JP2001004341A - ウェーハ形状測定装置 - Google Patents

ウェーハ形状測定装置

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JP2001004341A
JP2001004341A JP11170171A JP17017199A JP2001004341A JP 2001004341 A JP2001004341 A JP 2001004341A JP 11170171 A JP11170171 A JP 11170171A JP 17017199 A JP17017199 A JP 17017199A JP 2001004341 A JP2001004341 A JP 2001004341A
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Fumihiro Takemura
文宏 竹村
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Toshiba Ceramics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノッチ部分の形状だけでなく、ウェーハ直径
やオリフラ長さなども非接触状態で精度よく測定するこ
とができるウェーハ形状測定装置を提供する。 【解決手段】 回転自在とされたウェーハステージ22
と、ウェーハ11のノッチ部分を垂直方向から撮像する
テレビカメラ13と、ウェーハの他面側からノッチ部分
に光を照射する第1照明灯15と、ウェーハの面取り面
を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照射する
第2照明灯16と、ウェーハの面取り面とウエーハ表面
に対して光を照射する第3照明灯17とが具備される。
そして、これら第1〜第3の照明灯を制御して点灯の組
合せを変えるとともに、ウェーハ11を載せたウェーハ
ステージ22を回転制御することにより、テレビカメラ
13の画像データから、ノッチ部分の形状、面取り幅、
オリフラ長さ、ウェーハ直径などを測定し、さらにウェ
ーハ表面の観察を行う観察モードに切り換えることがで
きる画像処理装置25とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
外周に設けられたノッチまたはオリフラ部分の形状とウ
ェーハ直径を非接触で測定できるとともに、ウェーハ表
面のキズの有無などを観察することができるウェーハ形
状測定装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハにおける結晶方向の判別
および位置決めを容易にするために、半導体ウェーハの
外周の一部には、ノッチが形成されている。図11
(a)(b)に半導体ウェーハに形成されたノッチ部分
の構成を示す。(a)は半導体ウェーハ11に形成され
たノッチ11a部分を上面から見た拡大図、(b)はそ
の側面図であって、ウェーハの処理に際しては、このノ
ッチ11a部分の形状(幅W、深さd、角度θ、先端ア
ールR)、および面取り幅mなどの寸法を測定するとと
もに、必要に応じてウェーハ表面にキズなどがないか否
かを目視で観察する必要があった。
【0003】図12に、前記したノッチ11a部分の形
状を測定するための従来のウェーハ形状測定装置の構成
例を示す。図において、符号11は測定される半導体ウ
ェーハを示し、この半導体ウェーハ11はウェーハステ
ージ12に載置されている。そして、ウェーハステージ
12に載置された半導体ウェーハ11は、その一面側よ
りノッチ部分をウェーハ表面に対して垂直方向から撮像
するテレビカメラ13によって撮像される。
【0004】そして、符号15はテレビカメラ13の撮
像光路14上における半導体ウェーハ11の他面側から
ノッチ11a部分に光を照射する第1照明灯を示す。ま
た、符号16は半導体ウェーハの一面側に配置され、ウ
ェーハの面取り面を照射しない角度でウェーハ表面に対
して光を照射する第2照明灯を示す。すなわち、この第
2照明灯は図11(b)に示すように、ウェーハ11の
縁部にテーパ状に形成された面取り面11cの延長線1
1dの線上か、または延長線11dとウェーハ11の一
面との成す角度α(面取り角度)の範囲内に配置されて
おり、これにより照明灯16からの照明光は、ウェーハ
11の表面のみに投射され、ウェーハ11の面取り面1
1cには照射されないように構成されている。
【0005】さらに、符号17は半導体ウェーハ11の
一側面に配置され、ウェーハの面取り面11cとウエー
ハ表面に対して光を照射する第3照明灯を示す。すなわ
ち、この照明灯17は、図11(b)に示すように、例
えば、面取り面11cに対して直交する線11e上に配
置され、これにより照明灯17からの照射光は、ウェー
ハ11の面取り面11cとウェーハ表面の双方に対して
投射される。
【0006】符号18はテレビカメラ13からの画像デ
ータに基づいて半導体ウェーハ11のノッチ部分の形状
を測定する画像処理装置であり、この画像処理装置18
より照明制御装置19に対して指令信号が送出されるよ
うに構成され、照明制御装置19は前記指令信号に基づ
いて第1〜第3照明灯15,16,17の点灯と消灯を
制御するように構成されている。また、前記画像処理装
置18には、さらに表示手段としてのCRT、LCDな
どから構成された表示装置20が接続されている。
【0007】この表示装置20はテレビカメラ13から
の画像データを画像処理装置18により2値化あるいは
多値化し、ウェーハ11のノッチ部分の形状などを実画
像として表示するとともに、必要に応じて画像処理装置
18による演算結果を表示する機能を有している。そし
て前記ウェーハステージ12、テレビカメラ13、照明
灯15〜17は、外部からの光を遮断するために、暗室
21内に収められている。
【0008】前記した構成による従来のウェーハ形状測
定装置は、照明制御装置19により前記各照明灯15〜
17の点灯の組み合わせを変えながら、テレビカメラ1
3により半導体ウェーハ11のノッチ11a部分を撮像
することで、図11(a)(b)に示すノッチ11a部
分の幅W、深さd、角度θ、先端アールR、面取り幅m
などの寸法を非接触で測定するとともに、ノッチ11a
部分のキズの有無などを観察するようにしていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の測定装置の場合においては、ノッチ11aなどの小
さな形状部分の寸法や形状を測定することは可能である
が、例えば半導体ウェーハ11全体の直径を同時に測定
することは不可能であった。半導体ウェーハ11の直径
を測定するには、例えばテレビカメラ13を半導体ウェ
ーハ11から遠ざけてウェーハ全体をカメラの撮像エリ
ア内に納まるように操作するか、または広角レンズを用
いて半導体ウェーハ11の全体が撮像エリア内に納まる
ように撮像する等の対処が必要であり、たとえこのよう
な対処をしても、撮像素子の1画素当たりの分解能が粗
くなってしまい、実用に耐え得る測定精度を得ることが
困難であった。
【0010】また、半導体ウェーハ11における結晶方
向の判別および位置決めを行うための目印としては、前
述したノッチ11aだけに限らず、図13に示すような
オリフラ11bを形成されたものも存在する。このオリ
フラ11bの長さLはノッチ11aの幅Wに比べてかな
り大きく、前記した従来の装置を利用してオリフラ11
bの長さLとウェーハ直径Dを測定しようとしても、テ
レビカメラ13の撮像エリアを超えてしまい、その測定
は不可能であった。
【0011】このように、従来の装置においては、同一
の分解能を保持しようとした場合にはノッチなどの小さ
な部分の形状の測定に限られ、同時に、ウェーハの直径
やオリフラ長さなどを測定することは不可能である。そ
のために、ウェーハの直径やオリフラ長さを測定するに
は、半導体ウェーハを別の測定装置に移して測定せざる
を得ず、各部の測定に時間を要し、生産性を向上させる
ことができないという技術的課題を抱えている。
【0012】本発明は、前記したような技術的課題を解
決するためになされたものであり、ノッチ部分の形状だ
けでなく、ウェーハ直径やオリフラ長さなども同時に測
定することができるウェーハ形状測定装置を提供するこ
とを目的とするものである。加えて本発明は、前記した
ノッチ形状やウェーハ直径、およびオリフラ長さなどの
測定と同時に、ウェーハ表面のキズの有無なども観察す
ることができるウェーハ形状測定装置を提供することを
目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ためになされた請求項1記載の発明は、少なくとも一面
側の外周縁全域が面取りされた半導体ウェーハの外周の
一部に形成されたノッチ部分の形状とウェーハ直径を光
学的に測定するウェーハ形状測定装置であって、回転自
在とされた半導体ウェーハ載置用のウェーハステージ
と、前記ウェーハステージに載置された半導体ウェーハ
のノッチ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂直方向
から撮像する撮像手段と、前記撮像手段とノッチ部分を
結ぶ撮像光路上に配置され、半導体ウェーハの他面側か
らノッチ部分に光を照射する第1照明手段と、前記半導
体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面取り面を
照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照射する第
2照明手段と、前記第1照明手段のみを点灯し、前記撮
像手段からの画像データに基づいてウェーハのノッチ部
分の形状を測定するノッチ形状測定モードと、前記第1
照明手段および第2照明手段を点灯し、前記撮像手段か
らの画像データに基づいてウェーハの面取り幅を測定す
る面取り幅測定モードと、前記第1照明手段のみを点灯
し、前記ウェーハステージを回転させて得られる画像デ
ータに基づいてウェーハの直径を測定するウェーハ直径
測定モードとに切り替える画像処理手段とが具備され
る。
【0014】また、請求項2記載の発明は、少なくとも
一面側の外周縁全域が面取りされた半導体ウェーハの外
周の一部に形成されたノッチ部分の形状とウェーハ直径
を光学的に測定するウェーハ形状測定装置であって、回
転自在とされた半導体ウェーハ載置用のウェーハステー
ジと、前記ウェーハステージに載置された半導体ウェー
ハのノッチ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂直方
向から撮像する撮像手段と、前記撮像手段とノッチ部分
を結ぶ撮像光路上に配置され、半導体ウェーハの他面側
からノッチ部分に光を照射する第1照明手段と、前記半
導体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面取り面
を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照射する
第2照明手段と、前記半導体ウェーハの一側面に配置さ
れ、ウェーハの面取り面とウエーハ表面に対して光を照
射する第3照明手段と、前記第1照明手段のみを点灯
し、前記撮像手段からの画像データに基づいてウェーハ
のノッチ部分の形状を測定するノッチ形状測定モード
と、前記第1照明手段および第2照明手段を点灯し、前
記撮像手段からの画像データに基づいてウェーハの面取
り幅を測定する面取り幅測定モードと、前記第1照明手
段のみを点灯し、前記ウェーハステージを回転させて得
られる画像データに基づいてウェーハの直径を測定する
ウェーハ直径測定モードと、前記第3照明手段のみを点
灯し、前記撮像手段からの画像データに基づいてウェー
ハ表面の観察を行う観察モードとに切り換える画像処理
手段とが具備される。
【0015】また、請求項3記載の発明は、少なくとも
一面側の外周縁全域が面取りされた半導体ウェーハの外
周の一部に形成されたオリフラ部分の寸法とウェーハ直
径を光学的に測定するウェーハ形状測定装置であって、
回転自在とされた半導体ウェーハ載置用のウェーハステ
ージと、前記ウェーハステージに載置された半導体ウェ
ーハのオリフラ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂
直方向から撮像する撮像手段と、前記撮像手段とオリフ
ラ部分を結ぶ撮像光路上に配置され、半導体ウェーハの
他面側からノッチ部分に光を照射する第1照明手段と、
前記半導体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面
取り面を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照
射する第2照明手段と、前記第1照明手段のみを点灯
し、前記ウェーハステージを回転させて得られる画像デ
ータに基づいてウェーハのオリフラ長さを測定するオリ
フラ測定モードと、記第1照明手段および第2照明手段
を点灯し、前記撮像手段からの画像データに基づいてウ
ェーハの面取り幅を測定する面取り幅測定モードと、前
記第1照明手段のみを点灯し、前記ウェーハステージを
回転させて得られる画像データに基づいてウェーハの直
径を測定するウェーハ直径測定モードとに切り替える画
像処理手段とが具備される。
【0016】また、請求項4記載の発明は、少なくとも
一面側の外周縁全域が面取りされた半導体ウェーハの外
周の一部に形成されたオリフラ部分の形状とウェーハ直
径を光学的に測定するウェーハ形状測定装置であって、
回転自在とされた半導体ウェーハ載置用のウェーハステ
ージと、前記ウェーハステージに載置された半導体ウェ
ーハのオリフラ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂
直方向から撮像する撮像手段と、前記撮像手段とオリフ
ラ部分を結ぶ撮像光路上に配置され、半導体ウェーハの
他面側からノッチ部分に光を照射する第1照明手段と、
前記半導体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面
取り面を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照
射する第2照明手段と、前記半導体ウェーハの一側面に
配置され、ウェーハの面取り面とウエーハ表面に対して
光を照射する第3照明手段と、前記第1照明手段のみを
点灯し、前記ウェーハステージを回転させて得られる画
像データに基づいてウェーハのオリフラ長さを測定する
オリフラ測定モードと、前記第1照明手段および第2照
明手段を点灯し、前記撮像手段からの画像データに基づ
いてウェーハの面取り幅を測定する面取り幅測定モード
と、前記第1照明手段のみを点灯し、前記ウェーハステ
ージを回転させて得られる画像データに基づいてウェー
ハの直径を測定するウェーハ直径測定モードと、前記第
3照明手段のみを点灯し、前記撮像手段からの画像デー
タに基づいてウェーハ表面の観察を行う観察モードとに
切り換える画像処理手段とが具備される。
【0017】さらに、請求項5記載の発明は、前記請求
項1〜4のいずれかに記載のウェーハ形状測定装置であ
って、前記撮像手段からの画像データに基づいて半導体
ウェーハのノッチまたはオリフラ部分の実画像を表示す
る表示手段と、前記画像処理手段で得られた数値データ
を印字出力するプリント出力手段とが付加される。
【0018】前記のような構成とした場合、ウェーハス
テージに載置された半導体ウェーハのノッチ部分または
オリフラ部分には、予め定められた位置に配置された複
数の照明手段から光が照射される。この照明手段は、各
測定モードにしたがって画像処理手段により順次点灯制
御される。これにより、ウェーハのノッチ部分またはオ
リフラ部分には投射角度の異なった照明光が順次照射さ
れる。したがって、画像処理手段はウェーハ表面に対し
て垂直方向に撮像光路を有する撮像手段によって撮像さ
れた画像データを用いてノッチ部分の形状、ノッチ部分
またはオリフラ部分の面取り幅を演算することができ
る。また、これらノッチ部分やオリフラ部分の傷の有無
などの観察を行うことができる。
【0019】さらに、半導体ウェーハを載置するウェー
ハステージを回転させることにより、画像処理手段は、
そのときに撮像手段から得られる画像データを用いて半
導体ウェーハの直径を演算することができる。このため
に、従来の装置のようにノッチ部分の形状だけでなく、
ウェーハ直径やオリフラ長さなども測定することがで
き、半導体ウェーハの検査時間を短縮して半導体の生産
性を向上させることが可能となる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るウェーハ形状
測定装置を図に示した実施の形態に基づいて説明する。
図1はその基本構成を示したものであり、図において前
記した従来の装置(図12)に相当する部分には同一の
符号を付して示している。図1において、外周縁の一部
にノッチ11aが形成されたウェーハ11(図11)ま
たは外周縁の一部にオリフラ11bが形成された半導体
ウェーハ11(図13)は、回転自在な円盤状のウェー
ハステージ22上に水平状態に載置されるように構成さ
れている。そして、このウェーハステージ22の支持軸
はモータ制御装置23によって制御されるパルスモータ
またはサーボモータなどのモータ24の駆動軸に繋がれ
ており、モータ24を回転駆動することによってウェー
ハステージ22を任意の位置に自在に回転せしめ、かつ
停止できるように構成されている。
【0021】ウェーハ表面の垂直上方には従来の装置で
説明したと同様に、撮像手段としてのテレビカメラ13
が配置されており、このテレビカメラ13により、ウェ
ーハステージ22上に載置された半導体ウェーハ11の
ノッチ11aまたはオリフラ11b部分を含む一面側を
垂直方向から撮像できるように構成されている。このテ
レビカメラ13は、その撮像素子として、例えば40万
画素程度のCCDが用いられている。一方、テレビカメ
ラ13と半導体ウェーハ11のノッチ11aまたはオリ
フラ11b部分を結ぶ撮像光路14上における半導体ウ
ェーハの他面側には、ノッチ11aまたはオリフラ11
b部分に平行光線を照射する第1照明手段(透過照明)
としての照明灯15が配置されている。
【0022】また、テレビカメラ13が配置された半導
体ウェーハ11の一面側には、ウェーハの面取り面11
c(図11、図13参照)を避けてウェーハ表面に対し
て平行光線を照射する第2照明手段(暗視野照明)とし
ての照明灯16が配置されている。すなわち、この照明
灯16は、図11(b)に示すように、ウェーハ11の
縁部にテーパ状に形成された面取り面11cの延長線1
1dの線上か、または延長線11dとウェーハ11の一
面との成す角度α(面取り角度)の範囲内に配置されて
おり、これにより照明灯16からの照明光は、ウェーハ
11の表面のみに投射され、ウェーハ11の面取り面1
1cには照射されないように構成されている。
【0023】さらに、テレビカメラ13が配置された半
導体ウェーハ11の一面側には、ウェーハ11の面取り
面11cとウェーハ表面に対して平行光線を照射する第
3照明手段(明視野照明)としての照明灯17が配置さ
れている。この照明灯17は、図11(b)に示すよう
に、例えば、面取り面11cに対して直交する線11e
上に配置され、これにより照明灯17からの照射光は、
ウェーハ11の面取り面11cとウェーハ表面の双方に
対して投射される。
【0024】前記したウェーハステージ22、テレビカ
メラ13、第1〜第3の各照明灯15,16,17は、
暗室21内に配置されている。なお、前記第1〜第3の
各照明灯15,16,17には、光源として寿命も長
く、照度も安定しているLEDが用いられている。
【0025】前記テレビカメラ13により得られた画像
データは、中央演算装置(CPU)を含む画像処理装置
25に入力され、この画像処理装置25に内蔵された所
定の処理プログラムにしたがって画像処理が行なわれ、
ウェーハ11のノッチ11aまたはオリフラ11bの所
定の位置の形状測定やウェーハ直径などを演算するよう
に構成されている。画像処理装置25には、制御手段と
しての照明制御装置26が接続されており、この照明制
御装置26は画像処理装置25からの指令により、前記
第1〜第3の各照明灯15,16,17の点灯と消灯を
制御するように構成されている。そして、画像処理装置
25は、モータ制御装置23および照明制御装置26に
与える指令出力のタイミングに応じてテレビカメラ18
により得られた画像データを処理し、ウェーハ11のノ
ッチ部分の形状やオリフラ長さおよびウェーハ直径など
を演算するように動作する。
【0026】前記画像処理装置25には、さらに表示手
段としてのCRT、LCDなどから構成された表示装置
27が接続されている。この表示装置27はテレビカメ
ラ13からの画像データを画像処理装置25により2値
化あるいは多値化し、ウェーハ11のノッチ部分の形状
などを実画像として表示するとともに、必要に応じて画
像処理装置25の演算結果を表示するものである。
【0027】また、画像処理装置25には、プリント出
力手段としてのプリンタ28が接続されており、プリン
タ28により画像処理装置25における演算結果などを
数値データとしてプリントアウトできるように構成され
ている。さらに、画像処理装置25には、タッチパネル
式あるいはキーボード式の入力装置29が接続されてお
り、この入力装置29により、装置に対して測定指示や
各種のパラメータの設定が成されるように構成されてい
る。
【0028】前記した構成によるウェーハ形状測定装置
における各部の測定動作について、以下に順を追って説
明する。 1.ノッチ形状(幅W、深さd、角度θ、先端アール
R)の測定 まず、ノッチ11aが形成されたウェーハ11(図11
参照)のためのノッチ部分の幅W、深さd、角度θ、先
端アールRの測定動作について説明する。ウェーハステ
ージ22の所定位置に半導体ウェーハ11を配置し、前
記入力装置29により測定スタート指示を入力すると、
画像処理装置25は、照明制御装置26に指令信号を送
出し、第1照明灯15のみを点灯させ、テレビカメラ1
3からの画像データに基づいてウェーハ11のノッチ1
1a部分の形状を測定するノッチ形状測定モードに移行
する。
【0029】図2(a)は、このノッチ形状測定モード
における照明灯の点灯状態を示したものであり、この場
合においては第1照明灯15のみが点灯される。したが
って、このときに得られる画像データに基づく映像は、
図2(b)に示すようにウェーハ11がシャドウ部分と
なり、他がハイライト部分となる。すなわち、ノッチ形
状がシルエットとして現れ、これが表示装置27に図3
に示すような実画像として表示されると共に、画像処理
装置25は、この画像データからノッチ部の幅W、深さ
d、角度θ、先端アールRを演算し、画像処理装置25
内のバッファメモリ(図示せず)に格納する。このよう
にして得られたノッチ部の幅W、深さd、角度θ、先端
アールRの各数値データは、図3に例示するように画面
上に表示されるとともに、必要に応じてプリンタ28か
らプリントアウトされる。
【0030】2.面取り幅mの測定 続いて、画像処理装置25は、照明制御装置26に指令
信号を送出し、第1照明灯15および第2照明灯16を
点灯し、このときのテレビカメラ13からの画像データ
に基づいてウェーハの面取り幅mを測定する面取り幅測
定モードに移行する。図4(a)は、この面取り幅測定
モードにおける照明灯の点灯状態を示したものであり、
第1照明灯15および第2照明灯16の両者が点灯され
る。
【0031】したがって、このときに得られる画像デー
タに基づく映像は、図4(b)に示すように面取り面1
1cがシャドウ部分となり、他がハイライト部分とな
る。これは、表示装置27に図5に示すように実画像と
して表示されると共に、画像処理装置25は、この画像
データからウェーハ11の面取り幅mを演算し、画像処
理装置25内のバッファメモリ(図示せず)に格納す
る。このようにして得られたウェーハ11の面取り幅m
の各数値データは、図5に例示するように画面上に表示
されるとともに、必要に応じてプリンタ28からプリン
トアウトされる。なお、この面取り幅mの測定は、図1
3に示したオリフラ11bが形成されたウェーハ11に
対しても、まったく同様に適用できるものである。
【0032】3.オリフラ長さLの測定 次に、オリフラ11bが形成されたウェーハ11(図1
3参照)のためのオリフラ長さLの測定動作について説
明する。ウェーハステージ22の所定位置に半導体ウェ
ーハ11を配置し、前記入力装置29により測定スター
ト指示を入力すると、画像処理装置25は、照明制御装
置26に指令信号を送出し、第1照明灯15のみを点灯
させ、テレビカメラ13からの画像データに基づいてウ
ェーハ11のオリフラ11b部分の長さLを測定するオ
リフラ測定モードに移行する。
【0033】図6(a)は、このオリフラ測定モードに
おける照明灯の点灯状態を示したものであり、第1照明
灯15のみが点灯される。したがって、このときに得ら
れる画像データに基づく映像は、図6(b)に示すよう
にウェーハ11がシャドウ部分、他がハイライト部分と
なり、ウェーハ形状はシルエットとして表れる。画像処
理装置25は、このようなシルエット画像を用いて図7
(a)〜(d)に示すようにしてオリフラ長さLを演算
する。
【0034】図7(a)は、半導体ウェーハ11をウェ
ーハステージ22に載置した初期状態を示すもので、O
1はウェーハステージ22の回転中心、O2は半導体ウ
ェーハ11の中心、P1はオリフラ11bの一方の端
点、P2はオリフラ11bの他方の端点、13aはテレ
ビカメラ13の撮像エリア、Cは撮像エリアの仮想中心
線である。
【0035】まず最初に、図7(a)の初期状態におい
て、画像処理装置25からモータ制御装置23に指令信
号を送ってモータ24を回転駆動し、図7(b)に示す
ように、オリフラ11bの一方の端点P1がテレビカメ
ラ13の撮像エリア13bの仮想中心線Cに一致した時
点でウェーハステージ22を当該位置に停止させる。そ
して、この図7(b)の状態において、画像処理装置2
5は、ウェーハステージ22の回転中心O1とオリフラ
11bの端点P1との間の距離L1と、仮想中心線Cと
オリフラ11bとのなす角度A1(この時の実画像のイ
メージを図7(b)の下方に表示)を測定し、画像処理
装置25内のバッファメモリ(図示せず)に格納する。
【0036】次に、ウェーハステージ22をさらに回転
し、図7(c)に示すように、オリフラ11bの他方の
端点P2がテレビカメラ13の撮像エリア13bの仮想
中心線Cに一致した時点でウェーハステージ22を当該
位置に停止させる。そして、この図7(c)の状態にお
いて、画像処理装置25は、ウェーハステージ22の回
転中心O1とオリフラ11bの端点P2との間の距離L
2と、仮想中心線Cとオリフラ11bとのなす角度A2
(この時の実画像のイメージを図7(c)の下方に表
示)を測定し、画像処理装置25内のバッファメモリ
(図示せず)に格納する。
【0037】画像処理装置25は、前記のようにして得
られたL1,L2,A1,A2に基づいて、下式からオ
リフラ長さLを演算する。なお、これらL1,L2,A
1,A2とオリフラ長さLとの幾何学的関係を図7
(d)に示す。 L=L1・ cos(A1)+L2・ cos(A2) このようにして得られたオリフラ長さLは、画像処理装
置25内のバッファメモリ(図示せず)に格納された
後、表示装置27の画面上に表示されるとともに、必要
に応じてプリンタ28からプリントアウトされる。この
オリフラ長さLの測定方法によれば、前述したノッチ形
状の測定および/もしくは面取り幅の測定のための装置
との装置単一化を可能にせしめ、測定時間の短縮化、生
産性の向上を図ることができる。
【0038】4.ウェーハ直径Dの測定 次に、ウェーハ11の直径dの測定動作について、図8
および図9を参照して説明する。図8(a)は、このウ
ェーハ直径測定モードにおける照明灯の点灯状態を示し
たものであり、第1照明灯15のみが点灯される。した
がって、このときに得られる画像データに基づく映像
は、図8(b)に示すようにウェーハ11がシャドウ部
分、他がハイライト部分となり、ウェーハ形状はシルエ
ットとして表れる。画像処理装置25は、このようなシ
ルエット画像を用いて図9(a)〜(c)に示すように
してウェーハ直径Dを演算する。
【0039】図9(a)は、半導体ウェーハ11をウェ
ーハステージ22に載置した初期状態を示すもので、O
1はウェーハステージ22の回転中心、O2は半導体ウ
ェーハ11の中心、13aはテレビカメラ13の撮像エ
リア、13bは半径測定基準として予め設定された回転
中心O1を中心とする半径R0の基準円である。まず最
初に、図9(a)の初期状態において、画像処理装置2
5からモータ制御装置23に指令信号を送ってモータ2
4を回転駆動し、図9(b)に示すように、オリフラ1
1b部分を除くウェーハ外周縁部分がテレビカメラ13
の撮像エリア13a内に入るようにウェーハステージ2
2を回転させた後、停止させる。そして、この図9
(b)の状態において、画像処理装置25は、前記基準
円13bとウェーハ外周縁との距離L3(この時の実画
像のイメージを図9(b)の下方に表示)を測定し、画
像処理装置25内のバッファメモリ(図示せず)に格納
する。
【0040】次に、ウェーハステージ22を180°回
転し、図9(c)に示すような状態にセットする。そし
て、この図9(c)の状態において、画像処理装置25
は、基準円13bとウェーハ外周縁との距離L4(この
時の実画像のイメージを図9(c)の下方に表示)を測
定し、画像処理装置25内のバッファメモリ(図示せ
ず)に格納する。画像処理装置25は、前記のようにし
て得られた距離L3,L4と基準円の半径R0を基に、
下式からウェーハ直径Dを演算する。 D=2R0+(L3−L4)
【0041】このようにして得られたウェーハ直径D
は、画像処理装置25内のバッファメモリ(図示せず)
に格納された後、表示装置27の画面上に表示されると
ともに、必要に応じてプリンタ28からプリントアウト
される。なお、このウェーハ直径Dの測定は、図11に
示したノッチ11aを形成されたウェーハ11に対して
も、まったく同様に適用できるものである。このウェー
ハ直径Dの測定方法によれば、前述したノッチ形状の測
定装置、面取り幅の測定装置、オリフラ長さの測定装置
のすべてもしくはいずれかとの組み合わせによる装置単
一化を可能にせしめ、測定時間の短縮化、生産性の向上
を図ることができる。
【0042】5.観察モード 画像処理装置25は、照明制御装置26に指令信号を送
出し、第3照明灯17のみを点灯し、ウェーハ表面の観
察モードに移行することができる。図10(a)は、こ
の観察モードにおける照明灯の点灯状態を示したもので
あり、第3照明灯17のみが点灯される。このため、こ
のときに得られる画像データに基づく映像は、図10
(b)に示すように、面取り面11cおよびウェーハ1
1の上面がハイライトとなる。したがって、表示装置2
7に表示されるこの実画像を、例えば目視で観察するこ
とにより、ウェーハのノッチ部分にキズがあるか否かの
検証を行うことができる。なお、この観察モードは、ノ
ッチ11aを形成した半導体ウェーハ11、オリフラ1
1bを形成した半導体ウェーハ11のいずれに対して
も、まったく同様に適用できるものである。
【0043】前記した実施の形態では、テレビカメラ1
3を半導体ウェーハステージ21の上方側に配置した
が、ウェーハステージ21の下方側に配置し、照明灯1
5〜17の位置を上下入れ換えても同様に実現できるも
のである。また、ミラーやプリズム、光ファイバーなど
を用いて、テレビカメラ13や各照明灯15〜17をウ
ェーハステージ21から遠ざけるように構成することも
でき、このように構成することで各種の部材をウェーハ
ステージ21の近傍に寄せ集めて配置する必要がなくな
り、装置全体の高さを低く押さえることが可能となる。
【0044】前記した構成のウェーハ形状測定装置を用
いて半導体ウェーハの形状測定を行なったところ、ノッ
チ11aの形状(幅W、深さd、角度θ、先端アール
R)、および面取り幅mについてはそれぞれ±10μ
m、オリフラ長さL、ウェーハ直径dについてはそれぞ
れ±50μmの精度で測定可能であった。
【0045】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の発
明によれば、撮像手段からの画像データに基づいて、ノ
ッチ部分の形状、ウェーハの面取り幅、ウェーハ直径な
どを測定することができ、従来のように別の測定装置に
移してウェーハ直径を測定する必要がなくなり、半導体
ウェーハの検査時間を短縮して半導体の生産性を向上さ
せることができる。
【0046】また、請求項2記載の発明によれば、前記
請求項1記載の発明の効果に加え、ウェーハ表面の観察
を行うことができ、ウェーハ表面のキズなどを目視で検
査することが可能となる。また、請求項3記載の発明に
よれば、撮像手段からの画像データに基づいて、オリフ
ラ長さやウェーハ直径を測定することができ、従来のよ
うに別の測定装置に移してオリフラ長さやウェーハ直径
を測定する必要がなくなり、半導体ウェーハの検査時間
を短縮して半導体の生産性を向上させることができる。
【0047】また、請求項4記載の発明によれば、前記
請求項3記載の発明の効果に加え、ウェーハ表面の観察
を行うことができ、ウェーハ表面のキズなどを目視で検
査することが可能となる。さらに、請求項5記載の発明
によれば、前記撮像手段からの画像データに基づいて半
導体ウェーハのノッチまたはオリフラ部分の実画像を表
示する表示手段と、前記画像処理手段で得られた数値デ
ータを印字出力するプリント出力手段とを付加したの
で、測定結果を視覚的に表示できるとともに、数値デー
タをハードコピーとして残すことができ、より確実な検
査を実現させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウェーハ形状測定装置の実施の形
態を示したブロック図である。
【図2】図1に示す装置によるノッチ形状測定モードの
説明図であって、(a)は照明灯の点灯状態図、(b)
はテレビカメラによる撮影画像の模式図である。
【図3】図2に示すノッチ形状測定モードにおいて表示
装置に表示されたノッチ部分の画像例を示す図である。
【図4】図1に示す装置による面取り幅測定モードの説
明図であって、(a)は照明灯の点灯状態図、(b)は
テレビカメラによる撮影画像の模式図である。
【図5】図4に示す面取り幅測定モードにおいて表示装
置に表示された面取り面の画像例を示す図である。
【図6】図1に示す装置によるオリフラ測定モードの説
明図であって、(a)は照明灯の点灯状態図、(b)は
テレビカメラによる撮影画像の模式図である。
【図7】図6に示すオリフラ測定モードにおいてなされ
るオリフラ長の測定動作の説明図である。
【図8】図1に示す装置によるウェーハ半径測定モード
の説明図であって、(a)は照明灯の点灯状態図、
(b)はテレビカメラによる撮影画像の模式図である。
【図9】図8に示すウェーハ半径測定モードにおいてな
されるウェーハ直径の測定動作の説明図である。
【図10】図1に示す装置によるウェーハ表面観察モー
ドの説明図であって、(a)は照明灯の点灯状態図、
(b)はテレビカメラによる撮影画像の模式図である。
【図11】半導体ウェーハのノッチ部分の形状例を示す
もので、(a)は拡大平面図、(b)はその側面図であ
る。
【図12】従来のウェーハ形状測定装置の一例を示すブ
ロック図である。
【図13】オリフラが形成された半導体ウェーハの形状
例を示す平面図である。
【符号の説明】
11 半導体ウェーハ 11a ノッチ 11b オリフラ 11c 面取り面 13 テレビカメラ(撮像手段) 14 撮像光路 15 照明灯(第1照明手段) 16 照明灯(第2照明手段) 17 照明灯(第3照明手段) 21 暗室 22 ウェーハステージ 23 モータ制御装置 24 モータ 25 画像処理装置(画像処理手段) 26 照明制御装置 27 表示装置(表示手段) 28 プリンタ(プリント出力手段) 29 入力装置
フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA12 AA22 AA23 AA26 AA32 AA45 AA49 AA51 BB03 BB28 CC19 DD06 FF02 FF04 FF42 HH03 HH12 HH13 HH14 HH15 JJ03 JJ09 JJ12 JJ26 NN01 NN20 PP13 QQ03 QQ04 QQ23 QQ25 QQ27 QQ35 SS02 SS03 SS06 SS13 4M106 AA01 BA04 BA10 CA38 DB04 DB07 DB19 DJ06 DJ11 DJ23 DJ24

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一面側の外周縁全域が面取り
    された半導体ウェーハの外周の一部に形成されたノッチ
    部分の形状とウェーハ直径を光学的に測定するウェーハ
    形状測定装置であって、 回転自在とされた半導体ウェーハ載置用のウェーハステ
    ージと、 前記ウェーハステージに載置された半導体ウェーハのノ
    ッチ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂直方向から
    撮像する撮像手段と、 前記撮像手段とノッチ部分を結ぶ撮像光路上に配置さ
    れ、半導体ウェーハの他面側からノッチ部分に光を照射
    する第1照明手段と、 前記半導体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面
    取り面を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照
    射する第2照明手段と、 前記第1照明手段のみを点灯し、前記撮像手段からの画
    像データに基づいてウェーハのノッチ部分の形状を測定
    するノッチ形状測定モードと、前記第1照明手段および
    第2照明手段を点灯し、前記撮像手段からの画像データ
    に基づいてウェーハの面取り幅を測定する面取り幅測定
    モードと、前記第1照明手段のみを点灯し、前記ウェー
    ハステージを回転させて得られる画像データに基づいて
    ウェーハの直径を測定するウェーハ直径測定モードとに
    切り替える画像処理手段とを具備したことを特徴とする
    ウェーハ形状測定装置。
  2. 【請求項2】 少なくとも一面側の外周縁全域が面取り
    された半導体ウェーハの外周の一部に形成されたノッチ
    部分の形状とウェーハ直径を光学的に測定するウェーハ
    形状測定装置であって、 回転自在とされた半導体ウェーハ載置用のウェーハステ
    ージと、 前記ウェーハステージに載置された半導体ウェーハのノ
    ッチ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂直方向から
    撮像する撮像手段と、 前記撮像手段とノッチ部分を結ぶ撮像光路上に配置さ
    れ、半導体ウェーハの他面側からノッチ部分に光を照射
    する第1照明手段と、 前記半導体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面
    取り面を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照
    射する第2照明手段と、 前記半導体ウェーハの一側面に配置され、ウェーハの面
    取り面とウエーハ表面に対して光を照射する第3照明手
    段と、 前記第1照明手段のみを点灯し、前記撮像手段からの画
    像データに基づいてウェーハのノッチ部分の形状を測定
    するノッチ形状測定モードと、前記第1照明手段および
    第2照明手段を点灯し、前記撮像手段からの画像データ
    に基づいてウェーハの面取り幅を測定する面取り幅測定
    モードと、前記第1照明手段のみを点灯し、前記ウェー
    ハステージを回転させて得られる画像データに基づいて
    ウェーハの直径を測定するウェーハ直径測定モードと、
    前記第3照明手段のみを点灯し、前記撮像手段からの画
    像データに基づいてウェーハ表面の観察を行う観察モー
    ドとに切り換える画像処理手段とを具備したことを特徴
    とするウェーハ形状測定装置。
  3. 【請求項3】 少なくとも一面側の外周縁全域が面取り
    された半導体ウェーハの外周の一部に形成されたオリフ
    ラ部分の形状とウェーハ直径を光学的に測定するウェー
    ハ形状測定装置であって、 回転自在とされた半導体ウェーハ載置用のウェーハステ
    ージと、 前記ウェーハステージに載置された半導体ウェーハのオ
    リフラ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂直方向か
    ら撮像する撮像手段と、 前記撮像手段とオリフラ部分を結ぶ撮像光路上に配置さ
    れ、半導体ウェーハの他面側からノッチ部分に光を照射
    する第1照明手段と、 前記半導体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面
    取り面を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照
    射する第2照明手段と、 前記第1照明手段のみを点灯し、前記ウェーハステージ
    を回転させて得られる画像データに基づいてウェーハの
    オリフラ長さを測定するオリフラ測定モードと、記第1
    照明手段および第2照明手段を点灯し、前記撮像手段か
    らの画像データに基づいてウェーハの面取り幅を測定す
    る面取り幅測定モードと、前記第1照明手段のみを点灯
    し、前記ウェーハステージを回転させて得られる画像デ
    ータに基づいてウェーハの直径を測定するウェーハ直径
    測定モードとに切り替える画像処理手段とを具備したこ
    とを特徴とするウェーハ形状測定装置。
  4. 【請求項4】 少なくとも一面側の外周縁全域が面取り
    された半導体ウェーハの外周の一部に形成されたオリフ
    ラ部分の形状とウェーハ直径を光学的に測定するウェー
    ハ形状測定装置であって、 回転自在とされた半導体ウェーハ載置用のウェーハステ
    ージと、 前記ウェーハステージに載置された半導体ウェーハのオ
    リフラ部分の一面側をウェーハ表面に対して垂直方向か
    ら撮像する撮像手段と、 前記撮像手段とオリフラ部分を結ぶ撮像光路上に配置さ
    れ、半導体ウェーハの他面側からノッチ部分に光を照射
    する第1照明手段と、 前記半導体ウェーハの一面側に配置され、ウェーハの面
    取り面を照射しない角度でウェーハ表面に対して光を照
    射する第2照明手段と、 前記半導体ウェーハの一側面に配置され、ウェーハの面
    取り面とウエーハ表面に対して光を照射する第3照明手
    段と、 前記第1照明手段のみを点灯し、前記ウェーハステージ
    を回転させて得られる画像データに基づいてウェーハの
    オリフラ長さを測定するオリフラ測定モードと、前記第
    1照明手段および第2照明手段を点灯し、前記撮像手段
    からの画像データに基づいてウェーハの面取り幅を測定
    する面取り幅測定モードと、前記第1照明手段のみを点
    灯し、前記ウェーハステージを回転させて得られる画像
    データに基づいてウェーハの直径を測定するウェーハ直
    径測定モードと、前記第3照明手段のみを点灯し、前記
    撮像手段からの画像データに基づいてウェーハ表面の観
    察を行う観察モードとに切り換える画像処理手段とを具
    備したことを特徴とするウェーハ形状測定装置。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
    のウェーハ形状測定装置であって、前記撮像手段からの
    画像データに基づいて半導体ウェーハのノッチまたはオ
    リフラ部分の実画像を表示する表示手段と、前記画像処
    理手段で得られた数値データを印字出力するプリント出
    力手段とを付加したことを特徴とするウェーハ形状測定
    装置。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037138A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ノッチ検査方法およびノッチ検査装置
JP2006026845A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Nakamura Tome Precision Ind Co Ltd 面取機の工具位置の調整方法
WO2008004555A1 (fr) * 2006-07-04 2008-01-10 Nikon Corporation Dispositif d'inspection de surface
WO2008123459A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Shibaura Mechatronics Corporation 半導体ウエーハのエッジ検査装置及びエッジ検査方法
JP2009058530A (ja) * 2008-12-04 2009-03-19 Kobelco Kaken:Kk 形状測定装置,形状測定方法
JP2009115668A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Shibaura Mechatronics Corp 板状基板のエッジ検査装置
JP2012208129A (ja) * 2012-07-12 2012-10-25 Shibaura Mechatronics Corp 板状基板のエッジ検査装置
US8310536B2 (en) 2007-07-18 2012-11-13 Kobelco Research Institute, Inc. Shape measurement apparatus and shape measurement method
JP2013171042A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Kocos Automation Gmbh 薄いディスク状物体のエッジ形状の非接触決定装置
JP2014085296A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ形状測定装置
JP2014085295A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの形状測定装置
JP2014229875A (ja) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社ディスコ 加工装置
JP2016128831A (ja) * 2016-02-12 2016-07-14 株式会社東京精密 研削スリップ条痕観察装置及び研削スリップ条痕観察方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037138A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ノッチ検査方法およびノッチ検査装置
JP2006026845A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Nakamura Tome Precision Ind Co Ltd 面取機の工具位置の調整方法
WO2008004555A1 (fr) * 2006-07-04 2008-01-10 Nikon Corporation Dispositif d'inspection de surface
US8363214B2 (en) 2006-07-04 2013-01-29 Nikon Corporation Surface inspection apparatus
WO2008123459A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Shibaura Mechatronics Corporation 半導体ウエーハのエッジ検査装置及びエッジ検査方法
JP5344699B2 (ja) * 2007-03-30 2013-11-20 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体ウエーハのエッジ検査装置及びエッジ検査方法
KR101099264B1 (ko) * 2007-03-30 2011-12-26 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 가장자리 검사 장치 및 가장자리 검사 방법
US8194241B2 (en) 2007-03-30 2012-06-05 Shibaura Mechatronics Corporation Apparatus and method for inspecting edge of semiconductor wafer
US8310536B2 (en) 2007-07-18 2012-11-13 Kobelco Research Institute, Inc. Shape measurement apparatus and shape measurement method
JP2009115668A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Shibaura Mechatronics Corp 板状基板のエッジ検査装置
JP2009058530A (ja) * 2008-12-04 2009-03-19 Kobelco Kaken:Kk 形状測定装置,形状測定方法
JP4734398B2 (ja) * 2008-12-04 2011-07-27 株式会社コベルコ科研 形状測定装置,形状測定方法
JP2013171042A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Kocos Automation Gmbh 薄いディスク状物体のエッジ形状の非接触決定装置
JP2012208129A (ja) * 2012-07-12 2012-10-25 Shibaura Mechatronics Corp 板状基板のエッジ検査装置
JP2014085296A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ形状測定装置
JP2014085295A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの形状測定装置
JP2014229875A (ja) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社ディスコ 加工装置
JP2016128831A (ja) * 2016-02-12 2016-07-14 株式会社東京精密 研削スリップ条痕観察装置及び研削スリップ条痕観察方法

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