CN103645589B - 显示装置、阵列基板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法,该阵列基板包括设置于其上的第一透明电极层和第二透明电极层,该第一透明电极层包括多个间隔设置的条状电极,该第二透明电极层位于两相邻该条状电极之间形成的间隙下方均设置有第一凸起,且各该条状电极与各该第一凸起对应的边缘向上翘起,以使各该条状电极边缘与该第二透明电极层形成的边缘电场向该条状电极边缘侧偏移。本发明可以有效的限定亚像素单元的边缘电场作用范围,即使在彩膜基板和阵列基板对盒发生轻微偏移的情况下,也不会对相邻的亚像素造成影响,因此可以有效降低两个相邻的亚像素混色的风险。

Description

显示装置、阵列基板及其制作方法

技术领域

[0001] 本发明涉及显示领域,尤其涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术

[0002] TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,薄膜场效应晶体 管-液晶显示器)按照显示模式主要分为TN(TwistNematic,旋转向列)、VA(Vertical Align,垂直取向)、IPS(InPlaneSwitch,横向电场)模式等,其中后两者为目前主流的宽 视角技术,基本解决了TN模式视角较窄和灰阶反转严重的问题。

[0003] ADSDS(AdvancedSuperDimensionSwitch,高级超维场转换技术)技术通过在同 一平面内狭缝像素电极边缘所产生的电场以及狭缝像素电极层与板状公共电极层间产生 的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生 旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD 产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波 纹(PushMura)等优点。

[0004] 随着产品分辨率的不断提高,像素的尺寸越来越小,对于像素开口率要求也不断 提高,所以黑矩阵宽度尽可能减小;同时由于ADSDS产品的公共电极一般为铟锡氧化物IT0 (IndiumTinOxides,铟锡氧化物)制作,其中IT0电阻较高,为了减小RC延迟并增加存储 电容,在设计公共电极时会尽可能增加公共电极的面积,一般地IT0和数据线会完全重叠 设计。

[0005] 如图1和图2所示,现有高分辨率的ADSDS产品包括阵列基板和彩膜基板,阵列基 板上设置有第一层IT0作为公共电极14',第二层IT0作为像素电极16'、公共电极14'和 像素电极16'之间的绝缘层15'和金属数据线12',彩膜基板上设置有多个黑矩阵22'、多 个亚像素单元231' /232'和有机平坦层24',各亚像素单元通常分为红、绿和蓝三种颜色的 亚像素单元,各亚像素单元231'和232'之间设置有黑矩阵22',且黑矩阵22'位于数据线 12'上方。

[0006] 图2为图1所示产品A-B方向的截面示意图,其中,有机平坦层13'、黑矩阵22'、 亚像素单元231'和232'、有机平坦层24'均可以采用树脂材料制作,绝缘层15'可以采用 氮化硅材料制作,液晶层31'位于阵列基板和彩膜基板中间,无电场作用时,液晶层31'中 的液晶分子无偏转,显示面板无出射光呈黑态,当对亚像素加载数据电压时,IT0像素电极 和IT0公共电极产生边缘电场32',位于边缘电场32'的作用区域内的液晶分子会发生偏 转,入射背光11'通过Panel的彩膜基板一侧形成出射光21'。

[0007] 如图3所示,由于高分辨率产品黑矩阵宽度一般都小于6. 0ym,黑矩阵和数据线 的重叠宽度较小,如果彩膜基板和阵列基板对盒向一侧发生轻微偏移时,像素IT0和公共 IT0形成的边缘电场范围会接近甚至超出黑矩阵另一侧,即液晶层偏转的范围会接近甚至 超出黑矩阵另一侧,当IXD单独显示红、绿、蓝画面,即对第一个亚像素单元231'加载数据 电压,相邻亚像素单元232'不加载电压,则除第一个亚像素单元231'的出射光21'以外, 在靠近相邻亚像素单元232'的黑矩阵一侧会有较轻微的出射光25',因此会导致第一个亚 像素单元231'的单色出射光(如红)与相邻亚像素单元232'的出射单色光(如绿)发生混 色(如黄色),且该问题在侧视角情况下会更加严重。

发明内容

[0008] (-)要解决的技术问题

[0009] 本发明要解决的技术问题是:如何降低由于彩膜基板和阵列基板对盒发生轻微偏 移而造成的亚像素混色风险。

[0010] (二)技术方案

[0011] 为解决上述技术问题,本发明提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括设置于其 上的第一透明电极层和第二透明电极层,所述第一透明电极层包括多个间隔设置的条状 电极,所述第二透明电极层位于两相邻所述条状电极之间形成的间隙下方均设置有第一凸 起,且各所述条状电极与各所述第一凸起对应的边缘向上翘起,以使各所述条状电极边缘 与所述第二透明电极层形成的边缘电场向所述条状电极边缘侧偏移。

[0012] 进一步地,所述第一透明电极层为像素电极层,所述第二透明电极层为公共电极 层。

[0013] 进一步地,所述阵列基板还包括设置于所述第二透明电极层下方的有机平坦层, 所述有机平坦层上与各所述第一凸起相对应的位置均设置有第二凸起。

[0014] 进一步地,所述阵列基板还包括设置于所述第二透明电极层与所述第一透明电极 层之间的绝缘层,所述绝缘层与各所述条状电极的向上翘起的边缘部分对应的位置均向上 翅起。

[0015] 进一步地,所述第一凸起的截面轮廓呈三角形或抛物线形。

[0016] 进一步地,所述条状电极的向上翘起的边缘部分翘起角度小于90度。

[0017] 进一步地,所述第一凸起的宽度为3.0~6.0ym,所述第一凸起的高度为2.0~ 4. 0um〇

[0018] 进一步地,所述条状电极的向上翘起的边缘部分宽度为2. 0~3. 0ym,所述边缘 部分向上翘起的高度为2. 0~3. 0ym。

[0019] 为解决上述问题,本发明还提供一种显示装置,包括彩膜基板,所述彩膜基板上设 置有多个黑矩阵和多个亚像素单元,各所述所述亚像素单元间隔设置于所述黑矩阵之间, 还包括如上述任意一种的阵列基板,各所述亚像素单元之间的黑矩阵与所述阵列基板中第 二透明电极层上设置的凸起的位置相对应。

[0020] 为解决上述问题,本发明还提供一种阵列基板的制作方法,包括:

[0021] 在基板上沉积导电薄膜层,通过构图工艺形成包括第一透明电极层和第二透明电 极层的图形,所述第一透明电极层包括多个间隔设置的条状电极,每两相邻条状电极之间 形成的间隙下方的第二透明电极层均设置第一凸起,且各所述条状电极与各所述凸起对应 的边缘向上翘起,以使各所述条状电极边缘与所述第二透明电极层形成的边缘电场向所述 条状电极边缘侧偏移。

[0022] 进一步地,所述步骤包括:

[0023] 在基板上沉积第一导电薄膜层以作为第二透明电极层,且所述第二透明电极层在 待形成的各条状电极之间形成的间隙下方的位置均设置有第一凸起;

[0024] 在完成前述步骤的基板上沉积第二导电薄膜层,通过构图工艺形成包括各所述条 状电极的图形,且各所述条状电极与各所述第一凸起对应的边缘向上翘起。

[0025] 进一步地,在所述在基板上沉积第一导电薄膜层以作为第二透明电极层,且所述 第二透明电极层在待形成的各条状电极之间形成的间隙下方的位置均设置有第一凸起,之 前还包括:

[0026] 在基板上沉积第一绝缘薄膜层以作为有机平坦层,所述有机平坦层位于所述第二 透明电极层下方,且所述有机平坦层上设置有多个第二凸起,各所述第二凸起与各所述第 一凸起位置相对应。

[0027] 进一步地,在所述在基板上沉积第一导电薄膜层以作为第二透明电极层,且所述 第二透明电极层在待形成的各条状电极之间形成的间隙下方的位置均设置有第一凸起,之 后还包括;

