CN101473420B - 脱模组合物、tft基板的制造方法及脱模组合物的循环方法 - Google Patents

脱模组合物、tft基板的制造方法及脱模组合物的循环方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101473420B
CN101473420B CN2007800233902A CN200780023390A CN101473420B CN 101473420 B CN101473420 B CN 101473420B CN 2007800233902 A CN2007800233902 A CN 2007800233902A CN 200780023390 A CN200780023390 A CN 200780023390A CN 101473420 B CN101473420 B CN 101473420B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resist
mold release
release compositions
electric conductor
conductor film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800233902A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101473420A (zh
Inventor
井上一吉
松原雅人
白木安司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Publication of CN101473420A publication Critical patent/CN101473420A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101473420B publication Critical patent/CN101473420B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种能提高品质及生产率、并能改善作业环境的脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法。TFT基板的制造方法具有下述工序：在玻璃基板(1010)上形成薄膜晶体管(1050)、保护用绝缘膜(1054)、抗蚀剂(1055)，形成咬边部(1554)的工序；形成被彼此分离的导电体膜(1611)及像素电极(1612)的工序；供给脱模组合物，溶解再形成抗蚀剂(1553)使导电体膜(1611)剥离的脱模工序；使抗蚀剂上的导电体膜(1611)溶解在含有导电体膜(1611)的使用过的脱模组合物中，再利用该使用过的脱模组合物的循环工序。

Description

脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法
技术领域
本发明涉及脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法。
背景技术
LCD(液晶显示装置)、等离子体显示面板装置(PDP)和有机EL显示装置由于显示性能、省能源等原因而被广泛利用。特别是作为手机或PDA(面向个人的便携信息终端)、个人电脑或膝上型电脑、电视等的显示装置，几乎占据了主流。上述显示装置中通常使用TFT基板。
例如，液晶显示装置中，在TFT基板和对置基板之间填充液晶等显示材料。另外，液晶显示装置针对该显示材料依据每个像素选择性地施加电压。此处，所谓TFT基板，是指配置有由半导体薄膜(也被称为半导体膜)等形成的TFT(薄膜晶体管)的基板。通常，由于阵列状配置有TFT，所以TFT基板也被称为“TFT阵列基板”。
需要说明的是，用于液晶显示装置等的TFT基板在玻璃基板上纵横配设有TFT和液晶显示装置的画面的1个像素的组(将其称为一个单元)。TFT基板中，在玻璃基板上，例如纵向等间隔地配置栅配线，横向等间隔地配置源配线或漏配线。另外，栅电极、源电极及漏电极分别设置在构成各像素的上述单元中。
作为上述TFT基板的制造方法，通常使用多个掩模。从而，其制造工艺的工序数易增加。如上所述，工序数增加时，有可能降低制造成品率。另外，工序数较多时，工序易变复杂，也有可能增加制造费用。
因此，最近正在开发大幅减少制造TFT基板所需的工序数、降低制造费用的各种技术。
(现有例)
例如，专利文献1中记载了薄膜晶体管基板的制造方法及脱模组合物的技术。根据该技术，通过使存在于脱模组合物中的导电膜在贮藏中加热溶解于贮藏罐内，再利用脱模组合物。具体而言，为了进行上述加热溶解，使硫代苯甲酸、硫羟酸等硫醇类化合物混合在脱模组合物中，溶解导电膜。另外，含有上述硫醇类化合物的脱模组合物也使导电膜与抗蚀剂一同溶解。因此，在使不需要的导电膜从基板剥离所需的第1时间和需要的像素电极完全溶解的第2时间之间，第1时间＜第2时间的关系是必要的。
【专利文献1】特开2006-74039号公报
但是，记载在上述专利文献1中的技术中，脱模组合物含有导电膜用脱模添加剂，溶解例如由氧化铟·氧化锌(IZO)等形成的需要的导电膜。因此，将不需要的导电膜进行脱模时，虽然微量，但也使像素电极等需要的导电膜溶解。从而存在降低制造成品率的问题。
另外，导电膜例如由结晶化的氧化铟·氧化锡(ITO)等形成时，在脱模组合物(弱酸)中的溶解速度慢，有实质上难以适用实际的制造生产线的问题。并且，难以保证导电膜完全溶解，从而有使制造成品率降低的问题。
记载在上述专利文献1的技术中，硫醇类化合物在第1时间中也溶解导电膜，对像素电极造成损坏。由此，存在从提高制造成品率和可靠性的观点来看不优选的问题。
并且，巯基乙酸等含有硫的化合物大多释放恶臭，导致作业环境恶劣。因此，对周围环境的负荷也大，工业上使用时，伴随有非常大的危险。
进而，通过将脱模组合物循环，能获得制造制造原价的成本降低。还要求改善脱模工序的作业效率，提高生产率。
本发明是鉴于上述课题得到的，目的在于提供一种能提高品质和生产率、还能改善作业环境的脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法。
发明内容
为了达到上述目的，本发明的脱模组合物用于制造半导体装置，溶解抗蚀剂、使层叠在上述抗蚀剂上的导电体膜剥离。另外，上述脱模组合物含有20～79.5重量％的胺类化合物、20～79.5重量％的非质子性极性化合物和0.5～5重量％的羧酸类化合物，并且，所述羧酸类化合物含有从由下述通式2、3表示的羧酸及所述化合物的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
R-COOH                 (通式2)
此处，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
HOCO-R-COOH            (通式3)
此处，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
由此，通过含有羧酸类化合物，与含有硫醇类化合物的情况相比，溶解抗蚀剂时，几乎不溶解导电体膜。从而，不对像素电极等需要的导电体膜造成损坏，能提高制造成品率和可靠性。
另外，也不会释放恶臭，从而能改善作业环境。另外，所述胺类化合物可以含有从由单乙醇胺、单异丙醇胺、甲基甲醇胺、乙基乙醇胺、二甲醇胺、氨基乙氧基乙醇胺、二乙醇胺及上述化合物的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
另外，所述非质子性极性化合物可以含有从由N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑、二甲基亚砜及上述化合物的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
为了达到上述目的，本发明的脱模组合物用于制造半导体装置，溶解抗蚀剂、使层叠在所述抗蚀剂上的导电体膜剥离，其中，上述脱模组合物含有碳酸亚乙酯和0.5～5重量％的羧酸类化合物，并且，所述羧酸类化合物含有从由下述通式2、3表示的羧酸及所述化合物的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
R-COOH                (通式2)
此处，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
HOCO-R-COOH           (通式3)
此处，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
由此，可以使用碳酸亚乙酯代替胺类化合物和非质子性极性化合物。由此，能提高制造成品率和可靠性，同时改善作业环境。
为了达到上述目的，本发明的脱模组合物用于制造半导体装置，溶解抗蚀剂、并使层叠在所述抗蚀剂上的导电体膜剥离，其中，上述脱模组合物含有烷氧基丙烯酰胺化合物和0.5～5重量％的羧酸类化合物，并且，所述羧酸类化合物含有从由下述通式2、3表示的羧酸及所述化合物的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
R-COOH             (通式2)
此处，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
HOCO-R-COOH        (通式3)
此处，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
由此，可以使用烷氧基丙烯酰胺化合物代替胺类化合物和非质子性极性化合物。由此，能提高制造成品率和可靠性，同时能改善作业环境。
另外，所述烷氧基丙烯酰胺化合物可以含有从由下述通式1表示的化合物及上述化合物的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
Figure GSB00000088159400041
(通式1)
此处，R1、R2、R3分别独立地是碳原子数为1～10的烷基。
另外，上述羧酸类化合物的酸解离常数pKa可以为4.0以上5.2以下。
由此，不会对需要的导电体膜造成损坏，且能有效地溶解使用过的脱模组合物。
为了达到上述目的，本发明的TFT基板的制造方法是具有下述工序的方法：在基板上形成薄膜晶体管的工序；在所述基板及薄膜晶体管上层叠保护用绝缘膜的工序；在所述保护用绝缘膜上层叠抗蚀剂的工序；将所述抗蚀剂形成为规定的形状，并在该抗蚀剂的周边下部形成咬边的工序；在所述保护用绝缘膜及抗蚀剂上蒸镀导电性物质，形成被所述咬边彼此分离的像素电极及抗蚀剂上的导电体膜的工序；和在所述基板上供给上述权利要求1～8中任一项所述的脱模组合物，使所述抗蚀剂上的导电体膜从所述基板剥离的脱模工序。
由此，能削减掩模数。从而，能削减制造工序，提高生产率。另外，通过含有羧酸类化合物，与含有硫醇类化合物的情况相比，溶解抗蚀剂时，导电体膜基本不被溶解，所以也不会对像素电极等需要的导电体膜造成损坏。由此，能提高制造成品率和可靠性。还不会释放恶臭，能改善作业环境。
另外，将含有从所述基板剥离的抗蚀剂上的导电体膜的使用过的脱模组合物回收。进而，可以具有使所述抗蚀剂上的导电体膜溶解于所述使用过的脱模组合物内，再利用该使用过的脱模组合物的循环工序。
由此，能提高制造成品率和可靠性，同时能再利用使用过的脱模组合物。从而能获得制造原价的成本降低。
另外，可以使供给至所述基板的脱模组合物的温度为30℃以上低于60℃，使所述回收的使用过的脱模组合物的温度为60℃以上低于100℃。
由此，能提高制造成品率和可靠性，同时能有效地再利用使用过的脱模组合物。
另外，所述像素电极和抗蚀剂上的导电体膜含有从由氧化铟·氧化锌(IZO)、氧化铟·氧化锡·氧化锌(ITZO)、氧化锡·氧化锌(ZTO)及上述化合物的组合构成的组中选择的至少一种物质。
由此，羧酸类化合物能容易地溶解导电体膜。从而能提高生产率。
另外，在所述脱模工序中，所述脱模组合物可以通过喷雾方式供给至所述基板上。
由此，由于脱模组合物易进入咬边，所以能有效地使抗蚀剂上的导电体膜从基板剥离。另外，由于可以缩短喷雾时间，所以能提高生产率。
另外，可以优选所述抗蚀剂的下层部比该抗蚀剂的上层部对显影液的溶解性高。
由此，能更确实地形成咬边。从而，能提高成品率。
另外，为了达到上述目的，本发明的脱模组合物的循环方法是具有下述工序的方法：在基板上形成薄膜晶体管的工序；在所述基板及薄膜晶体管上层叠保护用绝缘膜的工序；在所述保护用绝缘膜上层叠抗蚀剂的工序；将所述抗蚀剂形成为所定的形状，在该抗蚀剂的周边下部形成咬边的工序；在所述保护用绝缘膜及抗蚀剂上蒸镀导电性物质，形成被所述咬边彼此分离的像素电极及抗蚀剂上的导电体膜的工序；在所述基板上供给上述权利要求1～8中任一项所述的脱模组合物，使所述抗蚀剂上的导电体膜从所述基板剥离的脱模工序；和将含有从所述基板剥离的抗蚀剂上的导电体膜的使用过的脱模组合物回收，使所述抗蚀剂上的导电体膜溶解在所述使用过的脱模组合物中，再利用该使用过的脱模组合物的循环工序。
由此，溶解抗蚀剂时，导电体膜基本不被溶解，所以也不会对像素电极等需要的导电体膜造成损坏。从而不会降低成品率，能再利用使用过的脱模组合物。另外，不会释放恶臭，能改善作业环境。
附图说明
图1表示用于说明本发明的第一实施方案的脱模组合物中，脱模组合物中所含的胺类化合物的例子的结构式。
图2表示用于说明本发明的第一实施方案的脱模组合物中，脱模组合物中所含的胺类化合物的例子的结构式。
图3表示用于说明本发明的第一实施方案的脱模组合物中，脱模组合物中所含的非质子性极性化合物的例子的结构式。
图4表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的流程简图。
图5表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有栅配线及栅电极、层叠有栅绝缘膜的平面图，(b)表示A-A放大剖面图。
图6表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有薄膜晶体管、层叠有保护用绝缘膜的平面图，(b)表示B-B放大剖面图。
图7表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示保护用绝缘膜上的抗蚀剂形成为规定的形状的平面图，(b)表示C-C放大剖面图。
图8表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有接触孔的放大剖面图，(b)表示再形成有抗蚀剂、形成有咬边的放大剖面图，(c)表示D部详细图。
图9表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的形成有导电体膜的简图，(a)表示放大剖面图，(b)表示E部详细图。
图10表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法中，使抗蚀剂上的导电体膜剥离的脱模工序及再利用使用过的脱模组合物的循环工序的剖面简图。
图11表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有像素电极的平面图，(b)表示F-F放大剖面图。
图12表示不溶解在实施例1～3的脱模组合物中而残留的抗蚀剂上的导电体膜的照片。
图13表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的流程简图。
图14表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有栅配线及栅电极、层叠有栅绝缘膜的平面图，(b)表示A’-A’放大剖面图。
图15表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有薄膜晶体管、层叠有保护用绝缘膜的平面图，(b)表示B’-B’放大剖面图。
图16表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示保护用绝缘膜上的抗蚀剂形成为规定的形状的平面图，(b)表示C’-C’放大剖面图。
图17表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有接触孔的放大剖面图，(b)表示再形成有抗蚀剂、形成有咬边部的放大剖面图，(c)表示D’部详细图。
图18表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的、形成有导电体膜的简图，(a)表示放大剖面图，(b)表示E’部详细图。
图19表示用于说明本发明的第二实施方案中的TFT基板的制造方法中，使抗蚀剂上的导电体膜剥离的脱模工序及再利用使用过的脱模组合物的循环工序的剖面简图。
图20表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法中，脱模组合物中所含的胺类化合物的例子的结构式。
图21表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法中，脱模组合物中所含的胺类化合物的例子的结构式。
图22表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法中，脱模组合物中所含的非质子性极性化合物的例子的结构式。
图23表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有像素电极的平面图，(b)表示F’-F’放大剖面图。
图24表示不溶解在实施例4的脱模组合物中而残留的抗蚀剂上的导电体膜的照片。
具体实施方式
[脱模组合物的第一实施方案]
本发明的脱模组合物是用于制造半导体装置的脱模组合物。该脱模组合物和形成下述咬边部的抗蚀剂用于层叠在该抗蚀剂上的导电体膜。另外，该脱模组合物通过溶解抗蚀剂，使不需要的导电体膜从基板剥离。由此，通过将不需要的导电体膜从基板剥离，在基板形成具有规定形状的需要的导电体膜(例如，TFT基板中的像素电极)。
需要说明的是，半导体装置是指具有晶片或玻璃板等基板和使用晶体管或受光元件等半导体的电元件及/或光学元件的装置。
本实施方案的脱模组合物含有20～79.5重量％的胺类化合物、20～79.5重量％的非质子性极性化合物和0.5～5重量％的羧酸类化合物。
上述胺类化合物和非质子性极性化合物作为用于溶解抗蚀剂的抗蚀剂用脱模剂发挥功能。另外，羧酸类化合物作为用于溶解导电体膜的导电体膜用溶解添加剂发挥功能。
作为胺类化合物的例子，可以举出单乙醇胺、单异丙醇胺、甲基甲醇胺、乙基乙醇胺、二甲醇胺、氨基乙氧基乙醇胺、二乙醇胺等(参见图1、2)。另外，上述各胺类化合物可以单独或以二种以上的组合进行使用。
作为非质子性极性化合物的例子，可以举出N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑、二甲基亚砜等(参见图3)。另外，上述非质子性极性化合物可以单独或以二种以上的组合进行使用。
另外，脱模组合物为下述构成：抗蚀剂用脱模剂含有约20～79.5重量％胺类化合物且含有约20～79.5重量％非质子性极性化合物。由此，仅溶解抗蚀剂，不溶解需要的导电体膜，不对该导电体膜造成损坏。从而，能提高成品率和可靠性。
使脱模组合物含有约20～79.5重量％胺类化合物的原因在于，胺类化合物的含量小于约20重量％时，无法在短时间内充分溶解抗蚀剂。另外，胺类化合物的含量超过约79.5重量％时，抗蚀剂被溶解时，需要的导电体膜被剧烈腐蚀，诱发损伤。另外，胺类化合物超过约79.5重量％时，脱模组合物的挥发量增加，有脱模组合物的成分比发生变化的忧虑。因此，本发明的脱模组合物中，可以优选胺类化合物的含量为约20～79.5重量％，更优选为30～70重量％。
