CN102886933B - 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法 - Google Patents

用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102886933B
CN102886933B CN201110205749.6A CN201110205749A CN102886933B CN 102886933 B CN102886933 B CN 102886933B CN 201110205749 A CN201110205749 A CN 201110205749A CN 102886933 B CN102886933 B CN 102886933B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
film layer
sers
cone
precious metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110205749.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102886933A (zh
Inventor
杨勇
黄政仁
野上政行
钟村荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Nagoya Institute of Technology NUC
Original Assignee
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Nagoya Institute of Technology NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Ceramics of CAS, Nagoya Institute of Technology NUC filed Critical Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority to CN201110205749.6A priority Critical patent/CN102886933B/zh
Publication of CN102886933A publication Critical patent/CN102886933A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102886933B publication Critical patent/CN102886933B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

本发明属于激光拉曼光谱和痕量毒品检测技术领域，具体涉及一种用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法。本发明提供一种SERS活性基底，所述SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构，所述贵金属材料为银和/或金。本发明还提供一种采用氩离子冲击方法制备所述SERS活性基底的方法。本发明所述高灵敏度SERS传感器活性基底具有表面增强拉曼活性，重复率高的，可用于痕量化合物如毒品、爆炸物等探测。

Description

用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法
技术领域
本发明属于激光拉曼光谱和痕量毒品检测技术领域，具体涉及一种用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法；更具体地说，本发明涉及一种具有表面增强拉曼活性，重复率高的，可用于痕量化合物如毒品、爆炸物等探测的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法。
背景技术
作为分析分子振动光谱的常用方法，激光拉曼技术已经被广泛应用于鉴别物质的分子结构、分析表面结合状态等领域。然而拉曼效应信号往往非常弱，当被测分子的浓度较小，或对表面吸附物质进行探测时，常规激光拉曼方法就显得力不从心。表面增强拉曼散射(SERS)效应能够使吸附在粗糙金属基底表面的分子拉曼散射信号得到极大增强，因此被作为一种高灵敏度的表面分析探测技术，在痕量分析和定性检测、表面科学、生物科学等领域得到了广泛研究。
理想的SERS活性基底应具有制备方法简单易行，表面粗糙度均匀、增强效果好、重复性好等特点。常用的制备SERS基底的方法：一是利用化学或电化学方法使金属电极表面粗糙化，得到具有高比表面积的粗糙表面；另一种方法是制备具有纳米尺度的金属溶胶，将负载有金属溶胶颗粒的基片作为增强基底。目前应用最多的增强基底是银或金的溶胶颗粒，具有较强的SERS效应，但是信号重现性和稳定性差，不易存放。鉴于此，开发出一种同时具备简单易行、表面粗糙度均匀、增强效果好，并有足够的稳定性和重复性的活性SERS基底很有必要，这在拓宽SERS在痕量分定性检测和单分子体系光谱等方面的应用具有重要的意义。
基于激光拉曼光谱发的爆炸物毒品探测仪器，其核心在于SERS传感器的研制和开发；而SERS传感器的关键技术在于探测头上高灵敏度SERS活性基底的性能。该活性基底的好坏，可以导致探测浓度级别的差异甚至在10000倍以上，将极大的影响毒品探测系统的探测灵敏度和性能。现今报道的活性基底SERS增强因子基本上都在106级别，用于超敏探测痕量毒品还有一定困难。比如国家十一五科技支撑计划就要求对体液或尿液中毒品如氯胺酮、K粉等最低检测限要达到100ng/ml，大致在100ppb级别。这一高灵敏度传感器活性基底将对提高爆炸物毒品SERS探测仪灵敏度具有极大意义。
发明内容
本发明的目的是通过对贵金属材料表面纳米结构进行设计，以提供一种高灵敏度SERS传感器活性基底，从而解决现有技术中存在的上述问题，用本发明的这种高灵敏度SERS传感器活性基底应具有极高的SERS增强和灵敏度、附着性好、体积小、便携性好。
本发明一方面提供一种SERS活性基底，所述SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构，所述贵金属材料为银和/或金。在一个实施方式中，在所述贵金属纳米锥体阵列结构中，纳米锥体根部直径约为100-500nm，锥体针尖直径为10-20nm，纳米锥体长度为100-1000nm。在所述贵金属纳米锥体阵列结构中，纳米锥体之间的间距为100-500nm。在所述贵金属纳米锥体阵列结构中，顶椎角为15-30度，锥体的中轴线与基底之间的角度为0-90度。
本发明另一方面提供一种采用氩离子冲击方法制备本发明所述SERS活性基底的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)基片上形成贵金属膜层；
(2)贵金属膜层上“诱导”形成碳膜层；
(3)对覆盖碳膜层的贵金属膜层进行氩离子冲击；
(4)清洗去掉多余碳膜层。
在本发明一个实施方式中，步骤1中采用的基片选自硅片、玻璃、钢铁、和/或塑料。所述贵金属Au和/或Ag。所述贵金属膜层的厚度为100nm到1000nm。所述贵金属膜层采用磁控溅射或金属蒸镀形成在基片上。
在本发明一个实施方式中，步骤2中的所述碳膜层厚度为80-120nm，优选约为100nm。在本发明一个实施方式中，步骤3通过装备有超高真空和考夫曼(Kaufman)型离子枪的离子束系统来进行。
在上述方法中，步骤2首先在贵金属膜层(例如银膜)表面沉积一层碳膜，作为“模板”诱导形成锥体纳米结构，所述碳层厚度优选为100nm左右。
在上述方法中，步骤3是通过装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统来制备。600eV氩离子束聚焦成一个380um直径的微束，其平均离子电流密度为150～220uA/cm2。离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向来调节。室内基础真空度为1×10-5～8×10-5Pa，工作真空为1×10-2～3×10-2Pa。室温下氩离子冲击持续约4-20分钟。
在上述方法步骤4中，在冲击完成后，残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉。
本发明提供的制备方法成本较低，操作控制简便。用本发明得到的表面增强拉曼散射金属基底具有增强效果显著，可重复性高，基底稳定性好等特点。本发明制备的SERS可以探测到浓度低至10-12M的R6G(罗丹明6G)分子和100ppb级别的氯胺酮(Katamine，即K粉)分子，增强因子可达1010数量级，这充分证明运用本方法制备的活性基底对探测分子进行SERS光谱检测有极高的灵敏性，可用于痕量化合物如毒品、爆炸物等探测的高灵敏度SERS传感器，在痕量分析、定性检测甚至单分子探测等方面具有极大的应用潜力。
附图说明
图1是本发明的SERS活性基底贵金属纳米锥体阵列结构的高放大倍数电子扫描显微镜(SEM)形貌照片。
图2是本发明的以罗丹明6G为探针分子，以不同长度的纳米锥体阵列结构为增强基底的表面增强拉曼散射谱图。谱线从下到上依次为：(A)0.1M R6G吸附在硅基底的拉曼光谱，(B)10nM R6G吸附在银膜的拉曼光谱；以及10nM R6G吸附在银膜厚度为(C)200、(D)300、(E)400、(F)500nm改性的银基底的拉曼光谱。激发光为532nm，激发时间为3s。
图3是本发明的以不同浓度的罗丹明6G为探针分子，以纳米锥体阵列结构为增强基底的表面增强拉曼散射谱图。谱线从下到上依次为：(A)10nM R6G吸附在银膜的拉曼光谱；以及厚度500nm的银膜改性后的基底吸附浓度分别为(B)0.001nM，20s；(C)0.01nM；(D)0.1nM；(E)1nM；(F)10nM的R6G的拉曼光谱。未特殊说明激发条件为532nm，激发时间为3s。
图4是本发明的以不同浓度的氯胺酮溶液为试验毒品试剂，以纳米锥体阵列结构为增强基底的表面增强拉曼散射谱图。谱线从下到上依次为：(A)0.1M氯胺酮吸附在银膜的拉曼光谱；以及182ppb氯胺酮吸附在银膜厚度为(B)200、(C)300、(D)400、(E)500nm改性的银基底的拉曼光谱。激发光为633nm，激发时间为3s。
具体实施方式
下面通过实施例和对比例对本发明的技术方案做进一步说明：
本发明利用独有的氩离子冲击技术对基片上的贵金属膜层进行冲击改性，得到具有圆锥状的纳米结构阵列。首先在基片上采用物理方法如磁控溅射方法制备贵金属Au、Ag膜层，然后在“模板”导引和氩离子冲击作用下，形成各种贵金属纳米锥体阵列结构。通过改变贵金属膜层厚度可以调节纳米结构的长度等参数；通过改变氩离子冲击角度和时间可以调节纳米锥体中轴与基底面的角度、以及针顶角。这种方法的好处是可以在很多基底如硅片、玻璃、钢铁、甚至塑料等上面制备相应的纳米结构；而且纳米锥体可以和基底成任何角度(从0度到垂直于基底面)。纳米锥体结构的各种参数，如锥体长度、锥低直径、锥顶角等都可以很好的控制和调配。这种结构增大了电磁波在金属基体上的局域化，使吸附分子的拉曼信号得到共振增强，得到良好的表面增强效果。当使用R6G作为探针分子时，在银纳米锥体阵列结构得到最强的SERS信号，增强因子约108-1010。
在以下实施例和对比例中，用探测到的极微浓度的R6G分子的拉曼信号强度作为评判SERS活性基底灵敏度的参数；信号越强，说明灵敏度越高。在常温常压下，把参考样品和银纳米锥体阵列分别浸入不同浓度的R6G溶液，20分钟之后取出；并用乙醇清洗掉表面多余层，置于空气中干燥。
在室温下采用532nm激光进行激发，激发光光斑直径为2-4um，能量2mW；拉曼信号收集时间均为1秒。在表1中列出了测试结果。
本发明提出的具有表面拉曼散射活性的SERS活性银基底的制备方法包括以下步骤：
(1)采用磁控溅射(ULVAC，MPS-2000-HC3型)在基片上面镀银膜，99.99％高纯银靶在高纯(99.995％)氩气中溅射。基片在溅射前在乙醇中超声清洗15分钟，工作真空度为2×10-6Pa，银膜厚度可以通过调节溅射时间控制在100nm到1000nm。
(2)在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为“诱导模板”诱导形成锥体纳米结构，其厚度控制在100nm左右。
(3)将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统。其中，600eV氩离子束聚焦成一个380um直径的微束，其平均离子电流密度为220uA/cm2。离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向来调节。室内基础真空度为5×10-5Pa，工作真空为2×10-2Pa。室温下氩离子冲击持续约4-20分钟。
(4)在冲击完成后，残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉，得到银纳米锥体阵列结构作为SERS活性基底。
实施例1
(1)采用磁控溅射(ULVAC，MPS-2000-HC3)在基片上面镀银膜，99.99％高纯银靶在高纯(99.995％)氩气中溅射。基片在溅射前在乙醇中超声清洗15分钟，工作真空度为2×10-6Pa，溅射时间200s，银膜厚度为200nm。
(2)在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为“诱导模板”诱导形成锥体纳米结构，其厚度控制在100nm左右。
(3)将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统。其中，600eV氩离子束聚焦成一个380um直径的微束，其平均离子电流密度为220uA/cm2。离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向调节为45度。室内基础真空度为5×10-5Pa，工作真空为2×10-2Pa。室温下氩离子冲击持续约4分钟。
(4)在冲击完成后，残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉，得到银纳米锥体阵列结构作为SERS活性基底。
实施例2
(1)采用磁控溅射(ULVAC，MPS-2000-HC3)在基片上面镀银膜，99.99％高纯银靶在高纯(99.995％)氩气中溅射。基片在溅射前在乙醇中超声清洗15分钟，工作真空度为2×10-6Pa，溅射时间300s，银膜厚度为300nm。
(2)在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为“诱导模板”诱导形成锥体纳米结构，其厚度控制在100nm左右。
(3)将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统。其中，600eV氩离子束聚焦成一个380um直径的微束，其平均离子电流密度为220uA/cm2。离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向调节为45度。室内基础真空度为5×10-5Pa，工作真空为2×10-2Pa。室温下氩离子冲击持续约5分钟。
(4)在冲击完成后，残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉，得到银纳米锥体阵列结构作为SERS活性基底。
实施例3
(1)采用磁控溅射(ULVAC，MPS-2000-HC3)在基片上面镀银膜，99.99％高纯银靶在高纯(99.995％)氩气中溅射。基片在溅射前在乙醇中超声清洗15分钟，工作真空度为2×10-6Pa，溅射时间400s，银膜厚度为400nm。
(2)在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为“诱导模板”诱导形成锥体纳米结构，其厚度控制在100nm左右。
(3)将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统。其中，600eV氩离子束聚焦成一个380um直径的微束，其平均离子电流密度为220uA/cm2。离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向调节为45度。室内基础真空度为5×10-5Pa，工作真空为2×10-2Pa。室温下氩离子冲击持续约6分钟。
(4)在冲击完成后，残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉，得到银纳米锥体阵列结构作为SERS活性基底。
实施例4
(1)采用磁控溅射(ULVAC，MPS-2000-HC3)在基片上面镀银膜，99.99％高纯银靶在高纯(99.995％)氩气中溅射。基片在溅射前在乙醇中超声清洗15分钟，工作真空度为2×10-6Pa，溅射时间500s，银膜厚度为500nm。
(2)在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为“诱导模板”诱导形成锥体纳米结构，其厚度控制在100nm左右。
(3)将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统。其中，600eV氩离子束聚焦成一个380um直径的微束，其平均离子电流密度为220uA/cm2。离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向调节为45度。室内基础真空度为5×10-5Pa，工作真空为2×10-2Pa。室温下氩离子冲击持续约8分钟。
(4)在冲击完成后，残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉，得到银纳米锥体阵列结构作为SERS活性基底。
对比例1
为了和现阶段广泛采用的银SERS基底作对比，我们制备了银膜SERS基底并测试了其SERS性能，结果见表1。
采用磁控溅射(ULVAC，MPS-2000-HC3)在基片上面镀银膜，99.99％高纯银靶在高纯(99.995％)氩气中溅射。基片在溅射前在乙醇中超声清洗15分钟，工作真空度为2×10-6Pa，溅射时间500s，银膜厚度为500nm。
下表1中各实施例和对比例涂层的探测R6G、氯胺酮浓度极限和拉曼增强因子的测试数据说明，无论单一性能上，还是综合性能上，本发明的SERS活性基底都明显地优于对比例的银膜基底。
表1：各实施例和对比例涂层的探测R6G、氯胺酮浓度极限和拉曼增强因子的测试数据
实施例表明：银膜厚度越高、氩离子冲击镀有银膜和碳膜的基片的持续时间越长，则探测R6G浓度极限和探测K粉浓度极限也越小，即传感器活性基底的灵敏度越高。

Claims (10)

1.一种SERS活性基底，所述SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构，所述贵金属材料为银和/或金；
其中，在所述贵金属纳米锥体阵列结构中，顶椎角为15-30度，锥体的中轴线与基底之间的角度为0-90度；
在所述贵金属纳米锥体阵列结构中，纳米锥体根部直径为100-500nm，锥体针尖直径为10-20nm，纳米锥体长度为100-1000nm。
2.如权利要求1所述的SERS活性基底，其特征在于，在所述贵金属纳米锥体阵列结构中，纳米锥体之间的间距为100-500nm。
3.一种采用氩离子冲击方法制备权利要求1-2任一项所述SERS活性基底的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)基片上形成贵金属膜层；
(2)贵金属膜层上“诱导”形成碳膜层；
(3)对覆盖碳膜层的贵金属膜层进行氩离子冲击；
(4)清洗去掉多余碳膜层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤1中采用的基片选自硅片、玻璃、钢铁、和/或塑料。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述贵金属Au和/或Ag。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述贵金属膜层的厚度为100nm到1000nm。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述贵金属膜层采用磁控溅射或金属蒸镀形成在基片上。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述碳膜层厚度为80-120nm。
9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤2中，所述碳膜层厚度约为100nm。
10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤3通过装备有超高真空和考夫曼(Kaufman)型离子枪的离子束系统来进行。
CN201110205749.6A 2011-07-21 2011-07-21 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法 Active CN102886933B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110205749.6A CN102886933B (zh) 2011-07-21 2011-07-21 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110205749.6A CN102886933B (zh) 2011-07-21 2011-07-21 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102886933A CN102886933A (zh) 2013-01-23
CN102886933B true CN102886933B (zh) 2015-10-28

Family

ID=47530708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110205749.6A Active CN102886933B (zh) 2011-07-21 2011-07-21 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102886933B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103353451B (zh) * 2013-07-04 2015-04-08 首都师范大学 纳米探针的制备方法
CN103398997A (zh) * 2013-08-07 2013-11-20 苏州扬清芯片科技有限公司 一种具有纳米圆锥形sers活性基片的快速制备方法
CN104614361B (zh) * 2015-01-21 2018-01-26 中国科学院合肥物质科学研究院 一种尿样中毒品的sers检测方法
CN104849258A (zh) * 2015-06-05 2015-08-19 中物院成都科学技术发展中心 一种柔性可擦拭的sers活性基底及其制备方法
CN104931480A (zh) * 2015-06-17 2015-09-23 中国科学院微电子研究所 一种sers基底及其制备方法
CN106995930B (zh) * 2016-01-22 2019-02-26 陕西师范大学 氧化铝纳米针及其与孔复合阵列结构的制备方法及应用
CN107064107B (zh) * 2017-04-11 2019-11-19 中山大学 一种利用硅纳米介电材料制备的超疏水表面增强拉曼基底及其制备方法
CN107561056A (zh) * 2017-08-17 2018-01-09 安徽中科赛飞尔科技有限公司 一种具有自组装结构的sers基底及其在毒品检测中的应用
CN111289493B (zh) * 2020-03-27 2021-08-06 电子科技大学 一种表面增强拉曼基底及其制备方法
CN112018213B (zh) * 2020-07-20 2022-03-29 烟台南山学院 一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法
CN111879754B (zh) * 2020-08-05 2023-07-18 山东寿光检测集团有限公司 用于检测新型冠状病毒的贵金属纳米锥sers衬底的使用方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5864397A (en) * 1997-09-15 1999-01-26 Lockheed Martin Energy Research Corporation Surface-enhanced raman medical probes and system for disease diagnosis and drug testing
CN101566570A (zh) * 2009-05-27 2009-10-28 东南大学 有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法
CN101726480A (zh) * 2009-11-23 2010-06-09 南京大学 基于类金刚石薄膜修饰金属纳米结构的表面增强拉曼衬底及其制备方法
CN101776604A (zh) * 2010-01-26 2010-07-14 中国科学院光电技术研究所 一种增强分子拉曼散射的基底制作方法
CN101923054A (zh) * 2009-06-12 2010-12-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 无孔径针尖增强拉曼散射探针及其制备方法
CN101970996A (zh) * 2007-12-31 2011-02-09 加利福尼亚大学董事会 蛋白激酶和/或磷酸酶活性的基于sers的单步实时检测

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5864397A (en) * 1997-09-15 1999-01-26 Lockheed Martin Energy Research Corporation Surface-enhanced raman medical probes and system for disease diagnosis and drug testing
CN101970996A (zh) * 2007-12-31 2011-02-09 加利福尼亚大学董事会 蛋白激酶和/或磷酸酶活性的基于sers的单步实时检测
CN101566570A (zh) * 2009-05-27 2009-10-28 东南大学 有序可控的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法
CN101923054A (zh) * 2009-06-12 2010-12-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 无孔径针尖增强拉曼散射探针及其制备方法
CN101726480A (zh) * 2009-11-23 2010-06-09 南京大学 基于类金刚石薄膜修饰金属纳米结构的表面增强拉曼衬底及其制备方法
CN101776604A (zh) * 2010-01-26 2010-07-14 中国科学院光电技术研究所 一种增强分子拉曼散射的基底制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SERS敏感基底制备及其在TNT痕量检测中的应用;陈广宇;《中国科学技术大学硕士学位论文》;20101229;全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102886933A (zh) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102886933B (zh) 用于检测毒品的高灵敏度sers传感器活性基底及其制备方法
Yang et al. Controlled fabrication of silver nanoneedles array for SERS and their application in rapid detection of narcotics
KR101448111B1 (ko) 표면 증강 라만 분광용 기판 및 이의 제조방법
Kim et al. Surface-enhanced Raman scattering: a powerful tool for chemical identification
CN102944545A (zh) 层状三维结构纳米金表面增强拉曼活性基底及其制备方法
CN102628808A (zh) 高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法
CN103398997A (zh) 一种具有纳米圆锥形sers活性基片的快速制备方法
CN103398996A (zh) 一种具有正三角锥形sers活性基片的快速制备方法
JP2016510405A (ja) 化学センサデバイス
CN108982474A (zh) 一种基于金属-介质复合等离激元共振结构的表面增强拉曼活性基底及其制备方法
Kantarovich et al. Writing droplets of molecularly imprinted polymers by nano fountain pen and detecting their molecular interactions by surface-enhanced Raman scattering
TWI612288B (zh) 一種重金屬檢驗試片與其製備方法
CN107748159A (zh) 一种表面增强拉曼基底及其制备方法
Zhao et al. Dense AuNP/MoS 2 hybrid fabrication on fiber membranes for molecule separation and SERS detection
Dong et al. Cu/Ag sphere segment void array as efficient surface enhanced Raman spectroscopy substrate for detecting individual atmospheric aerosol
Sun et al. The finite-difference time-domain (FDTD) guided preparation of Ag nanostructures on Ti substrate for sensitive SERS detection of small molecules
Yin et al. Plasmonic and sensing properties of vertically oriented hexagonal gold nanoplates
Zhu et al. Au nanocone array with 3D hotspots for biomarker chips
Xu et al. Evaporation-induced self-assembly of silver nanospheres and gold nanorods on a super-hydrophobic substrate for SERS applications
Li et al. Highly sensitive and selective SERS substrates with 3D hot spot buildings for rapid mercury ion detection
CN104975279A (zh) 一种制备表面增强拉曼基底的溶胶及方法
Dong et al. Capillary-force-assisted self-assembly of gold nanoparticles into highly ordered plasmonic thin films for ultrasensitive SERS
Wu et al. A simple SERS-based trace sensing platform enabled by AuNPs-analyte/AuNPs double-decker structure on wax-coated hydrophobic surface
Yanagisawa et al. Transmission-type plasmonic sensor for surface-enhanced Raman spectroscopy
Li et al. Decoration of Cu films on the microstructural mantis wing as flexible substrates for surface enhanced Raman scattering

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant