CN107586097B - 一种半抛结晶釉仿古砖及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种半抛结晶釉仿古砖及其制备方法。半抛结晶釉仿古砖包括：坯体；覆于坯体上的具有第一道图案的面釉层；形成于砖坯整个表面的点釉层；具有与所述第一道图案配合的第二道图案的结晶釉层，所述结晶釉层由下而上包括结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层；以及图案层，所述图案层形成于所述面釉层和点釉层之间；或所述图案层形成于所述面釉层和点釉层之间、以及结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层之间。

Description

一种半抛结晶釉仿古砖及其制备方法

技术领域

本发明涉及建筑陶瓷仿古砖釉面装饰技术领域，特别是涉及一种半抛结晶釉仿古砖以及该半抛结晶釉仿古砖装饰面采用低温快烧制造方法。

背景技术

目前陶瓷市场上呈现出需求高档化、艺术化、个性化产品等特点，具有高品味的装饰材料成为消费的主流。而结晶釉作为一种名贵独特的装饰性较好的艺术釉，一直应用于艺术陶瓷领域，而鲜少用于建筑陶瓷领域。

目前市场上的仿古砖通常采用丝网、辊筒或者喷墨打印机将普通着色花釉或墨水印制在面釉和特殊效果釉层中间，虽然颜色丰富多姿，但缺乏立体悬浮感。常规半抛釉仿古砖示意图如图1所示。参见图1，常规半抛釉仿古砖由下而上包括坯体1、面釉2、图案层3和点釉4。

专利文献1(专利申请号：201310426301.6)公开了一种带有冰裂状的抛晶砖及其制造方法，包括陶瓷砖坯，色釉层、冰裂层和透明熔块层，从上到下依次为透明熔块层、冰裂层、色釉层和陶瓷砖坯，其中冰裂层为以结晶釉为主的冰花水晶。该抛晶砖虽然用到了结晶釉，但此专利不能应用于低温快烧半抛仿古砖中。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是提供一种利用结晶釉的多变晶花效果的半抛瓷质仿古砖及其制造方法。

本发明一形态的半抛结晶釉仿古砖包括：

坯体；

覆于坯体上的具有第一道图案的面釉层；

具有与所述第一道图案配合的第二道图案的结晶釉层，所述结晶釉层由下而上包括结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层；以及

图案层，所述图案层形成于所述面釉层和点釉层之间；或所述图案层形成于所述面釉层和点釉层之间、以及结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层之间；

形成于砖坯整个表面的点釉层。

上述半抛结晶釉仿古砖，利用结晶釉呈现星状、网状、冰花状、花簇状等自然变幻特点将其应用在点釉层下面，形成晶花美观颜色丰富多彩的效果；而且，结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层填充于面釉层的规定图形的空白处，即结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层整体与面釉层互补互配，具有更强的立体悬浮感；结晶釉底釉层和保护釉层结合形成不同类型的晶花，加以配合传统半抛仿古砖，搭配起来可以使产品图案具有层次丰富、逼真、立体感强的3D晶花效果；在结晶釉上面形成保护釉既促进生产中晶花成形的稳定，又可以在后期结晶釉仿古砖半抛中以及使用中保护晶花不被破坏。

较佳地，所述图案层是通过喷墨打印技术打印在面釉层上的喷墨图案层。喷墨图案层具有精细丰富的图案，与结晶釉形成的晶花相互搭配，形成更加美轮美奂立体的3D效果。

较佳地，所述面釉层是通过具有第一道图案的第一丝网印刷而形成；所述结晶釉层是通过具有与所述第一道图案配合的第二道图案的第二丝网印刷而形成。此外所述面釉层的厚度优选为0.6～1.0毫米。

较佳地，所述面釉层和图案层的总厚度与所述结晶底釉层和所述结晶保护釉层的总厚度相近(两釉层厚度相差≤0.02mm)，使后面甩点机经过甩点后，整个釉面层平整美观，利于后面半抛过程。由此，所述结晶底釉层能够得到更好的保护。

本发明一形态的半抛结晶釉仿古砖的制备方法包括以下步骤：

(1)利用可形成第一道图案的第一丝网在坯体上印刷面釉花釉以形成具有第一道图案的面釉层；

(2)在面釉层上形成图案层；

(3)利用可形成与所述第一道图案配合的第二道图案的第二丝网在步骤(2)所得砖坯上依次印刷结晶釉底釉和结晶釉保护釉，以形成具有第二道图案的结晶釉层；

(4)在步骤(3)所得砖坯上施加点釉，烧成、抛光，得到所述半抛结晶釉仿古砖。

根据上述制备方法，通过利用丝网的正反不同图案将结晶釉和普通釉分别印刷在坯体上，经施加点釉烧成后形成一款晶花美观颜色丰富多彩的新型结晶釉仿古砖；结晶釉底釉和结晶釉保护釉在烧成中结合形成不同类型的晶花(例如星状、网状、冰花状、花簇状等)，加以配合传统半抛仿古砖，搭配起来可以使产品图案具有层次丰富、逼真、立体感强的3D晶花效果；结晶釉晶花主要在釉层中长成，所以半抛对晶花没有影响，而结晶釉的底釉和保护釉均与普通半抛砖的面釉分开印刷到坯体上，互不影响；在结晶釉上面形成保护釉既促进生产中晶花成形的稳定，又可以在后期结晶釉仿古砖半抛中以及使用中保护晶花不被破坏。

较佳地，步骤(2)中，在面釉层上形成图案层的方式为丝网印刷、辊筒印刷或者喷墨打印，优选为喷墨打印。

较佳地，步骤(3)中，结晶釉底釉的配方如下：熔块30～40wt％、硅灰石3～8wt％、氧化锌5～8wt％、钛白粉25～30wt％、烧滑石3～8wt％、石英粉10～20wt％。

较佳地，所述半抛结晶釉仿古砖中结晶釉底釉的化学成分组成为：SiO₂ 56～63wt％、Al₂O₃ 16～19wt％、Fe₂O₃ 0.1～0.2wt％、CaO 4.5～6wt％、MgO 0.1～0.2wt％、K₂O2～3wt％、Na₂O 1～2wt％、BaO 3～4wt％、烧失量1～3wt％、TiO₂ 7～9wt％、ZnO 4～7wt％。

较佳地，步骤(3)中，结晶釉保护釉的配方如下：熔块50～60wt％、硅灰石3～8wt％、氧化锌8～12wt％、钛白粉20～25wt％、烧滑石3～8wt％。

较佳地，所述半抛结晶釉仿古砖中结晶釉保护釉的化学成分组成为：SiO₂ 52～54wt％、Al₂O₃ 12～15wt％、Fe₂O₃ 0.1～0.2wt％、TiO₂ 5～7wt％、CaO 3～5wt％、MgO 1～3wt％、K₂O 1～3wt％、Na₂O 3～5wt％、ZnO 6～8wt％、烧失量2～3wt％。

较佳地，烧成温度为1200～1210℃，烧成周期为55～60分钟。该烧成制度为低温快烧，更加节省能源，环境友好。

较佳地，经过烧成后点釉的厚度在0.4～0.8毫米，抛光的厚度优选为0.05～0.15毫米。

附图说明

图1为一种常规半抛釉仿古砖抛光后的截面示意图；

图2为本发明的结晶釉仿古砖抛光后的截面示意图；

图3为本发明的一个示例中所选丝网的图案展示；

图4为本发明的一个示例的工艺流程图；

图5为本发明的成品砖展示图；

图6为图5的局部放大图；

图7为半抛和全抛的示意图区别。

具体实施方式

以下结合附图和下述实施方式进一步说明本发明，应理解，附图及下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。以下各配方中，如无特别说明，各成分的含量均指重量百分比。

本发明提供了一种新型结晶釉仿古砖。可以对砖面进行抛光，“半抛”或“全抛”。“半抛”是指局部抛光，施点釉顾名思义就是在釉面上甩成均匀分布的点状，而半抛就是将点釉的尖部稍稍抛掉一小部分，一个个小点点上层形成一个局部平面层，“全抛”是指将整个釉面平整抛去一层，形成镜面层，半抛和全抛示意图如图7所示，其中上图示出半抛，下图示出全抛。图2示出本发明一个示例的半抛结晶釉仿古砖抛光后的截面示意图，如图2所示，所述半抛结晶釉仿古砖包括：坯体11；覆于坯体11上的具有规定图案的面釉层12；形成于面釉层上的图案层13(和/或图案层13位于下述结晶釉底釉层14和结晶釉保护釉层15之间)；包括结晶釉底釉层14和结晶釉保护釉层15的具有规定图案的结晶釉层；以及覆于最表面的点釉层16。结晶釉底釉层14填充于下面，而结晶釉保护釉层15填充于结晶釉底釉层14之上。

坯体11的厚度可为10.0～11.0mm。其组成可为常规仿古砖坯体组成。

“具有规定图案的面釉层”是指面釉层具有预先设计的第一道图案。“具有规定图案的结晶釉层”是指该结晶釉层具有预先设计的第二道图案。而且该第一道图案与第二道图案相互配合。常规的仿古砖面釉层通常不需要预先设计图像均匀施于坯体整个表面以能够对坯体进行遮瑕、不会影响后续施加于面釉层的图案层色彩和图案的呈现即可。本发明提供的仿古砖面釉层需要根据结晶釉层图案预先经过设计，以便与结晶釉层的图案形成配合。该“第一道图案与第二道图案相互配合”指的是面釉和结晶釉的施釉位不同、并形成互补。理想的是在施点釉之前的面釉和结晶釉的釉面处于一个厚度。如果不考虑面釉层的图案将面釉也均匀施于坯体整个表面，再在面釉层上施加预定图案的结晶釉层，而后再釉加点釉，那么点釉层需要增加厚度这样后续抛光时才不会破坏结晶釉层的图案。点釉层过厚对图案层的图案色彩呈现会有影响，对整个砖坯效果也有影响。面釉层12的厚度可为0.6～1.0mm。

图案层13可以是通过喷墨打印技术打印在面釉层上的喷墨图案层。其可以渗透入面釉层中。图案层13色釉料(墨水成分)中着色颜料量比不是很多(着色颜料：总重量≤2％)可以不用避开结晶釉层的施釉位置，反之(即着色颜料量比例较大时)，最好是避开结晶釉团位置，因为着色颜料中的金属元素会改变结晶釉的晶花颜色和结晶体。

本发明提供的结晶釉仿古砖利用结晶釉层呈现星状、网状、冰花状、花簇状等自然变幻的晶花效果。呈现晶花效果的主要在于结晶釉底釉层14。晶花形状例如为星状、网状、冰花状、花簇状等。该晶花还可以具有不同的颜色。一个示例中，结晶釉底釉层为硅酸锌-硅酸钛结晶釉。结晶釉底釉层14的厚度可为0.4～0.6mm。结晶釉保护釉层15用以促进结晶釉底釉层14的晶花的稳定性，并可保护结晶釉底釉层14，使其晶花不被破坏。结晶釉底釉和保护釉相接处形成晶花。结晶釉保护釉层15的厚度可为0.4～0.6mm。结晶釉底釉层14和结晶釉保护釉层15的总厚度与面釉层12和图案层13的总厚度可相等。

点釉层16位于最表面，可使半抛结晶釉仿古砖具有优异的耐磨性。“点釉”是指在原普通仿古砖基础上开发的一种新型装饰材料，点釉顾名思义就是以点状形式均匀施在釉面上，经过半抛加工使得仿古砖美观大方，同时又能更好的保护图案和结晶釉层。点釉层16的厚度无特别限定，在不影响抛光以及成品砖图案、花色的呈现的情况下可以选择合适的厚度，例如为0.6～1.0mm。

图5为本发明的成品砖展示图。可以看出，本发明的半抛结晶釉仿古砖中，喷墨图案与结晶釉的晶花配合形成一种美轮美奂立体的3D效果。

以下，作为示例，说明本发明的结晶釉仿古砖的制造方法。图4示出本发明一个示例的半抛结晶釉仿古砖的生产工艺流程图。

首先，制备坯体。坯体的制备可以采用公知的工艺。在图4所示的示例中，经原料采集、破碎、铲车配料、湿法球磨、过筛除铁、喷雾制粉、陈腐、成型、干燥等步骤得到坯体。坯体原料可采用常规仿古砖所用原料。优选地，根据釉料特殊工艺的需要，为平衡好砖的变形度，在原有配方的基础上适量提高了氧化铝的含量，例如使氧化铝的含量从19～20wt％提高至20～23wt％，使坯体抵抗高温变形的能力增强。同时降低了坯体膨胀系数，拉近了坯体及釉料的膨胀系数差异性，提高了坯釉适应性，便于窑炉烧成砖形的控制。

一个示例中，坯体中主要使用的原料为庆钾砂、精选钠石粉、水磨石粉、力鸿钾砂、南峰低温砂、邦砂、球土、东基泥、黑滑石等多种泥砂料的复合。坯体配方可以为(重量份)：庆钾砂8～10wt％、精选钠石粉8～10wt％、水磨石粉9～10wt％、力鸿钾砂6～7wt％、南峰低温砂6～8wt％、邦砂28～30wt％、球土18～20wt％、东基泥6～7wt％、黑滑石2wt％。

坯体化学成分分析可为：SiO₂ 66.0～68.0wt％、Al₂O₃ 20～23wt％、Fe₂O₃ 0～1.2wt％、TiO₂ 0～0.3wt％、CaO 0.1～0.5wt％、MgO 0.8～1.0wt％、K₂O 2.0～3.5wt％、Na₂O2.0～3.5wt％、烧失量0～5.0wt％。

一个示例中，坯体制作过程的工艺参数可以是：

制粉工艺：泥浆比重：1.69～1.71

球磨细度：0.8～1.0％(250目筛余)

颗粒级配：30目上：5～20％

30～60目：≥64％

60～80目：≤12％

80目下：≤6％

粉料水分：7.0～7.5％

成型工艺：压机机型：PH3000

成型压力：360bar

压制周期：5.4次/min(600×600mm规格)

干燥工艺：干燥温度：140℃

干燥时间：60min

干燥坯体水分：≤0.5％。

然后，在坯体上施面釉花釉以形成面釉层。

关于面釉的配方，为了能够适应坯料的烧成制度和提高坯釉的结合性，优选瓷质仿古砖专用高温哑光面釉，并可适量添加一些辅助原料，如煅烧高岭土可适当提高面釉的烧成温度。通过对比釉面效果、防污性能、砖的变形情况，优选面釉花釉基础配方(重量份)：面釉成釉(面釉粉)30～40wt％、印油60～70wt％。印油可以是本领域常用的用于制备花釉的印油。面釉成釉的化学成分分析可为SiO₂ 43～47wt％、Al₂O₃ 16～17wt％、Fe₂O₃ 0.1～0.2wt％、CaO 8.5～12wt％、MgO 2.3～3.8wt％、K₂O 4.2～5.5wt％、Na₂O 3～5wt％、BaO 5～7wt％、烧失量3.5～4.5wt％。一个示例中，面釉成釉为购自西班牙博耐德公司的W7865成釉。关于面釉花釉的制备，可以是先将其粉料按配方经快速搅拌机和印油搅拌均匀。花釉面釉的流速可控制在80～120秒。花釉的流速测量步骤是将流速杯装满花釉，打开流速杯下面小孔，花釉从开始到流尽后的时间统计，将其记为花釉的流速依据进行判断。

施面釉花釉的方式可为丝网印刷。所用的丝网(第一丝网)具有第一道图案，以形成具有规定图案的面釉层。图3中的左图示出具有第一道图案的丝网的示意图。丝网可选择80目3+2厚度。“3+2厚度”是指在丝网正面刮胶两次背面刮胶三次，此目的是为了增加印花釉料的厚度。印刷次数可为2～3次。由于砖坯为热砖坯，因此无需干燥，即可形成面釉层。

然后，在面釉层上打印图案以形成图案层。打印方式可为数字喷墨打印。关于图案层的设计，本发明中，可以将准备好的设计图案利用喷墨机打印在表面，与结晶釉的晶花配合形成一种美轮美奂立体的3D效果。常用的墨水颜色有粉红、红棕、桔黄、浅黄、青色、黑色等。具体颜色可根据需要形成的图案来选择。

再用第二道图案的丝网(第二丝网)在反空位上印刷结晶釉底釉，以形成结晶釉底釉层。丝网可选择80目3+2厚度。可印刷2～3层。“反空位”是指面釉层的图案所余留的空位。图3中的右图示出具有第二道图案的丝网的示意图。第二道图案与上述第一道图案为正反两套丝网图案。关于丝网图案设计，可来源于生活中图画，如大写的“福”、花纹、龙凤图案等等，将其制成要求用的丝网。

再用第二道图案的丝网(第二丝网)在结晶釉底釉层上印刷结晶釉保护釉。丝网可选择80目3+2厚度。可印刷2～3层。应注意与结晶釉底釉的图案对好位置，不要走位。

本发明一实施方式中，结晶釉可为低温快烧辊道窑形成硅酸锌-硅酸钛结晶釉。一个示例中，低温快烧是指烧成温度为1200～1210℃，例如1200℃，烧成周期为55～60分钟，例如55分钟。结晶釉所选原材料有钛白粉、氧化锌、石英粉、硅灰石、烧滑石、熔块等。本发明使用的结晶釉配方完全区别于艺术陶瓷的结晶釉配方，是适合在陶瓷企业批量生产的结晶釉底釉配方和结晶釉保护釉配方。

结晶釉底釉可以是包括结晶釉底釉粉和印油的花釉。花釉制成的配比如下：印油60～70wt％，结晶釉底釉粉30～40wt％。一个示例中，结晶釉底釉粉配方如下：熔块30～40wt％、硅灰石3～8wt％、氧化锌5～8wt％、钛白粉25～30wt％、烧滑石3～8wt％、石英粉10～20wt％。该配方适用于辊道窑中低温快烧。一个示例中，结晶釉底釉的化学成分分析为：SiO₂ 56～63wt％、Al₂O₃ 16～19wt％、Fe₂O₃ 0.1～0.2wt％、CaO 4.5～6wt％、MgO 0.1～0.2wt％、K₂O 2～3wt％、Na₂O 1～2wt％、BaO 3～4wt％、烧失量1～3wt％、TiO₂ 7～9wt％、ZnO 4～7wt％。

结晶釉保护釉可以是包括结晶釉保护釉粉和印油的花釉。花釉制成的配比如下：印油60～70wt％，结晶釉保护釉粉30～40wt％。一个示例中，结晶保护釉粉配方如下：熔块50～60wt％、硅灰石3～8wt％、氧化锌8～12wt％、钛白粉20～25wt％、烧滑石3～8wt％。该配方适用于辊道窑中低温快烧。一个示例中，结晶保护釉的化学成分分析为：SiO₂ 52～54wt％、Al₂O₃ 12～15wt％、Fe₂O₃ 0.1～0.2wt％、TiO₂ 5～7wt％、CaO 3～5wt％、MgO 1～3wt％、K₂O 1～3wt％、Na₂O 3～5wt％、ZnO 6～8wt％、烧失量2～3wt％。

在结晶釉上面印刷保护釉既促进生产中晶花成形的稳定(利用底釉和保护釉接触面在烧成中发生化学反应产生晶花)，又可以在后期结晶釉仿古砖半抛中保护晶花不被破坏。结晶釉晶花主要在釉层中长成，所以后续的半抛对晶花没有影响，而结晶釉的底釉和保护釉均与普通半抛砖的面釉分开印刷到坯体上，互不影响。

然后，在砖坯表面上施点釉(亦称半抛点釉、半抛釉)，例如用甩釉机甩点釉。点釉的配方可为：按重量份计，点釉75～80wt％、水分20～25wt％。其中，点釉成釉的化学成分分析可为SiO₂ 70～75wt％、Al₂O₃ 20～23wt％、Fe₂O₃ 0.1～0.2wt％、CaO 1～1.5wt％、MgO0.1～0.3wt％、K₂O 1.9～2.3wt％、Na₂O 1.7～2.5wt％。点釉比重可为1.66～1.72。一个示例中，点釉的制备可包括：釉料配料、球磨、过筛除铁、陈腐备用。

本发明一实施方式中，坯体膨胀系数为8.82～8.93*10^-6/K，面釉膨胀系数为7.74～7.85*10^-6/K，结晶釉底釉膨胀系数为7.65～7.70*10^-6/K，结晶釉保护釉膨胀系数为6.89～7.12*10^-6/K，点釉膨胀系数为7.34～7.45*10^-6/K。坯体及釉料的膨胀系数差异较小，提高了坯釉适应性，便于窑炉烧成砖形的控制。

施釉完成后，将所得的砖坯烧成。烧成工艺可以是：

烧成窑炉：辊道窑；

最高烧成温度：1200～1210℃；

烧成周期：55～60min。

最后对烧成后的半成品砖进行半抛工艺加工，得到半抛结晶釉仿古砖。优选采用手推式多功能全自动抛光打蜡机，将其抛光后并打蜡，抛光的厚度可以为0.05～0.15mm。

所得的半抛结晶釉仿古砖产品晶花多姿多彩，加以配合传统图案，更加美轮美奂，极大地提升了产品品质。经检测，本发明的半抛结晶釉仿古砖力学性能优异，其抗折强度≥37兆帕，耐磨度达到6级，是高档场所装饰的首选材料。

本发明可利用丝网印刷、喷墨机喷图案，最后再利用甩釉柜甩点方式制成半抛结晶釉仿古砖，其中花网印刷结晶釉底釉粉、结晶保护釉粉、面釉粉等可制成花釉，喷墨机喷选定的图案。本发明可以在1200℃的低温下经过55分钟的烧成成品。而且本发明可以在砖面任何位置选择性定点定片位置形成结晶晶花。即，可以按不同丝网图案设计改变砖面结晶釉的位置以达到需要的效果。

本发明将结晶釉应用到建筑陶瓷仿古砖中，采用新技术、新工艺通过改善结晶釉的配方体系，与以往仿古砖工艺相结合，研发出一种可以在辊道窑中低温快烧的独特装饰效果的仿古砖，对整个行业的技术进步和升级产生一定的影响。

下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。

实施例1

1)制备坯体

坯体配方为：庆钾砂10wt％、精选钠石粉10wt％、水磨石粉9wt％、力鸿钾砂7wt％、南峰低温砂8wt％、邦砂30wt％、球土18wt％、东基泥6wt％、黑滑石2wt％。

2)在步骤1)制得坯体上利用选好的第一道图案的丝网(丝网选择80目3+2厚度)印刷面釉花釉形成面釉层，印刷次数2次。面釉花釉配方是：按重量份计，W7865成釉(西班牙博耐德公司)70wt％、印油(购自佛山市名墨釉料科技有限公司，型号：MJ-880)30wt％。

3)然后通过数字喷墨打印技术把图案打印在步骤2)的釉层上。

4)再用第二道图案(丝网选择80目3+2厚度，第二道图案和第一道图案为丝网的正反不同图案)的丝网在步骤3)的反空位上印刷2～3层结晶釉底釉。结晶釉底釉配方如下：结晶釉底釉粉30wt％、印油70％。结晶釉底釉粉配方如下：熔块38wt％、硅灰石8wt％、氧化锌8wt％、钛白粉25wt％、烧滑石8wt％、石英粉13wt％。

5)再用第二道图案的丝网在步骤4)印刷2～3层结晶釉保护釉(与步骤4的图案对好位置，不要走位)。结晶釉保护釉配方如下：结晶釉保护釉粉30wt％、印油70％。结晶釉保护釉粉配方如下：熔块55wt％、硅灰石8wt％、氧化锌11wt％、钛白粉22wt％、烧滑石4wt％。

6)在步骤5)制成的砖上用甩釉机甩好点釉。点釉的配方为：按重量份计，W7100(西班牙博耐德公司)成釉70wt％、水分30wt％。点釉比重1.78～1.82。

7)施釉完成后，入辊道窑烧成。烧成温度1200℃，烧成周期55分钟。

8)烧成后，抛光，抛光厚度为0.1毫米。

制得的半抛结晶釉仿古砖如图5、6所示，可以看出晶花呈现黄色、一蔟一蔟如雪花状的晶花，具有立体悬浮感，加以配合传统图案，更加美轮美奂。经湘潭市仪表有限公司数显陶瓷抗折仪SKZ检测，该半抛结晶釉仿古砖的抗折强度为38MPa，经佛山市华洋仪器有限公司HYK型抗磨仪检测，该半抛结晶釉仿古砖的耐磨度达到6级。

Claims (10)

1.一种半抛结晶釉仿古砖，其特征在于，包括：

坯体；

覆于坯体上的具有第一道图案的面釉层；

形成于砖坯整个表面的点釉层；

具有与所述第一道图案配合的第二道图案的结晶釉层，所述结晶釉层由下而上包括结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层, 结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层填充于面釉层的规定图形的空白处，结晶釉底釉的配方如下：熔块30～40wt%、硅灰石3～8wt%、氧化锌5～8wt%、钛白粉25～30wt%、烧滑石3～8wt%、石英粉10～20wt%，结晶釉保护釉的配方如下：熔块50～60wt%、硅灰石3～8wt%、氧化锌8～12wt%、钛白粉20～25wt%、烧滑石3～8wt%；以及

图案层，所述图案层形成于所述面釉层和点釉层之间；或所述图案层形成于所述面釉层和点釉层之间、以及结晶釉底釉层和结晶釉保护釉层之间。

2.根据权利要求1所述的半抛结晶釉仿古砖，其特征在于，所述面釉层是通过具有第一道图案的第一丝网印刷而形成；所述结晶釉层是通过具有与所述第一道图案配合的第二道图案的第二丝网印刷而形成。

3.根据权利要求1或2所述的半抛结晶釉仿古砖，其特征在于，所述面釉层的厚度为0.6～1.0毫米，所述面釉层和图案层的总厚度与所述结晶底釉层和所述结晶保护釉层的总厚度相差≤0.02mm。

4.根据权利要求1或2所述的半抛结晶釉仿古砖，其特征在于，结晶釉底釉的化学成分组成为：SiO₂ 56～63wt%、Al₂O₃ 16～19wt%、Fe₂O₃ 0.1～0.2wt%、CaO 4.5～6wt%、MgO 0.1～0.2wt%、K₂O 2～3wt%、Na₂O 1～2wt%、BaO 3～4wt%、烧失量1～3wt%、TiO₂ 7～9wt%、ZnO 4～7wt%；结晶釉保护釉的化学成分组成为：SiO₂ 52～54wt%、Al₂O₃ 12～15wt%、Fe₂O₃ 0.1～0.2wt%、TiO₂ 5～7wt%、CaO 3～5wt%、MgO 1～3wt%、K₂O 1～3wt%、Na₂O 3～5wt%、ZnO 6～8wt%、烧失量2～3wt%。

5.一种权利要求1至4中任一项所述的半抛结晶釉仿古砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）利用可形成第一道图案的第一丝网在坯体上印刷面釉花釉以形成具有第一道图案的面釉层；

（2）在面釉层上形成图案层；

（3）利用可形成与所述第一道图案配合的第二道图案的第二丝网在步骤（2）所得砖坯上依次印刷结晶釉底釉和结晶釉保护釉，以形成具有第二道图案的结晶釉层；

（4）在步骤（3）所得砖坯上施加点釉，烧成、抛光，得到所述半抛结晶釉仿古砖。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述图案层通过丝网印刷、辊筒印刷或者喷墨打印的方式形成。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述图案层通过喷墨打印的方式形成。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，烧成温度为1200～1210℃，烧成周期为55～60分钟。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的制备方法，其特征在于，烧成后点釉层的厚度为0.6～1.0毫米。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，抛光的厚度为0.05～0.15毫米。