另外，使脱模组合物含有约20～79.5重量％非质子性极性化合物的原因在于，非质子性极性化合物的含量小于约20重量％时，有时抗蚀剂的脱模时间增加或再利用时的液体寿命缩短。另外，非质子性极性化合物的含量超过约79.5重量％时，将抗蚀剂进行脱模时，有腐蚀需要的导电体膜的忧虑。因此，本发明的脱模组合物中，非质子性极性化合物的含量可以优选为约20～79.5重量％，更优选为约30～70重量％。
需要说明的是，可以在脱模组合物中，在不给该脱模组合物的性能带来不良影响的范围内，添加抑制供给时起泡的溶剂或用于降低粘度的稀释剂等。
另外，作为羧酸类化合物，可以含有从由下述通式2、3表示的羧酸及所述化合物的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
R-COOH                (通式2)
此处，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
HOCO-R-COOH            (通式3)
此处，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
例如，作为羧酸的例子，可以举出乙酸(CH3COOH、解离常数pKa＝4.74)、丙酸(CH3CH2COOH、pKa＝4.88)、异丁酸((CH3)2CHCOOH、pKa＝4.86)、二甲基丙酸((CH3)3CCOOH、pKa＝5.05)、丁酸(CH3(CH2)2COOH、pKa＝4.82)、戊酸(CH3(CH2)3COOH、pKa＝4.86)等。另外，上述各羧酸可以单独或以二种以上的组合进行使用。
另外，脱模组合物构成为含有约0.5～5重量％羧酸类化合物。由此，在脱模工序中，仅溶解抗蚀剂，不溶解需要的导电体膜，不对该导电体膜造成损坏。从而，能提高成品率和可靠性。另外，在循环工序中，使导电体膜溶解于使用过的脱模组合物中，从而可以再利用使用过的脱模组合物。
需要说明的是，使用过的脱模组合物是指含有从基板剥离的抗蚀剂上的导电体膜的脱模组合物。
另外，使脱模组合物中含有约0.5～5重量％羧酸类化合物的原因在于，羧酸类化合物的含量小于约0.5重量％时，在循环工序中，有时用于使导电体膜溶解于使用过的脱模组合物的时间增加，或再利用时的液体寿命缩短。羧酸类化合物的含量超过约5重量％时，将抗蚀剂进行脱模时，有腐蚀需要的导电体膜的忧虑。因此，本发明的脱模组合物中，羧酸类化合物的含量可以优选为约0.5～5重量％，更优选为约2～4重量％。
此处，可以优选上述羧酸类化合物的酸解离常数pKa()为4.0以上5.2以下。由此，在脱模工序中，不会对需要的导电体膜造成损坏。另外，能有效地溶解使用过的脱模组合物。
例如，在现有例中，作为导电体膜用溶解添加剂使用的巯基乙酸为pKa＝3.82，而上述乙酸、丙酸、异丁酸、二甲基丙酸、丁酸、戊酸等的酸解离常数pKa为约4.0以上约5.2以下。即，上述羧酸与巯基乙酸相比，显示较大值，羧酸与巯基乙酸相比为弱酸。由此，在脱模工序中，脱模组合物溶解抗蚀剂时，可以避免需要的导电体膜溶解的不良情况。
另外，使pKa为约4.0以上约5.2以下的原因在于，pKa小于4.0时，溶解需要的导电体膜，给品质带来不良影响的可能性变高。另外，pKa超过5.2时，用于溶解剥离的不需要的导电体膜的时间变长，效率降低。
由此，本实施方案的脱模组合物通过含有羧酸类化合物，与现有例的含有硫醇类化合物的情况相比，溶解抗蚀剂时，导电体膜基本不被溶解，所以不会对像素电极等需要的导电体膜造成损坏。由此，能提高制造成品率及可靠性。另外，也不释放恶臭，能改善作业环境。
[脱模组合物的第二实施方案]
本实施方案的脱模组合物构成为含有碳酸亚乙酯和0.5～5重量％的羧酸类化合物。即，与上述第一实施方案相比，在含有碳酸亚乙酯代替胺类化合物及非质子性极性化合物的方面存在区别。
需要说明的是，其他构成与第一实施方案的脱模组合物几乎相同。
本实施方案的脱模组合物具有与第一实施方案的脱模组合物几乎相同的效果，能提高制造成品率及可靠性。
[脱模组合物的第三实施方案]
本实施方案的脱模组合物的构成为含有烷氧基丙烯酰胺化合物和0.5～5重量％的羧酸类化合物。即，与上述第一实施方案相比，在含有烷氧基丙烯酰胺化合物代替胺类化合物及非质子性极性化合物的方面存在区别。
需要说明的是，其他构成与第一实施方案的脱模组合物几乎相同。
另外，烷氧基丙烯酰胺化合物可以含有从由下述通式1表示的化合物及上述化合物的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
Figure GSB00000088159400111
(通式1)
此处，R1、R2、R3分别独立地是碳原子数为1～10的烷基。
例如，作为烷氧基丙烯酰胺化合物的例子，可以举出N，N-二甲基-正丁氧基丙烯酰胺、N，N-二乙基-正丁氧基丙烯酰胺等。另外，上述各烷氧基丙烯酰胺化合物可以单独或以二种以上的组合进行使用。
本实施方案的脱模组合物具有与第一实施方案的脱模组合物几乎相同的效果，能提高制造成品率和可靠性。另外，烷氧基丙烯酰胺化合物具有水溶性，本实施方案的脱模组合物也能作为水溶液进行使用。此时，水的含量为小于约50重量％，优选为约10～40重量％，更优选为约20～30重量％。由此，本实施方案的脱模组合物没有引火性，所以能提高安全性。
[TFT基板的制造方法的第一实施方案]
图4表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的流程简图。
图4中，首先，在基板1010上形成薄膜晶体管1050(步骤S1001)。
接下来，参见附图说明薄膜晶体管1050的形成方法。
图5表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有栅配线及栅电极、层叠有栅绝缘膜的平面图，(b)表示A-A放大剖面图。
图5中，首先准备玻璃基板1010，通过光刻法形成由Al(铝)等的导电体薄膜形成的栅配线1021及栅电极1022。然后，在露出的玻璃基板1010、栅配线1021及栅电极1022上层叠栅绝缘膜1023。
需要说明的是，图中未示出，但为了形成栅配线1021及栅电极1022，使用第一掩模。
图6表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有薄膜晶体管、层叠有保护用绝缘膜的平面图，(b)表示B-B放大剖面图。
图6中，首先，在栅绝缘膜1023上形成源配线1031、源电极1032、信道部1051及漏电极1042。由此，在玻璃基板1010上形成薄膜晶体管1050(步骤S1001)。然后，在玻璃基板1010及薄膜晶体管1050上层叠保护用绝缘膜1054(步骤S1002)。
本实施方案中，形成源配线1031、源电极1032、信道部1051及漏电极1042时，采用半色调曝光技术(及第二半色调掩模(图中未示出))。即，首先，在栅绝缘膜1023上依次层叠无定型硅薄膜1052、n型无定型硅薄膜1053、钼/铝/钼薄膜等导电体薄膜1033及抗蚀剂(图中未示出)。然后，图中未示出，采用半色调曝光技术，形成抗蚀剂，通过第一蚀刻，形成源配线1031。进而，形成成为源电极1032、信道部1051及漏电极1042的部分。然后，再形成抗蚀剂，通过第二选择性蚀刻，蚀刻信道部1051上方的导电体薄膜1033及n型无定型硅薄膜1053，形成信道部1051、源电极1032及漏电极1042。接下来，在源配线1031、薄膜晶体管1050及栅绝缘膜1023上层叠保护用绝缘膜1054(步骤S1002)。
然后，如图4所示，在保护用绝缘膜1054上层叠抗蚀剂1055(步骤S1003)。然后，使用半色调曝光技术(及第三半色调掩模(图上未示出))，将层叠的抗蚀剂1055形成为规定的形状，进行蚀刻。进而，再形成抗蚀剂1055，在再形成的抗蚀剂(再形成抗蚀剂1553)的周边下部形成咬边部1554(步骤S1004)。
接下来，参见附图说明抗蚀剂1055及咬边部1554的形成方法。
图7表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示保护用绝缘膜上的抗蚀剂形成为规定的形状的平面图，(b)表示C-C放大剖面图。
图7中，首先，在保护用绝缘膜1054上层叠抗蚀剂1055(步骤S1003)。然后，通过半色调曝光技术，将抗蚀剂1055形成为规定的形状。即，抗蚀剂1055在漏电极1042的上方形成用于形成接触孔1541的开口部1056。进而，在形成有像素电极1612的部分(参见图11)形成厚度较薄的半色调曝光抗蚀剂1552，在未形成像素电极1612的部分形成厚度较厚的全曝光抗蚀剂1551。
图8是表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有接触孔的放大剖面图，(b)表示再形成有抗蚀剂、形成有咬边部的放大剖面图，(c)表示D部详细图。
图8(a)中，首先，使用通过半色调曝光技术形成的抗蚀剂1055，对保护用绝缘膜1054进行蚀刻(通常为干蚀刻)。进而，形成用于连接像素电极1612和漏电极1042的接触孔1541。
然后，如图8(b)所示，对抗蚀剂1055进行再形成。即，通过氧等离子体灰化慢慢除去抗蚀剂1055，全部除去半色调曝光抗蚀剂1552。此时，从上方慢慢除去全曝光抗蚀剂1551，变成厚度变薄的再形成抗蚀剂1553，但具有作为抗蚀剂发挥功能的厚度。另外，再形成抗蚀剂1553的上面维持规定的形状。然后，用显影液进行再显影，由此在上述规定形状的周边下部形成咬边部1554(步骤S1004)。
此处，优选如图8(c)所示，再形成抗蚀剂1553为由上层抗蚀剂1551a和下层抗蚀剂1551b形成的二层结构。上层抗蚀剂1551a和下层抗蚀剂1551b对显影液的溶解性存在差异。另外，设定下层抗蚀剂1551b比上层抗蚀剂1551a易溶解。由此，能更确实地形成咬边部1554，从而能提高成品率。
另外，为了对上层抗蚀剂1551a和下层抗蚀剂1551b加以溶解性的差异，例如通过掺合2种以上抗蚀剂树脂来调整成分。或者可以利用光反应，对固化度设置差异，来对溶解性加以差异。
然后，如图4所示，在玻璃基板1010的上方蒸镀透明的导电性物质，形成被彼此分离的像素电极1612及抗蚀剂上的导电体膜1611(步骤S1005)。
接下来，参见附图说明像素电极1612及抗蚀剂上的导电体膜1611的形成方法。
图9表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的、形成有导电体膜的简图，(a)表示放大剖面图，(b)表示E部详细图。
图9中，在玻璃基板1010的上方蒸镀透明的导电性物质，形成导电体膜1061(被彼此分离的像素电极1612及抗蚀剂上的导电体膜1611)(步骤S1005)。即，随着在玻璃基板1010的上方蒸镀透明的导电性物质，在再形成抗蚀剂1553上形成抗蚀剂上的导电体膜1611。另外，在露出的漏电极1042及保护用绝缘膜1054上形成像素电极1612。像素电极1612通过咬边部1554从抗蚀剂上的导电体膜1611上分离，未被电连接。该像素电极1612通过接触孔1541与漏电极1042电连接。
作为上述导电性物质，通常可以使用包括由氧化铟·氧化锌(IZO)、氧化铟·氧化锡·氧化锌(ITZO)、氧化锌·氧化锡(ZTO)及上述物质的组合构成的组中的物质。由此，脱模组合物在循环工序中被升温时，羧酸类化合物能容易地溶解导电体膜。由此，能提高生产率。
需要说明的是，作为导电性物质，优选上述物质，但并不现定于此，例如可以为在脱模工序中基本不被脱模组合物溶解、且在循环工序中溶解于脱模组合物中的物质即可。
另外，从由氧化铟·氧化锡(ITO)、无定型氧化铟·氧化锡(a-ITO)、氧化钛·氧化铌、氧化锡·氧化锌、氧化锡·氧化锑、掺氟氧化锡及上述物质的组合构成的组中选择的、上述物质的导电体膜完全不溶解于本发明的脱模组合物中。
然后，如图10所示，在玻璃基板1010上供给脱模组合物，使抗蚀剂上的导电体膜1611从玻璃基板1010剥离(步骤S1006)。然后，使抗蚀剂上的导电体膜1611溶解于使用过的脱模组合物中，进行再利用(步骤S1007)。
接下来，参见附图说明使抗蚀剂上的导电体膜1611从玻璃基板1010剥离的方法及使抗蚀剂上的导电体膜1611溶解于使用过的脱模组合物、然后再利用使用过的脱模组合物的方法。
图10表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法中，使抗蚀剂上的导电体膜剥离的脱模工序及再利用使用过的脱模组合物的循环工序的剖面简图。
图10中，将层叠有导电体膜1061的玻璃基板1010进行脱模工序，用脱模装置1007溶解再形成抗蚀剂1553，剥离抗蚀剂上的导电体膜1611(步骤S1006)。
脱模装置1007由下述部分构成：贮留含有脱模组合物的剥离液1070的贮留槽1071a、1071b；在玻璃基板1010成喷雾状喷射剥离液1070的喷雾喷嘴1072；泵1073；吸入管1074；回收被喷射的剥离液1070的回收槽1075及回收管1076。另外，对回收管1076而言，一端连接在回收槽1075上，另一端通过分别设置有电磁阀1761、1762的2根支管与贮留槽1071a、1071b连接。因此，例如关闭电磁阀1761、打开电磁阀1762时，回收槽1075的剥离液1070落入贮留槽1071b中。进而，对于吸入管74而言，一端连接在泵73上，另一端通过分别设置有电磁阀1711、1712的2根支管与贮留槽1071a、1071b连接。因此，例如关闭电磁阀1712、打开电磁阀1711时，贮留槽1071a的剥离液1070被吸入泵1073中。
脱模装置1007使用上述各实施方案的脱模组合物中的任一种作为脱模组合物。由此，溶解再形成抗蚀剂1553时，像素电极1612基本不被溶解，所以不会对像素电极1612造成损坏。从而能提高制造成品率和可靠性。另外，不会释放恶臭，能改善作业环境。
然后，说明上述构成的脱模装置1007的动作。
首先，对脱模装置1007而言，在贮留槽1071a中蓄积有低温(通常低于约50℃)的剥离液1070。进而，处于电磁阀1711开、电磁阀1761关、电磁阀1762开、电磁阀1712关的状态。此处，蓄积在贮留槽1071a中的剥离液1070中，抗蚀剂上的导电体膜1611全部溶解于脱模组合物中。
然后，使泵1073运转，贮留槽1071a的剥离液1070通过电磁阀1711及吸入管1074被吸入泵1073中，并从喷雾喷嘴1072向玻璃基板1010喷付。
本实施方案的脱模工序中，剥离液1070从喷雾喷嘴1072呈喷雾状地被喷射。由此，剥离液1070通过微小的间隙进入咬边部1554。从而，能有效地使抗蚀剂上的导电体膜1611从玻璃基板1010上剥离(步骤S1006)。此处，因脱模组合物的羧酸类化合物为弱酸，并且是低温的，从而能防止喷付到玻璃基板1010上的剥离液1070溶解需要的像素电极1612的不良情况。
需要说明的是，图10表示脱模中的状态，再形成抗蚀剂1553及抗蚀剂上的导电体膜1611部分残留。
由此，上述脱模组合物溶解再形成抗蚀剂1553，能使形成在再形成抗蚀剂1553上面的抗蚀剂上的导电体膜1611全部从玻璃基板1010分离。
另外，脱模组合物不溶解导电体膜1061。因此，可以选择最佳脱模条件(喷雾压力或喷雾喷射时间等)。通常，使用本实施方案的脱模组合物时，喷雾喷射时间为约0.5～5分钟，优选为约1～3分钟。另外，再形成抗蚀剂1553的溶解优选在脱模组合物的温度为约30℃以上低于60℃的温度范围下进行，更优选为约40℃以上50℃以下。
将脱模工序的脱模组合物的温度设定为约30℃以上低于60℃的原因在于，与约30℃相比为低温时，溶解再形成抗蚀剂1553的时间变长，生产效率降低。另外，为约60℃以上的高温时，羧酸类化合物的溶解速度上升，溶解像素电极1612，有制造成品率降低的忧虑。
然后，喷付在玻璃基板1010的剥离液1070溶解玻璃基板1010的再形成抗蚀剂1553，在含有被剥离的抗蚀剂上的导电体膜1611的状态下，通过回收槽1075、回收管1076及电磁阀1762，落入贮留槽171b中。此时，被剥离的抗蚀剂上的导电体膜1611作为粒子或带状体等微片混入剥离液1070中。并且，含有抗蚀剂上的导电体膜1611的剥离液1070(适当地称为使用过的脱模组合物。)流入贮留槽1071b中时，抗蚀剂上的导电体膜1611在贮留槽1071b中发生沈降，羧酸类化合物开始溶解抗蚀剂上的导电体膜1611。
此处，可以优选在贮留槽1071b中设置温度控制装置及搅拌装置(图中未示出)，将剥离液1070的温度设定为高温。即，抗蚀剂上的导电体膜1611的溶解优选在脱模组合物的温度在约60℃以上低于100℃的温度范围下进行，更优选在约70℃以上80℃以下。通常，使用上述实施方案的脱模组合物时，溶解抗蚀剂上的导电体膜1611所需的时间为约10～30分钟。
将循环工序的脱模组合物的温度设定为约60℃以上低于100℃的原因在于，与约60℃相比为低温时，由于羧酸类化合物为弱酸，无法溶解抗蚀剂上的导电体膜1611。另外，为约100℃以上的高温时，脱模组合物中的成分蒸发，有时导致组成变动。
由此，在循环工序中，使脱模组合物升温时，溶解速度加快。因此，能以较短时间溶解抗蚀剂上的导电体膜1611。特别是脱模组合物的温度为约70℃以上时，羧酸类化合物的酸的活性提高，显示与强酸几乎相同的行为。由此，容易溶解抗蚀剂上的导电体膜1611。
然后，停止泵1073、关闭电磁阀1762，经过规定时间时，抗蚀剂上的导电体膜1611完全溶解在贮留槽1071b内，不含有抗蚀剂上的导电体膜1611的剥离液1070蓄积在贮留槽1071b中。当处于电磁阀1071关、电磁阀1761开、电磁阀1762关、电磁阀1762开的状态后，该再生的剥离液1070通过泵1073从吸入管1074吸入，从喷雾喷嘴1072向玻璃基板1010喷付。即，从使用过的脱模组合物使抗蚀剂上的导电体膜1611溶解，进行再利用(步骤S1007)。
图11是表示用于说明本发明的第一实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有像素电极的平面图，(b)表示F-F放大剖面图。
图11中，TFT基板1001通过脱模工序除去再形成抗蚀剂1553及抗蚀剂上的导电体膜1611，露出像素电极1612及保护用绝缘膜1054。
需要说明的是，本实施方案的TFT基板1001的制造方法使用第一掩模、第二半色调掩模及第三半色调掩模的三张掩模。由此，本实施方案的TFT基板1001的制造方法能削减制造工序，生产率优异。
由此，根据本实施方案的TFT基板1001的制造方法，能削减掩模数。从而，能削减制造工序、提高生产率。另外，通过含有羧酸类化合物，与含有硫醇类化合物的情况相比，溶解抗蚀剂时，导电体膜1061基本不被溶解。从而，不会对像素电极1612造成损坏，能提高制造成品率和可靠性。另外，也不会释放恶臭，能改善作业环境。进而，通过确实且有效地进行用于脱模工序的使用过的脱模组合物的循环，能提高品质和生产率。
下面，说明上述TFT基板的制造方法的实施例和比较例。
【实施例1】
首先，准备表1所示的剥离液a、b、c、d、e作为上述第一实施方案的脱模组合物。
[表1]
Figure GSB00000088159400181
作为玻璃基板，准备约100mm×100mm×0.7mm的正方形状的玻璃基板，用纯水喷淋清洗后，用旋涂器涂布形成抗蚀剂。抗蚀剂使用日本Zeon制负型抗蚀剂：ZTN2464-27。然后，在约80℃下，用烘箱加热约15分钟后，以曝光强度300mJ/cm2进行曝光。作为使用的掩模，使用依次配设约20μm的线和约90μm的间隔得到的带状掩模。
然后，用四甲基氢氧化铵的约2.8wt％的水溶液进行显影，得到上述线·间隔的带状图案。显影后，通过纯水喷淋清洗、鼓吹空气来吹干清洗水后，在约130℃下用烘箱加热约15分钟。
接下来，使用IZO(In2O3∶ZnO＝约90∶10wt％)的靶在上述玻璃基板上溅射形成厚度为约100nm的薄膜。
将剥离液a、b、c、d、e加热至约40℃后，将上述得到的玻璃基板在上述剥离液中浸渍2分钟，进行抗蚀剂剥离，用纯水清洗、鼓吹空气后，用干燥器干燥。由此，得到形成有由IZO形成的薄膜(宽度约90μm)及约20μm的间隔的玻璃基板。
用光学显微镜观察使用过的剥离液a、b、c、d、e的内容物时，确认存在被剥离的宽度约20μm的线圈状的IZO薄膜(参见图12)。
将上述使用过的剥离液a、b、c、d、e在约70℃下搅拌约10分钟时，上述线圈状的IZO薄膜溶解，未观察到线圈状的IZO薄膜。用该剥离液a、b、c、d、e再次进行抗蚀剂剥离，确认能剥离抗蚀剂。另外，被剥离的基板上未观察到线圈状IZO或粉末状IZO。
【实施例2】
首先，准备表2所示的剥离液f、g作为上述第二实施方案的脱模组合物。
【表2】
然后，将剥离液f、g加热至约40℃后，将与上述实施例1相同的玻璃基板在上述剥离液中浸渍2分钟，进行抗蚀剂剥离，进行纯水清洗、鼓吹空气后，用干燥器干燥。由此，得到形成有由IZO形成的薄膜(宽度约90μm)及约20μm的间隔的玻璃基板。
用光学显微镜观察使用过的剥离液f、g的内容物时，确认存在被剥离的宽度约20μm的线圈状的IZO薄膜(参见图12)。
将上述使用过的剥离液f、g在约70℃下搅拌约10分钟时，上述线圈状的IZO薄膜溶解，未观察到线圈状的IZO薄膜。用该剥离液f、g再次进行抗蚀剂剥离，确认能剥离抗蚀剂。另外，在被剥离的基板上未观察到线圈状IZO或粉末状IZO。
【实施例3】
首先准备表3所示的剥离液h、i、j作为上述第三实施方案的脱模组合物。
【表3】
Figure GSB00000088159400201
然后，将剥离液h、i、j加热至约40℃后，将与上述实施例1相同的玻璃基板在上述剥离液中浸渍2分钟，进行抗蚀剂剥离，进行纯水清洗、鼓吹空气后，用干燥器干燥。由此，得到形成有由IZO形成的薄膜(宽度约90μm)及约20μm的间隔的玻璃基板。
用光学显微镜观察使用过的剥离液h、i、j的内容物时，确认存在被剥离的宽度约20μm的线圈状IZO薄膜(参见图12)。
将上述使用过的剥离液h、i、j在约70℃下搅拌约10分钟时，上述线圈状的IZO薄膜溶解，未观察到线圈状的IZO薄膜。用该剥离液再次进行抗蚀剂剥离，确认能剥离抗蚀剂。另外，在被剥离的基板上未观察到线圈状IZO或粉末状IZO。
另外，即使使用ITZO(In2O3∶SnO2∶ZnO＝约60∶20∶20wt％)或ZTO(ZnO∶SnO2＝约60∶40wt％)代替上述IZO(In2O3∶ZnO＝约90∶10wt％)，也同样能没有问题地剥离。将使用过的剥离液a～j在约70℃下搅拌约10分钟时，上述线圈状的ITZO薄膜和ZTO薄膜溶解，未观察到线圈状的ITZO薄膜或ZTO薄膜。用该剥离液再次进行抗蚀剂剥离，确认能剥离抗蚀剂。另外，在被剥离的基板上未观察到线圈状的ITZO或ZTO及粉末状的ITZO或ZTO。
另外，作为IZO的组成，优选为约60～95wt％In2O3、约5～40wt％ZnO。可以较优选为约70～95wt％In2O3、约5～30wt％ZnO。
进而，作为ITZO的组成，优选为约20～90wt％In2O3、约5～40wt％SnO2、约5～40wt％ZnO。可以较优选为约40～80wt％In2O3、约10～30wt％SnO2、约10～30wt％ZnO。
另外，ZTO的组成优选为约50～90wt％ZnO、约10～50wt％SnO2。可以更优选为约55～80wt％ZnO、约20～45wt％SnO2。
“比较例1”
除使用ITO(In2O3∶SnO2＝约90∶10wt％)靶代替各实施例中使用的IZO靶之外，进行与上述各实施例相同的操作。
用光学显微镜观察所得的使用过的剥离液a～j的内容物时，确认存在被剥离的20μm的线圈状的ITO薄膜。将该使用过的剥离液在约70℃下搅拌约30分钟，但上述线圈状的ITO薄膜未溶解，观察到线圈状的ITO薄膜及微粉化的ITO。用该剥离液再次进行抗蚀剂剥离，虽然确认能剥离抗蚀剂，但观察到在被剥离的基板上附着有微粉状的ITO。
液晶面板是经过后续工序的取向膜涂布或取向处理、液晶注入、密封工序而完成的。但是，附着物在该后续工序中扩散至取向膜中，或扩散至液晶中，导致显示缺陷或显示不良。
[脱模组合物的循环方法中的第一实施方案]
另外，本发明作为脱模组合物的循环方法也是有效的。
本实施方案的脱模组合物的循环方法是与上述第一实施方案的TFT基板的制造方法几乎相同的方法。
即，在基板1010上形成薄膜晶体管1050(步骤S1001)。然后，在玻璃基板1010及薄膜晶体管1050上层叠保护用绝缘膜1054(步骤S1002)。接下来，在保护用绝缘膜1054上层叠抗蚀剂1055(步骤S1003)。然后，使用半色调曝光技术(第三半色调掩模(图中未示出))，将层叠的抗蚀剂1055形成为规定的形状进行蚀刻，进而，再形成抗蚀剂1055，在再形成的抗蚀剂(再形成抗蚀剂1553)的周边下部形成咬边1554(步骤S1004)。然后，在玻璃基板1010的上方蒸镀透明的导电性物质，形成被彼此分离的像素电极1612及抗蚀剂上的导电体膜1611(步骤S1005)。进而，在玻璃基板1010上供给脱模组合物，使抗蚀剂上的导电体膜1611从玻璃基板1010上剥离(步骤S1006)，然后，在使用过的脱模组合物中溶解抗蚀剂上的导电体膜1611，进行再利用(步骤S1007)。
[TFT基板的制造方法的第二实施方案]
图13表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的流程简图。
图13中，首先，在基板2010上形成薄膜晶体管2050(步骤S2001)。
然后，参见附图说明薄膜晶体管2050的形成方法。
图14表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有栅配线及栅电极、层叠有栅绝缘膜的平面图，(b)表示A’-A’放大剖面图。
图14中，首先，准备玻璃基板2010，通过光刻法形成由Al(铝)等的导电体薄膜形成的栅配线2021及栅电极2022，然后，在露出的玻璃基板2010、栅配线2021及栅电极2022上层叠栅绝缘膜2023。
需要说明的是，图中未示出，为了形成栅配线2021及栅电极2022，使用第一掩模。
图15表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有薄膜晶体管、层叠有保护用绝缘膜的平面图，(b)表示B’-B’放大剖面图。
图15中，首先在栅绝缘膜2023上形成源配线2031、源电极2032、信道部2051及漏电极2042，在玻璃基板2010上形成薄膜晶体管2050(步骤S2001)，然后，在玻璃基板2010及薄膜晶体管2050上层叠保护用绝缘膜2054(步骤S2002)。
本实施方案中，形成源配线2031、源电极2032、信道部2051及漏电极2042时，使用半色调曝光技术(第二半色调掩模(图中未示出))。即，首先，在栅绝缘膜2023上依次层叠无定型硅薄膜2052、n型无定型硅薄膜2053、钼/铝/钼薄膜等的导电体薄膜2033及抗蚀剂(图中未示出)。然后，图中未示出，使用半色调曝光技术形成抗蚀剂，通过第一蚀刻形成源配线2031，同时形成成为源电极2032、信道部2051及漏电极2042的部分。然后，再形成抗蚀剂，通过第二选择性蚀刻，蚀刻信道部2051上方的导电体薄膜2033及n型无定型硅薄膜2053，形成信道部2051、源电极2032及漏电极2042。接下来，在源配线2031、薄膜晶体管2050及栅绝缘膜2023上层叠保护用绝缘膜2054(步骤S2002)。
然后，如图13所示，在保护用绝缘膜2054上层叠抗蚀剂2055(步骤S2003)，然后，使用半色调曝光技术(第三半色调掩模(图中未示出))，将层叠的抗蚀剂2055形成为规定的形状，进行蚀刻，进而，再形成抗蚀剂2055，在再形成的抗蚀剂(再形成抗蚀剂2553)的周边下部形成咬边部2554(步骤S2004)。
接下来，参见附图说明抗蚀剂2055及咬边部2554的形成方法。
图16表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示保护用绝缘膜上的抗蚀剂形成为规定的形状的平面图，(b)表示C’-C’放大剖面图。
图16中，首先，在保护用绝缘膜2054上层叠抗蚀剂2055(步骤S2003)。然后，通过半色调曝光技术将抗蚀剂2055形成为规定的形状。即，抗蚀剂2055在漏电极2042的上方形成用于形成接触孔2541的开口部2056，进而，在形成像素电极2612的部分(参见图23)形成厚度较薄的半色调曝光抗蚀剂2552，在未形成像素电极2612的部分形成厚度较厚的全曝光抗蚀剂2551。
图17表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有接触孔的放大剖面图，(b)表示再形成有抗蚀剂、形成有咬边的放大剖面图，(c)表示D’部详细图。
图17(a)中，首先，使用通过半色调曝光技术形成的抗蚀剂2055，对保护用绝缘膜2054进行蚀刻(通常为干蚀刻)。形成用于连接像素电极2612和漏电极2042的接触孔2541。
然后，如图17(b)所示，对抗蚀剂2055进行再形成。即，通过氧等离子体灰化慢慢除去抗蚀剂2055，全部除去半色调曝光抗蚀剂2552。此时，全曝光抗蚀剂2551从上方被慢慢除去，成为厚度变薄的再形成抗蚀剂2553，具有为了作为抗蚀剂发挥功能的厚度。另外，再形成抗蚀剂2553的上面维持规定的形状。然后，用显影液进行再显影，在上述规定形状的周边下部形成咬边部2554(步骤S2004)。
此处，可以优选如图17(c)所示，再形成抗蚀剂2553为由上层抗蚀剂2551a和下层抗蚀剂2551b形成的二层结构。上层抗蚀剂2551a和下层抗蚀剂2551b对显影液的溶解性分别不同，设定下层抗蚀剂2551b比上层抗蚀剂2551a对显影液的溶解性高。由此，能更确实地形成咬边部2554，从而能提高成品率。
另外，为了对上层抗蚀剂2551a和下层抗蚀剂2551b加以溶解性的差异，例如可以通过掺杂2种以上的抗蚀剂树脂等来调节成分、或利用光反应对硬化度设置差异，从而对溶解性加以差异。
然后，如图13所示，在玻璃基板2010的上方蒸镀透明的导电性物质，形成被彼此分离的像素电极2612及抗蚀剂上的导电体膜2611(步骤S2005)。
接下来，参见附图说明像素电极2612及抗蚀剂上的导电体膜2611的形成方法。
图18表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的形成有导电体膜的简图，(a)表示放大剖面图，(b)表示E’部详细图。
图18中，在玻璃基板2010的上方蒸镀透明的导电性物质，形成导电体膜2061(被彼此分离的像素电极2612及抗蚀剂上的导电体膜2611)(步骤S2005)。即，随着在玻璃基板2010的上方蒸镀透明的导电性物质，在再形成抗蚀剂2553上形成抗蚀剂上的导电体膜2611。另外，在露出的漏电极2042及保护用绝缘膜2054上形成像素电极2612。像素电极2612通过咬边部2554从抗蚀剂上的导电体膜2611上分离，未被电连接。该像素电极2612经由接触孔2541与漏电极2042电连接。
作为上述导电性物质，通常可以使用包括由氧化铟·氧化锌(IZO)、氧化铟·氧化锡(ITO)、无定型氧化铟·氧化锡(a-ITO)、氧化钛·氧化铌、氧化锡·氧化锌、氧化锡·氧化锑、掺氟氧化锡及上述物质的组合构成的组的物质。上述物质的导电体膜完全不溶解在脱模组合物中，所以能消除微量溶解需要的像素电极2612而降低制造成品率的忧虑。进而，导电体膜的比重与脱模组合物的比重相比，约5倍以上，所以能容易且精度良好地进行沈降式分离或离心式分离。
然后，如图13所示，在玻璃基板2010上供给脱模组合物，使抗蚀剂上的导电体膜2611从玻璃基板2010上剥离(步骤S2006)，然后，从使用过的脱模组合物上分离抗蚀剂上的导电体膜2611，进行再利用(步骤S2007)。
接下来，参见附图说明使抗蚀剂上的导电体膜2611从玻璃基板2010上剥离的方法及将被剥离的抗蚀剂上的导电体膜2611从使用过的脱模组合物中分离、再利用该使用过的脱模组合物的方法。
图19表示用于说明本发明第二实施方案的TFT基板的制造方法中，使抗蚀剂上的导电体膜剥离的脱模工序及再利用使用过的脱模组合物的循环工序的剖面简图。
图19中，将层叠有导电体膜2061的玻璃基板2010进行脱模工序，通过脱模装置2007溶解再形成抗蚀剂2553，剥离抗蚀剂上的导电体膜2611(步骤S2006)。脱模装置2007由贮留含有脱模组合物的剥离液2070的贮留槽2071、对玻璃基板2010成喷雾状喷射至剥离液2070的喷雾喷嘴2072、泵2073及吸入管2074构成。
本实施方案的脱模工序中，剥离液2070从喷雾喷嘴2072成喷雾状地喷射，由此，剥离液2070通过微小的间隙进入咬边部2554。所以能有效地使抗蚀剂上的导电体膜2611从玻璃基板2010剥离。
需要说明的是，图19表示脱模中的状态，再形成抗蚀剂2553及抗蚀剂上的导电体膜2611部分残留。
另外，剥离液2070中所含的脱模组合物由用于将再形成抗蚀剂2553脱模的光致抗蚀剂用脱模剂形成。该光致抗蚀剂用脱模剂含有胺类化合物及非质子性极性化合物。
作为胺类化合物的例子，可以举出单乙醇胺、单异丙醇胺、甲基甲醇胺、乙基乙醇胺、二甲醇胺、氨基乙氧基乙醇胺、二乙醇胺等(参见图20、21)。另外，上述各胺类化合物可以单独或以二种以上的组合进行使用。
作为非质子性极性化合物的例子，可以举出N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑、二甲基亚砜等(参见图22)。另外，上述非质子性极性化合物可以单独或以二种以上的组合进行使用。
另外，抗蚀剂用脱模剂可以含有约20～80重量％胺类化合物，并且含有约20～80重量％非质子性极性化合物。由此，仅溶解再形成抗蚀剂2553，不会对需要的像素电极2612造成损坏，所以能提高成品率和可靠性。
使抗蚀剂用脱模剂含有约20～80重量％胺类化合物的原因在于，胺类化合物的含量小于约20重量％时，无法在短时间内充分溶解再形成抗蚀剂2553，另外，胺类化合物的含量超过约80重量％时，溶解再形成抗蚀剂2553时，形成像素电极2612的导电体膜被剧烈腐蚀，从而诱发像素电极2612的损伤。另外，胺类化合物超过约80重量％时，脱模组合物的挥发量增加，也有脱模组合物的成分比发生变化的忧虑。因此，本发明的脱模组合物中，胺类化合物的含量可以优选为约20～80重量％，较优选为30～70重量％。
另外，使抗蚀剂用脱模剂含有约20～80重量％的非质子性极性化合物的原因在于，非质子性极性化合物的含量小于约20重量％时，有时再形成抗蚀剂2553的脱模时间增加或再利用时的液体寿命缩短。另外，非质子性极性化合物的含量超过约80重量％时，将再形成抗蚀剂2553进行脱模时，有时有导致像素电极2612腐蚀的忧虑。因此，本发明的脱模组合物中，非质子性极性化合物的含量可以优选为约20～80重量％，更优选为约30～70重量％。
另外，脱模组合物不限于上述组成，例如作为抗蚀剂用脱模剂，可以含有下述通式1表示的烷氧基丙烯酰胺化合物或碳酸亚乙酯。
Figure GSB00000088159400271
(通式1)
此处，R1、R2、R3分别独立地为碳原子数1～10的烷基。
由此，仅溶解再形成抗蚀剂2553，不会对像素电极2612造成损坏，所以能提高成品率和可靠性。另外，烷氧基丙烯酰胺化合物具有水溶性，能提供没有引火性的安全的脱模组合物。
由此，上述脱模组合物溶解再形成抗蚀剂2553，能使形成在再形成抗蚀剂2553上面的抗蚀剂上的导电体膜2611全部从玻璃基板2010上分离。
另外，脱模组合物不溶解导电体膜2061，所以能消除像素电极2612溶解的忧虑。即，像素电极2612未被脱模组合物损伤，所以能选择最佳的脱模条件。通常使用实施方案的脱模组合物时，喷雾喷射时间为约0.5～5分钟，优选为约1～3分钟。另外，再形成抗蚀剂2553的蚀刻及导电膜的溶解优选在约30℃～60℃的温度范围下进行，更优选为约40～50℃。
然后，从玻璃基板2010上分离的抗蚀剂上的导电体膜2611与剥离液2070一同流入贮留槽2071中。此处，被剥离的抗蚀剂上的导电体膜2611作为粒子或带状体等微片混入剥离液2070中。然后，含有抗蚀剂上的导电体膜2611的剥离液2070(适当称为使用过的脱模组合物。)流入贮留槽2071中时，抗蚀剂上的导电体膜2611沉降在贮留槽2071中。
此处，上述微片优选密度大者。即，使用过的脱模组合物中存在的微片的比重远远大于脱模组合物的比重，所以容易在贮留槽2071内沉降，并分离，能容易且有效地再利用不含有微片的剥离液2070。
另外，本实施方案中，在贮留槽2071中设置将使用过的脱模组合物导入另一端的导板2711和使微片(抗蚀剂上的导电体膜2611)不向吸入管74所在的另一端移动的隔板2712，由此能更确实地防止抗蚀剂上的导电体膜2611被吸入吸入管2074中。
需要说明的是，分离使用过的脱模组合物中所含的抗蚀剂上的导电体膜2611的方法不限定于上述方法，例如也为在专用的沉淀槽中静置约10～30分钟、通过移注(decantation)收集上清液的方法。
然后，抗蚀剂上的导电体膜2611完全沉降在贮留槽2071内，不含有抗蚀剂上的导电体膜2611的剥离液2070通过泵2073被吸入吸入管2074中，从喷雾喷嘴2072再次喷付在玻璃基板2010上。即，从使用过的脱模组合物中分离抗蚀剂上的导电体膜2611，进行再利用(步骤S2007)。
图23表示用于说明本发明的第二实施方案的TFT基板的制造方法的简图，(a)表示形成有像素电极的平面图，(b)表示F’-F’放大剖面图。
图23中，对于TFT基板2001而言，通过脱模工序除去再形成抗蚀剂2553及抗蚀剂上的导电体膜2611，露出像素电极2612及保护用绝缘膜2054。
需要说明的是，本实施方案的TFT基板2001的制造方法使用第一掩模、第二半色调掩模及第三半色调掩模的三张掩模，能削减制造工序，生产率优异。
由此，根据本实施方案的TFT基板2001的制造方法，能确实有效地进行在脱模工序中使用的脱模组合物的循环，从而能提高品质和生产率。
然后，说明上述TFT基板的制造方法的实施例及比较例。
【实施例4】
首先，作为脱模组合物，准备由约30wt％的氨基化合物及约70wt％的非质子性极性溶剂形成的剥离液I和由约70wt％的氨基化合物及约30wt％的非质子性极性溶剂形成的剥离液II(参见表4)。
【表4】
Figure GSB00000088159400281
需要说明的是，作为氨基化合物，使用单乙醇胺，作为非质子性极性溶剂，使用二甲基亚砜(DMSO)。
作为玻璃基板，准备约100mm×100mm×0.7mm的正方形状的玻璃基板，用纯水喷淋清洗后，用旋涂法涂布形成抗蚀剂。抗蚀剂使用日本Zeon制负型抗蚀剂：ZTN2464-27。然后，在约80℃下在烘箱中加热约15分钟后，用曝光强度300mJ/cm2进行曝光。作为使用的掩模，使用依次配设有约20μm的线和约90μm的间隔的带状掩模。
然后，用四甲基氢氧化铵的约2.8wt％的水溶液进行显影，得到上述线·间隔的带状图案。显影后，进行纯水喷淋清洗、鼓吹空气吹去清洗水后，在约130℃下用烘箱加热约15分钟。
接下来，使用IZO(In2O3∶ZnO＝约90∶10wt％)的靶，用溅射法在上述玻璃基板上形成厚度约100nm的薄膜。
将剥离液I及剥离液II加热至约35℃后，将上述得到的玻璃基板在上述剥离液中浸渍2分钟，进行抗蚀剂剥离，进行纯水洗涤、鼓吹空气后，用干燥器干燥，得到形成有由IZO形成的薄膜(幅约90μm)及约20μm的间隔的玻璃基板。
用光学显微镜观察使用过的剥离液I及使用过的剥离液II的内容物时，确认存在被剥离的宽度约20μm的线圈状的IZO薄膜(参见图24)。
