CN100477873C - 发光元件及发光装置 - Google Patents

发光元件及发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN100477873C
CN100477873C CNB2004800194016A CN200480019401A CN100477873C CN 100477873 C CN100477873 C CN 100477873C CN B2004800194016 A CNB2004800194016 A CN B2004800194016A CN 200480019401 A CN200480019401 A CN 200480019401A CN 100477873 C CN100477873 C CN 100477873C
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
emitting component
emitting
electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2004800194016A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1820552A (zh
Inventor
笠间泰彦
表研次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ideal Star Inc
Original Assignee
Ideal Star Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ideal Star Inc filed Critical Ideal Star Inc
Publication of CN1820552A publication Critical patent/CN1820552A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100477873C publication Critical patent/CN100477873C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211Fullerenes, e.g. C60
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

作为构成显示装置及照明装置上使用的有机EL发光元件的发光膜的电子输送层或电子注入层,通常使用的掺杂有碱金属的有机材料存在以下问题:由于碱金属非常活泼,容易形成氢氧化物,所以对生产过程控制要求非常严格,同时也需要使发光元件及发光装置达到完全密封,另外,发光元件寿命不够长。作为构成有机EL发光元件的发光膜的电子输送层或电子注入层,使用内包碱金属富勒烯或掺杂有碱金属内包富勒烯的有机材料。内包碱金属的富勒烯或掺杂有内包碱金属的富勒烯的有机材料不易与大气中的水分及其他杂质发生反应,使生产过程控制变得容易,同时,即使采用简易的封装结构,也能够充分延长发光元件的寿命。

Description

发光元件及发光装置
技术领域
本发明涉及显示装置或照明装置等装置中使用的以有机EL作为发光材料的发光元件及发光装置。
背景技术
非专利文献1:AMD应用注释第一卷(2002,12月)P1-P19,关于OLED的碱金属扩散(AMD Application Note Vol.1Dec.,2002,P1--19,AlkaliMetal Dispenser for OLED)。
专利文献1:特开2001-6878号公报,薄膜EL元件及其驱动方法。
目前,以薄型、平板为特点的液晶显示器、等离子显示器等各种显示装置作为替代显像管的显示装置得到广泛普及。并且在近几年,使用有机EL的显示装置的研究、开发也取得快速的进展,此项研究作为下一代显示装置的有力候补者而备受注目。有机EL是利用场致发光将电能转换为光能,所以几乎不产生热量,耗电低。此外,与液晶显示器不同,具有能够不受视觉角度限制地保持清晰图像的特点。
图8是现有发光元件的剖面图。现有发光元件是在玻璃基板101上依次层叠阳极102、空穴注入层103、空穴输送层104、发光层105、电子输送层106、电子注入层107、阴极108而形成的。在阳极,作为功函数高的透明电极材料,使用ITO(Indium Tin Oxide);阴极使用功函数低的铝。发光层105使用Alq3、NPB等低分子类有机EL,和PPV、聚(3-烷基噻吩)等高分子类有机EL。为了提高无机材料的阴极和阳极与有机材料的发光层的接合性,通常在发光层和阳极之间插入空穴输送层和空穴注入层,通过在发光层和阴极之间插入电子输送层和电子注入层,使发光元件具有多层结构。目前,作为空穴输送层和空穴注入层的材料,使用TPD、PEDOT等有机材料,而作为电子输送层和电子注入层的材料,使用掺杂有碱金属的有机材料。阴极界面上的有机层中,因掺杂了碱金属而产生有机分子的自由基阴离子,在施加电场时这些阴离子作为内部载体起作用,从而降低有机EL的驱动电压(非专利文献1)。
但是,掺杂有碱金属的有机材料(用于电子输送层和电子注入层)存在碱金属的反应性高、易于形成氢氧化物的问题。因此,存在以下问题:在发光元件的制造过程中,必须严格控制,避免掺杂有碱金属的有机材料或形成的薄膜与大气中的水分子以及其他杂质发生反应;必须将发光元件或发光装置完全密封,避免制成的发光元件内漏入外界气体,与水蒸气等发生反应等。因此,制作长寿命的发光元件并非易事。
此外,作为电子输送层,已知所使用的EL元件含有C60、C70等空腔富勒烯的材料(专利文献1)。但是,空腔富勒烯的电子亲和力较小,电子注入效率差,因此存在发光效率不高的问题。
发明内容
本发明的目的是制作易于控制发光元件的制造过程、发光元件或发光装置的密封简便、发光效率高、寿命长的发光元件。
解决课题的方法
电子输送层或电子注入层中使用的材料是内包碱金属的富勒烯类或掺杂有内包碱金属的富勒烯类的有机材料。
本发明(1)涉及一种发光元件,上述发光元件包含阳极、发光层、以及阴极,且在阴极与发光层之间存在电子注入层和/或电子输送层,其特征为,电子注入层和/或电子输送层中的至少一层由内包碱金属的富勒烯类或掺杂有内包碱金属的富勒烯类的有机材料构成。
此处,“电子输送层”是指将电子从阴极输送到发光层,阻止来自阳极侧的空穴进入阴极。所谓“电子注入层”是指使电子顺利地从阴极进入输送层(如没有输送层即指发光层)的层。需要说明的是只要具备上述机能,即使标号不同,也都属于本说明书所称的“电子输送层和/或电子注入层”。因此,例如存在具有上述两种机能的单一层的情况下,该层就相当于“电子输送层及电子注入层”。
本发明(2)涉及上述发明(1)所述的发光元件,其中,电子输送层为内包碱金属的富勒烯类或掺杂有内包碱金属的富勒烯类的有机材料。
本发明(3)涉及上述发明(1)或发明(2)所述的发光元件,其中,在阳极和发光层之间存在空穴注入层和/或空穴输送层。
本发明(4)涉及一种发光装置,其中,包括多个上述发明(1)~(3)之一所述的发光元件,这些发光元件配置成阵列状或矩阵状。
本发明(5)是包含上述发明(4)所述的发光装置的显示装置。
本发明(6)是包含上述发明(4)所述的发光装置的照明装置。
1.内包碱金属的富勒烯类又称碱金属内包富勒烯类,将碱金属包合在作为球形碳簇的富勒烯中,因此、用碱金属内包富勒烯类或掺杂有碱金属内包富勒烯类的有机材料形成的电子输送层或电子注入层,不易与大气中的水分或其他杂质发生反应。因此,生产管理变得容易,发光元件或发光装置的密封也可采用较简易的封装构造,进而能提高发光元件的寿命。
2.碱金属内包富勒烯类或掺杂碱金属内包富勒烯类的有机材料与掺杂有碱金属的有机材料相比,电子迁移率大,能提高发光元件的发光效率。另外,由于发光元件的内部阻力变小,能够采用低电压驱动。
3.碱金属内包富勒烯类或掺杂有碱金属内包富勒烯类的有机材料与空腔富勒烯相比,电子亲和力大,所以电子注入效率高,发光效率高。
附图说明
图1是本发明的第一具体例涉及的发光元件的剖面图。
图2是本发明的第二具体例涉及的发光元件的剖面图。
图3是本发明的第三具体例涉及的发光元件的剖面图。
图4是本发明的第四具体例涉及的发光元件的剖面图。
图5是本发明的第五具体例涉及的发光元件的剖面图。
图6是本发明的第六具体例涉及的发光元件的剖面图。
图7(a)是本发明的第七具体例涉及的发光元件的剖面图,(b)是表示本发明的第七具体例涉及的发光元件的电路标示。
图8是现有发光元件的剖面图。
图9是该最佳方案的无源驱动方式的发光装置的平面图。
图10(a)是该最佳方案的有源驱动方式的发光装置的平面图,(b)是该最佳方案的有源驱动方式的发光装置的电路图。
图11是本发明的第八具体例涉及的发光元件的剖面图。
附图标记说明
1,17,25,32,38,48,59,101:玻璃基板。
9:塑料基板。
2,10,18,26,33,53,60,102:阳极。
3,11,19,27,42,51,103:空穴注入层。
4,12,20,28,34,43,52,104:空穴输送层。
5,13,21,29,35,54,44,61,105:发光层。
6,14,22,36,45,55,62,106:电子输送层。
7,15,23,30,46,56,107:电子注入层。
8,16,24,31,37,57,63,108:阴极。
39:源电极。
40:半导体。
41,49:栅电极。
47:漏电极。
50:栅极绝缘膜。
58:保护绝缘膜
201:列驱动。
202:低驱动。
具体实施方式
实施本发明的最佳方法
对于最佳方案先逐层进行说明。首先,与发光层的HOMO能级比较,阳极优选使用功函数相同或更大的电极材料。另外,从与发光元件用途的关系方面考虑,优选使阴极或阳极至少一方具有透明或半透明性。作为所述电极材料,可以举出金(例如半透过膜的方案)和ITO(氧化铟锡)。
其次,与阳极的功函数比较,阴极使用功函数更小且稳定的电极材料。例如,可以举出铝、银、Mg-In、Mg-Ag等合金。需要说明的是如上所述,从与发光元件用途的关系方面考虑,优选使阴极或阳极至少一方具有透明或半透明性。
在使用功函数比较高的阴极时,电子注入层优选使用可以补充该阴极功函数程度的功函数小的材料,例如,可以使用LiF或Mg。
电子输送层优选使用电子亲和力大、具有空穴阻挡能力、且电子迁移率大的材料。例如可以使用BND、PBD、P-EtTAZ、BCP等有机材料。
此处,本发明的特征在于电子输送层和/或电子注入层(优选至少有电子输送层)是碱金属内包富勒烯类或掺杂有碱金属内包富勒烯类的有机材料。
这里所说的“富勒烯类”不光是富勒烯、杂环富勒烯、化学修饰富勒烯,而且还包含富勒烯二聚物之类富勒烯同类的重复结合体(离子结合、共有结合等)的概念。所谓“富勒烯”是用Cn(n是50或50以上的整数:例如n=60、70、76、78、…)表示的碳簇物质,例如可以举出C60。另外,形成重复结合体时,所有的富勒烯单元中也可以不包含碱金属。例如,形成二聚物的情况下,可以举出仅一方碱金属内包富勒烯的方案。碱金属内包富勒烯类的掺杂量相对于有机材料优选为0.1wt%或0.1wt%以上。如果超过1wt%,则本发明的效果急剧增加。
有机材料并没有特别限定,可以使用导电性有机材料,例如,铝络合物、噁二唑类、三唑类、邻二氮杂菲类、导电性高分子(优选N型导电性高分子)。例如,可以举出PBD、聚苯胺、聚对苯撑、聚噻吩、聚(3-甲基噻吩)。需要说明的是作为构成电子输送层和/或电子注入层的材料,不必全是碱金属内包富勒烯类,只要能够发挥本发明的效果即可,例如也可以含有其他材料(例如空腔富勒烯,作为掺杂剂,有碱金属、烷基铵离子等)。
当使用功函数比较低的阳极时,空穴注入层优选能补充该阳极的功函数程度的功函数或离子电位大的材料。该层的常用材料例如可以使用TPD、铜酞菁、PEDOT、聚噻吩、聚苯胺。
空穴输送层是具有电子阻断能力、且空穴迁移率大的材料。可以使用例如NPD、TPD、PEDOT、TPAC等有机材料。
发光层只要是通过电子和空穴的再接合而引起发光的材料即可,没有特别限定。例如、可以使用Alq3、NPB等低分子类有机EL,PPV、聚(3-烷基噻吩)等高分子类有机EL。
下面说明叠层上述各层的组合而成的发光元件。首先,在发光元件中,上述层中必须有阳极、发光层、以及负极。并且,电子输送层和电子注入层中的至少一方是必须的。其余层是任意存在的。下面,参照附图说明上述层组合的具体例子。
图1是第一具体例涉及的发光元件剖面图。本发明的第一具体例涉及的发光元件是用外部驱动元件控制发光元件的所谓无源驱动发光元件,是电极间的多层膜为5层结构的发光元件。在玻璃基板1上依次叠层阳极2、空穴注入层3、空穴输送层4、发光层5、电子输送层6、电子注入层7、阴极8而形成。
图2是第二具体例涉及的发光元件剖面图。在塑料基板9上,依次叠层阳极10、空穴注入层11、空穴输送层12、发光层13、电子输送层14、电子注入层15、阴极16而形成。通过使用轻量、柔软的塑料基板而得以广泛用于手机、电子文书等。另外,通过使用PET等价格便宜的塑料基板而能降低发光元件的成本。如果通过外部的驱动电路,对阴极16往阳极10施加正驱动电压,则从阴极16注入的电子和从阳极10注入的空穴在发光层13内再接合,从而引起发光层13发光。
图3是第三具体例涉及的发光元件剖面图。第三具体例涉及的发光元件是在玻璃基板17上依次叠层阳极18、空穴注入层19、空穴输送层20、发光层21、电子输送层22、电子注入层23、阴极24而形成的。
图4是第四具体例涉及的发光元件剖面图。第四具体例涉及的发光元件是在玻璃基板25上依次叠层阳极26、空穴注入层27、空穴输送层28、发光层29、电子注入层30、阴极31而形成的。
图5是第五具体例涉及的发光元件剖面图。第五具体例涉及的发光元件是在玻璃基板32上依次叠层阳极33、空穴注入层34、发光层35、电子输送层36、阴极37而形成的。
图11是第八具体例涉及的发光元件剖面图。第八具体例涉及的发光元件是在玻璃基板59上依次叠层阳极60、发光层61、电子输送层62、阴极63而形成的。
图6是第六具体例涉及的发光元件剖面图。第六具体例涉及的发光元件是有源驱动的发光元件,即每个发光元件都有驱动元件,驱动元件使用SIT。在玻璃基板38上,依次叠层源电极39、半导体层40、空穴注入层42、空穴输送层43、发光层44、电子输送层45、电子注入层46、漏电极47而形成。栅电极41被成齿状地配置在半导体层40内。半导体层40例如由P型导电性有机材料构成,在铝等构成的栅电极41上施加正偏压,控制以由源电极39流向发光层44的空穴为载体的电流,从而达到控制发光元件的发光强度的目的。
图7(a)是第七具体例涉及的发光元件剖面图。第七具体例涉及的发光元件也是有源驱动的发光元件。驱动元件使用MOS型电流控制结构。在玻璃基板48上依次叠层栅电极49、栅极绝缘膜50而形成。在栅极绝缘膜50上形成的阳极53上配置由空穴注入层51、空穴输送层52、发光层54、电子输送层55、电子注入层56构成的多层膜,在电子注入层56上配置阴极57。阴极57和阳极53横向错位地配置。比如,以阴极57作为接地电位,在阳极53上施加正偏压,从阳极53注入以空穴为载体的电流。在栅电极49上施加负控制电压,通过捕捉从阳极注入的部分空穴而控制电流。从阴极57注入的电子和从阳极53注入的空穴在发光层54内再接合,从而引起发光层发光。发光强度由施加在栅电极49上的控制电压来控制。
图7(b)是表示第七具体例涉及的发光元件的电路记号。在本说明中,定义为表示发光二极管的概念,所述发光二极管使用图7(a)所示的MOS型电流控制结构。A表示的端子对应阳极53、K表示的端子对应阴极57、G表示的端子对应栅电极49。
图9是该最佳方案的无源驱动方式的发光装置平面图。将薄膜状发光元件夹在配置成格状的列电极C1~C6和低电极R1~R7之间,由配置在电极端的列驱动201和低驱动202施加偏压,使从列电极和低电极同时施加偏压的部分发光层发光。
图10(a)是该最佳方案的有源驱动方式的发光装置平面图。图10(b)是该最佳方案的有源驱动方式的发光装置电路图。在图10(a)表示的配置成阵列状的发光元件中,各发光元件分别具有由MOS结构进行控制的驱动元件。如图10(b)所示,各列配线C1~C3与驱动元件的栅电极接续,各低配线R1~R3连接在驱动元件的阳极上。驱动元件的阴极与接地电位连接。选择在低配线施加偏压、选择控制的发光元件的行,控制在各列配线上施加的控制电压,从而控制被选择的行上各列发光元件的发光强度。在图10中,作为驱动发光元件的元件,以由MOS构造进行控制的驱动元件为例进行了说明,明显的看出,即使使用其他驱动元件也能得到同样的本发明效果。
实施例
以下参照实施例具体说明本发明。但需注意本发明的技术范围并不局限于本实施例。
对实际制作的发光元件的评价结果说明如下:作为比较例涉及的发光元件,评价了电子输送层使用掺杂有碱金属的有机材料膜的发光元件。作为实施例涉及的发光元件,评价了在电子输送层使用内含富勒烯膜的发光元件和在电子输送层使用掺杂内包富勒烯的有机材料膜的发光元件。作为评价用发光元件,根据各种制作方法分别制造了10个元件。
