CN101625493A - 阵列基板及具有阵列基板的液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及具有阵列基板的液晶显示装置。该阵列基板包括基板、开关元件、像素电极和公共电极。该基板包括多个栅极线、与栅极线绝缘的数据线，并且该数据线延伸在与栅极线交叉的方向上。开关元件连接到栅极线和数据线。像素电极布置在被定义在基板上的像素区域中，且连接到开关元件的输出电极。公共电极对应于像素区域且与像素电极绝缘，且公共电极具有对应于数据线的至少一个第一狭长切口。

Description

阵列基板及具有阵列基板的液晶显示装置
技术领域
本发明涉及阵列基板和具有该阵列基板的液晶显示(LCD)装置。具体地，本发明涉及阵列基板和具有该阵列基板且该阵列基板用作LCD面板的基板的LCD装置。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)装置是最广泛使用的平板显示装置的类型之一，液晶显示装置包括其中形成有电场产生电极的两个显示基板，并且液晶层插设在两个显示基板之间。通过向电场产生电极施加电压，电场在液晶层中产生。该电场确定液晶层中的液晶分子的取向。通过控制入射光的偏振来显示图像，入射光的偏振因液晶分子的取向而产生。
垂直配向(VA)模式的LCD装置因为高对比度而被广泛使用，在垂直配向(VA)模式的LCD装置中液晶分子的主轴基本上垂直于上基板和下基板取向。
然而，为了改善视角，已经开发了图案化垂直配向(PVA)模式的LCD装置、平面内转换(IPS)模式的LCD装置、平面到线转换(PLS)的LCD装置和杂散场转换(FFS)模式的LCD装置，其中图案化垂直配向(PVA)模式的LCD装置具有垂直配向(VA)模式的LCD装置所没有采用的切开部分(incision part)。
已经开发了以上的LCD装置来增加开口率(aperture ratio)、降低驱动电压及减少信号线和电场产生电极之间的寄生电容。
发明内容
本发明提供能够通过降低信号畸变而提高图像质量的阵列基板。
本发明还提供具有该阵列基板的液晶显示(LCD)装置。
本发明的其它特征将在下面的描述中被揭示，并且从该描述中部分被显示，或者可以通过本发明的实践被知悉。
本发明揭示一种阵列基板，其包括基板、开关元件、像素电极和公共电极。在基板上布置栅极线和数据线，并且与栅极线绝缘的数据线延伸在与栅极线交叉的方向上。开关元件连接到栅极线和数据线。像素电极布置在被定义在基板上的像素区域中，并且像素电极连接到开关元件的输出电极。与像素电极绝缘的公共电极对应于像素区域布置在基板上。至少一个第一狭长切口对应于数据线形成在公共电极中。
本发明还揭示LCD装置，其包括阵列基板、相对基板和液晶层。阵列基板包括下基板、开关元件、像素电极和公共电极。在下基板上布置栅极线和数据线，并且与栅极线绝缘的数据线延伸在与栅极线交叉的方向上。开关元件连接到栅极线和数据线。像素电极布置在被定义在下基板上的像素区域中，且连接到开关元件的输出电极。与像素电极绝缘的公共电极布置在下基板上，在下基板中对应于像素区域布置至少一个数据线。在对应于数据线的公共电极中布置至少一个第一狭长切口。液晶层设置在阵列基板和相对基板之间。
应当理解的是，前面的总体描述和后面的详细描述都是示范性和说明性的，并且旨在对如权利要求的本发明提供进一步的说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，这些附图被并入、并构成本说明书的一部分，其图解了本发明的实施例，并与描述一起用于说明本发明的原理。
图1是示出根据本发明第一示范性实施例的显示装置的平面图；
图2是示出图1中的显示装置的像素的放大平面图；
图3是沿着图2中的I-I’线剖取的截面图；
图4A、图4B和图4C是示出图1、图2和图3中的阵列基板的制造方法的平面图；
图5是示出图2中的公共电极的第一狭长切口的放大平面图；
图6是沿着图5中的II-II’线剖取的截面图；
图7A是示出通过未形成公共电极的狭长切口的显示装置侧面的光泄漏的图；
图7B是示出通过根据本发明第一示范性实施例的显示装置侧面的光泄漏的图；
图8是示出根据本发明第二示范性实施例的显示装置的开关元件的截面图；
图9是示出形成在图8的显示装置的数据线上方的公共电极中的狭长切口的截面图；
图10是示出根据本发明第三示范性实施例的显示装置的放大平面图。
具体实施方式
下面，将参考附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的示范性实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式实施并且不应被解释为限于在此所阐述的示范性实施例。相反，提供这些实施例使得该揭示透彻和完整，并且向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，可能夸大层和区的尺寸和相对尺寸。附图中相似的附图标号表示相似的元件。
应当理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在其它元件或层上、直接连接到或者耦接到其它元件或层，或者它们之间可以存在插入的元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接耦接到”另一元件或层时，它们之间不存在插入的元件或层。
应当理解的是，尽管词语第一、第二、第三等可以在此用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受限于这些词语。这些词语仅用于区别一个元件、组件、区域、层或者部分与另一个区域、层或部分。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本发明的教导。
空间相对词语，例如“在......之下”、“下面”、“下面的”、“在......之上”、“上面的”等，在此可用于方便描述，以描述一个元件或者特征与图中所示的另一个元件(多个元件)或者特征(多个特征)的关系。应当理解的是，空间相对词语旨在包括装置在使用或者运行中的不同取向以及图中所示的取向。例如，如果图中的装置被倒置，则描述为在其它元件或者特征“下面”或者“之下”的元件会取向为在其它元件或者特征的“上面”。因此，示范性词语“在......之下”可以包括之上和之下两种取向。装置还可以以别的方式取向(旋转90度或者在其它取向)，并且相应地解释在此使用的空间相对描述符。
在此采用的术语仅为了描述特定的示范性实施例，而不旨在限制本发明。正如这里所使用的，单数形式“一个(a、an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文中清楚地另有示意。还应当理解的是，当在说明书中使用时，词语“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”是指定所述特征、数量、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或者多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或者增加。
这里，参考截面图来描述本发明的示范性实施例，这些截面图是本发明的理想化示范性实施例(和中间结构)的示意图。同样，可以预期由例如，制造技术和/或公差引起的图示形状的变化。因此，本发明的示范性实施例不应解释为限于在此所示的区域的特定形状，而是包括由例如制造所引起的形状上的改变。例如，所示为矩形的注入区域典型地具有圆形或者弯曲的特征和/或在其边缘上的注入浓度梯度，而非从注入区域到非注入区域的二元改变。同样，通过注入形成的埋入区域可以导致在埋入区域与进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，它们的形状不意味着图示装置的区域的实际形状，并且不旨在限制本发明的范围。
除非另有限定，在此采用的所有词语(包括技术和科学词语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还应当理解的是，除非在此特别限定，诸如通用字典中定义的词语应当解释为具有与它们在相关技术的上下文中意思一致的意思，而不应被解释为理想化或者过于形式化。
图1是示出根据本发明第一示范性实施例的液晶显示(LCD)装置的平面图。
参考图1，LCD装置100包括显示面板5和驱动部10。
显示面板5包括阵列基板101、相对基板201和液晶层。阵列基板101和相对基板201彼此面对且由框架形状的密封材料102密封，液晶封装在密封材料102、阵列基板101和相对基板201的内侧以形成液晶层。
在图1中，相对基板201设置在阵列基板101前面。
相对基板201可以为具有R、G和B滤色器的滤色器基板。阵列基板101是装置基板，其采用薄膜晶体管(TFT)通过有源矩阵驱动方法被驱动。
参考图1、图2和图3，阵列基板101包括下基板110、开关元件(switchingelement)120、公共电极130和像素电极150。
像素电极150和公共电极130形成在LCD装置100中的阵列基板101上，并且采用杂散场转换(FFS)方法的LCD装置通过在相对于阵列基板101的平行方向和垂直方向上产生杂散场E来控制液晶分子的取向。因此，LCD装置100具有宽视角。
阵列基板101基本上具有矩形形状。因此，阵列基板101的水平方向(horizontal direction)可以称为x方向，而阵列基板101的垂直方向(verticaldirection)可以称为y方向。
图2是示出图1中的显示装置的像素的放大平面图。图3是沿图2中的I-I’线剖取的截面图。
多个栅极线111和数据线115形成在下基板110上，并且与栅极线111绝缘的数据线115延伸为与栅极线111交叉。
参考图1，驱动部10以驱动器集成电路(IC)的形式安装在下基板110没有被相对基板201覆盖的周边区域51中。因此，驱动器IC 10和驱动部10采用相同的附图标号。柔性印刷电路(FPC)30连接到周边区域51的边缘。
驱动器IC 10的输入端由外连接线35连接到FPC 30。
图4A、图4B和图4C是示出图1、图2和图3中的阵列基板的制造方法的平面图。
参考图1、图2、图3、图4A、图4B和图4C，通过溅射工艺在下基板110上沉积导电材料以制造阵列基板101，下基板110可以由玻璃或者塑料制造。通过采用掩模的光刻蚀工艺的图案化，形成在x方向上延伸的多个栅极线111、栅极电极121、栅极焊垫112和公共信号线137。
每个栅极线111可以具有包括钛、铝和钛的三层结构，并且栅极线111的一端连接到驱动器IC 10的输出端。栅极线111沿线宽方向突出而形成栅极电极121。
栅极线111可以包括第一线113和第二线114。第一线113从显示图像的显示区域DA的外面开始沿y方向延伸，而设置在显示区域DA中的第二线114从第一线113开始沿x方向延伸。
显示区域DA包括像素区域PA，像素区域PA是控制液晶层105的单位单元，显示区域DA被定义为面积小于相对基板201的图像显示区域。像素电极150设置在像素区域PA中，并且像素区域PA被定义为单独区域单元，在其中液晶层105被独立控制。
阵列基板101还包括栅极绝缘层141、第一绝缘层143、第二绝缘层145和第一配向层170。
在形成栅极线111后，连续层叠三层膜。该三层膜包括厚度为约
Figure G2009101401357D00061
至的栅极绝缘层141、厚度为约至
Figure G2009101401357D00064
的本征非晶硅层和厚度为约
Figure G2009101401357D00065
至
Figure G2009101401357D00066
的非本征非晶硅层。
栅极绝缘层141可以包括绝缘材料，诸如氮化硅或者氧化硅。栅极绝缘层141形成在其中形成有栅极线111的下基板110的显示区域DA中，并且与栅极线111和数据线115绝缘。
参考图4B，通过采用光刻蚀工艺图案化非本征非晶硅层和本征非晶硅层，在栅极绝缘层141上形成沟道层122。沟道层122包括非本征非晶硅层和本征非晶硅层，它们被图案化为岛状。
参考图4C，通过溅射工艺，在栅极绝缘层141上沉积厚度为约
Figure G2009101401357D00067
至
Figure G2009101401357D00068
的导电层，并且该导电层通过干法或者湿法蚀刻工艺被图案化，由此形成在y方向上延伸的多个数据线115、源极电极123、漏极电极125和数据焊垫116。
数据线115与栅极线111绝缘且沿y方向延伸，并且与栅极线111的第二线114交叉。数据线115以沿着x方向的分离间隔彼此分隔。每个数据线115的一端连接到驱动器IC 10的输出端。
源极电极123设置在沿x方向从数据线115突出的沟道层122上。漏极电极125形成在栅极绝缘层141上，在栅极绝缘层141上还形成了数据线115和源极电极123，并且漏极电极125的一端设置为面对沟道层122上的源极电极123。
非本征非晶硅层未覆盖数据线115和漏极电极125的部分被去除，并且暴露设置在非本征非晶硅层下面的本征非晶硅层。可以采用氧等离子体工艺来稳定本征非晶硅的暴露表面。
通过上述工艺形成开关元件120。开关元件120可以包括栅极电极121、沟道层122、源极电极123和漏极电极125。因此，开关元件120靠近栅极线111与数据线115彼此交叉的交叉区域形成。
通过栅极线111给栅极电极121施加栅极控制信号，并且通过数据线115施加给源极电极123的数据信号被施加给漏极电极125。
参考图2和图3，第一绝缘层143设置在显示区域DA的形成有数据线115的表面上。第一绝缘层143包括无机材料，诸如栅极绝缘层141采用的材料，并且形成的厚度为约
Figure G2009101401357D00071
至暴露一部分漏极电极125的接触孔144形成在第一绝缘层143中。
接触孔也形成在第一绝缘层143和栅极绝缘层141中以暴露栅极焊垫112，并且接触孔还形成在第一绝缘层143中以暴露数据焊垫116。
图5是示出图2中的公共电极130的第一狭长切口131的放大平面图。图6是沿着图5中的II-II’线剖取的截面图。
参考图4C和图5，在第一绝缘层143上沉积诸如铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料。通过采用掩模的光刻蚀工艺中的蚀刻形成公共电极130。公共电极130形成于形成有数据线115的下基板110的基本上整个显示区域DA上。
多个第一狭长切口131形成在数据线115上方的公共电极130中。第一狭长切口131可以形成在栅极线111上方的公共电极130中。
每个数据线115的线宽可以为约4.5μm至6.0μm。在图6中，第一狭长切口131可以略宽于、类似于或者略窄于数据线115的线宽。第一狭长切口131排列在数据线115所延伸的方向上。
为了形成第一狭长切口131，在光刻蚀工艺中采用的掩模可以具有对应于第一狭长切口131的透光部或者挡光部。备选地，可以采用比利用该掩模的工艺分辨度更高的激光曝光工艺。
延伸通过形成在公共信号线137上方的接触孔的公共电极130连接到公共信号线137。公共信号线137连接到驱动器IC 10的COM端。驱动器IC通过暴露数据焊垫116的接触孔连接到数据焊垫116。
数据线115和设置在数据线115正上方的公共电极130会形成寄生电容，该寄生电容会使施加给数据线115的数据信号畸变且增加驱动器IC 10的功耗。
在本发明的LCD装置100中，第一狭长切口131形成在数据线115上方的公共电极130中。因此，寄生电容可以通过去除公共电极130位于数据线115正上方的部分而大大减小。
参考图2，第一狭长切口131周期性地形成在y方向上，并且第一狭长切口131之间的公共电极130是连接桥132，其将设置在像素区域PA中的公共电极130彼此连接起来。
连接桥132防止像素电极150和数据线115之间形成电力线，以防止数据信号畸变。
设置在数据线115上方的公共电极130的开口程度可以通过控制在延伸方向上第一狭长切口131的数量和数据线115的长度而选择。
参考图3、图4、图5和图6，包括与第一绝缘层143相同材料的第二绝缘层145形成在形成有公共电极130的下基板110上，并且暴露漏极电极125的一部分的接触孔144形成在第一绝缘层143和第二绝缘层145中。第二绝缘层145可以形成在形成有公共电极130的整个显示区域DA中。
第一绝缘层143和第二绝缘层145是厚度为约至
Figure G2009101401357D00082
的无机层，并且厚度比厚度为约3μm至4μm的有机层小，因此可以简化本发明的制造工艺。
参考图3、图4、图5和图6，基本上与公共电极130相同，在第二绝缘层145上沉积诸如铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料，并通过采用掩模的光刻蚀工艺在像素区域PA中形成像素电极150。像素电极150通过形成在第一绝缘层143和第二绝缘层145中的接触孔144连接到漏极电极125。
参考图2、图5和图6，像素电极150形成为与数据线115和栅极线111不交叠(overlap)。
参考图2、图3和图6，多个第二狭长切口151形成在像素电极150中。第二狭长切口151基本上与数据线115所延伸的方向平行地延伸。作为选择，第二狭长切口151可以相对于栅极线111成约45度角延伸。
参考图3，称为杂散场(fringe field)E的电场因第二狭长切口151而形成在像素电极150和公共电极130之间。当分别给像素电极150和公共电极130施加不同极性的电压时，电力线从像素电极150通过第二狭长切口151在公共电极130中形成。该电力线具有基本上与阵列基板101平行的水平分量，且具有基本上与阵列基板101垂直的垂直分量。
参考图3和图6，包括聚酰亚胺的第一配向层170形成在形成有像素电极150的基板上。第一配向层170形成在形成有像素电极150的显示区域DA的整个区域中。第一配向层170对液晶层105进行初始配向。
相对基板201可以包括上基板210、挡光图案230、滤色器250、覆层(overcoating layer)260和第二配向层270。
上基板210面对下基板110，且可以由与下基板110相同的材料，诸如玻璃或者塑料形成。
挡光图案230形成上基板210上而对应于开关元件120、栅极线111和数据线115。挡光图案230包括金属材料，其包括有机材料或者铬。
由挡光图案230划分的滤色器250对应于像素区域PA设置在上基板210上。滤色器250可以是红、绿或蓝滤色器。
覆层260覆盖滤色器250和挡光图案230，以平坦化滤色器250和挡光图案230。
第二配向层270形成在覆层260上。
一般来说，希望增加像素区域PA的开口率。开口率随着与液晶相关的控制区域的增加而增加。杂散场E在像素区域PA的边缘处形成在像素电极150和公共电极130之间的区域中，以增加像素区域PA的开口率。因此，公共电极130形成在数据线115上以增加开口率。
如上所述，数据线115上方的公共电极130会增加寄生电容，并且会增加串扰和电流消耗。
多个第一狭长切口131形成在数据线115上方的公共电极130中。因此，数据线115上方的公共电极130未被完全开口，也未与数据线115完全交叠，因此公共电极130是二者的折衷。减小数据线115和公共电极130之间的寄生电容可以防止串扰、降低电流消耗；并且增加开口率。
通过控制第一狭长切口131的数量和线宽，可以在增加开口率和减少寄生电容之间找到合适的折衷点。
尽管杂散场E可以形成在由第一狭长切口131所形成的公共电极130的边缘与数据线115之间，但是可以几乎没有光泄漏的增加且几乎没有透光率的减少。参考图7A和图7B，提供了几乎没有光泄漏增加和几乎没有透光率减少的图示。
图7A是示出通过没有形成公共电极130的狭长切口的LCD装置侧面的光泄漏的图。图7B是示出通过根据本发明第一示范性实施例的LCD装置100的侧面的光泄漏的图。
参考图7A和图7B，显示面板的观察方向被表示为沿着圆周的角度。随着在半径方向上距圆心的距离增加，与显示面板的法线的视角增加。另外，轮廓线连接了具有相同亮度的位置，且亮度随着距圆心距离的增加而减小。
通过保持显示面板处于黑色状态并且增加视角，而通过模拟显示面板的黑色状态获得了图7A和图7B的模拟结果。
在通过FFS方法驱动的显示面板中，将图7A所示的LCD装置与图7B中的LCD装置进行了比较，图7A所示的LCD装置具有在数据线115上方的区域中没有切口的公共电极130，图7B中的LCD装置具有在数据线115上方的区域中有狭长切口的公共电极130。在图7A和图7B中，视角特性相类似，而与视角或者黑色图像亮度上的变化无关。黑色图像的亮度随着视角的增加而增加
而且，在相同的位置处亮度特性会几乎相同。
就是说，尽管在公共电极130中形成了第一狭长切口131，但是不会增加光泄漏，并且不会减小透射率。
图8是示出根据本发明第二示范性实施例的LCD装置400的开关元件420的结构的截面图。图9是截面图，其示出了图8的LCD装置400中的形成在数据线415上方的公共电极430中的狭长切口。
参考图8和图9，除了在像素电极450上方设置公共电极430、在像素电极450中省略了第二狭长切口435而在公共电极430中形成第二狭长切口435之外，阵列基板401与图1、图2、图3、图4和图5中描述的阵列基板101基本相同。因此，对于相同的元件采用相同的附图标号，并且省略重复的描述。
而且，阵列基板401的制造方法基本上与图4A、图4B和图4C所描述的阵列基板101的制造方法相同，除了像素电极450形成在公共电极430形成之前。因此，对于相同的元件采用相同的附图标号，并且省略重复的描述。
暴露开关元件420的漏极电极425的一部分的接触孔形成在第一绝缘层443上，透明导电材料设置在第一绝缘层443的像素区域PA中，并且通过光刻蚀工艺形成像素电极450。像素电极450通过接触孔连接到漏极电极425。像素电极450中不形成狭长切口，而是形成面(surface)形状。
第二绝缘层445由无机材料形成在像素电极450上。
公共电极430由与像素电极450相同的材料对应于显示区域DA形成在第二绝缘层445上。
在公共电极430中，第一狭长切口431形成在数据线415的正上方。多个第一狭长切口431可以周期性地形成在数据线415的延伸方向上。第一狭长切口431形成在像素电极450的边缘与相邻的像素电极450的边缘之间。多个第二狭长切口435形成在与数据线415平行地设置在像素区域PA中的公共电极430中。第二狭长切口435的形状与第二狭长切口151的形状相同。
第一配向层470形成在公共电极430上。
LCD装置400包括显示面板和驱动器。
参考图8和图9，除了LCD装置400包括阵列基板401之外，LCD装置400基本上与图1、图2、图3、图4和图5中描述的LCD装置100相同。因此，对于相同的元件采用相同的附图标号，并且省略重复的描述。根据本示范性实施例，公共电极430和数据线415之间的间隙间隔与前面的示范性实施例相比有所增加。因此，可以减小公共电极430和数据线415之间的垂直寄生电容。
图10是示出根据本发明第三示范性实施例的显示装置的阵列基板701的放大平面图。
参考图10，除了形成在公共电极730中的对应于一个像素电极形成的第一狭长切口731具有与数据线715近似的线宽之外，，阵列基板701及其制造方法基本上分别与图1、图2、图3、图4和图5中描述的阵列基板101以及图4A、图4B和图4C中的阵列基板的制造方法相同。因此，对于相同的元件采用相同的附图标号，并且省略重复的描述。
在阵列基板701及其制造方法中，第一狭长切口731在数据线715的正上方形成在公共电极730中。第一狭长切口731沿纵向数据线715延伸，并且周期性形成。第一狭长切口731对应于像素区域形成在数据线715的上方，并且可以形成为具有与数据线715的线宽相类似的线宽。
本示范性实施例的LCD装置包括显示面板和驱动器。
除了该LCD装置具有图10中的阵列基板701之外，该LCD装置基本上与图1、图2、图3、图4和图5所述的LCD装置100相同。因此，对于相同的元件采用相同的附图标号，并且省略重复的描述。
尽管公共电极730靠近数据线715布置，但是通过完全切除在数据线715正上方的公共电极730，与前述示范性实施例相比其可以减少垂直寄生电容。
根据本发明的示范性实施例，可以减少诸如串扰的缺陷，并且可以降低功耗。可以提高开口率。因此，本发明的示范性实施例可以应用于各种领域以提高LCD装置的图像质量。
对本领域的技术人员而言显而易见的是，可以在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明进行各种修改和改变。因此，意在本发明覆盖所提供的落在所附权利要求及其等同方案范围内的本发明的修改和变化。

Claims (9)

1、一种阵列基板，包括：
基板，包括多个栅极线和与所述栅极线绝缘的多个数据线，所述数据线延伸在与所述栅极线交叉的第一方向上；
开关元件，连接到第一栅极线和第一数据线；
像素电极，设置在像素区域中，并且连接到所述开关元件的输出电极；以及
公共电极，对应于所述像素区域，并且与所述像素电极绝缘，所述公共电极具有对应于所述数据线的至少一个第一狭长切口。
2、如权利要求1所述的阵列基板，其中所述至少一个第一狭长切口布置在所述像素电极的边缘与相邻像素电极的边缘之间，并且多个第一狭长切口沿第一方向排列。
3、如权利要求2所述的阵列基板，其中所述像素电极布置在所述公共电极上，所述像素电极具有暴露部分所述公共电极的多个第二狭长切口。
4、如权利要求3所述的阵列基板，还包括：
第一绝缘层，布置在所述数据线和所述公共电极之间，并且具有暴露部分所述输出电极的第一接触孔；以及
第二绝缘层，布置在所述公共电极和所述像素电极之间，所述第二绝缘层具有连接到所述第一接触孔的第二接触孔。
5、如权利要求4所述的阵列基板，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的每个包括无机材料。
6、如权利要求2所述的阵列基板，其中所述公共电极设置在所述像素电极上，所述公共电极具有暴露部分所述像素电极的多个第二狭长切口。
7、如权利要求6所述的阵列基板，还包括：
第一绝缘层，布置在所述数据线和所述像素电极之间，所述第一绝缘层具有暴露部分所述输出电极的接触孔；以及
第二绝缘层，布置在所述公共电极和所述像素电极之间。
8、如权利要求1所述的阵列基板，其中所述至少一个第一狭长切口布置在所述像素电极的边缘与相邻像素电极的边缘之间，所述至少一个第一狭长切口周期性地布置在所述数据线延伸的方向上。
9、如权利要求1所述的阵列基板，其中布置在所述像素区域中的所述公共电极连接到布置在相邻像素区域中的公共电极。
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