CN101601143B - 薄膜发光二极管芯片和用于制造薄膜发光二极管芯片的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及带有层堆叠(2)的一种薄膜发光二极管芯片(1)，该层堆叠具有第一主辐射面(3)和相对的第二主辐射面(4)，使得该薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个主辐射方向(5，6)。不仅在第一主辐射面(3)上而且在第二主辐射面(4)上设置措施(7，8)用于改善在层序列(2)中产生的光的输出耦合。此外，本发明涉及用于制造薄膜发光二极管芯片(1)的一种方法。
Description
该专利申请要求德国专利申请10 2007 004 304.1的优先权，对此通过引用将其公开内容纳入本文中。
本发明涉及一种薄膜发光二极管芯片及其制造方法。
在公开文献DE 100 40 448 A1中描述了半导体芯片和用于以薄膜技术制造半导体芯片的方法。在衬底上设置由活性的层序列和底层组成的层复合(Schichtverbund)。此外，在剥离衬底之前，给层复合添加加固层和辅助载体层，这两层以电镀的方式施加在底层上。为了处理由层复合组成的半导体芯片，在分开的衬底的一侧上压制箔。
从实用新型文件DE 202 200 258 U1中已知一种半导体芯片，该半导体芯片包括在衬底上生长的半导体层，该半导体层是由衬底通过带有脉冲激光束的照射分离的，并且是用它的与衬底分开的一侧接合(aufgebondet)到载体上的。
本发明的任务是，给出带有改善的辐射的薄膜发光二极管芯片。此外应该给出一种方法，通过该方法可以用简单的方式制造具有良好的光辐射的薄膜发光二极管芯片。
通过带有层堆叠(Schichtenstapel)的薄膜发光二极管芯片解决这个任务，该层堆叠具有第一主辐射面和相对的第二主辐射面，使得该薄膜发光二极管芯片具有至少两个主辐射方向，其中，不仅在第一主辐射面上而且在第二主辐射面上设置措施(Massnahme)用于改善在层序列(Schichtenfolge)中产生的光的输出耦合。
在方法方面该任务通过用于制造薄膜发光二极管芯片的方法解决该任务，该方法具有如下步骤：在生长衬底上构造尤其是由半导体材料构成的适用于发光的层序列，在活性的层序列的第一侧上构造第一导电接触材料层，结构化用于构造接触面的第一接触材料层，将结构化的第一接触材料层与载体相联接，去除生长衬底，在与活性的层序列的第一侧相对的活性的层序列的第二侧上构造第二导电接触材料层，结构化用于构造接触面的第二接触材料层并且从载体中分离结构化的第一接触材料层。
薄膜发光二极管芯片也就是指半导体元件，该半导体元件在主辐射方向上发光。其中，该辐射优选在两个主辐射方向上对称。对此的必要的条件是，在薄膜发光二极管芯片的每一侧上都没有可能吸收光的衬底层。至少通过薄膜发光二极管芯片的优选对称的构造确保了，辐射特征在两个主辐射方向上是相同的。
通过如下方式，即在主辐射面上设置了措施，以便改善在层序列中产生的光的输出耦合，提高了薄膜发光二极管芯片的效率。在层堆叠的界面上实现从一侧的层堆叠的材料中到另一例的周围的材料中的折射的突变。由此达到了层堆叠过渡到周围中的光的折射。分别根据角度可以达到全反射，在该角度中光束及光子冲击到界面上。基于层堆叠的平行的表面，反射的光束以相同的角度冲击在相对的界面上，使得那里也出现全反射。结果是，光束在层堆叠中逐渐消失(totlaeuft)，并且因此可能对光辐射不起作用。通过如下方式，即在两侧上设置措施用于改善在层序列中产生的光的输出耦合，来改变光束冲击到表面上的角度。
在用于改善输出耦合的措施的情况下首先可以理解为表面结构化。尤其是指光输出耦合大致通过微型棱镜结构化或主辐射面的粗糙度提高来实现。正如在本发明中的有利的方案，假如提供了表面的粗糙化(Aufrauen)，就由此形成改善光输出耦合的不规则的表面。正如在本发明中的另一个有利的方案中，假如设置了输出耦合棱镜，就在输出耦合棱镜的区域中同样产生到界面上的光束的入射角度，该入射角度不同于到主辐射面的与输出耦合棱镜邻近的区域中的入射角度。因此，在主辐射面的不同区域中产生界面的不同情况，这改善了光的输出耦合。
其他的措施是例如将光子晶体用作层堆叠的主辐射面上的层。由此得到，将辐射的一部分转向，该部分在与临界角θ相同的或比其更大的角度的情况下冲击光子晶体，转向方式使得该部分在比临界角θ更小的角度的情况下冲击辐射输出耦合面，并且因此可以输出耦合。
除了光学功能，光子晶体也可以实施电气功能，并且如此实现，即该光子晶体用于电流扩大，也就是说通过接触面输送的电流在光子晶体中分布到层堆叠的与接触面相比更大的面上。
优选地，不仅提供了光子晶体的应用，也提供了用于改善输出耦合的措施，例如通过表面结构化。
根据本发明的薄膜发光二极管芯片的特点在如下可见，即设置措施用于改善在层序列中产生的光在层序列的两个表面上的输出耦合。因为用于产生薄膜发光二极管芯片的传统技术不允许同时在层堆叠的两侧上形成构造类型相同的表面。
根据本发明的方法使得制造对称的薄膜发光二极管芯片成为可能，通过该芯片，通过结构化的接触材料层可以在层序列的两侧上形成接触面，以及可以实现用于改善光输出耦合的措施。在生长衬底首先用于层序列的必要的稳定性时，并且可以由此实现接触材料层或者之后的接触面和用于改善在一侧上的光输出耦合的措施，就接下来把临时的载体层施加在已经结构化的侧上，使得可以在另一侧上去除生长衬底并且可以处理第二侧以便构造接触面或者用于改变用于改善在层序列第二侧上的光输出耦合的措施。
其他的、用于改善根据本发明的薄膜发光二极管芯片的效率的措施在于，如此构造接触面，使得在面向层序列的侧上对该接触面镜面化。由此不在接触面中吸收光，而是反射并且在相对的侧上辐射。由于涉及到在两个主辐射方向上发出光的元件，就不会失去反射的光，而是把光发射到相反的主辐射方向中。
为了改善电流扩大可以把铟锡氧化物(ITO)层施加在层序列的两个表面之一上或层序列的两个表面上。优选地把ITO层施加在p型掺杂的层序列的表面上，由此在薄膜发光二极管芯片的p型掺杂侧上有利地改善侧向的横向导电率。
优选地，把接触面施加在ITO层上，该ITO层优选设置在p型掺杂的层序列的表面上。其中，可以把ITO层整个面地施加在p型掺杂的层序列的表面上。
在薄膜发光二极管芯片的其他的方案中可以把布拉格镜施加在层序列的表面之一上。由此可以把在层序列中产生的光优选地在与布拉格镜相对的侧上，即仅仅在两个主辐射方向之一中输出耦合。备选地可以把介质镜施加在层序列的表面之一上。通过施加在层序列的表面上的镜，人们获得一侧发射的无衬底的薄膜发光二极管芯片，该薄膜发光二极管芯片具有极小的厚度，该厚度优选地位于在5μm和7μm之间范围内。
根据本发明的芯片和根据本发明的方法的其他优选的方案在从属权利要求中说明。
附图说明
接下来利用实施例进一步阐述本发明。其中：
图1显示了通过根据本发明的薄膜发光二极管芯片的截面，
图2显示了图1的薄膜发光二极管芯片的主辐射面之一的俯视图，
图3显示了带有另外构成的接触面的薄膜发光二极管芯片的三维视图，
图4显示了根据图1或图3的薄膜发光二极管芯片的装置和透明的载体箔，以及
图5A至5H显示了在制造的不同阶段中的根据图1或图3的薄膜发光二极管芯片。
在图1中显示了薄膜发光二极管芯片，该薄膜发光二极管芯片在两个主辐射面上沿两个主辐射方向发光。
薄膜发光二极管芯片的优点尤其通过以下典型特征表现：
-外延层序列具有20μm的范围的或以下范围的厚度，尤其是指10μm的范围中的厚度；和
