CN101499498B - 光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件 - Google Patents

光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件 Download PDF

Info

Publication number
CN101499498B
CN101499498B CN2009100098102A CN200910009810A CN101499498B CN 101499498 B CN101499498 B CN 101499498B CN 2009100098102 A CN2009100098102 A CN 2009100098102A CN 200910009810 A CN200910009810 A CN 200910009810A CN 101499498 B CN101499498 B CN 101499498B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor layer
light
leakage current
optical sensor
receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009100098102A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101499498A (zh
Inventor
田中勉
达拉姆·帕尔·戈斯艾因
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display West Inc
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN101499498A publication Critical patent/CN101499498A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101499498B publication Critical patent/CN101499498B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
    • G11C13/047—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using electro-optical elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
    • G11C13/042—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using information stored in the form of interference pattern
    • G11C13/044—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using information stored in the form of interference pattern using electro-optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Abstract

本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg-Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。

Description

光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件
相关申请的交叉参考
本发明包含于2008年1月31日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2008-020558的主题，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种光学传感器元件以及使用这种光学传感器元件的成像装置和电子设备，并且还涉及一种存储元件以及使用这种存储元件的电子设备。更具体地，本发明涉及一种使用由氧化物半导体构成的半导体层的构造。
背景技术
近年，出现越来越多的结合有诸如液晶的平板显示装置或有机EL显示装置的多功能电子设备。这种多功能包括诸如触摸板和输入笔的屏幕输入件以及能够通过设置在显示屏上或接近显示屏的光学传感器元件来进行亮度控制的背光。光学传感器元件和设置在电子设备中的用于驱动这种电子设备的元件使用由通过准分子激光器或固相生成结晶得到的非晶硅或多晶硅构成的半导体层。
此外，近年已提出了使用氧化物半导体的构造。这种氧化物半导体可以使用廉价的溅射系统形成，以用作半导体层。例如，JP-T-2006-502597描述了将薄膜晶体管用作显示装置的驱动元件的实例。此晶体管使用了由诸如ZnO、SnO2或In2O3的氧化物半导体构成的半导体层。作为另一个实例，日本专利公开第2006-165530号披露了一种使用非品金属氧化物半导体的X射线传感器。
发明内容
这里，已发现了使用由以上的氧化物半导体构成的半导体层的MOS元件提供了迄今未知的特性。鉴于上述，期望提供通过使用MOS元件的未知特性来进行驱动的光学传感器元件和存储元件，其中，MOS元件使用由氧化物半导体构成的半导体层作为有源层。此外，还期望提供一种使用这些元件的成像装置和电子设备。
为了达到以上需求，根据本实施例的光学传感器元件是所谓的MOS光学传感器元件。光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极。源电极和漏电极连接至半导体层。该光学传感器元件的特别之处在于，半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。
已经发现，在使用由氧化物半导体构成的半导体层的MOS元件中，当半导体层接收光时，相对于栅电压(Vg)的漏电流(Id)(即，Vg-Id特性)以非易失性方式变化。因此，可以通过读出在半导体层的光接收周期之后的漏电流(Id)来检测半导体层接收到的光量。
此处，这种Vg-Id特性的非易失性变化发生在栅电压低于达到导通(ON)电流的范围内。导通电流是在光照射之前的初始状态下的最大漏电流(Id)。因此，当栅电压等于或小于初始状态下的阈值电压并且等于或大于在半导体层的光接收期间的电压时，读出漏电流。这样就能够检测到半导体层接收到的光量。另一方面，在读出漏电流之前，执行重置操作以将Vg-Id特性恢复到其在半导体层的光接收之前的初始状态。
此外，本实施例是具有如上所述构造的光学传感器元件的成像装置。此外，本实施例是使用了具有该光学传感器元件的成像装置的电子设备。
此外，以上由于光照射带来的Vg-Id特性的非易失性变化能够运用到存储元件中。即，根据本实施例的存储元件是所谓的MOS光学传感器元件。存储元件具有经由栅极绝缘膜设置在由氧化物半导体构成的半导体层上的栅电极。源电极和漏电极连接至半导体层。该存储元件的特别之处在于，半导体层接收到的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。
本实施例也是具有如上所述构造的存储元件的电子设备。
如上所述，在所谓的使用由氧化物半导体构成的半导体层的MOS元件中，本实施例能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg-Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量。此外，本实施例能够将此非易失性变化用作存储器功能。
附图说明
图1是示出根据实施例的光学传感器元件和存储元件的构造的示意性截面图；
图2是示出根据实施例的光学传感器元件和存储元件的Vg-Id特性的示图；
图3是示出根据实施例的光学传感器元件和存储元件的驱动序列的示图；
图4是示出根据实施例的成像装置和存储装置的构造的示图；
图5是示出具有根据实施例的光学传感器元件的电子设备(显示装置)的实例的构造图；
图6是示出根据实施例的电子设备的电路构造的示图；
图7是示出根据实施例的电子设备的传感器部的电路构造的另一个实例的示图；
图8是应用本实施例的电视机的透视图；
图9A和图9B是示出应用本实施例的数码照相机的视图，图9A是前视图，图9B是后视图；
图10是应用了本实施例的膝上型个人计算机的透视图；
图11是应用了本实施例的可携式摄像机的透视图；以及
图12A～图12G是示出了应用本实施例的诸如移动电话的个人数字助理的视图，图12A是移动电话处于打开位置的前视图，图12B是其侧视图，图12C是其处于关闭位置的前视图，图12D是其左侧视图，图12E是其右侧视图，图12F是其俯视图，以及图12G是其仰视图。
具体实施方式
下文将参照附图详细描述本发明的优选实施例。
<光学传感器元件和存储元件>
图1是示出应用本实施例的光学传感器元件的构造的示意性截面图。图1所示的光学传感器元件1a是所谓的MOS光学传感器元件1a。元件1a如下文所述构造。
即，在基板11上设置由诸如钼、钛、钽或钨的材料、或者诸如铝的光反射材料构成的栅电极13。栅电极13由栅极驱动电路以下文所述的方式驱动。在基板11上以覆盖栅电极13的方式设置栅极绝缘膜。优选地，栅极绝缘膜15应是透光的。在栅极绝缘膜15上以跨过栅电极13的方式形成半导体层17的图样。半导体层17由氧化物半导体构成。用作这种氧化物半导体的金属氧化物是INGaZnO、SnO2、In2O3、ITO(SnO2+In2O3)、ZnO、CdO、Cd2SnO4，、TiO2和Ti3N4。
此外，在设置了半导体层17的栅极绝缘膜15上形成源电极和漏电极19s和19d的图样。在栅电极13的两侧形成源电极和漏电极19s和19d的图样以夹置相同的电极13。源电极和漏电极19s和19d的图样被形成以使每个电极的边缘部分落在半导体层17的一个边缘部分上。源电极和漏电极19s和19d均由导电材料构成并由如下所述的源极驱动电路23s和漏极驱动电路23d驱动。
图2是示出栅电压(Vg)和漏电流(Id)之间的关系(即，Vg-Id特性)以描述具有如上所述的分层构造的光学传感器元件1a的驱动的示图。光学传感器元件1a由栅极驱动电路、源极驱动电路和源极驱动电路驱动。
当从由氧化物半导体构成的半导体层接收到光时，光学传感器元件1a的Vg-Id特性以使漏电流(Id)从光接收之前(下文写作激发状态B)的初始状态A开始增加的方式变化。这种变化是非易失性的并且即使光接收终止仍将被保留。因此，通过读出在光接收之后的漏电流(Id)来检测半导体层17所接收的光量。注意，半导体层17所接收的光量能够被检测的光是具有可被以上层17吸收的波长的光。为此，例如，如果半导体层17由InGaZnO构成，那么相同层17特别明显地吸收420nm以下波长的紫外光。结果，将检测到所接收的光量。
