CN101788764B - 涂覆显影装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种涂覆显影装置,其能够在装置发生故障时迅速地回收基板。该涂覆显影装置包括:载置收纳多个基板的载体并且交接机构能够进入上述载体的交接用载置部;载置上述载体的多个退避用载置部;和在这些退避用载置部与上述交接用载置部之间进行载体的移载的载体搬送机构,在该涂覆显影装置中,当装置发生故障时,决定故障发生时将载置于上述处理部的各模块中的基板回收于原来的载体的回收顺序,对上述载体搬送机构进行控制,使得按照上述决定的回收顺序,在上述交接用载置部与退避用载置部之间移载载体,按照上述决定的回收顺序,将基板搬送至上述交接用载置部上的原来的载体。

Description

涂覆显影装置
技术领域
本发明涉及一种涂覆显影装置,对例如半导体晶片、LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板进行抗蚀剂液的涂覆处理、曝光后的显影处理等。
背景技术
在半导体器件、LCD基板的制造工艺中,通过被称为光刻的技术对基板进行抗蚀剂图案的形成。该技术通过以下一系列工序进行,即,在例如半导体晶片(以下,称为晶片)等基板上,涂覆抗蚀剂液,在该晶片的表面形成液膜,使用光掩模将该抗蚀剂膜曝光后,进行显影处理,从而得到期望的图案。
这样的处理通常使用在进行抗蚀剂液的涂覆、显影的涂覆显影装置上连接曝光装置而构成的抗蚀剂图案形成装置进行。在该装置中,例如如图16所示,将收纳有多个晶片的载体10搬入至载体载置部1A的载体台11,通过交接臂12将载体10内的晶片交接至处理部1B。然后,在处理部1B内,在反射防止膜形成模块(未图示)中进行反射防止膜的形成,在涂覆模块13中进行抗蚀剂膜的形成后,通过接口部1C搬送至曝光装置1D。另一方面,曝光处理后的晶片被再次送回处理部1B,通过显影模块14进行显影处理,之后被送回原来的载体10内。在上述反射防止膜、抗蚀剂膜的形成处理的前后、显影处理的前后,进行晶片的加热处理、冷却处理,这些进行加热处理的加热模块和进行冷却处理的冷却模块等,多层地排列在搁板模块15(15a~15c),利用设置于处理部1B的主臂16(16A、16B),在各模块彼此之间进行搬送。
这里,如专利文献1所述那样,在对晶片实施上述处理时,对于处理预定的全部的晶片,按照已预先确定将各个晶片在哪个时刻搬送至哪个模块的搬送计划表(参照图17)搬送。该搬送计划表的纵轴表示循环,横轴表示被搬送的模块。另外,FOUP是指载体,M1~M6是指模块,L1-1是指批次1的第一个晶片,L2-3是指批次2的第三个晶片。此时,对1个批次分配1个载体,在该例中,一个载体收纳有3个晶片。
这样,通常在每个处理批次准备载体10,从1个载体被转移至处理部1B的晶片,在该处理部1B和曝光装置1D进行规定的处理后,收纳于原来的载体10。此时,在上述载体台11载置有多个例如4个载体10,例如上述交接臂12构成为能够进入(access)上述全部的载体10。然后,将晶片转移至处理部1B后的空的载体10,在载体台11上待机直至晶片结束规定的处理,处理结束后的晶片返回上述4个载体10内,然后,将收纳有已处理的晶片的载体与收纳有未处理的晶片的载体交换。另一方面,处理部1B和曝光装置1D的处理量是130个/小时左右,即处理部1B和曝光装置1D例如能够同时对例如130个晶片分别进行处理。
然而,近年来要求在一台涂覆显影装置中进行其他品种的少量生产。在此情况下,由于对1个品种分配1个载体,因此收纳于1个载体的晶片的个数变少,如果如已述那样,对4个载体10的晶片W进行全部的处理,将处理完毕的晶片W送回原来的载体10后与新的载体进行交换,采用这样的方法,则会导致从被置于载体台11的全部的载体10向处理部1B转移的晶片W的总数变少。因此,在处理部1B和曝光装置1D中,晶片不能到达本来能够进行处理的状态下的模块,其结果是导致处理量下降。
因此,本发明人研究采用如下方法,在载体台之外另设置暂时保管载体的暂存盒,即使在收纳于1个载体的晶片的个数较少的情况下,也在从1个载体将晶片转移后,使该载体退避至暂存盒,将新的载体载置于载体台而进行晶片的转移,由此能够使得从载置于载体台的全部的载体向处理部移出的晶片总数增加,由此,提高处理部和曝光装置中的模块的运转效率,抑制处理量的下降。
然而,在上述的涂覆显影装置中,在模块或搬送机构的故障等不能按照上述的搬送计划表进行晶片的搬送的情况下,输出警报并进行晶片的回收后,使装置关闭。此时,处理部和曝光装置的晶片W,从故障时所载置的模块立即被回收至原来的载体内。
这里,在如以往那样未设置暂存盒的情况下,因为处于处理部和曝光装置中的全部的晶片被收纳于设置在载体台的载体中,所以能够快速地进行回收作业,但是,在为设置有载体的暂存盒的结构的情况下,会产生如下问题:在发生故障时,发生在载体台上不存在欲使晶片W返回的原来的载体的情况,因此在上述回收作业中会发生混乱。
专利文献1:日本特开2004-193597号公报
发明内容
本发明是基于上述问题而完成的,其目的在于提供一种技术(涂覆显影装置),其能够在装置发生故障时快速进行基板回收。
因此,本发明的涂覆显影装置具有:
载体载置部,其包括载置收纳多个基板的载体的交接用载置部、和对载置于该交接用载置部的载体进行基板的交接的交接机构;和
处理部,其包括为了对通过上述交接机构从该载体载置部交接到的基板形成涂覆膜并且对曝光后的基板进行显影而对基板进行处理或载置基板的多个模块、和在这多个模块之间进行基板的搬送的基板搬送机构,
该涂覆显影装置在上述处理部对从在每个批次准备的载体移出至该处理部的基板进行处理后,进行基板的搬送,以将该基板送回原来的载体,该涂覆显影装置的特征在于,包括:
多个退避用载置部,其设置于所述载体载置部,载置所述载体;
载体搬送机构,在这些退避用载置部与上述交接用载置部之间进行载体的移载;
回收计划制作机构,其在上述涂覆显影装置发生故障时,为了将故障发生时载置于上述处理部的各模块中的基板回收至原来的载体而决定基板的回收顺序;
第一控制机构,其对上述载体搬送机构进行控制,使得按照上述已决定的回收顺序,将载体在上述交接用载置部与退避用载置部之间移载;和
第二控制机构,其对上述交接机构和基板搬送机构进行控制,使得按照上述已决定的回收顺序,将该基板搬送至上述交接用载置部上的原来的载体。
此时,也可以构成为,包括存储部,当将通过包括用于保持基板的2个保持臂的基板搬送机构,将载置于各模块的基板从下游侧的模块逐个地移动至上游侧的模块的一系列的操作称为搬送循环时,该存储部存储在每个搬送循环使模块与载置于该模块中的基板对应的搬送计划(计划表:schedule),上述回收计划制作机构,根据上述搬送计划决定上述基板的回收顺序。此外,优选上述基板的回收顺序,以使得载置于靠近载体载置部的模块中的基板为在先的顺序的方式决定。
此外,也可以设置用于暂时保管上述多个载体的保管部,上述退避用载置部兼用作设置于该保管部的上述载体的载置部。上述保管部,既可以设置于上述交接用载置部的上方侧或下方侧,也可以设置于上述交接用载置部的对面侧。
进而,上述退避用载置部也可以构成为,包括其与外部之间进行载体的交接的搬入搬出用载置部,通过上述载体搬送机构,在该搬入搬出用载置部与保管部内的其他退避用交接部或交接用载置部之间进行载体的移载。
发明的效果
在本发明中,在涂覆显影装置中发生故障时,决定将故障发生时载置于上述处理部的各模块中的基板回收至原来的载体的顺序,按照该回收顺序,在交接用载置部与退避用载置部之间移载载体,因此,能够快速地进行装置发生故障时的基板回收。
附图说明
图1是表示本发明的抗蚀剂图案形成装置的实施方式的平面图。
图2是表示上述抗蚀剂图案形成装置的立体图。
图3是表示上述抗蚀剂图案形成装置中的载体载置部的立体图。
图4是从载体搬送机构一侧观察上述载体载置部时的正面图。
图5是表示载体的正面图。
图6是表示上述抗蚀剂图案形成装置的处理部内的晶片W的搬送路径的平面图。
图7是表示上述抗蚀剂图案形成装置的控制部的一部分的结构图。
图8是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的流程图。
图9是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的平面图。
图10是表示用于上述抗蚀剂图案形成装置的搬送计划的一个例子的说明图。
图11是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的工序图。
图12是表示本发明的另一个实施方式的立体图。
图13是用于说明本发明的另一个实施方式的作用的流程图。
图14是表示本发明的又一个实施方式的载体载置部的立体图。
图15是表示本发明的又一个实施方式的载体载置部的截面图。
图16是表示现有的涂覆显影装置的平面图。
图17是表示现有的搬送计划的一个例子的结构图。
符号说明:
W  半导体晶片
C  载体
B1 载体载置部
B2 处理部
B3 接口部
B4 曝光装置
A1 交接机构
A2、A3 主臂
21(211~214) 交接用载置部
22(221~228) 退避用载置部
3 载体搬送机构
6 控制部
63搬送计划存储部
64移载计划存储部
66回收控制部
69退避控制部
具体实施方式
首先,参照附图,对在本发明的涂覆显影装置上连接曝光装置而成的抗蚀剂图案形成装置2进行说明。图1是表示上述装置的一个实施方式的平面图,图2是其概略立体图。图中B1是用于将密闭收纳有例如13个基板例如晶片W的载体C搬入搬出的载体载置部,B2是对上述晶片W进行涂覆、显影处理的处理部,B3是接口部,B4是曝光装置。例如如图3所示,上述载体载置部B1设置有:多层地设置有载体C的交接用载置部21(211~214)和退避用载置部22(221~228)的载体站2、从该载体站2观察时设置于前方的壁面上的开闭部23、以及用于从载置于上述交接用载置部21的载体C取出晶片W并向后述的处理部B2交接的交接机构A1。上述载体载置部B1例如被箱体20包围其周围。
上述载体站2例如包括:设置有多个上述交接用载置部21(211~214)的载置台24、和设置于该载置台24的上方侧、构成暂时保管载体C的保管部的暂存盒25。该暂存盒包括遍及多层例如2层设置的搁板部26、27。上述交接用载置部21是通过上述交接机构A1被进行取放(access:访问,进入)的载置部,在上述载置台24上沿图中Y方向并排排列有多个例如4个,载置的载体C被固定,并且能够在图中X方向上自由滑动,能够使设置于载体C的未图示的晶片取出口与上述开闭部23连接。
在该例中,上述载置台24上的交接用载置部211~214中的例如2个交接用载置部211、212被分配为用于将晶片W从载体C交接给处理部B2的搬入用交接用载置部,余下的2个交接用载置部213、214被分配为用于将晶片W从处理部B2送回至载体内的搬出用交接用载置部。而且,为了与这4个交接用载置部211~214进行晶片W的交接,上述交接机构A1构成为,能够在图中X方向自由移动、自由进退、并且围绕铅直轴自由旋转。
此外,在上述暂存盒25,排列有多个用于在其上载置载体C加以暂时保管的载置部。在该例中,暂存盒25内的载置部兼用作上述退避用载置部22。上述退避用载置部22,在上述暂存盒25内的例如下层侧的搁板部26,沿上述Y方向并排地排列有多个例如4个载置部221~224,并且,在上层侧的搁板部27,沿上述Y方向并排地排列有多个例如4个载置部225~228。这里,该上层侧的退避用载置部225~228中的例如2个退避用载置部225、226用作在将载体C从外部搬入该涂覆显影装置时载置载体C的搬入用载置部,余下的2个退避用载置部227、228兼用作在将载体C从该涂覆显影装置向外部搬出时载置载体C的搬出用载置部。上述搬入用载置部225、226和搬出用载置部227、228,相当于本发明的搬入搬出用载置部。此外,这些退避用载置部221~228构成为在其上载置并固定载体C。
在上述上层侧的搁板部27的上方侧,如图4所示,设置有沿图中Y方向延伸的导轨R,在该导轨R,设置有在涂敷、显影装置与外部的其他处理装置之间搬送载体C的外部载体搬送机构200。该外部载体搬送机构200具备保持载体C的把持部201,该把持部201构成为以从左右方向夹着载体C的侧面的方式进行支承。此外,外部载体搬送机构200构成为,能够沿着导轨R自由移动,并且为了通过升降机构202将载体C载置于上层侧的搁板部27的搬入用载置部225、226和搬出用载置部227、228,或从这些搬入用载置部225、226和搬出用载置部227、228接收载体C,构成为能够在上下方向上自由移动。
进而,如图1~图3所示,载体载置部B1具备用于对载体站2的各载置部21、22进行载体C的交接的载体搬送机构3。该载体搬送机构3例如是由第一臂31、第二臂32、保持臂33构成的多关节臂,能够自由进退,并且,通过旋转机构34能够围绕铅直轴自由旋转。
这里,对载体C的形状进行说明。如图2~图5所示,在该载体C的上表面隔着支承部41设置有板状的保持板42。而且,例如如图5所示,上述保持臂33构成为,包围上述载体C的保持板42的周围,将载体C在悬吊的状态下进行支承。
这样的载体搬送机构3能够沿着升降轴35自由升降,并且,该升降轴35例如在载体载置部B1的顶部能够沿着在图1中的Y方向上延伸设置的导轨36自由移动,这样,能够对载体站2的交接用载置部211~214和退避用载置部221~228的各个进行载体C的移载。此外,在不进行载体C的移载作业时,载体搬送机构3移动至退避区域30。该退避区域30,设置于如后述那样在操作者将载体C直接搬入载体站2并载置时与操作者的移动区域不干扰的位置,例如如图1所示那样,从载体搬送机构3一侧观察载体站2时,设置于载体站2的左右方向中的任一侧。
在这样的交接用载置部211~214和上层的退避用载置部225~228,例如如图3所示那样,设置有用于确认载体C的载置位置的位置传感器231、和用于确认载体C的有无的有无传感器232,并且在中层的退避用载置部221~224设置有上述位置传感器231。作为这些位置传感器231和有无传感器232,使用反射型光传感器、或将载体C载置于这些载置部211~214、221~228时对接触该载体C的底部检测其位置或有无的撞针(撞击器)的动作进行观察的传感器等。
上述载体载置部B1的里侧与处理部B2连接,在该处理部B2,从跟前侧起依次交替地排列设置有将加热-冷却系统的模块多层化的搁板模块U1~U3、以及构成在这些搁板模块U1~U3和后述的液处理模块U4、U5的各模块之间进行晶片W的交接的基板搬送机构的主臂A2、A3。即,搁板模块U1、U2、U3和主臂A2、A3,从载体载置部B 1一侧观察时,排列为前后一列,在各自的连接部位形成有未图示的晶片搬送用的开口部,晶片W在处理部B2内从一端侧的搁板模块U1至另一端侧的搁板模块U3能够自由地移动。
上述搁板模块U1~U3形成为,将用于进行在液处理模块U4、U5进行的处理的前处理和后处理的各种模块叠层为多层例如10层的结构,其组合包括:交接模块TRS、用于将晶片W调整为规定温度的调温模块CPL、用于进行晶片W的加热处理的加热模块CLH、用于在涂覆抗蚀剂液后进行晶片W的加热处理的加热模块CPH、在显影处理前对晶片W进行加热处理的加热模块PEB、和对显影处理后的晶片W进行加热处理的加热模块POST等。
此外,例如如图2所示,液处理模块U4、U5构成为,将对晶片W涂覆反射防止膜形成用的药液的反射防止膜形成模块BCT、对晶片W涂覆抗蚀剂液的涂覆模块COT、和对晶片W供给显影液并进行显影处理的显影模块DEV等叠层为多层例如5层。
在上述处理部B2中的搁板模块U3的里侧,经接口部B3连接有曝光装置B4。该接口部B3由在处理部B2与曝光装置B4之间前后设置的第一搬送室51和第二搬送室52构成,分别设置有可自由升降、围绕铅直轴能够自由旋转、并且能够自由进退的第一搬送臂53和第二搬送臂54。进而,在第一搬送室51,设置有上下叠层地设置有例如交接模块等的搁板模块U6。
上述主臂A(A2、A3)构成为,在上述处理部B2内的全部的模块(载置晶片W的地方)、例如搁板模块U1~U3的各模块、液处理模块U4、U5的各模块之间进行晶片的交接。因此,构成为能够自由进退、自由升降、围绕铅直轴自由旋转、沿Y轴方向能够自由移动,并且设置有用于支承晶片W的背面侧周边区域的2个保持臂,这些保持臂能够相互独立地进退。
参照图6,对这样的抗蚀剂图案形成系统中的晶片W的处理流程的一个例子进行说明。载置于载体载置部B1的载置部211(212)的载体C内的晶片W,被交接至处理部S2的搁板模块U1的交接模块TRS,从此起以调温模块CPL1→反射防止膜形成模块BCT→加热模块CLH→调温模块CPL2→涂覆模块COT→加热模块CPH→接口部B3→曝光装置B4的路径被搬送,在此进行曝光处理。另一方面,曝光处理后的晶片W被送回处理部B2,以加热模块PEB→调温模块CPL3→显影模块DEV→加热模块POST→调温模块CPL4的路径被搬送,从此处被送回载体载置部B1的载体C。
此时,主臂A2、A3在处理部B2内从搁板模块U1的交接模块TRS接收晶片,经调温模块CPL等将该晶片沿着上述的搬送路径依次搬送直至加热模块CPH后,从接口部B3接收曝光处理后的晶片W,经加热模块PEB等将该晶片沿着上述的搬送路径依次搬送直至交接模块TRS,这样进行控制,进行将载置于各模块中的晶片W从下游侧的模块逐个地移动至上游侧的模块的一系列的操作(搬送循环)。
此外,上述的抗蚀剂图案形成装置具备由进行各处理模块的处理方案的管理、晶片W的搬送流程(搬送路径)的处理方案的管理、各处理模块中的处理、且对外部载体搬送机构200、载体搬送机构3、交接机构A1、和主臂A2、A3等进行驱动控制的计算机构成的控制部6。该控制部6具有存储例如计算机程序的程序存储部,在该程序存储部存储有由例如软件构成的程序,该程序具备步骤(命令)组,使得抗蚀剂图案形成装置整体的作用即用于对晶片W形成规定的抗蚀剂图案的各模块中的处理、晶片W的搬送等得以实施。而且,该程序被控制部6读出,由此,通过控制部6控制抗蚀剂图案形成装置整体的作用。另外,该程序以收纳于例如软盘、硬盘、压缩盘、磁光盘、存储器卡等存储介质中的状态存储在程序存储部。
图7是表示该控制部的结构的图,实际上由CPU(中央处理模块)、程序和存储器等构成,但在本发明中,由于其特征在于故障发生时的晶片的回收,因此,这里使与此关联的构成要素的一部分块化并进行说明。图7中,60是总线,该总线60上连接有处理方案存储部61、处理方案选择部62、搬送计划存储部63、移载计划存储部64、警报表示部65、回收控制部66、搬送控制部67、输入部68、和退避控制部69。
处理方案存储部61存储有记录着例如晶片W的搬送路径的搬送处理方案和记录了对晶片W进行的处理条件等的多个处理方案。搬送计划存储部62是相当于存储部的机构,存储搬送计划,该搬送计划是根据上述搬送处理方案,将有关批次内的全部的晶片在哪个时间搬送至哪个模块等内容的计划(schedule),例如按时间序列排列制作有对晶片分配顺序、使晶片的顺序与各模块对应并指定搬送循环的搬送循环数据。
移载计划存储部64是存储载体站2中的载体C的移载计划的机构。这里,分别对上述交接用载置部211~214和退避用载置部221~228赋予地址,对载体C也分别赋予固有的ID,因此,在该移载计划中,按时间序列使载体C与交接用载置部221~214以及退避用载置部221~228对应,按时间序列记载有在哪个时间将哪个载体C移载至哪个载置部211~214、221~228。
警报表示部65是在装置发生任何故障时表现出警报的机构。上述故障是指,发生各种模块或曝光装置B4的异常、主臂A2、A3、或交接机构A1的异常等,导致不能按照搬送计划进行晶片W的搬送的情况。警报表示包括警报音的发出、警报灯的点亮、向后述的输入画面进行警报显示等。
回收控制部66是实行用于将处理中途的晶片W回收至对应的原来的载体C内的回收作业的机构,设置有回收计划制作机构,该回收计划制作机构基于上述搬送计划,决定在上述故障发生时从载置有基板的模块回收至原来的载体的顺序,例如当装置中发生故障时,根据操作者的指示执行上述回收作业。关于该回收作业在后面叙述。搬送控制部67是对载体搬送机构3、交接机构A1、主臂A2、A3等进行控制的机构,参照搬送计划、移载计划、回收计划,执行规定的搬送作业。输入部68设置有输入画面,是操作者能够进行回收指令、关机指令等的输入的机构,在该输入画面也显示警报表示。另外,关于退避控制部69在后面叙述。
接着,参照图8、图9,对本实施方式的作用进行说明。首先,在开始对作为基板的晶片W进行处理之前,操作者选择处理方案,这里,以如已述的那样,形成反射防止膜作为涂覆膜,在其上形成抗蚀剂膜的情况为例进行说明。首先,操作者对在批次L1~L8的晶片形成包括反射防止膜和抗蚀剂膜的涂覆膜的情况下的处理方案、搬送计划、和移载计划进行选择。此时,假定在各批次L中收纳有3个晶片,按照批次L1→批次L2→批次L3→批次L4→批次L5→批次L6→批次L7→批次L8的顺序,将晶片W从载置于载体载置部B 1的载体C向处理部B2转移。接着,控制部6参照所选择的搬送计划和移载计划,向各部输出指示,将晶片从批次L1起依次转移至处理部B2,执行处理。
此时,在载体载置部B1,首先,通过外部载体搬送机构200,从批次L1的载体C1起,依次将批次L2的载体C2→批次L3的载体C3→批次L4的载体C4→批次L5的载体C5→批次L6的载体C6→批次L7的载体C7→批次L8的载体C8搬送至搬入用载置部225、226,然后,利用载体搬送机构3,按照移载计划将载体C1~C8移载至暂存盒25内的其他退避用载置部221~224、227、228、或搬入用交接用载置部211、212。
在将载体C1载置于搬入用交接用载置部211、并打开盖体后,通过交接臂A1接收载体C1内的晶片L1-1~L1-3,将其转移至处理部B2。这里,晶片L1-1指批次1的第一个晶片、晶片L1-3指批次L的第三个晶片。
接着,根据移载计划,通过载体搬送机构3,将后续的载体C2移载至例如搬入用交接用载置部212上,载体C2的晶片L2-1~L2-3通过交接臂A1被移至处理部B2。这样,按照载体C3→载体C4→载体C5→载体C6→载体C7→载体C8的顺序,将载体C移载至搬入用交接用载置部211、212中的任一个,通过交接臂A1依次向处理部B2移出,此时,由于将晶片W移出而变空的载体C,被移载至预先由移载计划决定的空的退避用载置部221~228,将下一个载体搬入至搬入用交接用载置部211、212。
另一方面,在处理部B2,从载体C1的晶片起,按照上述搬送计划,通过主臂A2、A3,依次被搬送至规定的模块。这里,在主臂A2、A3,如已述的那样,通过2个以上的保持臂,从下游侧的模块内的晶片起,依次逐个地向后面的模块转移并替换,由此,形成顺序小的晶片比顺序大的晶片更位于下游侧的模块的状态,由此,执行1个循环(搬送循环),在结束该循环后,转移至下一个循环,依次执行各循环,按照已述的路径,按照顺序依次搬送晶片,进行规定的处理。
这样,处理结束后的载体C1的晶片通过交接机构A1被送回载置于搬出用交接用载置部213、214的原来的载体C1内。这里,载体C1在载体站2内,按照上述移载计划,通过载体搬送机构3,按照搬入用交接用载置部211→退避用载置部→搬出用交接用载置部213(214)的路径被移载。这样,载体C2~C8的晶片W,在处理结束后也被依次送回已被移载至搬出用交接用载置部213、214的原来的载体C2~C8内。
接着,参照图8,对故障发生时的晶片W的回收作业进行说明。在装置内发生任何故障时(步骤S1),通过警报表示部65进行规定的警报表示(步骤S2),根据这种情况,操作者通过输入部68对回收控制部66输出回收指令(步骤S3)。
在该回收控制部66,通过回收计划制作机构,例如参照搬送计划,制作将位于处理部B2内的晶片返回载体C时的回收计划(计划表:schedule)。关于该回收计划的制作,因为根据搬送计划可知在故障发生时哪个批次的晶片载置于哪个模块,所以例如以从靠近载体载置部B1的批次的晶片W起依次返回载体C的方式决定回收顺序,制作回收计划(步骤S4)。
参照图9,具体地进行说明。在图9的例子中表示以下状态,即,在载体载置部B1,在搬入用交接用载置部211、212分别载置有批次7的载体C7和批次6的载体C6,在搬出用交接用载置部213、214分别载置有批次1的载体C1和载体C2,在TRS模块载置有批次L6的第二个晶片L6-2,在CPL1模块载置有批次L6的第一个晶片L6-1的晶片,在CPL4模块载置有批次1的第三个晶片L1-3,在POST模块载置有批次2的第一个晶片L2-1。此时的搬送计划,例如如图10所示的那样,相当于该搬送计划中的第n个循环。
在下一个搬送循环(n+1)中,CPL4模块的晶片L1-3被送回载体C1,晶片L6-3从载体C6被移至TRS模块。这样,由于靠近载体载置部B1的模块是CPL4模块、TRS模块,因此例如以按照批次1→批次6→批次5→批次2→批次4→批次3的顺序进行晶片回收的方式决定回收顺序。于是,指定在所使用的主臂A2、A3、主臂A2、A3彼此之间存在晶片W的交接时的搬送路径,制作回收计划。
接着,参照上述回收计划,将晶片W回收至对应的原来的载体(步骤S5)。此时,因为根据移载计划能够了解在故障发生时载体站2内的载体C的配置,所以在搬入用交接用载置部211、212或搬出用交接用载置部213、214存在回收晶片W的目标的载体C的情况下,在此状态下直接将晶片W交接给该载体C,在这些载置部211~214不存在目标的载体C的情况下,利用载体搬送机构3将目标的载体C载置于这些载置部211~214,以上述方式进行载体C的移载作业。
在上述的例子中,如图9和图11(a)所示,因为批次1的载体C1和批次6的载体C6被放置在搬入用交接用载置部212或搬出用交接用载置部213,所以对于批次1的晶片和批次6的晶片,不进行载体的移载作业,在此状态下直接将晶片W送回载体C1、载体C6。另外,图9中的载置台24表示从处理部B2一侧看到的配置,图12中的载置台24表示从载体搬送机构3一侧看到的配置。
接着,回收批次5的晶片,因为该批次5的载体C5未被放置于交接用载置部211~214,所以如图11(a)、11(b)所示,例如将载体C1移载至空的退避用载置部224,将载体C5移载至交接用载置部213,将批次5的晶片W回收于载体C5内。接着,回收批次2的晶片,因为该批次2的载体C2存在于交接用载置部214,所以在此状态下直接将批次2的晶片回收至载体C2内。
接着,回收批次4的晶片,因为该批次4的载体C4未被放置于交接用载置部211~214,所以如图11(b)、11(c)所示,将批次C6移载至空的退避用载置部221,将载体C4移载至交接用载置部212,将批次4的晶片回收至载体C4内。接着,回收批次3的晶片,因为该晶片未被放置于交接用载置部211~214,所以如图11(c)、11(d)所示,将批次C5移载至空的退避用载置部222,将载体C3移载至交接用载置部213,将批次3的晶片W回收至载体C3内。这样,在执行晶片W的回收作业后,操作者切断装置的电源进行关机(步骤S6)。
按照上述的实施方式,在载体站2设置暂时(临时)保管载体C的暂存盒25,在这里排列多个载体C的载置部,使该载置部兼用作使载体C退避的退避用载置部22,因此,提高了暂存盒25的利用价值。即,即使在由于其他品种的少量生产而导致收纳于一个载体C的晶片的个数较少的情况下,在将晶片从被放置于交接用载置部21的载体C移出后,也能够使该载体C退避至退避用载置部22,将新的载体C移载至交接用载置部21而进行晶片的移出,由此能够使得从载体载置部B1移至处理部B2的晶片的总数多。由此,能够防止晶片不到达处于本来能够进行处理的状态下的模块这样情况的发生,抑制处理部B2和曝光装置B4中的模块的运转效率的降低,因此能够抑制处理量的降低。
此外,在涂覆显影装置中,在发生模块、搬送系统的故障等的情况下,在将载置于处理部B2和曝光载置B4的晶片W回收至原来的载体C时,制作回收计划,以从靠近载体载置部B1的晶片W起依次进行回收,在回收某个批次的晶片W时,在与该批次对应的载体不存在于交接用载置部21的情况下,通过载体搬送机构3将该载体从退避用载置部22移载至交接用载置部21,因此,能够快速可靠地进行晶片W的回收作业。
接着,参照图12~图14,对本发明的另一个实施方式进行说明。如图12所示,载体载置部B 1的侧面侧的周围和顶部被壁部71包围,在其顶部形成有开口部72,使得外部载体搬送机构200能够进入搬入搬出载置部。此外,在上述壁部71,为了操作者进出载体载置部B1内而设置有门73。在这个例子中,门73设置于与载体站2相对的壁部71A,在该门73的附近,设置有通过操作者进行操作的退避开关74和暂停开关75。
该退避开关74是对载体搬送机构3输出退避指令的机构,控制部6的退避控制部69根据该指令对载体搬送机构3进行控制,使得进行载体C的移载作业的载体搬送机构3在执行该移载作业后,移动至上述退避区域30。而且,退避开关74构成为,例如在载体搬送机构3朝向退避区域30的移动结束时,开关74的颜色变化,向操作者告知移动结束的意思。在这个例子中,通过退避开关74和退避控制部69构成控制载体搬送机构3的机构,该机构控制载体搬送机构3,使得正在进行载体C的移载作业的载体搬送机构3在执行该移载作业后移动至上述退避区域30。
接着,参照图13,对该实施方式的作用进行说明,该实施方式用于操作者打开门73进出载体载置部B1时的情况。这里,以操作者直接将载体C搬入交接用载置部21的情况为例进行说明。首先,在打开门73之前,操作者接通退避开关74(步骤S11)。由此,向退避控制部69输出退避指令,通过退避控制部69进行控制,使得在载体搬送机构3进行载体C的移载作业时,在该载体C的移载动作结束(步骤S12)之后,开始退避至退避区域30的退避动作(步骤S13),当退避动作结束时(步骤S14),例如使退避开关74的颜色变化。
接着,操作者根据退避开关74的颜色确认载体搬送机构3的退避动作结束的情况后,打开门74(步骤S15),进入载体载置部B1,将载体C搬入交接用载置部21(步骤S16)。之后,操作者从载体载置部B1退出,关闭门73(步骤S17),断开退避开关74(步骤S18)。之后,进行恢复初始化(步骤S19)。该恢复初始化是指使机械的可动部分返回起始点(home position),对原点位置再次进行确认。
此时,通过退避控制部69进行控制,使得在接通退避开关74、打开门73时,切断载体搬送机构3的电源,在断开退避开关74时,接通载体搬送机构3的电源。此外,在载体搬送机构3未保持载体的情况下,进行控制,使其立即退避至退避区域30。这样,在打开门73时切断载体搬送机构3的电源,在断开退避开关74时接通载体搬送机构3的电源,这样进行控制,是因为必须防止作为搬送机构的自动装置(robot)引起人身事故,此外,也为了迅速恢复生产活动的自动化。
根据本实施方式,通过在操作者进入载体载置部B1之前使退避开关74为接通状态,使得载体搬送机构3在结束当前的移载动作后移动至退避区域30。由此,因为对位于退避区域30的载体搬送机构3进行恢复初始化,所以能够缩短至开始恢复初始化的时间。与此相对,在现有技术中,由于未设置退避开关74,所以当操作者打开门73想要进入载体载置部B1内时,载体搬送机构3以保持载体C的状态向退避区域30移动,在操作者退出后载体搬送机构30继续进行所保持的载体C的移载动作,在该移载动作结束后,再次向退避区域30移动。而且,因为在此后进行上述恢复初始化,所以至开始恢复初始化花费时间。此时,在该实施方式中,也可以取代设置退避开关74,而在操作者要打开门73时向退避控制部69输出退避指令,进行上述载体搬送机构3的退避动作。
在以上所述的本发明中,如图14所示,也可以在载体载置部B1,夹着载体搬送机构3,在载体站2的相反一侧设置载体暂存盒8,该载体暂存盒8构成暂时保管载体C的保管部。该载体暂存盒8也与载体站2同样,例如在上下方向上设置有3层搁板部81~83,在各个搁板部81~83,沿图中Y方向各并排排列有4个载置部84,该载置部84兼用作用于载置载体C的退避用载置部,也能够通过载体搬送机构3对该载体暂存盒8的各载置部84进行载体C的移载。在设置于该载体暂存盒8的载置部84,例如设置有位置传感器231。为了便于图示,在图14,省略载体暂存盒8的保持搁板部81~83的背面壁绘制而成。这样,在设置载体暂存盒8的情况下,以在载体站2与载体暂存盒8之间的载体搬送机构3的移动区域开口的方式设置有例如门85,在该门85的附近,设置有未图示的退避开关。
进而,如图15所示,也可以在载体载置部B1,夹着载体搬送机构3,在载体站2的相反一侧设置载体搬入搬出台9。在该载体搬入搬出台9,沿图中Y方向并排排列有多个用于载置载体C的搬入搬出载置部91。以外部载体搬送机构200能够进入该搬入搬出载置部91的方式构成,在载体载置部B1与外部之间,能够进行载体C的搬入搬出。
本发明不仅能够应用于对半导体晶片进行处理的涂覆显影装置,还能够应用于对液晶显示器用的玻璃基板(LCD基板)等基板进行处理的涂覆显影装置。此外,载体搬送机构3的形状不限定于上述的结构,暂时保管载体的保管部(暂存盒)的结构也不限定于上述的例子,也可以在交接台24的下方侧设置载体用的载置部。此外,在该保管部的载置部,暂时保管收纳有未处理的晶片W的载体C、收纳有已处理完的晶片W的载体、空的载体等,无需将全部的载置部都用作退避用载置部。进而,此外,也可以使交接用载置部兼用作从载体载置部向处理部搬入晶片W时使用的载置部、和从处理部B2向载体载置部B1搬出晶片W时使用的载置部,适当选择通过交接机构进入的交接用载置部的个数。

Claims (3)

1.一种涂覆显影装置,其具有:
分别载置收纳多个基板的载体且并排成一列的多个交接用载置部;
与载置在该交接用载置部的载体进行基板的交接的交接机构;和
处理部,其包括为了在由所述交接机构从载置在所述交接用载置部的载体交接到的基板形成涂覆膜并且对曝光后的基板进行显影而对基板进行处理或载置基板的多个模块、和在这多个模块之间进行基板的搬送的基板搬送机构,
该涂覆显影装置在所述处理部对从每个批次分别准备的载体移出至该处理部的基板进行处理后,进行基板的搬送,以将该基板送回原来的载体,该涂覆显影装置的特征在于,包括:
多个载置部,是分别在多层设置的搁板部上排列有多个的载置部,其包含用于暂时载置载体的多个保管用的载置部、以及通过外部载体搬送机构进行载体的交接的载置部;
载体搬送机构,为了在这多个载置部和所述交接用载置部之间进行载体的移载,而相对于所述交接用载置部设置在与所述处理部相反的一侧;
回收计划制作机构,其在所述涂覆显影装置发生故障时,以按照载置于靠近交接用载置部的排列的模块的基板顺序在先的方式,将载置于所述处理部的各模块中的基板回收至原来的载体而决定基板的回收顺序;以及
控制部,其输出控制信号,使得收纳未处理基板的载体通过所述载体搬送机构依次搬入所述交接用载置部,按照所搬入的顺序通过所述交接机构将基板从载体移出至处理部侧,全部基板被移出的载体通过所述载体搬送机构暂时移载至所述保管用的载置部,为了其后使处理完的基板返回至原来的载体,从保管用的载置部将该原来的载体搬入所述交接用载置部,处理后的基板全部被收纳后通过基板搬送机构将该载体从交接用载置部搬出,
控制所述交接机构,使得在涂覆显影装置发生故障时,按照由所述回收计划制作机构决定的回收顺序,将基板搬送至所述交接用载置部上的原来的载体,并且
输出控制信号,使得为了在涂覆显影装置发生故障时,将全部基板已被移出且暂时移载至所述保管用的载置部的一个载体,交接于所述交接用载置部并按照由回收计划制作机构决定的回收顺序回收基板,而通过载体搬送机构使载置于交接用载置部的其他载体退避至保管用的载置部,并通过载体搬送机构将所述一个载体移载至空的交接用载置部,从而将基板回收至该一个载体。
2.如权利要求1所述的涂覆显影装置,其特征在于:
还包括存储部,其存储在每个搬送循环使模块与载置在该模块中的基板对应的搬送计划,该搬送循环为通过包括用于保持基板的2个保持臂的基板搬送机构,将载置于各模块中的基板从下游侧的模块逐个地移动至上游侧的模块的一系列的操作,
所述回收计划制作机构,根据所述搬送计划决定所述基板的回收顺序。
3.如权利要求1或2所述的涂覆显影装置,其特征在于:
所述保管用的载置部上的与处理部相反的侧设置多层搁板部,并且在各个搁板部上与交接用的载置部的排列方向相同的方向上,排列多个用于载置载体的保管用的载置部。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5284808B2 (ja) 2009-01-26 2013-09-11 株式会社Sokudo ストッカー装置及び基板処理装置
JP5666361B2 (ja) 2011-03-29 2015-02-12 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
JP5565422B2 (ja) * 2012-02-08 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6068663B2 (ja) 2013-09-30 2017-01-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP6690479B2 (ja) * 2016-09-09 2020-04-28 株式会社ダイフク 容器収納設備
JP6773497B2 (ja) * 2016-09-20 2020-10-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理管理装置、基板処理管理方法および基板処理管理プログラム
CN106373913B (zh) * 2016-10-31 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体立式炉设备异常恢复的方法
CN110745530A (zh) * 2018-07-24 2020-02-04 深圳市矽电半导体设备有限公司 一种物料传输自动线及其自动进出料方法
JP7113722B2 (ja) * 2018-11-05 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板収容容器の蓋を開閉する方法、及びプログラム
JP7221048B2 (ja) * 2018-12-28 2023-02-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
TW202137380A (zh) * 2019-12-13 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7470303B2 (ja) * 2020-05-25 2024-04-18 株式会社リコー 画像形成装置
WO2022102475A1 (ja) * 2020-11-16 2022-05-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124301A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Tokyo Electron Ltd 容器載置ユニット、容器収納装置、及び処理装置
CN1981372A (zh) * 2004-07-07 2007-06-13 东京毅力科创株式会社 基板回收方法以及基板处理装置
JP2008244072A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03257945A (ja) * 1990-03-08 1991-11-18 Toshiba Corp 半導体製造装置
JP4172553B2 (ja) * 1997-11-12 2008-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
DE19921072A1 (de) * 1999-05-08 2000-11-09 Acr Automation In Cleanroom Einrichtung zum Handhaben von Substraten innerhalb und außerhalb eines Reinstarbeitsraumes
CN100444313C (zh) * 2001-07-12 2008-12-17 东京毅力科创株式会社 一种涂敷显影处理装置
JP4298238B2 (ja) * 2002-08-27 2009-07-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP4087328B2 (ja) 2002-11-28 2008-05-21 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法
JP4357861B2 (ja) * 2003-04-07 2009-11-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005294460A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置
JP4356936B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4955977B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4464993B2 (ja) * 2007-06-29 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124301A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Tokyo Electron Ltd 容器載置ユニット、容器収納装置、及び処理装置
CN1981372A (zh) * 2004-07-07 2007-06-13 东京毅力科创株式会社 基板回收方法以及基板处理装置
JP2008244072A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

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