CN104880878B - 阵列基板及其制作方法以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法以及显示装置。该阵列基板包括：基底基板；形成在所述基底基板上的多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素；形成在所述基底基板上且覆盖所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层中设置有过孔，在所述每个子像素中所述像素电极形成在所述钝化层上且通过所述过孔连接到所述薄膜晶体管的漏极或源极；第一隔垫物，设置在所述第一子像素的过孔中。

Description

阵列基板及其制作方法以及显示装置

技术领域

本发明的实施例涉及阵列基板，该阵列基板的制作方法，以及包括该阵列基板的显示装置。

背景技术

目前，液晶显示装置在平板显示器市场中占主导地位。液晶显示装置主要包括相对设置的阵列基板和对向基板，以及夹持在阵列基板和对向基板之间的液晶层。为了控制阵列基板和对向基板之间具有均匀的间隙且保持液晶层厚度的均匀性，在阵列基板和对向基板之间还设置有隔垫物。

图1为根据一种技术的阵列基板的平面示意图；图2为根据一种技术的液晶显示装置的截面示意图，该截面示意图沿图1的A-A’线截取。如图1和图2所示，阵列基板包括基底基板01，以及依次设置在基底基板01上的缓冲层02、有源层03、栅绝缘层04、栅线层(包括栅线05和栅极G)、层间绝缘层06、数据线层(包括数据线07、源极S及漏极D)、钝化层08和设置在钝化层08中的过孔09、像素电极010、电极间绝缘层011以及公共电极012。栅线05和数据线07彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极。在每个子像素中，有源层03、栅极G、源极S及漏极D构成所述薄膜晶体管，像素电极010通过过孔09连接到薄膜晶体管的漏极D。对向基板包括另一基底基板016，以及依次设置在基底基板016上的黑矩阵013、钝化层014以及隔垫物015。

继续参照图1和图2，隔垫物015设置在对向基板上且其顶部抵靠在阵列基板的位于相邻两个子像素之间的平坦区域上。随着液晶显示装置分辨率的增加，单个子像素的尺寸越来越小；在此情况下，由于过孔09的存在，阵列基板的位于相邻两个子像素之间的平坦区域的面积减小，如果液晶显示装置受到外力的作用，隔垫物05极易滑动到过孔09中，并且在滑动的过程中划伤位于阵列基板表面的取向层(未示出)。当隔垫物05滑动到过孔09中时，将难以在阵列基板和对向基板之间实现均匀的间隙且难以保持液晶层厚度的均匀性，导致显示画面不均匀，显示质量下降；而当取向层被划伤时，液晶层会出现取向异常，引起漏光。

发明内容

根据本发明的实施例，提供一种阵列基板。该阵列基板包括：基底基板；形成在所述基底基板上的多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素；形成在所述基底基板上且覆盖所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层中设置有过孔，在所述每个子像素中所述像素电极形成在所述钝化层上且通过所述过孔连接到所述薄膜晶体管的漏极或源极；第一隔垫物，设置在所述第一子像素的过孔中。

例如，所述多个子像素还包括第二子像素，并且所述阵列基板还包括第二隔垫物，所述第二隔垫物设置在所述第二子像素的过孔中。

例如，在所述基底基板上所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度。

例如，所述每个子像素还包括公共电极和位于所述公共电极与所述像素电极之间的电极间绝缘层；所述电极间绝缘层具有位于所述第一隔垫物上的部分而不具有位于所述第二隔垫物上的部分；并且/或者所述公共电极具有位于所述第一隔垫物上的部分而不具有位于所述第二隔垫物上的部分。

例如，在所述基底基板上所述第一隔垫物的高度与所述第二隔垫物的高度相同；所述每个子像素还包括公共电极和位于所述公共电极与所述像素电极之间的电极间绝缘层；所述电极间绝缘层具有位于所述第一隔垫物上的部分而不具有位于所述第二隔垫物上的部分；并且/或者所述公共电极具有位于所述第一隔垫物上的部分而不具有位于所述第二隔垫物上的部分。

