JPH03257945A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

Info

Publication number
JPH03257945A
JPH03257945A JP2054952A JP5495290A JPH03257945A JP H03257945 A JPH03257945 A JP H03257945A JP 2054952 A JP2054952 A JP 2054952A JP 5495290 A JP5495290 A JP 5495290A JP H03257945 A JPH03257945 A JP H03257945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
wafer
trouble
equipment
failure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2054952A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoichi Kodama
祥一 児玉
Kenichi Nakayama
健一 中山
Yoshinori Okawachi
義徳 大川内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2054952A priority Critical patent/JPH03257945A/ja
Publication of JPH03257945A publication Critical patent/JPH03257945A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体製造装置に関するものであり、とくに
、半導体基板(以下、ウェハという)の処理装置の故障
発生時の処理機構に使用されるものである。
(従来の技術) ICやLSI等の半導体装置は、SiやGeなど単体半
導体やGaAsなどの化合物半導体の基板の拡散層を種
々の回路素子として形成し、回路素子の電気導通のため
の配線層を形成し、シーリングを行うことによって形成
される。
半導体製造装置は、前記半導体装置を製造するためのも
のであり、設計工程、マスク作成工程、ウェハ製造工程
、ウェハ処理工程1岨立工程および検査工程等の各処理
装置を含んでいる。
設計工程は、論理設計、実装設計、検証などの過程を、
計算機等を使用して実行する工程、マスク作成工程は、
電子ビーム描画装置などを用いて、ウェハに配線パター
ンなどを形成するために用いるマスクを作成する工程、
ウェハ製造は、半導体単結晶から、ウェハを製造するま
での工程、ウェハ処理工程は、ウェハの表面を処理し、
回路素子や配線パターンを形成する工程、組立工程は、
ウェハをダイシングしてから素子をパッケージングする
までの工程、および検査工程は、完成した半導体装置の
性能を検査する工程をあられしている。
各工程は、それぞれ細分化された工程に分れており、各
工程はそれぞれ処理装置を備えている。たとえば、ウェ
ハ製造工程では、単結晶製造装置、研削装置、ラッパン
グ、ポリッシング装置、エツチング装置、熱処理装置、
検査装置およびその他の装置を備えており、ウェハ処理
工程では、薄膜形成装置、酸化装置、ドーピング装置、
アニール装置、レジスト処理装置、露光装置、エツチン
グ装置、洗浄装置などを備えており、また、組立工程で
は、ダイシング用装置、ボンディング用装置、パッケー
ジ装置、マーキング装置、検査評価用装置等を含んでい
る。
半導体装置を製造するには、上記のような各工程を順次
縁て行くものであるが、これを量産するためには、関連
するいくつかの処理装置を組み合せ、それらの間をウェ
ハなどの被処理物を搬送する搬送機構でつなぎ、それら
をまとめて−単位の半導体製造装置とする必要があり、
これによって、製造の高精度化をはかると共に製品歩留
りをあげている。
第4図は、半導体製造装置の平面配置図である。
図中、各枠は装置を表わし1円板は、ウエノ)laを示
している。処理装置は、図中各枠の適宜の位置を占め、
必要に応じて装置として使用しない場合もある。これら
のウェハlaは、たとえば、ベルトコンベアを利用して
各処理装置へ搬送される。各ウェハは、ウェハ払出し装
[[1,1から順次各処理装置へ矢印の方向1.9に送
り出され、各処理を終了してウェハ収納装置1.8に戻
る。最初の処理装置1.2には、たとえば、洗浄装置と
乾燥装置とが配置されており、三つ目は、ここでは、空
きになっているのでウェハが通るときは、単に通過する
だけである。各処理装置の適宜の間を置いてバッファ、
インタラプタ1.5.1.6が置かれている。この装置
は、次の処理装置に時間がかかり、ウェハ1aが溜って
きたときの待機に使われる。この装置1.5.1.6の
あとに、たとえば、レジスト塗布装置1.3およびベー
キング装置1.4が配置され、そのあと、バッファ、イ
ンタラプタ 1.5.1.6が配置されるが、ここに、
たとえば、露光装置(ステッパ)が置かれる場合もある
。そのときは、次の装置1.7は、現像装置、ベーキン
グ装置であり、三つ目を空きにして、最後のウェハ収納
装置1.8へと続く。このような半導体製造装置を他に
も用意して各工程の処理を行って半導体装置を完成させ
る。
この半導体処理装置では、ウェハ払出し装置1.1から
ウェハ収納装置1.8までウェハ1aが順次処理されて
いくのであるが、その途中で処理が行われない事故とか
過渡の処理が行われるなど故障が発生した時は、ブザー
、表示などにより故障発生をオペレータに告知し、オペ
レータの判断により処理の続行が不可能なときは、装置
を停止し、手作業により装置上のウェハを回収していた
(発明が解決しようとする課題) 前述したように、各処理装置中に故障が発生した場合、
その故障内容が継続不可能ならば、各処理装置はその時
点で停止しなければならないので、各処理装置上にある
ウェハは、手作業による回収が完了するまで待ちの状態
になっていた。したがって、その処理装置の中にたとえ
ば、ベーキング装置などの熱処理装置があると、熱処理
時間がオーバしたり、オペレータが手作業でウェハを回
収する際にウェハ落下などが原因になる破損があったり
、各処理装置から回収するための手間がかかるなどの問
題が多かった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、故
障発生時における各処理装置上でのウェハの待ち状態の
解消と手作業によるウェハ回収作業時に起きるミス作業
を低減した半導体製造装置を提供することを目的として
いる。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) ウェハを処理する複数の処理装置と、この処理装置にウ
ェハを搬送する搬送機構と、各処理装置と搬送機構とを
制御する制御装置とを具備する半導体製造装置に関する
ものであり、これら処理装置は、故障発生検知機構を有
し、また、この制御装置は、この故障発生検知機構によ
って検知された故障内容を解析し、故障時以降の処理の
続行をすべきか否かの行動を分類する機構を有すること
を特徴としている。
(作 用) 本発明は、上記のような構成を有しているので、故障内
容を解析、分類し、処理続行の可否を判別し、その故障
内容が処理続行不能と判別した場合は、各処理装置上の
ウェハを、それ以降の処理を行わず、搬送機構により、
所定の収納部へ回収する。その結果ウェハの回収時の破
損や処理装置上でのオーバータイムを防ぐことができる
(実施例) 以下、本発明の一実施例を、第1図〜第3図を参照して
説明する。
第1図は、本発明による、故障に対する対応方法を示し
たフローチャートである。第2図は1本発明の実施例に
おける半導体製造装置の平面配置図である。ウェハ払出
し装w2.1からウェハ2.6を各処理装置2.2.2
.3..2.4.2.5へ順次矢印2.7の方向へ送り
出す。処理装置は、1例として、ウェハ払出し装置2.
1から順に処理装置が洗浄装置2.2、ベーキング装置
2.3、レジスト塗布装置2.4およびウェハ収納装@
2.5と配置されている。ウェハ2.6は、処理袋@2
.2.2.3.2.4を経て収納装置2.5に収納され
る。ここで、ウェハ2.6が順次搬送され、ベーキング
族@2.3で故障が発生したとする。各処理装置には、
それぞれ故障発生検知機構を備えているので、この処理
装置2.3でもこの検知機構、たとえば温度センサなど
で故障発生を検知している。第1図のフローチャートに
従えば、まず、トラブル発生を検知機構で検知する(1
)。故障内容を解析し、処理を続行の可否をコンピュー
タなどで分類する機構により行動を判断する■。処理続
行が可であると判断(YES)の場合は、トラブル回避
■を行ってそのまま処理を続行する。処理続行が不可能
と判断された場合(No)は、ウェハ回避動作を開始す
る■、即ち、処理装置をパス状態にする。各処理装置の
パス動作を開始する。■パスしたウェハを収納装置の回
収を開始する。(4)最後に、回収を終え、トラブル処
理を終了する。
以上のように、トラブルの回避がすぐできるものは、そ
のまま処理を続行し、処理が続行不可能なものは、処理
パスしてウェハを収納できるように、状況に応じて適切
に対応できる。
第3図は、この実施例の変形例であって、各処理装置の
脇に、ウェハの移動方向(3,3)に沿って移動するロ
ボットハンドリング(ウェハ受取り部)3.1を配置す
る。このため、処理装置をとくにパス状態にしなくいも
、トラブルを起こしたウェハをロボットハンドリング3
.1で把持し、収納装置2.5へ直接運ぶことができる
この半導体製造装置は、他の違った種類の処理装置も当
然備えることもできるし、他の工程たとえば前述した組
立工程(たとえば、マウント工程→ボンディング工程→
シーリング工程など)にも適用することが可能である。
〔発明の効果〕
以上、詳述したように、本発明によれば、故障が発生し
、継続不可能と判断されても、それ以降の処理を中止さ
せ各処理装置上にあるウェハを収納装置に回収させるだ
けで各処理装置上での待ち状態や手作業による回収時の
ウェハ破損ミスをなくし、きわめて容易にウェハの回収
を行なうことができるなど顕著な効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明の故障発生に対する対応方法のフロー
チャート、第2図は、本発明のウェハ処理装置が複数個
配設された平面配置図、第3図は、本発明のロボットハ
ンドリングを使ったウェハ処理装置の平面図、第4図は
、従来例の処理装置の説明図である。 1.1・・・ウェハ払出し装置、 1.2.1.3.1.4.1.7・・・ウェハ処理装置
。 1.5.1.6・・・バッファ、インタラプタ、1.8
・・・ウェハ収納装置、   la・・ウェハ、2.1
・・・ウェハ払出し装置、 2.2〜2.4・・ウェハ
処理装置、2.5・・・ウェハ収納装置、  2.6・
・・ウェハ、2.7・・・ウェハ処理方向、  3.1
・・・ウェハ受取り部、3.2・・・ウェハ搬送装置、
3.3・・・搬送装置移動方向。 (8733)  代理人 弁理士 猪 股 祥 晃(ば
か1名)第 1 図 第 図 3.3 第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板を処理する複数個の処理装置と、前記各処理
    装置に前記半導体基板を搬送する搬送機構と、前記各処
    理装置と前記搬送機構とを制御する制御装置を具備する
    半導体製造装置において、前記処理装置は、故障発生検
    知機構を有し、前記制御装置は、前記故障発生検知機構
    によって検知された故障内容を解析し、故障以降の処理
    の続行をすべきか否かの行動を分類する機構を備えるこ
    とを特徴とする半導体製造装置。
JP2054952A 1990-03-08 1990-03-08 半導体製造装置 Pending JPH03257945A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2054952A JPH03257945A (ja) 1990-03-08 1990-03-08 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2054952A JPH03257945A (ja) 1990-03-08 1990-03-08 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03257945A true JPH03257945A (ja) 1991-11-18

Family

ID=12985007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2054952A Pending JPH03257945A (ja) 1990-03-08 1990-03-08 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03257945A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145246A (ja) * 1997-11-14 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6714832B1 (en) 1996-09-11 2004-03-30 Hitachi, Ltd. Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
WO2006006364A1 (ja) * 2004-07-07 2006-01-19 Tokyo Electron Limited 基板の回収方法及び基板処理装置
JP2010171276A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置
JP2011091415A (ja) * 2010-12-02 2011-05-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板検出方法及び半導体製造装置に於ける基板検出方法及び半導体製造装置及び半導体製造装置に於ける基板回収方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714832B1 (en) 1996-09-11 2004-03-30 Hitachi, Ltd. Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
US6853872B2 (en) 1996-09-11 2005-02-08 Hitachi, Ltd. Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
US6885906B2 (en) 1996-09-11 2005-04-26 Hitachi, Ltd. Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
US6941185B2 (en) 1996-09-11 2005-09-06 Hitachi, Ltd. Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system
JPH11145246A (ja) * 1997-11-14 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2006006364A1 (ja) * 2004-07-07 2006-01-19 Tokyo Electron Limited 基板の回収方法及び基板処理装置
US7840299B2 (en) 2004-07-07 2010-11-23 Tokyo Electron Limited Substrate collection method and substrate treatment apparatus
JP2010171276A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置
JP2011091415A (ja) * 2010-12-02 2011-05-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板検出方法及び半導体製造装置に於ける基板検出方法及び半導体製造装置及び半導体製造装置に於ける基板回収方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7778721B2 (en) Small lot size lithography bays
JP3218425B2 (ja) 処理方法及び処理装置
EP0898300B1 (en) Method for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection
US9972522B2 (en) Processing apparatus and device manufacturing method
JP5566265B2 (ja) 基板処理装置、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板の搬送方法
JP2006269867A (ja) 露光装置
JP2007281073A (ja) 基板搬送装置
US8941809B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US5972727A (en) Reticle sorter
KR101300329B1 (ko) 기판의 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
JP4298238B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP2009088304A (ja) 半導体装置の製造方法
US6156580A (en) Semiconductor wafer analysis system and method
JPH03257945A (ja) 半導体製造装置
JP5183861B2 (ja) 小ロットサイズ基板キャリアを使用する方法および半導体デバイス製造施設
JP2010147361A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6320402B1 (en) Parallel inspection of semiconductor wafers by a plurality of different inspection stations to maximize throughput
JP4026904B2 (ja) 基板搬送装置および露光装置
JPH07130638A (ja) 半導体製造装置
JP2015079072A (ja) 基板割れ処理システムを搭載した露光装置
JP3726975B2 (ja) 半導体製品の製造方法
JPH06263219A (ja) 搬送装置
JP3468398B2 (ja) 基板処理装置およびデバイス製造方法
JPH02170520A (ja) 塗布現像装置
JPH09260261A (ja) リソグラフィー装置