CN101375429B - 具有有机层的层结构的电子器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及包括有机层的层结构的电子器件，其中所述层结构包括在n型掺杂有机层与p型掺杂有机层之间的pn结，所述n型掺杂有机层作为掺有n型掺杂剂的有机基体材料提供，所述p型掺杂有机层作为掺有p型掺杂剂的又一有机基体材料提供，并且其中n型掺杂剂和p型掺杂剂均是分子掺杂剂，所述p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于约0V，并且所述n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于约-1.5V。

Description

具有有机层的层结构的电子器件
本发明涉及包括有机层的层结构的电子器件。
背景技术
已经提出包括有机层的层结构的电子器件用于不同目的。在这类器件中存在有机发光二极管(OLED)、有机pn二极管、有机光伏器件等。
有机电致发光(EL)器件对于显示或光源领域中的应用而言正变得日益有意义。此类有机发光器件或有机发光二极管是如果施加电位就发光的电子器件。
此类OLED的结构依次包括阳极、有机电致发光介质和阴极。位于阳极与阴极之间的电致发光介质通常由有机空穴输运层(HTL)和电子输运层(ETL)构成。光随后在其中电子和空穴复合形成激子的HTL和ETL之间的界面附近发射。这种层结构由Tang等人在“有机电致发光二极管(Organic Electroluminescent Diodes)”，Applied Physics Letters，51，913(1987)和US-A-4769292中使用，首次展示出高效率的OLED。
此后，公开了许多替代性有机层结构。一个实例是在HTL和ETL之间含有有机发光层(EML)的三层OLED，如由Adachi等人在“具有三层结构的有机薄膜中的电致发光(Electroluminescence in Organic Filmswith Three-Layer Structure)”，日本应用物理月刊(Japanese Journal ofApplied Physics)，27，L269(1988)和由Tang等人在“掺杂有机薄膜的电致发光(Electroluminescence of Doped Organic Thin Films)”，应用物理月刊(Journal of Applied Physics)，65，3610(1989)中公开的实例。EML可以由掺有客体材料的主体材料构成，然而纯粹发光层也可以由单一材料形成。该层结构随后命名为HTL/EML/ETL。进一步的开发展示了额外含有分别在EML和HTL和/或ETL之间的空穴注入层(HIL)和/或电子注入层(EIL)和/或空穴阻挡层(HBL)和/或电子阻挡层(EBL)和/或其它类型中间层的多层OLED。这些开发导致进一步改良器件性能，因为中间层将激子和电荷载流子约束于发射区内并且使在发射区和输运层的界面处的淬灭最小化。它们还可能降低从输运层至发射区的注入势垒，因此导致降低的电致发光器件工作电压。
OLED性能的进一步改良可以如EP 0498979 A1中所公开那样通过使用掺杂电荷载流子输运层而实现。
为此目的，ETL掺有电子施主如碱金属，其中HTL掺有电子受主如F4-TCNQ。这种氧化还原型掺杂作用基于掺杂剂与基体之间的电荷输运反应，释放电子(在n型掺杂的情况下)或空穴(在p型掺杂的情况下)至电荷载流子输运基体上。掺杂剂作为基体中的带电荷物质保留，在n型掺杂的情况下，电子施主带正电荷，在p型掺杂的情况下，受主掺杂剂带负电荷。
使用掺杂电荷载流子输运层的OLED常称作PIN-OLED。它们以极低工作电压位、常常接近于由发射光的波长所设定的热动力学界限为特征。
对于OLED中掺杂有机层的一个要求是在发射区中产生的激子具有高到足以产生可见光的能量。需要最高能量用于波长为400-475nm的蓝色光谱范围内的发射。为了允许此类光发射，电致发光材料需要充足带隙，该带隙接近发射光子的能量或更高。需要仔细选择HTL和ETL的能级，使得该能级与发射区匹配以避免OLED器件内额外的阻挡。
所述能级经常确定为HOMO(最高占据分子轨道)或LUMO(最低未占据分子轨道)。它们可能分别与材料的氧化电位或还原电位相关。
在这个方面，材料的氧化还原电位可以提供为相对于Fc/Fc+的电压值。Fc/Fc+指二茂铁/二茂铁鎓(ferrocenium)参考对(reference couple)。氧化还原电位可以例如通过循环伏安法在合适的溶液例如乙腈或四氢呋喃中测量。确定还原电位和二茂铁/二茂铁鎓参考对与多种参考电极的关系的循环伏安法和其它方法的细节可以在A.J.Bard等人，“电化学方法：原理和应用(Electrochemical Methods：Fundamentals andApplications)”，Wiley，第二版2000中找到。
在氧化还原型掺杂的情况下，受主或施主掺杂剂的能级也是重要的。它们可以通过电化学方法类似地确定。
用于施主掺杂剂分子的氧化强度(oxidation strength)或HOMO能级能量的替代测量法可以是紫外光电子能谱(UPS)。通过该方法，测定电离电位。必须区分该实验是否在气相或在固相中，即通过研究材料的薄膜而进行。在后一情况下，固态效应(如移除光电子后仍留存于固体中的空穴极化能)产生与气相值相比的电离电位偏移。极化能的常见值是约1eV(E.V.Tsiper等人，Phys.Rev.B 195124/1-12(2001))。
为进一步改善OLED性能如工作寿命，已经提出叠层或级联(cascade)OLED结构，其中几个单独的OLED垂直地叠层。在此类叠层的有机电致发光器件中OLED性能的改良通常归因于工作电流密度的整体减少，以及增加的工作电压，因为单个OLED连接成一排。此类设计导致有机层的较低应力，因为减少了在所述有机层中注入及输运的电流。另外，将几个OLED单元在一个器件中叠层允许在一个器件中混合不同颜色，例如旨在产生发白光的器件。
实现此类叠层或级联的有机电致发光器件例如可以通过使几个OLED垂直地叠层而完成，其中所述OLED各自独立地与电源连接并且因此能够独立地发射相同颜色或不同颜色的光。提出这种设计以在全彩色显示器或具有增加的集成密度的其它发射器件中使用(US-A-5703436、US-A-6274980)。
为了避免连接叠层器件中每个独立OLED的需要，提出替代性设计，其中使几个OLED垂直地叠层，而不分别寻址(addressing)所述单元叠层中的每个OLED。这可以例如通过在独立OLED之间布置电阻率小于0.1Ωcm的中间导电层而完成，所述中间导电层由材料如金属、金属合金或无机化合物构成(US-A-6107734、US-A-6337492)。
作为选择，代替使用导电中间层，在US2003/0189401 A1中公开了使用非导电性电荷生成层(具有不小于105Ωcm的电阻率)。
即便叠层或级联OLED的稳定工作可以利用这种导体或绝缘体中间层方法而可行，然而需要导入额外的层如薄金属。在生产工艺中，这些额外的层将产生额外的成本，尤其当这些层可能用除叠层OLED器件中其它有机层之外的不同类型的蒸发源产生时。
在EP 1478025 A2中公开了用于制造级联OLED的另一种方法。其中，使用在独立OLED之间额外中间pn结的布局(layout)被用来连接OLED单元或电致发光单元，其中所述中间pn结由每一层的电阻率超过10Ωcm的n型掺杂有机层和p型掺杂有机层形成。在该方法中，在独立OLED单元之间的界面由有机层形成，这可以在OLED制造过程中轻易地加工出来。然而，所展示的方法仍需要导入除OLED单元中所用的层之外的层。该方法的明显缺点是这样的事实，即形成pn结的有机层使用无机元素和具有低原子计数的分子进行掺杂。叠层OLED器件在工作期间发生迅速击穿，最可能的原因是掺杂剂移动。
对于叠层器件，仅提供显示适于商业应用的工作寿命的有限寿命数据。
在文献中已知某些具有稍高原子计数的分子有机掺杂剂如F4-TCNQ，这些分子有机掺杂剂可能替代无机化合物用于p型掺杂的有机电荷输运层；然而，这种方法单独没有改善叠层OLED器件的稳定性。尤其，n型掺杂作用仅可能通过用在有机层中起电子施主作用的碱金属或碱土金属掺杂有机层而实现。即便存在其中描述了使用金属盐和金属化合物的现有技术(WO 03/044829 A1)，但是在这些情况下的掺杂效果可能仅归因于释放处于不带电荷状态的金属的盐或化合物分裂。一个实例是用Cs2CO3，加热时分解释放氧、CO2和铯金属的无机盐掺杂。用金属在含有以反方向驱动的pn界面的叠层器件中进行N型掺杂因在结(junction)处的金属移动而导致迅速击穿。
在文献EP-A-1339112中，公开了电子器件中提供为包括有机层层结构的级联有机发光二极管，其中所述层结构包括在n型掺杂有机层与p型掺杂有机层之间的pn结，所述n型掺杂有机层作为掺有n型掺杂剂的有机基体材料提供，所述p型掺杂有机层作为掺有p型掺杂剂的有机基体材料提供。
制造具有稳定工作寿命的叠层或级联OLED器件需要在OLED单元之间使用中间层，如金属、其它导体或绝缘体。这些中间层有时又称作电荷生成层。
发明内容
本发明的目的是提供包括有机层的层结构的电子器件，其中该有机层结构中的pn结得以稳定化。
本发明的另一目的是提供包括简化层结构并仍具有长久工作寿命的带叠层有机电致发光单元的有机发光器件。在此方面，本发明的又一目的是提供在寿命期间具有减少的工作电压增加的带叠层有机电致发光单元的有机发光器件。
根据本发明，提供根据权利要求1的包括有机层的层结构的电子器件。本发明的有利发展在从属权利要求中公开。
本发明人惊讶地发现在有机层结构中包括pn结的有机半导体器件的长久工作寿命可以通过对pn界面处的p型及n型掺杂层使用分子掺杂剂而实现，这允许调节界面稳定性。通过使用分子掺杂剂，可以使得在用金属或小分子掺杂剂掺杂的情况下存在的退化机制最小化或甚至彻底避免。
对于根据本发明的pn结，观察到减少的退化，即器件效率在工作期间不可逆降低的倾向。
在本申请中，就术语“分子”而言，其指由掺杂剂分子中超过6个原子构成的无机或有机化合物。更有利地，形成掺杂剂分子的原子数大于20。分子掺杂剂是有机分子或无机分子，不过也可以是分子盐，即由形成盐的至少两个带电的分子性亚单元构成的盐。分子掺杂剂还可能是其中仅在构成单元之间发生部分电荷输运的电荷输运络合物。在这两种情况下，形成分子盐或分子电荷输运络合物的至少一个亚单元也满足以上定义，即原子计数大于6。优选地，在本发明的一个实施方案中，形成分子盐或分子电荷输运络合物的全部亚单元满足以上定义，即原子计数大于6。
掺杂分子优选地不包括碱金属，因为碱金属极易在输运层内扩散，这极大地限制寿命和热稳定性。
P型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于约0V，并且n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于约-1.5V。
在本发明的优选实施方案中，p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于约0.18V，优选地相对于Fc/Fc+等于或大于约0.24V。在本发明的又一优选实施方案中，n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于约-2.0V，优选地相对于Fc/Fc+等于或小于约-2.2V。
用于施主掺杂剂分子的氧化强度的替代测量法可以是紫外光电子能谱(UPS)。若通过该方法测量，施主掺杂剂的电离电位在固态中测量时等于或小于约5.5eV，优选地等于或小于约5eV，优选地等于或小于约4.8eV。若在气相中测量，施主掺杂剂的电离电位等于或小于约4.5eV，优选地等于或小于约4eV，更优选地等于或小于约3.8eV。这些值对应于在高动能侧的光发射开始，即最弱的结合光电子。
提出的pn结也有益于叠层有机光伏器件，因为开路电压可能增加至n倍光子能量的最大值。此外，在现有有机光伏器件中，仅少于50％的入射光被吸收在光敏层内。光伏器件的叠层因此允许收获超过50％的入射光，原因在于叠层中存在多于一层的光敏层。
此类pn结的另一种应用是在有机pn二极管当中，其中p型掺杂有机层和n型掺杂有机层的费米能级的巨大差异产生更大的空间电荷区和更大的耗竭带。这将在反偏压工作(reverse-bias operation)下导致较低的生成电流和较高的击穿电压。为了一级近似(to a firstapproximation)，p型掺杂层的费米能级由受主掺杂剂的电子亲和力决定，而n型掺杂层的费米能级由施主掺杂剂的电离电位决定。
显而易见，对于两个提及的实施方案，所希望的是长期稳定性，尤其当施加反向偏压(backward bias)时。这些实例不限制本发明中所述pn结构造的用途。
若电子从电极注入p型掺杂输运层并且空穴从另一个电极注入n型掺杂输运层，则将反向偏压或反向电压施加至pn结。若所述pn结未夹在电极之间，则在这种情况下给予反向操作，其中施加这样的场使得负电荷从所述结的p型掺杂层移动至该结的n型掺杂层并且正电荷沿相反方向移动。
在分子掺杂电荷载流子输运层的情况下，优选地分别通过掺杂剂的高分子量(＞300g/mol)及高原子计数的化合物确保掺杂剂的固定，防止掺杂剂移动至n型掺杂层或p型掺杂层。
此外，找到了pn结所用的基体材料的玻璃化转变温度(Tg)对于器件稳定性的有益作用。该基体材料优选地由具有大于约75℃，优选大于约100℃，更优选大于约120℃的Tg的材料构成。这个值对掺杂剂迁移率是重要因素；较高的Tg值导致掺杂剂在有机电荷载流子输运层中更牢固的固定。
在PIN-OLED单元之间结处的pn界面的整体稳定性取决于基体的Tg和掺杂剂的尺寸。由较小掺杂剂在具有高Tg的基体中构成的系统可能比由较大尺寸的分子掺杂剂在具有较低Tg的输运基体内构成的系统稳定性更低。
还发现若形成pn结的掺杂层的热稳定性增加，则所述电子器件的稳定性增加。掺杂层的热稳定性可以通过以一个加热速率例如1K/分钟加热掺杂层及监测该层的电导率而测量。对于任何半导体，电导率在加热期间增加。在某个温度(击穿温度)下，电导率因掺杂层的形态活动而再次下降。已经发现基体优选地由具有大于约75℃，优选大于约100℃击穿温度的材料构成。击穿温度随基体材料的Tg和掺杂剂分子的原子计数而增加。
对掺杂剂分子稳定性的另一种量度是其蒸气压。作为一般原则，在某温度下的蒸气压随化合物的原子计数增加而降低。这对于具有高度极性的共轭分子尤其如此。范德华力导致分子强相互作用，需要更多能量以蒸发。相同的范德华力导致掺杂剂分子在基质材料中的强相互作用，引起掺杂剂在掺杂层中的固定。因此，掺杂剂分子的低蒸气压可能有益于掺杂层和用所述掺杂层形成的结的稳定性。
在众多情况下，难以确定分子化合物的蒸气压。在这种情况下，可以使用蒸发温度作为与蒸气压相关的量度。术语蒸发温度是指这样的温度，其中必须将掺杂剂分子在蒸发源中加热至所述温度以便在蒸发源上方的基材平面(substrate place)位置处具有目标沉积速率。沉积速率R可以书写为
R = M 2 πkT ρ 2 P e A 4 π r 2
其中M是所蒸发化合物的摩尔质量，k是玻尔兹曼常数，T是蒸发源温度，ρ是膜的密度，P是蒸气压，A是蒸发源面积，r是蒸发源与基材平面的距离。
在优选的实施方案中，当距离r是约50cm并且蒸发源的面积是3.8cm2时，可以使用在约120℃或更高的蒸发温度、优选约140℃或更高的温度下具有沉积速率0.005nm/秒的掺杂剂来制造稳定pn结。优选低蒸气压，即高蒸发温度，以便在制造过程中导致pn结进一步稳定化。这是因为具有高挥发性的掺杂剂分子将造成毗邻层，尤其pn结的毗邻掺杂层的污染，这归因于加工室中挥发性掺杂剂的高背景压力。
若这种材料可以由分子掺杂剂进行p型掺杂和n型掺杂，则在pn界面处的输运基体材料也可以由同种材料构成。
在本发明的优选实施方案中，提供有机发光器件，其中在一个实施方案中，有机发光器件包括阳极、阴极和多个m(m＞1)分别包括电致发光区(EML)的有机电致发光单元(3.1、…、3.m)，其中有机电致发光单元在所述阳极与阴极之间相互以叠层或倒置叠层提供，并且其中pn结提供在毗邻有机电致发光单元之间的界面处。
在本发明的又一优选实施方案中，对于m＞2：
-至少不毗邻于阳极(2)或阴极的有机电致发光单元(3.2，……，3.m-1)包括作为p型掺杂空穴输运层的p型掺杂有机层、作为n型掺杂电子输运层的n型掺杂有机层、和在p型掺杂空穴输运层与n型掺杂电子输运层之间形成的电致发光区；
-在叠层或倒置叠层中，第k(2≤k≤m-2)个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层直接继之以第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层，由此提供第k个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层与第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层之间的直接接触；并且
-第一个有机电致发光单元(3.1)包括与第二个有机电致发光单元(3.2)的p型掺杂空穴输运层接触的n型掺杂电子输运层，并且第m个有机电致发光单元(3.m)包括与第(m-1)个有机电致发光单元(3.m-1)的n型掺杂电子输运层接触的p型掺杂空穴输运层。
优选地，对于m＝2：
-第一个电致发光单元(3.1)包括作为n型掺杂电子输运层的n型掺杂有机层；
-第二个电致发光单元(3.2)包括作为p型掺杂空穴输运层的p型掺杂有机层；并且
-第一个电致发光单元(3.1)的n型掺杂电子输运层与第二个有机电致发光单元(3.2)的p型掺杂空穴输运层接触，由此提供在这两个毗邻有机电致发光单元(3.1、3.2)之间的pn结。
叠层有机电致发光单元(又称作OLED单元)的方法具有相对于现有技术已知其它方法的进一步优势，因为单元可以相互地直接层压而无需额外中间层。
在优选的实施方案中。m个有机电致发光单元中至少一个单元进一步包括下列层：空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)、在p型掺杂空穴输运层与电致发光区之间的中间层、和在n型掺杂电子输运层与电致发光区之间的又一中间层。
pn结的p型和/或n型掺杂的输运层还可以独立地由至少2层构成以便进一步使pn界面稳定化。尤其对于叠层PIN-OLED，若稳定输运基体显示在电磁波谱的可见光范围内的某些吸收，则这是有利的。这对于白色叠层OLED尤其如此，其中需要在广谱范围上的发射。在这种情况下，使用二层构造允许使界面稳定化，同时使吸收损失最小化，因为稳定化层可以制造得非常薄。
应当理解本发明可以用于叠层PIN-OLED，其中对于不同单元的p型和/或n型掺杂层，使用不同的基体和/或掺杂剂材料。这在叠层多色器件的情况下尤其有益，其中对于独立OLED单元的最佳性能，需要不同能级的输运层。
若更稳定的电荷载流子输运基体比稳定性更低的替代材料更昂贵，则单元的p型或n型掺杂输运层的此类多层构造的另一个优势是降低成本。例如，若使用具有稀有金属或贵金属如铱或铂核心原子的金属络合物，则材料成本将因合成原材料的成本而必定高昂。即便在所述材料以大量生产方式制造时也是如此，而对于标准有机材料而言，大量生产通常导致显著的成本降低。在这种情况下，使用2层构造允许通过最小化由昂贵、稳定材料所形成层的厚度而降低成本。多层结构的另一个优势是可以在结的附近降低p型掺杂层和n型掺杂层的掺杂浓度以产生更宽广的空间电荷区并且由此产生更好的p-n二极管整流作用。其它毗邻层的掺杂浓度可以以如此方式选择使得电导率高到足以减少欧姆损耗。
若器件以AC电压或反向电压脉冲工作，则可能更有益于该器件寿命。向所述器件施加逆向电场(reverse field)将迫使带电掺杂剂离子反向移动，这可以部分地延缓或甚至终止退化掺杂剂移动机制。
还发现pn结的进一步稳定性受掺杂剂浓度影响。对于p型掺杂剂和n型掺杂剂的某些浓度组合，观察到进一步稳定化作用，这可能归因于不同类型掺杂剂之间的盐的形成，抑制了掺杂剂移动。
本发明优选实施方案的描述
以下将例如参考不同实施方案而更详细地描述本发明。在图中显示：
图1包括pn结的电子器件的示意图；
图2对图1中电子器件，电流对电压的图示；
图3带叠层有机电致发光单元的发光器件的示意图；
图4在图3中的发光器件内使用的有机电致发光单元的示意图；
图5a，5b对于根据实施例1(常规)的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图6a，6b对于根据实施例2的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图7a，7b对于根据实施例3的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图8a，8b对于根据实施例4(常规)的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图9a，9b对于根据实施例5的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图10a，10b对于根据实施例6的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；和
图11a，11b对于根据实施例7的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
参考图1，示意性地描绘了在阳极12和阴极13之间提供的两层有机层10、11的结构，其中阳极12由铟锡氧化物(ITO)制成，阴极13由铝制成。这两层有机层10、11形成有机pn结。图2显示夹在ITO阳极12和铝阴极13之间的包括p型掺杂空穴输运层和n型掺杂电子输运层的这个有机pn结的电流-电压特性。
有机层10、11和金属在压力10-7毫巴的超高真空系统中真空不中断时，通过热蒸发法沉积在已构图并预清洁的ITO涂布玻璃基材上。沉积速率和沉积层厚度通过使用石英晶体厚度监控仪进行控制。在电极12、13之间的pn结面积是6.35mm2。有机层10由45nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴制成，因而提供p型掺杂空穴输运层。另一有机层11由45nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合(pyrimidinato))二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉制成，因而提供n型掺杂电子输运层。这是有机pn结。
图2显示对图1中电子器件的电流对电压的图示。在-3V电压的反向工作下，测量到0.3mA电流。在+3V电压的正向工作下，电流是8mA。因此，在±3V极低电压下观察到几乎30的整流比。整流比在更高电压下进一步增加。
参考图3，发光器件包括m(m＞1)个电致发光单元：
1.基材，
2.基电极，空穴注入阳极，
3.1第一个电致发光单元，
3.2第二个电致发光单元，
……
3.m  第m电致发光单元，
4.   上电极，电子注入阴极，
其中每个电致发光单元至少具有更接近于所述阳极的p型掺杂空穴输运层、更接近所述阴极的n型掺杂电子输运层和介于二者之间的电致发光层(图3和图4)。
通常，无论阴极和阳极处于叠层中的哪个位置，p型掺杂的空穴输运层都更接近于阳极并且n型掺杂的电子输运层都更接近于阴极。在该实施方案中，对于m＞2：
-至少不毗邻于阳极(2)或阴极的有机电致发光单元(3.2，……，3.m-1)包括作为p型掺杂空穴输运层的p型掺杂有机层、作为n型掺杂电子输运层的n型掺杂有机层、和在p型掺杂空穴输运层与n型掺杂电子输运层之间形成的电致发光区；
-在叠层或倒置叠层中，第k(2≤k≤m-2)个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层直接继之以第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层，由此提供第k个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层与第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层之间的直接接触；并且
-第一个有机电致发光单元(3.1)包括与第二个有机电致发光单元(3.2)的p型掺杂空穴输运层(HTL)接触的n型掺杂电子输运层，并且第m个有机电致发光单元(3.m)包括与第(m-1)有机电致发光单元(3.m-1)的n型掺杂电子输运层接触的p型掺杂空穴输运层。
额外的层如电子或空穴阻挡层或中间层可以在电致发光单元中应用以改善效率。在一个实施方案中，基电极可以起到基材的作用。
通过本发明，优化了分别在毗邻n型掺杂电子输运层和p型掺杂空穴输运层之间的界面的稳定性。在OLED中，基电极与毗邻于该基电极的电致发光单元之间的界面以及在毗邻于上电极的第m个电致发光单元与所述上电极之间的界面可以以不同方式形成，以便优化与导电电极相对的有机层界面。例如，已知在ITO电极顶部的氟化碳中间层(CFx)改善与毗邻空穴输运层相对的界面的稳定性。作为另一个实例，LiF或低功函数材料可以改善从上电极至毗邻电子输运层的注入。此类有益的中间层可以与本发明一起使用。
参考图5至11提出下列实施例，以进一步理解本发明。在不同发光器件中使用的材料是展示常规发光器件和本发明优选实施方案中层布局的举例材料。有机层和金属在压力10-7毫巴(基础压力)的超高真空系统中真空不中断下，通过热蒸发法沉积在在已构图并预清洁的铟锡氧化物(ITO)涂布玻璃基材上。沉积速率和沉积层厚度通过使用石英晶体厚度监控仪进行控制。
在下文中描述的器件包括包括阳极、阴极和直接相互叠层的多个m(3.1、……、3.m；m≥2)个有机电致发光单元，形成级联有机电致发光器件。不与所述电极毗邻的有机电致发光单元(OLED单元)至少包括p型掺杂空穴输运层、电致发光层和n型掺杂电子输运层。n型掺杂电子输运层包含掺有分子施主型物质的有机主体材料并且p型掺杂空穴输运层包含掺有分子受主型物质的有机主体材料。
所述有机电致发光单元还可以在EML和HTL和/或ETL之间包括额外的空穴注入层和/或电子注入层和/或空穴阻挡层和/或电子阻挡层和/或其它类型中间层。
存在可以在电致发光单元中作为发光层使用的现有技术已知的众多有机多层发光层结构。电致发光层可以由含有一种或多种有机主体材料和一种或多种荧光性或磷光性电致发光发射体材料的一个或多个连续层构成。
电致发光层可以由有机小分子或由有机聚合物形成。
m个OLED单元以这样的方式相互连续地叠层，即第k个单元(0＜k＜m)的n型掺杂电子输运层直接继之以第(k+1)个单元的p型掺杂空穴输运层，而无任何额外的中间层。
实施例1(常规)
根据实施例1，用于常规发光器件的结构提供如下：
1.1  50nm掺有2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
1.2  10nm NPB(中间层)；
1.3  20nm螺-DPVBI；
1.4  10nm Bphen；
1.5  45nm掺有Cs的Bphen(n型掺杂电子输运层)；
1.6  50nm掺有2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
1.7  10nm NPB(中间层)；
1.8  20nm螺-DPVBI；
1.9  10nm Bphen；
1.10  20nm掺有Cs的Bphen(n型掺杂电子输运层)；
1.11  100nm铝(反射阴极)。
这是蓝色叠层PIN-OLED，其中层1.1至1.5构成第一个PIN-OLED单元并且层1.6至1.10构成第二个PIN-OLED单元。该器件在9.7V下达到亮度1000cd/m2，电流效率为8.8cd/A。
图5a和5b显示根据实施例1的常规发光器件的寿命特性。在相同基材上的四个接触件在DC工作中在不同电流密度上被驱动。驱动电压对时间的特性显示出对于该器件工作期间的驱动电流所需要的正向电压极陡增加。在大约30V下，测量装置达到其电压极限，这可以视作亮度对时间曲线中的亮度击穿。
根据实施例1的常规发光器件包括使用Cs作为元素金属n型掺杂剂的常规pn结构造。还可用清楚地看到，该器件的性能在工作期间发生迅速击穿。即便在相对低的5mA/cm2电流密度下，该器件工作短于50小时。
实施例2
根据实施例2，用于发光器件的结构提供如下：
2.1  50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴作为p型掺杂空穴输运层；
2.2  10nm NPB作为中间层，
2.3  20nm螺-DPVBI；
2.4  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
2.5  45nm掺有5摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉作为n型掺杂电子输运层；
2.6  50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴作为p型掺杂空穴输运层；
2.7  10nm NPB作为中间层，
2.8  20nm螺-DPVBI；
2.9  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
2.10  20nm掺有5摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉作为n型掺杂电子输运层；
2.11  100nm铝作为反射阴极。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的蓝色叠层PIN-OLED，其中层2.1至2.5构成第一个PIN-OLED单元并且层2.6至2.10构成第二个PIN-OLED单元。该器件在8.7V下达到亮度1000cd/m2，电流效率11.5cd/A。
图6a和6b显示该器件的寿命特性。在相同基材上的四个OLED接触件在DC工作中在不同电流密度上被驱动。分子掺杂器件的电压增加相对于使用Cs掺杂的器件(实施例1)而言更平坦。对于最低驱动电流密度5mA/cm2而言，在550小时后达到寿命测量装置的电压极限，这是Cs掺杂样品的10倍长。
实施例3
根据实施例3，用于发光器件的结构提供如下：
3.1 75nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
3.2  10nm NPB(中间层)；
3.3  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
3.4  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
3.5  60nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
3.6  45nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
3.7  10nm NPB(中间层)；
3.8  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
3.9  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
3.10  65nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
3.11  100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色叠层PIN-OLED，其中层3.1至3.5构成第一个PIN-OLED单元并且层3.6至3.10构成第二个PIN-OLED单元。该器件在6.6V下达到亮度1000cd/m2，电流效率61.2cd/A。
图7a和7b显示该器件的寿命特性。在相同基材上的四个OLED接触件在DC工作中在不同电流密度下被驱动。对于最高电流密度30mA/cm2而言，在大约120小时后达到该测量装置的电压极限，在该实施例中的22V。对于较低的电流密度，在测量的前300小时范围内达不到该电压极限。
实施例4(常规)
根据实施例4，用于常规发光器件的结构提供如下：
4.1  50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
4.2  10nm NPB(中间层)；
4.3  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
4.4  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
4.5  65nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(n型掺杂电子输运层)；
4.  100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色PIN-OLED。该器件在2.97V下达到亮度1000cd/m2，电流效率16.4cd/A。图8a和8b显示该器件的寿命特性。在相同基材上的四个OLED接触件在DC工作中在不同电流密度上被驱动。
图8a显示该器件的寿命，其估计在1000cd/m2初始亮度下是11000小时。用于驱动在寿命测量期间所施加电流所需的正向电压示于图8b。驱动电压的增加直至器件亮度衰减50％时小于10％，这是极小的值。
实施例5
根据实施例5，用于发光器件的结构提供如下：
5.1  50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
5.2  10nm NPB(中间层)；
5.3  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
5.4  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
5.5  65nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(n型掺杂电子输运层)；
5.6  60nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(p型掺杂空穴输运层)；
5.7  10nm NPB(中间层)；
5.8  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
5.9  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
5.10  60nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
5.11  100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色叠层PIN-OLED，其中层5.1至5.5构成第一个PIN-OLED单元并且层5.6至5.10构成第二个PIN-OLED单元。该器件在5.70V下达到亮度1000cd/m2，电流效率37.1cd/A。这超过对比实施例4中所公开器件的电流效率2倍，然而，达到1000cd/m2亮度所需的工作电压低于两倍。因此，这种叠层OLED的工作参数甚至比非叠层参考器件的工作参数更好。
图9a和9b显示该器件的寿命特性。在相同基材上的四个OLED接触件在DC工作中在不同电流密度上被驱动。图9a显示该器件的寿命，其估计在1000cd/m2初始亮度上是17000小时。用于驱动在寿命测量期间所施加电流所需的正向电压示于图9b。驱动电压的增加直至器件亮度衰减50％时小于10％，这对于OLED是极小的值。
实施例5的器件表明，与非叠层的参考器件相比，叠层产生延长的寿命。
此外，使用Tg＞120℃的的铱(III)三(1-苯基异喹啉)作为所述分子掺杂剂的电荷载流子输运基体材料，导致显著改进pn界面稳定性以及改进掺杂膜的稳定性。可以通过该方法降低工作电压的增加至与非叠层OLED相同的水平，因此，器件的寿命不再受限于pn界面的退化。因此可以进行不使用中间层而直接地使PIN-OLED在其上面相互叠层，而不存在涉及效率或寿命的器件性能损失。
实施例6
根据实施例6，用于发光器件的结构提供如下：
6.1  50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
6.2  10nm NPB(中间层)；
6.3  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
6.4  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
6.5  30nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
6.6  30nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(n型掺杂电子输运层)；
6.7  30nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(p型掺杂空穴输运层)；
6.8  30nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
6.9  10nm NPB(中间层)；
6.10  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
6.11  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
6.12  60nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
6.13  100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色叠层PIN-OLED，其中层6.1至6.6构成第一个PIN-OLED单元并且层6.7至6.12构成第二个PIN-OLED单元。第一个OLED单元的n型掺杂电荷载流子输运层由两层构成，而第二个OLED单元的p型掺杂电荷载流子输运层也由两层构成。在两个PIN-OLED单元界面处的p型掺杂的和n型掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层厚度总计60nm。该器件在5.49V下达到亮度1000cd/m2，电流效率54.4cd/A。
图10a显示该器件的寿命，其估计在1000cd/m2初始亮度下是大约50000小时。用于驱动在寿命测量期间所施加电流所需的正向电压示于图10b。驱动电压的增加直至器件亮度衰减50％时小于10％，这对于OLED是极小的值。
实施例7
根据实施例7，用于发光器件的结构提供如下：
7.1  50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
7.2  10nm NPB(中间层)；
7.3  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
7.4  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
7.5掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的55nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
7.6  5nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(n型掺杂电子输运层)；
7.7  5nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(p型掺杂空穴输运层)；
7.8  55nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
7.9  10nm NPB(中间层)；
7.10  20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
7.11  10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
7.12  60nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉作为n型掺杂电子输运层；
7.13  100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色叠层PIN-OLED，其中层7.1至7.6构成第一个PIN-OLED单元并且层7.7至7.12构成第二个PIN-OLED单元。第一个OLED单元的n型掺杂电荷载流子输运层由两层构成，而第二个OLED单元的p型掺杂电荷载流子输运层也由两层构成。在两个PIN-OLED单元的界面处的p型掺杂的和n型掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层厚度总计10nm。该器件在5.66V下达到亮度1000cd/m2，电流效率54.5cd/A。
图11a显示该器件的寿命，其估计在1000cd/m2初始亮度下是大约50000小时。用于驱动在寿命测量期间所施加电流所需的正向电压示于图11b。驱动电压的增加直至器件亮度衰减50％时小于10％，这对于OLED是极小的值。
可以看到，与样品号八相比，显著减少在两个PIN-OLED单元界面处的p型掺杂和n型掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层的厚度没有造成器件性能下降，其中p型掺杂和n型掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层在该器件的两个PIN-OLED单元之间的界面具有60nm总厚度。
减少掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层的厚度有益于使发光器件内发射的光的吸收损耗最小化，此外，掺杂铱(III)三(1-苯基异喹啉)层的厚度减少可能导致在大量生产该器件中的成本降低。
本说明书、权利要求书和/或附图中公开的特征可以是单独或以其各种组合采用的用于在各个实施方案中实现本发明的材料。

Claims (22)

1.一种电子器件，其包括有机层的层结构，其中所述层结构包括在n型掺杂有机层与p型掺杂有机层之间的pn结，所述n型掺杂有机层作为掺有n型掺杂剂的有机基体材料提供，所述p型掺杂有机层作为掺有p型掺杂剂的又一有机基体材料提供，并且其中所述n型掺杂剂和所述p型掺杂剂均是分子掺杂剂，其特征在于
-所述p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于0V，
-所述n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于-1.5V，和
-所述n型掺杂剂的蒸发温度和所述p型掺杂剂的蒸发温度中的至少一个高于120℃。
2.根据权利要求1的电子器件，其中所述n型掺杂剂的分子量和/或所述p型掺杂剂的分子量大于300g/mol。
3.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于0.18V。
4.根据权利要求3的电子器件，其中所述p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于0.24V。
5.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于-2.0V。
6.根据权利要求5的电子器件，其中所述n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于-2.2V。
7.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述基体材料的玻璃化转变温度(Tg)和/或又一基体材料的玻璃化转变温度(Tg)等于或大于75℃。
8.根据权利要求7的电子器件，其中所述基体材料的玻璃化转变温度(Tg)和/或又一基体材料的玻璃化转变温度(Tg)等于或大于100℃。
9.根据权利要求8的电子器件，其中所述基体材料的玻璃化转变温度(Tg)和/或又一基体材料的玻璃化转变温度(Tg)等于或大于120℃。
10.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述基体材料和又一基体材料由相同材料制成。
11.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述n型掺杂有机层提供为多层结构。
12.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述p型掺杂有机层提供为多层结构。
13.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述层结构提供在有机发光器件中。
14.根据权利要求13的电子器件，其中所述有机发光器件包括阳极(2)、阴极(4)和多个分别包括电致发光区(EML)的有机电致发光单元3.1、……、3.m；其中m≥2，其中所述有机电致发光单元在阳极(2)与阴极(4)之间相互以叠层或倒置叠层提供，并且其中所述pn结提供在毗邻有机电致发光单元之间的界面处。
15.根据权利要求14的电子器件，其中对于m＞2：
-至少不毗邻于阳极(2)或阴极(4)的有机电致发光单元3.2，……，3.m-1包括作为p型掺杂空穴输运层(HTL)的p型掺杂有机层、作为n型掺杂电子输运层(ETL)的n型掺杂有机层、和在p型掺杂空穴输运层(HTL)与n型掺杂电子输运层(ETL)之间形成的电致发光区(EML)；
-在叠层或倒置叠层中，第k个有机电致发光单元3.k的n型掺杂电子输运层(ETL)直接继之以第k+1个有机电致发光单元3.k+1的p型掺杂空穴输运层(HTL)，由此提供第k个有机电致发光单元3.k的n型掺杂电子输运层(ETL)与第k+1个有机电致发光单元3.k+1的p型掺杂空穴输运层(HTL)之间的直接接触，其中2≤k≤m-2；并且
-第一个有机电致发光单元3.1包括与第二个有机电致发光单元3.2的p型掺杂空穴输运层(HTL)接触的n型掺杂电子输运层(ETL)，并且第m个有机电致发光单元3.m包括与第m-1个有机电致发光单元3.m-1的n型掺杂电子输运层(ETL)接触的p型掺杂空穴输运层(HTL)。
16.根据权利要求14的电子器件，其中对于m＝2：
-第一个电致发光单元3.1包括作为n型掺杂电子输运层(ETL)的n型掺杂有机层；
-第二个电致发光单元3.2包括作为p型掺杂空穴输运层(HTL)的p型掺杂有机层；并且
-第一个电致发光单元3.1的n型掺杂电子输运层(ETL)与第二个有机电致发光单元3.2的p型掺杂空穴输运层(HTL)接触，由此提供这两个毗邻有机电致发光单元3.1、3.2之间的pn结。
17.根据权利要求14的电子器件，其中所述有机电致发光单元3.1、……、3.m；3.1、3.2的至少一个进一步包括以下层的至少一层：空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)、在p型掺杂空穴输运层与电致发光区之间的中间层、和在n型掺杂电子输运层与电致发光区之间的又一中间层。
18.根据权利要求14的电子器件，其中对于所述有机电致发光单元3.1、……、3.m；3.1、3.2的至少一个，所述电致发光区由有机层的多层结构形成。
19.根据权利要求14的电子器件，其中对于所述有机电致发光单元3.1、……、3.m；3.1、3.2的至少一个，所述电致发光区由小分子材料和/或由有机聚合物形成。
20.根据权利要求14的电子器件，其中所述有机电致发光单元3.1、……、3.m；3.1、3.2发射波长不同的光。
21.根据权利要求20的电子器件，其中由多个有机电致发光单元3.1、……、3.m；3.1、3.2发射白光。
22.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述n型掺杂剂的蒸发温度和所述p型掺杂剂的蒸发温度中的至少一个高于140℃。
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