CN101448971A - 成膜方法和成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，上述成膜方法的特征在于，包括：将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和向所述处理容器内供给含钨气体和还原气体，并且利用已加热的催化剂体使该还原气体活化，在所述被处理体的表面形成钨膜的成膜工序。

Description

成膜方法和成膜装置
技术领域
本发明涉及钨膜或氮化钨膜的成膜方法和成膜装置。
背景技术
一般而言，在半导体集成电路的制造工序中，为了在作为被处理体的半导体晶片的表面形成配线图案，或者，为了埋入配线间等的凹部，进行使W(钨)、WN(氮化钨)、WSi(硅化钨)、Ti(钛)、TiN(氮化钛)、TiSi(硅化钛)等的金属或金属化合物堆积而形成薄膜。
以提高与下层的密合性为目的，有时形成阻挡膜作为上述金属薄膜的基底。作为该阻挡膜，使用氮化钨膜和氮化钛膜。此处，以形成钨膜作为金属薄膜的情况为例进行说明。在形成钨膜的情况下，一般而言主要使用WF6(六氟化钨)气体(日本特开平6-89873号公报和日本特开2003-96567号公报)。
用于形成如上所述的金属薄膜的一般的成膜装置示于图6。在由例如铝等形成为筒状体的处理容器2内，设置有由例如薄的碳材料或铝化合物形成的载置台4。在载置台4的下方通过石英制的透过窗6配置有卤素灯等加热单元8。
来自加热单元8的热线透过透过窗6，到达载置台4，对载置台4进行加热。并且，对载置台4上载置的半导体晶片S间接地加热并维持在规定的温度。与此同时，从设置在载置台4的上方的喷淋头部10，向晶片表面上均匀地供给作为处理气体的WF6和还原气体SiH4。由此，在晶片表面上形成W(钨)金属膜。
作为供给上述两种气体的方式，已知有：同时供给两种气体，利用CVD法形成W膜的方法；交替间歇性地反复供给WF6气体和SiH4气体，多层地形成厚度为数的W膜的ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法等。另外，有时不使用上述SiH4气体，而改为与上述方法同样地使用还原气体B2H6气体。另外，氮化钨膜一般使用WF6气体和NH3气体，通过CVD法形成。
但是，上述现有的钨膜的成膜方法中，由于使用SiH4气体和B2H6气体作为还原气体，不可避免地会在沉积的钨膜中混入Si(硅)原子和B(硼)原子。虽然该Si原子和B原子的混入量不过几％的程度，但是该Si元素和B元素这些杂质元素的混入，会产生使钨膜的电阻值上升的问题。
该情况下，可以考虑使用不会导致杂质元素混入的H2气体作为还原气体。但是，H2气体的还原性，与SiH4气体和B2H6气体相比较弱，所以不能够产生充分的成膜速率。即，用H2气体作为还原气体并不实用。
另外，为了补充H2气体的还原性的目的，可以考虑采用向处理容器内导入利用等离子体而活化的H2气体的所谓远程等离子体方式，或者在处理容器内产生等离子体使气体活化的等离子体活化方式。但是，在远程等离子体的情况下，活化后的气体会与构成到处理容器的输送通路的材料冲突而失去活性，所以效率会大幅下降。另外，在等离子体活化方式中，因为在处理容器内的晶片的上方会形成等离子体，晶片自身容易受到等离子体损伤，不优选。
另外，作为使上述气体活化的其他方法，存在例如日本特开昭63-40314号公报所公开的使用加热催化剂体的方法。但是，在该方法中，原料气体自身也会被该加热催化剂体分解，在加热催化剂体上会附着成为颗粒的原因的膜。
另外，形成氮化钨膜的情况下，会发生大量的例如NH4F等反应副产物，维护频度会显著上升。
发明内容
本发明着眼于如上所述的问题，为了有效解决这些问题而提出。本发明的目的在于，提供一种成膜方法和成膜装置，其通过选择性地使还原气体活化，能够高效率地形成抑制杂质元素混入的低电阻的钨膜。
本发明的其他目的在于，提供一种成膜方法和成膜装置，其通过选择性地使氮化气体活化，能够在抑制反应副产物的发生的同时高效率地形成氮化钨膜。
本发明是一种成膜方法，其特征在于，包括：将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和向上述处理容器内供给含钨气体和还原气体，并且利用已加热的催化剂体使该还原气体活化，在上述被处理体的表面形成钨膜的成膜工序。
根据本发明，向能够真空排气的处理容器内供给含钨气体和还原气体，并且利用已加热的催化剂体使该还原气体活化，所以能够高效率地形成抑制杂质元素混入的低电阻的钨膜。
例如，上述催化剂体选择性地使上述还原气体活化。另外，上述还原气体例如是H2气体。
或者，本发明是一种成膜方法，其特征在于，包括：将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和向上述处理容器内供给含钨气体和氮化气体，并且利用已加热的催化剂体使该氮化气体活化，在上述被处理体的表面形成氮化钨膜的成膜工序。
根据本发明，向上述能够真空排气的处理容器内供给含钨气体和氮化气体，并且利用已加热的催化剂体使该氮化气体活化，所以能够在抑制反应副产物的发生的同时高效率地形成氮化钨膜。
例如，上述催化剂体选择性地使上述氮化气体活化。另外，上述氮化气体例如是N2气体。
优选通过通电加热上述催化剂体，上述选择性活化通过温度控制进行。
或者，优选上述选择性活化通过选择上述催化剂体的材料进行。
另外，例如上述含钨气体是WF6或W(CO)6。
另外，例如上述催化剂体，是由选自W、Ir、Ru、Re、Pt、碳中的1种以上的材料构成的。
另外，例如，上述成膜工序是同时供给上述2种气体，利用CVD法进行的。
或者，例如，上述成膜工序是交替反复供给上述2种气体，利用ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法进行的。
另外，例如，在上述成膜工序之后，供给清洁气体的同时利用上述催化剂体使该清洁气体活化，由此进行清洁处理。
另外，本发明是一种成膜装置，其特征在于，包括：能够真空排气的处理容器；设置在上述处理容器内的、载置被处理体的载置台；加热上述被处理体的加热单元；向上述处理容器内供给含钨气体和还原气体的气体供给单元；用于使上述还原气体活化而通过通电发热的催化剂体；用于对上述催化剂体通电而连接的电源。
在该情况下，上述还原气体例如是H2气体。
另外，本发明是一种成膜装置，其特征在于，包括：能够真空排气的处理容器；设置在上述处理容器内的、载置被处理体的载置台；加热上述被处理体的加热单元；向上述处理容器内供给含钨气体和氮化气体的气体供给单元；用于使上述氮化气体活化而通过通电发热的催化剂体；用于对上述催化剂体通电而连接的电源。
该情况下，上述氮化气体例如是N2气体。
例如，上述催化剂体是由形成为线状或棒状的线材构成的。
在该情况下，例如，上述线材在上述载置台的上方排列有多根。或者，例如，上述线材在上述载置台的外围侧的上方以包围上述载置台的方式设置。
另外，例如，上述含钨气体是WF6或者W(CO)6。
另外，例如，上述催化剂体是由选自W、Ir、Ru、Re、Pt、碳中的1种以上的材料构成的。
附图说明
图1是表示本发明的成膜装置的第一实施方式的结构概要图。
图2A～图2C分别是表示催化剂体的配设例的平面图。
图3A～图3C是表示供给各气体和向催化剂体供给电力的时序图的一个例子。
图4是表示各气体种类的分解反应(活化)能量的计算值和实验值的图。
图5是表示本发明方法的评价结果的表。
图6是表示用于形成金属薄膜的一般的成膜装置的结构概要图。
具体实施方式
以下基于附图对于本发明的成膜方法和成膜装置的实施方式进行详细叙述。
<第一实施方式>
图1是表示本发明的成膜装置的第一实施方式的结构概要图。图2A～图2C分别是表示催化剂体的配设例的平面图。本实施方式的成膜装置12是形成钨(W)膜的装置。
如图1所示，成膜装置12具有例如由铝合金等形成为圆筒状或箱状的处理容器14。在该处理容器14内，设置有从容器底部立起的支柱16，和在该支柱16上通过例如截面为L字状的保持部件18设置的载置台20。载置台20上载置有作为被处理体的半导体晶片S。支柱16和保持部件18由热线透过性材料例如石英构成。另外，载置台20由厚度为1mm左右的碳材料、铝化合物等构成。
载置台20的下方，设置有多根例如3根升降销22。各升降销的22的基端部被圆弧状的支撑部件24支撑。该支撑部件24通过贯通容器底部设置的升棒26上下移动。通过该上下移动，升降销22能够贯通载置台20上设置的销孔28载置晶片S(图1中仅表示了2根升降销22)。
升棒26的相对于容器底部的贯通部中，设置有用于保持处理容器14内的气密状态的可伸缩的波纹管30。另外，升棒26通过促动器32升降。
载置台20的边缘部，设置有用于将晶片S的边缘部向载置台20一侧固定的环状的陶瓷制的夹紧环34。该夹紧环34通过支撑棒36连接到升降销22。即，夹紧环34与升降销22一体地升降。另外，该升降销22、支撑棒36和保持部件18也是由石英等热线透过部件构成的。
另外，在载置台20的正下方的容器底部，通过O环等密封部件40气密地设置有由石英等热线透过材料构成的透过窗38。透过窗38的下方，以包围该透过窗38的方式设置有箱状的加热室42。加热室42内，在兼作反射镜的旋转台46上安装有作为加热单元的多个加热灯44。该旋转台46通过旋转马达48旋转。从加热灯44放出的热线透过透过窗38，照射载置台20的下表面并将其加热。其中，作为加热单元，可以不使用加热灯44，改为使用载置台20中埋入的电阻加热器。
另外，在载置台20的外围侧，设置有具有多个整流孔50的环状的整流板52，其被上下方向上形成为环状的支撑柱54支撑。在整流板52的内围侧，形成有环状的石英制的平板56，使其与夹紧环34的外围部接触，并使气体不会流过其下方。在整流板52的下方的底部，设置有排气口58。该排气口58连接有中途设置有压力调节阀60和真空泵62的排气通路64。由此，在处理容器14内能够被抽真空而维持规定的压力。另外，在处理容器14的侧壁上，设置有用于对处理容器14内搬入搬出晶片S的开口66，该开口66上设置有闸阀68。
另一方面，在处理容器14上设置有向该处理容器14中供给规定气体的气体供给单元70。该气体供给单元70具有设置在容器顶部的喷淋头部72。具体而言，喷淋头部72例如由铝合金等形成为圆形箱状，其顶部设置有气体导入口74。
气体导入口74上连接有气体通路76。该气体通路76分支为多个分支通路，本例中为3个。并且，各分支通路分别连接含钨气体源78、还原气体源80和清洁气体源82。此处，用WF6作为含钨气体，用H2气体作为还原气体，用NF3气体作为清洁气体。其中，尽管图中未表示，但也可以供给不活泼性气体例如N2气体作为吹扫气体。另外，上述各分支通路上分别设置有质量流量控制器类的流量控制器84A、84B、84C和开闭阀86A、86B、86C。
喷淋头部72的下表面即气体喷射面72A上，在面内均匀地形成有多个气体孔88，其用于喷出供给到喷淋头部72内的上述各气体。由此，能够对晶片表面上方的处理空间92均匀地喷出气体。
另外，在喷淋头部72内，配设有具有多个气体分散孔90A的扩散板90。由此，导入到喷淋头部72内的气体被扩散，能够向晶片表面均匀地供给气体。
并且，处理容器14内的处理空间92中，设置有作为本发明的特征的催化剂体94，其用于使还原气体即H2气体活化。具体而言，催化剂体94由通过通电发热的材料构成，如图2A所示，由形成为线状或棒状的线材96构成。该线材96例如由碳丝形成。
在处理容器14的顶部，朝向载置台20的外围侧的处理空间92，设置有贯通处理容器14的顶部的多个导电性的支撑杆98。具体而言，如图2A所示，支撑杆98包夹载置台20，并在其两端侧分别相对地配置有多根，例如各7根。
各支撑杆98的顶部贯通部上，分别设置有绝缘部件100。由此，各支撑杆98相对于处理容器14绝缘。另外，在相对的各对支撑杆98之间，分别跨接有上述线材96。从而，该多根、图示例中为7根线材96，在载置台20的上方，成为以规定的间隔在水平方向上平行排列的状态。由此，从喷淋头部72供给的气体，能够与各线材96高效率地接触。
各线材96的两端，分别并联连接在供电线102、104。另一方面，该供电线102、104连接到电源106。由此，对各线材96施加加热用的电压，能够用焦耳热将各线材96加热到规定的温度。此处，电源106的输出是可变的，从而能够以所要求的电力对各线材96进行加热。此时各线材96的加热温度如后所述设定在使还原气体即H2气体活化而不使另一方的含钨气体即WF6气体活化(分解)的温度区域。
如上所述的装置整体的动作，即，各气体的流量控制、催化剂体94的温度控制、处理容器14内的压力控制、晶片S的温度控制等，通过由例如微型计算机等构成的控制部108控制。另外，该控制部108具有由例如软盘、CDROM、DVD、硬盘等构成的存储介质110，其用于存储用来控制装置整体的动作的程序。
接下来，参照图3和图4关于使用如上所述构成的成膜装置12进行的本发明的一个实施方式的成膜方法进行说明。
图3A～图3C表示本实施方式中各气体的供给和向催化剂体供给电力的时序图。图4是表示各气体种类的分解反应(活化)能量的计算值和实验值的图。
首先，在晶片S的表面实施钨膜的成膜处理的情况下，打开在处理容器14的侧壁上设置的闸阀68，用搬送臂(未图示)将晶片S搬入处理容器14内。接着，使升降销22上升，将晶片S交接到升降销22一侧。然后，通过降下升棒26，使升降销22下降，将晶片S载置在载置台20上，通过进一步降下升棒26，用夹紧环34将晶片S的边缘部按压固定。之后，关闭上述闸阀68，处理容器14内被密闭。
接着，旋转并同时点亮驱动加热室42内的加热灯44，放射热能。该放射的热线透过透过窗38后，照射载置台20的背面并对其加热。该载置台20如上所述非常薄，为1mm左右，所以被迅速地加热。从而，能够迅速地将载置台20上载置的晶片S加热至规定的温度。
另外，在该加热的同时，对处理容器14内抽真空，以规定的时间从成膜用的各气体源78、80供给各气体。进而，将电源106置为导通，对催化剂体94的各线材96施加电压，通过焦耳热将各线材96加热至规定的温度。
此时，含钨气体即WF6气体和还原气体即H2气体的供给如图3A和图3B所示，互相交替间歇地以脉冲状反复。另一方面，如图3C所示，电源106被连续地置为导通状态，如上所述将各线材96维持在规定的温度，仅使H2气体活化。从1次WF6气体的脉冲状供给到下一次脉冲状的供给构成1个周期。每一个周期堆积厚度为1～2
Figure A200780017818D0012103654QIETU
左右的钨膜。通过重复必要的周期数，能够得到所要求的膜厚的钨膜。这样的成膜方法被称为ALD法。
此处，各线材96的温度如上所述，维持在使H2气体活化(分解)而不使WF6气体活化的温度。即，通过线材96的温度控制进行气体的选择性活化。关于这一点，基于图4详细说明。
图4中，关于各气体的分解需要的能量(活化能)，表示了计算值和实验值两者。此处，WF6气体的活化能的计算值为17eV左右，实验值为26eV左右。另外，H2气体的活化能的计算值为4eV左右，实验值为5eV左右。从而，不使WF6气体活化并且可靠地使H2气体活化的能量范围是5～17eV的范围。
此处，施加给气体的能量依赖于加热温度。从而，必须设定各线材96的温度，使得就结果而言供给上述5～17eV的范围内的能量。这样的温度范围也依赖于催化剂体的材料和处理容器14内的处理压力、处理温度等，例如催化剂体是W材料的情况下在1000～1600℃左右范围内，是Pt材料的情况下在300～700℃左右的范围内。各线材96的温度升温至会分解WF6气体的温度以上的温度时，在WF6气体的气相中分解的钨会附着堆积在各线材96上，成为颗粒等的原因，并且成膜速率也会降低，所以不优选。另一方面，各线材96的温度过低时，H2气体不会活化，所以基本不会观察到钨膜的成膜，不优选。
此处，关于处理条件进行说明。处理压力为50～1000Pa左右，WF6气体的供给期间T1为1.5sec左右，H2气体的供给期间T2为1.5sec左右，两种气体供给的停止期间T3、T4都分别为1.5sec左右。该停止期间T3、T4中，可以不供给任何气体而仅继续进行抽真空，或者也可以供给不活泼性气体例如N2气体或Ar气体等促进残留气体的排出(吹扫)。另外，此时的WF6气体的供给量，例如为200sccm左右，H2气体的供给量，例如为1000sccm左右。
通过用如上所述的ALD法，能够大幅提高例如在晶片S的表面形成的凹部的阶梯覆盖率(step coverage)，用钨膜填埋该凹部。
如上所述，向能够真空排气的处理容器内供给含钨气体即WF6气体和还原气体即H2气体，并且利用加热后的催化剂体94选择性地使上述还原气体活化，所以能够高效率地形成抑制了杂质元素混入的低电阻的钨膜。
其中，在以上实施方式中，如图3C所示，将电源106连续地置为导通状态，但是并不限于此。例如，也可以与H2气体供给时间同步地使电源106导通·断开。在该情况下，能够节约用于活化的电力。
另外，在以上实施方式中，如图3A和图3B所示，WF6气体和H2气体相互错开时间地交替供给，但是并不限于此。例如，也可以同时连续地供给WF6气体和H2气体这两种气体，利用CVD法形成钨膜。
其中，一般而言，对特定枚数的晶片S的成膜处理完成时，处理容器14内的内表面和各部件的表面上会堆积成为颗粒原因的不需要的附着膜，所以为了除去该不需要的附着膜，使清洁气体流通进行清洁处理。
如图1所示，在成膜装置12中，从清洁气体源82向处理容器14内供给NF3气体作为清洁气体，进行上述清洁处理。此时，优选将上述催化剂体94的各线材96加热至规定的温度以上，以使该NF3气体充分分解而活化。关于NF3气体的活化能，参照图4，NF3气体在3～4eV的比较低的活化能下就会分解。即，能够在比上述钨膜成膜时更低的温度使NF3气体活化。作为清洁气体，也可以使用在比NF3气体更低的活化能下就分解的其他气体，例如ClF3等。通过用催化剂体94进行清洁处理，能够不使用等离子体而使用各种清洁气体就除去不需要的附着膜。结果，能够扩大清洁气体的选择范围。
此处，实际进行使用本发明方法的成膜处理，并对其进行评价。关于该评价结果进行说明。此处，也一并实施了现有方法作为比较例。图5是表示本发明方法的评价结果的图。此处，进行了现有方法1～3作为比较例。现有方法1使用CVD法作为制法，现有方法2、3分别使用交替供给气体的ALD法。另外，作为还原气体，现有方法2使用SiH4气体，现有方法3使用B2H6气体。其中，现有方法1～3使用的H2气体，在此处是用作抑制还原气体的还原力的稀释气体的。
本发明方法中，使用如用图3说明的ALD法。交替供给WF6气体和H2气体，仅使H2气体活化。其中，图5中的“N.D.”表示“没有检出”。另外，关于阶梯覆盖率是埋入直径0.1μm、深度比(A/R)＝10的孔而评价的。
其结果是，在使用CVD法的现有方法1中，比电阻为50Ω·cm，较小，F、S、B各元素的浓度也少，或为“N.D.”，为良好。但是，阶梯覆盖率为30以上，非常差，亦即，不能充分地埋入微细的凹部，不优选。
另外，在使用ALD法的现有方法2、3的情况下，阶梯覆盖率都在90％以上，为良好，但是比电阻分别为150～200Ω·cm和120～160Ω·cm，相当高。而且，在现有方法2的情况下，Si浓度达到了4％，在这一点上也不优选。
与以上比较例相对地，在使用ALD法的本发明方法的情况下，比电阻为50Ω·cm以下，非常低，而F浓度为0.1％以下，且Si浓度和B浓度都为“N.D.”，基本不含，而且阶梯覆盖率也在90％以上，非常高，整体上都得到了良好的结果。
<催化剂体94的变形例>
在上述实施方式中，如图2A所示，作为催化剂体94，多个线状或棒状的线材96在载置台20的上方平行排列有多根，但是并不局限于此，可以任意地排列。例如，如图2B所示，可以在载置台20的上方，按照使多个线材96不短路(导通)地相互正交地排列为格子状，并由电源106从各线材96的两端供电的方式排列。或者，如图2C所示，以包围该载置台20的周围的方式将线材96配置为例如多边形(图示例中为六角形)，由电源106从其两端供电。
在图2B所示的催化剂体94的情况下，由于线材96排列为格子状，所以导入的气体和线材96的接触面积增加，相应地能够提高活化效率。
另外，在图2C所示的催化剂体94的情况下，由于线材96不位于载置台20的上方而是配置在其外周侧，所以例如即使万一有颗粒从线材96上产生并落下，也能够防止该颗粒落下到晶片上。即，在颗粒的对策方面，能够起到显著的效果。
<第二实施方式>
以上说明的第一实施方式中，以形成钨膜的情况为例进行了说明，但是本发明也能够适用于不形成钨膜而改为形成氮化钨膜(WN)的情况。
在该情况下，图1所示的成膜装置中，不使用还原气体而改为使用氮化气体即可。具体而言，不设置贮藏H2的还原气体源80，而改为设置贮藏氮化气体的氮化气体源(未图示)。在该情况下，能够使用N2气体作为氮化气体。此处，如果直接使用吹扫用的N2气体，就不需要另行设置氮化气体源。
在该情况下，堆积的膜种类由钨膜变为氮化钨膜。其他都表现为与在第一实施方式中说明的同样的作用效果。即，在第二实施方式中，不是使用还原气体，而是改为仅使氮化气体即N2气体选择性地活化，N2气体被分解，并与WF6气体反应，而堆积氮化钨膜。
如图4所示，N2气体的分解反应(活化)能量较之先前第一实施方式使用的H2气体略高，为10eV左右。从而，关于形成催化剂体94的线材96的温度，需要设定为能够供给使N2气体活化但不使WF6气体活化的能量、例如10～17eV范围内的能量的温度。
如上所述，本实施方式中，向能够真空排气的处理容器内供给含钨气体和氮化气体，并且利用已加热的催化剂体使上述氮化气体选择性地活化，所以能够抑制反应副产物的发生，并高效率地形成氮化钨膜。
如上所述，第二实施方式中各气体的供给方式，除了将H2气体变更为N2气体这一点以外，都与第一实施方式相同。另外，在氮化钨膜的现有制造方法中，使用氨(NH3)气作为氮化气体，会产生大量反应副产物而增加维护频率，但根据使用N2气体的本发明方法，能够大幅抑制反应副产物的产生量，能够减少维护频度。
其中，在上述第一和第二实施方式中，以使用WF6气体作为含钨气体的情况为例进行了说明，但并不限定于此，也能够使用例如W(CO)6气体。
另外，作为构成催化剂体94的线材96的材料，以使用碳丝的情况为例进行了说明，但并不限定于此，也能够使用其他材料，例如W(钨)、Ir(铱)、Ru(钌)、Re(铼)、Pt(铂)等。
另外，此处，以半导体晶片作为被处理体为例进行了说明，但并不限定于此，也能够将本发明适用于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等。

Claims (21)

1.一种成膜方法，其特征在于，包括：
将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和
向所述处理容器内供给含钨气体和还原气体，并且利用已加热的催化剂体使该还原气体活化，在所述被处理体的表面形成钨膜的成膜工序。
2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：
所述催化剂体选择性地使所述还原气体活化。
3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：
所述还原气体是H2气体。
4.一种成膜方法，其特征在于，包括：
将被处理体载置在能够真空排气的处理容器内的工序；和
向所述处理容器内供给含钨气体和氮化气体，并且利用已加热的催化剂体使该氮化气体活化，在所述被处理体的表面形成氮化钨膜的成膜工序。
5.如权利要求4所述的成膜方法，其特征在于：
所述催化剂体选择性地使所述氮化气体活化。
6.如权利要求5所述的成膜方法，其特征在于：
所述氮化气体是N2气体。
7.如权利要求2、3、5或6所述的成膜方法，其特征在于：
所述催化剂体通过通电被加热；
所述选择性活化通过温度控制进行。
8.如权利要求1～7中任一项所述的成膜方法，其特征在于：
所述含钨气体是WF6或W(CO)6。
9.如权利要求1～8中任一项所述的成膜方法，其特征在于：
所述催化剂体由选自W、Ir、Ru、Re、Pt、碳中的1种以上的材料构成。
10.如权利要求1～9中任一项所述的成膜方法，其特征在于：
所述成膜工序同时供给所述2种气体，并使用CVD法进行。
11.如权利要求1～9中任一项所述的成膜方法，其特征在于：
所述成膜工序是交替反复供给所述2种气体，使用ALD(AtomicLayered Deposition：原子层沉积)法进行的。
12.如权利要求1～11中任一项所述的成膜方法，其特征在于：
在所述成膜工序之后，供给清洁气体的同时利用上述催化剂体使该清洁气体活化，由此进行清洁处理。
13.一种成膜装置，其特征在于，包括：
能够真空排气的处理容器；
设置在所述处理容器内的、载置被处理体的载置台；
加热所述被处理体的加热单元；
向所述处理容器内供给含钨气体和还原气体的气体供给单元；
用于使所述还原气体活化而通过通电发热的催化剂体；和
用于对所述催化剂体通电而连接的电源。
14.如权利要求13所述的成膜装置，其特征在于：
所述还原气体是H2气体。
15.一种成膜装置，其特征在于，包括：
能够真空排气的处理容器；
设置在所述处理容器内的、载置被处理体的载置台；
加热所述被处理体的加热单元；
向所述处理容器内供给含钨气体和氮化气体的气体供给单元；
用于使所述氮化气体活化而通过通电发热的催化剂体；和
用于对所述催化剂体通电而连接的电源。
16.如权利要求15所述的成膜装置，其特征在于：
所述氮化气体是N2气体。
17.如权利要求13～16中任一项所述的成膜装置，其特征在于：
所述催化剂体由形成为线状或棒状的线材构成。
18.如权利要求17所述的成膜装置，其特征在于：
所述线材在所述载置台的上方排列有多个。
19.如权利要求17所述的成膜装置，其特征在于：
所述线材在所述载置台的外围侧的上方以包围所述载置台的方式设置。
20.如权利要求13～19中任一项所述的成膜装置，其特征在于：
所述含钨气体为WF6或者W(CO)6。
21.如权利要求13～20中任一项所述的成膜装置，其特征在于：
所述催化剂体由选自W、Ir、Ru、Re、Pt、碳中的1种以上的材料构成。
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