-外延层序列包括带有至少一个面的至少一个半导体层，其具有混匀结构(Durchmischungssruktur)，该混匀结构在理想情况下导致了在外延的外延层序列中的光的近似遍历的分布，也就是说该混匀结构具有尽可能遍历随机的散射性能。
例如在文章I.Schnitzer等人的，Appl.Phys.Lett.63(16)，18.Oktober 1993，2174-2176中描述了薄膜发光二极管芯片的基本原理，其公开内容就此而言通过引用纳入本文。
薄膜发光二极管芯片类似于朗伯表面辐射器，并且因此特别好地适用于在探照灯中的应用。
在本发明中，层复合具有活性的层序列用于产生电磁辐射，该电磁辐射优选地外延地生长在生长衬底上。为了制订多个薄膜发光二极管芯片，就把大面积的层序列分开为单独的层堆叠。这样所谓的分开可以例如通过锯切产生。在本发明的实施例的以下详细的描述中描述单独的薄膜发光二极管芯片的构建，以用描述用于制造这样的芯片的方法。显然本发明也延伸到类似的多个薄膜发光二极管芯片的共同的制造上，之后分开这些薄膜发光二极管芯片。
在根据图1的典型的方案中设置了p型掺杂的半导体层11和n型掺杂的半导体层12，他们组成发光的层序列。其中，优选地设置了作为半导体材料的氮化合物半导体，这意味着，活性的层堆叠或其中的至少一层是氮III/V化合物半导体材料(Nitrid-III/V-Verbindungshalbleitermaterial)，优选地是AlnGamIn1-n-mN，其中，0≤n≤1，0≤m≤1和n+m≤1。其中，这个材料不强制地必须具有根据上述公式的数学上精确的组成。而是该材料可以具有一个或多个掺杂物以及附加的成分，该成分基本上不改变半导体材料的典型的物理特征。为了简单起见，即使这些成分可以通过少量其他的材料(例如P)部分地代替，上述公式只包含晶格(Al，Ga，En，N)的主要成分。具有氮化合物半导体的薄膜发光二极管芯片主要发射带有波长在可见光谱的短波范围中的辐射。
薄膜发光二极管芯片的其他的构造在上侧和下侧上是同样的，因此下文中只参考上侧3。该上侧3组成主辐射面的一个，其中第一主辐射方向5垂直于这个面。在根据图1的实施例中，相应于本发明的不同方面，来改变若干措施。也可以在本发明的反常的(abweichend)实施中相互独立地实现单独的措施。
第一措施是使表面3粗糙化，其中，通过粗糙部(Aufrauung)7达到在层序列2中产生的光的输出耦合性能的改善。在粗糙部7的范围中光碰到显著不同的出口角，使得提高了用不导致全反射的角度冲击界面的概率。这些粗糙部优选地通过蚀刻，即在湿式化学的方法中产生。晶体通常在上侧和下侧上在蚀刻时具有不同的特征，使得可以有以下优点，即使用不同方法来使不同侧粗糙化或结构化。
另外的措施是设置输出耦合棱镜8，代替粗糙部或者在与这些粗糙部的结合中可以设置该输出耦合棱镜。通过输出耦合棱镜同样改变相对于表面3的邻近的范围的角度，光束使用该角度冲击通向周围的界面。因此存在着提高的如下情况的概率，即进入到这个范围中的光束之前已经在表面3或4的另一个位置处反射。
照相平板印刷地对输出耦合棱镜结构化。例如由SiO2或SiN制成的层可以作为蚀刻掩模应用，之后可进行干性化学蚀刻。
第三措施是对接触面9的下侧镜面化。其中，该下侧是接触面的指向活性的层序列2的那些侧。通过镜面化部分(Verspiegelung)10在层序列2中产生光，该光通常冲击到接触面9上，并且在那里以比较大的概率吸收，通过镜面化部分10光重新反射到层序列2中，其中，这个光然后冲击到相对的界面上并且在那里可以离开层序列2。用镜面化部分设置的接触面9实现了效率提高，因为更少的光被吸收，就把总共产生的光的更大的部分沿主辐射方向5或6之一发射。
作为显示的和描述的方案的变型，电气接触部9可以设置在输出耦合棱镜8上。上面的和下面的接触部9的应用同样是可能的，使得产生不同的空间位置。其中，辐射特性基本上保持对称。
为了改善电流扩大，可以把铟锡氧化物(ITO)层施加在半导体层11、12的两个表面之一上或半导体层11、12的两个表面上(未示出)。优选地把ITO层施加在p型掺杂的半导体层11的表面上，其中，在薄膜发光二极管芯片的p型掺杂的侧上有利地改善侧向横向导电率。在这种情况下接触面9设置在ITO层上，该接触面9优选地配备有镜面化部分10。其中，ITO层整个面地施加在p型掺杂的半导体层11的表面上。
带有层11和12的层堆叠2典型地具有小于20μm的高度，优选地小于10μm。在本发明的特别有利的方案中层堆叠具有7μm的高度。层堆叠的极小的高度的优点是，薄膜发光二极管芯片由此是挠性的并且存在的如下危险(即通过机械应力破坏该薄膜发光二极管芯片)变小。由此用根据本发明的薄膜发光二极管芯片可以制造挠性的、发光的箔。
为了保护芯片或者把其嵌入到更大的单元中，在图1中显示的芯片可以配备有覆盖层。该覆盖层可以包含转换器材料(Konvertermaterial)，该转换器材料通过荧光，将由层堆叠产生和发射的光完全或部分地转换成另外的波长(通常是更长波)的光。其中，发光物质由在层堆叠中产生的光激励，使得该发光物质自身发射辐射。转换器材料可以正如所提及地集成在覆盖层中，但是也可以构造附加的转换器层。
在根据图2的俯视图中可以看出，接触面框架形地设置在活性的层序列2的上侧3上。框架形的方案的优点是，使用非常少的面积，使得光发射可用的面积最大化。但是同时确保了薄膜发光二极管芯片的表面上良好的电流分布。在芯片的角上可以看到接合面20，该接合面用于以后使用导电线路(Leiterbahn)或接合线来与薄膜发光二极管芯片接触。利用图1描述的用于改善在层序列中产生的光的输出耦合的措施同样地设置在根据图2的芯片中，但是在该图中未示出。
图3显示了根据本发明的薄膜发光二极管芯片1的三维视图。正如在图2中所示，在这个图中未示出用于改善光输出耦合的措施。与根据图1和图2的实施不同，在图3中在主辐射面的表面的中心区域中设了闭合的接触面9。该接触面覆盖了主辐射面的只有百分之10至20，使得提供足够大的面积用于光辐射。
在图4中可以看出，为了实现准备好使用的装置，如何把根据本发明的薄膜发光二极管芯片1与载体箔13相联接。为了使两个主辐射方向上的辐射成为可能，其间容纳了薄膜发光二极管芯片1的载体箔13由透明的材料制成。为了使发光二极管芯片的电气接触成为可能，在载体层13的面向薄膜发光二极管芯片的侧上可以设置接触轨道14。优选地产生通过铟锡氧化物(ITO)接触部的接触，使得金属不是必须的。备选地，接触轨道14可以具有金或锡。
当发光二极管芯片1的接触面位于发光二极管芯片1的一侧上时，在图4的装置的变型中可以是有利的。然后只有载体箔13中的一个配备有接触轨道14，并且装置的连接得到简化。
在图4的装置的变型中可以把布拉格镜施加在半导体层11、12的表面之一上。由此可以把在层序列中产生的光优选地在与布拉格镜相对的侧上，即仅仅沿两个主辐射方向之一输出耦合。备选地，可以把介质镜施加在半导体层11、12的表面之一上。通过施加在半导体层11、12的表面之一上的镜，人们得到一侧发射的无衬底的薄膜发光二极管芯片，该薄膜发光二极管芯片具有极小的厚度，该厚度优选地位于在5μm和7μm之间的范围中。
接下来利用图5A至5H阐述，为了制造薄膜发光二极管芯片，根据本发明的方法实施哪些步骤。在第一步骤中，在生长衬底15上构造带有层11和12的、适用于光发射的层序列。这可以例如通过若干不同的层的外延的生长在蓝宝石衬底或SiC衬底上产生，该若干不同的层优选地包含氮化合物半导体。
在图5B中描述了其他的制造步骤，其中，接触材料层16施加在带有层11和12的活性的层序列上。接触材料层16是导电的。特别有利的是，当接触材料层16的制造如此进行，使得在下侧上形成镜面化部分，该镜面化部分将在活性的层序列中产生的光没有损失或者只有极少的损失的情况下反射。例如通过银层或包含银的层实现镜面化部分。
接触材料层16可以整个面地施加在带有层11和12的活性的层序列上。备选地，接触材料层16可以例如通过掩膜来部分地施加在如下位置处，即以后应该在该位置处构造接触面。
在根据图5B的描述中接触材料层16是整个面地施加的。
在根据图5C的制造步骤中对接触材料层16结构化，使得接触面9保存下来，并且去除接触材料层16的其余部分。同时地或者在接下来的步骤中可以使带有层11和12的层序列的表面粗糙化，以便改善在活性的层序列中产生的光的输出耦合。在本方法的备选的方案中，在施加接触材料层之前，实施粗糙化。然后在接触材料层的结构化之后已经存在了该粗糙部。
在根据图5D的另外的制造步骤中，把载体17施加在接触材料层16的剩余部分上，该接触材料层根据图5D只由接触面9组成。施加载体17之后，通过载体17确保了带有层11和12的层序列对于进一步处理的稳定性，使得可以去除生长衬底15。在图5E中描述相应的步骤。生长衬底15的剥离可以例如通过激光剥离方法实现，正如例如从WO98/14986中已知的。在激光剥离方法中，主要通过生长衬底15辐射生长衬底15和活性的层序列之间的界面，该层序列带有电磁辐射，使得在该界面上通过辐射的吸收产生材料分解。由此可以基本上无破坏地相互分离生长衬底15和活性的层序列2。生长衬底15甚至可以重新施加。生长衬底的剥离可以备选地通过蚀刻或其他合适的取下方法(Abhebeverfahren)进行。
为了也在另外的侧上取得适用于光辐射且同时接触的面结构，在其他的制造步骤中根据图5F把第二接触材料层18施加在活性的层序列的另外的侧上。正如也在第一接触材料层16中，接下来对第二接触材料层18结构化(图5G)，使得得到接触面9。为了改善输出耦合，同时或接下来可以实现下表面的粗糙部。在这个处理步骤期间，正如上文所提及的通过载体17保证稳定性。
在根据图5H的最后的步骤中去除载体17，使得获得可用于继续处理的薄膜发光二极管芯片。
代替表面的粗糙部，也可以应用输出耦合棱镜或其他的措施，其适用于改善在活性的层序列2中产生的光的输出耦合。
通过蚀刻不仅实现粗糙化而且实现输出耦合棱镜的产生，也就是说把结构蚀刻到存在的表面中。在备选应用的其它技术中以干式化学的方式进行对带有等离子体的表面的处理。
载体箔13可以包含塑料材料。对于载体箔13，优选的材料例如是玻璃、环氧树脂、PET，聚合体，尤其是指聚酰亚胺，例如聚酰亚胺(Kapton)，或者这些材料的结合。
此外，载体箔在优选的实施形式中具有碳纤维。这些碳纤维可以嵌入例如聚合膜中并且具有比聚合膜更高的热导率，使得以有利方式总体地从中产生有粘性的和导热的载体层。
此外，载体层可以具有玻璃织物，尤其是指硅酸盐。ITO(铟锡氧化物)镀膜的玻璃箔也尤其适合。
当应用可导的且同时透明的材料时，对于接触轨道也是有利的，这在所谓的“透明导电氧化物”(TCO)是这种情况。合适的材料是铟锡氧化物(ITO)。
作为用于发射辐射的层序列2的厚度的下限，根据本发明设置了6μm。上限位于大约20μm。
用于形成输出耦合结构的其他的措施是设置光子晶体，例如在层堆叠2的主辐射面3和4上作为附加的层。光子晶体优选地包括了带有第一折射率的第一区域的多数和带有第二折射率的第二区域的多数。特别有利的是，规则地设置这些区域。该规则的设置可以相应于一维的、二维的或三维的晶格。光子晶体在本发明的范围内尤其具有二维的晶格的结构。其中，晶格常数相应于在两个相邻的第一区域之间或两个相邻的第二区域之间的距离。当晶格常数与由半导体主体(Halbleiterkoerper)产生的辐射的波长匹配时，光子晶体最佳地达到其效用。在两个相邻的第一区域之间或两个相邻的第二区域之间的距离优选地大约相应于由层堆叠产生的辐射的波长。距离特别优选地位于10-9m和10-6m之间。
除了所描述的构造形式(Bauform)，其中薄膜发光二极管芯片容纳在透明的箔之间，也可以实现浇铸构造形式，其中，两侧应用的浇铸材料是透明的。特别应该注意的是热耗散(Waermedissepation)。为了确保足够的导热，可以将填充银的环氧化物粘合剂膜用作载体箔13，该环氧化物粘合剂膜包含百分之80的银和百分之20的非挥发性的环氧树脂。填充银的环氧化物施加在薄膜发光二极管芯片1上，并且紧接着加热到80℃直到90℃。其中，粘合剂膜容易熔化，由此该粘合剂膜获得良好的主要粘性。接下来在温度大约为150℃时使薄膜变硬。这样产生的载体层2是导电的，并且具有从150到155℃的气体过渡温度。此外，载体层13尤其是热稳定和化学稳定的。尽管如此基于极小的厚度给予了一定弹性。但是对于载体层13尤其也可以应用每种其他的材料，优选地是塑料材料，该材料具有的特征相应于例如利用环氧化物粘合剂膜阐明的特征。
此外，可以提高例如带有二氧化硅(SiO2)的芯片的所有侧的钝化。
载体箔可以要么设置为全部导电，要么正如在图4中描述的，只实现导电线路，而载体箔13的剩余区域是不可导的。
在其他的方案中可以在照明装置中或传感器中应用薄膜发光二极管芯片。
本发明不限制在已描述的实施例上，而是可能有很多的变型，并且为本发明所包括。尤其将用于改善光的输出耦合的不同的措施不只可以以相互结合的方式应用，而且也分别用于自身单独采用。接触面9的镜面化部分不是必须和粗糙部或输出耦合棱镜结合在一起应用，而是可以独立于彼此地应用每一个措施。
Claims (20)
1.一种带有层序列(2)的薄膜发光二极管芯片(1)，
该层序列具有第一主辐射面和相对的第二主辐射面(3，4)，使得所述薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个相对的主辐射方向(5，6)，及
所述薄膜发光二极管芯片(1)在所述两个主辐射方向上发射光，
其中，为了改善在所述层序列(2)中产生的光在所述两个主辐射面上的输出耦合，不仅在所述第一主辐射面而且在所述第二主辐射面(3，4)上设置措施，及
其中，在所述薄膜发光二极管芯片的侧上都不存在衬底，并且在两个主发射方向上的辐射是对称的。
2.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，为了改善在所述层序列(2)中产生的光的输出耦合，所述层序列(2)的所述主辐射面(3，4)至少部分地具有粗糙部(7)。
3.根据权利要求2所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，所述粗糙部(7)是用湿式化学的或干式化学的方法产生的。
4.根据权利要求2所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，所述粗糙部(7)的结构大小大约是350nm。
5.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，为了改善在所述层序列(2)中产生的光的输出耦合，在所述主辐射面(3，4)上构造输出耦合棱镜。
6.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，在所述主辐射面(3，4)的至少一个上设置了接触面(9)用于连接所述薄膜发光二极管芯片。
7.根据权利要求6所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，在所述接触面(9)的面向所述层序列(2)的侧上设置了镜面化(10)。
8.根据权利要求6所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，为了将电流分布到所述层序列(2)的不同的区域上，所述接触面(9)设置为条形的。
