CN101443653B - 边缘检查设备 - Google Patents
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Abstract
一种边缘检查设备,该设备设置有:照明装置(5),该照明装置从待检查的物体的表面或反面的正上方或正下方之外的位置向待检查的平坦的物体(1)的边缘照射漫射光;成像装置(4),该成像装置从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行成像;以及检查装置(7),该检查装置利用由所述成像装置获取的图像检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况。
Description
技术领域
本发明涉及一种边缘检查设备,该边缘检查设备用于检测诸如半导体晶片或液晶玻璃基板的平坦基板的边缘。
背景技术
近年来,在半导体晶片上形成的电路图案的集成度逐年提高。生产过程中在晶片的表面处理中使用的材料类型的数目也随之增加。由于表面处理而产生的膜的边界存在于晶片的边缘附近。因此在生产过程中对晶片边缘附近的观察是重要的。对边缘表面附近缺陷的管理影响从晶片获得的电路的产出。
因此,在相关技术中,从多个方向对诸如半导体晶片的平坦基板的边缘附近进行观察,并检查是否存在异物、膜的剥离、膜内的气泡、膜的卷曲以及切削槽口。
作为用于进行这一检查的检查设备,存在利用由激光等的照明而散射的光检测异物的设备(参见专利文献1)。
(专利文献1)日本特开专利公报No.H11-351850。
发明内容
本发明所要解决的问题
例如,在半导体晶片的边缘相对于半导体表面倾斜时,现有技术的检查设备难以检查该倾斜表面的状况。
因此,本发明的目的是提供一种能精确检查平坦物体的边缘状况的边缘检查设备。
解决问题的手段
根据本发明第一方面的边缘检查设备包括:第一照明单元,该第一照明单元从平坦物体的表面或反面的正上方或正下方之外的位置用漫射光照明该物体的边缘;成像单元,该成像单元同时从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行成像;以及检查单元,该检查单元利用由所述成像单元获取的图像检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况。
根据本发明第二方面的边缘检查设备包括:第一照明单元,该第一照明单元从平坦物体的表面或反面的正上方或正下方之外的位置用具有高度方向性的照明光照明该物体的边缘;成像单元,该成像单元从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行成像;以及检查单元,该检查单元利用由所述成像单元获取的图像检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况。
根据本发明第三方面的边缘检查设备包括:第一照明单元,该第一照明单元能从平坦物体的表面或反面的正上方或正下方之外的位置用漫射光和具有高度方向性的照明光照明该物体的边缘;成像单元,该成像单元从沿着与平行于所述物体表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行成像;检查单元,该检查单元利用由所述成像单元获取的图像检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况;以及控制单元,该控制单元在所述漫射光和所述具有高度方向性的照明光之间切换来自所述第一照明单元的照明光。
根据本发明第四方面的边缘检查设备包括:成像单元,该成像单元从沿着与平行于平坦物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述物体的边缘进行成像;以及检查单元,该检查单元通过比较由所述成像单元获取的图像和预先储存的基准图像而检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况。
本发明的有利效果
根据本发明,可以通过精确的方式检查平坦物体的边缘的状况。
附图说明
图1为示出了根据本发明的实施例的边缘检查设备的结构的图;
图2是示出了由根据本发明的第一实施例的边缘检查设备的相机4对半导体晶片1的边缘的进行成像的图;
图3(a)至图3(d)为示出了利用所成的图像检测缺陷的过程的图;
图4为示出了用于确定所检测到缺陷的位置的坐标系统的图;
图5为示出了在半导体晶片1安装在支承台2上时,对由于半导体晶片1的中心与支承台2的旋转中心不重合而产生的偏心进行校正的图;
图6是示出了通过根据本发明的第二实施例的边缘检查设备的相机4对半导体晶片1的边缘进行成像的图;
图7是示出了通过根据本发明的第三实施例的边缘检查设备的相机4对半导体晶片1的边缘进行成像的图;
图8是示出了通过根据本发明的第四实施例的边缘检查设备的相机4对半导体晶片1的边缘进行成像的图;
图9为示出了利用实施例的边缘检查设备进行缺陷检查的其他示例的图。
具体实施方式
以下是对本发明优选实施例的描述。
第一实施例
图1为示出了根据本发明的实施例的边缘检查设备的结构的图。
半导体晶片1被安装成通过吸力而被支承在支承台2上。旋转驱动单元3使支承台2旋转。于是能使被支承在支承台2上的半导体晶片1旋转。
在半导体晶片1上方安装有相机4,该相机4能从上方对半导体晶片1的外周边缘进行成像。优选将相机4布置在面对半导体晶片1的边缘的位置,使得成像光轴相对于半导体晶片1的表面垂直。然而,只要能对半导体晶片1的边缘进行成像,任何位置都是可接受的。还可将相机4布置在半导体晶片1下方,对半导体晶片1的反面的边缘进行成像。
相机4具有落射照明功能,并能在对至少部分成像范围落射照明的同时进行成像。相机4的落射照明光学系统为远心光学系统。还可根据需要打开和关掉落射照明功能。
照明设备5是用于从横向方向照明半导体晶片1的边缘的设备,并且照明设备5利用漫射光进行照明或利用具有高度方向性的照明光进行照明。来自照明设备5的照明光沿着以下方向照明晶片:(a)沿着除了晶片表面上方之外的方向,(b)沿着除了晶片表面下方之外的方向,(c)沿着除了晶片的反面上方之外的方向,以及(d)沿着除了晶片反面下方之外的方向。在本实施例中,将照明设备5安装成能在平行于半导体晶片1的正面和反面的方向上进行照射,即,从半导体晶片1的外周方向上进行照射。
在控制单元7的控制下,照明设备5能在利用漫射光照明和利用具有高度方向性的照明光照明之间切换照明。在利用漫射光进行照明或利用具有高度方向性的照明光进行照明的情况下,照明设备5还能切换光源。光源例如为卤素灯和LED,可切换光源来改变照明光的波长。还可通过改变照明光的波长改变照明光的颜色并调节白平衡。
水平驱动单元6使得支承台2和旋转驱动单元3在水平方向上运动。这里,“水平方向”是指平行于图中半导体晶片1在支承台2上的安装表面的方向,在图中为横向方向。进行该沿着水平方向的驱动是为了校正所谓的偏心,该偏心是在将半导体晶片1安装到支承台2上时由于半导体晶片1的中心与支承台2的旋转中心不重合而产生的。
控制单元7对旋转驱动单元3、相机4、照明设备5以及水平驱动单元6的操作进行控制,并基于来自相机4的图像而检测半导体晶片1的边缘处的缺陷。
下面将描述利用相机4获取的半导体晶片1的边缘图像的结构。图2是示出了在根据本发明的第一实施例的边缘检查设备的相机4对半导体晶片1的边缘进行成像时的图。在图2中,照明设备5a利用设置在光源前方的漫射板所产生的漫射光照明半导体晶片1的边缘。
在图2中存在由字母A表示的在晶片的上表面上的区域以及由字母B表示的在半导体晶片1的边缘处相对于晶片的上表面倾斜的倾斜表面区域。于是区域A由相机4的远心光学系统落射照明,基于该落射照明通过相机4对区域A进行亮场图像成像。通过照明设备5的照明被切换为利用漫射光的照明,通过相机4利用漫射光照明对区域B进行亮场图像成像。图中,在利用漫射光照明时将照明设备5标以附图标记5a,而在利用具有高度方向性的照明光照明时将照明设备5标以附图标记5b。因此可利用相机4同时对两个区域A和B进行亮场图像成像。
在利用相机4成像之前,控制单元7调节相机4的落射照明的强度以及照明设备5的照明光的强度,从而利用相机4所成的图像,使得区域A的强度和区域B的强度处于可由相机4进行成像的强度范围内。控制单元7通过切换照明设备5的光源而调节正被输入相机4的图像的白平衡。
图3为示出了利用所成的图像来检测缺陷的过程的图。图3(a)中的半导体晶片1的上表面的由C所示的区域为相机4的成像范围。图3(c)是针对无缺陷晶片预先所成的图像,该图像为区域C的图像。图3(b)为作为检查目标的半导体晶片1的区域C的图像。
图3(c)的无缺陷晶片的图像预先储存在控制单元7内。控制单元7然后与图3(b)的图像进行比较,该图3(b)的图像为由相机4所成的作为检查目标的半导体晶片1的图像。该比较的进行是通过从图3(b)的图像的每一像素值减去对应于图3(c)的图像的每一像素值而获得图3(d)的图像。图3(d)的图像为代表缺陷的缺陷图像。如果没有缺陷,则图3(d)的图像应该是全白的,而黑色部分为缺陷,如图3(d)所示。
图4为示出了用于确定所检测到缺陷的位置的坐标系统的图。图4示出了由相机4所成的图像,其中定义了以图像中的一预定点作为原点的坐标系统。在图4中,图像的左上点被定义为原点O,水平方向被定义为X轴,向下的方向定义为Y轴。于是可利用从原点到给定位置的像素数目而获取X和Y坐标,从而确定在图像内的位置。
采用值θ来确定在半导体晶片1内的位置。现在说明值θ。可如图3(a)中的箭头F所示旋转半导体晶片1。控制单元7通过对半导体晶片1的旋转进行控制,并对相机4在每一旋转角度位置处的成像进行控制而获取半导体晶片1整个周边的边缘图像。能利用相对于某一基准角度位置的旋转角度确定旋转角度位置。基准角度位置能通过利用公知技术检测设置在半导体晶片1边缘处的槽口或取向平面而加以确定。能利用相对于该基准位置的旋转角度θ以及坐标值(θ,X,Y)来确定半导体晶片的边缘的位置,该坐标值(θ,X,Y)是由在该旋转角度θ位置处所成的图像内的位置X和Y形成的。在图4中,所检测的黑点的位置由坐标(θ,X,Y)表示。
图5为示出了在半导体晶片1安装在支承台2上时,对由于半导体晶片1的中心与支承台2的旋转中心不重合而产生的偏心进行校正的图。在将半导体晶片1安装到支承台上时,难以使半导体晶片1的中心与支承台2的旋转中心对准。在然后使支承台2旋转时,可通过相机4在多个旋转位置连续地对半导体晶片1的边缘进行成像,多个所成的图像的每一边缘位置根据旋转位置而移位。
如图5所示,处于由相机4所成的多个图像内的半导体晶片1的外周边缘的区域B的各位置取决于旋转位置,且从图像上部的由虚线所示的位置变化到下部的由虚线所示的位置。在将半导体晶片1旋转360度的同时,通过公知技术检测外边缘的位置能获得偏心。
在该实施例中,在每一旋转角度位置的偏心被预先获得,并以对应于每一旋转角度位置的方式被储存。通过在每一旋转角度位置进行的每一成像,使支承台2在水平方向上运动每个预先获得的偏心的程度,从而使得图像内的区域B的位置变为由图5中实线所示的位置。通过由控制单元7控制的水平驱动单元6而控制支承台2的驱动。
如图5所示,在半导体晶片1的边缘图像内的晶片外周的部分圆弧能被近似为直线。因此使支承台2沿着水平方向运动,半导体晶片1沿着图4所示的Y方向运动,并且校正半导体晶片1的边缘图像的外周边缘的坐标。然后通过相机4对半导体晶片1的边缘进行成像。通过在每一旋转角度位置沿着Y方向移动半导体晶片1,校正晶片的外周图像的位置,从而能获得其中支承台2和半导体晶片1的中心偏移(偏心)的影响被消除了的图像。
如上所述,利用在每一旋转角度位置所成的多个图像进行对在半导体晶片1的边缘的缺陷检测。利用图3说明了缺陷检测,现在将更加详细地加以说明。如上所述,通过比较如图3(a)所示的所成图像和如图3(c)所示的预先所成的无缺陷晶片的图像而进行缺陷的检测。
能预先设定要在检查过程中采用的旋转角度位置。可将成像所在的旋转角度位置的数目设定为使得,可对半导体晶片1的整个外周的边缘进行成像,并可设定预先指定的检查角度位置。无缺陷晶片的图像是通过在与检查过程中用来成像的旋转角度位置相同的位置进行成像而获取的图像,该无缺陷晶片的图像被预先成像,并被预先储存在控制单元7内。然后通过比较在每一旋转角度位置所成的图像(图3(b))和对应的无缺陷晶片图像(角度位置与所成图像相同的无缺陷晶片图像)而进行缺陷检测。针对在每一旋转角度位置所成的每一图像进行该操作。
无缺陷晶片图像不一定是预先储存的与所有旋转角度位置对应的图像。只要无缺陷晶片的边缘图像没有因为旋转角度位置而产生的实质变化,还可通过储存某部分的无缺陷晶片在旋转角度位置的图像,并比较该图像和在每一旋转角度位置所成的图像而检测缺陷。
即使在没有无缺陷晶片图像的情况下,也可以通过以下方式进行缺陷检测。在该实施例中,通过旋转半导体晶片1而获取在多个旋转角度位置的各边缘图像。然后能通过比较在某一旋转角度位置的图像和在另一旋转角度位置的图像而进行缺陷检测。这是因为含有缺陷的图像会显著地不同于其他图像。例如,在对某一旋转角度位置下的图像进行缺陷检测的情况下,可与在相邻旋转角度位置获得的图像进行比较。如果相邻部分是正常的,则没有显著的区别。于是能断定在图像之间有着一定程度的区别时,存在着缺陷。当然,也可通过与在非相邻旋转角度位置的位置的图像进行比较而进行缺陷检测。
这样,即使没有无缺陷晶片的图像,也可通过与作为检查目标的半导体晶片在另一位置的边缘图像进行比较而进行缺陷检测。
第二实施例
图6是通过根据本发明的第二实施例的边缘检查设备的相机4对半导体晶片1的边缘进行成像的情形的图。在图6中,通过控制单元7将通过照明设备5的照明切换为由光学纤维进行的线照明,从而进行具有高度方向性的照明。在图中,在进行具有高度方向性的照明时,将照明设备标以附图标记5b。而且还在本实施例中,如图2中的情形那样,通过相机4的远心光学系统对半导体晶片1的区域A部分进行落射照明,并通过相机4在该落射照明的基础上对区域A进行亮场图像成像。然后通过相机4利用来自照明设备5b的线照明对区域B进行暗场图像成像。因此可利用相机4同时对区域A进行亮场图像成像和对区域B进行暗场图像成像。
根据第二实施例的边缘检查设备与图2所示的第一实施例的边缘检查设备的不同之处在于,对区域B进行暗场图像成像。通过检查在半导体晶片1的边缘是否存在缺陷或检查是否已经沾染诸如污物的异物,可利用暗场图像容易地检测异物。
第三实施例
图7是通过根据本发明的第三实施例的边缘检查设备的相机4对半导体晶片1的边缘进行成像的情形的图。在该实施例中,如图6的第二实施例那样,从照明设备5b照射线照明光。然而,不进行来自相机4的落射照明。也就是,在本实施例中,因为控制单元7的控制,不进行通过相机4的落射照明,由照明设备5进行的照明被切换到线照明,利用相机4为区域A和区域B进行暗场图像成像。
如上所述,在检查半导体晶片1的边缘中是否存在缺陷和检查边缘上是否沾染有诸如污物的异物的过程中,容易利用暗场图像检测异物。在本实施例中,对区域A和区域B进行异物检测都容易。
第四实施例
图8是通过根据本发明的第四实施例的边缘检查设备的相机4对半导体晶片1的边缘进行成像的情形的图。在本实施例中,如在图2的第一实施例中那样,利用来自照明设备5a的漫射光进行照明。然而,与第三实施例一样,不进行相机4的落射照明。也就是,在本实施例中,通过相机4利用来自照明设备5的漫射光照明对区域B进行亮场图像成像。
在以上说明的第一至第四实施例中,通过控制单元7将通过照明设备5的照明在由漫射光照明和由具有高度方向性的照明光照明之间进行切换。还通过控制单元7切换是否由相机4进行落射照明。通过以这样的方式进行的照明方法切换,可通过进行暗场图像成像而容易地检测诸如污物的不规则缺陷,也可通过进行亮场图像成像测量缺陷状况和色调。这样,根据前述实施例的边缘检查设备,可通过在切换照明方法以使期望加以检查的缺陷容易被检测的同时进行照明,利用最合适的照明进行检查。
第五实施例
图9为示出了利用实施例的边缘检查设备进行缺陷检查的其他示例的图。施加到表面上的保护膜的边界部分存在于半导体晶片1的表面边缘。该边界区域存在于区域A的部分。图9示出了对该边界部分所成的图像。于是通过如在图3中所说明的那样与无缺陷晶片的图像进行比较能进行利用图像的缺陷检测。在该情况下,通过进行以下将说明的过程而确定膜的边界部分是否正常。
在图9所示的图像中,在所述膜的边界上的每一位置获取从膜的边缘部分到晶片边缘最外周的径向距离。该径向方向实际上与图9中的竖直方向大致相同,因此获取竖直方向上的距离就足够了。然后获得该距离的最大值(图9中的箭头Max所示的距离)和最小值(图9中箭头Min所示的距离)。然后针对无缺陷晶片类似地获取最大值和最小值,从而确定可行范围。然后比较这些值,并确定所成图像的值是否落入该可行范围内,由此确定质量是否过关。
优选的是,利用彩色图像来进行该利用图像的质量是否过关的确定。除了利用彩色图像的R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)等成分的图像之外,还可通过从RGB值获取H(色调)、S(饱和度)和I(强度)等成分确定是否过关,以及利用这些值来确定是否过关。
在如上所述的第一实施例中,如图5中所说明的那样,通过由水平驱动单元6的驱动而使半导体晶片1运动,进行在半导体晶片1被安装在支承台2上的状态下的偏心校正。该校正足以用来校正相机4和半导体晶片1的边缘的相对位置关系。因此可通过在水平方向上移动相机4而进行校正。
还可在不改变相机4和半导体晶片1的物理相对位置关系的情况下(即,在不沿着水平方向移动半导体晶片1或相机4的情况下),通过处理由相机4所成的图像而校正偏心。由于对图像的处理,使得图5所示的虚线部分的区域变为实线部分。在此情况下,利用图像处理实现了对竖直位置偏移的校正,但是在校正后的图像中失去了在竖直方向的顶部或底部的图像信息。
照明设备5利用的光源可以是具有可见光区域的光谱特性的光源,但是也能采用具有红外区域的光谱特性的光源。而且,还可采用具有紫外区域的光谱特性的光源。
在该实施例中,相机4安装在半导体晶片1的上方,以对半导体晶片1的表面的边缘进行检查。然而,还可将相机4安装在半导体晶片1的下方,以使该设备检查半导体晶片1的反面的边缘。还可将相机安装在半导体晶片1的下方和上方,以使设备检查上表面和反面。
以上对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并非局限于这些实施例。其他能认为落入本发明的技术概念的范围内的模式也结合在本发明的范围内。检查目标不局限于半导体晶片,只要检查目标是平的物体即可。因此本发明能应用于诸如液晶面板等的其他物体的边缘检查设备。
本发明基于以下在先申请,这里通过引用结合这些在先申请的公开:
(1)日本专利申请No.2006-129894(2006年5月9日提交)
(2)日本专利申请No.2006-129895(2006年5月9日提交)
Claims (25)
1.一种边缘检查设备,包括:
第一照明单元,该第一照明单元从平坦物体的表面或反面的正上方或正下方之外的位置用漫射光照射该物体的边缘;
成像单元,该成像单元同时从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行成像;
检查单元,该检查单元利用由所述成像单元获取的图像来检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况;以及
第二照明单元,该第二照明单元从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行落射照明;
其中所述检查单元利用由所述成像单元所获取的且被所述第二照明单元照明的部分的图像来检查所述边缘的在与所述物体的表面或反面平行的平面内的部分的状况;并且
其中所述物体是半导体晶片,并且所述第一照明单元从所述半导体晶片的外周方向上对所述边缘进行照射。
2.根据权利要求1所述的边缘检查设备,还包括:
调节单元,该调节单元将由所述成像单元所成的由所述第一照明单元照明的所述倾斜的部分的图像以及由所述第二照明单元照明的所述边缘的在与所述物体的表面或反面平行的平面内的部分的图像的亮度调节为在所述成像单元的灵敏度范围内。
3.根据权利要求2所述的边缘检查设备,其中:
所述调节单元通过调节来自所述第一照明单元和所述第二照明单元的照明光而调节由所述成像单元所成的相应图像的状况。
4.根据权利要求1所述的边缘检查设备,其中:
用于所述第一照明单元的光源和用于所述第二照明单元的光源中的每一个是具有在红外区域的光谱特性的光源。
5.根据权利要求1所述的边缘检查设备,其中:
用于所述第一照明单元的光源和用于所述第二照明单元的光源中的每一个是具有在紫外区域的光谱特性的光源。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的边缘检查设备,还包括:
旋转单元,该旋转单元使所述平坦物体旋转,其中:
所述成像单元在多个位置对所述物体的边缘进行成像。
7.一种边缘检查设备,包括:
第一照明单元,该第一照明单元从平坦物体的表面或反面的正上方或正下方之外的位置用具有高度方向性的照明光照射该物体的边缘;
成像单元,该成像单元从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行成像;
检查单元,该检查单元利用由所述成像单元获取的图像来检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况;以及
第二照明单元,该第二照明单元从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行落射照明;
其中所述检查单元利用由所述成像单元所获取的且被所述第二照明单元照明的部分的图像来检查所述边缘的在与所述物体的表面或反面平行的平面内的部分的状况;并且
其中所述物体是半导体晶片,并且所述第一照明单元从所述半导体晶片的外周方向上对所述边缘进行照射。
8.根据权利要求7所述的边缘检查设备,还包括:
调节单元,该调节单元将由所述成像单元所成的由所述第一照明单元照明的所述倾斜的部分的图像以及由所述第二照明单元照明的所述边缘的在与所述物体的表面或反面平行的平面内的部分的图像的亮度调节为在所述成像单元的灵敏度范围内。
9.根据权利要求8所述的边缘检查设备,其中:
所述调节单元通过调节来自所述第一照明单元和所述第二照明单元的照明光而调节由所述成像单元所成的相应图像的状况。
10.根据权利要求7所述的边缘检查设备,其中:
用于所述第一照明单元的光源和用于所述第二照明单元的光源中的每一个是具有在红外区域的光谱特性的光源。
11.根据权利要求7所述的边缘检查设备,其中:
用于所述第一照明单元的光源和用于所述第二照明单元的光源中的每一个是具有在紫外区域的光谱特性的光源。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的边缘检查设备,还包括:
旋转单元,该旋转单元使所述平坦物体旋转,其中:
所述成像单元在多个位置对所述物体的边缘进行成像。
13.一种边缘检查设备,包括:
第一照明单元,该第一照明单元能从平坦物体的表面或反面的正上方或正下方之外的位置用漫射光和具有高度方向性的照明光照射该物体的边缘;
成像单元,该成像单元从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行成像;
检查单元,该检查单元利用由所述成像单元获取的图像来检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况;
控制单元,该控制单元在所述漫射光和所述具有高度方向性的照明光之间切换来自所述第一照明单元的照明光;以及
第二照明单元,该第二照明单元从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行落射照明;
其中所述检查单元利用由所述成像单元所获取的且被所述第二照明单元照明的部分的图像来检查所述边缘的在与所述物体的表面或反面平行的平面内的部分的状况。
14.根据权利要求13所述的边缘检查设备,还包括:
调节单元,该调节单元将由所述成像单元所成的由所述第一照明单元照明的所述倾斜的部分的图像以及由所述第二照明单元照明的所述边缘的在与所述物体的表面或反面平行的平面内的部分的图像的亮度调节为在所述成像单元的灵敏度范围内。
15.根据权利要求14所述的边缘检查设备,其中:
所述调节单元通过调节来自所述第一照明单元和所述第二照明单元的照明光而调节由所述成像单元所成的相应图像的状况。
16.根据权利要求13所述的边缘检查设备,其中:
用于所述第一照明单元的光源和用于所述第二照明单元的光源中的每一个是具有在红外区域的光谱特性的光源。
17.根据权利要求13所述的边缘检查设备,其中:
用于所述第一照明单元的光源和用于所述第二照明单元的光源中的每一个是具有在紫外区域的光谱特性的光源。
18.根据权利要求13至17中任一项所述的边缘检查设备,还包括:
旋转单元,该旋转单元使所述平坦物体旋转,其中:
所述成像单元在多个位置对所述物体的边缘进行成像。
19.一种边缘检查设备,包括:
成像单元,该成像单元从沿着与平行于平坦物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述物体的边缘进行成像,其中所述物体是半导体晶片;
检查单元,该检查单元通过比较由所述成像单元获取的图像和预先储存的基准图像而检查所述边缘的相对于所述表面或所述反面倾斜的部分的状况;
第一照明单元,所述第一照明单元从所述半导体晶片的外周方向上利用漫射光或利用具有高度方向性的照明光对所述边缘进行照射;
以及
第二照明单元,该第二照明单元从沿着与平行于所述物体的表面或反面的平面垂直的方向的位置对所述边缘进行落射照明;
其中所述检查单元利用由所述成像单元所获取的且被所述第二照明单元照明的部分的图像来检查所述边缘的在与所述物体的表面或反面平行的平面内的部分的状况。
20.根据权利要求19所述的边缘检查设备,其中:
所述基准图像为所述成像单元对无缺陷物体的边缘所成的图像。
21.根据权利要求19或权利要求20所述的边缘检查设备,还包括:
旋转单元,该旋转单元使所述平坦物体旋转,其中:
所述成像单元在多个位置对所述物体的边缘进行成像。
22.根据权利要求21所述的边缘检查设备,还包括:
运动单元,该运动单元使所述成像单元和所述物体中的至少一个沿着平行于所述物体的表面的方向运动;以及
控制单元,该控制单元根据所述旋转单元使所述物体所处的旋转角度位置来控制所述运动单元引起的运动。
23.根据权利要求22所述的边缘检查设备,其中:
所述物体是圆形的,且所述旋转单元通过可旋转地驱动被安装了所述物体的安装单元来旋转所述物体,并检测所述物体的中心和所述安装单元的旋转中心之间的偏移量,并且
所述控制单元根据所述偏移量来控制所述运动单元引起的运动。
24.根据权利要求21所述的边缘检查设备,其中:
所述检查单元利用由所述成像单元获取的图像内的坐标值以及所述旋转单元产生的旋转角度来确定由检查所检测到的缺陷的位置。
25.根据权利要求20所述的边缘检查设备,还包括:
旋转单元,该旋转单元使所述平坦物体旋转,其中:
所述成像单元在由所述旋转单元旋转的所述物体的多个旋转角度位置对所述边缘进行成像,并且
所述检查单元对所述成像单元获取的图像和预先储存的与所述成像单元获取的图像的旋转角度位置相对应的无缺陷物体的边缘的基准图像进行比较。
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JP2011145171A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Nikon Corp | 形状検出装置 |
JP2011196897A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Nikon Corp | 検査装置 |
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US9653338B2 (en) * | 2013-12-23 | 2017-05-16 | Kla-Tencor Corporation | System and method for non-contact wafer chucking |
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US20170169556A1 (en) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Industrial Technology Research Institute | Workpiece measuring apparatus and method for measuring a workpiece |
TWI601952B (zh) * | 2016-01-25 | 2017-10-11 | Wafer edge measurement module (a) | |
KR20180105152A (ko) * | 2016-01-29 | 2018-09-27 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 세퍼레이터의 컬량 측정 방법, 슬릿 장치 및 컬량 측정 장치 |
US10444647B2 (en) * | 2016-06-13 | 2019-10-15 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatus for determining the position of a target structure on a substrate, methods and apparatus for determining the position of a substrate |
CN106053484A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-10-26 | 常州驰网智能检测技术有限公司 | 一种液晶玻璃表面异物的检测设备及其检测方法 |
CN107328356B (zh) * | 2017-05-12 | 2019-11-15 | 泉州台商投资区笙沓新材料有限公司 | 铜片成品检测磨具及其使用方法 |
JP6927790B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2021-09-01 | レーザーテック株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
CN107843991A (zh) * | 2017-09-05 | 2018-03-27 | 努比亚技术有限公司 | 屏幕漏光的检测方法、系统、终端及计算机可读存储介质 |
JP6938093B2 (ja) * | 2017-11-21 | 2021-09-22 | 株式会社マクシスエンジニアリング | 検査対象物の境界部を検査する方法及びその検査装置 |
CN109507186B (zh) * | 2018-11-20 | 2021-03-02 | 绍兴文理学院元培学院 | 一种针织物卷边及收缩性一体化测试方法 |
CN110132995A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-16 | 德淮半导体有限公司 | 缺陷定位系统及方法 |
JP6788089B2 (ja) * | 2019-10-23 | 2020-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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CN111721781A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-29 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 一种检测设备及检测设备的检测方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1473360A (zh) * | 2001-09-19 | 2004-02-04 | ���ְ�˹��ѧ��ҵ��ʽ���� | 半导体晶片检查设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3482425B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2003-12-22 | 株式会社ナノテックス | 検査装置 |
KR100403862B1 (ko) * | 2001-01-26 | 2003-11-01 | 어플라이드비전텍(주) | 반도체 웨이퍼 검사 장치 및 그 방법 |
JP3768443B2 (ja) * | 2002-01-09 | 2006-04-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 幅寸法測定装置および薄膜位置測定装置 |
KR100516405B1 (ko) * | 2003-02-28 | 2005-09-22 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치 |
WO2005008170A2 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-27 | August Technology Corporation | Edge normal process |
DE102004029012B4 (de) * | 2004-06-16 | 2006-11-09 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren zur Inspektion eines Wafers |
JP2006017685A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Nippon Electro Sensari Device Kk | 表面欠陥検査装置 |
JP2006064975A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Olympus Corp | 顕微鏡および薄板エッジ検査装置 |
JP2007059640A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Olympus Corp | 外観検査装置 |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1473360A (zh) * | 2001-09-19 | 2004-02-04 | ���ְ�˹��ѧ��ҵ��ʽ���� | 半导体晶片检查设备 |
US6906794B2 (en) * | 2001-09-19 | 2005-06-14 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor wafer inspection apparatus |
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