例如，所述阵列基板还包括第三隔垫物；所述第三隔垫物位于所述栅线和/或数据线的上方。

例如，所述阵列基板还包括位于所述第三隔垫物上的屏蔽电极。

例如，所述每个子像素还包括公共电极和位于所述公共电极与所述像素电极之间的电极间绝缘层；所述屏蔽电极与所述公共电极同层设置。

例如，在所述基底基板上所述第一隔垫物的高度、所述第二隔垫物的高度和所述第三隔垫物的高度相同；所述每个子像素还包括公共电极和位于所述公共电极与所述像素电极之间的电极间绝缘层；所述电极间绝缘层具有位于所述第一隔垫物上的部分且所述公共电极具有位于所述第一隔垫物上的部分；所述第三隔垫物上具有屏蔽电极，所述屏蔽电极与所述公共电极同层设置。

根据本发明的实施例，提供一种显示装置。该显示装置包括：如上所述的任一种阵列基板、对向基板和液晶层。所述对向基板与所述阵列基板相对设置，其中所述第一隔垫物的端部抵靠在所述对向基板上。所述液晶层位于所述阵列基板与所述对向基板之间。

例如，所述对向基板包括彩膜层，所述彩膜层具有位于所述第一隔垫物上方的部分。

根据本发明的实施例，提供一种阵列基板的制作方法。该阵列基板的制作方法包括：在基底基板上形成多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素；在所述基底基板上形成覆盖所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层中设置有过孔，在所述每个子像素中所述像素电极形成在所述钝化层上且通过所述过孔连接到所述薄膜晶体管的漏极或源极；以及在所述第一子像素的过孔中形成第一隔垫物。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1为根据一种技术的阵列基板的平面示意图；

图2a和图2b为沿图1的A-A’线截取的根据一种技术的液晶显示装置的截面示意图；

图3为根据本发明实施例的阵列基板的平面示意图一；

图4a和图4b为沿图3的A-A’线截取的根据本发明实施例的阵列基板的截面示意图，其中在基底基板上第一隔垫物的高度大于第二隔垫物的高度；

图5a和图5b为沿图3的A-A’线截取的根据本发明实施例的阵列基板的截面示意图，其中在基底基板上第一隔垫物的高度等于第二隔垫物的高度；

图6为根据本发明实施例的阵列基板的平面示意图二；

图7a和图7b为沿图6的A-A’线截取的根据本发明实施例的阵列基板的截面示意图，其中形成了第三隔垫物；

图8a和图8b为沿图6的A-A’线截取的根据本发明实施例的阵列基板的截面示意图，其中在基底基板上第一隔垫物的高度、第二隔垫物的高度和第三隔垫物的高度相同；

图9a和9b为根据本发明实施例的显示装置的截面示意图一；

图10a和10b为根据本发明实施例的显示装置的截面示意图二；

图11a和11b为根据本发明实施例的显示装置的截面示意图三；

图12a和12b为根据本发明实施例的显示装置的截面示意图四；

图13a和13b为根据本发明实施例的显示装置的截面示意图五；

图14a和14b至图16a和16b为根据本发明实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图一；

图17a和17b至图18a和18b为根据本发明实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图二；以及

图19a和19b至图20a和20b为根据本发明实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图三。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

根据本发明的实施例，提供一种阵列基板。图3为根据本发明实施例的阵列基板的平面示意图；图4a和图4b为沿图3的A-A’线截取的截面示意图。结合图3和图4a、图4b，根据本发明实施例的阵列基板包括：基底基板1；形成在所述基底基板1上的多条栅线5和多条数据线7，所述多条栅线5和所述多条数据线7彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极10，所述多个子像素包括第一子像素；形成在所述基底基板1上且覆盖所述栅线5、所述数据线7和所述薄膜晶体管的钝化层8，所述钝化层中设置有过孔9，在所述每个子像素中所述像素电极10形成在所述钝化层8上且通过所述过孔9连接到所述薄膜晶体管的漏极D或源极S；以及第一隔垫物15，设置在所述第一子像素的过孔中。

在根据本发明实施例的阵列基板与对向基板对盒形成显示装置之后，第一隔垫物的端部抵靠在对向基板上，可以用于保持阵列基板和对向基板之间具有均匀的间隙并维持夹持在阵列基板与对向基板之间的液晶层的厚度均匀性。

在根据本发明实施例阵列基板中，第一隔垫物设置在第一子像素的过孔中。因此，即使显示装置受到外力，第一隔垫物也不会轻易滑动，从而可以避免由于第一隔垫物滑动到过孔中造成的液晶层厚度不均匀及取向层(在图中未示出，其位于阵列基板的面向对向基板的表面上)被划伤的情形。由此，可以使阵列基板和对向基板之间具有均匀的间隙，可以很好地维持液晶层的厚度均匀性，防止取向层划伤而引起的漏光，提高显示质量。

例如，薄膜晶体管包括有源层3、栅极G、源极S和漏极D，栅极G连接到栅线5或与栅线5一体形成，源极S或漏极D连接到数据线7或与数据线7一体形成，漏极D或源极S连接到像素电极10。

例如，如图4a和4b所示，在根据本发明实施例的阵列基板中，缓冲层2首先形成基底基板1上以防止基底基板1中的杂质进入到有源层3并改善有源层3的膜层质量；并且有源层3、栅绝缘层4、栅线层(包括栅线5和栅极G)、层间绝缘层6、以及数据线层(包括数据线7、源极S和漏极D)依次形成在缓冲层2上。然而，本发明实施例并不局限于此，根据本发明实施例的阵列基板可以不采用缓冲层，并且有源层3、栅极绝缘层4、栅线层(包括栅线5和栅极G)、层间绝缘层6、以及数据线层(包括数据线线7与源极S和漏极D)这些层可以采用任何已知的层叠顺序来设置。相应地，在根据本发明实施例的阵列基板中，薄膜晶体管可以为底栅型、顶栅型或任何已知的类型。

例如，进一步参见图3和图4a、图4b，所述多个子像素还包括第二子像素，该第二子像素不同于上述第一子像素，根据本发明实施例的阵列基板还包括第二隔垫物16，该第二隔垫物16设置在第二子像素的过孔9中。

例如，如图4a和4b所示，在所述基底基板1上第一隔垫物15的高度大于第二隔垫物16的高度；在此情形下，第一隔垫物15可以看做主隔垫物，而第二隔垫物16可以看做副隔垫物。通常地，在低温时液晶层会收缩而体积会变小，如果隔垫物设置的数量过多，对向基板基本不产生形变，这时如果显示装置突然受到外力冲击，液晶层中会产生真空气泡，从而导致低温气泡不良；如果减少隔垫物的数量，可以在一定程度上避免低温气泡不良，但却使隔垫物对对向基板的支撑作用减弱，当对向基板受到较大的外力作用时会产生较大的形变且不易回复原状，从而导致按压不良产生。在根据本发明实施例的阵列基板中，设置了第一隔垫物15和第二隔垫物16，第一隔垫物15的高度大于第二隔垫物16的高度，这样既可以避免上述的低温气泡不良又可以避免上述的按压不良。

另外，由于第二隔垫物16设置在第二子像素的过孔9中，可以防止第二隔垫物16滑动而划伤取向层，从而可以避免由于取向层划伤引起的液晶取向异常和漏光。

在第一隔垫物15的高度大于第二隔垫物16的高度的情形下，第一隔垫物15和第二隔垫物16可以采用两块普通掩模板通过两次构图工艺形成；然而，为了减少掩模板的数量并简化制作工艺，第一隔垫物15和第二隔垫物16可以采用双色调掩模板通过一次构图工艺形成。

例如，进一步参见图4a和图4b，每个子像素还包括公共电极12和位于公共电极12与像素电极10之间的电极间绝缘层11。例如，电极间绝缘层11具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分，并且/或者公共电极12具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分。如上所述，第一隔垫物15和第二隔垫物16可以采用双色调掩模板通过一次构图工艺形成；然而，为了有效避免低温气泡不良和按压不良，需要在第一隔垫物15和第二隔垫物16之间形成足够大的高度差，这会增大采用双色调掩模板的构图工艺的工艺难度。在根据本发明实施例的阵列基板中，通过使电极间绝缘层11具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分并且/或者使公共电极12具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分，可以在有效地避免低温气泡不良和按压不良的同时，降低对采用双色调掩模板的构图工艺的工艺要求并增加第一隔垫物15和第二隔垫物16的设计灵活性。在此情形下，可以将第一隔垫物15及位于其上的电极间绝缘层11和/或公共电极12整体看做主隔垫物。

需要说明的是，电极间绝缘层11的位于第一隔垫物15上的部分可以与电极间绝缘层11的其他部分断开或连接，并且公共电极12的位于第一隔垫物15上的部分可以与公共电极12的其他部分断开或连接。

需要说明的是，尽管在图4a中示出了电极间绝缘层11及公共电极12均形成在第一隔垫物15上；然而，在第一隔垫物15的高度大于第二隔垫物16的高度的情形下，第一隔垫物15上可以既不形成电极间绝缘层11也不形成公共电极12或者仅电极间绝缘层11和公共电极12之一形成在第一隔垫物15上。

图5a和图5b为沿图3的A-A’线截取的根据本发明实施例的阵列基板的截面示意图，其中在基底基板1上第一隔垫物15的高度等于第二隔垫物16的高度。由于第一隔垫物15的高度等于第二隔垫物16的高度，第一隔垫物15和第二隔垫物16可以采用普通掩模板通过一次构图工艺形成，这样可以降低工艺难度和工艺成本。进一步地，例如如图5a和图5b所示，电极间绝缘层11具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分并且/或者公共电极12具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分，这样一来同样也可以避免低温气泡不良和按压不良。在此情形下，可以将第一隔垫物15及位于其上的电极间绝缘层11和/或公共电极12整体看做主隔垫物。

需要说明的是，电极间绝缘层11的位于第一隔垫物15上的部分可以与电极间绝缘层11的其他部分断开或连接，并且公共电极12的位于第一隔垫物15上的部分可以与公共电极12的其他部分断开或连接。

需要说明的是，尽管在图5a中示出了电极间绝缘层11及公共电极12均形成在第一隔垫物15上；然而，在第一隔垫物15的高度等于第二隔垫物16的高度的情形下，可以仅电极间绝缘层11和公共电极12之一形成在第一隔垫物15上。

需要说明的是，在根据本发明实施例的阵列基板中，某个或某些子像素的过孔中可以既不设置第一隔垫物15也不设置第二隔垫物16。

在根据本发明实施例的阵列基板中，第一隔垫物15与第二隔垫物16的分布比例例如为1:10～1:100，进一步地例如为1:18或1:36。

图6为根据本发明实施例的阵列基板的平面示意图二，图7a和图7b为沿图6的A-A’线截取的截面示意图。参见图6和图7a、图7b，根据本发明实施例的阵列基板还包括位于数据线7和/或栅线5上的第三隔垫物17。由于第三隔垫物17具有一定的高度，因而可以阻断相邻两个子像素之间的电力线，从而可以减少相邻子像素之间的电场干扰。

例如，根据本发明实施例的阵列基板包括设置所述多个子像素的显示区域和位于显示区域周围的周边区域。例如，第三隔垫物17的长度小于或等于所述显示区域的沿第三隔垫物17延伸方向的长度，即第三隔垫物17位于显示区域内。

例如，进一步参见图6和图7a、图7b，根据本发明实施例的阵列基板可以包括位于所述第三隔垫物17上的屏蔽电极18，以进一步减少相邻子像素之间的电场干扰。例如，屏蔽电极18上可以不施加电压。例如，屏蔽电极18上可以施加电压，例如低电平电压，进一步地例如0电平电压。例如，屏蔽电极18可以与公共电极12同层设置，从而屏蔽电极18和公共电极12可以通过一次构图工艺同时形成，简化制作工艺。例如，屏蔽电极18可以与公共电极12连接，从而屏蔽电极18上被施加公共电压。例如，屏蔽电极18可以与公共电极12断开，从而屏蔽电极18和公共电极12可以分开驱动。例如，电极间绝缘层11的一部分可以进一步位于屏蔽电极18和第三隔垫物17之间。例如，电极间绝缘层11的位于屏蔽电极18和第三隔垫物17之间的部分可以与电极间绝缘层11的其他部分断开或连接。例如，屏蔽电极18覆盖第三隔垫物17的上表面和侧表面。

例如，为了简化制作工艺，可以将第一隔垫物15、第二隔垫物16、第三隔垫物17制作为具有相同的高度，如图8a和8b所示；在此情形下可以采用普通的单色调掩模板通过一次构图工艺同时形成第一隔垫物15、第二隔垫物16和第三隔垫物17。进一步地，例如，电极间绝缘层11具有位于第一隔垫物15上的部分且公共电极12具有位于第一隔垫物15上的部分，与公共电极12同层设置的屏蔽电极18形成在第三隔垫物17上；由此，第一隔垫物15及位于其上的电极间绝缘层11和公共电极12可整体看做主隔垫物，第三隔垫物17及位于其上的屏蔽电极18可整体看做第一副隔垫物，第二隔垫物16可看做第二副隔垫物，主隔垫物的高度、第一副隔垫物的高度和第二副隔垫物的高度呈台阶状分布，由此可以更好地避免低温气泡不良和按压不良。

需要说明的是，在根据本发明实施例的阵列基板中，基底基板1、缓冲层2、有源层3、栅绝缘层4、栅线层(包括栅线5和栅极G)、层间绝缘层6、数据线层(包括数据线7、源极S和漏极D)、钝化层8、像素电极10、电极间绝缘层11和公共电极12可以采用任何已知的材料和方法形成，在此不再赘述。例如，有源层3由低温多晶硅形成。例如，钝化层8由有机树脂形成，例如亚克力树脂。例如，隔垫物(包括第一隔垫物15，第二隔垫物16和第三隔垫物17)由有机树脂材料形成，例如负性PR胶。例如，形成第一隔垫物15、第二隔垫物16和第三隔垫物17的材料可以相同或者不同。

需要说明的是，在图3至图8b中均示出了形成在过孔9中的第一隔垫物15和第二隔垫物16与形成在过孔9中的像素电极10直接接触；然而，本发明的实施例并不局限于此，在第一隔垫物15、第二隔垫物16和像素电极10之间还可以根据需要形成其他的插入层。

根据本发明的实施例，还提供一种显示装置。该显示装置包括：如上所述的阵列基板；对向基板，与阵列基板相对设置，其中第一隔垫物的端部抵靠在对向基板上；以及液晶层，位于阵列基板和对向基板之间。由于根据本发明实施例的显示装置包括如上所述的阵列基板，因此即使显示装置受到外力，第一隔垫物也不会轻易滑动，从而可以避免由于第一隔垫物滑动到过孔中造成的液晶层厚度不均匀及取向层(在图中未示出，其位于阵列基板的面向对向基板的表面上)被划伤的情形。由此，可以使阵列基板和对向基板之间具有均匀的间隙，可以很好地保持液晶层的厚度均匀性，防止取向层划伤而引起的漏光，提高显示质量。

图9a和9b、图10a和10b、图11a和11b、图12a和12b、以及图13a和13b为根据本发明实施例的显示装置的截面示意图。如图9a至图13b所示，对向基板包括基底基板20、以及依次形成在基底基板20上的黑矩阵13和钝化层14，第一隔垫物15、第二隔垫物16和第三隔垫物17均位于黑矩阵13所覆盖的区域中。

图9a和9b所示的显示装置采用了图4a和4b所示的阵列基板，图10a和10b所示的显示装置采用了图5a和5b所示的阵列基板，图11a和11b所示的显示装置采用了图7a和7b所示的阵列基板，图12a和12b所示的显示装置采用了图8a和8b所示的阵列基板，因此在此不再赘述。

除了对向基板之外，图13a和13b所示的显示装置与图9a和9b所示的显示装置基本相同。在图13a和图13b所示的显示装置中，对向基板还包括彩膜层19。例如，该彩膜层19具有位于所述第一隔垫物15上方的部分而不具有位于所述第二隔垫物16上方的部分，由此同样有助于避免低温气泡不良和按压不良，并且可进一步降低对采用双色调掩模板的构图工艺的工艺要求并增加第一隔垫物15和第二隔垫物16的设计灵活性。需要说明的是，图13a和13b所示的对向基板可以用于代替图10a和10b、图11a和11b、以及图12a和12b中所示对向基板。

例如，根据本发明实施例的显示装置可以为：液晶显示面板、液晶显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

根据本发明的实施例，还提供一种阵列基板的制作方法。该阵列基板的制作方法包括：在基底基板1上形成多条栅线5和多条数据线7，所述多条栅线5和所述多条数据线7彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极10，所述多个子像素包括第一子像素；在所述基底基板1上形成覆盖所述栅线5、所述数据线7和所述薄膜晶体管的钝化层8，所述钝化层8中设置有过孔9，在所述每个子像素中所述像素电极10形成在所述钝化层8上且通过所述过孔9连接到所述薄膜晶体管的漏极D或源极S；以及在所述第一子像素的过孔9中形成第一隔垫物15。

在根据本发明实施例的阵列基板的制作方法中，将第一隔垫物形成在第一子像素的过孔中。因此，即使所述阵列基板与对向基板对盒形成的显示装置受到外力，第一隔垫物也不会轻易滑动，从而可以避免由于第一隔垫物滑动到过孔中造成的液晶层厚度不均匀及取向层(在图中未示出，其位于阵列基板的面向对向基板的表面上)被划伤的情形。由此，可以使阵列基板和对向基板之间具有均匀的间隙，可以很好地维持液晶层的厚度均匀性，防止取向层划伤而引起的漏光，提高显示质量。

例如，所述多个子像素还包括第二子像素，所述阵列基板的制作方法还包括：在第二子像素的过孔9中形成第二隔垫物16。

图14a和14b至图16a和16b为根据本发明实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图一。首先，如图14a和14b所示，基底基板1上形成缓冲层2，并且在缓冲层上依次形成有源层3、栅绝缘层4、栅线层(包括栅线5和栅极G)、层间绝缘层6、数据线层(包括数据线7、源极S和漏极D)、钝化层8及过孔9、以及像素电极10。有源层3、栅极G、源极S和漏极D构成薄膜晶体管，像素电极10通过钝化层8中的过孔9连接到薄膜晶体管的漏极D或源极S。上述各膜层可以采用任何已知的材料和方法形成，在此不再赘述。上述各膜层的层叠顺序不限于图14a和14b所示的顺序，可以根据实际需要进行调整，在此也不再赘述。

然后，形成隔垫物材料层(例如，由PR胶形成且厚度为4-6μm)，采用双色调掩模板(例如，半色调掩模板和灰色调掩模板)对隔垫物材料层进行图案化，以通过一次构图工艺同时形成第一隔垫物15和第二隔垫物16，第一隔垫物15的高度大于第二隔垫物16的高度，如图15a和15b所示。例如，所述阵列基板的制作方法还包括：在像素电极10上形成电极间绝缘层11，该电极间绝缘层11具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分，如图16a和16b所示。例如，所述阵列基板的制作方法还包括：在电极间绝缘层11上形成公共电极12，该公共电极12具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分，由此可以得到图4a和4b所示的阵列基板。

图17a和17b至图18a和18b为根据本发明实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图二。在形成图14a和14b所示的结构之后，形成隔垫物材料层(例如，由PR胶形成且厚度为4-6μm)，采用普通单色调掩模板对隔垫物材料层进行图案化，以通过一次构图工艺同时形成第一隔垫物15和第二隔垫物16，第一隔垫物15的高度等于第二隔垫物16的高度，如图17a和17b所示。例如，所述阵列基板的制作方法还包括：在像素电极10上形成电极间绝缘层11，该电极间绝缘层11具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分，如图18a和18b所示。例如，所述阵列基板的制作方法还包括：在电极间绝缘层11上形成公共电极12，该公共电极12具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分，由此可以得到图5a和5b所示的阵列基板。

图19a和19b至图20a和20b为根据本发明实施例的阵列基板的制作方法的流程示意图三。在形成图14a和14b所示的结构之后，形成第一隔垫物15、第二隔垫物16和第三隔垫物17，如图19a和19b所示。例如，可以采用三块掩模板通过三次构图工艺形成第一隔垫物15、第二隔垫物16和第三隔垫物17。例如，可以采用双色调掩模板通过一次构图工艺形成第一隔垫物15和第二隔垫物16，然后再采用单色调掩模板通过一次构图工艺形成第三隔垫物17。为了简化制作工艺，可以将第一隔垫物15、第二隔垫物16和第三隔垫物17制作为具有相同的高度，这样一来可以采用单色调掩模板通过一次构图工艺形成第一隔垫物15、第二隔垫物16和第三隔垫物17。例如，所述阵列基板的制作方法还包括：在像素电极10上形成电极间绝缘层11，该电极间绝缘层11具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分，如图20a和20b所示。例如，所述阵列基板的制作方法还包括：在电极间绝缘层11上形成公共电极12，该公共电极12具有位于第一隔垫物15上的部分而不具有位于第二隔垫物16上的部分；进一地，该阵列基板的制作方法还包括：在第三隔垫物17上形成屏蔽电极18，由此可以得到图7a和7b所示的阵列基板。例如，所述公共电极12与所述屏蔽电极18通过对公共电极材料层进行图案化而同时形成。

以上所述仅是本发明的示范性实施例，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由权利要求确定。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括：

基底基板；

形成在所述基底基板上的多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素不同于所述第二子像素；

形成在所述基底基板上且覆盖所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层中设置有过孔，在所述每个子像素中所述像素电极形成在所述钝化层上且通过所述过孔连接到所述薄膜晶体管的漏极或源极；所述过孔包括第一过孔和第二过孔，

主隔垫物，设置在所述第一子像素的所述第一过孔中；

第二隔垫物，设置在所述第二子像素的所述第二过孔中，在所述基底基板上所述主隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度，所述主隔垫物包括第一隔垫物，并且

所述每个子像素还包括公共电极和位于所述公共电极与所述像素电极之间的电极间绝缘层；

所述主隔垫物还包括所述电极间绝缘层位于所述第一隔垫物上的部分；和/或所述公共电极位于所述第一隔垫物上的部分，

所述电极间绝缘层不具有位于所述第二隔垫物上的部分，所述公共电极不具有位于所述第二隔垫物上的部分。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在所述基底基板上所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中

在所述基底基板上所述第一隔垫物的高度与所述第二隔垫物的高度相同。

4.一种阵列基板，包括：

基底基板；

形成在所述基底基板上的多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管和像素电极，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素；

形成在所述基底基板上且覆盖所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层中设置有过孔，在所述每个子像素中所述像素电极形成在所述钝化层上且通过所述过孔连接到所述薄膜晶体管的漏极或源极；所述过孔包括第一过孔和第二过孔，

主隔垫物，设置在所述第一子像素的所述第一过孔中，所述主隔垫物包括第一隔垫物；

第二隔垫物，设置在所述第二子像素的所述第二过孔中，在所述基底基板上所述主隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度；以及

第三隔垫物和位于所述第三隔垫物上的屏蔽电极，所述第三隔垫物位于所述栅线和/或数据线的上方且与所述栅线和/或数据线重叠，

其中，所述每个子像素还包括公共电极和位于所述公共电极与所述像素电极之间的电极间绝缘层；

所述主隔垫物还包括所述电极间绝缘层位于所述第一隔垫物上的部分和所述公共电极位于所述第一隔垫物上的部分，

所述电极间绝缘层不具有位于所述第二隔垫物上的部分，所述公共电极不具有位于所述第二隔垫物上的部分,

所述主隔垫物的高度、所述第三隔垫物和其上的所述屏蔽电极的整体高度、和所述第二隔垫物的高度呈台阶状分布。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中

所述屏蔽电极与所述公共电极同层设置。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其中

在所述基底基板上所述第一隔垫物的高度、所述第二隔垫物的高度和所述第三隔垫物的高度相同。

7.一种显示装置，包括：

如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板；

对向基板，与所述阵列基板相对设置，其中所述第一隔垫物的端部抵靠在所述对向基板上；以及

液晶层，位于所述阵列基板与所述对向基板之间。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述对向基板包括彩膜层，所述彩膜层具有位于所述第一隔垫物上方的部分。

9.一种阵列基板的制作方法，包括：

在基底基板上形成多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极、和位于所述公共电极与所述像素电极之间的电极间绝缘层，所述多个子像素包括多个第一子像素和多个第二子像素；

在所述基底基板上形成覆盖所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层中设置有过孔，在所述每个子像素中所述像素电极形成在所述钝化层上且通过所述过孔连接到所述薄膜晶体管的漏极或源极，所述过孔包括第一过孔和第二过孔；

在每个所述第一子像素的所述第一过孔中形成主隔垫物；以及

在每个所述第二子像素的所述第二过孔中形成第二隔垫物，在所述基底基板上所述主隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度，

其中，所述主隔垫物包括第一隔垫物，所述第一隔垫物与所述第二隔垫物的分布比例为1:10～1:100，并且其中

所述主隔垫物还包括所述电极间绝缘层位于所述第一隔垫物上的部分；和/或所述公共电极位于所述第一隔垫物上的部分，

所述电极间绝缘层不具有位于所述第二隔垫物上的部分，所述公共电极不具有位于所述第二隔垫物上的部分。