4217426B2 (ja) * 2002-05-28 2009-02-04 シャープ株式会社 両面表示装置
US6911772B2 (en) * 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
JP4234376B2 (ja) * 2002-08-28 2009-03-04 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及び電子機器
KR100489590B1 (ko) * 2002-09-19 2005-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 투과형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
US7012364B2 (en) * 2002-10-01 2006-03-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent display
EP1580708A4 (en) * 2002-11-27 2011-01-05 Semiconductor Energy Lab DISPLAY APPARATUS AND ELECTRONIC DEVICE
TWI350404B (en) * 2002-12-13 2011-10-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
WO2004061807A1 (ja) * 2002-12-27 2004-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置
KR101019138B1 (ko) 2002-12-27 2011-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2004068910A1 (ja) 2003-01-24 2004-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 発光装置及びその製造方法、並びに前記発光装置を用いた電気機器
US7566902B2 (en) * 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US7622863B2 (en) * 2003-06-30 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device including first and second light emitting elements
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US7453426B2 (en) * 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP5589452B2 (ja) * 2010-03-11 2014-09-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器、発光装置の駆動方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001022303A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Canon Inc 両面表示装置
US20010046081A1 (en) * 2000-01-31 2001-11-29 Naoyuki Hayashi Sheet-like display, sphere-like resin body, and micro-capsule
JP2001345184A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Nippon Menbrane:Kk エレクトロルミネセンス素子及び表示装置
US20020119384A1 (en) * 2001-02-26 2002-08-29 Seiko Epson Corporation Light emitting device, display device, and electric appliance

Also Published As

Publication number Publication date
CN1765156A (zh) 2006-04-26
JP2012226365A (ja) 2012-11-15
EP1589785A4 (en) 2008-01-23
US8084081B2 (en) 2011-12-27
JP2014060422A (ja) 2014-04-03
JP2010002920A (ja) 2010-01-07
EP1589785A1 (en) 2005-10-26
US8860011B2 (en) 2014-10-14
US9324773B2 (en) 2016-04-26
EP2326143B1 (en) 2013-04-24
JP5857102B2 (ja) 2016-02-10
WO2004068910A1 (ja) 2004-08-12
JP2015004985A (ja) 2015-01-08
JP2015233019A (ja) 2015-12-24
US20150123101A1 (en) 2015-05-07
EP2326143A2 (en) 2011-05-25
JPWO2004068910A1 (ja) 2006-05-25
JP4430010B2 (ja) 2010-03-10
EP2326143A3 (en) 2011-07-06
CN100594748C (zh) 2010-03-17
JP6046787B2 (ja) 2016-12-21
US20040245531A1 (en) 2004-12-09
EP1589785B1 (en) 2014-10-15
US7199520B2 (en) 2007-04-03
US20120146065A1 (en) 2012-06-14
JP5171773B2 (ja) 2013-03-27
CN101819984B (zh) 2014-04-30
JP5492946B2 (ja) 2014-05-14
US20070178224A1 (en) 2007-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100594748C (zh) 发光装置及其制造方法以及使用了上述发光装置的电气设备
KR101011346B1 (ko) 발광 장치 및 그 제작 방법
CN100539174C (zh) 发光器件以及电子器具
KR101928718B1 (ko) 발광 장치
JP4651916B2 (ja) 発光装置の作製方法
JP4545385B2 (ja) 発光装置の作製方法
JP4408127B2 (ja) 発光装置の作製方法
WO2004064453A1 (ja) 発光素子及びその作製方法
US10483489B2 (en) Integrated circular polarizer and permeation barrier for flexible OLEDs
US10811633B2 (en) Method of increasing the flexibility of an AMOLDED display, a flexible display, and a product
JP2004047452A (ja) 製造装置
JP2001057286A (ja) 有機el素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140430

Termination date: 20210114