CN101654378B

CN101654378B - 瓷质釉中花抛釉砖及其生产方法

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Publication number: CN101654378B
Application number: CN 200810117980
Authority: CN
Inventors: 郑水泉
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2008-08-19
Filing date: 2008-08-19
Publication date: 2013-04-10
Anticipated expiration: 2028-08-19
Also published as: CN101654378A

Abstract

本发明公开了瓷质釉中花抛釉砖及其生产方法，所述的瓷质釉中花抛釉砖是在瓷质砖釉中进行印花、色彩、图案的装饰，然后经高温1220-1260℃烧成后，再采用软质表面抛光工艺制备而成。具体的生产方法为：组合坯体配方、压制成型、干燥、在干燥后的坯体表面淋上底釉、在底釉上使用花釉进行印花、在印花的坯体表面淋上面釉、将淋有面釉的坯体在温度为1220-1260℃下烧制50-60分钟、最后将烧制好的坯体进行磨边、抛光后即得到瓷质釉中花抛釉砖。本发明的瓷质釉中花抛釉砖，具有耐磨、不吸污、质感好、光泽度和透明度高、装饰效果好、装饰品种多的优点。

Description

瓷质釉中花抛釉砖及其生产方法

技术领域

本发明属于陶瓷制品领域，公开了一种瓷质釉中花抛釉砖及其生产方法。

背景技术

随着国内外建陶行业的迅速发展，能源的日趋短缺，国家也逐渐提倡和规定了节能降耗，绿色环保。这给建筑陶瓷企业无疑提高了门槛，使其面临潜在的生存危机。近几年来，花色品种越来越多，新产品，新工艺不断涌现，人们的欣赏水平和要求也越来越高，提高产品档次已成为陶瓷生产者迫切追求的一个目标，开发低成本，高品位的陶瓷产品已日益得到各厂家的重视，目前陶瓷的渗花工艺受渗花离子的着色的原因，花色品种单调；聚晶微粉工艺受布料系统的影响，花色品种受到很大影响；微晶石又不耐磨。瓷质釉中花工艺吸收了三种工艺的优点，避免了弱点，将成为建筑陶瓷的一种新工艺

发明内容

本发明的目的是针对上述现有技术的缺陷，提供了一种耐磨、不吸污、质感好、光泽度和透明度高、装饰效果好、装饰品种多的瓷质釉中花抛釉砖。

本发明的另一个目的是提供一种瓷质釉中花抛釉砖的生产方法。

为了实现上述目的本发明采取的技术方案是：一种瓷质釉中花抛釉砖，所述的瓷质釉中花抛釉砖是在瓷质砖釉中进行印花、色彩、图案的装饰，然后经高温1220-1260℃烧成后，再采用软质表面抛光工艺制备而成。

本发明的另一个技术方案提供了一种瓷质釉中花抛釉砖生产方法，包括以下步骤：

(1)组合坯体配方，制备600×600mm规格的砖；

(2)将组合好的坯体配方放入压制机在295-305MPa的压力下压制成型；

(3)将压制成型的坯体在180-200℃下干燥50-70分钟；

(4)在干燥后的坯体表面淋上底釉，600×600mm规格的砖底釉的用量为58-68g/30×45cm托盘；

(5)在底釉上使用花釉进行印花，花釉用量为25-40g；

(6)在印花的坯体表面淋上面釉，面釉的用量为183-187g/30×45cm托盘；

(7)将淋有面釉的坯体在温度为1220-1260℃下烧制50-60分钟；

(8)最后将烧制好的坯体进行磨边、抛光后即得到瓷质釉中花抛釉砖。

所述的底釉的配方包括以下重量百分含量的原料：钠长石11-15％，石英30-35％，烧滑石18-25％，烧高岭土8-12％，气刀土9-13％，硅酸锆5-8％。

所述的底釉的密度为1.76-1.80g/ml、细度为0.3-0.5％。

所述的面釉的配方包括以下重量百分含量的原料：钙长石7-10％，铅晶石9-12％，硼钙石10-13％，钾长石13-16％，石英22-25％，方解石10-13％，气刀土5-7％，烧高岭土3-5％，氧化锌6-8％，碳酸钡4-6％，烧滑石6-8％。

所述的面釉的密度为1.81-1.85g/ml、细度为5-8％。

所述的花釉的配方包括以下重量百分含量的原料：印刷粉20-30％，胶辊专用印80-100％，色料8-25％。

所述的印花采用辊筒印花工艺。

本发明的有益效果是：

1.本发明所有的装饰工艺都是在釉中完成的，釉料的使用与普通的上釉砖不同，由全生料组成，其抛光后光泽度比瓷质抛光砖及釉面砖更高，可达105度左右。因此产品外观光泽高，透明度强。

2.烧成后成品经软抛光机抛光，由于该釉为全生料透明釉，其莫氏硬度超过微晶玻璃复合板及全透聚晶微粉等抛光砖的莫氏硬度，生产的产品耐磨性好。

3.釉中花抛釉砖因施底釉，压制了坯体气孔的排出，减少了釉面气孔率。同微晶复合板和抛光砖相比表面气孔要少很多。所以防污性能更优越，也不需进行防污保养。

4.釉中花抛釉砖由于采用辊筒印花，所以它改变了抛光砖微粉或渗花的局限，由于高光透明釉的衬托作用使得辊筒印花技术完全可以复制任何一款仿石纹、仿洞石、仿真图案，然后通过釉中花抛釉砖百分百逼真的还原出来。

5.由于瓷质釉中花抛釉砖在1220-1260℃烧结形成，坯体和釉料结合性很好，即坯体的膨胀系数略大于釉料的膨胀系数，烧结产品略凸0.20-0.40mm，对产品抛光极为有利，要实现这一目标，通过底釉膨胀系数与坯体的SiO₂、Al₂O₃含量来调节砖型。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为对本发明的限定。

一种瓷质釉中花抛釉砖生产方法，包括以下步骤：

1.组合坯体配方；

1.1、坯体的大致化学成分以重量百分含量计为：SiO₂：69-72％，Al₂O₃：18-20％，k₂O+Na₂O：6-7.5％，CaO+MgO≤2.9％，Fe₂O₃+TiO₂<1％，烧失量需<4％，其材料中的挥发分配方为：坭料26-33％，砂类25-30％，石粉35-40％，滑石2-3％。

选用的坯体配方：黑泥15％白泥12％，高温沙10％，中温沙11％，低温沙16％，钾石粉17％钠石粉16％，生滑石3％，以600×600mm规格为例为7.6kg。

1.2、浆料和粉料工艺参数控制基本同抛光砖一致。

2.将组合好的坯体配方放入压制机压制成型；

2.1、压制机压力：300±5MPa

2.2、粉料工艺参数基本同抛光砖一致；

2.3、模具收缩：9-10％，吸水率≤0.5％。

3.将压制成型的坯体在180-200℃下干燥60分钟；

4.在干燥后的坯体表面淋上底釉，底釉的用量为60g/30×45cm托盘；

底釉配方的重量百分含量组合为：钠长石13％，石英35％，烧滑石23％，烧高岭土11％，气刀土12％，硅酸锆6％；底釉的密度为1.76-1.80g/ml、细度为0.3-0.5％。

5.在底釉上使用花釉进行辊筒印花；花釉配方的重量百分含量组合为：印刷粉25％、胶辊专用印油(印膏)90％，色料10％，花釉的用量为30g。花釉密度为：1.35g/ml。流速18-24秒，细度325目筛全过无残渣。

6.在印花的坯体表面淋上面釉，面釉的用量为185g/30×45cm托盘；

面釉配方的重量百分含量组合为：钙长石8％，硼钙石9％，铅晶石12％，钾长石13％，石英22％，方解石10％，气刀土6％，烧高岭土3％，氧化锌6％，碳酸钡4％，烧滑石7％；所述的面釉的密度为1.81-1.85g/ml、细度为5-8％。

上述的底釉配方和面釉的配方中的原料选自以下的组成：

釉料的化学成分：SiO₂(59-62％)，Al₂O₃(10-12％)，k₂O+Na₂O(7.5-8.5％)，CaO(4.5-6％)，MgO(0.5-1.0％)，ZnO(5-7％)，BaO+PbO(2-4％)，B₂O₃(1-2％)，F<0.5％，IL(3-4％)。

釉用化工原料的化学成分：见附表

釉浆性能及各工艺参数(以600×600mm规格为例)

在试验或制作生产前坯体干燥生坯强度需大于或等于1.5MPa

7.将淋有面釉的坯体在180-200℃下干燥多长时间20分钟，然后在温度为1260℃下烧制60分钟；采用氧化气氛烧成，烧成曲线须把700-950℃拉长一个区，让其充分排气，使其釉面达到理想效果。

8.最后将烧制好的坯体进行磨边、抛光后即得到瓷质釉中花抛釉砖。

抛光工艺流程：

(1)采用软质表面抛光工艺，其流程为：粗抛一精抛—超精抛，通过三台机来实现。

(2)所有磨块使用绿硅磨块，粗抛需使用100目，120目，160目，200目，400目，精抛需使用600目，800目，1000目，1200目，超精抛需使用1500目，2000目，3000目，才能使其抛光产品光泽达到100度至105度，虽通过抛光，整个过程基本无渣，仅冷却水有些发粘而已。

本发明的瓷质釉中花抛釉砖釉料是一种高温、硬质生料釉，烧后具有高透明、高光泽、高耐磨、气孔率低、防污好的特性，瓷质釉中花抛釉砖最大特征：耐磨性高达莫氏硬度6.2以上，瓷质釉中花抛釉砖高光泽生料釉光泽度105度以上，瓷质釉中花抛釉砖透明度达到玻璃透明效果。

以上所述的实施例，只是本发明较优选的具体实施方式的一种，本领域的技术人员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本发明的保护范围内。

Claims

1.一种瓷质釉中花抛釉砖生产方法，包括以下步骤：

(1)组合坯体配方，制备600×600mm规格的砖；

(3)将压制成型的坯体在180-200℃下干燥50-70分钟；

(4)在干燥后的坯体表面淋上底釉，底釉的用量为58-68g/30×45cm托盘；

(5)在底釉上使用花釉进行印花；所述的印花采用辊筒印花工艺；

(7)将淋有面釉的坯体在温度为1220-1260℃下烧制50-60分钟；

(8)最后将烧制好的坯体进行磨边、抛光后即得到瓷质釉中花抛釉砖；

所述的底釉的配方包括以下重量百分含量的原料：钠长石11-15％，石英30-35％，烧滑石18-25％，烧高岭土8-12％，气刀土9-13％，硅酸锆5-8％；

所述的底釉的密度为1.76-1.80g/ml、细度为0.3-0.5％；

所述的面釉的配方包括以下重量百分含量的原料：钙长石7-10％，铅晶石9-12％，硼钙石10-13％，钾长石13-16％，石英22-25％，方解石10-13％，气刀土5-7％，烧高岭土3-5％，氧化锌6-8％，碳酸钡4-6％，烧滑石6-8％；

所述的面釉的密度为1.81-1.85g/ml、细度为5-8％。