[0028] 在完成沉积第一导电薄膜层的基板上沉积第二绝缘薄膜层以作为所述第二透明 电极层与所述第一透明电极层之间的绝缘层,且所述绝缘层上设置有多个翘起部分,各所 述翘起部分与各所述条状电极的向上翘起的边缘部分对应。

[0029] 进一步地,所述第一凸起的截面轮廓呈三角形或抛物线形。

[0030] 进一步地,所述条状像电极的向上翘起的边缘部分翘起角度小于90度。

[0031](三)有益效果

[0032] 本发明通过在第二透明电极层位于两相邻条状电极之间形成的间隙下方设置第 一凸起,且将条状电极与第一凸起对应的边缘设置为向上翘起的形状,从而使该条状电极 边缘与第二透明电极层形成的边缘电场向该条状电极边缘侧偏移,有效的限定亚像素的边 缘电场作用范围,即使在彩膜基板和阵列基板对盒发生轻微偏移的情况下,也不会对相邻 的亚像素造成影响,因此可以有效降低两个相邻的亚像素混色的风险。

附图说明

[0033] 图1是现有技术提供的一种阵列基板的俯视图;

[0034] 图2是现有技术提供的一种阵列基板的截面图;

[0035] 图3是现有技术提供的一种阵列基板对盒偏移时的截面图;

[0036]图4是本发明实施方式提供的一种阵列基板的截面图;

[0037]图5为本发明实施方式提供的一种阵列基板对盒偏移时的截面图。

具体实施方式

[0038] 下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施 例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。

[0039] 本发明实施方式提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括设置于其上的第一透明 电极层和第二透明电极层,所述第一透明电极层包括多个间隔设置的条状电极,所述第二 透明电极层位于两相邻所述条状电极之间形成的间隙下方均设置有第一凸起,且各所述条 状电极与各所述第一凸起对应的边缘向上翘起,以使各所述条状电极边缘与所述第二透明 电极层形成的边缘电场向所述条状电极边缘侧偏移。

[0040] 本发明实施方式提供的阵列基板,通过在第二透明电极层位于两相邻条状电极之 间形成的间隙下方设置第一凸起,且将条状电极与第一凸起对应的边缘设置为向上翘起的 形状,从而使该条状电极边缘与第二透明电极层形成的边缘电场向该条状电极边缘侧偏 移,有效的限定亚像素的边缘电场作用范围,即使在彩膜基板和阵列基板对盒发生轻微偏 移的情况下,也不会对相邻的亚像素造成影响,因此可以有效降低两个相邻的亚像素混色 的风险。

[0041] 其中,所述第一透明电极层可以为像素电极层,所述第二透明电极层可以为公共 电极层。

[0042] 具体地,上述第一凸起的结构可以采用多种方式形成,例如,在形成公共电极层 时,可以将公共电极层中预设位置上的厚度形成为大于其他位置上的厚度,以便在该预设 位置上形成第一凸起;或者是首先在公共电极层下方的有机平坦层形成第二凸起,而后在 有机平坦层上形成公共电极层,以便在公共电极层与第二凸起对应的位置上形成第一凸 起。同理,像素电极中条状电极翘起的结构也可以通过上述方法形成。

[0043] 优选地,所述阵列基板还包括设置于所述第二透明电极层下方的有机平坦层,所 述有机平坦层上与各所述第一凸起相对应的位置均设置有第二凸起,从而对该第一凸起起 到支撑的作用。

[0044] 优选地,所述阵列基板还包括设置于所述第二透明电极层与所述第一透明电极层 之间的绝缘层,所述绝缘层与各所述条状电极的向上翘起的边缘部分对应的位置均向上翘 起,从而能够对条状电极的向上翘起的边缘部分起到相应的支撑作用。

[0045] 图4为本发明实施方式提供的一种阵列基板的截面图,所述阵列基板包括设置于 其上的像素电极层16和公共电极层14,像素电极层16包括两个间隔设置的条状电极16a 和16b,该阵列基板上设置有彩膜基板,该彩膜基板上设置有黑矩阵22、亚像素单元231和 232以及彩膜基板的有机平坦层24,其中,亚像素单元231和232之间设置有黑矩阵22,且 黑矩阵22位于数据线12上方,其中,条状电极16b为亚像素单元231对应的像素电极,条 状电极16a为亚像素单元232对应的像素电极,公共电极层14位于条状电极16a和16b之 间形成的间隙下方设置有第一凸起14a,其中,条状电极16b与第一凸起14a对应的边缘向 上翘起,条状电极16a与第一凸起14a对应的边缘向上翘起,以便第一凸起14a与条状电极 16b形成亚像素单元231的边缘电场32,第一凸起14a与16a形成亚像素232的边缘电场 33,从图4中可以看出,该边缘电场32和33方向不相同,边缘电场32和33以经过凸起14a 的分界19为界限,当彩膜基板和阵列基板对盒发生轻微偏移时,使得像素电极层16上方的 黑矩阵22向亚像素单元231所在一侧偏移,参见图5,公共电极层14的凸起14a分为两个 方向,同时亚像素单元231中的条状电极16b的边缘部分也具有一定方向,当对亚像素单元 231加载数据电压时,亚像素单元231的边缘电场32作用范围未超出经过第一凸起17a的 分界19,且由于分界19仍位于黑矩阵22的下方,因此,亚像素单元231的边缘电场32未影 响到亚像素单元232,可以有效防止相邻的亚像素单元232区域内的液晶31发生偏转,从而 使背光11只能透过亚像素单元231发出出射光21,而不能使背光11透过亚像素单元232, 进而降低亚像素单元231和亚像素单元232之间混色的风险。

[0046] 其中,参见图4,该阵列基板还包括设置于公共电极层14下方的阵列基板的有机 平坦层13,该有机平坦层13上与第一凸起14a相对应的位置设置有第二凸起17,以便对该 第一凸起14a起到支撑作用。

[0047] 此外,该阵列基板还包括设置于公共电极层14和像素电极层16之间的绝缘层15, 该绝缘层15与条状电极16a和16b的向上翘起的边缘部分对应的位置均向上翘起,例如, 在亚像素单元232中,可以将绝缘层中与条状电极16a的向上翘起的边缘部分对应的位置 18设置为向上翘起状态。

[0048] 本发明实施方式提供的阵列基板,该第一凸起的截面轮廓可以呈三角形或抛物线 形,优选地,可以为等腰三角形,该第一凸起的宽度可以为3. 0~6. 0ym,高度可以为2. 0~ 4. 0um〇

[0049] 本发明实施方式提供的阵列基板,像素电极层16的厚度可以为500A.绝缘层 15可以采用氮化硅材料制作,厚度可以为2OQ01,条状电极的向上翘起的边缘部分翘起 角度可以小于90度,其向上翘起的边缘部分宽度可以为2. 0~3. 0iim,边缘部分向上翘起 的高度可以为2. 0~3. 0ym,公共电极层14的厚度可以为700A,有机平坦层13可以采 用树脂材料制作,厚度可以为2. 0um〇

[0050] 本发明实施方式提供的阵列基板,通过在公共电极层位于两相邻条状电极之间形 成的间隙下方设置第一凸起,且将条状电极与第一凸起对应的边缘设置为向上翘起的形 状,从而使该条状电极边缘与公共电极层形成的边缘电场向该条状电极边缘侧偏移,有效 的限定亚像素的边缘电场作用范围,即使在彩膜基板和阵列基板对盒发生轻微偏移的情况 下,也不会对相邻的亚像素造成影响,因此可以有效降低两个相邻的亚像素单元混色的风 险。

[0051] 此外,本发明还提供一种显示装置,包括彩膜基板,所述彩膜基板上设置有多个黑 矩阵和多个亚像素单元,各所述所述亚像素单元间隔设置于所述黑矩阵之间,还包括上述 任意一种的阵列基板,各所述亚像素单元之间的黑矩阵与所述阵列基板中第二透明电极层 上设置的凸起的位置相对应。

[0052] 其中,该显示装置可以为:液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电 脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

[0053] 此外,本发明还提供一种阵列基板的制作方法,包括:

[0054] 在基板上沉积导电薄膜层,通过构图工艺形成包括第一透明电极层和第二透明电 极层的图形,所述第一透明电极层包括多个间隔设置的条状电极,每两相邻条状电极之间 形成的间隙下方的第二透明电极层均设置第一凸起,且各所述条状电极与各所述凸起对应 的边缘向上翘起,以使各所述条状电极边缘与所述第二透明电极层形成的边缘电场向所述 条状电极边缘侧偏移。

[0055] 其中,上述步骤具体包括:

[0056] 在基板上沉积第一导电薄膜层以作为第二透明电极层,且所述第二透明电极层在 待形成的各条状电极之间形成的间隙下方的位置均设置有第一凸起;

[0057] 在完成前述步骤的基板上沉积第二导电薄膜层,通过构图工艺形成包括各所述条 状电极的图形,且各所述条状电极与各所述第一凸起对应的边缘向上翘起。

[0058] 优选地,在所述在基板上沉积第一导电薄膜层以作为第二透明电极层,且所述第 二透明电极层在待形成的各条状电极之间形成的间隙下方的位置均设置有第一凸起,之前 还包括:

[0059] 在基板上沉积第一绝缘薄膜层以作为有机平坦层,所述有机平坦层位于所述第二 透明电极层下方,且所述有机平坦层上设置有多个第二凸起,各所述第二凸起与各所述第 一凸起位置相对应。

[0060] 优选地,在所述在基板上沉积第一导电薄膜层以作为第二透明电极层,且所述第 二透明电极层在待形成的各条状电极之间形成的间隙下方的位置均设置有第一凸起,之后 还包括;

[0061] 在完成沉积第一导电薄膜层的基板上沉积第二绝缘薄膜层以作为所述第二透明 电极层与所述第一透明电极层之间的绝缘层,且所述绝缘层上设置有多个翘起部分,各所 述翘起部分与各所述条状电极的向上翘起的边缘部分对应。

[0062] 优选地,所述第一凸起的截面轮廓呈三角形或抛物线形。

[0063] 优选地,所述条状像电极的向上翘起的边缘部分翘起角度小于90度。

[0064] 以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通 技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有 等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (15)

1. 一种阵列基板,所述阵列基板包括设置于其上的第一透明电极层和第二透明电极 层,所述第一透明电极层包括多个间隔设置的条状电极,其特征在于,所述第二透明电极层 位于两相邻所述条状电极之间形成的间隙下方均设置有第一凸起,且各所述条状电极与各 所述第一凸起对应的边缘向上翘起,以使各所述条状电极边缘与所述第二透明电极层形成 的边缘电场向所述条状电极边缘侧偏移。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一透明电极层为像素电极层, 所述第二透明电极层为公共电极层。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述第 二透明电极层下方的有机平坦层,所述有机平坦层上与各所述第一凸起相对应的位置均设 置有第二凸起。
4. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述第 二透明电极层与所述第一透明电极层之间的绝缘层,所述绝缘层与各所述条状电极的向上 翘起的边缘部分对应的位置均向上翘起。
5. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一凸起的截面轮廓呈三角形 或抛物线形。
6. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述条状电极的向上翘起的边缘部 分翘起角度小于90度。
7. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一凸起的宽度为3.0~ 6. 0ym,所述第一凸起的高度为2. 0~4. 0ym。
8. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述条状电极的向上翘起的边缘部 分宽度为2. 0~3. 0ym,所述边缘部分向上翘起的高度为2. 0~3. 0ym。
9. 一种显示装置,包括彩膜基板,所述彩膜基板上设置有多个黑矩阵和多个亚像素单 元,各所述所述亚像素单元间隔设置于所述黑矩阵之间,其特征在于,还包括如权利要求 1-8任意一项所述的阵列基板,各所述亚像素单元之间的黑矩阵与所述阵列基板中第二透 明电极层上设置的凸起的位置相对应。
10. -种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括: 在基板上沉积导电薄膜层,通过构图工艺形成包括第一透明电极层和第二透明电极层 的图形,所述第一透明电极层包括多个间隔设置的条状电极,每两相邻条状电极之间形成 的间隙下方的第二透明电极层均设置第一凸起,且各所述条状电极与各所述凸起对应的边 缘向上翘起,以使各所述条状电极边缘与所述第二透明电极层形成的边缘电场向所述条状 电极边缘侧偏移。
11. 根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述步骤包括: 在基板上沉积第一导电薄膜层以作为第二透明电极层,且所述第二透明电极层在待形 成的各条状电极之间形成的间隙下方的位置均设置有第一凸起; 在完成前述步骤的基板上沉积第二导电薄膜层,通过构图工艺形成包括各所述条状电 极的图形,且各所述条状电极与各所述第一凸起对应的边缘向上翘起。
12. 根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在所述在基板上沉积第一导电薄膜层 以作为第二透明电极层,且所述第二透明电极层在待形成的各条状电极之间形成的间隙下 方的位置均设置有第一凸起,之前还包括: 在基板上沉积第一绝缘薄膜层以作为有机平坦层,所述有机平坦层位于所述第二透明 电极层下方,且所述有机平坦层上设置有多个第二凸起,各所述第二凸起与各所述第一凸 起位置相对应。
13. 根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在所述在基板上沉积第一导电薄膜层 以作为第二透明电极层,且所述第二透明电极层在待形成的各条状电极之间形成的间隙下 方的位置均设置有第一凸起,之后还包括; 在完成沉积第一导电薄膜层的基板上沉积第二绝缘薄膜层以作为所述第二透明电极 层与所述第一透明电极层之间的绝缘层,且所述绝缘层上设置有多个翘起部分,各所述翘 起部分与各所述条状电极的向上翘起的边缘部分对应。
14. 根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述第一凸起的截面轮廓呈三角形或 抛物线形。
15. 根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述条状像电极的向上翘起的边缘部 分翘起角度小于90度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103645589B (zh) 2013-12-10 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板及其制作方法
CN103984144A (zh) * 2014-05-13 2014-08-13 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104166280A (zh) 2014-07-24 2014-11-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104298018B (zh) * 2014-09-23 2018-05-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
CN204166255U (zh) 2014-10-16 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN104898332A (zh) * 2015-06-16 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US20180275437A1 (en) * 2015-08-31 2018-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display panel and method of producing display panel
CN105789223A (zh) * 2016-05-16 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN106483709A (zh) * 2017-01-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、阵列基板和显示装置
CN107290902B (zh) * 2017-06-23 2019-11-15 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 边缘电场液晶显示面板
CN107561793A (zh) * 2017-09-26 2018-01-09 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716011A (zh) * 2004-04-26 2006-01-04 夏普株式会社 液晶显示器件
CN101211072A (zh) * 2006-12-25 2008-07-02 索尼株式会社 液晶显示装置和显示设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6642983B2 (en) * 2001-01-05 2003-11-04 Industrial Technology Research Institute Multi-domain liquid crystal display having concave virtual bump structures
TW565720B (en) * 2002-02-20 2003-12-11 Hannstar Display Corp Liquid crystal display with a wide viewing angle
US20050270462A1 (en) 2004-05-21 2005-12-08 Norio Koma Liquid crystal display device
US8654292B2 (en) * 2009-05-29 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101711474B1 (ko) * 2010-11-15 2017-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조 방법
JP5645203B2 (ja) * 2010-11-25 2014-12-24 三菱電機株式会社 液晶表示パネル及び液晶表示装置
JP2012220575A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Japan Display East Co Ltd 液晶表示装置
JP5632339B2 (ja) 2011-08-05 2014-11-26 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR102045504B1 (ko) * 2013-03-27 2019-11-18 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
CN103645589B (zh) 2013-12-10 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板及其制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716011A (zh) * 2004-04-26 2006-01-04 夏普株式会社 液晶显示器件
CN101211072A (zh) * 2006-12-25 2008-07-02 索尼株式会社 液晶显示装置和显示设备

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