KR20050035419A - 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법 - Google Patents
박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050035419A KR20050035419A KR1020030071082A KR20030071082A KR20050035419A KR 20050035419 A KR20050035419 A KR 20050035419A KR 1020030071082 A KR1020030071082 A KR 1020030071082A KR 20030071082 A KR20030071082 A KR 20030071082A KR 20050035419 A KR20050035419 A KR 20050035419A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- photoresist pattern
- strip
- film transistor
- transistor array
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 207
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 125
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 38
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 claims description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 12
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 28
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 21
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
Claims (17)
- 스트립 액을 이용하여 기판 상의 포토레지스트 패턴 및 박막을 스트립 하는 침지 스트립부와;상기 기판에 잔존하는 포토레지스트 패턴과 박막을 물리적으로 제거하는 제거부와;상기 포토레지스트 패턴과 박막이 제거된 기판에 잔존하는 포토레지스트 패턴과 박막을 포함하는 파티클을 제거하기 위한 스트립 액을 분사하는 분사 스트립부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제거부는 브러싱부, 고온/고압 스트립 분사부, 고압공기 분사부 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 브러싱부는 고속으로 회전하는 브러쉬를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 고온/고압 스트립 분사부는 스트립 액을 고온/고압으로 분사하는 고온/고압 분사노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 고압공기 분사부는 공기를 고압으로 분사하는 에어 나이프를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 브러쉬는 미세모가 형성된 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 고온/고압 스트립 분사부는 상기 고온/고압 분사노즐에 상기 스트립 액을 공급하기 위한 탱크와,상기 고온/고압 분사노즐에 의해 분사된 상기 스트립 액을 상기 탱크로 환원 시기키 위한 펌프와,상기 펌프에 의해 상기 탱크로 환원되는 상기 스트립 액에 포함된 불순물을 필터링 하는 필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 고온/고압 분사노즐은 상기 스트립 액을 70℃ 이상의 온도로 분사하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 고온/고압 분사노즐은 상기 스트립 액을 1㎏f/㎠ 이상의 압력으로 분사하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 분사 스트립부는 상기 스트립 액을 분사하는 다수의 분사노즐과,상기 분사노즐에 상기 스트립 액을 공급하기 위한 탱크와,상기 분사노즐에 의해 분사된 상기 스트립 액을 상기 탱크로 환원 시키기 위한 펌프와,상기 펌프에 의해 상기 탱크로 환원되는 상기 스트립 액에 포함된 불순물을 필터링 하는 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치.
- 포토레지스트 패턴과 상기 포토레지스트 패턴을 덮도록 박막이 전면에 형성된 기판을 스트립 액에 침지시키는 단계와,상기 스트립 액에 의해 침지된 기판에 잔존하는 포토레지스트 패턴과 박막을 물리적으로 제거하는 단계와,포토레지스트 패턴과 박막이 제거된 기판에 잔존하는 포토레지스트 패턴과 박막의 파티클을 제거시켜 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴과 상기 박막을 물리적으로 제거하는 단계는고속으로 회전하는 브러쉬를 이용하여 상기 포토레지스트 패턴과 상기 박막을 제거하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴과 상기 박막을 물리적으로 제거하는 단계는고온/고압 분사노즐을 이용하여 상기 기판에 스트립 액을 고온/고압으로 분사하여 상기 기판에 잔존하는 상기 포토레지스트 패턴과 상기 박막을 제거하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴과 상기 박막을 물리적으로 제거하는 단계는에어 나이프를 이용하여 공기를 고압으로 분사하여 상기 기판에 잔존하는 상기 포토레지스트 패턴과 상기 박막을 제거하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 스트립 액은 70℃ 이상의 온도로 분사되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 스트립 액은 1㎏f/㎠ 이상의 압력으로 분사되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,패턴을 형성하는 단계는다수의 분사노즐을 통해 상기 기판에 스트립 액을 분사하여 상기 기판에 잔존하는 포토레지스트 패턴과 박막의 파티클을 제거시켜 상기 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030071082A KR100582202B1 (ko) | 2003-10-13 | 2003-10-13 | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법 |
US10/960,918 US7811937B2 (en) | 2003-10-13 | 2004-10-12 | Apparatus and method of fabricating thin film transistor array substrate |
US12/880,761 US8828149B2 (en) | 2003-10-13 | 2010-09-13 | Apparatus for fabricating thin film transistor array substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030071082A KR100582202B1 (ko) | 2003-10-13 | 2003-10-13 | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050035419A true KR20050035419A (ko) | 2005-04-18 |
KR100582202B1 KR100582202B1 (ko) | 2006-05-23 |
Family
ID=34420641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030071082A KR100582202B1 (ko) | 2003-10-13 | 2003-10-13 | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7811937B2 (ko) |
KR (1) | KR100582202B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102096346B (zh) * | 2009-12-15 | 2013-06-12 | 北大方正集团有限公司 | 硅片去胶方法、装置及使用显影机台进行硅片去胶的方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080018496A (ko) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판의 제조 방법 |
US7888197B2 (en) * | 2007-01-11 | 2011-02-15 | International Business Machines Corporation | Method of forming stressed SOI FET having doped glass box layer using sacrificial stressed layer |
US20120009392A1 (en) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Shih-Liang Chou | Strengthened substrate structure |
TWI460516B (zh) * | 2012-10-23 | 2014-11-11 | Au Optronics Corp | 畫素結構及其製作方法 |
KR101378346B1 (ko) * | 2014-01-22 | 2014-04-04 | 하노스 주식회사 | 바이오 마커 코팅 스트립 제조장치 |
CN104808446B (zh) * | 2015-05-07 | 2021-02-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种涂布机 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61263122A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Toshiba Corp | レジストの剥離方法 |
JP2610844B2 (ja) * | 1986-11-26 | 1997-05-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
CA2040989A1 (en) * | 1990-05-01 | 1991-11-02 | Ichiro Yoshida | Washing/drying method and apparatus |
US5317778A (en) * | 1991-07-31 | 1994-06-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Automatic cleaning apparatus for wafers |
US5621939A (en) * | 1993-01-08 | 1997-04-22 | Minolta Co., Ltd. | Apparatus for regenerating recording medium |
CA2115109C (en) * | 1994-02-01 | 2000-04-25 | James P. Vanderberg | Automated sludge lance |
JPH07311469A (ja) * | 1994-05-17 | 1995-11-28 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液およびポリイミド系樹脂膜パターンの製造法 |
KR960007446A (ko) * | 1994-08-20 | 1996-03-22 | 심경옥 | 고순도 유리 이산화염소의 제조방법 |
US5746234A (en) * | 1994-11-18 | 1998-05-05 | Advanced Chemill Systems | Method and apparatus for cleaning thin substrates |
US5950643A (en) * | 1995-09-06 | 1999-09-14 | Miyazaki; Takeshiro | Wafer processing system |
JPH09283475A (ja) * | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Rap Master S F T Kk | 半導体ウエハの搬送洗浄機 |
US6008877A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having multilayered electrodes with a layer adhesive to a substrate formed of indium tin oxide |
US5861064A (en) * | 1997-03-17 | 1999-01-19 | Fsi Int Inc | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries |
US5794100A (en) * | 1997-03-25 | 1998-08-11 | Xerox Corporation | Carbon fiber electrical contact for rotating elements |
JP2002505448A (ja) * | 1998-02-26 | 2002-02-19 | アルファ・メタルズ・インコーポレーテッド | レジストストリッピング法 |
JP3772056B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2006-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体基板の洗浄方法 |
AU772539B2 (en) * | 1999-07-29 | 2004-04-29 | Kaneka Corporation | Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus |
KR100766247B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2007-10-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일체형 스트립 및 세정 장치 |
KR100583979B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2006-05-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치 |
JP2001246331A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Sharp Corp | 洗浄装置 |
US6569252B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-05-27 | International Business Machines Corporation | Semi-aqueous solvent cleaning of paste processing residue from substrates |
US6558477B1 (en) * | 2000-10-16 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Removal of photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas |
US6861007B2 (en) * | 2001-03-02 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Method for removing organic material from a substrate and for oxidizing oxidizable material thereon |
JP4532039B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2010-08-25 | シャープ株式会社 | レジスト剥離方法及び薄膜回路素子の形成方法 |
US6961101B2 (en) * | 2001-10-25 | 2005-11-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Copper alloy, array substrate of liquid crystal display using the same and method of fabricating the same |
JP2003133217A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
KR100672632B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2007-02-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 |
KR100652044B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 스트립 장치 |
JP2004200209A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電極等の導電パターンの形成方法およびこれを用いた面発光型半導体レーザ並びにその製造方法 |
US20050034742A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Kaijo Corporation | Cleaning method and cleaning apparatus |
-
2003
- 2003-10-13 KR KR1020030071082A patent/KR100582202B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-10-12 US US10/960,918 patent/US7811937B2/en active Active
-
2010
- 2010-09-13 US US12/880,761 patent/US8828149B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102096346B (zh) * | 2009-12-15 | 2013-06-12 | 北大方正集团有限公司 | 硅片去胶方法、装置及使用显影机台进行硅片去胶的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7811937B2 (en) | 2010-10-12 |
US20050079449A1 (en) | 2005-04-14 |
US20100326469A1 (en) | 2010-12-30 |
US8828149B2 (en) | 2014-09-09 |
KR100582202B1 (ko) | 2006-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100904270B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100476366B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
US7306979B2 (en) | Method of fabricating thin film transistor substrate for display device | |
KR101126396B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
US7602464B2 (en) | Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof | |
US8828149B2 (en) | Apparatus for fabricating thin film transistor array substrate | |
US7019797B2 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
US7563627B2 (en) | Method of manufacturing thin film transistor array substrate | |
KR101024651B1 (ko) | 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법 | |
KR20050034926A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100968341B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
CN102044490A (zh) | 制造薄膜晶体管阵列基板的方法 | |
KR100592383B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 제조방법 | |
US7902006B2 (en) | Method of manufacturing a thin film transistor array substrate | |
KR100556699B1 (ko) | 액정표시패널의 제조방법 | |
KR100619624B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100556698B1 (ko) | 액정표시패널의 제조방법 및 그 제조장치 | |
KR100561645B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
KR100558712B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR101255281B1 (ko) | 박막 패터닝 방법 및 그를 이용한 박막 트랜지스터 기판의제조 방법 | |
KR100558711B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100556700B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 장치 및 방법 | |
KR101398325B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR20080046442A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180416 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |