CN101566570A - 有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法 - Google Patents

有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101566570A
CN101566570A CNA2009100268813A CN200910026881A CN101566570A CN 101566570 A CN101566570 A CN 101566570A CN A2009100268813 A CNA2009100268813 A CN A2009100268813A CN 200910026881 A CN200910026881 A CN 200910026881A CN 101566570 A CN101566570 A CN 101566570A
Authority
CN
China
Prior art keywords
raman scattering
substrate
controlled
enhanced raman
aluminium flake
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2009100268813A
Other languages
English (en)
Inventor
邱腾
郎咸忠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Southeast University
Original Assignee
Southeast University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Southeast University filed Critical Southeast University
Priority to CNA2009100268813A priority Critical patent/CN101566570A/zh
Publication of CN101566570A publication Critical patent/CN101566570A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法属于激光拉曼光谱检测技术领域。该基底具有周期性六角梅花状银纳米岛结构，银纳米岛成半球形，直径大约50±5nm，每个六角梅花结构中心孔径约在10nm到90nm间距可调。结构有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射基底制备方法包括：多孔氧化铝模版的制备；利用磁控溅射将银喷涂到模板表面得到增强基底。该基底具有较高的表面增强拉曼散射效应，结构有序可控，可重复性好，基底稳定性高，技术成本低，操作简单等优点。

Description

有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法
技术领域
本发明属于激光拉曼光谱检测技术领域，涉及一种具有高表面增强拉曼散射活性，周期有序可控的银纳米六角梅花状结构基底及其制备方法。
背景技术
激光拉曼技术作为一种非常有效的探测界面特性和分子间相互作用、表征表面分子吸附行为和分子结构的工具。以其独特的检测优势，已广泛应用于食品药品安全，生物分子和环境检测，考古和矿物鉴定等领域，并以迅猛的速度向其他领域延伸。然而由于普通的拉曼散射效率很低，信号很弱，若提高激光强度可能会对样品产生光损伤或光漂白等副作用，当被测分子浓度很较低，或对表面吸附物质进行检测时，常规的拉曼检测显得力不从心，所以需要借助其他辅助增强手段。
表面增强拉曼散射(SERS)作为一种重要的拉曼增强手段应运而生。其原理是当分子吸附在具有粗糙表面的银、金或铜等少数金属的表面时，由于粗糙化金属表面局域等离激元激发所引起的电磁增强(即物理增强)，以及粗糙表面上的原子簇及吸附其上的分子构成拉曼增强的活性点(即化学增强)，使被测样品的拉曼散射产生极大的增强效应，即表面增强拉曼效应。自从Fleischmann等人于1974年发现SERS以来，表面增强拉曼技术作为一种高灵敏的探测界面特性和分子间相互作用、表征表面分子吸附行为和分子结构的工具。已成为灵敏度最高的研究界面效应的技术之一，最大范围地应用于研究吸附分子在表面的取向及吸附行为、吸附界面表面状态、生物大分子的界面取向及构型、构象和结构分析；SERS技术也逐渐成为表面科学和电化学领域有力的研究手段，已在痕量分析乃至单分子检测、化学及工业、环境科学、生物医学体系、纳米材料以及传感器等方面的研究中得到了广泛应用。
而表面增强拉曼散射的应用前提是制备出可重复性好、增强因子高且结构稳定的表面增强基底。基底材料一般有Ag，Au，Cu和Pt等少数金属，以Ag的增强效应为最佳，最为常用。近年来，人们不断开发了一些新型增强基底材料，如过渡金属基底、半导体基底、多孔材料基底等，进一步扩大了表面增强拉曼效应的应用范围。常用的制备增强基底的方法也有很多，比如经过化学或电化学方法对金属电极表面进行粗糙化处理制备；用金属溶胶等方法制备基底。然而这些方法得到的基底普遍存在重复性差，稳定性不高，存放时间短，制备过程较复杂，制作成本较高等缺点，进而在一定程度上影响到了表面增强拉曼散射的发展和应用。当前增强基底的研究热点倾向于制备表面结构确定、分布均匀、有序可控的二维金属周期结构作为SERS活性基底，这种活性基底不仅能在较宽的动态范围内获得可靠、稳定、均匀的SERS信号，而且可以提供理想的模型以检验SERS理论。而这种基底制备一般存在成本高、程序繁琐、技术复杂、难以大面积量产等诸多问题，以至于限制了其在分子传感领域的应用。
发明内容
技术问题：本发明的目的是提出了一种有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法，即利用多孔氧化铝模板制备结构有序可控的银纳米表面增强拉曼散射基底的制备方法。具有成本低、操作简单、具有较高的表面增强拉曼散射效应、结构有序可控、可重复性好、基底稳定性好等优点。
技术方案：本发明提出的一种有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法，在多孔氧化铝表面的有序可控的六角梅花状突起上溅射银，形成排列规则的银纳米岛的金属基底；在该金属基底中，所述的周期性六角梅花状银纳米岛结构呈半球形，直径为50±5nm，每个六角梅花状结构中心孔径为10nm到90nm间距可调，通过控制腐蚀铝片的电压和磁控溅射时间两个参数进行调控。
本发明提出的一种纳米超晶格结构增强基底的制备方法如下：
a.制备不同尺度的多孔氧化铝模板：先对高纯铝片预处理，再采用普通的上下反应装置，高纯铝片做阳极在下，钼片做阴极在上，反应液为草酸，进行电化学腐蚀，形成多孔氧化铝模板；
b.将银沉积到多孔氧化铝模板上形成有序可控的表面增强拉曼散射活性基底：用磁控溅射方法将高纯银溅射到多孔氧化铝模板表面上，有序可控的表面增强拉曼散射活性基底。
所述的可控指：可通过控制腐蚀铝片的电压和磁控溅射时间两个参数对基底进行调节。所述的对高纯铝的预处理是将铝片先分别经过蒸馏水和丙酮的超生震荡洗涤，再将铝片做阳极放入高氯酸和乙醇的混合溶液中进行电化学抛光。
有益效果：本发明提供的制备方法，技术成本低，操作简单。用本发明得到的表面增强拉曼散射基底具有较高的表面增强拉曼散射效应，结构有序可控，可重复性好，基底稳定性好等优点。
附图说明
图1为本发明中有序可控的表面增强拉曼散射活性基底表面形貌平面示意图(黑色代表银纳米岛)。
图2为本发明中经不同电压下制备的氧化铝模板经溅射后所形成的有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底(磁控溅射时间为10min)浸泡在10-5mol/L罗丹明水溶液中的拉曼谱线的比较图(用波长为633nm的He-Ne激发)。
具体实施方式
下面结合实例对本发明的技术方案做进一步说明：
表面增强拉曼散射(SERS)作为最灵敏的光谱分析手段之一，已在化学和生物检测等得到广泛应用，而其中基于表面等离子体基元原理制备的具有纳米级高密度表面增强效应热点基底已成为现在研究的热点。
本发明利用表面具有有序纳米梅花状突起的不同尺度的多孔氧化铝模板，通过磁控溅射的方法，将银沉积到模板梅花状突起上，形成不同尺度的有序的银纳米岛基底。利用本技术得到的银纳米基底，具有周期性有序的六角梅花状银纳米岛结构，且银纳米岛可通过调节不同电压下制备的多孔氧化铝模板的电压和磁控溅射的时间两个参数进行调控，其中当电压为40V电化学腐蚀出的多孔氧化铝模板(最为有序)经溅射10min所制备出的基底SERS最强。
本发明有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底是在多孔氧化铝表面的有序可控的六角梅花状突起上溅射银，形成排列规则的银纳米岛的金属基底；在该金属基底中，所述的周期性六角梅花状银纳米岛结构呈半球形，直径为50±5nm，每个六角梅花状结构中心孔径为10nm到90nm间距可调，通过控制腐蚀铝片的电压和磁控溅射时间两个参数进行调控。
本发明提出的结构有序可控的银纳米表面增强拉曼散射基底的制备方法包括以下步骤：
(1)将铝片先后放入蒸馏水和丙酮中超生震荡，去除表面的吸附的杂质。
(2)再将铝片作阳极放入抛光液中在直流恒压15V的情况下进行电化学抛光3min，其中抛光液为高氯酸和乙醇体积比为1∶5的混合溶液。
(3)用两步氧化法对经预处理的铝片进行腐蚀：铝片作阳极，钼片作阴极，温度维持在10℃，恒定电压在0.5mol/L的草酸溶液进行氧化。第一步氧化2h，再将其放入等体积比的1.8wt.％的铬酸和6wt.％磷酸混合溶液中，温度在75℃反应2h，再进行第二步氧化过程，时间也为2h，得到多孔氧化铝模板。
(4)在室温下氩气环境中采用直流磁控溅射，将银溅射到过孔氧化铝模板表面上，得到有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性。
实施例一
(1)将铝片先后放入蒸馏水和丙酮中超生震荡，去除表面的吸附的杂质。
(2)再将铝片作阳极放入抛光液中在直流恒压15V的情况下进行电化学抛光3min，其中抛光液为高氯酸和乙醇体积比为1∶5的混合溶液.
(3)用两步氧化法对经预处理的铝片进行腐蚀：铝片作阳极，钼片作阴极，恒定电压分别设为40V，温度维持在10℃，在0.5mol/L的草酸溶液进行氧化。第一步氧化2h，再将其放入等体积比的1.8wt.％的铬酸和6wt.％磷酸混合溶液中，温度在75℃反应2h，再重复第一步氧化过程，得到多孔氧化铝模板。
(4)在室温下氩气环境中采用直流磁控溅射10min，将银溅射到过孔氧化铝模板表面上，得到有序可控的表面增强拉曼散射活性基底。
实施例二
(1)将铝片先后放入蒸馏水和丙酮中超生震荡，去除表面的吸附的杂质。
(2)再将铝片作阳极放入抛光液中在直流恒压15V的情况下进行电化学抛光3min，其中抛光液为高氯酸和乙醇体积比为1∶5的混合溶液.
(3)用两步氧化法对经预处理的铝片进行腐蚀：铝片作阳极，钼片作阴极，恒定电压分别设为50V，温度维持在10℃，在0.5mol/L的草酸溶液进行氧化。第一步氧化2h，再将其放入等体积比的1.8wt.％的铬酸和6wt.％磷酸混合溶液中，温度在75℃反应2h，再重复第一步氧化过程，得到多孔氧化铝模板。
(4)在室温下氩气环境中采用直流磁控溅射15min，将银溅射到过孔氧化铝模板表面上，得到有序可控的表面增强拉曼散射活性基底。
实施例三
(1)将铝片先后放入蒸馏水和丙酮中超生震荡，去除表面的吸附的杂质。
(2)再将铝片作阳极放入抛光液中在直流恒压15V的情况下进行电化学抛光3min，其中抛光液为高氯酸和乙醇体积比为1∶5的混合溶液.
(3)用两步氧化法对经预处理的铝片进行腐蚀：铝片作阳极，钼片作阴极，恒定电压分别设为40V，温度维持在10℃，在0.5mol/L的草酸溶液进行氧化。第一步氧化2h，再将其放入等体积比的1.8wt.％的铬酸和6wt.％磷酸混合溶液中，温度在75℃反应2h，再重复第一步氧化过程，得到多孔氧化铝模板。
(4)在室温下氩气环境中采用直流磁控溅射15min，将银溅射到过孔氧化铝模板表面上，得到有序可控的表面增强拉曼散射活性基底。

Claims (4)

1.一种有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底，其特征在于：在多孔氧化铝表面的有序可控的六角梅花状突起上溅射银，形成排列规则的银纳米岛的金属基底；在该金属基底中，所述的周期性六角梅花状银纳米岛结构呈半球形，直径为50±5nm，每个六角梅花状结构中心孔径为10nm到90nm间距可调，通过控制腐蚀铝片的电压和磁控溅射时间两个参数进行调控。
2.一种有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于该方法如下：
a.制备不同尺度的多孔氧化铝模板：先对高纯铝预处理，再采用普通的上下反应装置，高纯铝片做阳极在下，钼片做阴极在上，反应液为草酸，进行电化学腐蚀，形成多孔氧化铝模板；
b.将银沉积到多孔氧化铝模板上形成有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底：用磁控溅射方法将高纯银溅射到多孔氧化铝模板上，形成有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底。
3.根据权利要求2所述的有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于所述的可控指：可通过控制腐蚀铝片的电压和磁控溅射时间两个参数对基底进行调节。
4.根据权利要求2所述的有序可控的银纳米岛表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于所述的对高纯铝的预处理是将铝片先分别经过蒸馏水和丙酮的超生震荡洗涤，再将铝片做阳极放入高氯酸和乙醇的混合溶液中进行电化学抛光。
CNA2009100268813A 2009-05-27 2009-05-27 有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法 Pending CN101566570A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2009100268813A CN101566570A (zh) 2009-05-27 2009-05-27 有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2009100268813A CN101566570A (zh) 2009-05-27 2009-05-27 有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101566570A true CN101566570A (zh) 2009-10-28

Family

ID=41282830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2009100268813A Pending CN101566570A (zh) 2009-05-27 2009-05-27 有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101566570A (zh)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101865847A (zh) * 2010-06-18 2010-10-20 清华大学 拉曼散射基底的制备方法
CN102001619A (zh) * 2010-10-19 2011-04-06 东南大学 一种用于荧光标记细胞成像的衬底及其制备方法和应用
CN102565024A (zh) * 2012-01-13 2012-07-11 中国科学技术大学 基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法
CN102621122A (zh) * 2011-01-27 2012-08-01 曾永华 生医及微纳米结构物质感测芯片及其制备方法
CN102886933A (zh) * 2011-07-21 2013-01-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法
CN102910573A (zh) * 2012-10-24 2013-02-06 吉林大学 可揭除保护层的多级金属微纳结构阵列sers活性基底的制备方法
CN102944544A (zh) * 2012-11-08 2013-02-27 清华大学 一种循环使用表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
CN102951603A (zh) * 2011-08-19 2013-03-06 新加坡科技研究局 通过表面增强拉曼光谱(sers)形成光传感用基底的方法及由此方法形成的基底
CN102998297A (zh) * 2012-12-11 2013-03-27 东南大学 用于表面增强拉曼散射光谱分析的多孔微量反应板
CN103060878A (zh) * 2013-01-31 2013-04-24 中国科学院合肥物质科学研究院 竖于多孔氧化铝模板孔口的银纳米柱阵列及其制备方法和用途
CN101776604B (zh) * 2010-01-26 2013-06-12 中国科学院光电技术研究所 一种增强分子拉曼散射的基底制作方法
CN103257132A (zh) * 2013-04-16 2013-08-21 上海大学 银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法
CN103439308A (zh) * 2013-06-25 2013-12-11 复旦大学 一种表面增强拉曼基底及其制备方法
CN103447523A (zh) * 2013-09-12 2013-12-18 中国科学院合肥物质科学研究院 金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途
