JP2014085296A - ウェーハ形状測定装置 - Google Patents

ウェーハ形状測定装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014085296A
JP2014085296A JP2012236484A JP2012236484A JP2014085296A JP 2014085296 A JP2014085296 A JP 2014085296A JP 2012236484 A JP2012236484 A JP 2012236484A JP 2012236484 A JP2012236484 A JP 2012236484A JP 2014085296 A JP2014085296 A JP 2014085296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
light
chamfered
grindstone
chamfered surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012236484A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Hirayama
勇一 平山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2012236484A priority Critical patent/JP2014085296A/ja
Publication of JP2014085296A publication Critical patent/JP2014085296A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

【課題】ウェーハの面取り面の形状を精度よく測定できるウェーハ形状測定装置を提供する。
【解決手段】本発明の形状測定装置70による測定対象のウェーハWは、ランダムな粗さをもつラッピング面又は鏡面からなる主面PSと、ウェーハWの外周縁部において円周方向に線状の研削条痕を有する研削面からなる面取り面Cとを有する。ウェーハWの面取り面Cに、LED照明装置74の光源84からの光をウェーハWの主面PSに対して平行な方向から照射する。そして、前記光によって照明されたウェーハWの面取り面Cと主面PSとをウェーハWの主面PSに対して直交する方向から上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78によって撮像する。そして、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78によって撮像された明部と暗部とを有する画像のうち明部の画像を面取り面Cの画像として抽出し、明部の画像を画像処理装置80によって画像処理することで、面取り面Cの形状(幅寸法)を算出する。
【選択図】図6

Description

本発明はウェーハ形状測定装置に係り、特にウェーハの面取り加工された外周縁部の形状を測定するウェーハ形状測定装置に関する。
インゴットをウェーハに切断する切断装置としては、特許文献1等に開示されたブレードによるスライシング装置、及び特許文献2等に開示されたワイヤ列によるワイヤソーが知られている。このような切断装置によって切断されたウェーハの主面は、特許文献3等に記載された遊離砥粒加工方法によってラッピング加工、又は特許文献4等に記載された平面加工装置によって鏡面加工される。その後、ウェーハは、特許文献5等に開示された面取り装置の砥石によって、その外周縁部が研削されて面取り加工される。なお、ウェーハの主面を特許文献6等に開示されたカップ型砥石によって研削加工する場合もある。
前記面取り装置は、ウェーハの外周縁部を粗研削する固定砥粒の粗研削用砥石と、粗研削された外周縁部を仕上げ研削する固定砥粒の精研削用砥石とを備えている。粗研削用砥石としては、ダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石が使用され、その粒度は#800であり、前記精研削用砥石としては、ダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石が使用され、その粒度は#3000であることが特許文献5に開示されている。
面取り装置によって面取り加工されたウェーハは、特許文献7等に開示されたウェーハ形状測定装置によって面取り形状が測定される。
特許文献7のウェーハ形状測定装置は、ウェーハを回転自在に載置するウェーハステージと、ウェーハステージに載置された半導体ウェーハのノッチ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂直方向から撮像する撮像手段と、撮像手段とノッチ部分を結ぶ撮像光路上に配置され、半導体ウェーハの他面側からノッチ部分に光を照射する第1照明手段と、半導体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面取り面を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照射する第2照明手段と、第1照明手段のみを点灯し、撮像手段からの画像データに基づいてウェーハのノッチ部分の形状を測定するノッチ形状測定モードと、第1照明手段及び第2照明手段を点灯し、撮像手段からの画像データに基づいてウェーハの面取り幅を測定する面取り幅測定モードとに切り替える画像処理手段とを具備している。
特開平10−100136号公報 特開2000−218500号公報 特開平11−138394号公報 特許第3117132号公報 特開2005−153085号公報 特開2006−21291号公報 特開2001−4341号公報
しかしながら、特許文献7のウェーハ形状測定装置は、ウェーハの主面及び面取り面の面性状の相違点に着目し、その面性状に特化した形状測定装置ではない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの主面及び面取り面の面性状の相違点に着目したウェーハ形状測定装置であって、面取り面の形状を精度よく測定可能なウェーハ形状測定装置を提供することを目的とする。
本発明のウェーハ形状測定装置は、前記目的を達成するために、ウェーハの外周縁部に形成されるとともにウェーハの主面に対して傾斜して形成された面取り面の形状を測定するウェーハ形状測定装置において、前記ウェーハは、ランダムな粗さをもつラッピング面又は鏡面からなる前記主面と、前記ウェーハの外周縁部において円周方向に線状の研削条痕を有する研削面からなる前記面取り面とを有し、前記ウェーハの前記面取り面に、前記ウェーハの前記主面に対して平行な方向から光を照射する照明手段と、前記照明手段から照射された光によって照明された前記ウェーハの前記面取り面と前記主面とを前記ウェーハの前記主面に対して直交する方向から撮像する撮像手段と、を備え、前記撮像手段によって撮像された明部と暗部とを有する画像から、前記面取り面の形状を測定することを特徴としている。
本発明によれば、ウェーハは、ランダムな粗さをもつラッピング面又は鏡面からなる主面と、ウェーハの外周縁部において円周方向に線状の研削条痕を有する研削面からなる面取り面とを有するという面性状の相違点に着目してなされたものである。
すなわち、ウェーハの面取り面は、固定砥粒である砥石によって研削加工される。そのため、ウェーハの外周縁部の面取り面には、前記砥石によって研削したことに起因する特有の平行な研削条痕が周方向に形成される。なお、前記砥石の回転軸の軸心とウェーハを回転自在に保持するウェーハテーブルの軸心とを相対的に傾斜させて研削するヘリカル研削加工の場合は、ウェーハの外周縁部の面取り面に多少斜めに研削条痕が形成されるが、略円周方向に一定角度で傾斜した平行な研削条痕が形成される。また、カットエンドミルによるコンタリング加工でも同様な研削条痕が面取り面に形成される。
これらの研削条痕は、微視的には細かい階段状の形状となっている。その階段状の研削条痕の結果、照明手段から研削条痕に対して垂直に入射した光は、階段状部分で反射するため、ウェーハの主面に対して直交する方向に反射する光量が大きくなる。この反射光を撮像手段によって撮像する。
これに対してウェーハの主面は、ラッピング面や鏡面の場合が多い。すなわち、ラッピング面や鏡面を得るための加工方法では、ランダムな加工条痕が主面に形成される。
ランダムな加工条痕が主面に形成されていると、面取り面とは異なり、照明手段から主面に入射した光はランダムに反射(散乱)するため、撮像手段に向けて反射する光量は結果的に小さくなる。よって、撮像手段によって撮像された主面の画像は暗くなる。
また、主面をカップ型砥石で研削加工した場合でも同様である。主面をカップ型砥石で研削加工すると、ウェーハの中心から弧状で放射状の加工条痕(周方向ではなく半径方向の加工条痕)が形成される。こうした半径方向の加工条痕を有する主面に対して、照明手段からの光が低角に入射した場合、光は入射方向と反対方向にそのまま正反射し、撮像手段側に散乱する光が少なくなる。そのため、面取り面に対して、撮像手段に向う反射光量はやはり格段に小さくなる。
このような主面と面取り面の面性状の違いによって、撮像手段によって撮像される面取り面の画像が明るくなり、主面の画像が暗くなるので、面取り面と主面との境界が明瞭となる。したがって、得られた画像において、面取り面と主面とを精度よく区別することができるので、精度のよい面取り面の形状測定が可能となる。
上述の如く、光の反射に対して、a)主面と面取り面では、「面の向き」が異なる。それに加えて、b)主面と面取り面は、「加工方法が異なり、条痕の向き」が異なる。すなわち、加工の条痕の向きが異なる。
つまり、面取り面には、周方向へ一方向に形成された研削条痕が形成されているのに対し、主面は、ラッピング面や鏡面のようにランダムな加工条痕が形成されている。
また、主面が研削面であったとしても、カップ型砥石による加工が通例のため、主面には、ウェーハの中心から弧状かつ放射状に加工条痕がある。その結果、主面と面取り面との光の反射の仕方に差が生じるので、主面と面取り面との境界が明瞭となる。よって、主面がラッピング面、鏡面、研削面であっても、面取り面と主面とを精度よく区別することができるので、精度のよい面取り面の形状測定が可能となる。
以上の如く、本発明は、ウェーハの主面及び面取り面の面性状の相違点に特化した、測定精度の高いウェーハ形状測定装置を提供できる。
本発明の一態様は、前記照明手段は、光源から照射された前記光を拡散する拡散手段を有することが好ましい。
本発明の一態様によれば、照明手段の光源から照射された光を拡散手段によって拡散させることにより、面取り面で反射する反射光を更に散乱させることができ、これによって、面取り面の形状を更に精度よく測定できる。なお、拡散手段の透過率を60%に設定すれば、面取り面で反射する光のギラつきをより一層低減できる。
本発明の一態様は、前記照明手段は、570nm以下の波長の光を照射する光源を有することが好ましい。
本発明の一態様によれば、照明手段の光源から照射する光の波長を570nm以下の短波長としたので、光源からの光は、570nmを超える波長の光と比較して散乱し易く、また、面取り面で反射する光が、面取り面に形成されている研削条痕の散乱作用によって更に散乱するので、撮像手段で撮像された面取り面の画像のギラつきを一層低減できる。また、撮像手段は、散乱している光を撮像するので、面取り面には光源が映り込まない。
以上により、本発明のウェーハ形状測定装置によれば、撮像手段で撮像された面取り面の明るい画像と他の部分の暗い画像との境界が明確になるので、面取り面の形状をより一層精度よく測定できる。
本発明でいう570nm以下の波長の光とは、可視光領域内の波長でもよく、紫外光領域を含む波長でもよい。好適には、単一波長の光を安定して発光することができる青色発光LEDを使用して、450nm〜495nmの波長の光を利用することが、測定精度を高める観点で好ましい。
本発明の一態様は、前記撮像手段は、前記ウェーハを挟んで一方側に配置された第1の撮像手段と、前記ウェーハを挟んで他方側に配置された第2の撮像手段とを備えることが好ましい。
本発明の一態様によれば、第1の撮像手段によってウェーハの一方側の面取り面の形状を取得でき、第2の撮像手段によってウェーハの他方側の面取り面の形状を取得できる。
本発明の一態様は、前記照明手段は、複数の青色発光LEDを正方状に配置したパネル型の光源であることが好ましい。
本発明の一態様によれば、照明手段を、複数の砲弾形状の青色発光LEDを正方状に配置してなるパネル型の光源としたので、光を更に散乱させることができる。
本発明の一態様は、前記ウェーハの前記面取り面の算術平均粗さRaが、0.03μmであることが好ましい。
本発明の一態様によれば、面取り面で反射する光をより一層散乱させることができる。精研削用砥石として、粒度が#3000のダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石を使用することによって、面取り面の算術平均粗さRaを0.03μmにできる。
本発明のウェーハ形状測定装置によれば、撮像手段で撮像された面取り面の画像と他の部分の画像との境界が明確になるので、面取り面の形状を精度よく測定できる。
実施の形態のウェーハ形状測定装置が搭載されたウェーハの面取り装置の正面図 ウェーハテーブルに取り付けられたツルアーの側面図 外周加工砥石の構成を示した説明図 実施の形態の形状測定装置の全体構成を示した斜視図 図4に示した形状測定装置の平面図 図4に示した形状測定装置の要部拡大側面図 CCDカメラによって撮像されたウェーハの要部の画像を示した説明図 ウェーハの面取り面の幅寸法を回転角度に対応して表したグラフ ウェーハを砥石によって面取りしている説明図 面取り面及び主面の散乱光の状態を示した説明図 カップ型砥石によって主面を研削加工した説明図 面取り面での反射光の方向を示した説明図 主面での反射光の方向を示した説明図
以下、添付図面に従って本発明に係るウェーハ形状測定装置の好ましい実施の形態について詳説する。
図1は、実施の形態のウェーハ形状測定装置70が搭載されたウェーハの面取り装置10の正面図である。
面取り装置10はウェーハ送り部20、砥石回転部50、ウェーハ形状測定装置70、及びこれらの動作を制御するコントローラ15等から構成されている。また、不図示であるが、面取り装置10は、ウェーハ供給/収納部、ウェーハ洗浄/乾燥部、及びウェーハ搬送部も備えている。
まず、面取り装置10の主要部について説明する。
〔ウェーハ送り部20について〕
ウェーハ送り部20は、Xテーブル24を有している。このXテーブル24は、面取り装置10の本体ベース11に設置されたX軸ベース21、2本のX軸ガイドレール22、22、4台のX軸リニアガイド23、23…、及びボールスクリュー(不図示)とステッピングモータ(不図示)とを備えたX軸駆動部25によって、図1の紙面に直交するX方向に移動される。
Xテーブル24には、Yテーブル28が搭載されている。このYテーブル28は、2本のY軸ガイドレール26、26、4台のY軸リニアガイド27、27…、及びボールスクリュー(不図示)とステッピングモータ(不図示)とを備えたY軸駆動部(不図示)によって、Xテーブル24に対し図1のY方向に移動される。
Yテーブル28には、Zテーブル31が搭載されている。このZテーブル31は、2本のZ軸ガイドレール29、29と4台のZ軸リニアガイド(不図示)によって上下方向に案内され、ボールスクリュー(不図示)とステッピングモータ(不図示)とからなるZ軸駆動手段30によって、Yテーブル28に対し図1のZ方向に移動される。
Zテーブル31には、θスピンドル33を備えたθ軸モータ32が搭載される。θスピンドル33にはウェーハWを吸着保持するウェーハテーブル34が取り付けられる。ウェーハテーブル34は、θ軸モータ32からの動力がθスピンドル33を介して伝達されて、ウェーハテーブル34の軸心CWを中心に図1のθ方向に回転される。
ウェーハテーブル34の下部には、ツルーイング砥石(以下、ツルアーという)41が取り付けられている。ツルアー41は、ウェーハWの外周縁部を仕上げ加工(精研削)する砥石のツルーイングに用いる砥石であり、その中心軸がウェーハテーブル34の軸心CWと同軸上に取り付けられている。したがって、ウェーハW及びツルアー41は、ウェーハ送り部20によって図1のθ方向に回転されるとともにX、Y、及びZ方向に移動される。
〔砥石回転部50について〕
砥石回転部50は、外周加工砥石52を備えており、この外周加工砥石52は、スピンドル51を介して不図示のモータに連結されている。これにより、外周加工砥石52は、前記モータの動力がスピンドル51を介して伝達されて軸心CHを中心に回転される。
なお、スピンドル51の軸心CHをウェーハテーブル34の軸心CWと平行に設定すれば、ウェーハWの外周縁部に形成される外周加工砥石52による研削条跡は、ウェーハWの外周縁部に沿った、主面と平行なリング状となる。これに対して、スピンドル51の軸心CHをウェーハテーブル34の軸心CWに対して傾斜させると、ウェーハWの外周縁部に形成される外周加工砥石52による研削条跡は螺旋状となる。
外周加工砥石52の上方には、軸53Aを回転軸として回転するターンテーブル53が配置されている。ターンテーブル53には、外周精研スピンドル54及び外周精研モータ56、ノッチ粗研スピンドル60及びノッチ粗研モータ62、ノッチ精研スピンドル57及びノッチ精研モータ59が所定の間隔をもって備えられている。
外周精研スピンドル54には、ウェーハWの外周を仕上げ加工する砥石55が取り付けられる。また、ノッチ粗研スピンドル60には、ノッチを粗研削する砥石61が取り付けられ、更に、ノッチ精研スピンドル57には、ノッチを仕上げ研削する砥石58が取付けられる。砥石55、58、61は、ターンテーブル53の回転によって夫々の加工位置に位置決めされる。
〔ツルアー41について〕
図2は、ウェーハテーブル34に取り付けられたツルアー41の側面図である。
ツルアー41は、ウェーハテーブル34の下部にウェーハテーブル34の軸心CWと同軸上に取り付けられ、θ軸モータ32によって回転される。また、ウェーハテーブル34の上面の吸着面は、図示しない真空ポンプと連結されており、面取り加工されるウェーハWが前記吸着面に吸着される。
〔外周加工砥石52について〕
図3は、外周加工砥石52の構成を示した説明図である。
外周加工砥石52は、3台の砥石が上下に連設されて構成される。外周加工砥石52のうち最下部に位置する砥石52Aは、ツルアー41の外周形状を形成するための溝52aを有する。中間部に位置する砥石52Bは、ウェーハWの外周を粗研削するための溝52bを有する。最上部に位置する砥石52Dは、ウェーハWのオリフラ及びオリフラコーナーを仕上げ研削するための溝52dを有する。
なお、図3においては説明を簡略にするために、各砥石52A、52B、52Dに夫々1本の溝52a、52b、52dが図示されているが、摩耗による溝形状の変形に対処するため、各砥石52A、52B、52Dには夫々複数本の溝を形成することが好ましい。
〔各砥石の構成について〕
図2に示したツルアー41としては、加工されるウェーハWと略同径、同厚の円盤状GC砥石が用いられ、砥石の粒度は#320である。また、図3の砥石52Aは、直径202mmのダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石であり、粒度#600である。砥石52Bは、直径202mmのダイヤモンド砥粒のメタルボンド砥石であり、粒度#800である。砥石52Dは、直径202mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石であり、粒度#3000である。
一方、図1の砥石55は、直径50mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石であり、粒度#3000である。砥石61は、直径1.8mm〜2.4mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石であり、粒度#800である。砥石58は、直径1.8mm〜2.4mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石であり、粒度#4000である。
〔各スピンドルの回転数について〕
スピンドル51は、ボールベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルであり、8,000rpmで回転される。また、外周精研スピンドル54はエアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルであり、35,000rpmで回転される。ノッチ粗研スピンドル60は、エアーベアリングを用いたエアータービン駆動のスピンドルであり、80,000rpmで回転される。ノッチ精研スピンドル57は、エアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルであり、150,000rpmで回転される。
次に、前記の如く構成された面取り装置10の作用について説明する。
1)〔砥石52Aによってツルアー41の外周縁部に面取り加工を行う工程〕
この加工においては、図3の砥石52Aが8,000rpmで回転されている。この状態でZテーブル31がZ軸駆動手段30によって移動され、ツルアー41の高さが砥石52Aの溝52aと一致する高さに位置決めされる。この後、Yテーブル28が砥石52Aに向かって移動されると、ツルアー41の外周縁部が砥石52Aの溝52a内に切り込まれるとともに、ウェーハテーブル34がθ軸モータ32によって低速で1回転することにより、ツルアー41の外周縁部が面取り加工される。これによって、ツルアー41の外周縁部に溝52aの形状が転写される。
2)〔ツルアー41によって砥石52Dに仕上げ研削用の溝52dを形成する工程〕
この工程では、まずZテーブル31をZ軸駆動手段30によって移動して、ツルアー41の高さを、砥石52Dの溝形成位置に位置決めする。
次に、ツルアー41を高速回転させながらY方向に移動して、ツルアー41によって砥石52Dの扁平な外周面に切り込みを形成する。この後、砥石52Dを低速で1回転させることにより、砥石52Dに溝52dが形成される。この後、ツルアー41をY方向の元の位置に戻す。
このように砥石52Aの溝52aの断面形状が、ツルアー41を介して砥石52Dに転写されることにより、砥石52Aの溝52aの断面形状と形状の等しい溝52dが砥石52Dに形成される。
また、砥石55への溝の形成も、砥石52Dの溝52dと同様に、砥石52Aの溝52aの断面形状を、ツルアー41を介して砥石55に転写することにより形成される。更に、砥石58への溝の形成においても、砥石52Aの溝52aの断面形状を、ツルアー41を介して砥石58に転写することにより形成される。
3)〔ウェーハの外周縁部を面取り加工する工程〕
簡略して説明すると、回転中の砥石52Bの溝52bに、回転中のウェーハWの外周縁部を押し当てて、ウェーハWの外周面を粗研削する。
次に、回転中の砥石55に、回転中のウェーハWの外周縁部を押し当てて、ウェーハWの外周面を精研削する。
また、ウェーハWのノッチに関しては、砥石61によって粗研削された後、砥石58によって精研削される。更に、オリフラ直線部及びオリフラ直線部とウェーハWの円弧状外周縁部とのコーナー部に関しては、砥石52Dによって精研削される。
これによって、ウェーハWの外周縁部が面取り加工される。
次に、実施の形態のウェーハ形状測定装置70について説明する。
図4は、形状測定装置70の全体構成を示した斜視図、図5は、形状測定装置70の平面図、図6は、形状測定装置70の要部拡大側面図である。実施の形態の形状測定装置70は、ウェーハWの外周縁部に形成されるとともにウェーハWの主面PS(Principal Surface)に対して傾斜して形成された面取り面C(chamfer)の形状を測定する装置である。
実施の形態の形状測定装置70は、図4に示すようにウェーハWの主面PSを吸着保持して回転可能な測定テーブル72、LED照明装置(照明手段)74、上面用CCDカメラ(第1の撮像手段)76、下面用CCDカメラ(第2の撮像手段)78、画像処理装置(画像処理手段)80、及びモニタ82から構成されている。
測定テーブル72には、面取り加工終了後に洗浄されたウェーハWが載置される。なお、測定テーブル72を設けることなく、図1に示したウェーハテーブル34を測定テーブルとして兼用してもよい。
LED照明装置74は、測定テーブル72の側方に配置され、ウェーハWの面取り面Cに、ウェーハWの主面PSに対して平行な方向から光を照射する光源84を備える。LED照明装置74の構成については後述する。
上面用CCDカメラ76は、ウェーハWの上面外周縁部に対向して配置され、ウェーハWの上面側の面取り面Cの形状を撮像する。下面用CCDカメラ78は、ウェーハWの下面外周縁部に対向して配置され、ウェーハWの下面側の面取り面Cの形状を撮像する。上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78は、LED照明装置74から照射された光によって照明されたウェーハWの面取り面Cと主面PSとをウェーハWの主面PSに対して直交する方向から撮像する。
図7は、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78によって撮像された画像Pであって、この画像PにはウェーハWの面取り面Cを示す白色(明部)の画像P1と、主面PSの黒色(暗部)の画像P2と、空間部の黒色(暗部)の画像P3が示されている。すなわち、図6の如く、LED照明装置74からウェーハWに照射された光のうち面取り面Cで反射された光のみが、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78(図6では上面用CCDカメラ76のみ図示)に撮像され、ウェーハWの主面PSで反射された光は、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78の撮像エリアの外に反射される。これにより、図7の如く、ウェーハWの面取り面Cを示す画像P1が白色に表示され、主面PSを示す画像P2が黒色に表示される。このような色に画像P1、P2、P3が表示される理由は、主面PSと面取り面Cの面性状に相違点があるからである。この理由については後述する。なお、画像Pは、図4のモニタ82に表示される。
画像処理装置80は、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78によって撮像された明部と暗部とを有する画像のうち、明部の画像P1を面取り面Cの画像として抽出し、その明部の画像P1を画像処理する機能を備える。すなわち、画像処理装置80は、既知のエッジ検出処理を実行することにより、明部の画像P1のみを抽出し、図7の画像P1の幅B寸法(μm)を、その幅B方向に存在する画素数に基づいて算出する。図8は、測定テーブル72を1回転させてウェーハWの全外周縁部の面取り面Cの幅寸法を測定し、その結果を回転角度に対応させて表したグラフである。
実施の形態の形状測定装置70によれば、図4の如くウェーハWの面取り面Cに、LED照明装置74の光源84からの光をウェーハWの主面PSに対して平行な方向から照射する。そして、前記光によって照明されたウェーハWの面取り面Cと主面PSとをウェーハWの主面PSに対して直交する方向から上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78によって撮像する。そして、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78によって撮像された明部と暗部とを有する画像のうち明部の画像を面取り面Cの画像として抽出し、明部の画像を画像処理装置80によって画像処理することで、面取り面Cの形状(幅寸法)を算出する。
ところで、実施の形態の形状測定装置70は、LED照明装置74の光源84から照射する光の波長を570nm以下の短波長としている。
これにより、光源84からの光は、570nmを超える波長の光と比較して散乱し易く、また、図6の如く面取り面Cで反射する光が、面取り面Cに形成されている研削条痕(不図示)の散乱作用によって更に散乱するので、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78(図6では上面用CCDカメラ76のみ図示)で撮像された面取り面Cの画像のギラつきを低減できる。また、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78は、散乱している光を撮像するので、面取り面Cには光源84が映り込まない。
以上により、実施の形態の形状測定装置70によれば、図7の如く、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78で撮像された面取り面Cの画像P1と他の部分の画像P2、P3との境界が明確になるので、面取り面Cの形状を精度よく測定できる。
なお、570nm以下の波長の光とは、可視光領域内の波長でもよく、紫外光領域を含む波長でもよい。好適には、単一波長の光を安定して発光することができる青色発光LEDを使用して、450nm〜495nmの波長の光を利用することが、測定精度を高める観点で好ましい。
また、面取り面Cの研削条痕とは、図1の砥石55によって形成される、ウェーハWの外周縁部に沿った、主面と平行なリング状又は螺旋状の条痕である。特に、螺旋状の研削条痕の場合には、面取り面Cが良好な光散乱面となる。
なお、面取り面Cは、ウェーハWを周方向に回転させながら砥石55も回転させて研削された面であるため、研削条痕はウェーハWの周方向に沿って、接線方向に形成される。
一方、図4のLED照明装置74は、光源84から照射された光を拡散する拡散板(拡散手段)86を有している。光源84から照射された光を拡散板86によって拡散させることにより、面取り面Cで反射する反射光を更に散乱させることができ、これによって、面取り面Cの形状を更に精度よく測定できる。なお、拡散板86の透過率を60%に設定すれば、ギラつきをより一層低減できる。
更に、実施の形態のLED照明装置74の光源84は、図4の如く複数の青色発光LED88、88…を正方状に配置したパネル型に構成されている。このように、LED照明装置74の光源84を、複数の砲弾形状の青色発光LED88、88…を正方状に配置してなるパネル型としたので、光を更に散乱させることができる。
更にまた、実施の形態で測定するウェーハWの面取り面Cの算術平均粗さRaは、0.03μmであることが好ましい。これにより、面取り面Cで反射する光をより一層散乱させることができる。なお、図1の砥石55として、粒度が#3000のダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石を使用することによって、面取り面Cの算術平均粗さRaを0.03μmにできる。
実施の形態の形状測定装置70は、上面用CCDカメラ76、及び下面用CCDカメラ78を備えているが、少なくとも一方のカメラを備えればよい。
上述した実施の形態のウェーハ形状測定装置70は、ウェーハWの主面PSと面取り面Cとの面性状の違いに着目してなされたものであり、面性状に特化した装置である。
以下、主面PSと面取り面Cの面性状の違いについて説明する。
図9は、ウェーハWを砥石55によって面取りしている模式図である。
すなわち、ウェーハWの外周縁部は、固定砥粒である砥石55によって研削加工されて面取り面Cとなる。そのため、ウェーハWの面取り面Cには、図9のA部拡大図に示すように、砥石55によって研削したことに起因する特有の平行な多数の研削条痕が周方向に形成される。なお、外周精研スピンドル54(図1参照)の軸心Pをウェーハテーブル34の軸心CWに対して傾斜させて研削するヘリカル研削加工の場合は、ウェーハWの外周縁部の面取り面Cに多少斜めに多数の研削条痕が形成されるが、略円周方向に一定角度傾斜した平行な研削条痕となる。また、カットエンドミルによるコンタリング加工でも同様な多数の研削条痕が面取り面Cに形成される。
図10の(A)は、面取り面Cでの散乱光の状態を示した説明図、(B)は主面PSの散乱光の状態を示した説明図である。
図10の(A)で示すように、面取り面Cに形成された多数の研削条痕は、微視的には細かい階段状の形状となっている。その階段状の研削条痕の結果、研削条痕に対して垂直に入射した光は、階段状部分で矢印の如く反射するため、ウェーハWの主面PSに対して直交する方向に反射する光量が大きくなる。すなわち、上面用CCDカメラ76及び下面用CCDカメラ78側(下面用CCDカメラ78は不図示、以下同様)に反射する光量が大きくなり画像が明るくなる。
これに対して主面PSは、図10の(B)で示すように、ラッピング面や鏡面の場合が多い。すなわち、ラッピング面や鏡面を得るための加工方法では、ランダムな加工条痕が主面PSに形成される。
ランダムな加工条痕が主面PSに形成されていると、面取り面Cとは異なり、主面PSに入射した光は矢印の如くランダムに反射(散乱)するため、結果として上面用CCDカメラ76及び下面用CCDカメラ78側に反射する光量は小さくなり画像が暗くなる。
また、主面PSを図11に示すカップ型砥石90によって研削加工した場合でも同様である。図11の(A)は、カップ型砥石90によって主面PSを研削加工している斜視図、(B)は、研削加工中のカップ型砥石90の輪郭と主面PSの輪郭を示した平面図、(C)は、カップ型砥石90によって主面PSに形成された加工条痕92を示した説明図である。
主面PSをカップ型砥石90によって研削加工すると、ウェーハWの中心から弧状で放射状の加工条痕(周方向ではなく半径方向の加工条痕)92、92…が形成される。こうした半径方向の加工条痕92を有する主面PSに対して、LED照明装置74からの光が低角に入射した場合、光は入射方向と反対方向にそのまま正反射するので、図4に示した上面用CCDカメラ76及び下面用CCDカメラ78側に散乱する光が少ない。そのため、面取り面Cに対して、上面用CCDカメラ76及び下面用CCDカメラ78に向う反射光量はやはり格段に小さくなる。
以上の如く、面取り面Cの画像が明るくなり、主面PSの画像が暗くなるので、面取り面Cと主面PSとの境界が明瞭となる。よって、得られた画像において、面取り面Cと主面PSとを精度よく区別することができるので、精度のよい面取り面Cの形状測定が可能となる。
このように光の反射に対して、a)主面PSと面取り面Cでは、「面の向き」が異なる。それに加えて、b)主面PSと面取り面Cは、「加工方法が異なり、条痕の向き」が異なる。すなわち、加工による条痕の向きが異なる。
つまり、面取り面Cは周方向へ一方向に形成された平行な研削条痕(図9参照)があるのに対して、主面PSは、ラッピング面や鏡面のようにランダムな加工条痕(図10の(B)参照)が形成される。
また、主面PSが通例のカップ型砥石90の加工による研削面であったとしても、主面PSには、ウェーハWの中心から弧状かつ放射状に加工条痕92(図11の(C)参照)が形成される。その結果、主面PSと面取り面Cとの光の反射の仕方に差が生じるので、主面PSと面取り面Cとの境界が明瞭となる。
よって、主面PSがラッピング面、鏡面、研削面であったとしても、面取り面Cと主面PSとを精度よく区別することができるので、精度のよい面取り面Cの形状測定が可能となる。
したがって、実施の形態では、ウェーハWの主面PS及び面取り面Cの面性状の違いに特化した、測定精度の高いウェーハ形状測定装置70を提供できる。
一方、図12は、面取り面Cでの反射光の反射方向を示した説明図である。
図12の如く、面取り面Cの斜面の傾斜角度は、水平面に対して20±2度の場合が多い。その場合、面取り面Cの斜面に、水平面に対して50度の角度(斜面に対して70度の角度)から光が入射すると、その光は上面用CCDカメラ76側に反射する。50度の方向に光源は設置していないが、十分な大きさの光源を水平方向に設置し、そこからの光を拡散板86によって矢印の如く拡散させているため、50度の方向からの入射が可能となり、これによって、面取り面Cの画像が明るくなる。
図13は、主面PSでの反射光の反射方向を示した説明図である。
図13の如く、主面PSは水平面である。主面PSでの反射光が上面用CCDカメラ76側に向うには、入射光は主面PSに対して90度の方向からでなければならない。しかしながら構造上、90度の方向からの光は主面PSに入射しないので、主面PSの反射光は上面用CCDカメラ76側に向かわず、よって、主面PSの画像が暗くなる。したがって、面取り面Cと主面PSとを明暗によって精度よく区別することができるので、精度のよい面取り面Cの形状測定が可能となる。
以上の如く、ウェーハWの主面PSと面取り面Cとの面性状の違いに基づいてなされた実施の形態のウェーハ形状測定装置70によれば、精度のよい面取り面Cの形状測定が可能となる。
10…面取り装置、11…本体ベース、15…コントローラ、20…ウェーハ送り部、21…X軸ベース、22…X軸ガイドレール、23…X軸リニアガイド、24…Xテーブル、25…X軸駆動部、26…Y軸ガイドレール、27…Y軸リニアガイド、28…Yテーブル、29…Z軸ガイドレール、30…Z軸駆動手段、31…Zテーブル、32…θ軸モータ、33…θスピンドル、34…ウェーハテーブル、41…ツルアー、50…砥石回転部、51…スピンドル、52…外周加工砥石、53…ターンテーブル、53A…軸、52…外周加工砥石、52A…砥石、52a…溝、52B…砥石、52b…溝、52D…砥石、52d…溝、54…外周精研スピンドル、55…砥石、56…外周精研モータ、57…ノッチ精研スピンドル、58…砥石、59…ノッチ精研モータ、60…ノッチ粗研スピンドル、61…砥石、62…ノッチ粗研モータ、70…形状測定装置、72…測定テーブル、74…LED照明装置、76…上面用CCDカメラ、78…下面用CCDカメラ、80…画像処理装置、82…モニタ、84…光源、86…拡散板、88…青色発光LED、90…カップ型砥石、92…加工条痕

Claims (6)

  1. ウェーハの外周縁部に形成されるとともにウェーハの主面に対して傾斜して形成された面取り面の形状を測定するウェーハ形状測定装置において、
    前記ウェーハは、ランダムな粗さをもつラッピング面又は鏡面からなる前記主面と、前記ウェーハの外周縁部において円周方向に線状の研削条痕を有する研削面からなる前記面取り面とを有し、
    前記ウェーハの前記面取り面に、前記ウェーハの前記主面に対して平行な方向から光を照射する照明手段と、
    前記照明手段から照射された光によって照明された前記ウェーハの前記面取り面と前記主面とを前記ウェーハの前記主面に対して直交する方向から撮像する撮像手段と、を備え、
    前記撮像手段によって撮像された明部と暗部とを有する画像から、前記面取り面の形状を測定することを特徴とするウェーハ形状測定装置。
  2. 前記照明手段は、光源から照射された前記光を拡散する拡散手段を有する請求項1に記載のウェーハ形状測定装置。
  3. 前記照明手段は、570nm以下の波長の光を照射する光源を有する請求項1又は2に記載のウェーハ形状測定装置。
  4. 前記撮像手段は、前記ウェーハを挟んで一方側に配置された第1の撮像手段と、前記ウェーハを挟んで他方側に配置された第2の撮像手段とを備える請求項1、2又は3に記載のウェーハ形状測定装置。
  5. 前記照明手段は、複数の青色発光LEDを正方状に配置したパネル型の光源である請求項1から4のいずれか1項に記載のウェーハ形状測定装置。
  6. 前記ウェーハの前記面取り面の算術平均粗さRaが、0.03μmである請求項1から5のいずれか1項に記載のウェーハ形状測定装置。
JP2012236484A 2012-10-26 2012-10-26 ウェーハ形状測定装置 Pending JP2014085296A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012236484A JP2014085296A (ja) 2012-10-26 2012-10-26 ウェーハ形状測定装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012236484A JP2014085296A (ja) 2012-10-26 2012-10-26 ウェーハ形状測定装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016024999A Division JP6020869B2 (ja) 2016-02-12 2016-02-12 ウェーハ形状測定装置及び方法、並びにウェーハ面取り装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014085296A true JP2014085296A (ja) 2014-05-12

Family

ID=50788471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012236484A Pending JP2014085296A (ja) 2012-10-26 2012-10-26 ウェーハ形状測定装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014085296A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015023239A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 株式会社ディスコ 加工装置
JP2016205985A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 新東エスプレシジョン株式会社 測定装置
WO2018193762A1 (ja) * 2017-04-18 2018-10-25 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ製造工程の管理方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05334837A (ja) * 1992-06-02 1993-12-17 Kobe Steel Ltd ディスク外周部検査装置
JPH1038539A (ja) * 1996-07-29 1998-02-13 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハの形状認識装置
JP2001004341A (ja) * 1999-06-16 2001-01-12 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ形状測定装置
JP2003243465A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Honda Electron Co Ltd ウエーハ用検査装置
JP2005153085A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 面取り砥石のツルーイング方法及び面取り装置
JP2005268530A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Olympus Corp 半導体ウエハのアライメント装置
JP2007303853A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nikon Corp 端部検査装置
JP2008014697A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Nikon Corp 表面検査装置
JP2010067859A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Sumco Techxiv株式会社 半導体ウェーハの検査方法
JP2010181249A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Kobelco Kaken:Kk 形状測定装置
JP2011145171A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Nikon Corp 形状検出装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05334837A (ja) * 1992-06-02 1993-12-17 Kobe Steel Ltd ディスク外周部検査装置
JPH1038539A (ja) * 1996-07-29 1998-02-13 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハの形状認識装置
JP2001004341A (ja) * 1999-06-16 2001-01-12 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ形状測定装置
JP2003243465A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Honda Electron Co Ltd ウエーハ用検査装置
JP2005153085A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 面取り砥石のツルーイング方法及び面取り装置
JP2005268530A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Olympus Corp 半導体ウエハのアライメント装置
JP2007303853A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nikon Corp 端部検査装置
JP2008014697A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Nikon Corp 表面検査装置
JP2010067859A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Sumco Techxiv株式会社 半導体ウェーハの検査方法
JP2010181249A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Kobelco Kaken:Kk 形状測定装置
JP2011145171A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Nikon Corp 形状検出装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015023239A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 株式会社ディスコ 加工装置
JP2016205985A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 新東エスプレシジョン株式会社 測定装置
WO2018193762A1 (ja) * 2017-04-18 2018-10-25 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ製造工程の管理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6020869B2 (ja) ウェーハ形状測定装置及び方法、並びにウェーハ面取り装置
TWI741151B (zh) 工件的檢查方法、工件的檢查裝置及加工裝置
US20190291239A1 (en) Grinding apparatus
JP7443461B2 (ja) ウェーハの位置決め装置及びそれを用いた面取り装置
JP2015023239A (ja) 加工装置
JP6860416B2 (ja) 加工装置
JP2014085296A (ja) ウェーハ形状測定装置
KR102257264B1 (ko) 스크래치 검출 방법
JP2019212797A (ja) ウェーハの加工方法及び研削装置
JP6017263B2 (ja) ウェーハの形状測定装置
US20020005958A1 (en) Non-contact thickness-measuring device
JP2021041472A (ja) 加工装置
JP2021005633A (ja) 切削装置
JP2023083014A (ja) ウェーハの製造方法および研削装置
JP6989392B2 (ja) 板状物の加工方法
TW202228203A (zh) 研削裝置
JP6016150B2 (ja) 研削スリップ条痕観察装置及び研削スリップ条痕観察方法
JP6817798B2 (ja) ウエーハの研削方法及び研削装置
JP7034797B2 (ja) 貼り合せ基板の測定方法および加工方法並びにそれらに用いる装置
JP2021124458A (ja) 回転切削工具の切削面の検査方法及び検査装置
JP7200413B2 (ja) 貼り合せ基板の測定方法および加工方法並びにそれらに用いる装置
JP2021143990A (ja) 検査装置及び加工装置
JP7370265B2 (ja) 加工方法及び加工装置
TWI720254B (zh) 磨削裝置
KR20080113708A (ko) 웨이퍼 이면 연마 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150601

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20150601

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20150713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150731

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150929

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20151111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160212

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20160218

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20160318