KR20010015433A - 결함검출방법 및 결함검출장치 - Google Patents

Abstract

결함검사방법 및 장치에 있어서, 레지스트 두께 및 바탕층 높이의 변화에도 불구하고, 오검출하지 않고 패턴의 결함을 검출하는 것.

기판 (W) 상에 조명광을 입사시키는 공정과, 조명광에 의한 기판으로부터의 회절광을 수광하는 공정과, 피치를 P, 조명광의 파장을 λ, 조명광의 입사각을 θi, 회절광의 회절각을 θd, 회절광의 회절차수를 m 이라고 한 경우에, 이하의 식;

P ×(sinθd - sinθi) = mλ

를 만족시키도록 θi, θd, m 또는 λ의 적어도 2 개의 파라미터를 변경하여 수광한 회절광에 의한 복수의 패턴 이미지에 기초하여 결함을 검출하는 공정을 구비하고 있으므로, 파라미터를 변경하면 결함부분의 광량과 다른 부분의 광량의 차가 다른 복수의 패턴 이미지가 얻어지고, 이들을 화상처리함으로써 레지스트 두께 및 바탕층 높이에 의한 광량 변화에 영향을 받지 않고 결함 검사가 가능해진다.

Description

결함검출방법 및 결함검출장치{DEFECT DETECTING METHOD AND DEFECT DETECTING APPARATUS}

본 발명은, 예컨대, 실리콘으로 만들어진 IC 웨이퍼 및 유리로 만들어진 액정기판의 제조과정에서, 그 기판상에 연속하여 형성된 패턴의 결함을 검출하는 결함검출방법 및 장치에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼 및 액정기판 등의 제조공정에서는, 이들 기판의 표면에 회로형성 등을 위하여 레지스트로 형성된 패턴에 대하여, 그 결함의 유무를 검사할 필요가 있다.

종래, 결함검출을 행하기 위하여, 검사원이 반도체 웨이퍼 및 액정기판의 표면을 조명계로 조명하고, 회전과 조사각도를 변경하기 위하여 반도체 웨이퍼의 틸트를 실시하여, 손상이나 먼지 등을 직접 육안으로 확인함으로써 실시하였다.

또, 근래에는, 자동적으로 결함검출을 실시하는 수단으로서, 예컨대, 일본 특허공보 평 6-8789 호에 기재된 검사장치가 있다. 이 검사장치는, 반도체 웨이퍼에 조명한 빛의 반사광에 의한 반도체 웨이퍼의 이미지를 화상처리장치에 입력하여, 반도체 웨이퍼의 결함을 검출하는 것이다.

그러나, 종래의 결함검출수단에 있어서, 다음과 같은 과제가 남아있다. 즉, 사람에 의한 육안 검사에서는, 개인차가 있기때문에 비효율적이라는 것이다. 또 회절광 화상으로 검사하는 장치에서는 연속하는 패턴의 높이 (레지스트 불균일 등의 높이) 및 바탕층의 높이가 변화함으로써, 불균일 화상이나 화상신호의 저하가 발생하며, 오검출되는 문제가 있었다. 또한 피치폭이 설계치에서 다소 어긋난 패턴에 대해서도, 화상신호의 저하가 발생하고, 오검출되는 문제가 있었다.

예컨대, 도 4(a) 에 나타낸 바와 같이, 실리콘웨이퍼 (W) 상에 등간격으로 레지스트 (R) 로 패턴이 형성되고, 레지스트 (R) 의 두께 및 바탕이 양호하며 결함이 없는 경우에는, 도 4 (b) 에 나타낸 바와 같이 회절화상의 출력광량은 일정해진다.

또 도 5 (a) 에 나타낸 바와 같이, 레지스트 (R) 의 두께 및 바탕이 양호하지만 결함부분 (D) 이 있는 경우는, 도 5 (b) 에 나타낸 바와 같이, 회절화상에 있어서 결함부분 (D) 의 출력광량이 저하한다.

또한 도 6(a) 에 나타낸 바와 같이, 레지스트 (R) 의 두께가 상이한 경우에서 결함이 없는 경우는, 도 6(b) 에 나타낸 바와 같이, 회절화상에 있어서 레지스트 (R) 의 두께가 상이한 부분의 출력광량이 변화한다.

이것에 대하여 도 7(a) 에 나타낸 바와 같이, 레지스트 (R) 의 두께가 상이함과 동시에 결함부분 (D) 이 있는 경우는, 도 7(b) 에 나타낸 바와 같이, 회절화상에 있어서 결함부분 (D) 의 출력광량이 저하하는데, 레지스트 (R) 의 두께가 상이한 부분의 출력광량 전체도 변화하여, 상대적으로 결함부분 (D) 과 다른 부분의 수광량차가 검출하기 어려워지는 경우가 생긴다.

본 발명은, 상술한 과제를 고려하여 이루어진 것으로, 레지스트 두께 및 바탕층 높이의 변화에도 불구하고, 오검출되지 않고 패턴의 결함을 검출할 수 있는 결함검출방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1 은 본 발명에 관련된 결함검출장치의 제 1 실시형태를 나타내는 전체구성도이다.

도 2 는 본 발명에 관련된 결함검출장치의 제 1 실시형태에서의 실리콘 웨이퍼상의 레지스트 패턴을 나타내는 단면도 및 그 웨이퍼 단면위치에 대한 회절광의 수광량을 나타내는 그래프이다.

도 3 은 본 발명에 관련된 결함검출장치의 제 2 실시형태를 나타내는 전체 구성도이다.

도 4 는 실리콘 웨이퍼상의 두께가 일정하며 결함이 없는 레지스트 패턴을 나타내는 단면도 및 그 웨이퍼 단면위치에 대한 회절광의 수광량을 나타내는 도면이다.

도 5 는 실리콘 웨이퍼상의 두께가 일정하며 결함이 있는 레지스트 패턴을 나타내는 단면도 및 그 웨이퍼 단면위치에 대한 회절광의 수광량을 나타내는 도면이다.

도 6 은 실리콘 웨이퍼상의 두께가 일정하지 않고 결함이 없는 레지스트 패턴을 나타내는 단면도 및 그 웨이퍼 단면위치에 대한 회절광의 수광량을 나타내는 도면이다.

도 7 은 실리콘 웨이퍼상의 두께가 일정하지 않고 결함이 있는 레지스트 패턴을 나타내는 단면도 및 그 웨이퍼 단면위치에 대한 회절광의 수광량을 나타내는 도면이다.

도 8 은 본 발명에 관련된 결함검출장치의 제 1 실시형태에서의 제어부의 동작순서를 나타내는 플로우챠트이다.

도 9 는 본 발명에 관련된 결함검출장치의 제 2 실시형태에서의 제어부의 동작순서를 나타내는 플로우챠트이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1: 발광측 구동계

2: 발광부

3: 수광측 구동계

4: 수광부

4c: CCD 카메라

5: 화상처리부

7: 제어부

W: 실리콘 웨이퍼

상기 과제의 해결을 위하여 청구항 제 1 항의 발명은,

기판상에 형성된 패턴의 결함을 검출하는 방법으로서,

상기 기판상에 조명광을 입사시키는 공정과,

상기 조명광에 의한 상기 기판에서의 회절광을 수광하는 공정과,

상기 조명광의 파장, 상기 조명광의 입사각, 상기 회절광의 회절각, 상기 회절광의 회절차수 중, 적어도 2 개의 파라미터를 변경하여 수광한 상기 회절광에 의한 복수의 패턴 이미지에 의거하여 상기 결함을 검출하는 공정을 구비한다.

또 청구항 제 2 항의 발명은,

제 1 항의 결함검출방법으로서,

상기 결함을 검출하는 공정은, 상기 패턴의 피치를 P, 상기 조명광의 파장을 λ, 상기 조명광의 입사각을 θi, 상기 회절광의 회절각을 θd, 상기 회절광의 회절차수를 m 이라고 한 경우에, 이하의 식;

P ×(sinθd - sinθi) = mλ

를 만족시키도록 θi, θd, m 또는 λ의 적어도 2 개의 파라미터를 변경하는 것으로 한다.

또 청구항 제 3 항의 발명은, 기판상에 형성된 패턴의 결함을 검출하는 장치로서, 상기 기판상에 조명광을 입사시키는 입사부 (2,12) 와,

상기 조명광에 의한 상기 기판에서의 회절광을 수광하는 수광부 (4,14) 와,

상기 수광부에서 수광한 회절광에 의한 패턴 이미지를 화상처리하여 상기 결함의 검출을 실시하는 화상처리부 (5) 와,

상기 조명광의 파장, 상기 조명광의 입사각, 상기 회절광의 회절각, 상기 회절광의 회절차수 중, 적어도 2 개를 변경하는 가변기구 (1,3,10) 를 구비하고,

상기 화상처리부는, 상기 가변기구에 의하여 상기 파라미터를 바꾸어 입력한 복수의 상기 패턴 이미지에 의거하여, 상기 결함을 검출하는 구성으로 한다.

또, 청구항 제 4 항의 발명은, 제 3 항의 결함검출장치로서,

상기 가변기구는 상기 패턴의 피치를 P, 상기 조명광의 파장을 λ, 상기 조명광의 입사각을 θi, 상기 회절광의 회절각을 θd, 상기 회절광의 회절차수를 m 이라고 한 경우에, 이하의 식;

P ×(sinθd - sinθi) = mλ

를 만족시키도록 θi, θd, m 또는 λ의 적어도 2 개를 변경하는 구성으로 한다.

또 청구항 제 5 항의 발명은, 제 3 항의 결함검출장치로서,

상기 조명광은, 백색광인 구성으로 한다.

또, 청구항 제 6 항의 발명은, 제 3 항의 결함검출장치로서, 상기 가변기구는, 상기 기판을 지지함과 동시에 상기 조명광에 대한 기판의 기울기를 조정가능한 구성으로 한다.

또한, 청구항 제 7 항의 발명은,

기판표면에 존재하는 결함을 검출하는 결함검출장치로서,

상기 기판표면의 적어도 일부를 조명하는 조명부 (2) 와,

상기 기판표면의 적어도 일부에서의 반사광을 수광하고, 상기 기판표면의 적어도 일부의 반사율에 따른 화상신호를 생성하는 촬상부 (4c) 와,

상기 촬상부가 생성하는 상기 화상신호의 생성조건을 임의로 변경하는 조건변경부 (1,3,10) 와,

상기 생성조건을 변경하여 생성한 복수의 화상신호를 비교함으로써, 상기 기판표면의 적어도 일부에 존재하는 결함을 검출하는 검출부 (5) 를 구비하는 구성으로 한다.

또한, 청구항 제 8 항의 발명은,

제 7 항의 결함검출장치로서,

상기 생성조건은, 상기 기판표면에 형성된 패턴의 피치를 P, 상기 조명수단에 의한 조명광의 파장을 λ, 상기 조명광의 입사각을 θi, 상기 조명광에 의한 상기 기판에서의 회절광의 회절각을 θd, 상기 회절광의 회절차수를 m 이라고 한 경우에, 이하의 관계식;

P ×(sinθd - sinθi) = mλ

를 만족시키도록 θi, θd, m 또는 λ의 적어도 2 이상의 파라미터를 변경하여 결정되는 구성으로 한다.

이하, 본 발명에 관련된 결함검출방법 및 결함검출장치의 제 1 실시형태를, 도 1 및 도 2 를 참조하면서 설명한다.

도 1 은, 본 실시형태의 결함검출장치를 나타내며, 이들의 도면에서, 해당 결함검출장치는, 실리콘 웨이퍼 (기판)(W) 의 표면상에 조사하는 조명광의 입사각도를 변경하기 위한 가변기구인 발광측 구동계 (1) 를 구비한 발광부 (2) 와, 실리콘 웨이퍼 (W) 로부터의 회절광의 회절각을 변경하기 위한 가변기구인 수광측 구동계 (3) 를 구비한 수광부 (4) 와, 수광부 (4) 에서 수광한 회절광의 화상신호를 처리하여 결함을 검출하는 화상처리부 (5) 를 구비하고 있다.

제어부 (7) 는, 발광측 구동계 (1), 수광측 구동계 (3), 화상처리부 (5) 와 접속되어 있고, 조명광의 파장의 변경, 조명광의 입사각도의 변경, 회절광의 회절각도의 변경 등의 조건변경의 지시를 각부에 보낸다.

발광부 (2) 는 백색광원인 발광광원 (2a) 과, 발광광원 (2a) 으로부터의 조명광을 반사하는 발광측 반사경 (2b) 과, 발광측 반사경 (2b) 으로부터의 조명광을 평행광으로 성형함과 동시에 검사대상인 실리콘 웨이퍼 (W) 의 표면상에 조사하는 발광측 오목면경 (2c) 을 구비하고 있다.

수광부 (4) 는, 실리콘 웨이퍼 (w) 로부터의 회절광을 반사하는 수광측 오목면경 (4a) 과, 수광측 오목면경 (4a) 에서의 회절광을 반사하는 수광측 반사경 (4b) 과, 수광측 반사경 (4b) 로부터의 회절광을 수광하는 CCD 카메라 (촬상부)(4c) 를 구비한다.

그리고, 발광부 (2)에서의 백색광은, 특정 회절각을 가진 회절광이 되기 때문에, 수광부 (4) 의 수광측 반사경 (4b) 에 의하여 특정 파장성분만이 CCD 카메라 (4c) 에 도달한다.

화상처리부 (5) 는, CCD 카메라 (4c) 에서 수광한 회절광의 복수의 화상신호에 의하여, 예컨대, 각 화소의 최대치를 검출하거나, 화소단위로 평균치를 구하는 등의 화상처리를 행하여 결함위치를 검출하는 것이다.

그리고, 본 실시형태에서는, 제어부 (7) 에 의하여, 발광측 구동계 (1) 와 수광측 구동계 (3) 를 상호 구동하여, 실리콘 웨이퍼 (W) 에 대한 조명광의 입사각 및 회절광의 회절각이 이하의 관계식 (1) 을 만족시키도록 결정된다.

즉, 패턴의 피치를 P, 조명광의 파장을 λ, 조명광의 입사각을 θi, 회절광의 회절각을 θd, 회절광의 회절차수를 m 이라고 한 경우에, 이하의 식;

P ×(sinθd - sinθi) = mλ …(1)

를 만족시키도록 θi 및 θd 를 상호 변경하도록 설정되어 있다.

다음은, 본 실시형태의 결함검출장치에 의한 결함검출방법에 대하여, 도 2 및 도 8 을 참조하여 설명한다. 도 2 는 본 실시형태에서의 실리콘 웨이퍼상의 레지스트 패턴을 나타내는 단면도 및 그 웨이퍼 단면위치에 대한 회절광의 수광량을 나타내는 도면이다. 또 도 8 은, 제어부 (7) 에서의 처리순서를 나타내는 플로우챠트이다.

우선, 제어부 (7) 에서, 실리콘 웨이퍼 (W) 상의 레지스트 패턴의 피치폭 (P), 조명하는 파장 (λ) 및 회절차수 (m) 를 설정한다 (도 8 스텝 801). 그리고 제어부 (7) 는, 관계식 (1) 을 만족시키도록, 입사각 θi 및 회절각 θd 를, θi + X 도 (X 는, 레지스트 두께에 의하여 적절히 설정된다) 가 될때까지, 발광측 구동계 (1) 및 수광측 구동계 (3) 에 대하여 구동제어를 행한다 (도 8 스텝 802).

이때, 제어부 (7) 로부터의 지시에 의하여, 발광광원 (2a) 에서 백색광이 출사되고, 이 백색광은, 발광측 반사경 (2b) 및 발광측 오목면경 (2c) 을 사이에 두고, 조명광으로서 실리콘 웨이퍼 (W) 상에 상기 조건의 입사각 (θi) 으로 조사된다.

이 조명광의 회절광은, 레지스트 패턴에 의하여 상기 조건의 회절각 θd 로 회절하고, 수광측 오목면경 (4a) 및 수광측 반사경 (4b) 을 사이에 두고 CCD 카메라 (4c) 에서 수광된다. 수광된 패턴 이미지는, 제어부 (7) 에서의 입력지시에 따라서, 화상신호로서 화상처리부 (5) 에 입력되어, 기억된다 (도 8 스텝 803).

제어부 (7) 는, 소정수 (2 이상) 의 화상신호가 얻어질때까지, 도 8 스텝 (802) 에서 전회까지와 상이한 조건이 되도록, 발광측 구동계 (1) 및 수광측 구동계 (3) 에 대하여 구동제어를 행하고, 스텝 (803) 에서 화상을 입력하는 제어를 반복한다. 이후, 화상처리부 (5) 에서, 입력한 몇장의 화상신호를 화상처리하여 불균일이 적은 화상으로 처리하고, 결함검출을 행한다.

즉, 기억된 복수의 패턴 이미지에 의한 화상신호를 비교하여, 화소의 최대치 검출 및 평균치화 등의 화상처리를 실시하여 결함위치를 검출한다. 예컨대 도 2 의 실선 및 파선에 나타낸 바와 같이, 적어도 2 장의 화상신호 (웨이퍼 단면위치에 대한 수광량의 분포) 를 얻은 경우, 양화상신호의 최대치만을 화상처리함으로써, 도 2 의 일점쇄선으로 나타낸 바와 같이, 처리된 화상신호에서는, 결함부분에서의 수광량의 변화가 현저 (가장 작아진다) 해져, 명확히 그 위치를 특정할 수 있다.

다음은, 본 발명에 관련된 결함검출방법 및 장치의 제 2 실시형태를, 도 3 을 참조하면서 설명한다.

제 2 실시형태와 제 1 실시형태의 상이한 점은, 제 1 실시형태에서는, 관계식 (1) 을 만족시키도록 발광측 구동계 (1) 및 수광측 구동계 (3) 에 의하여, 파라미터로서 입사각 θi 및 회절각 θd 을 변경하였으나, 제 2 실시형태에서는, 발광측 구동계 및 수광측 구동계를 사용하지 않고, 실리콘 웨이퍼 (W) 를 틸트시켜 경사각을 변경하고, 실질적으로 입사각 θi 및 회절각 θd 을 변경하는 점이다.

즉, 제 2 실시형태의 결함검출장치에서는, 실리콘 웨이퍼 (W) 를 지지함과 동시에 그 틸트각을 소정의 각도로 가변하는 재치대 (10) 가 설치되어 있다. 이 재치대 (10) 는, 실리콘 웨이퍼 (W) 를 틸트시켜, 관계식 (1) 을 만족시키는 조명광의 입사각 θi 및 회절광의 회절각 θd 이 되도록 제어된다. 이때 발광부 (12) 로부터의 백색조명광은, 조건에 맞는 파장의 광만이 수광부 (14) 에서 수광된다.

따라서, 본 실시형태에서는, 재치대 (10) 를 구동하는 것만으로, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 관계식 (1) 을 만족하는 상이한 조건으로 복수의 패턴이미지가 얻어지고, 화상처리에 의하여 용이하게 결함위치를 검출할 수 있다.

이하, 제 2 실시형태의 결함검출장치에 의한 결함검출방법에 대하여, 도 9 를 참조하여 설명한다. 제 2 실시형태에서의 제어부 (7) 에서의 처리순서를 나타내는 플로우챠트이다.

우선, 제어부 (7) 에 있어서, 실리콘 웨이퍼 (W) 상의 레지스트 패턴의 피치폭 (P), 조명하는 파장 (λ) 및 회절 차수 (m) 를 설정한다 (도 9 스텝 901). 그리고 제어부 (7) 는 관계식 (1) 을 만족시키도록, 입사각 θi 및 회절각 θd 을 변경하기 위하여, 재치대 (10) 의 경사각을 변경하는 제어를 행한다 (도 9 스텝 902).

이때, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 제어부 (7) 에서의 지시에 의하여, 발광광원 (2a) 에서 백색광이 출사되고, 조명광으로서 실리콘 웨이퍼 (W) 상에 조사된다.

이 조명광의 회절광은, 레지스트패턴에 의하여 상기조건의 회절각 θd 으로 회절하고, 수광측 오목면경 (4a) 및 수광측 반사경 (4b) 을 사이에 두고 CCD 카메라 (4c) 에서 수광된다. 수광된 패턴이미지는, 제어부 (7) 로부터의 입력지시에 의하여, 화상신호로서 화상처리부 (5) 에 입력되고, 기억된다 (도 9 스텝 903).

제어부 (7) 는, 소정수 (2 이상) 의 화상신호가 얻어질때까지, 도 9 스텝 (902) 에서 전회까지와 상이한 조건이 되도록, 재치대 (10) 에 대하여 구동제어를 실시하고, 스텝 (903) 에서 화상을 입력하는 제어를 반복한다.

이후, 화상처리부 (5) 에 있어서, 제 1 실시형태와 동일한 처리를 실시한다.

이와같이, 상기 각 실시형태에서는, 관계식 (1) 의 파라미터를 화상신호의 생성조건으로 하고, 이 생성조건을 변경하여 얻어진 복수의 화상신호를 비교함으로써, 실리콘 웨이퍼 (W) 상의 결함을 검출할 수 있다.

또 상기 각 실시형태는, 회절광의 수광량을 화상신호로서 처리하였으나, 회절광이 반사광의 일부라고 하면, 그 반사광의 반사율에 따른 화상신호를 생성하고 있는 것이며, 이 생성조건을, 관계식 (1) 의 파라미터를 변경함으로써, 얻어진 복수의 화상신호를 비교하여 결함검출을 하고 있는 것이다.

그리고 본 발명은, 다음과 같은 실시형태를 포함하는 것이다.

(1) 상기 각 실시형태에서는, 관계식 (1) 을 만족시키도록 파라미터로서 입사각 θi 및 회절각 θd 을 변경하였으나, 관계식 (1) 의 파라미터 (θi,θd,λ,m) 중 적어도 2 이상의 것을 변경하여 복수의 패턴이미지를 수광하면 되고, 다른 파라미터의 조합에 의하여 검출을 행해도 상관없다.

예컨대, 파장 (λ) 과 다른 파라미터를, 관계식 (1) 을 만족시키도록 변경하여 실시해도 된다. 이 경우, 발광광원은, 백색광원으로부터의 백색광을 밴드패스필터로 특정 파장만 투과시키도록 하여, 그 밴드패스필터에 의한 투과파장을 변경하도록 하면, 조명광의 파장을 변경할 수 있다.

(2) 그리고, 상기 각 실시형태에서는, 실리콘 웨이퍼 (W) 의 표면전체에 조명광을 조사하여 전체에 대하여 결함검출을 행하였으나, 표면의 일부분에 조사해도 상관없다. 이 경우, 일부분만의 화상처리면 되기 때문에, 이미 설정된 소정영역에서의 결함을 신속하게 검출할 수 있다.

(3) 상기 각 실시형태에서는, 실리콘 웨이퍼 (W) 를 검사대상의 기판으로 하였으나, 다른 기판을 검사대상으로 해도 상관없다. 예컨대, 유리로 형성된 액정기판의 표면에서의 결함을 검출할 수도 있다.

이상과 같은 실시형태에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다.

제 1 실시형태, 제 2 실시형태에 의하면, 결함부분의 광량과 다른 부분의 광량의 차가 상이한 복수의 패턴 이미지를 화상처리하는 것으로 레지스트의 두께 불균일 및 바탕의 높이 불균일에 의한 회절화상의 불균일에 영향받지 않는 결함검출을 정확히 행할 수 있다.

제 2 실시형태에 의하면, 기판을 지지함과 동시에 조명광에 대한 기판의 기울기를 조정가능한 재치대를 구비하고 있기 때문에, 재치대에 의하여 기판의 기울기를 변경하는 것만으로 입사각 및 반사각을 동시에 변경할 수 있고, 보다 용이하게 결함검출을 행할 수 있다.

Claims (8)

1. 기판상에 형성된 패턴의 결함을 검출하는 방법으로서,

   상기 기판상에 조명광을 입사시키는 공정과,

   상기 조명광에 의한 상기 기판에서의 회절광을 수광하는 공정과,

   상기 조명광의 파장, 상기 조명광의 입사각, 상기 회절광의 회절각, 상기 회절광의 회절 차수중, 적어도 2 개의 파라미터를 변경하여 수광한 상기 회절광에 의한 복수의 패턴이미지에 의거하여 상기 결함을 검출하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 결함검출방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 결함을 검출하는 공정은, 상기 패턴의 피치를 P, 상기 조명광의 파장을 λ, 상기 조명광의 입사각을 θi, 상기 회절광의 회절각을 θd, 상기 회절광의 회절차수를 m 이라고 한 경우에, 이하의 식;

   P ×(sinθd - sinθi) = mλ

   를 만족시키도록 θi, θd, m 또는 λ의 적어도 2 개의 파라미터를 변경하는 것을 특징으로 하는 결함검출방법.
3. 기판상에 형성된 패턴의 결함을 검출하는 장치로서,

   상기 기판상에 조명광을 입사시키는 입사부와,

   상기 조명광에 의한 상기 기판으로부터의 회절광을 수광하는 수광부와,

   상기 수광부에서 수광한 회절광에 의한 패턴이미지를 화상처리하여 상기 결함의 검출을 행하는 화상처리부와,

   상기 조명광의 파장, 상기 조명광의 입사각, 상기 회절광의 회절각, 상기 회절광의 회절차수중, 적어도 2 개를 변경하는 가변기구를 구비하며,

   상기 화상처리부는, 상기 가변기구에 의하여 상기 파라미터를 변경하여 입력한 복수의 상기 패턴이미지에 의거하여 상기 결함을 검출하는 것을 특징으로 하는 결함검출장치.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 가변기구는, 상기 패턴의 피치를 P, 상기 조명광의 파장을 λ, 상기 조명광의 입사각을 θi, 상기 회절광의 회절각을 θd, 상기 회절광의 회절차수를 m 으로 한 경우에 이하의 식;

   P ×(sinθd - sinθi) = mλ

   를 만족시키도록 θi, θd, m 또는 λ의 적어도 2 개를 변경하는 것을 특징으로 하는 결함검출장치.
5. 제 3 항에 있어서,

   상기 조명광은, 백색광인 것을 특징으로 하는 결함검출장치.
6. 제 3 항에 있어서,

   상기 가변기구는, 상기 기판을 지지함과 동시에 상기 조명광에 대한 기판의 기울기를 조정가능한 것을 특징으로 하는 결함검출장치.
7. 기판표면에 존재하는 결함을 검출하는 결함검출장치로서,

   상기 기판표면의 적어도 일부를 조명하는 조명부와,

   상기 기판표면의 적어도 일부에서의 반사광을 수광하고, 상기 기판표면의 적어도 일부의 반사율에 따른 화상신호를 생성하는 촬상부와,

   상기 촬상부가 생성하는 상기 화상신호의 생성조건을 임의로 변경하는 조건변경부와,

   상기 생성조건을 변경하여 생성한 복수의 화상신호를 비교함으로써, 상기 기판표면의 적어도 일부에 존재하는 결함을 검출하는 검출부를 구비한 것을 특징으로 하는 결함검출장치.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 생성조건은, 상기 기판표면에 형성된 패턴의 피치를 P, 상기 조명수단에 의한 조명광의 파장을 λ, 상기 조명광의 입사각을 θi, 상기 조명광에 의한 상기 기판으로부터의 회절광의 회절각을 θd, 상기 회절광의 회절차수를 m 이라고 한 경우에, 이하의 관계식;

   P ×(sinθd - sinθi) = mλ

   를 만족시키도록 θi, θd, m 또는 λ의 적어도 2 개의 파라미터를 변경하여 결정되는 것을 특징으로 하는 결함검출장치.