9.根据权利要求8所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，所述接触面(9)设置为框架形的。
10.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，所述层序列(2)的厚度位于5μm和15μm之间。
11.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于，所述层序列具有n型掺杂的InGaN制成的和p型掺杂的InGaN制成的相互邻近的层(11、12)。
12.一种带有根据权利要求1至11中任一项所述的薄膜发光二极管芯片和透明的载体箔(13)的装置，该载体箔分别承载接触轨道(14)，其中所述接触轨道(14)分别与所述薄膜发光二极管芯片(1)的接触面(9)联接。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述接触轨道是铟锡氧化物制成的。
14.一种用于制造薄膜发光二极管芯片的方法，所述薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个相对的主辐射方向(5，6)，并且所述薄膜发光二极管芯片(1)在所述两个主辐射方向上发射光，
具有如下步骤：
·在生长衬底(15)上尤其由半导体材料构造适用于发光的层序列(2)，
·在所述有源的层序列的第一侧上构造第一导电接触材料层(16)，
·对用于构造接触面(9)的所述第一导电接触材料层(16)结构化，
·把结构化的所述第一导电接触材料层与载体(17)相联接，
·去除所述生长衬底(15)，
·在与所述有源的层序列的第一侧相对的所述有源的层序列的第二侧上构造第二导电接触材料层(18)，
·结构化所述第二导电接触材料层(18)以便构造接触面(9)，
·从所述载体(17)中分开结构化的所述第一接触材料层(16)，
·为了改善在所述层序列(2)中产生的光的输出耦合，不仅在所述层序列(2)的第一主辐射面而且在相对的第二主辐射面(3，4)上设置措施。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，使所述有源的层序列(2)的未由所述第一导电接触材料层(16)覆盖的区域在其表面(3)上粗糙化。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其特征在于，使所述有源的层序列(2)的未由所述第二导电接触材料层(18)覆盖的区域在其表面(4)上粗糙化。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在结构化所述第一导电接触材料层和/或第二导电接触材料层(16，18)的同时或之后，在所述有源的层序列的表面上形成输出耦合棱镜。
18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，如此施加所述导电接触材料层(16，18)，即，使得面向所述有源的层序列的侧是镜面化的。
19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，使所述有源的层序列(2)的未由所述第一导电接触材料层(16)覆盖的区域在其表面(3)上通过湿式化学的方法粗糙化。
20.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，使所述有源的层序列(2)的未由所述第二导电接触材料层(18)覆盖的区域在其表面(4)上通过湿式化学的方法粗糙化。
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