CN105565907A

CN105565907A - 一种窑变晶花引晶定色陶瓷砖的制备方法

Info

Publication number: CN105565907A
Application number: CN201510975549.7A
Authority: CN
Inventors: 萧礼标; 黄品; 吴耀驹; 黄玲艳; 袁富祥
Original assignee: Monalisa Group Co Ltd
Current assignee: Monalisa Group Co Ltd
Priority date: 2015-12-23
Filing date: 2015-12-23
Publication date: 2016-05-11
Anticipated expiration: 2035-12-23
Also published as: CN105565907B

Abstract

本发明涉及一种窑变晶花引晶定色陶瓷砖的制备方法，包括在砖坯上依次施底釉、施窑变釉、定位施引晶釉；以及将所得的砖坯进行烧成。本发明的方法进行定色定位晶种，产生深浅渐变的色彩，使烧成的瓷砖产品大大增强了层次感，让晶花的色彩更加丰富。

Description

一种窑变晶花引晶定色陶瓷砖的制备方法

技术领域

本发明属于建筑陶瓷装饰技术领域，具体涉及一种窑变晶花引晶定色定位陶瓷砖的制备方法。

背景技术

随着建筑陶瓷市场产品的不断更新，为了降低成本，微晶砖应运而生。微晶玻璃与陶瓷砖二次烧结复合在陶瓷玻化砖表面而成的新型环保型高档建筑瓷砖。其不仅避免了天然石材存在的瑕疵，而且集玻璃、石材、陶瓷于一身，产品结构致密、具有玉质般的感觉。目前，微晶陶瓷复合砖或微晶通体板是将微晶熔块颗粒复合于陶瓷砖表面或全熔块在模具上堆烧经过高温晶化烧结而成。但是，按照目前的生产工艺，陶瓷制品的花色要通过复杂的喷墨打印或各种各样印花或不同布料设备来完成。生产出来的产品不足之处比较落后平面化，缺乏立体层次感，纹理不够清晰，并且每块板花色一样，大面积铺用比较呆板和不自然。

窑变釉指釉料在高温烧成的过程中，多色组分相互流淌或扩散，出窑后呈现出色差反差、图案花纹变化莫测、独一无二的釉色效果。窑变釉是一种艺术釉，其变化多端，色彩丰富，高贵典雅，目前广泛应用于工艺品瓷器中。由于普通常规窑变产品中发色是难以控制，无法做到随心所欲的生产出所需要色系的产品，故难以大面积应用于建筑陶瓷装饰领域。

中国专利CN102936156A公开一种高温快烧结晶釉仿古砖的釉料及制备工艺，其在砖坯上依次施结晶基釉、结晶剂，在结晶基釉或结晶剂中还可添加着色剂，烧成后得到具有晶花艺术效果的结晶釉仿古砖。中国专利CN104829268A公开一种快烧结晶釉陶瓷砖的制备方法，在陶瓷砖坯上依次布施底釉、结晶釉、透明面釉。中国专利CN104311155A公开一种结晶釉瓷砖及其生产方法，其在结晶熔块中随机点上晶种，以实现定位析晶，晶种是在结晶熔块基础上加大量氧化锌熔制而成的高锌熔块、氧化锌或结晶高锌釉浆。另外，其还公开了在结晶熔块中掺入着色金属氧化物，实现晶花炫彩装饰。但是，CN104311155A中只为随机点上晶种，无法实现晶花定色定位。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种窑变晶花引晶定色定位陶瓷砖的制备方法，以控制窑变产品的颜色深浅，获得所需花式图案的瓷砖产品。

本发明提供一种窑变晶花引晶定色定位陶瓷砖的制备方法，包括以下步骤：

（1）在砖坯上依次施底釉、施窑变釉、定位施引晶釉；

（2）将步骤（1）所得的砖坯进行烧成。

本发明中，在施窑变釉后再定位施引晶釉料，从而可使引晶体按照设计生产所需，进行引晶定色定位分布，在设计指定的位置中生成晶花，使晶花在整片陶瓷产品的分布可出现深浅渐变的效果。本发明通过定位施引晶釉料（引晶剂）的制备方式，在瓷砖表面定色定位，产生深浅渐变的色彩，从而可烧成所需要的晶花，实现了颜色和晶花位置的人为可控性。与现有技术（例如CN104311155A）相比，本发明进行定色定位晶种，产生深浅渐变的色彩，使烧成的瓷砖产品大大增强了层次感，让晶花的色彩更加丰富。

较佳地，步骤（1）中，所述砖坯的制备包括压坯成型、干燥、以及于900～1050℃素烧。通过将砖坯于900～1050℃素烧，可以烧去坯体中的水份，便于释放晶花，稳定和增强坯体的强度，也避免了因釉料偏厚使坯体内部烧不透造成对产品质量的影响。

较佳地，所述引晶釉料包括氧化锌与石英，更优选地，按质量百分比计，所述引晶釉料的组成包括：氧化锌45～60%，石英石45～60%，氧化钛2～15%，本引晶剂的作用原理是，以氧化锌、石英与氧化钛结合作为引晶剂添加到釉料中，这样在烧成的过程中，有效地简化了结晶晶花效果的形成，而且本发明通过定色定位施引晶剂的制备方式，在瓷砖表面定色定位生产出所需要的晶花，产生深浅渐变的色彩，实现颜色和晶花位置的人为可控性。

较佳地，引晶釉料的印刷方式为丝网印刷、但不限于丝网印刷、还可以甩点、打点、辊筒、喷墨，优选为丝网印刷包括一网或多网组合方式。根据本发明，采用丝网印刷、甩点、打点、辊筒、喷墨等方式进行施引晶釉，同时，由二台或以上的丝网印装备，一网和二网及多网的釉料可不同，以此方式达到一块砖面上可有二种以上的引晶剂，即一块砖上可以生产出二种或多种颜色的窑变晶花砖。

较佳地，本发明利用引晶的方法，将引晶釉料与着色剂相结合。从而通过丝网、辊筒、打点、甩点、喷墨等工艺方式，在指定的位置中生成所需的晶花效果。

较佳地，所述窑变釉组成部分包括：按质量百分比计，低温熔块40～50%，钠长石6～12%，Fe₃O₄4～12%，Fe₂O₃4～12%，氧化锌8～12%，硼砂14～18%，高岭土3～5%。

较佳地，步骤（1）中，在定位施引晶釉后，再于其上施透明保护釉。在最外层施加透明保护釉，目的是为了加强耐磨性，并增强结晶釉析晶效果，玲珑通透，更具立体感。同时透明保护釉可以加入着色剂，以弥补及增强晶花的色彩变化。

较佳地，所述透明保护釉的组成部分包括：按质量百分比计，低温熔块35～40%，氧化锌22～28%，硅灰石8～10%，钠长石15～20%，高铅熔块5～12%，高岭土3～5%。

较佳地，所述底釉的组成部分包括：按质量百分比计，钾长石25～32%，钠长石8～12%，石英15～25%，石灰石5～10%，烧骨石10～15%，烧土8～15%，高岭土2～5%。

较佳地，步骤（2）中，烧成温度为1100～1300℃，烧成时间为70～130分钟。

根据本发明的方法制备的窑变晶花釉抛陶瓷砖釉面坚硬，通透性高，立体感强，可进行釉抛处理，可以满足消费者更高艺术装饰需求。

附图说明

图1是本发明一个示例的工艺流程图；

图2是本发明一个示例的釉料施釉顺序示意图；

图3是根据本发明一个示例的方法制得的蓝色晶花效果图；

图4是根据本发明一个示例的方法制得的粉色晶花效果图。

具体实施方式

下结合附图和下述实施方式进一步说明本发明，应理解，附图及下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。以下各配方中，如无特别说明，各成分的含量均指质量百分比。

针对目前市场上生产的微晶砖技术缺陷，硬度不够，花式呆板，图案生硬等问题，本发明提供一种新型的窑变晶花釉抛陶瓷砖及其制备方法，该砖的特点是釉面坚硬，通透性高，立体感强，可进行釉抛处理。

由于普通常规窑变产品中发色是难以控制，无法做到随心所欲的生产出所需要色系的产品，故难以大面积应用于建筑陶瓷装饰领域，本发明利用引晶的方法，在施窑变釉之前，先印刷引晶剂，让引晶体按照生产所需要，进行引晶定位分布，在设计指定的位置中生成晶花，使晶花在整片陶瓷砖的分布错落均衡。

图1示出本发明的陶瓷砖的制备方法的工艺流程图。以下，作为示例，参照图1说明本发明的制备方法。

首先，制备砖坯。其可按常规方法制备，例如将陶瓷粉料压制形成坯体。压坯后，将砖坯素烧，以烧去坯体中的水份，便于更好的释放晶花，稳定和增强坯体的强度。素烧的温度可为900~1050℃。

接着，如图2所示，可在素烧好的砖坯1上施底釉2。施釉方式包括但不限于喷釉、淋釉等。通过在砖坯上施底釉，作为砖坯与釉料中间结合层，有遮盖底坯瑕疵及不良物质的作用。在一个示例中，按质量百分比计算，底釉料组成部分包括：钾长石25~32%，钠长石8~12%，石英15~25%，石灰石5~10%，烧滑石10~15%，烧土8~15%，高岭土2~5%。底釉的细度为0.4~1.0g，325目筛，比重为1.76~1.86g，流速为20~80秒，单位面积所施的底釉重量为200~300g/m²。

在施底釉2后的砖面上，施窑变釉3，方式包括但不限于喷釉、淋釉等。在一个示例中，按质量百分比计算，窑变釉料组成部分包括：低温熔块40-50%，钠长石6~12%，Fe₃O₄4~12%，Fe₂O₃4~12%，氧化锌8~12%，硼砂14~18%，高岭土3~5%。窑变釉的细度为0.4~0.8g，325目筛，比重为1.76~1.86g，流速为50~100秒。单位面积所施的窑变釉重量可为450~600g/m²。窑变釉中还可包括着色剂成份。着色剂可为陶瓷色料，例如着色金属氧化物，包括但不限于氧化镍、氧化铁、氧化钴、氧化锰、氧化铬等。着色剂与窑变釉的质量比可为2%～35%。

施窑变釉3后，印刷引晶釉料4，目的是让引晶体按照生产所需要，进行引晶定位分布，在设计指定的位置中生成晶花，使晶花在整片陶瓷砖的分布错落均衡（如图3、4所示）。印刷方式包括但不限于丝网印刷、还可以甩点、打点、辊筒、喷墨，优选为丝网印刷，包括一网或多网组合方式，为达到多色多变的效果，则采用一网一色的多网组合。本实施方式通过运用单台或多台丝网印、甩粒、打点、辊筒、喷墨等定位施引晶釉料的制备方式，在瓷砖表面定色定位，产生深浅渐变的色彩，从而可烧成所需要的晶花，实现了颜色和晶花位置的人为可控性。引晶体釉料可由氧化锌和石英石混合配比而成。在一个示例中，按质量百分比计算，引晶体釉料组成部分包括：氧化锌45～60%，石英石45～60%，氧化钛2～15%。引晶体釉料的细度可为325目筛全通过，比重为1.9~2.0g，流速可为45~90秒。引晶体釉料的印刷数量由不同瓷砖规格而定，以600x600mm的瓷砖为例，重量为20~100g/片。本实施方式中的引晶剂为氧化锌与石英石及氧化钛结合，在烧成的过程中有效地简化和促进窑变晶花效果的形成，析晶效果玲珑通透。

还可以在印刷引晶釉4上施透明保护釉5。在最外层施加透明保护釉，目的是为了加强耐磨性，并增强结晶釉析晶效果玲珑通透，更具立体感。施釉方式包括但不限于喷釉、淋釉等。在一个示例中，按质量百分比计算，表面保护釉料组成部分包括：低温熔块35~40%，氧化锌22~28%，硅灰石8~10%，钠长石15~20%，高铅熔块5~12%，高岭土3~5%。透明保护釉的细度为0.3~0.8g，325目筛，比重为1.76~1.86g，流速为80~150秒。单位面积所施的透明保护釉重量可为350~550g/m²。

施透明保护釉5后，还可以上底浆，上底浆是通过滚动的胶质圆柱转筒，在转筒表面粘上高温的氧化铝底浆，砖胚经过本装置后，砖胚底部粘上底浆。由于本发明的釉料成份偏低温，进入窑炉烧成过程中，避免砖的四边釉料残余物掉下粘合到辊棒上，以延长辊棒的使用时间。

施釉完毕后，将整个坯体进行干燥。例如于150~300℃干燥，2~6分钟。

干燥后，进行烧成。烧成后，窑变釉3中的结晶成分在引晶体釉料4处生成晶花，使晶花在整片陶瓷砖的分布错落均衡。而且该晶花由于着色剂的存在而呈现所需的颜色。其原理是，以氧化锌与石英结合作为引晶剂添加到釉料中，这样在烧成的过程中。不用考虑晶体成晶的温度，从而有效地简化了结晶晶花效果的形成，而且本发明通过运用单台或多台丝网印、甩粒、打点、辊筒、喷墨等定位施引晶亮晶剂的制备方式，在瓷砖表面定位生产出所需要的晶花，实现颜色和晶花位置的人为可控性。在一个示例中，烧成温度为1100~1300℃，烧成时间为70~130分钟。

烧成后，可磨边抛光、打包进仓。本发明获得的窑变晶花釉抛陶瓷砖釉面坚硬，通透性高，立体感强，可进行釉抛处理，而且易于控制结晶和发色，可以满足消费者更高艺术装饰需求。

本发明利用氧化锌、石英石、氧化钛组合作为引晶釉料，再采用丝网印刷、甩点、打点、辊筒、喷墨等方式进行施引晶釉，同时，由二台或以上的丝网印装备，一网和二网及多网的釉料可不同，以此方式达到一块砖面上可有二种以上的引晶剂，即一块砖上可以生产出二种或多种颜色的窑变晶花砖。

下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。

实施例1

1、压坯成形，干燥后进行900~1050℃素烧；

2、在素烧好的砖坯上喷或淋底釉，按质量百分比计算，底釉料组成部分包括：钾长石25~32%，钠长石8~12%，石英15~25%，石灰石5~10%，烧骨石10~15%，烧土8~15%，高岭土2~5%；

3、喷或淋窑变釉，按质量百分比计算，中间釉层的窑变釉料组成部分包括：低温熔块40~50%，钠长石5~10%，Fe₃O₄4~12%，Fe₂O₃4~12%，氧化锌8~12%，硼砂14~18%，高岭土3~5%；

4、利用丝网印进行网印氧化锌和石英石混合配比而成的引晶体釉料，按质量百分比计，氧化锌45～60%，石英石45～60%，氧化钛2～15%，钴蓝色料2~10%；

5、喷或淋透明保护釉，按质量百分比计算，表面保护釉料组成部分包括：低温熔块35~40%，氧化锌22~28%，硅灰石8~10%，钠长石15~20%，高铅熔块5~12%，高岭土3~5%；

6、蓝色晶花效果是由引晶体加入钴蓝色料2~10%，通过优选施晶制备方式，采用丝网印定位施晶，使晶花在瓷砖的指定位置生成；

7、烧成，烧成温度为1100~1300℃，烧成时间为70~130分钟，磨边抛光，打包入仓。

实施例2

1、压坯成形，干燥后进行900~1050℃素烧；

4、利用丝网印进行网印氧化锌和石英石混合配比而成的引晶体釉料，按质量百分比计，氧化锌45～65%，石英石45～60%，氧化钛2～15%，锰红色料2~10%；

5、粉色晶花效果是由引晶剂中加入锰红色料2~10%，通过优选施晶制备方式，采用丝网印定位施晶，使晶花在瓷砖的指定位置生成；

6、喷或淋透明保护釉，按质量百分比计算，表面保护釉料组成部分包括：低温熔块35~40，氧化锌22~28%，硅灰石8~10%，钠长石15~20%，高铅熔块5~12%，高岭土3~5%；

Claims

1.一种窑变晶花引晶定色陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在砖坯上依次施底釉、施窑变釉、定位施引晶釉料；

（2）将步骤（1）所得的砖坯进行烧成。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述砖坯的制备包括压坯成型、干燥、以及于900～1050℃素烧。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述引晶釉料包括氧化锌与石英，优选地，按质量百分比计，所述引晶釉料的组成包括：氧化锌45～65%，石英石45～60%，氧化钛2～15%。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，引晶釉料的施加方式为丝网印刷、甩点、打点、辊筒、喷墨中的至少一种，优选为丝网印刷，包括一网或多网组合方式。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述窑变釉组成部分包括：按质量百分比计，低温熔块40～50%，钠长石6～12%，Fe₃O₄4～12%，Fe₂O₃4～12%，氧化锌8～12%，硼砂14～18%，高岭土3～5%。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，在定位施引晶釉后，再于其上施透明保护釉。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述透明保护釉的组成部分包括：按质量百分比计，低温熔块35～40%，氧化锌22～28%，硅灰石8～10%，钠长石15～20%，高铅熔块5～12%，高岭土3～5%。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述底釉的组成部分包括：按质量百分比计，钾长石25～32%，钠长石8～12%，石英15～25%，石灰石5～10%，烧骨石10～15%，烧土8～15%，高岭土2～5%。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，烧成温度为1100～1300℃，烧成时间为70～130分钟。