CN103604795A (zh) * 2013-11-27 2014-02-26 重庆绿色智能技术研究院 一种跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片及其制备方法
CN103837676A (zh) * 2014-03-20 2014-06-04 苏州纳达生物科技有限公司 一种金属纳米岛载体及其制备方法和在免疫检测中的应用
CN104003354A (zh) * 2014-06-18 2014-08-27 中山大学 一种铝纳米颗粒尺寸的调控方法及其应用
CN104532265A (zh) * 2014-12-11 2015-04-22 中国科学院合肥物质科学研究院 海胆状银纳米半球阵列及其制备方法和用途
CN104568896A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 表面增强拉曼散射传感器及其制备方法
CN104911667A (zh) * 2015-06-04 2015-09-16 中国科学院合肥物质科学研究院 一种新型的具有蜂巢状阵列构造的多层复合贵金属纳米孔阵列sers基底的制备方法
CN105092558A (zh) * 2015-07-30 2015-11-25 西北大学 基于金属氯化物纳米薄膜的sers基底及制备方法
CN105483796A (zh) * 2015-11-19 2016-04-13 华中科技大学 一种荧光增强基底及其制备方法与应用
CN105671492A (zh) * 2016-01-18 2016-06-15 上海交通大学 一种基于rebco模版的sers基底及制备方法
CN105755431A (zh) * 2016-04-25 2016-07-13 上海交通大学 一种基于置换法合成金纳米颗粒的sers基底制备方法
CN106395740A (zh) * 2016-10-26 2017-02-15 中国计量大学 一种贵金属纳米粒子间距可控的sers衬底制备方法
CN106645077A (zh) * 2015-10-28 2017-05-10 上海大学 一种基于新型高低温阶梯扩孔法的“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法
CN106756853A (zh) * 2017-03-03 2017-05-31 东南大学 具有表面增强拉曼散射功能的氧化钨基底及其制备方法
CN106995930A (zh) * 2016-01-22 2017-08-01 陕西师范大学 氧化铝纳米针及其与孔复合阵列结构的制备方法及应用
CN107075661A (zh) * 2014-09-26 2017-08-18 韩国机械研究院 形成有多个纳米间隙的基底及其制备方法
CN107337176A (zh) * 2017-06-16 2017-11-10 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 表面增强拉曼散射基底及其制备工艺
CN108823541A (zh) * 2018-06-06 2018-11-16 常州大学 一种表面增强拉曼散射活性基底的制备方法
CN110129756A (zh) * 2019-06-10 2019-08-16 重庆大学 金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底及其制备方法

Cited By (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101776604B (zh) * 2010-01-26 2013-06-12 中国科学院光电技术研究所 一种增强分子拉曼散射的基底制作方法
CN101865847A (zh) * 2010-06-18 2010-10-20 清华大学 拉曼散射基底的制备方法
CN102001619A (zh) * 2010-10-19 2011-04-06 东南大学 一种用于荧光标记细胞成像的衬底及其制备方法和应用
CN102621122A (zh) * 2011-01-27 2012-08-01 曾永华 生医及微纳米结构物质感测芯片及其制备方法
CN102621122B (zh) * 2011-01-27 2014-07-09 曾永华 生医及微纳米结构物质感测芯片及其制备方法
CN102886933A (zh) * 2011-07-21 2013-01-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法
CN102886933B (zh) * 2011-07-21 2015-10-28 中国科学院上海硅酸盐研究所 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法
CN102951603A (zh) * 2011-08-19 2013-03-06 新加坡科技研究局 通过表面增强拉曼光谱(sers)形成光传感用基底的方法及由此方法形成的基底
CN102565024A (zh) * 2012-01-13 2012-07-11 中国科学技术大学 基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法
CN102565024B (zh) * 2012-01-13 2014-06-11 中国科学技术大学 基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底
CN102910573A (zh) * 2012-10-24 2013-02-06 吉林大学 可揭除保护层的多级金属微纳结构阵列sers活性基底的制备方法
CN102910573B (zh) * 2012-10-24 2015-03-04 吉林大学 可揭除保护层的多级金属微纳结构阵列sers活性基底的制备方法
CN102944544A (zh) * 2012-11-08 2013-02-27 清华大学 一种循环使用表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
CN102944544B (zh) * 2012-11-08 2015-01-21 清华大学 一种循环使用表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
CN102998297A (zh) * 2012-12-11 2013-03-27 东南大学 用于表面增强拉曼散射光谱分析的多孔微量反应板
CN103060878A (zh) * 2013-01-31 2013-04-24 中国科学院合肥物质科学研究院 竖于多孔氧化铝模板孔口的银纳米柱阵列及其制备方法和用途
CN103257132A (zh) * 2013-04-16 2013-08-21 上海大学 银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法
CN103257132B (zh) * 2013-04-16 2015-03-25 上海大学 银纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法
CN103439308A (zh) * 2013-06-25 2013-12-11 复旦大学 一种表面增强拉曼基底及其制备方法
CN103447523A (zh) * 2013-09-12 2013-12-18 中国科学院合肥物质科学研究院 金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途
CN103447523B (zh) * 2013-09-12 2015-04-29 中国科学院合肥物质科学研究院 金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途
CN104568896A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 表面增强拉曼散射传感器及其制备方法
CN103604795A (zh) * 2013-11-27 2014-02-26 重庆绿色智能技术研究院 一种跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片及其制备方法
CN103604795B (zh) * 2013-11-27 2016-02-10 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种跨尺度双金属协同增强拉曼散射芯片及其制备方法
CN103837676B (zh) * 2014-03-20 2016-08-17 苏州纳达生物科技有限公司 一种金属纳米岛载体及其制备方法和在免疫检测中的应用
CN103837676A (zh) * 2014-03-20 2014-06-04 苏州纳达生物科技有限公司 一种金属纳米岛载体及其制备方法和在免疫检测中的应用
WO2015139422A1 (zh) * 2014-03-20 2015-09-24 苏州纳达生物科技有限公司 一种金属纳米岛载体及其制备方法和在免疫检测中的应用
CN104003354A (zh) * 2014-06-18 2014-08-27 中山大学 一种铝纳米颗粒尺寸的调控方法及其应用
CN104003354B (zh) * 2014-06-18 2015-06-03 中山大学 一种铝纳米颗粒尺寸的调控方法及其应用
US10527494B2 (en) 2014-09-26 2020-01-07 Korea Intitute of Machinery & Materials Substrate on which multiple nanogaps are formed, and manufacturing method therefor
CN107075661A (zh) * 2014-09-26 2017-08-18 韩国机械研究院 形成有多个纳米间隙的基底及其制备方法
CN104532265A (zh) * 2014-12-11 2015-04-22 中国科学院合肥物质科学研究院 海胆状银纳米半球阵列及其制备方法和用途
CN104911667A (zh) * 2015-06-04 2015-09-16 中国科学院合肥物质科学研究院 一种新型的具有蜂巢状阵列构造的多层复合贵金属纳米孔阵列sers基底的制备方法
CN104911667B (zh) * 2015-06-04 2018-06-08 中国科学院合肥物质科学研究院 一种新型的具有蜂巢状阵列构造的多层复合贵金属纳米孔阵列sers基底的制备方法
CN105092558B (zh) * 2015-07-30 2018-07-10 西北大学 基于金属氯化物纳米薄膜的sers基底及制备方法
CN105092558A (zh) * 2015-07-30 2015-11-25 西北大学 基于金属氯化物纳米薄膜的sers基底及制备方法
CN106645077A (zh) * 2015-10-28 2017-05-10 上海大学 一种基于新型高低温阶梯扩孔法的“热点”尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法
CN106645077B (zh) * 2015-10-28 2019-06-25 上海大学 热点尺寸小于5nm的SERS活性基底的制备方法
CN105483796A (zh) * 2015-11-19 2016-04-13 华中科技大学 一种荧光增强基底及其制备方法与应用
CN105671492A (zh) * 2016-01-18 2016-06-15 上海交通大学 一种基于rebco模版的sers基底及制备方法
CN105671492B (zh) * 2016-01-18 2018-07-03 上海交通大学 一种基于rebco模版的sers基底及制备方法
CN106995930A (zh) * 2016-01-22 2017-08-01 陕西师范大学 氧化铝纳米针及其与孔复合阵列结构的制备方法及应用
CN106995930B (zh) * 2016-01-22 2019-02-26 陕西师范大学 氧化铝纳米针及其与孔复合阵列结构的制备方法及应用
CN105755431A (zh) * 2016-04-25 2016-07-13 上海交通大学 一种基于置换法合成金纳米颗粒的sers基底制备方法
CN106395740A (zh) * 2016-10-26 2017-02-15 中国计量大学 一种贵金属纳米粒子间距可控的sers衬底制备方法
CN106756853A (zh) * 2017-03-03 2017-05-31 东南大学 具有表面增强拉曼散射功能的氧化钨基底及其制备方法
CN107337176A (zh) * 2017-06-16 2017-11-10 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 表面增强拉曼散射基底及其制备工艺
CN108823541A (zh) * 2018-06-06 2018-11-16 常州大学 一种表面增强拉曼散射活性基底的制备方法
CN108823541B (zh) * 2018-06-06 2022-02-15 常州大学 一种表面增强拉曼散射活性基底的制备方法
CN110129756A (zh) * 2019-06-10 2019-08-16 重庆大学 金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底及其制备方法
CN110129756B (zh) * 2019-06-10 2020-07-10 重庆大学 金属膜耦合纳米岛表面增强拉曼散射基底及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101566570A (zh) 有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法
Ma et al. Hydrogen evolution reaction monitored by electrochemiluminescence blinking at single-nanoparticle level
Xu et al. Photoelectrochemical property and photocatalytic activity of N-doped TiO2 nanotube arrays
Yang et al. Tunable wavelength enhanced photoelectrochemical cells from surface plasmon resonance
Martindale et al. Solar hydrogen production using carbon quantum dots and a molecular nickel catalyst
Li et al. Nanobubbles: An effective way to study gas-generating catalysis on a single nanoparticle
Hori et al. Selective formation of C2 compounds from electrochemical reduction of CO2 at a series of copper single crystal electrodes
Wen et al. Dendritic nanostructures of silver: facile synthesis, structural characterizations, and sensing applications
Hori et al. Electrochemical reduction of carbon dioxide at various series of copper single crystal electrodes
Li et al. Electrochemical growth of two-dimensional gold nanostructures on a thin polypyrrole film modified ITO electrode
Zhong et al. Facile electrochemical synthesis of hexagonal Cu2O nanotube arrays and their application
Cao et al. Optical field enhancement in Au nanoparticle-decorated nanorod arrays prepared by femtosecond laser and their tunable surface-enhanced Raman scattering applications
Batista et al. Adsorbed intermediates of formaldehyde oxidation and their role in the reaction mechanism
Wang et al. Self-constructed multiple plasmonic hotspots on an individual fractal to amplify broadband hot electron generation
Naito et al. Single-molecule observation of photocatalytic reaction in TiO2 nanotube: importance of molecular transport through porous structures
CN104949957A (zh) 嵌入式纳米点阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法
CN103058132B (zh) 有序多孔金纳米棒阵列及其制备方法和用途
CN102976266A (zh) 基于金银纳米线阵列的表面增强拉曼散射标记及其制备方法
CN108872192A (zh) Sers单元及sers系统
CN104128615B (zh) 一种具有高活性表面增强拉曼效应的基底材料的制备及丝网印刷方法
CN104911667A (zh) 一种新型的具有蜂巢状阵列构造的多层复合贵金属纳米孔阵列sers基底的制备方法
Stroyuk et al. Nanocrystalline TiO2/Au films: Photocatalytic deposition of gold nanocrystals and plasmonic enhancement of Raman scattering from titania
Farghaly et al. Electroassisted codeposition of sol–gel derived silica nanocomposite directs the fabrication of coral-like nanostructured porous gold
Gan et al. An electrochemical sensor based on SiO 2@ TiO 2-embedded molecularly imprinted polymers for selective and sensitive determination of theophylline
Chen et al. Controlled anodic growth of TiO2 nanobelts and assessment of photoelectrochemical and photocatalytic properties

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20091028