另外，将使用过的剥离液I及使用过的剥离液II在约35℃下静置约10分钟时，确认上述线圈状的IZO薄膜沉淀，沉降至底部，在上清液中未观察到线圈状的IZO薄膜。进而，用上述使用过的剥离液I及使用过的剥离液II的上清液形成的上清液剥离液，对新玻璃基板进行抗蚀剂剥离时，确认能正常地剥离抗蚀剂。另外，在被剥离的玻璃基板上未观察到线圈状IZO或粉末状IZO。
进而，用离心机将上述使用过的剥离液I及使用过的剥离液II分离为各个液体，通过被分离的再生剥离液I及再生剥离液II对新玻璃基板进行抗蚀剂剥离时，确认能正常地剥离抗蚀剂。另外，被剥离的玻璃基板上未观察到线圈状IZO或粉末状IZO。
使用正氧基-N，N-二甲基丙烯酰胺代替上述剥离液I，相同地操作，确认能进行剥离操作。将该使用过的剥离液静置约10分钟时，确认线圈状的IZO薄膜沉淀，沉降至底部。进而，在上清液中未观察到线圈状的IZO薄膜。
另外，在上述正氧基-N，N-二甲基丙烯酰胺中添加约30重量％的水，实施相同的操作。与不添加水的情况相比，能得到几乎相同的效果，并且确认线圈状IZO薄膜的沈降状态没有变化。如上所述添加了水的剥离液由于没有引火性，所以能提高安全性。
使用碳酸亚乙酯代替上述剥离液I，相同地操作，确认能进行剥离操作。将该使用过的剥离液静置约10分钟时，确认线圈状的IZO薄膜沉淀，沉降至底部。进而，在上清液中未观察到线圈状的IZO薄膜。
此处，IZO为由氧化铟·氧化锌形成的无定型导电膜，是添加了约10wt％氧化锌的氧化铟形成的非晶质膜。氧化锌的添加量适当选择，但添加约5～40wt％氧化锌时，能获得良好的结果。
另外，即使使用氧化铟·氧化锡(ITO)、无定型氧化铟·氧化锡(a-ITO)、氧化钛·氧化铌、氧化锡·氧化锌、氧化锡·氧化锑、掺氟氧化锡代替上述IZO，也能同样没有问题地进行剥离。将使用过的剥离液I、II静置约10分钟，由此使剥离液I、II中的导电体膜沈降，即使再使用剥离液I、II，也能没有问题地剥离抗蚀剂，并且在基板上未观察到导电体膜的粒子等。
此处，氧化铟·氧化锡(ITO)是添加了约5～15wt％氧化锡的氧化铟。无定型氧化铟·氧化锡(a-ITO)是无定型化的ITO膜。氧化钛·氧化铌是添加了约0.1～5wt％的氧化铌的氧化钛。氧化锡·氧化锌是由约60～95wt％氧化锡、约5～40wt％氧化锌形成的复合氧化物。氧化锡·氧化锑是添加了约0.5～5wt％氧化锑的氧化锡。掺氟氧化锡是添加了约0.01～1wt％的氟的氧化锡。上述氧化锡类的导电膜难以用乙二酸等弱酸进行蚀刻加工来成图，如该实施例所示地用剥离法(lift-off)进行成图加工是有效的。
“比较例2”
直接使用实施例中使用的使用过的剥离液I及使用过的剥离液II，对新玻璃基板进行抗蚀剂剥离时，确认能正常地剥离抗蚀剂。其中，确认被剥离的玻璃基板上附着有粉末状IZO。
液晶面板经后续工序的取向膜涂布或取向处理、液晶注入、密封工序而完成，但上述附着物在后续工序中扩散在取向膜中或扩散在液晶中，导致显示缺陷或显示不良。
[脱模组合物的循环方法的第二实施方案]
另外，本发明作为脱模组合物的循环方法也是有效的。
本实施方案的脱模组合物的循环方法是与上述第二实施方案的TFT基板的制造方法几乎相同的方法。
即，在基板2010上形成薄膜晶体管2050(步骤S2001)。然后在玻璃基板2010及薄膜晶体管2050上层叠保护用绝缘膜2054(步骤S2002)。接下来，在保护用绝缘膜2054上层叠抗蚀剂2055(步骤S2003)，然后，使用半色调曝光技术(第三半色调掩模(图中未示出))，将层叠的抗蚀剂2055形成为规定的形状，进行蚀刻，进而再形成抗蚀剂2055，在再形成的抗蚀剂(再形成抗蚀剂2553)的周边下部形成咬边部2554(步骤S2004)。然后，在玻璃基板2010的上方蒸镀透明的导电性物质，形成被彼此分离的像素电极2612及抗蚀剂上的导电体膜2611(步骤S2005)。进而，在玻璃基板2010上供给脱模组合物，使抗蚀剂上的导电体膜2611从玻璃基板2010上剥离(步骤S2006)，然后，从使用过的脱模组合物中分离抗蚀剂上的导电体膜2611，进行再利用(步骤S2007)。
由此，根据本实施方案的脱模组合物的循环方法，能从使用过的脱模组合物上几乎完全地分离从玻璃基板2010上剥离的抗蚀剂上的导电体膜2611，所以不会降低成品率，能再利用使用过的脱模组合物。
以上，给出了优选的实施方案说明了本发明的脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法，但本发明的脱模组合物、TFT基板的制造方法及脱模组合物的循环方法不只限于上述实施方案，当然可以在本发明的范围内实施各种改变。
例如，在上述脱模组合物的各实施方案中，可以在脱模组合物中，在不给该脱模组合物的性能带来不良影响的范围内添加抑制供给时起泡的溶剂或用于降低粘度的稀释剂等。
另外，在TFT基板的制造方法的第二实施方案中，采用使被剥离的抗蚀剂上的导电体膜2611沉降在贮留槽2071中并分离的沈降式分离法，但分离的方法并不限定于此。例如，可以采用用离心分离器或回旋加速器等进行的离心式分离法、或用过滤器等进行的过滤式分离法。还不限定于采用沈降式分离法、离心式分离法及过滤式分离法中的任一种方法。例如可以组合采用上述各分离法。

Claims (14)

1.一种脱模组合物，其特征在于，其用于制造半导体装置，溶解抗蚀剂，并使层叠在所述抗蚀剂上的导电体膜剥离，其中，
所述脱模组合物含有20～79.5重量％的胺类化合物、20～79.5重量％的非质子性极性化合物和0.5～5重量％的羧酸类化合物，并且，
所述羧酸类化合物含有从由下述通式2、3表示的羧酸及它们的组合构成的组中选择的至少一种化合物，
R-COOH            (通式2)
其中，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基，
HOCO-R-COOH       (通式3)
其中，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
2.如权利要求1所述的脱模组合物，其特征在于，所述胺类化合物含有从由单乙醇胺、单异丙醇胺、甲基甲醇胺、乙基乙醇胺、二甲醇胺、氨基乙氧基乙醇胺、二乙醇胺及它们的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
3.如权利要求1或2所述的脱模组合物，其特征在于，所述非质子性极性化合物含有从由N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑、二甲基亚砜及它们的组合构成的组中选择的至少一种化合物。
4.一种脱模组合物，其特征在于，其用于制造半导体装置，溶解抗蚀剂，并使层叠在所述抗蚀剂上的导电体膜剥离，其中，
所述脱模组合物含有碳酸亚乙酯和0.5～5重量％的羧酸类化合物，并且，
所述羧酸类化合物含有从由下述通式2、3表示的羧酸及它们的组合构成的组中选择的至少一种化合物，
R-COOH        (通式2)
其中，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基，
HOCO-R-COOH    (通式3)
其中，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
5.一种脱模组合物，其特征在于，其用于制造半导体装置，溶解抗蚀剂，使层叠在所述抗蚀剂上的导电体膜剥离，其中，
所述脱模组合物含有烷氧基丙烯酰胺化合物和0.5～5重量％的羧酸类化合物，并且，
所述羧酸类化合物含有从由下述通式2、3表示的羧酸及它们的组合构成的组中选择的至少一种化合物，
R-COOH            (通式2)
其中，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基，
HOCO-R-COOH       (通式3)
其中，R是碳原子数为1～10的烷基、芳基。
6.如权利要求5所述的脱模组合物，其特征在于，所述烷氧基丙烯酰胺化合物含有从由下述通式1表示的化合物及它们的组合构成的组中选择的至少一种化合物，
Figure FSB00000088159300021
(通式1)
其中，R1、R2、R3分别独立地是碳原子数为1～10的烷基。
7.如权利要求1、2、4～6中任一项所述的脱模组合物，其特征在于，所述羧酸类化合物的酸解离常数pKa为4.0以上5.2以下。
8.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，其具有：
在基板上形成薄膜晶体管的工序；
在所述基板及薄膜晶体管上层叠保护用绝缘膜的工序；
在所述保护用绝缘膜上层叠抗蚀剂的工序；
将所述抗蚀剂形成为规定的形状，并在所述抗蚀剂的周边下部形成咬边的工序；
在所述保护用绝缘膜及抗蚀剂上蒸镀导电性物质，形成被所述咬边彼此分离的像素电极及抗蚀剂上的导电体膜的工序；和
在所述基板上供给上述权利要求1～7中任一项所述的脱模组合物，使所述抗蚀剂上的导电体膜从所述基板剥离的脱模工序。
9.如权利要求8所述的TFT基板的制造方法，其特征在于，其具有：将含有从所述基板剥离的抗蚀剂上的导电体膜的使用过的脱模组合物回收，使所述抗蚀剂上的导电体膜溶解于所述使用过的脱模组合物中，再利用所述使用过的脱模组合物的循环工序。
10.如权利要求9所述的TFT基板的制造方法，其特征在于，使供给至所述基板上的脱模组合物的温度为30℃以上低于60℃，使所述回收得到的使用过的脱模组合物的温度为60℃以上低于100℃。
11.如权利要求8所述的TFT基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极及抗蚀剂上的导电体膜含有从由氧化铟·氧化锌IZO、氧化铟·氧化锡·氧化锌ITZO、氧化锡·氧化锌ZTO及它们的组合构成的组中选择的至少一种物质。
12.如权利要求8所述的TFT基板的制造方法，其特征在于，在所述脱模工序中，所述脱模组合物通过喷雾方式被供给到所述基板上。
13.如权利要求8所述的TFT基板的制造方法，其特征在于，与所述抗蚀剂的上层部相比，所述抗蚀剂的下层部对显影液的溶解性较高。
14.一种脱模组合物的循环方法，其特征在于，其具有：
在基板上形成薄膜晶体管的工序；
在所述基板及薄膜晶体管上层叠保护用绝缘膜的工序；
在所述保护用绝缘膜上层叠抗蚀剂的工序；
将所述抗蚀剂形成为规定的形状，并在所述抗蚀剂的周边下部形成咬边的工序；
在所述保护用绝缘膜及抗蚀剂上蒸镀导电性物质，形成被所述咬边彼此分离的像素电极及抗蚀剂上的导电体膜的工序；
在所述基板上供给上述权利要求1～7中任一项所述的脱模组合物，使所述抗蚀剂上的导电体膜从所述基板剥离的脱模工序；和
将含有从上述基板剥离的抗蚀剂上的导电体膜的使用过的脱模组合物回收，使所述抗蚀剂上的导电体膜溶解于所述使用过的脱模组合物中，再利用所述使用过的脱模组合物的循环工序。
CN2007800233902A 2006-06-21 2007-06-07 脱模组合物、tft基板的制造方法及脱模组合物的循环方法 Expired - Fee Related CN101473420B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP171835/2006 2006-06-21
JP171818/2006 2006-06-21
JP2006171818 2006-06-21
JP2006171835 2006-06-21
PCT/JP2007/061508 WO2007148538A1 (ja) 2006-06-21 2007-06-07 ストリッピング組成物、ｔｆｔ基板の製造方法及びストリッピング組成物のリサイクル方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101473420A CN101473420A (zh) 2009-07-01
CN101473420B true CN101473420B (zh) 2010-09-22

Family

ID=38833280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800233902A Expired - Fee Related CN101473420B (zh) 2006-06-21 2007-06-07 脱模组合物、tft基板的制造方法及脱模组合物的循环方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5143731B2 (zh)
KR (1) KR20090023398A (zh)
CN (1) CN101473420B (zh)
TW (1) TWI427439B (zh)
WO (1) WO2007148538A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI588253B (zh) * 2012-03-16 2017-06-21 巴地斯顏料化工廠 光阻剝除與清潔組合物及其製備方法與用途
CN108269736B (zh) * 2018-01-25 2020-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 通过光阻剥离实现电极层图案化的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6413730A (en) * 1987-07-08 1989-01-18 Agency Ind Science Techn Lift-off flatting method
JPH01224017A (ja) * 1988-03-03 1989-09-07 Nec Corp 循環濾過装置
US6432209B2 (en) * 1998-03-03 2002-08-13 Silicon Valley Chemlabs Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates
JP2004055629A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Nec Kansai Ltd レジスト除去方法及び装置
JP4405767B2 (ja) * 2003-08-28 2010-01-27 ソニー株式会社 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置
KR20070003764A (ko) * 2003-10-29 2007-01-05 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 포토레지스트 박리용 조성물 및 박리방법
JP4207205B2 (ja) * 2003-12-24 2009-01-14 和夫 田▲邉▼ リフトオフ方法及び装置
JP4390616B2 (ja) * 2004-04-27 2009-12-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄液及び半導体装置の製造方法
KR101129433B1 (ko) * 2004-08-30 2012-03-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 스트립핑 조성물
JP4846301B2 (ja) * 2004-08-30 2011-12-28 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ基板の製造方法及びストリッピング組成物

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2005-183859A 2005.07.07
全文.

Also Published As

Publication number Publication date
JP5143731B2 (ja) 2013-02-13
KR20090023398A (ko) 2009-03-04
CN101473420A (zh) 2009-07-01
WO2007148538A1 (ja) 2007-12-27
TW200827949A (en) 2008-07-01
JPWO2007148538A1 (ja) 2009-11-19
TWI427439B (zh) 2014-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100336168C (zh) 制造薄膜晶体管阵列基板的方法
TWI452445B (zh) 光阻剝除劑組合物以及使用該組合物形成導線結構及製造薄膜電晶體基板之方法
CN104102059A (zh) Tft阵列基板及其制造方法
TWI495967B (zh) Photoresist stripping solution, stripping liquid recovery system and operation method and stripping liquid recovery method
US20080096332A1 (en) Method of manufacturing a thin-film transistor substrate
JP3851629B2 (ja) 銅用レジスト除去のための組成物及びその除去方法
JP4846301B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板の製造方法及びストリッピング組成物
CN101473420B (zh) 脱模组合物、tft基板的制造方法及脱模组合物的循环方法
CN1901169A (zh) 制造薄膜晶体管基板的方法
US20030111098A1 (en) Apparatus for stripping photoresist and method thereof
CN107026120B (zh) 一种阵列基板的制作方法
KR101129433B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 스트립핑 조성물
JP2008060418A (ja) アルミニウム系合金配線回路の形成方法及び表示デバイス素子構造の形成方法
CN107153329A (zh) Tft行业铜制程用高回收率环保型剥离液
KR20050035419A (ko) 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법
JP3805225B2 (ja) 配線基板の製造方法及びそれに用いるウエット処理システム
CN110501875B (zh) 光刻胶组合物、制作方法、基板及显示装置
CN100585837C (zh) 像素的形成方法
KR100356987B1 (ko) 열경화성 수지 제거용 조성물
JP2009010051A (ja) 表示装置の製造方法
JP2016046349A (ja) 金属層のエッチング方法及び薄膜トランジスタ素子の製造方法
KR20060022464A (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이의 제조 장치
JP2016039241A (ja) 薄膜トランジスタ素子の製造方法、有機ｅｌ表示パネルの製造方法、エッチング装置及びウェットエッチング方法
KR20120075113A (ko) 박리 장치 및 이를 이용한 박리방법
TW201518879A (zh) 光阻用剝離液

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100922

Termination date: 20150607

EXPY Termination of patent right or utility model