另一方面，Vg-Id特性的这种非易失性变化发生在栅电压低于达到导通电流(Id＝Ion)的范围中。导通电流是在光照射之前的初始状态A下的最大漏电流(Id)。此外，Vg-Id特性以非易失性方式变化，以使漏电流(Id)随半导体层17接收的光量的增加而增加。
因此，我们假设在读出漏电流(Id)时的栅电压(Vgr)满足关系式Vgh＜Vgr＜Vth，其中，Vth是初始状态A下的阈值电压，以及Vgh是在半导体层17的光接收周期期间的栅电压。这样就能够以高灵敏度来检测半导体层17所接收的光量。注意，初始状态A下的阈值电压(Vth)是漏电流的变化最大的栅电压(Vg)。另一方面，例如，初始状态A下的半导体层17的光接收周期期间的电压(Vgh)可以被设定为漏电流(Id)最小的截止(OFF)电流(Id＝Ioff)范围。
此外，由于Vg-Id特性如上所述以非易失性方式随半导体层17接收的光量的变化而变化，所以通过连续或间歇地重复光接收周期，被相同层17接收的光的累积量被检测作为Vg-Id特性相对于初始状态A的累积变化。
另一方面，图3是示出由具有如上所述的分层构造的相同元件1a的栅极驱动电路、源极驱动电路和漏极驱动电路处理的光学传感器元件1a的驱动序列的示图。图3所示的序列目的在于使用如上所述驱动的光学传感器元件1a来重复检测在预定光接收周期由半导体层17接收到的光量。以下将参照图1、2和图3描述此序列。
首先，在步骤S1中，在重置周期期间，执行重置操作以将Vg-Id特性恢复到初始状态A。在重置操作中执行下面的三个步骤(1)～(3)。(1)在使源电极和漏电极19s和19d短路的情况下将等于或大于阈值电压(Vth)的正电压施加给栅电极13。(2)执行热处理。(3)使预定大小或更高的电流在源电极和漏电极之间流过，用于进行自加热来作为热处理。
根据诸如半导体层17和栅极绝缘膜15的成分、膜质量和膜形成条件的因素，在适当的条件下执行包括上面三个步骤(1)～(3)的重置操作。例如，在由InGaZnO构成的栅电极13上以400℃的膜形成温度致密地形成100nm厚的栅极绝缘膜15的情况下，需要15V的栅电压Vg来执行重置操作的步骤(1)。此外，已经发现如果此栅极绝缘膜15不是如上所述致密地形成，而是提供了足以用作晶体管绝缘膜的膜性质，那么在180℃的膜形成温度下，需要栅电压(Vg)为10V以下以执行重置操作的步骤(1)。还发现根据条件，即使栅电压(Vg)和漏电压(Vd)都是0V，那么仍然可以构执行重置操作。
接下来，在步骤S2中的光接收周期期间，光被半导体层17接收。此时，在预设的预定光接收周期期间，光接收电压(Vgh)被施加给栅电极13。
在随后的步骤S3中的读出周期期间，用施加给栅电极13的读取电压来读出漏电流(Id)。
由此，通过重复步骤S1～S3来检测半导体层17随时间接收到的光量。
如上所述构造的光学传感器元件1a以相对于Vg-Id特性的非易失性方式保留被半导体层17接收的光量。以上的元件1a构成光学存储器。即，光学传感器元件1a还用作光写入型非易失性存储元件1b。
在使用由氧化物半导体构成的半导体层17的所谓MOS元件中，如上所述构造的光学传感器元件1a(存储元件1b)能够使用由半导体层17的光接收带来的最新发现的Vg-Id特性的非易失性变化，以高灵敏度来检测被半导体层17接收的光量。
应注意，在以上描述中，已给出所谓的底栅型MOS元件来作为MOS光学传感器元件1a(存储元件1b)的实例。然而，光学传感器元件1a(存储元件1b)可以是在半导体层17上经由栅极绝缘膜15设置有栅电极13的所谓的顶栅型元件。此外，可以经由半导体层1 7设置两个栅电极，一个在栅极绝缘膜上而另一个在栅极绝缘膜下。在这种情况下，两个电极驱动提供了在转换操作中的稳定性或可靠性。如果两个栅电极一个形成在半导体层17上而另一个形成在半导体层17下，那么就必需设置一些类型的部件才能使光落在半导体层上。可以使用水平方向上的泄漏光。可选地，顶极和底极中的一个或两个都可以用透光材料形成。
<成像装置和存储装置>
图4是示出结合了在具有上述MOS结构的光学传感器元件1a中的成像装置3a的构造的示图。如图4所示，成像装置3a具有配置在基板11的成像区域中的多个光学传感器元件1a。在基板11上设置沿水平方向放置的多条选择控制线31和沿垂直方向放置的多条信号线33。每个传感器元件1a被设置在一条选择控制线31和一条信号线33之间的交叉处，其栅电极连接至一条选择控制线31，而源电极和漏电极分别连接至信号线33的两侧。
扫描线驱动电路35和信号线驱动电路37置于配置有光学传感器元件1a的成像区域的周围。选择控制线31连接至扫描线驱动电路35。信号线33连接至信号线驱动电路37。
在两个电路中，根据关于光学传感器元件1a的构造所描述的序列，扫描线驱动电路35顺序选择选择控制线31来驱动连接至所选的选择控制线31的光学传感器元件1a的栅电极。
另一方面，根据关于光学传感器元件1a的构造所描述的序列，信号线驱动电路37顺序选择信号线33来驱动连接至所选的信号线33的光学传感器元件1a的源电极和漏电极。应注意，尽管此处省略说明，但是电路可以连接至每条信号线33。该电路处理作为漏电流被顺序提取出来的电信号，以表示被每个光学传感器元件1a的半导体层所接收的光量。
如上所述构造的成像装置3a能够使用Vg-Id特性由于半导体层的光接收而以非易失性方式变化的光学传感器元件1a来进行成像。然而，应注意，半导体层接收的光量能够被检测的光是具有半导体层能够吸收的波长的光。鉴于此，例如，如果半导体层由InGaZnO构成，那么就通过检测在420nm以下波长上接收的紫外光量来进行成像。
此外，因为光学传感器元件1a本身用作存储元件1b，所以上述的成像装置3a也被用作非易失性多比特存储装置3b。应注意，如果成像装置3a用作存储装置3b，那么每个存储元件1b(传感器元件1a)的半导体层可以在将照射的光被扫描到光学传感器元件1a上时接收光。然而，作为将照射到光学传感器元件1a上的光，必须使用半导体层能够吸收的波长的光。
<电子设备1>
图5是示出具有如上所述构造的光学传感器元件1a的电子设备5a的实例的结构图。在图5中所示的电子设备5a是包括如上所述构造的光学传感器元件1a的显示装置。电子设备(显示装置)5a包括显示面板51、背光52、显示驱动电路53、光接收驱动电路54、图像处理部55和应用程序执行部56。
显示面板51包括液晶显示面板(LCD(液晶显示器))。液晶面板具有在中心的显示区域51a的整个表面上以矩阵形式配置的多个像素。液晶面板能够通过执行线性序列驱动基于显示数据来显示诸如预定图形和文本的图像(显示能力)。如下所述，另一方面，显示区域51a具有光学传感器元件以提供用于检测接触或靠近显示面板51的显示表面的物体的传感器能力(成像能力)。
另一方面，背光52是显示面板51的光源，并包括例如沿其表面配置的多个发光二极管。背光52经设计为如后所述以与显示面板51的操作定时同步的预定定时快速导通和截止发光二极管。具体地，在本实施例中，必需的是背光52不仅发射用于显示目的的可见光，还发射波长被光学传感器元件的半导体层吸收的光。例如，由InGaZnO构成的半导体层几乎不吸收可见光波长，但是吸收420nm以下波长的紫外光。因此，用于产生420nm以下波长的紫外光的光源用作背光52。应注意，紫外光源可以与可见光源分开设置。可选地，存在于普通环境中的光(例如，户外阳光、室内荧光)可以用于检测阴影区域，从而识别靠近表面的物体。在此情况下，不需要任何紫外光源。
接下来，显示驱动电路53驱动显示面板51(执行显示面板51的线性序列驱动)，以基于显示数据在显示面板51上显示图像(执行显示操作)。
光接收驱动电路54驱动显示面板51(执行显示面板51的线性序列驱动)，以获得显示面板51的光接收数据(对目标进行成像)。应注意，每个像素的光接收数据以帧为单位存储在帧存储器54a中并作为拍摄图像输出至图像处理部55。
图像处理部55基于来自光接收驱动电路54的拍摄图像来执行预定图像处理(运算操作)，以检测和获取关于接触或靠近显示面板51的物体的信息(例如，位置坐标数据、物体形状、尺寸和其他数据)。
应用程序执行部56基于图像处理部55的检测结果、根据预定应用软件来执行处理。例如，在这种处理中，将显示数据连同待检测物体的位置坐标一起显示在显示面板51上。应注意，应用程序执行部56所产生的显示数据被提供给显示驱动电路53。
图6是示出显示面板51的显示区域51a的电路构造的示图。如图6所示，多个像素部61和多个传感器部62形成并配置在显示区域51a中。
每一个像素部61均设置在水平方向上放置的多条扫描线61a之一和在垂直方向上放置的多条信号线61b之一的交叉处。例如，每个像素部61包括作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)Tr。
薄膜晶体管Tr的栅极连接至扫描线61a，其源极和漏极之一连接至信号线61b而其源极和漏极中的另一个连接至像素电极61c。此外，每个像素部61均包括用于将公共电位Vcom提供给所有像素部61的公共电极61d。液晶层LC位于像素电极61c和公共电极61d之间。
薄膜晶体管Tr基于经由扫描线61a提供的驱动信号而导通和截止。当以上的晶体管Tr导通时，基于从信号线61b提供的显示信号，将像素电压施加给像素电极61c，因而，通过在像素电极61c和公共电极61d之间产生的电场来驱动液晶层LC。
另一方面，传感器部62设置在显示区域51a的预定部分处。传感器部62可以设置给每个像素部61或多个像素部61。传感器部62包括具有参照图1所述的MOS结构的光学传感器元件1a。
每个光学传感器元件1a的源电极连接至电源线(Vdd)62a，以及其漏电极连接至电容元件Cs。每个光学传感器元件1a的栅电极连接至选择控制线62b。
传感器部62还包括两个晶体管Tr1和Tr2，一个晶体管的源极连接至另一个晶体管的漏极。晶体管Tr1(两个晶体管中的一个)的栅极连接至光学传感器元件1a的源电极和电容元件Cs。晶体管Tr1的源极或漏极连接至电源线(Vdd)62a。晶体管Tr2(两个晶体管中的另一个)的栅极连接至读出控制电极62c，以及其源极或漏极连接至信号输出电极62d。应注意，电容元件Cs的另一个电极连接至电源线(Vss)62e。
如关于光学传感器元件1a的构造所述，以上的元件1a通过此处省略了其说明的重置开关来重置。读出以非易失性方式随以上的元件1a的半导体层接收到的光量的变化而变化的漏电流。从光学传感器元件1a读出的漏电流以电荷的形式存储在电容元件Cs中，并通过由读出控制电极62c提供的信号而被提供给信号输出电极62d，用于输出给外部装置。
应注意，包括在像素和传感器部61和62中的薄膜晶体管Tr、Tr1和Tr2可以被同一地配置给光学传感器元件1a。在这种情况下，尽管同一地配置给光学传感器元件1a，但是薄膜晶体管Tr、Tr1和Tr2与以上的元件1a不同地驱动。因此，优选地，薄膜晶体管Tr、Tr1和Tr2应覆盖有光屏蔽膜以防止它们故障。只要膜能够吸收或反射被光学传感器元件1a的半导体层吸收的紫外光，那么就可以接受这个膜来用作光屏蔽膜。
应注意，如上述构造的显示面板51位于两个偏光板之间。
为了驱动参照图5和6所述的电子设备(显示装置)5a，在从背光52照射的所有光中，作为像素电极61c的驱动结果，通过液晶层LC的转换使已通过偏光板并到达液晶层LC的光偏光成预定状态。然后，只有偏光成与另一个偏光板相同方向的光能够通过这个板，用于作为显示光来进行显示。
另一方面，如果手指、记录笔或其他物体接近显示表面，那么由这个物体投射的外部光的阴影被光学传感器元件1a检测到。可选地，来自背光的光被物体反射并被光学传感器元件1a检测到。然后，被光学传感器元件1a检测到的光被读出作为漏电流，以检测接近用于成像的显示屏的手指或记录笔的位置。
上述的电子设备(显示装置)5a可以使用Vg-Id特性作为半导体层的光接收结果而以非易失性方式变化的光学传感器元件1a以高灵敏度来检测光。
<电子设备2>
作为另一个实例，当提供基于通过在显示区域51a周围设置具有光学传感器元件1a的传感器部而接收到的外部光的强度来调整背光52的能力时，可应用使用了如上所述构造的光学传感器元件1a的电子设备(显示装置)。在此情况下，例如，具有以上元件1a的传感器部可以如图7所示构造。
即，具有MOS结构的光学传感器元件1a的源电极连接至电源线(Vdd)，以及其漏电极连接至电容元件Cs、重置电路和读出电路。光学传感器元件1a的栅电极连接至选择控制线65。应注意，电容元件Cs的另一个电极连接至电源线(Vss)。
如关于光学传感器元件1a的构造所述，以上的元件1a通过此处省略了其说明重置开关而重置。读出以非易失性方式随以上的元件1a的半导体层接收到的光量的变化而变化的漏电流。从光学传感器元件1a读出的漏电流以电荷的形式存储在电容元件Cs中，并通过来自读出电路的信号而输出给外部装置。
此外，这种电子设备(显示装置)包括光强控制电路，而不包括在如图5所示的电子设备(显示装置)5a中所包括的光接收驱动电路54、图像处理部55和应用程序执行部56。该控制电路基于来自光学传感器元件1a的电子信号来控制背光52的光强度。
如上所述构造的电子设备(显示装置)还能够使用其Vg-Id特性作为半导体层的光检测结果而以非易失性方式变化的光学传感器元件1a以高灵敏度来检测光。
应注意，已给出液晶显示装置作为具有光学传感器能力(成像能力)的电子设备(显示装置)的实例。然而，这种电子设备并不限于液晶显示装置，而是还可以广泛应用于具有根据本实施例构造的光学传感器元件1a的电子设备。例如，如果电子设备是显示装置，那么根据本实施例的光学传感器元件就可以包括在电路表面上形成了有机LED(OLED)的没有背光的自发光显示装置中。
<应用实例>
根据上述实施例的具有光学传感器元件或存储元件的电子设备可应用于宽范围的电子设备，包括图8～12所示的数码照相机、膝上型个人计算机、诸如移动电话的个人数字助理以及可携式摄像机。设备的这些部件经设计以被提供给电子设备或在电子设备内部产生的视频信号的图像或视频。在电子设备的这些部件中，关于实施例所述的光学传感器元件可以设置在显示部中，以提供成像能力。此外，具有关于实施例所述的存储元件的存储装置可应用作为电子设备的上述部件的存储器能力。应用了本实施例的电子设备的实例以下将给出。
图8是示出应用了本实施例的电视机的透视图。根据本应用实例的电视机包括由例如前面板102、滤光玻璃103和其他部件构成的视频显示屏部101。电视机是通过使用具有根据本实施例的光学传感器元件的显示装置作为视频显示屏部101制造的。另外，这个电视机是通过使用具有根据本实施例的存储元件的存储装置作为存储器能力制造的。
图9A和图9B是示出应用本实施例的数码照相机的视图。图9A是当从前观看时数码照相机的前视图，以及图9B是其当从后观看时的后视图。根据本应用实例的数码照相机包括闪光部111、显示部112、菜单开关113、快门按钮114和其他部件。数码照相机是通过使用具有根据本实施例的光学传感器元件的显示装置作为显示部112来制造的。此外，该数码照相机是通过使用具有根据本实施例的存储元件的存储装置作为存储器能力来制造的。
图10是示出应用本实施例的膝上型个人计算机的透视图。根据本实施例的膝上型个人计算机在主体121中包括用于操纵来输入文本或其他信息的键盘122、用于显示图像的显示部123以及其他部件。膝上型个人计算机是通过使用具有根据本实施例的光学传感器元件的显示装置作为显示部123来制造的。此外，该膝上型个人计算机是通过使用具有根据本实施例的存储元件的存储装置作为存储器能力来制造的。
图11是示出应用本实施例的可携式摄像机的透视图。根据本应用实例的可携式摄像机包括主体部131、设置在正面侧表面上以拍摄目标图像的镜头132、成像开始/停止开关133、显示部134和其他部件。可携式摄像机是通过使用具有根据本实施例的光学传感器元件的显示装置作为显示部134来制造的。此外，此可携式摄像机是通过使用具有根据本实施例的存储元件的存储装置作为存储器能力来制造的。
图12A～图12G是示出应用本实施例的诸如移动电话的个人数字助理的透视图。图12A是移动电话处于打开位置的前视图。图12B是其侧视图。图12C是移动电话处于关闭位置的前视图。图12D是左侧视图。图12E是右侧视图。图12F是俯视图。图12G是仰视图。根据本应用实例的移动电话包括上壳141、下壳142、连接部(此实例中，铰链部)143、显示器144、子显示器145、镜前灯146、照相机147和其他部件。移动电话是通过使用具有根据本实施例的光学传感器元件的显示装置作为显示器144和子显示器145来制造的。此外，该移动电话是通过使用具有根据本实施例的存储元件的存储装置作为存储器能力来制造的。
本领域技术人员应明白，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、再组合和变更，只要处于所附权利要求或其等价物的范围内。

Claims (20)

1.一种光学传感器元件，具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至所述半导体层的源电极和漏电极，其中
被所述半导体层接收的光量被作为漏电流读出，栅电压-漏电流特性以非易失性方式变化，
其中，当所述栅电压等于或小于在所述半导体层的光接收之前的初始状态下的阈值电压并且等于或大于在所述半导体层的光接收期间的电压时，读出所述漏电流。
2.根据权利要求1所述的光学传感器元件，其中
在所述半导体层的光接收之前执行重置操作，以将相对于所述栅电压的所述漏电流恢复到所述半导体层的光接收之前的初始状态。
3.根据权利要求2所述的光学传感器元件，其中
作为所述重置操作，在使所述源电极和所述漏电极短路的情况下向所述栅电极施加正电压，或者加热所述半导体层。
4.根据权利要求3所述的光学传感器元件，其中
通过使电流在所述源电极和所述漏电极之间流过来进行加热。
5.一种成像装置，具有光学传感器元件，所述光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至所述半导体层的源电极和漏电极，其中
被所述半导体层接收的光量被作为漏电流读出，栅电压-漏电流特性以非易失性方式变化，
其中，当所述栅电压等于或小于在所述半导体层的光接收之前的初始状态下的阈值电压并且等于或大于在所述半导体层的光接收期间的电压时，读出所述漏电流。
6.根据权利要求5所述的成像装置，其中
在所述半导体层的光接收之前执行重置操作，以将相对于所述栅电压的所述漏电流恢复到所述半导体层的光接收之前的初始状态。
7.根据权利要求6所述的成像装置，其中
作为所述重置操作，在使所述源电极和所述漏电极短路的情况下向所述栅电极施加正电压，或者加热所述半导体层。
8.根据权利要求7所述的成像装置，其中
通过使电流在所述源电极和所述漏电极之间流过来进行加热。
9.一种电子设备，具有光学传感器元件，所述光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至所述半导体层的源电极和漏电极，其中
被所述半导体层接收的光量被作为漏电流读出，栅电压-漏电流特性以非易失性方式变化，
其中，当所述栅电压等于或小于在所述半导体层的光接收之前的初始状态下的阈值电压并且等于或大于在所述半导体层的光接收期间的电压时，读出所述漏电流。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其中
在所述半导体层的光接收之前执行重置操作，以将相对于所述栅电压的所述漏电流恢复到所述半导体层的光接收之前的初始状态。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其中
作为所述重置操作，在使所述源电极和所述漏电极短路的情况下向所述栅电极施加正电压，或者加热所述半导体层。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其中
通过使电流在所述源电极和所述漏电极之间流过来进行加热。
13.一种存储元件，具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至所述半导体层的源电极和漏电极，其中
被所述半导体层接收的光量被作为漏电流读出，栅电压-漏电流特性以非易失性方式变化，
其中，当所述栅电压等于或小于在所述半导体层的光接收之前的初始状态下的阈值电压并且等于或大于在所述半导体层的光接收期间的电压时，读出所述漏电流。
14.根据权利要求13所述的存储元件，其中
在所述半导体层的光接收之前执行重置操作，以将相对于所述栅电压的所述漏电流恢复到所述半导体层的光接收之前的初始状态。
15.根据权利要求14所述的存储元件，其中
作为所述重置操作，在使所述源电极和所述漏电极短路的情况下向所述栅电极施加正电压，或者加热所述半导体层。
16.根据权利要求15所述的存储元件，其中
通过使电流在所述源电极和所述漏电极之间流过来进行加热。
17.一种电子设备，具有存储元件，所述存储元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至所述半导体层的源电极和漏电极，其中
被所述半导体层接收的光量被作为漏电流读出，栅电压-漏电流特性以非易失性方式变化，
其中，当所述栅电压等于或小于在所述半导体层的光接收之前的初始状态下的阈值电压并且等于或大于在所述半导体层的光接收期间的电压时，读出所述漏电流。
18.根据权利要求17所述的电子设备，其中
在所述半导体层的光接收之前执行重置操作，以将相对于所述栅电压的所述漏电流恢复到所述半导体层的光接收之前的初始状态。
19.根据权利要求18所述的电子设备，其中
作为所述重置操作，在使所述源电极和所述漏电极短路的情况下向所述栅电极施加正电压，或者加热所述半导体层。
20.根据权利要求19所述的电子设备，其中
通过使电流在所述源电极和所述漏电极之间流过来进行加热。
CN2009100098102A 2008-01-31 2009-01-23 光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件 Expired - Fee Related CN101499498B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008020558A JP5121478B2 (ja) 2008-01-31 2008-01-31 光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子
JP2008-020558 2008-01-31
JP2008020558 2008-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101499498A CN101499498A (zh) 2009-08-05
CN101499498B true CN101499498B (zh) 2012-07-11

Family

ID=40946465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100098102A Expired - Fee Related CN101499498B (zh) 2008-01-31 2009-01-23 光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8194469B2 (zh)
JP (1) JP5121478B2 (zh)
KR (1) KR101562609B1 (zh)
CN (1) CN101499498B (zh)
TW (1) TWI384634B (zh)

Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009146100A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Sony Corp 表示装置および光センサ素子
JP4756490B2 (ja) 2009-02-23 2011-08-24 奇美電子股▲ふん▼有限公司 ディスプレイ装置及びこれを備える電子機器
KR101790704B1 (ko) * 2009-10-09 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 시프트 레지스터 및 표시 장치
SG10201503877UA (en) 2009-10-29 2015-06-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR101788521B1 (ko) 2009-10-30 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
SG178895A1 (en) * 2009-10-30 2012-04-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
CN104681079B (zh) 2009-11-06 2018-02-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及用于驱动半导体装置的方法
CN104600074A (zh) 2009-11-06 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101696410B1 (ko) 2009-11-11 2017-01-16 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 동작 방법
WO2011058934A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011058882A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
WO2011062058A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101752212B1 (ko) * 2009-11-20 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101662359B1 (ko) * 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
WO2011065258A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5584103B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
KR101913111B1 (ko) 2009-12-18 2018-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101866734B1 (ko) 2009-12-25 2018-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077978A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR101434948B1 (ko) 2009-12-25 2014-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101842413B1 (ko) 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105047669B (zh) 2009-12-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
CN105702631B (zh) 2009-12-28 2019-05-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101631652B1 (ko) * 2009-12-29 2016-06-20 삼성전자주식회사 광민감성 투명 산화물 반도체 재료를 이용한 이미지 센서
US8780629B2 (en) 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011086871A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102714208B (zh) * 2010-01-15 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8415731B2 (en) 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
WO2011089852A1 (en) 2010-01-22 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and driving method thereof
KR101800850B1 (ko) 2010-01-29 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
WO2011096264A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR101862823B1 (ko) 2010-02-05 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
WO2011096262A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101822962B1 (ko) 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101775180B1 (ko) * 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN105336744B (zh) 2010-02-12 2018-12-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
KR101811204B1 (ko) 2010-02-12 2017-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102015762B1 (ko) 2010-02-19 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
WO2011108475A1 (en) 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
WO2011111490A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR101840797B1 (ko) 2010-03-19 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치
KR101891065B1 (ko) * 2010-03-19 2018-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
US9891102B2 (en) 2010-04-22 2018-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Simplified light sensing circuit, light sensing apparatus including the light sensing circuit, method of driving the light sensing apparatus, and image acquisition apparatus and optical touch screen apparatus including the light sensing apparatus
KR102056905B1 (ko) * 2011-07-25 2019-12-18 삼성전자주식회사 광센싱 장치 및 그 구동 방법, 광센싱 장치를 포함하는 광터치 스크린 장치
KR101652786B1 (ko) * 2010-04-22 2016-09-12 삼성전자주식회사 단순화된 광센싱 회로 및 상기 광센싱 회로를 채용한 리모트 광터치 패널 및 영상 획득 장치
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101672344B1 (ko) 2010-05-20 2016-11-04 삼성전자주식회사 광센싱 회로, 상기 광센싱 회로의 구동 방법, 및 상기 광센싱 회로를 채용한 광센싱 장치
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US8637802B2 (en) * 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008304A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI524347B (zh) 2010-08-06 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其驅動方法
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI688047B (zh) 2010-08-06 2020-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120017258A (ko) * 2010-08-18 2012-02-28 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 대전 센서
JP5702689B2 (ja) 2010-08-31 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
WO2012029637A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101754949B1 (ko) 2010-09-06 2017-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
TWI543166B (zh) 2010-09-13 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
KR101778224B1 (ko) 2010-10-12 2017-09-15 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
WO2012057296A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device
KR101952733B1 (ko) 2010-11-05 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8936965B2 (en) * 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5912467B2 (ja) * 2010-12-10 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換回路及び表示装置
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102738182A (zh) * 2011-03-31 2012-10-17 宏碁股份有限公司 一种非晶系氧化物半导体的光传感器装置与其制作方法
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101906974B1 (ko) * 2011-04-25 2018-10-12 삼성전자주식회사 광센싱 장치 및 그 구동 방법
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR102021908B1 (ko) 2011-05-03 2019-09-18 삼성전자주식회사 광터치 스크린 장치 및 그 구동 방법
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP5052693B1 (ja) * 2011-08-12 2012-10-17 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置、イメージセンサー、ｘ線センサー並びにｘ線デジタル撮影装置
CN102651422A (zh) * 2011-10-10 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 短波长光探测器及其制造方法
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
EP2836997A1 (en) * 2012-04-13 2015-02-18 Koninklijke Philips N.V. Data generating system and lighting device
JP6005391B2 (ja) * 2012-05-01 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5901420B2 (ja) * 2012-05-14 2016-04-13 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
CN102751240B (zh) * 2012-05-18 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
KR101906971B1 (ko) * 2012-09-27 2018-10-11 삼성전자주식회사 하이브리드 터치 패널, 하이브리드 터치 스크린 장치 및 이의 구동 방법
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195060A (ja) * 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
JP6132283B2 (ja) * 2013-05-17 2017-05-24 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 増幅回路および増幅回路を用いたイメージセンサ
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590110B2 (en) * 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015149414A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 株式会社東芝 半導体装置及び撮像装置
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI555217B (zh) * 2014-05-29 2016-10-21 友達光電股份有限公司 光偵測器及其操作方式
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN107949924B (zh) * 2015-07-24 2022-03-08 南洋理工大学 传感器元件、图像传感器及其形成和操作方法
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US10573621B2 (en) * 2016-02-25 2020-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging system and manufacturing apparatus
JP6801891B2 (ja) * 2016-03-02 2020-12-16 国立研究開発法人産業技術総合研究所 半導体−絶縁体可逆変化薄膜及びその製造方法
SG10201701689UA (en) 2016-03-18 2017-10-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device
US10490116B2 (en) 2016-07-06 2019-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and display system
KR102458660B1 (ko) 2016-08-03 2022-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US10483300B2 (en) 2017-06-02 2019-11-19 Electronics And Telecommunications Research Institute Optically restorable semiconductor device, method for fabricating the same, and flash memory device using the same
US10746614B2 (en) * 2017-09-18 2020-08-18 Korea University Research And Business Foundation, Sejong Campus Stretchable multimodal sensor and method of fabricating of the same
KR101912714B1 (ko) * 2017-09-29 2018-10-29 삼성전자주식회사 광터치 스크린 장치 및 그 구동 방법
CN107910331B (zh) * 2017-11-17 2020-07-28 南方科技大学 非易失存储器单元及其制备方法
KR101951322B1 (ko) * 2017-12-14 2019-02-22 삼성전자주식회사 광센싱 장치 및 그 구동 방법, 광센싱 장치를 포함하는 광터치 스크린 장치
KR102478540B1 (ko) * 2017-12-22 2022-12-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
JP7039346B2 (ja) 2018-03-20 2022-03-22 株式会社ジャパンディスプレイ 光センサー回路、光センサー装置、および、表示装置
JP7326518B2 (ja) * 2018-03-20 2023-08-15 株式会社ジャパンディスプレイ 光センサー装置
TWI718378B (zh) * 2018-05-23 2021-02-11 友達光電股份有限公司 光學式偵測裝置及其偵測方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1779514A (zh) * 2004-11-26 2006-05-31 三洋电机株式会社 光传感器及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3246034B2 (ja) * 1993-02-05 2002-01-15 カシオ計算機株式会社 フォトセンサ及びフォトセンサの駆動方法
JP2003101029A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ、フォトセンサ及びその製造方法
US7189992B2 (en) 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2006121029A (ja) * 2004-09-27 2006-05-11 Tokyo Institute Of Technology 固体電子装置
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
JP2006165530A (ja) 2004-11-10 2006-06-22 Canon Inc センサ及び非平面撮像装置
JP2006186853A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Casio Comput Co Ltd 読取駆動回路及びその駆動制御方法並びに画像読取装置
JP5116225B2 (ja) * 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
US7710787B2 (en) * 2006-04-11 2010-05-04 Analog Devices, Inc. Method of erasing an EEPROM device
KR100825383B1 (ko) * 2006-04-24 2008-04-29 삼성에스디아이 주식회사 비휘발성 메모리 소자, 이를 제조하는 방법 및 이를포함하는 유기 전계 발광 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1779514A (zh) * 2004-11-26 2006-05-31 三洋电机株式会社 光传感器及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090084708A (ko) 2009-08-05
CN101499498A (zh) 2009-08-05
TW200935615A (en) 2009-08-16
US20100097838A1 (en) 2010-04-22
KR101562609B1 (ko) 2015-10-23
JP5121478B2 (ja) 2013-01-16
US8194469B2 (en) 2012-06-05
TWI384634B (zh) 2013-02-01
JP2009182194A (ja) 2009-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101499498B (zh) 光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件
CN101211083B (zh) 液晶装置及电子设备
JP5721994B2 (ja) 放射線撮像装置
KR101345025B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
KR100659620B1 (ko) 터치 패널
KR101455356B1 (ko) 메모리 소자 및 표시장치
US8111344B2 (en) Liquid crystal display device having a light-sensing thin film transistor disposed at a pixel region
US8269748B2 (en) Display and electronic apparatus
JP2009146100A (ja) 表示装置および光センサ素子
JP2007102154A (ja) 平面表示装置
TW201040816A (en) Touch panel, display device, and electronic device
TW201103143A (en) Organic light emitting diode touch display
TW201001390A (en) Display device and method for luminance adjustment of display device
JP2005173184A (ja) 表示装置及びその駆動制御方法
JP2006091462A (ja) 表示装置
JP2009229908A (ja) 表示装置
JP4071535B2 (ja) Ｅｌ表示装置
JP4048497B2 (ja) 表示装置及びその駆動制御方法
CN101714566B (zh) 传感器元件、驱动其的方法、输入装置、显示装置和通信装置
JP2003066865A (ja) 表示基板およびその検査方法と検査装置
TWI406065B (zh) 顯示器件及電子裝置
JP2007226045A (ja) 有機ｅｌ表示装置および座標入力方法
JP2008146051A (ja) Ｅｌ表示装置
JP2007248956A (ja) 電気光学装置および電子機器
JP5312435B2 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NIPPON DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SONY CORPORATION

Effective date: 20121119

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121119

Address after: Aichi

Patentee after: Japan display West Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Sony Corporation

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120711

Termination date: 20200123

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee