CN109755259A - 一种显示面板的制程方法和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板的制程方法和显示面板，制程方法包括第一基板的制程方法，第一基板的制程方法包括步骤：在基板沉积底层材料；对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；在底层材料上方沉积第二层金属；通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层；在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层；在镀第二层金属之前进行准分子紫外光照射和水洗的制程，可以有效减少底层结构表面的有机物和氧化物的残留，减少第二层金属的数据线短路或断路的现象，从而提升4mask工艺的良率。

Description

一种显示面板的制程方法和显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制程方法和显示面板。

背景技术

随着科技的发展和进步，平板显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等特点而成为显示器的主流产品。平板显示器包括薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器等。其中，薄膜晶体管液晶显示器通过控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面，具有机身薄、省电和无辐射等众多优点。而有机发光二极管显示器是利用有机电致发光二极管制成，具有自发光、响应时间短、清晰度与对比度高、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点。

在显示面板的制作过程中，一般的薄膜晶体管(Thin Film Tran-sistor，TFT)基板结构，包括通过一金属层同层形成的源极和漏极，将金属层下方的结构作为底层结构或底层材料，若底层结构或底层材料形成之后，不立即形成金属层，则底层结构或底层材料的上方可能出现一些影响源极和漏极的电路性能的杂质，这些杂质影响阵列基板的性能，因而，如何去除这些杂质成为本领域技术人员系带解决的技术。

发明内容

本发明提供一种去除底层结构或底层材料上方影响源极和漏极的电路性能的杂质的显示面板的制程方法和显示面板。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板的制程方法，所述制程方法包括第一基板的制程方法，所述第一基板的制程方法包括步骤：

在基板沉积底层材料；

对底层材料的上表面，采用准分子紫外光(Extreme Ultraviolet Lithography，EUV)照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；

在底层材料上方沉积第二层金属；

通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层；

在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层。

可选的，所述对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作的步骤包括：

使用准分子紫外光照射操作对底层材料上表面进行洁净工作；

对完成准分子紫外光照射操作的底层材料上表面进行水洗操作。

可选的，本方案还可以在使用准分子紫外光照射操作对底层材料上表面进行洁净工作的同时，进行对底层材料上表面进行水洗操作。

可选的，所述准分子紫外光照射操作和水洗操作之后还包括步骤：

对完成准分子紫外光照射操作和水洗操作之后的底层结构的上表面使用风刀吹干操作。

可选的，所述底层材料用于形成有源层，所述第二金属层包括同层形成的源极和漏极；

所述在基板沉积底层材料的步骤包括：

在基板上依次形成栅极和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层的上方沉积有源层材料作为底层材料；

所述通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层的步骤包括：

通过同一道光罩制程，先蚀刻第二层金属形成包括源极和漏极的第二金属层；再蚀刻底层材料形成有源层。

可选的，所述底层材料用于形成有源层，所述第二金属层包括同层形成的源极和漏极；

所述在基板沉积底层材料的步骤包括：

在基板上依次形成栅极和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上方沉积有源层材料；

在有源层材料沉积一层光阻；并使用光罩制程形成预设图案的光阻层；使用光阻层蚀刻有源层材料形成有源层；

进行光阻去除操作去除有源层上方的光阻层；

所述准分子紫外光照射操作和水洗操作是应用于去除光阻层之后的所述有源层的上表面的。

可选的，所述准分子紫外光的波长为100至360纳米。

可选的，准分子紫外光的波长为274纳米。

可选的，所述第二层金属包括同层形成的源极和漏极；所述底层材料用于形成栅绝缘层、栅极和层间介质层；

所述在基板沉积底层材料的步骤包括：

在基板上依次形成的缓冲层、有源层；

在有源层上方依次沉积栅绝缘材料、栅极材料；蚀刻栅极材料形成栅极层；

在栅极层上方沉积层间介质材料；

在层间介质材料上方形成预设图案的光阻层；

基于预设图案的光阻层蚀刻得到栅极绝缘层和层间介质层；

进行光阻去除操作去除层间介质层上方的光阻层；

所述栅极绝缘层和层间介质层相对于栅极的两侧部，形成连接所述层间介质层两侧部上表面和有源层两侧部上表面的两个镂空结构；所述源极和漏极分别设置在所述层间介质层的两侧，并分别通过对应侧部的所述镂空结构分别连接于所述有源层的上表面；

所述准分子紫外光照射操作和水洗操作是应用于去除光阻层之后的所述有源层的上表面的。

本发明还公开了一种显示面板的制程方法，所述制程方法包括第一基板的制程方法，所述第一基板的制程方法包括步骤：

在基板上依次形成栅极和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层的上方沉积有源层材料作为底层材料；

对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；

在底层材料上方沉积第二层金属；

通过同一道光罩制程，先蚀刻第二层金属形成包括源极和漏极的第二金属层；再蚀刻底层材料形成有源层；

所述栅极绝缘层和有源层是通过化学气象沉积，然后蚀刻形成的；

所述底层材料是通过物理气象沉积形成的；

准分子紫外线波长为274纳米。

本发明还公开了一种显示面板，包括采用上述所述的制程方法制造得到的第一基板。

本发明提供的一种显示面板的制程方法及显示面板,具有如下技术效果：本发明针对杂质的主要成分，采用准分子紫外光照射操作，破坏这些杂质内部的化学键结或者材料表面的特定键结，从而将杂质和底层材料的表面的结合力减小到很低的程度；再结合水洗操作，将这些杂质清除，保证底层材料表面的洁净，从而，保证形成的第二层金属和底层材料之间的结合力，减少甚至避免第二层金属的数据线短路的现象，从而提升4mask工艺的良率。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的制程方法流程示意图一；

图2是本发明实施例提供的一种基板化学气相沉积镀膜后的横截面的示意图；

图3是本发明实施例提供的一种基板物理气相沉积镀膜后的横截面的示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种基板镀膜后的横截面的示意图；

图5是本发明实施例提供的一种基板镀膜的流程示意图；

图6是本发明实施例提供的一种基板沉积底层材料示意图；

图7是本发明实施例提供的一种显示面板的制程方法流程示意图二；

图8是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；

图9是本发明实施例提供的一种基板上的数据线断开图；

图10是发明实施例提供的一种基板上的数据线断开的截面图；

图11是本发明实施例提供的一种基板上的数据线正常连接的截面图。

其中，100、显示面板；110、第一基板；111、基板；112、栅极；113、栅极绝缘层；114、有源层；115、层间介质层；116、第二金属层。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。

图1为一种显示面板的方法流程示意图，参考图1，结合图2至图4可知，本发明实施例公布了一种显示面板的制程方法，所述制程方法包括第一基板110的制程方法，所述第一基板110的制程方法包括步骤：(第一基板一般指的是阵列基板，也可以是形成有彩色滤光层的COA(Color Filter on Array，彩色滤光片设置在阵列基板上)基板或者其他适用的基板)

S1：在基板111沉积底层材料；

S2：对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；

S3：在底层材料上方沉积第二层金属；

S4：通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层116；

S5：在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层。

第一基板110的制程方法为，在基板沉积底层材料；对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；在底层材料上方沉积第二层金属；通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层；在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层；本发明针对杂质的主要成分，采用准分子紫外光照射操作，破坏这些杂质内部的化学键结或者材料表面的特定键结，从而将杂质和底层材料的表面的结合力减小到很低的程度；结合水洗操作，将这些杂质清除，保证底层材料表面的洁净，从而，保证形成的第二层金属和底层材料之间的结合力，减少甚至避免第二层金属的数据线dataopen的现象，从而提升4mask工艺的良率。

在一实施例中，所述对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作的步骤包括：

使用准分子紫外光照射操作对底层材料上表面进行洁净工作；

对完成准分子紫外光照射操作的底层材料上表面进行水洗操作。

形成在底层材料上表面，特别是当底层材料对应的制程和第二层金属对应的制程时间间隔较长时，底层材料的上表面将形成杂质，杂质包括灰尘颗粒(Particle)，包括光阻残留在内的有机物以及包括基于非晶硅形成的氧化物等杂质，这些杂质将导致在第二层金属镀膜时，出现第二层金属和底层材料结合力不足，容易被蚀刻，从而出现断线以及dataopen等情况；对底层结构表面先使用准分子紫外光进行照射操作，将灰尘颗粒、有机物和氧化物等异物的内部化学键结或者是杂质和底层材料表面特定的键结进行破坏，使得杂质和底层材料表面的结合力减弱甚至消除，然后再通过水洗操作，便能够将这些杂质从底层材料表面进行去除，保证在第二层金属镀膜时，保证了底层材料与第二金属层116的键结不受杂质的影响，加强底层和第二金属层的结合力，有效减少容易被蚀刻以及数据线data open等情况。本实施例还可以在使用准分子紫外光照射操作对底层材料上表面进行洁净工作的同时，进行对底层材料上表面进行水洗操作。如果条件允许，两个操作同时进行，理论上也是可行的，并不会影响对底层结构的洁净工作。

其中，一般来说进行准紫外线照射操作和水洗操作之后，要尽快进行第二层金属的镀膜，避免杂质的再次产生；必要时，可以增加一检测杂质的步骤，当检测到杂质时，先去除杂质，再进行第二层金属的镀膜。

在一实施例中，所述准分子紫外光照射操作和水洗操作之后还包括步骤：

对完成准分子紫外光照射操作和水洗操作之后的底层结构的上表面使用风刀吹干操作。

特别的，当水洗操作之后，要尽快进行第二层金属的镀膜时，等待水洗操作中残留的水自然干将会浪费较多的时间，甚至，水的存在有可能加速底层材料表面形成新的氧化物等杂质；因而，本方案在在完成准分子紫外光照射操作和水洗操作之后，还对底层结构的表面使用风刀进行吹干操作，如此，可以将残留的水去除，避免氧化物等的重新产生，提高良率，同时，可以加快第二层金属镀膜制程的进行，提高生产效率；另外，水洗操作之后，底层材料的表面仍然可能残留有灰尘颗粒、有机物和氧化物等异物，风刀吹干的步骤中，能够作为补充清除手段清除这些残留的异物，进一步保证底层材料上表面的洁净程度，从而使得后续操作中底层结构与第二金属层116达到更好的结合力，避免容易被刻蚀，减少数据线data open的现象，使第一基板的良率更高。

在一实施例中，所述底层材料用于形成有源层114，所述第二金属层包括同层形成的源极和漏极；

所述在基板111沉积底层材料的步骤包括：

在基板111上依次形成栅极112和栅极绝缘层113；

在栅极绝缘层113的上方沉积有源层114材料作为底层材料；

所述通过光罩制程蚀刻第二金属层116以形成第二金属层的步骤包括：

通过同一道光罩制程，先蚀刻第二金属层116形成包括源极和漏极的第二金属层；再蚀刻底层材料形成有源层114。

设计的第一基板的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)结构大致包括：栅极、栅极绝缘层、有源层(可以是单层非晶硅层，也可以包括非晶硅层和N型高浓度掺杂层)、源极和漏极、钝化层和透明导电层，由于有源层和第二金属层使用同一道光罩制程，因而，本方案可以采用4mask(四道光罩制程)制程形成TFT结构，有利于降低成本和提高生产效率；其中，4mask的制程中，一般在沉积有源层材料之后，制程便会停止一段时间，甚至可能需要等待超过3小时，如此将会致使底层材料的上表面形成包括灰尘颗粒(Particle)，包括光阻残留在内的有机物以及包括基于非晶硅形成的氧化物在内的一些杂质，这些杂质将会带来data open等情况，本方案，在即将进行第二层金属镀膜之前，先采用准紫外线光配合水洗的操作将这些杂质去除，起到很好的洁净作用，然后再进行第二层金属镀膜的制程，如此便能够减少了数据线data open的情况。

在一实施例中，所述底层材料用于形成有源层114，所述第二金属层包括同层形成的源极和漏极；

所述在基板111沉积底层材料的步骤包括：

在基板111上依次形成栅极112和栅极绝缘层113；

在栅极绝缘层113上方沉积有源层114材料；

在有源层114材料沉积一层光阻；并使用光罩制程形成预设图案的光阻层；使用光阻层蚀刻有源层114材料形成有源层114；

进行光阻去除操作去除有源层114上方的光阻层；(其中，光阻的去除可以用剥离液去除，也可以用光照改性光阻性质后，用纯水清洗去除光阻)

所述准分子紫外光照射操作和水洗操作是应用于去除光阻层之后的所述有源层114的上表面的。

本方案为5mask方案，即有源层和第二金属层不是采用同一道光罩制程形成的，在底层材料形成后，使用一道光罩制程，形成有源层，去除有源层上的光阻后再铺设第二层金属，再使用一道光罩制程，然后形成第二金属层，因此在有源层去除光阻层之后，若制程耽搁较久的时间，则有源层的上表面也可能出现氧化物、有机物以及灰尘和颗粒等杂质；若直接在底层材料形成的有源层上直接沉积第二层金属形成第二金属层，则可能由于杂质的存在，使得有源层和第二金属层之间的结合力不足的情况，出现data open的情况；本发明的准分子紫外光照射操作和水洗操作应用于已经形成有源层的底层材料的上表面，来达到清洁表面的目的，去除杂质之后，再进行第二层金属的镀膜制程，便可能有效减少甚至避免容易被刻蚀以及data open等情况。

图5为一种镀膜流程示意图，上述的化学气象沉积镀膜后，都会进行准分子紫外线光照和水洗操作，去除化学气象沉积镀膜后可能形成的杂质，然后再进行物理气象沉积镀膜，保证各种镀膜后避免容易被刻蚀以及data open等情况。

在一实施例中，所述准分子紫外光的波长为100至360纳米。准分子紫外线的波长范围为100至360纳米之间，在这个范围内的准分子紫外线可以有效的破坏底层结构表面的颗粒、有机物和氧化物等杂质与底层结构表面的化学键结，将底层材料表面的特定键结打断，从而能够通过水洗将底层材料上表面的杂质进行去除，使第二层与第三层之间的结合更好，改善了数据线data open的状况；而波长范围为100至360纳米之间的准分子紫外线在工业应用中已经比较成熟，可以有效的压缩甚至降低准分子照射步骤带来的生成成本。

在一实施例中，准分子紫外线的波长可以设为274纳米。波长为274纳米的准分子紫外线更容易得到，并且应用广泛，更容易将本方案中底层结构表面与吸附的杂质的化学键结打断，使底层材料表面的灰尘颗粒、氧化物和有机物等杂质去除，有效的减少数据线的data open的情况；而波长范围为274纳米之间的准分子紫外线在工业应用中已经比较成熟，可以有效的压缩甚至降低准分子照射步骤带来的生成成本。

图6为所述在基板沉积底层材料的步骤流程示意图，参考图6，结合图2至图4可知，所述第二金属层116包括同层形成的源极和漏极；所述底层材料用于形成栅绝缘层、栅极112和层间介质层115；

所述在基板111沉积底层材料的步骤包括：

S121：在基板111上依次形成的缓冲层、有源层114；(有源层包括设置在中间的非晶硅层和设置在非晶硅层两侧的两个N型高掺杂层，所述源极和漏极分别和一侧的N型高掺杂层相连接)

S122：在有源层114上方依次沉积栅绝缘材料、栅极112材料；蚀刻栅极112材料形成栅极112层；

S123：在栅极112层上方沉积层间介质材料；

S124：在层间介质材料上方形成预设图案的光阻层；

S125：基于预设图案的光阻层蚀刻得到栅极绝缘层113和层间介质层115；

S126：进行光阻去除操作去除层间介质层115上方的光阻层；

所述栅极绝缘层113和层间介质层115相对于栅极112的两侧部，形成连接所述层间介质层115两侧部上表面和有源层114两侧部上表面的两个镂空结构；所述源极和漏极分别设置在所述层间介质层115的两侧，并分别通过对应侧部的所述镂空结构分别连接于所述有源层114的上表面；

所述准分子紫外光照射操作和水洗操作是应用于去除光阻层之后的所述有源层114的上表面的。(所述栅极绝缘层和有源层是通过化学气象沉积形成的；所述底层材料是通过物理气象沉积形成的。这里的光阻层及其预设图案可以是一个，也可以是多个，而采用准分子紫外光照射操作和水洗操作主要指的是最后形成镂空结构后，当然，其他步骤对应的也可以采用准分子紫外光照射操作和水洗操作；例如，形成栅极绝缘层、栅极层和层间介质层的蚀刻步骤可以是先蚀刻形成栅极绝缘层，然后沉积栅极材料形成栅极层，最后沉积层间介质材料形成层间介质层；也可以是，先依次沉积栅极绝缘材料和栅极材料，然后蚀刻得到栅极层，而后沉积层间介质材料，最后通过同一道光罩制程，蚀刻所述栅极绝缘材料和层间介质材料；包括但不局限于上述的两种制程，只要能够蚀刻得到预设的图案即可)

本方案为顶栅结构的TFT,其中包括：缓冲层、有源层114、栅极绝缘层113、栅极112和层间介质层115，栅极绝缘层113和层间介质层115相对于栅极112的两侧部，形成连接所述层间介质层115两侧部上表面和有源层114两侧部上表面的两个镂空结构，源极和漏极分别设置在所述层间介质层115的两侧，并分别通过对应侧部的所述镂空结构分别连接于所述有源层114的上表面；由于沉积层间介质层115之后，制程可能会停止一段时间，这使得层间介质层115的上表面将会形成包括灰尘颗粒(Particle)，包括光阻残留在内的有机物以及包括基于非晶硅形成的氧化物在内的一些杂质，这些杂质将会带来data open等；在即将进行第二层金属镀膜之前，采用准紫外线光配合水洗的操作，来去除杂质，起到很好的洁净作用，避免了数据线data open等情况。

图7为一种显示面板的制程方法流程示意图，参考图7，结合图2至图4可知作为本发明的另一实施例，公开了一种显示面板100的制程方法，所述制程方法包括第一基板110的制程方法，所述第一基板110的制程方法包括步骤：

S11：在基板111上依次形成栅极112和栅极绝缘层113；

S12：在栅极绝缘层113的上方沉积有源层114材料作为底层材料；

S2：对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；

S3：在底层材料上方沉积第二金属层116；

S4：通过同一道光罩制程，先蚀刻第二金属层116形成包括源极和漏极的第二金属层；再蚀刻底层材料形成有源层114；

S5：在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层；

所述栅极绝缘层113和有源层114是通过化学气象沉积，然后蚀刻形成的；

所述底层材料是通过物理气象沉积形成的；

准分子紫外线波长为274纳米。

本方案为第一基板的完整制程方法，由于第二层金属是通过物理气象沉积形成的，并且形成有源层114之后，会停止一段时间，因此在有源层114表面容易产生有机物或氧化物以及灰尘和颗粒等，导致后期镀第二层金属时，两层结构之间的结合力不足，使第二金属层116容易被蚀刻，从而导致数据线断线，因此，本方案对有源层表面用274纳米的准分子紫外光照射的制程，将灰尘颗粒、有机物和氧化物等异物的内部化学键结或者是杂质和底层材料表面特定的键结进行破坏，使得杂质和底层材料表面的结合力减弱甚至消除，然后再进行水洗操作，便能够将这些杂质从底层材料表面进行去除，在第二层金属镀膜时，保证了有源层与第二金属层116的键结不受杂质的影响，加强底层和第二金属层的结合力，有效减少容易被蚀刻以及数据线data open等情况，从而提升4mask工艺的良率。

作为本发明的另一实施例，参考图8所示，公开了一种显示面板100，显示面板包括采用上述所述制程方法制造得到的第一基板110，因而显示面板100也具有上述所述制程方法制造得到的第一基板110的技术效果，在此不再详述。

本方案中，用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，可以将底层结构的表面吸附的灰尘和颗粒以及产生有机物或氧化物等杂质去除，在第二层金属镀膜时，保证了底层材料与第二金属层的键结不受杂质的影响，加强底层和第二金属层的结合力，有效减少容易被蚀刻以及数据线data open等情况，提高了4mask工艺的良率，使显示面板100的良率提高，减少显示面板100的制造成本。

显示面板在镀第二层金属之前的停留时间与是否进行准分子紫外线和水洗而使每片基板产生数据线断开的数量的表格如下：

由上表可以看出，未经过处理的基板数据线data open的数量很多，而经过准分子紫外线光照并水洗后的基板，数据线data open的现象明显减少，由上表可看出，本发明有效的解决了4mask制程带来的data open的状况，提高了显示面板的良率。

图9为一种基板上的数据线断开图，由于在基板上形成第二层材料的间隔时间较长，导致底层材料表面会吸附一些灰尘颗粒以及有机物并产生氧化物等杂质，当形成第二层金属后，第二金属层与底层结构之间由于杂质的存在，导致两者之间的结合力不足，从而出现数据线短路(data open)的情况，图10为data open处的截面图，图11为数据线正常连接，没有断开的截面图。

本发明的面板可以是TN面板(Twisted Nematic，即扭曲向列型面板)、IPS面板(In-PaneSwitching，平面转换)、VA面板(Vertical Alignment，垂直配向技术)和MVA面板(Multi-domain Vertical Alignment，多象限垂直配向技术)，当然，也可以是其他类型的面板，适用即可。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制程方法，其特征在于，所述制程方法包括第一基板的制程方法，所述第一基板的制程方法包括步骤：

在基板沉积底层材料；

对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；

在底层材料上方沉积第二层金属；

通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层；

在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层。

2.如权利要求1所述显示面板的制程方法，其特征在于，所述对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作的步骤包括：

使用准分子紫外光照射操作对底层材料上表面进行洁净工作；

对完成准分子紫外光照射操作的底层材料上表面进行水洗操作。

3.如权利要求1所述显示面板的制程方法，其特征在于，所述准分子紫外光照射操作和水洗操作之后还包括步骤：

对完成准分子紫外光照射操作和水洗操作之后的底层结构的上表面使用风刀吹干操作。

4.如权利要求1所述显示面板的制程方法，其特征在于，所述底层材料用于形成有源层，所述第二金属层包括同层形成的源极和漏极；

所述在基板沉积底层材料的步骤包括：

在基板上依次形成栅极和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层的上方沉积有源层材料作为底层材料；

所述通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层的步骤包括：

通过同一道光罩制程，先蚀刻第二层金属形成包括源极和漏极的第二金属层；再蚀刻底层材料形成有源层。

5.如权利要求1所述显示面板的制程方法，其特征在于，所述底层材料用于形成有源层，所述第二金属层包括同层形成的源极和漏极；

所述在基板沉积底层材料的步骤包括：

在基板上依次形成栅极和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上方沉积有源层材料；

在有源层材料沉积一层光阻；并使用光罩制程形成预设图案的光阻层；使用光阻层蚀刻有源层材料形成有源层；

进行光阻去除操作去除有源层上方的光阻层；

所述准分子紫外光照射操作和水洗操作是应用于去除光阻层之后的所述有源层的上表面的。

6.如权利要求1所述显示面板的制程方法，其特征在于，所述准分子紫外光的波长为100至360纳米。

7.如权利要求1所述的显示面板的制程方法，其特征在于，准分子紫外光的波长为274纳米。

8.如权利要求1所述显示面板的制程方法，其特征在于，所述第二层金属包括同层形成的源极和漏极；所述底层材料用于形成栅绝缘层、栅极和层间介质层；

所述在基板沉积底层材料的步骤包括：

在基板上依次形成的缓冲层和有源层；

在有源层上方依次沉积栅绝缘材料和栅极材料；蚀刻栅极材料形成栅极层；

在栅极层上方沉积层间介质材料；

在层间介质材料上方形成预设图案的光阻层；

基于预设图案的光阻层蚀刻得到栅极绝缘层和层间介质层；

进行光阻去除操作去除层间介质层上方的光阻层；

所述栅极绝缘层和层间介质层相对于栅极的两侧部，形成连接所述层间介质层两侧部上表面和有源层两侧部上表面的两个镂空结构；所述源极和漏极分别设置在所述层间介质层的两侧，并分别通过对应侧部的所述镂空结构分别连接于所述有源层的上表面；

所述准分子紫外光照射操作和水洗操作是应用于去除光阻层之后的所述有源层的上表面的。

9.一种显示面板的制程方法，其特征在于，所述制程方法包括第一基板的制程方法，所述第一基板的制程方法包括步骤：

在基板上依次形成栅极和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层的上方沉积有源层材料作为底层材料；

对底层材料的上表面，采用准分子紫外光照射操作，并进行水洗操作，完成底层结构的表面的洁净工作；

在底层材料上方沉积第二层金属；

通过同一道光罩制程，先蚀刻第二层金属形成包括源极和漏极的第二金属层；再蚀刻底层材料形成有源层；

在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层；

所述栅极绝缘层和有源层是通过化学气象沉积，然后蚀刻形成的；

所述底层材料是通过物理气象沉积形成的；

准分子紫外线波长为274纳米。

10.一种显示面板，其特征在于，包括采用如权利要求1至9任意一项所述的制程方法制造得到的第一基板。