CN101796497B - 存储器刷新装置和存储器刷新方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供存储器刷新装置和存储器刷新方法。该存储器刷新装置包括：通常巡检控制部(24)，其控制进行存储器(11)的巡检的通常巡检动作；追加巡检控制部(25)，其在通常巡检动作中检测出存储器(11)的错误的情况下，控制对存储器(11)中的错误发生位置进行巡检的追加巡检动作；计测部(15)，其在追加巡检动作中检测出错误的情况下，将关于错误发生位置的错误的信息作为错误频率进行计测；以及刷新周期调整部(26)，其根据由计测部(15)计测出的错误频率，调整刷新周期。由此，能够高效地进行与存储器中的错误的发生状态相配合的刷新周期的最佳化。

Description

存储器刷新装置和存储器刷新方法
技术领域
本发明涉及与存储器的刷新周期相配合地进行存储器刷新的技术。 
背景技术
由于近年来的计算机的高性能化，进行DRAM(Dynamic RandomAccess Memory)等存储器的刷新时的时间损失和电力消耗的损失变得不能够忽略。于是，以在难于发生错误(数据错误)的状态下以长周期进行存储器刷新，在动作条件严酷、容易发生错误的状态下使刷新周期变短的方式控制刷新周期。 
图18是示意性表示现有的控制存储器刷新周期的动作方式的例子的图。 
在现有的存储器刷新周期的控制方式中，例如，如图18所示，使用存储器刷新电路90，在监视存储器91的错误的同时控制存储器刷新周期。例如，该图18所示的存储器刷新电路90，包括存储器控制部92、ECC(Error Correcting Code，错误修正码)电路93、错误率监视器94、刷新周期生成部95、刷新请求产生部96和外部接口部97。 
存储器控制部92控制向存储器91的访问，例如，进行存储器刷新，或在向存储器91的数据访问时进行存储器91的数据的读出。 
ECC电路93在通过存储器控制部92的控制对存储器91写入数据时，根据写入数据生成错误检测修正码(校验位)并添加于数据中，而写入存储器91，例如，在通过存储器控制部92从存储器91读出数据时，使用读出的数据和该错误检测修正码，检测数据的正常性，将能够修正的错误作为错误(error)检测出来，此时修正数据的错误。并且，ECC电路93将错误的有无通知给错误率监视器94。 
错误率监视器94存储错误的发生量，例如，根据从ECC电路93通知的错误的有无对错误数(错误发生量)进行计数。例如，该错误率 监视器94将“错误数”作为变量进行存储，在没有错误时，从存储的“错误数”减去规定值，在存在错误时，对存储的“错误数”加上规定值。 
刷新周期生成部95生成刷新周期，例如，通过比较错误率监视器94所存储的“错误数”和预先规定的基准值(错误率)，在该“错误数”超过基准值时使刷新周期变短，在“错误数”低于基准值时使刷新周期变长。 
刷新请求产生部96以刷新周期生成部95生成的刷新周期向存储器控制部92请求刷新动作。 
外部接口部97进行与包括安装有存储器刷新电路90的信息处理装置(省略图示)的处理器和其它控制装置的上位装置的接口控制。例如，作为接口控制，进行来自处理器的读命令或写命令的接收、对处理器的读数据的响应、对处理器发送存储器状态信息。 
于是，在现有的存储器刷新周期的控制方式中，首先ECC电路93基于通过存储器控制部92读出的存储器91的数据，检测存储器91的错误。此处，错误率监视器94所存储的“错误数”，在ECC电路93中没有检测出错误的情况下变小，在ECC电路93中检测出错误的情况下变大。然后，当该错误数低于基准值时将刷新周期调整得较长，当“错误数”超过基准值时将刷新周期调整得较短。 
此外，在下述专利文献1中公开有下述技术：通过ECC电路以一定的刷新周期读出多个数据和与其对应的校验位后进行错误检测和修正，对没有错误的第一检测信号进行累计，保持将存在错误的第二检测信号大于上述第一检测信号的权重，而且以使第一累计量减少的方式进行累计，在该累计量超过一定的量时使刷新周期变长规定的时间，在累计量比一定量少时使刷新周期变短规定时间。 
进一步，在下述专利文献2公开有下述技术：使刷新间隔延长，直至ECC电路检测出能够修正的错误，针对每块设定最佳的刷新周期，将未使用区域的刷新周期设定为无限大(不进行刷新动作)。 
专利文献1：日本特开2002-025299号公报 
专利文献2：国际公开WO96/28825号小册子 
但是，在上述现有的控制存储器刷新周期的动作方式、上述专利文献1和上述专利文献2中，不得不总是以存储器整体作为对象进行错误检测。因此，存在下述问题：在仅是存储器中的一部分的地址发生错误时这样的对局部发生的错误进行检测时会耗费时间，在系统的动作环境暂时变化时响应性变低。 
特别是，上述专利文献1和上述专利文献2是以存储器的待机模式中的控制为前提的技术，因此，仅在待机模式时能够变更刷新周期，另一方面，在通常动作时不能够动态地变更刷新周期，不能够与存储器中的错误的发生状态相配合地进行刷新周期的最优化。 
发明内容
本发明正是鉴于上述问题而提出，其目的在于与存储器中的错误的发生状态相配合地高效率进行刷新周期的最佳化。 
为了达成上述目的，本发明的存储器刷新装置与刷新周期相配合地进行存储器的刷新，其包括：通常巡检控制部，其控制进行该存储器的巡检的通常巡检动作；追加巡检控制部，其在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中检测出该存储器的错误的情况下，控制进行该错误发生的错误发生位置的巡检的追加巡检动作；计测部，其在由该追加巡检控制部进行的该追加巡检动作中检测出该错误发生位置的错误的情况下，将关于上述错误发生位置的错误的信息作为错误频率进行计测；以及刷新周期调整部，其根据该计测部计测出的该错误频率，调整该刷新周期。 
此外，优选该刷新周期调整部，在由该计测部计测出的该错误频率变大的情况下，阶段性缩短该刷新周期，在由该计测部计测出的该错误频率变小的情况下，阶段性延长该刷新周期。 
进一步，该计测部优选将该错误发生位置的每规定时间的错误数作为该错误频率进行计测。 
此外，可以是，该计测部，在由该追加巡检控制部进行的该追加巡 检动作中检测出多个错误发生位置的情况下，将该错误发生位置的数量作为该错误频率进行计测。 
进一步，该刷新周期调整部优选将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。 
此外，该刷新周期调整部可以基于向该存储器的访问频率，变更该下限值，也可以基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。 
进一步，可以是，该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。 
此外，可以具有监视间隔变更部，其基于由该刷新周期调整部调整后的该刷新周期，变更该追加巡检动作的监视间隔。 
进一步，可以是，该监视间隔变更部，在由该计测部计测出的该错误频率为一定的情况下，延长该监视间隔。 
另外，本发明的存储器刷新方法是进行与刷新周期相配合的存储器的刷新的存储器刷新方法，其包括：通常巡检控制步骤，其控制进行该存储器的巡检的通常巡检动作；追加巡检控制步骤，其在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中检测出该存储器的错误的情况下，控制进行该错误发生的错误发生位置的巡检的追加巡检动作；计测步骤，其在该追加巡检控制步骤中进行的该追加巡检动作中检测出该错误发生位置的错误的情况下，将关于上述错误发生位置的错误的信息作为错误频率进行计测；以及刷新周期调整步骤，其根据在该计测步骤计测出的该错误频率，调整该刷新周期。 
此外，优选在该刷新周期调整步骤中，在该计测步骤中计测出的该错误频率变大的情况下，阶段性缩短该刷新周期，在该计测步骤计测出的该错误频率变小的情况下，阶段性延长该刷新周期。 
进一步，该计测步骤优选将该错误发生位置的每规定时间的错误数作为该错误频率进行计测。 
此外，可以是，在该计测步骤中，在该追加巡检控制步骤中进行的 该追加巡检动作中检测出多个错误发生位置的情况下，将该错误发生位置的数量作为该错误频率进行计测。 
进一步，该刷新周期调整步骤优选将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。 
此外，在该刷新周期调整步骤中，可以基于向该存储器的访问频率变更该下限值，在该刷新周期调整步骤中，也可以基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。 
进一步，可以是，在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。 
此外，可以具有监视间隔变更步骤，其基于由该刷新周期调整步骤调整后的该刷新周期，变更该追加巡检动作的监视间隔。 
进一步，可以是，在该监视间隔变更步骤中，在该计测步骤中计测出的该错误频率为一定的情况下，延长该监视间隔。 
根据本发明，能够控制进行存储器的巡检的通常巡检动作，并且在通常巡检动作中检测出存储器的错误的情况下，通过控制对错误发生位置进行巡检的追加巡检动作，使错误的检测机构高效化。此外，在追加巡检动作中检测出错误的情况下，根据该错误发生位置的错误频率调整刷新周期，由此与对存储器整体进行巡检的情况相比，能够以短间隔进行与错误发生状态相配合的刷新周期的最佳化，能够提高系统的动作环境暂时变化的情况下的响应性。 
此外，在错误频率变大的情况下，阶段性缩短刷新周期，在错误频率变小的情况下，阶段性延长刷新周期，由此能够以短间隔一点一点地进行与错误频率的变化相配合的刷新周期的调整处理，因此，能够在错误频率的变化较小的情况下将调整的程度抑制得较小。从而，能够高效地进行与存储器中的错误的发生状态相配合的刷新周期的最佳化。 
进一步，通过基于存储器的温度变更下限值，能够防止仅依据错误频率进行控制时难以避免的过度刷新，并且能够抑制由于过度刷新对存储器的动作造成的不良影响。 
此外，通过基于存储器的访问频率变更下限值，能够防止仅依据错误频率进行控制时难以避免的过度刷新，并且能够抑制由于读/写(read/write)访问的阻碍对存储器的动作造成的不良影响。 
进一步，在通常巡检动作中从检测出存储器的错误开始的经过时间超过计时器阈值的情况下，强制回到通常刷新模式的刷新周期，由此能够对不能够改善的错误不进行刷新周期的调整处理，能够防止无谓地进行继续刷新。 
此外，在错误频率一定的情况下，通过延长追加监视间隔，能够减少不必要的巡检。此外，在调整刷新周期时也与追加监视间隔相配合地进行调整，由此能够达到错误检测机构的高效化。 
附图说明
图1是示意性表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路的结构例的图； 
图2是示意性表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的存储器的结构例的图； 
图3(a)～(c)是分别表示由作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的通常巡检部和追加巡检部发出巡检请求的例子的时序图； 
图4(a)～(c)是分别表示由作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的通常巡检部和追加巡检部发出巡检请求的例子的时序图； 
图5(a)、(b)是分别表示由作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的刷新周期调整部调整刷新周期的例子的时序图； 
图6(a)、(b)是分别表示由作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的刷新周期调整部调整刷新周期的例子的时序图； 
图7(a)、(b)是分别表示由作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的监视间隔变更部变更追加监视间隔的例子的时序图； 
图8(a)、(b)是分别表示由作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的刷新周期调整部变更刷新周期的下限值的例子的时序图； 
图9(a)、(b)是分别表示由作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的刷新周期调整部解除刷新周期的调整处理的例子的时序图； 
图10是表示本发明的一实施方式的存储器刷新电路在存储器中进行刷新的具体的处理顺序的例子的流程图； 
图11是表示本发明的一实施方式的存储器刷新电路的通过存储器控制部控制通常巡检动作的具体的处理顺序的流程图； 
图12是表示在本发明的一实施方式的存储器刷新电路中进行初始化处理的顺序的流程图； 
图13是表示本发明的一实施方式的存储器刷新电路的通过存储器控制部控制追加巡检动作的具体的处理顺序的流程图； 
图14是表示本发明的一实施方式的存储器刷新电路的通过刷新周期调整部调整刷新周期的处理顺序的流程图； 
图15是表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路的在监视间隔变更部中变更追加监视间隔的具体的处理顺序的流程图； 
图16是表示本发明的一实施方式的存储器刷新电路中的通过下限值计算部计算下限值的具体的处理顺序的流程图； 
图17是表示本发明的一实施方式的存储器刷新电路的在缩短结束请求部中经过计时器阈值的情况下的具体的处理顺序的流程图；以及 
图18是示意性地表示现有的控制存储器刷新周期的动作方式的例子的图。 
符号说明 
10存储器刷新电路；11存储器；12存储器控制部；13外部接口部；14ECC电路；15计测部；16刷新请求产生部；17巡检控制部；18调制控制部；19温度传感器；20访问计数器；21下限值计算部；22计时器；23缩短结束请求部；24通常巡检控制部；25追加巡检控制部；26刷新周期调制部；27监视间隔变更部；34-1～34-4存储器单元阵列；36-1～36-4行译码器；38-1～38-4列译码器；40- 1～40-4读出放大器；42地址缓存器；44I/O缓存器；46控制逻辑；48RF计数器；50地址总线；52数据总线；54控制命令线；60-1～60-4通常巡检触发信号；64检测通知；66-1～66-N追加巡检触发信号 
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。 
本发明的一实施方式的说明 
图1是示意性表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路的结构例的图，图2是示意性表示该存储器刷新电路中的存储器的结构例的图。 
本实施方式的存储器刷新电路(存储器刷新装置)10与刷新周期相配合地进行存储器11的刷新，如图1所示，构成为包括下述部件的电路：存储器11、存储器控制部12、外部接口部13、ECC(Error CorrectingCode)电路14、计测部15、刷新请求产生部16、巡检控制部17、调整控制部18、温度传感器19、访问计数器20、下限值计算部21、计时器22和缩短结束请求部23。该存储器刷新电路10例如设置在搭载于PC(Personal Computer，个人计算机)等信息处理装置的存储器板上(省略图示)。 
存储器11是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或SDRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)等存储器件，例如使用MICRON社制造的DDR2SDRAM。 
例如图2所示，该存储器11是4存储体(bank)结构的存储器单元阵列，具有存储器单元阵列34-1、34-2、34-3和34-4。此外，对于存储器单元阵列34-1～34-4的各个，设置有行译码器36-1～36-4、列译码器38-1～38-4和读出放大器40-1～40-4。 
对行译码器36-1～36-4和列译码器38-1～38-4设置有地址缓存器42，从存储器控制部12(参照图1)通过地址总线50被指示的行地址和列地址被译码，例如以字(8位)为最小单元访问对应的存储器所有的数据，进行写动作或读动作。 
因此，对读出放大器40-1～40-4设置I/O缓存器44，对I/O缓存器44，通过ECC电路14(参照图1)连接有来自外部接口部13(参照图1)的数据总线52。 
此外，在存储器11设置有RF计数器(刷新计数器)48和控制逻辑46。RF计数器48对从进行刷新开始到进行下一刷新的时间进行计数。 
控制逻辑46被输入来自存储器控制部12的地址总线50和控制命令线54，根据基于控制命令线54的控制命令信号，进行存储器11的控制驱动。作为由控制逻辑46进行的存储器11的控制驱动，写动作、读动作、刷新动作和巡检动作是主要的控制动作。此外，在控制逻辑46接收到来自存储器控制部12的作为控制命令的例子的刷新命令时，依次指定由RF计数器48决定的存储器单元阵列34-1～34-4的列地址，进行一次刷新动作。 
此处，4存储体的存储器单元阵列34-1～34-4中的行数例如分别为8192行，执行刷新时4存储体同时进行。因此，RF计数器48在接收到一次刷新命令时依次产生8192行的量的行地址，进行存储器单元阵列34-1～34-4中的全部存储元件(单元)的刷新动作。 
依据该8192行地址的依次产生的刷新动作的周期，例如为64ms，于是，每一行地址的刷新周期为7.8125μs。 
对设置于存储器单元阵列34-1～34-4的存储元件(省略图示)的刷新动作，与写入动作中除去数据输出的动作顺序相同，如下所述。 
(1)使预充电开关(省略图示)导通，使内部数据线(省略图示)与预充电电源线(省略图示)的电压(读出放大器阈值电压)为相同电压。 
(2)使预充电开关断开。此时在内部数据线上保持有通过寄生电容被预充电的电压。 
(3)选择字线(省略图示)并施加电压，由此使存储元件中的FET的源极、漏极间导通，电容器(省略图示)的信息表现于内部数据线，此时内部数据线成为预充电电压(阈值电压)，因此，在电容器存在电荷的数据1的情况下成为超过阈值电压的电压值，不存在电荷的数据0的情况下成为低于阈值电压的电压值。 
(4)使读出放大器40-1～40-4动作，使内部数据线的电压以阈值电压为基准变换为与0和1相当的电压并输出，此时存储元件的电容器中再次存储相同数据。 
存储器控制部12，如图1所示，控制向存储器11的访问，例如，在根据作为存储器11使用的存储器件决定的定时输出控制命令信号，对存储器11进行数据的写入和读出，进而控制刷新动作和巡检动作。 
该存储器部12进行如下模式：以根据存储器11的规格预先规定的刷新周期控制存储器11的刷新动作的通常刷新模式；和以由后述的刷新周期调整部26调整后的刷新周期控制存储器11的刷新动作的刷新周期缩短模式。 
此外，存储器控制部12，依据后述的通常巡检控制部24的控制，以预先设定的监视间隔(通常监视间隔)进行通常巡检动作，该通常巡检动作进行存储器11整体的巡检(错误巡检、存储器巡检)。具体地说，存储器控制部12，作为通常巡检动作，以通常监视间隔定期扫描存储器11的全部地址，读出这些地址的数据。 
进一步，存储器控制部12，在基于后述的通常巡检控制部24的控制的通常巡检动作中检测出存储器11的错误的情况下，依据后述的追加巡检控制部25的控制，进行对发生错误的错误发生地址(错误发生位置)进行巡检的追加巡检动作。具体地说，存储器控制部12，作为追加巡检动作，在作为错误检测出通过后述的ECC电路14能够修正的数据错误的情况下，以比通常监视间隔充分短的监视间隔(追加监视间隔)对错误发生地址集中地进行巡检。 
此外，在本实施方式中，存储器控制部12，使用对从进行通常巡检动作开始到进行下一通常巡检动作的时间进行计数的全体PT计数器(省略图示)控制通常巡检动作，使用对从进行追加巡检动作开始到进 行下一追加巡检动作的时间进行计数的追加PT计数器(省略图示)和、对进行追加巡检动作的次数进行计数的PT次数计数器(省略图示)控制追加巡检动作。 
另外，全体DT计数器、追加PT计数器和PT次数计数器能够由已知的方法实现，省略其详细说明，使用这些全体PT计数器、追加PT计数器和PT次数计数器时的具体的处理顺序在后面叙述。 
外部接口部13进行与包括安装有存储器刷新电路10的信息处理装置(省略图示)的处理器和其它控制装置的上位装置的接口控制，例如，作为接口控制，进行来自处理器的读命令或写命令的接收、对处理器的读命令的响应、对处理器发送存储器状态信息。 
ECC电路14在通过存储器控制部12的控制对存储器11写入数据时，根据写入数据生成错误检测修正码(校验位)并添加于数据中，而写入存储器11，例如，在存储器控制部12的通常巡检动作和追加巡检动作中从存储器11读出数据时，使用读出的数据和该错误检测修正码，检测数据的正常性，将能够修正的错误作为错误(error)检测出来，此时修正数据的错误。 
在本实施，ECC电路14例如将单一错误修正、二重错误检测码用作错误检测修正码。因此，本实施方式的ECC电路14，在从读出的数据检测出一重错误(单一错误)时，判定为能够修正的错误(error)并对其进行修正，在检测出二重错误以上的错误时，判定为不能够进行错误修正的错误，作为系统故障通过外部接口部13通知作为上位装置的处理器。 
计测部15在追加巡检控制部25的追加巡检动作中检测出错误时，即在由ECC电路14作为错误检测出能够修正的数据的错误时，将错误发生地址的与错误相关的信息作为错误频率进行计测，例如，将错误发生地址的每规定时间的错误数作为数据频率进行计测。 
然后，计测部15将计测得出的错误频率向后述的调整控制部18进行通知。 
刷新请求产生部16对存储器控制部12输出用于产生刷新命令的触 发信号。然后，接收到该触发信号的存储器控制部12对存储器11发出刷新命令，进行刷新动作。 
巡检控制部17进行用于定期读出存储器11的数据、进行数据的检查(存储器巡检)的控制，如图1所示，具有通常巡检控制部24和追加巡检控制部25。 
通常巡检控制部24控制上述的通常巡检动作， 
追加巡检控制部25控制上述的追加巡检动作。 
图3和图4是表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路的通过存储器控制部12控制巡检动作的例子的时序图，图3(a)和图4(a)表示ECC电路14的错误检测通知，图3(b)和图4(b)表示巡检控制部17的巡检请求的发出，图3(c)和图4(c)表示后述的刷新周期调整部26的动作状态。 
在图3(a)～(c)所示的例子中，通常巡检控制部24在通常巡检动作时，如图3(b)所示，以通常监视间隔“P1”对存储器控制部12输出通常巡检触发信号60-1～60-4，存储器控制部12接收这些通常巡检触发信号60-1～60-4，对存储器11发出通常巡检命令，控制通常巡检动作。 
在该状态下，例如，在时刻t1，ECC电路14检测出添加于存储器11的读出数据的能够修正的一重错误的情况下，调整控制部18接收图3(a)的错误检测通知64，并且接收检测出一重错误的错误发生地址，并对其进行保持。 
此外，如图3(c)所示，刷新周期调整部26接收图3(a)的错误检测通知64，并且向后述的刷新周期缩短模式转换，重复进行刷新周期的调整处理。 
然后，调整控制部18，当在时间t1接收一重错误的错误检测通知64时，对追加巡检控制部25发出对于错误发生地址的追加巡检请求。 
因此，在时间t1以后，在以通常监视间隔“P1”进行的通常巡检触发信号60-1～60-4之外，接收到追加巡检请求的追加巡检控制部 25，如图3(b)所示，以比通常监视间隔“P1”短的追加监视间隔“P2”产生与追加巡检请求对应的追加巡检触发信号66-1～66-6。 
接收到该追加巡检触发信号66-1～66-6的存储器控制部12，指定错误发生地址，向存储器11发出追加巡检命令，结果，对错误检出地址进行追加巡检动作，随着由后述的刷新周期调整部26调整的刷新周期的刷新动作，测定错误发生地址的错误发生频率减少的效果。 
从时刻t1开始的存储器控制部12的追加巡检动作的控制，如图4(a)～(c)所示，一直进行到刷新周期调整部26的刷新周期缩短模式解除。在后面叙述刷新周期缩短模式解除的条件。 
调整控制部18，基于由计测部15计测出的错误频率，调整刷新周期，并且变更对存储器11的监视间隔，如图1所示，具有刷新周期调整部26和监视间隔变更部27。 
刷新周期调整部26，根据由计测部15计测出的错误频率，调整刷新周期，例如，在由计测部15计测出的错误频率变大的情况下，阶段性地缩短刷新周期，在由计测部15计测出的错误频率变小的情况下，阶段性地延长刷新周期。即，刷新周期调整部26根据错误频率调整刷新周期的缩短程度。 
图5和图6是表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路的通过刷新周期调整部调整刷新周期的例子的时序图，图5(a)、(b)表示即使缩短刷新周期错误频率也不减少的情况，图6(a)、(b)表示通过缩短刷新周期减少错误频率的情况。 
此外，图5(a)和图6(a)是以时间序列表示错误频率的变化的图，纵轴表示错误频率，横轴表示时间。此外，图5(b)和图6(b)是以时间序列表示刷新周期的变化的图，纵轴表示每单位时间的刷新次数，横轴表示时间。 
另外，每单位时间的刷新次数变多，意味着刷新周期缩短。 
具体地说，刷新周期调整部26，例如每进行10次存储器11的刷新则以一次左右的周期(例如参照图5(b)的时间“t”)重复进行刷新周 期的调整处理。此处，刷新周期调整部26，例如，在由ECC电路14检测出能够修正的错误的情况下，向刷新周期缩短模式转换。在刷新周期缩短模式中，每次进行调整处理(参照图5(b)的时间“t”)时，使每单位时间的刷新次数各增加预先设定的单位次数(参照例如图5(b)的符号“n”)，从而使刷新周期每次缩短预先设定的单位周期“cn”，在由计测部15计测出的错误频率为预先设定的阈值以下时，或者错误频率为0时，在每次进行调整处理时使刷新周期各延长单位周期。 
然后，刷新周期调整部26，在开始刷新周期的调整处理之后，当调整至与通常刷新模式的刷新周期同等的刷新周期时，判定已从错误多发状态脱离，解除刷新周期缩短模式，回到通常刷新模式。 
例如，如图5(a)和图5(b)所示，在以每通常刷新模式的单位时间的刷新次数(N1)(参照图5(b))计算出的刷新周期“CN1”(省略图示)进行刷新的情况下，当由ECC电路14检测出错误时(参照图5(a)的时间“T1”)，从通常刷新模式向刷新周期缩短模式转换(参照图5(a)(b)的时间“T1”以后(图中右侧))。 
另外，以下通过在表示每单位时间的刷新次数的符号“N1”、“N2”的前面分别添加符号“C”，分别表示以每单位时间的刷新次数“N1”、“N2”计算出的刷新周期“CN1”、“CN2”。 
在该刷新周期缩短模式中，刷新周期调整部26开始调整处理，在每次进行调整处理(参照图5(b)的时间“t”)时阶段性地缩短刷新周期(参照图5(b)的时间“T1”～“T4”)，由此调整为与错误发生频率相对应的适当的刷新周期。即，刷新周期调整部26，如图5(b)所示，使每单位时间的刷新次数各阶段性地增加规定次数(参照图5(b)的符号“n”)，随之使刷新周期阶段性地缩短。 
然后，错误频率逐渐下降(参照图5(a)的时间“T2”～“T3”)在错误频率成为维持比阈值“TH”高的一定的值“E1”的状态的情况下(参照图5(a)的时间“T3”以后)，刷新周期调整部26停止刷新周期的缩短，维持为一定的刷新周期“CN2”(参照图5(b)的符号“N2”)(参照图5(b)的时间“T4”以后)。 
此外，例如，如图6(a)和图6(b)所示，在以通常刷新模式的刷新周期“CN1”(参照图6(b)的符号“N1”)进行刷新的情况下，当由ECC电路14检测出错误时(参照图6(a)的时间“T5”)，从通常刷新模式转换到刷新周期缩短模式(参照图图6(a)和(b)的时间“T5”以后)。 
在该刷新周期缩短模式中，刷新周期调整部26开始调整处理，在每次进行调整处理(参照图6(b)的时间“t”)时，使每单位时间的刷新次数各增加预先设定的单位次数(参照例如图6(b)的符号“n”)，从而阶段性地缩短刷新周期，由此调整为与错误发生频率相对应的刷新周期“CN2”(参照图6(b)的符号“N2”)(参照图6(b)的时间“T5”～“T6”)。 
然后，在错误频率逐渐下降，成为维持比阈值“TH”低的状态的情况下(在图6(a)所示例子中是“0”，参照时间“T6”以后)，刷新周期调整部26在每次进行调整处理(参照图6(b)的时间“t”)，将每单位时间的刷新次数各减少预先设定的单位次数(例如参照图6(b)的符号“n”)，由此使刷新周期阶段性延长，回到通常刷新模式的刷新周期“CN1”(参照图6(b)的符号“N1”)(参照图6(b)的时间“T7”～“T8”)。 
之后，如果错误频率没有高于阈值“TH”(参照图6(a)的时间“T8”以后)，刷新周期调整部26维持通常刷新模式的刷新周期“CN1”(参照图6(b)的符号“N1”)(参照图6(b)的时间“T8”以后)。 
监视间隔变更部27，基于由计测部15计测出的错误频率，变更巡检控制部17的追加监视间隔，例如，在由计测部15计测出的错误频率一定的情况下，延长追加监视间隔。即，监视间隔变更部27，指示巡检控制部17(通常巡检控制部24、追加巡检控制部25)进行存储器11的巡检的定时。 
此外，在本实施方式中，监视间隔变更部27，使用对从计测部15的上一次测定到计测部15的此次测定连续地错误频率没有变化的次数进行计数的收敛计数器(省略图示)，进行变更上述的监视间隔的控制。 
另外，收敛计数器能够由已知的方法实现，省略其详细说明，在后面叙述使用收敛计数器时的具体的处理顺序。 
图7(a)、(b)是表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路的利用监视间隔变更部变更追加监视间隔的例子的时序图，图7(a)是以时间序列表示巡检次数的变化的图，纵轴表示每单位时间的巡检次数，横轴表示时间，图7(b)是以时间序列表示刷新周期的变化的图，纵轴表示每单位时间的刷新次数，横轴表示时间。 
另外，每单位时间的巡检次数变多，意味着监视间隔变短。 
例如，在存储器控制部12以由每单位时间的监视次数“P1”计算出的通常监视间隔“IP1”控制通常巡检动作、以通常刷新模式的刷新周期“CN1”(参照图7(b)的符号“N1”)控制刷新动作的情况下，当由计测部15计测出的错误频率比阈值高时(省略图示)，从通常刷新模式转换至刷新周期缩短模式。 
另外，以下，通过在表示每单位时间的监视次数的符号“P1”、“P2”、“P3”的前面分别添加符号“I”，分别表示由每单位时间的监视次数“P1”、“P2”、“P3”计算出的监视间隔“IP1”、“IP2”、“IP3”。 
在该刷新周期缩短模式中，存储器控制部12以追加监视间隔的默认值(default值，短间隔)“CP2”(参照图7(a)的符号“P2”)控制追加巡检动作，与此相配合地，刷新周期调整部26开始调整处理，在每次进行调整处理时(参照图7(b)的时间“t”)，使每单位时间的刷新次数各增加预先设定的单位次数(例如，参照图7(b)的符号“n”)，由此阶段性地缩短刷新周期，调整为与错误发生频率相对应的适当的刷新周期“CN2”(参照图7(b)的符号“N2”)(参照图7(b)的时间“T9”～“T10”)。 
然后，在刷新周期调整部26中成为维持刷新周期“CN2”的状态时(参照图7(b)的时间“T10”以后)，即，在由计测部15计测出的错误频率收敛于一定值时(省略图示)，监视间隔变更部27，基于由计测部15计测出的错误频率，进行将追加监视间隔从短间隔“IP2”(参照图7(a)的符号“P2”)延长为比该短间隔“IP2”长的间隔(长间隔) “IP3”(参照图7(a)的符号“P3”)的控制(参照图7(a)的时间“T11”)。 
由此，能够减少不必要的巡检，而且，通过在调整刷新周期时也配合地调整追加监视间隔，能够达到错误检测机构的高效化。 
图1中，温度传感器19检测存储器11的温度。访问计数器20计测向存储器11的访问频率，例如，将一定时间内的向存储器11的访问数作为访问频率进行计数。 
另外，这些温度传感器19和访问计数器20是已知的技术，省略其详细说明。 
如图1所示，下限值计算部21，基于由温度传感器19检测出的温度、由访问计数器20计测出的访问频率，计算刷新周期的下限值(极限值)，例如，以预先设定的时间间隔监视温度传感器19、访问计数器20，在超过预先设定为正常的访问频率的上限值的访问频率阈值、预先设定为正常的温度的上限值的温度阈值时，根据访问频率、温度，阶段性地延长刷新周期的下限值。该下限值计算部21阶段性延长，直至成为不对存储器11造成不良影响的下限值。 
此外，下限值计算部21，将计算出的下限值通知刷新周期调整部26，刷新周期调整部26设定从下限值计算部21通知的刷新周期的下限值。即，刷新周期调整部26，将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上，基于存储器11的温度即存储器温度、向存储器11的访问频率，变更下限值。 
图8(a)、(b)是表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路的利用刷新周期调整部变更刷新周期的下限值的例子的时序图。 
此外，图8(a)是以时间序列表示错误频率的变化的图，纵轴表示错误频率，横轴表示时间。此外，图8(b)是以时间序列表示刷新周期的变化的图，纵轴表示每单位时间的刷新次数，横轴表示时间。 
例如，如图8(a)和(b)所示，在由计测部15计测出的错误频率维持比阈值“TH”高的状态的情况下，进行刷新周期缩短模式，刷新周期调整部26在每次进行调整处理(参照图8(b)的时间“t”)时，使每单位时间的刷新次数增加预先设定的单位次数(例如参照图8(b)的符号“n”)，由此使刷新周期阶段性缩短(参照图8(b)的时间“T12”～“T13”)。 
然后，刷新周期调整部26使刷新周期缩短，直至由预先设定的每单位时间的刷新次数“NL3”(参照图8(b))计算出的下限值的默认值(default值)“CNL3”，维持该下限值的默认值“CNL3”的刷新周期(参照图8(b)的时间“T13”～“T14”)。 
另外，以下通过在表示每单位时间的刷新次数的符号“NL3”～“NL5”的前面分别添加符号“C”，分别表示由每单位时间的刷新次数“NL3”～“NL5”计算出的下限值“CNL3”～“CNL5”。 
此处，下限值计算部21以预先设定的时间间隔(参照图8(b)的时间“T14”～“T15”)监视访问频率、温度，在检测到存储器11成为高温或被频繁访问的状态时，基于这些访问频率和温度，计算出比下限值的默认值“NL3”长的下限值“NL4”。此外，刷新周期调整部26将下限值从“CNL3”(参照图8(b)的符号“NL3”)变更为“CNL4”(参照图8(b)的符号“NL4”)，并且将刷新周期从“CNL3”变更为“CNL4”(参照图8(b)的时间“T14”)。 
在将刷新周期的下限值变更为“CNL4”之后，没有消除存储器11为高温或频繁被访问的状态的情况下，下限值计算部21基于访问频率和温度，计算出比下限值“CNL4”更长的下限值“CNL5”(参照图8(b)的符号“NL5”)。此外，刷新周期调整部26将下限值从“CNL4”变更为“CNL5”，并且将刷新周期从“CNL4”调整为“CNL5”(参照图8(b)的时间“T15”)。 
另外，当消除存储器11为高温或频繁被访问的状态时，刷新周期调整部26使下限值回到默认值“CNL3”。 
由此，能够防止过度的刷新，并且能够抑制由于过度刷新对存储器11的动作造成的不良影响。 
如图1所示，计时器22在通常巡检控制部24的通常巡检动作中，计测(计数)从检测出存储器11的错误开始的经过时间，能够由已知 的各种技术实现。该计时器22，当在刷新周期调整部26中开始刷新周期的调整处理时开始时间的计测，当经过时间经过预先设定的时间(计时器阈值)时，将该信息向后述的缩短结束请求部23通知。另外，计时器22，当在经过时间经过计时器阈值之前刷新周期的调整处理就结束时，结束经过时间的计测。 
缩短结束请求部23，在从计时器22接收到经过时间已经过上述计时器阈值的通知的情况下，作为缩短结束请求，对刷新周期调整部26通知结束刷新周期的调整处理的命令。 
然后，刷新周期调整部26，当从缩短结束请求部23被通知缩短结束请求时，结束刷新周期的调整处理，强制回到通常刷新模式的刷新周期(既定值)，并且作为存储器错误将结束调整处理的信息通知系统(信息处理装置，省略图示)。 
图9(a)、(b)是表示作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路的通过刷新周期调整部解除刷新周期的调整处理的例子的时序图。 
此外，图9(a)是以时间序列表示错误频率的变化的图，纵轴表示错误频率，横轴表示时间，此外，图9(b)是以时间序列表示刷新周期的变化的图，纵轴表示每单位时间的刷新次数，横轴表示时间。 
例如，如图9(a)～(b)所示，在存储器控制部12以通常刷新模式的刷新周期“CN1”(参照图9(b)的符号“N1”)控制刷新动作时，当由ECC电路14检测出错误时(参照图9(a)的时间“T16”)，从通常刷新模式向刷新周期缩短模式转换(参照图9(a)和(b)的时间“T16”以后)。 
在该刷新周期缩短模式中，刷新周期调整部26开始调整处理，在每次进行调整处理(参照图9(b)的时间“t”)时，使每单位时间的刷新次数各增加预先设定的单位次数(例如参照图9(b)的符号“n”)，由此使刷新周期阶段性缩短(参照图9(b)的时间“T16”～“T18”)。 
然后，在即使刷新周期缩短至预先设定的下限值的默认值(default值)“CNL3”(参照图9(b)的符号“NL3”)，错误频率也为比阈值“TH”高的状态的情况下(参照图9(a)的时间“T18”)，刷新周期调整部26 维持下限值的默认值“CNL3”的刷新周期(参照图9(b)的时间“T18”～“T19”)。 
在该状态下，在维持错误频率比阈值“TH”高的状态经过计时器阈值“X”的情况下，缩短结束请求部23接收来自计时器22的通知，将缩短结束请求通知刷新周期调整部26。从缩短结束请求部23接收到通知的刷新周期调整部26结束刷新周期的调整处理，回到通常刷新模式的刷新周期“CN1”(参照图9(b)的时间“T19”)。 
由此，刷新周期调整部26，在通常巡检控制部24的通常巡检动作中从检测出存储器11的错误的经过时间超过规定时间的情况下，使刷新周期回到既定值。 
由此，在即使缩短刷新周期并经过长时间仍未消除错误的情况下，即在进行一定时间以上的刷新周期的调整处理也没有得到效果的情况下，能够根据来自计时器22的指示强制解除刷新周期的调整处理。 
对在如上所述构成的本发明的一实施方式的存储器刷新电路10的存储器11中进行刷新的具体的处理顺序的例子，依据图10所示的流程图(A11～A15)进行说明。 
另外，在以下的说明中，“RF计数器”是表示RF计数器48的值的变量，“RF周期”是表示作为刷新周期的RF计数器48的上限值的变量。即，当“RF计数器”的值达到“RF周期”的值时进行刷新。此外，“RF最大值”是表示作为通常刷新模式的刷新周期“CN1”的RF计数器48的最大允许值的常数，在“RF周期”＝“RF最大值”时以通常刷新模式的刷新周期(错误未发生时的刷新周期)进行刷新。 
当信息处理装置10电源导通时，对“RF周期”设定“RF最大值”的值(步骤A11)，重置“RF计数器”的值(步骤A12)。 
此外，值“1(1Step)”以规定间隔依次相加于“RF计数器”(步骤A13)，进行“RF计数器”的值与“RF周期”的值的比较(步骤A14)，重复进行该相加的处理，直至“RF计数器”的值到达“RF周期”的值(参照步骤A14的“否”路线)。 
然后，当“RF计数器”的值到达“RF周期”的值时(参照步骤A14的“是”路线)，在进行存储器11的刷新之后(步骤A15)，回到步骤A12，重复进行上述步骤A12～步骤A15的处理。 
由此，定期进行存储器11的刷新。 
接着，对如上所述构成的本发明的一实施方式的存储器刷新电路10的利用存储器控制部12控制通常巡检动作的具体的处理顺序，依据图11所示的流程图(步骤B11～B17)进行说明。 
另外，在以下的说明中，“全体PT计数器”是表示全体PT计数器的值，“通常监视间隔”是表示作为通常监视间隔“IP1”的全体PT计数器的上限值的常数。 
存储器控制部12进行后述的初始化处理(步骤B11)，重置“全体PT计数器”的值(步骤B12)。 
存储器控制部12，使值“1(1Step)”依次相加于“全体PT计数器”(步骤B13)，依次进行“全体PT计数器”的值与“通常监视间隔”的值的比较(步骤B14)，由此重复进行该相加的处理，直至“全体PT计数器”的值达到“通常监视间隔”的值(参照步骤B14的“否”路线)。 
当“全体PT计数器”的值达到预先设定的“通常监视间隔”的值时(参照步骤B14的“是”路线)，存储器控制部12控制通常巡检动作(步骤B15，通常巡检控制步骤)。 
在通常巡检动作中检测出错误的情况下(参照步骤B16的“是”路线)，开始后述的刷新周期缩短模式的处理(步骤B17)，回到步骤B11。 
另一方面，在通常巡检动作中没有检测出错误的情况下(参照步骤B16的“否”路线)，回到步骤B12。 
然后，存储器控制部12重复进行上述的步骤B11～步骤B17的处理。 
由此，以预先设定的通常监视间隔对存储器11全体进行通常巡检动作。 
接着，对在如上所述构成的本发明的一实施方式的存储器刷新电路10中进行初始化处理的顺序，依据图12所示的流程图(步骤C11～C14)进行说明。 
另外，在以下的说明中，与上述同样地表示“RF周期”和“RF最大值”，“RF最小值”是表示作为刷新周期缩短模式的刷新周期的RF计数器48的最小允许值的变量，在“RF周期”＝“RF最小值”时以刷新周期缩短模式的刷新周期进行刷新。此外，“前ER频率”是表示由计测部15在上一次计测出的错误频率(以前一轮的循环计算出的错误频率)的变量。而且，“追加监视间隔”是表示作为追加监视间隔的追加PT计数器的上限值的变量。 
首先，对“RF周期”设定“RF最大值”(步骤C11)，对“RF最小值”设定默认值(步骤C12)。 
此外，对“追加监视间隔”设定默认值(步骤C13)，对“前ER频率”设定“0”(步骤C14)，结束处理。 
接着，对如上所述构成的本发明的一实施方式的存储器刷新电路10的通过存储器控制部12控制追加巡检动作的具体的处理顺序，依据图13所示的流程图(步骤D11～D19)进行说明。 
另外，在以下的说明中，如上述同样地表示“追加监视间隔”，“追加PT计数器”是表示追加PT计数器的值的变量，“PT次数计数器”是表示PT次数计数器的值的变量。此外，“错误数”是表示由存储器控制部12检测出错误发生地址的错误的次数(通过向错误地址的巡检读检测出错误的次数)的变量，“PT阈值”是表示作为进行刷新周期的调整处理的时间间隔的PT次数计数器的常数。 
存储器控制部12重置“错误数”的值(步骤D11)，重置“追加PT计数器”的值(步骤D12)。 
存储器控制部12将值“1(1Step)”依次相加于“追加PT计数器”(步骤D13)(增加)，通过依次进行“追加PT计数器”的值和“追加监视间隔”的值的比较(步骤D14)，重复进行该相加的处理，直至“追加PT计数器”的值达到“追加监视间隔”的值(参照步骤D14的“否” 路线)。 
当“追加PT计数器”的值为“追加监视间隔”的值以上时(参照步骤D14的“是”路线)，存储器控制部12控制追加巡检动作(步骤D15，追加巡检控制步骤)。 
在追加巡检动作中进行错误检测(步骤D16)，在追加巡检动作中检测出错误的情况下(参照步骤D16的“是”路线)，存储器控制部12对“错误数”加上值“1”(步骤D17)，对“PT次数计数器”加上值“1(1Step)”(步骤D18)。 
另一方面，在追加巡检动作中没有检测出错误的情况下(参照步骤D16的“否”路线)，转移至步骤D18。 
存储器控制部12比较“PT次数计数器”的值和“PT阈值”的值(步骤D19)，在“PT次数计数器”的值为“PT阈值”的值以上时(参照步骤D19的“是”路线)，结束处理。 
另一方面，在“PT次数计数器”的值低于“PT阈值”的值的情况下(参照步骤D19的“否”路线)，回到步骤D12。 
然后，重复进行上述步骤D12～步骤D19的处理，直至“PT次数计数器”的值为“PT阈值”的值以上。 
由此，以比通常监视间隔充分短的间隔，对错误发生地址进行追加巡检动作。 
接着，对如上所述构成的本发明的一实施方式的存储器刷新电路10的通过刷新周期调整部26调整刷新周期的具体的处理顺序，参照图5和图6，依据图14所示的流程图(步骤E11～E19)进行说明。 
另外，在以下的说明中，如上述同样地表示“错误数”、“PT阈值”、“RF周期”、“RF最大值”、“前ER频率”、和“RF最小值”，“ER频率”是表示由计测部15计测出的错误频率(错误的发生比例)的变量，此外，“ER阈值”是表示判断是否缩短刷新周期的阈值“TH”(参照图5和图6)的常数，在“ER频率”＞“ER阈值”时缩短刷新周期。 
计测部15，在进行追加巡检动作的状态下(步骤E11)，以“PT阈值”的值除“错误数”，计算出“ER频率”(步骤E12，计测步骤)。 
刷新周期调整部26比较“ER频率”的值和“ER阈值”的值(参照图5(a)和图6(a)的符号“TH”)(步骤E13)。 
比较的结果为“ER频率”的值为“ER阈值”的值以上的情况下(参照步骤E13的“否”路线，参照图5(a)的时间“T2”和图6(a)的时间“T5”～“T6”)，刷新周期调整部26判定“ER频率”的值和“前ER频率”的值是否相同(步骤E14)。 
在“ER频率”的值和“前ER频率”的值不同的情况下(参照步骤E14的“否”路线，参照图5(a)的时间“T1”～“T3”)，刷新周期调整部26判定“RF周期”的值与“RF最小值”的值是否相同(步骤E15)。 
在“RF周期”的值与“RF最小值”的值不同的情况下(参照步骤E15的“否”路线，参照图5(b)的时间“T2”～“T3”和图6(b)的时间“T5”～“T8”)，刷新周期调整部26从“RF周期”减去值“1(1Step，参照图3(b)和图4(b)的时间“t”)”(缩减)(步骤E16，刷新周期调整步骤)，将“前ER频率”设定为“ER频率”(步骤E17)，回到步骤E11。 
在“RF周期”的值和“RF最小值”的值相同的情况下(参照步骤E15的“是”路线)，转移至步骤E17。 
在“ER频率”的值和“前ER频率”的值相同的情况下(参照步骤E14的“是”路线，参照图5(a)的时间“T4”以后)，转移至步骤E17。 
另一方面，在“ER频率”的值低于“ER阈值”的值的情况下(参照步骤E13的“是”路线，参照图6(a)的时间“T6”以后)，刷新周期调整部26比较“RF周期”的值和“RF最大值”的值(步骤E18)。 
在“RF周期”的值低于“RF最大值”的值的情况下(参照步骤E18的“否”路线，参照图6(b)的时间“T7”～“T8”)，刷新周期 调整部26在“RF周期”上加以值“1(1Step)”(步骤E19，刷新周期调整步骤)，转移至步骤E17。 
在“RF周期”的值为“RF最大值”的值以上的情况下(参照步骤E18的“是”路线，参照图6(b)的时间“T8”以后)，结束处理。 
即，刷新周期调整部26通过如图14所示进行处理，进行表1所示的控制。 
[表1] 
Figure G2007800538099D00251
由此，与错误频率相配合地调整刷新周期。 
接着，对如上所述构成的本发明的一实施方式的存储器刷新电路10的在监视间隔变更部27变更追加监视间隔的具体的处理顺序，参照图7，依据图15所示的流程图(步骤F11～F29)进行说明。 
另外，在以下的说明中，如上述同样地表示“错误数”、“PT阈值”、“RF周期”、“RF最大值”、“前ER频率”、“RF最小值”、“通常监视间隔”、“追加监视间隔”、和“ER阈值”，“收敛阈值”是表示收敛计数器的上限值的常数。此外，“短间隔”是表示追加监视间隔的默认值“IP2”的常数，“长间隔”是作为追加监视间隔表示比短间隔“IP2”长的间隔“IP3”的常数。 
监视间隔变更部27对“追加监视间隔”设定“短间隔”的值(参照图7(a)的时间“P2”)(步骤F11)。 
然后，计测部15以进行追加巡检动作的状态(步骤F12，参照图7的时间“T8”以后)，以“PT阈值”的值除“错误数”，计算出“错误频率”(步骤F13)，刷新周期调整部26比较“ER频率”的值和“ER阈值”的值(步骤F14)。 
比较的结果为“ER频率”的值为“ER阈值”的值以上的情况下(参照步骤F14的“否”路线)，刷新周期调整部26判定“ER频率”的值是否与“前ER频率”的值相同(步骤F15)。 
在“ER频率”的值与“前ER频率”的值不同的情况下(参照步骤F15的“否”路线)，刷新周期调整部26判定“RF周期”的值是否与“RF最小值”的值相同(步骤F16)。 
在“RF周期”的值与“RF下限值”的值不同的情况下(参照步骤F16的“否”路线，参照图7(b)的时间“T9”～“T10”)，刷新周期调整部26从“RF周期”减去值“1(1Step)”(步骤F17)。 
然后，监视间隔变更部27重置“收敛计数器”的值(步骤F18)，并对“追加监视间隔”设定“短间隔”的值(步骤F19)，之后，刷新周期调整部26对“前ER频率”设定“ER频率”的值(步骤F20)，回到步骤F12。 
在“RF周期”的值与“RF最小值”的值(参照图7(b)的符号“NL3”)相同的情况下(参照步骤F16的“是”路线，参照图7(b)的时间“T10”～“T11”)，监视间隔变更部27重置“收敛计数器”的值(步骤F21)，并对“追加监视间隔”设定“短间隔”的值(步骤F22)，转移至步骤F20。 
在“ER频率”的值和“前ER频率”的值相同的情况下(参照步骤F15的“是”路线)，监视间隔变更部27在“收敛计数器”上加以值“1(1Step)”(步骤F23)，比较“收敛计数器”的值与“收敛阈值”(步骤F24)。在“收敛计数器”的值为“收敛阈值”的值以上的情况下(参照步骤F24的“是”路线)，监视间隔变更部27将“追加监视间隔”的 值设定为“长间隔”的值(参照图7(a)的符号“P3”)(步骤F25，参照图7(a)的时间“T11”以后，监视间隔变更步骤)，转移至步骤F20。 
在“收敛计数器”的值低于“收敛阈值”的情况下(参照步骤F24的“否”路线)，转移至步骤F20。 
另一方面，在“ER频率”的值低于“ER阈值”的值的情况下(参照步骤F14的“是”路线)，刷新周期调整部26比较“RF周期”的值和“RF最大值”的值(步骤F26)。 
在“RF周期”的值低于“RF最大值”的值的情况下(参照步骤F26的“否”路线)，刷新周期调整部26在“RF周期”上加以值“1(1Step)”(步骤F27)。 
然后，监视间隔变更部27重置“收敛计数器”的值(步骤F28)，将“追加监视间隔”的值设定为“短间隔”的值(步骤F29)，转移至步骤F20。 
在“RF周期”的值为“RF最大值”的值以上的情况下(参照步骤F26的“是”路线)，结束处理。 
由此，在缩短的刷新周期收敛为一定值时延长追加监视间隔。 
接着，对如上所述构成的本发明的一实施方式的存储器刷新电路10的由下限值计算部21计算下限值的具体的处理顺序，以基于存储器11的温度进行计算的情况为例，参照图8，依据图16所示的流程图(步骤G11～G25)进行说明。 
另外，在以下的说明中，如上述同样地表示“错误数”、“PT阈值”、“RF周期”、“RF最大值”、“前ER频率”、“RF最小值”、和“ER阈值”，“温度”是表示由温度传感器19计测出的温度的变量，“温度阈值”是表示判断系统正常的温度的上限值的常数。 
计测部15在进行追加巡检动作的状态下(步骤G11)，以“PT阈值”除“错误数”的值，计算出“错误频率”(步骤G12)。 
下限值计算部21基于温度传感器19进行温度的计测(步骤G13)，比较“温度”的值和“温度阈值”的值(步骤G14)。
在“温度”的值比“温度阈值”的值大的情况下(参照步骤G14的“是”路线)，下限值计算部21从“RF最小值”加上值“1(1Step，参照图8(b)的符号“n”)”(步骤G15)，转移至步骤G18。 
在“温度”的值为“温度阈值”的值以下的情况下(参照步骤G14的“否”路线)，下限值计算部21判断“RF最小值”的值是否为默认值(步骤G16)。在“RF最小值”的值为默认值的情况下(参照步骤G16的“是”路线)，转移至步骤G18。 
在“RF最小值”的值不是默认值的情况下(参照步骤G16的“否”路线)，下限值计算部21在“RF最小值”上减去值“1(1Step)”(步骤G17)，转移至步骤G18。 
然后，刷新周期调整部26比较“ER频率”的值和“ER阈值”的值(参照图8(a)的符号“TH”)(步骤G18)。 
比较的结果是“ER频率”的值为“ER阈值”的值以上的情况下(参照步骤G18的“否”路线，参照图8(a))，刷新周期调整部26判定“ER频率”的值是否与“前ER频率”的值相同(步骤G19)。 
在“ER频率”的值与“前ER频率”的值不同的情况下(参照步骤G19的“否”路线)，刷新周期调整部26判定“RF周期”的值是否与“RF最小值”的值相同(步骤G20)。 
在“RF周期”的值与“RF最小值”的值不同的情况下(参照步骤G20的“否”路线)，从“RF周期”减去值“1(1Step)”(步骤G21)，将“前ER频率”的值设定为“ER频率”的值(步骤G22)，回到步骤G11。 
在“RF周期”的值与“RF最小值”的值相同的情况下(参照步骤G20的“是”路线)，刷新周期调整部26将“RF周期”的值设定为“RF最小值”的值(步骤G23)，转移至步骤G22。 
在“ER频率”的值与“前ER频率”的值相同的情况下(参照步骤G19的“是”路线，参照图8(a))，转移至步骤G22。 
另一方面，在“ER频率”的值低于“ER阈值”的值的情况下(参照步骤G18的“是”路线)，刷新周期调整部26比较“RF周期”的值和“RF最大值”的值(步骤G24)。 
在“RF周期”的值低于“RF最大值”的值的情况下(参照步骤G24的“否”路线)，刷新周期调整部26对“RF周期”加以值“1(1Step)”(步骤G25)，转移至步骤G22。 
在“RF周期”的值为“RF最大值”的值以上的情况下(参照步骤G24的“是”路线)，结束处理。 
由此，能够防止过度刷新，并且能够抑制由于过度刷新对存储器11的动作造成的不良影响。 
接着，对如上所述构成的本发明的一实施方式的存储器刷新电路10的在缩短结束请求部23中已经过计时器阈值的情况下的具体的处理顺序，参照图9，依据图17所示的流程图(步骤H11～H12)进行说明。 
另外，在以下的说明中，如上述同样地表示“错误数”、“PT阈值”、“RF周期”、“RF最大值”、“前ER频率”、“RF最小值”、和“ER阈值”，“经过时间”是表示计时器22的时间的变量，“计时器阈值”是表示作为超时用于结束控制的上限值“X”(参照图9(b))的常数。 
计时器22比较“经过时间”的值和“计时器阈值”的值(参照图9(b)的符号“X”)(步骤H11)。 
在“经过时间”的值为“计时器阈值”的值以上的情况下(参照步骤H11的“是”路线，参照图9的时间“T19”以后)，缩短结束请求部23将结束调整处理的信息作为存储器错误通知系统(信息处理装置，省略图示)(步骤H12)，并且对刷新周期调整部26通知缩短结束请求(步骤H13)，结束处理。 
在“经过时间”的值低于“计时器阈值”的值的情况下(参照步骤H11的“否”路线，参照图9(b)的时间“T16”～“T19”)，计测部15在进行追加巡检动作的状态下(步骤H14)，以“PT阈值”的值除“错误数”的值，计算出“错误频率”(步骤H15)。 
刷新周期调整部26比较“ER频率”的值和“ER阈值”的值(参照图9(a)的符号“TH”)(步骤H16)。 
比较的结果为“ER频率”的值为“ER阈值”的值以上的情况下(参照步骤H16的“否”路线，参照图9(a)的时间“T17”以后)，刷新周期调整部26判定“ER频率”的值与“前ER频率”的值是否相同(步骤H17)。在“ER频率”的值与“前ER频率”的值不同的情况下(参照步骤H17的“否”路线，参照图9(b)的时间“T16”～“T19”)，刷新周期调整部26判定“RF周期”的值与“RF最小值”的值(参照图9(b)的符号“NL3”)是否相同(步骤H18)。 
在“RF周期”的值与“RF最小值”的值不同的情况下(参照步骤H18的“否”路线，参照图9(b)的时间“T16”～“T19”)，从“RF周期”减去值“1(1Step)”(步骤H19)，将“前ER频率”设定为“ER频率”(步骤H20)，回到步骤H11。 
在“RF周期”的值与“RF最小值”的值相同的情况下(参照步骤H18的“是”路线，参照图9(b)的时间“T18”～“T19”)，转移至步骤H20。 
在“ER频率”的值与“前ER频率”的值相同的情况下(参照步骤H17的“是”路线)，转移至步骤H20。 
另一方面，在“ER频率”的值低于“ER阈值”的值的情况下(参照步骤H16的“是”路线)，刷新周期调整部26比较“RF周期”的值和“RF最大值”的值(步骤H21)。 
在“RF周期”的值低于“RF最大值”的情况下(参照步骤H21的“否”路线)，刷新周期调整部26对“RF周期”加以值“1(1Step)”(步骤H22)，转移至步骤H20。 
在“RF周期”的值为“RF最大值”的值以上的情况下(参照步骤H21的“是”路线)，结束处理。 
由此，在即使缩短刷新周期且经过长时间仍未能消除错误的情况下，能够强制解除刷新周期的调整处理。 
这样，根据作为本发明的一实施方式的存储器刷新电路10，能够控制进行存储器11的巡检的通常巡检动作，并且在通常巡检动作中检测出存储器11的错误的情况下，通过控制进行错误发生地址的巡检的追加巡检动作，使错误的检测机构高效化。此外，在追加巡检动作中检测出错误发生地址的错误的情况下，根据该错误发生地址的错误频率调整刷新周期，由此与对存储器11整体进行巡检的情况相比，能够以短间隔进行与错误发生状态相配合的刷新周期的最佳化，能够提高系统的动作环境暂时变化的情况下的响应性。 
此外，在由计测部15计测出的错误频率变大的情况下，阶段性缩短刷新周期，在由计测部15计测出的错误频率变小的情况下，阶段性延长刷新周期，由此能够以短间隔一点一点地进行与错误频率的变化相配合的刷新周期的调整处理，因此，能够在错误频率的变化较小的情况下将调整的程度抑制得较小。从而，能够高效地进行与存储器11中的错误的发生状态相配合的刷新周期的最佳化。 
进一步，下限值计算部21基于存储器11的温度变更下限值，由此能够防止仅依据错误频率进行控制时难以避免的过度刷新，并且能够抑制由于过度刷新对存储器11的动作造成的不良影响。 
此外，下限值计算部21基于存储器11的访问频率变更下限值，由此能够防止仅依据错误频率进行控制时难以避免的过度刷新，并且能够抑制由于写/读(read/write)访问的阻碍对存储器11的动作造成的不良影响。 
进一步，在通常巡检动作中从检测出存储器11的错误开始的经过时间超过计时器阈值的情况下，强制回到通常刷新模式的刷新周期，由此能够不进行对于不能够改善的错误的刷新周期的调整处理，能够防止无谓地继续刷新。 
此外，在由计测部15计测出的错误频率一定的情况下，通过延长追加监视间隔，能够减少不必要的巡检。此外，在调整刷新周期时也与追加监视间隔相配合地进行调整，由此能够达到错误检测机构的高效化。 
其它 
另外，本发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围内实施各种变形。 
例如，在上述实施方式中，计测部15将错误发生位置的每规定时间的错误数作为错误频率进行计测，但并不限定于此，在追加巡检控制部25的追加巡检动作中检测出多个错误发生地址的情况下，计测部15也可以将错误发生位置的个数作为错误频率进行计测。由此，不需要像对一定时间的错误数进行计数时那样等待经过一定时间，而能够在短时间内进行计测。 
此外，在上述实施方式中，作为ECC电路14使用单一错误修正二重错误码，但并不限定于此，也可以使用具有检测修正能力的错误检测修正码。 
进一步，在上述实施方式中，具有下限值计算部21、缩短结束请求部23和监视间隔变更部27，但并不限定于此，并非必须全部具有这些部件。 
另外，根据本发明的各实施方式的公开内容，本领域的技术人员能够实施、制造本发明。 
产业上的可利用性 
本发明能够应用于需要刷新动作的各种存储器件。 

Claims (112)

1.一种存储器刷新装置，其与刷新周期相配合地进行存储器的刷新，所述存储器刷新装置其特征在于，包括：
通常巡检控制部，其控制进行该存储器的巡检的通常巡检动作；
追加巡检控制部，其在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中检测出该存储器的错误的情况下，控制对该错误发生的错误发生位置进行巡检的追加巡检动作；
计测部，其在由该追加巡检控制部进行的该追加巡检动作中检测出该错误发生位置的错误的情况下，将关于所述错误发生位置的错误的信息作为错误频率进行计测；以及
刷新周期调整部，其根据该计测部计测出的该错误频率，调整该刷新周期。
2.如权利要求1所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该计测部计测出的该错误频率变大的情况下，阶段性缩短该刷新周期，在由该计测部计测出的该错误频率变小的情况下，阶段性延长该刷新周期。
3.如权利要求1所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该计测部将该错误发生位置的每规定时间的错误数作为该错误频率进行计测。
4.权利要求2所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该计测部将该错误发生位置的每规定时间的错误数作为该错误频率进行计测。
5.如权利要求1所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该计测部，在由该追加巡检控制部进行的该追加巡检动作中检测出多个错误发生位置的情况下，将该错误发生位置的数量作为该错误频率进行计测。
6.如权利要求2所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该计测部，在由该追加巡检控制部进行的该追加巡检动作中检测出多个错误发生位置的情况下，将该错误发生位置的数量作为该错误频率进行计测。
7.如权利要求1所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
8.如权利要求2所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
9.如权利要求3所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
10.如权利要求4所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
11.如权利要求5所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
12.如权利要求6所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
13.如权利要求7所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于访问该存储器的频率变更该下限值。
14.如权利要求8所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于访问该存储器的频率变更该下限值。
15.如权利要求9所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于访问该存储器的频率变更该下限值。
16.如权利要求10所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于访问该存储器的频率变更该下限值。
17.如权利要求11所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于访问该存储器的频率变更该下限值。
18.如权利要求12所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于访问该存储器的频率变更该下限值。
19.如权利要求7所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
20.如权利要求8所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
21.如权利要求9所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
22.如权利要求10所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
23.如权利要求11所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
24.如权利要求12所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
25.如权利要求13所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
26.如权利要求14所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
27.如权利要求15所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
28.如权利要求16所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
29.如权利要求17所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
30.如权利要求18所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
31.如权利要求7所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
32.如权利要求8所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
33.如权利要求9所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
34.如权利要求10所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
35.如权利要求11所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
36.如权利要求12所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
37.如权利要求13所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
38.如权利要求14所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
39.如权利要求15所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
40.如权利要求16所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
41.如权利要求17所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
42.如权利要求18所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
43.如权利要求19所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
44.如权利要求20所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
45.如权利要求21所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
46.如权利要求22所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
47.如权利要求23所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
48.如权利要求24所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
49.如权利要求25所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
50.如权利要求26所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
51.如权利要求27所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
52.如权利要求28所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
53.如权利要求29所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
54.如权利要求30所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该刷新周期调整部，在由该通常巡检控制部进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
55.如权利要求1～54中任一项所述的存储器刷新装置，其特征在于，
具有监视间隔变更部，其基于由该刷新周期调整部调整后的该刷新周期，变更该追加巡检动作的监视间隔。
56.如权利要求55所述的存储器刷新装置，其特征在于，
该监视间隔变更部，在由该计测部计测出的该错误频率是一定的情况下，延长该监视间隔。
57.一种存储器刷新方法，其进行与刷新周期相配合的存储器的刷新，该存储器刷新方法的特征在于，包括：
通常巡检控制步骤，其控制进行该存储器的巡检的通常巡检动作；
追加巡检控制步骤，其在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中检测出该存储器的错误的情况下，控制对该错误发生的错误发生位置进行巡检的追加巡检动作；
计测步骤，其在该追加巡检控制步骤中进行的该追加巡检动作中检测出该错误发生位置的错误的情况下，将关于所述错误发生位置的错误的信息作为错误频率进行计测；以及
刷新周期调整步骤，其根据在该计测步骤计测出的该错误频率，调整该刷新周期。
58.如权利要求57所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该计测步骤中计测出的该错误频率变大的情况下，阶段性缩短该刷新周期，在该计测步骤计测出的该错误频率变小的情况下，阶段性延长该刷新周期。
59.如权利要求57所述的存储器刷新方法，其特征在于，
该计测步骤将该错误发生位置的每规定时间的错误数作为该错误频率进行计测。
60.如权利要求58所述的存储器刷新方法，其特征在于，
该计测步骤将该错误发生位置的每规定时间的错误数作为该错误频率进行计测。
61.如权利要求57所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该计测步骤中，在该追加巡检控制步骤中进行的该追加巡检动作中检测出多个错误发生位置的情况下，将该错误发生位置的数量作为该错误频率进行计测。
62.如权利要求58所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该计测步骤中，在该追加巡检控制步骤中进行的该追加巡检动作中检测出多个错误发生位置的情况下，将该错误发生位置的数量作为该错误频率进行计测。
63.如权利要求57所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
64.如权利要求58所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
65.如权利要求59所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
66.如权利要求60所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
67.如权利要求61所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
68.如权利要求62所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，将该刷新周期调整为预先设定的下限值以上。
69.如权利要求63所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于访问该存储器的频率变更该下限值。
70.如权利要求64所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于访问该存储器的频率变更该下限值。
71.如权利要求65所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于访问该存储器的频率变更该下限值。
72.如权利要求66所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于访问该存储器的频率变更该下限值。
73.如权利要求67所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于访问该存储器的频率变更该下限值。
74.如权利要求68所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于访问该存储器的频率变更该下限值。
75.如权利要求63所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
76.如权利要求64所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
77.如权利要求65所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
78.如权利要求66所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
79.如权利要求67所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
80.如权利要求68所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
81.如权利要求69所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
82.如权利要求70所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
83.如权利要求71所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
84.如权利要求72所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
85.如权利要求73所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
86.如权利要求74所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，基于作为该存储器的温度的存储器温度变更该下限值。
87.如权利要求63所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
88.如权利要求64所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
89.如权利要求65所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
90.如权利要求66所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
91.如权利要求67所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
92.如权利要求68所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
93.如权利要求69所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
94.如权利要求70所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
95.如权利要求71所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
96.如权利要求72所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
97.如权利要求73所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
98.如权利要求74所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
99.如权利要求75所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
100.如权利要求76所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
101.如权利要求77所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
102.如权利要求78所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
103.如权利要求79所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
104.如权利要求80所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
105.如权利要求81所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
106.如权利要求82所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
107.如权利要求83所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
108.如权利要求84所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
109.如权利要求85所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
110.如权利要求86所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该刷新周期调整步骤中，在该通常巡检控制步骤中进行的该通常巡检动作中从检测出该存储器的错误开始的经过时间超过规定时间的情况下，使该刷新周期回到既定值。
111.如权利要求57～110中任一项所述的存储器刷新方法，其特征在于，
具有监视间隔变更步骤，其基于由该刷新周期调整步骤调整后的该刷新周期，变更该追加巡检动作的监视间隔。
112.如权利要求111所述的存储器刷新方法，其特征在于，
在该监视间隔变更步骤中，在该计测步骤中计测出的该错误频率是一定的情况下，延长该监视间隔。
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