(比较例、发光元件的制造)
准备透明玻璃基板(康宁1713、30mm×30mm、厚0.8mm),在玻璃基板上用溅射法堆积由ITO构成的薄膜,其厚度为340,从而形成阳极。在阳极上用蒸镀法沉积由东京化成制铜酞菁(商品名P1005)构成的薄膜,其厚度为10
Figure C20048001940100102
,从而形成空穴注入层。然后,在空穴注入层上用蒸镀法沉积由Aldrich制的NPD(商品名55、669-6)构成的薄膜、其厚度为1000,从而形成空穴输送层。然后对同仁化学制的Alq3(商品名T203)进行升华纯化。接下来,在空穴注入层上用蒸镀法沉积由纯化的Alq3构成的薄膜,其厚度为500
Figure C20048001940100104
从而形成发光层。然后,对Aldrich制的PBD(商品名25、785-0)进行升华纯化。接下来,利用以纯化的PBD和Na作为蒸镀源的共蒸镀法,在发光层上堆积由掺杂有Na的PBD构成的薄膜,其厚度为500
Figure C20048001940100105
,形成电子输送层。然后,在电子输送层上用蒸镀法沉积由LiF构成的薄膜,其厚度为5
Figure C20048001940100106
,从而形成电子注入层。在电子注入层上用蒸镀法沉积由Al构成的薄膜,其厚度为1000,从而形成阴极。最后在阴极上贴合透明玻璃基板(康宁1713、30mm×30mm、厚0.8mm),得到比较例的发光元件。
(实施例1涉及的发光元件的制造)
首先,准备透明玻璃基板(康宁1713、30mm×30mm、厚0.8mm),在玻璃基板上用溅射法堆积由ITO构成的薄膜,其厚度为340
Figure C20048001940100111
,从而形成阳极。然后,在阳极上用蒸镀法沉积由东京化成制铜酞菁(商品名P1005)构成的薄膜,其厚度为10
Figure C20048001940100112
,从而形成空穴注入层。接下来,在空穴注入层上用蒸镀法沉积由Aldrich制NPD(商品名55、669-6)构成的薄膜、其厚度为1000
Figure C20048001940100113
从而形成空穴输送层。然后升华纯化同仁化学制Alq3(商品名T203)。在空穴注入层上用蒸镀法沉积由纯化的Alq3构成的薄膜、其厚度为500
Figure C20048001940100114
、形成发光层。接下来,将理想星制的50mg Na@C60放置在由尼拉库制的钼板(SS-1-10)上后,将基板设置在上方10cm处,当真空度达到10-6Torr下,对上述板施加100mA电流,将Na@C60在60秒内加热到600℃,使其升华,再使其堆积在基板上,从而形成由厚度为500
Figure C20048001940100115
的薄膜构成的电子输送层。然后在电子输送层上用蒸镀法沉积由LiF构成的薄膜,其厚度为5
Figure C20048001940100116
,从而形成电子注入层。在电子注入层上用蒸镀法沉积由Al构成的薄膜,其厚度为1000
Figure C20048001940100117
从而形成阴极。最后在阴极上贴合透明玻璃基板(康宁1713、30mm×30mm、厚0.8mm),得到实施例1涉及的发光元件。
(实施例2涉及的发光元件的制造)
首先,准备透明玻璃基板(康宁1713、30mm×30mm、厚0.8mm),在玻璃基板上用溅射法堆积由ITO构成的薄膜,其厚度为340
Figure C20048001940100118
、从而形成阳极。然后,在阳极上用蒸镀法沉积由东京化成制铜酞菁(商品名P1005)构成的薄膜,其为厚度10,从而形成空穴注入层。接下来,在空穴注入层上用蒸镀法沉积由Aldrich制NPD(商品名55、669-6)构成的薄膜,其厚度为1000
Figure C200480019401001110
从而形成空穴输送层。然后升华纯化同仁化学制Alq3(商品名T203)。在空穴注入层上用蒸镀法沉积由纯化的Alq3构成的薄膜,其厚度为500,从而形成发光层。然后升华纯化20mg Aldrich制PBD(商品名25、785-0)。准备10mg的理想星制造的Na@C60,基于实施例1的发光元件的制造方法,利用以纯化的PBD和Na@C60作为蒸镀源的共蒸镀法,在发光层上沉积由掺杂有Na@C60的PBD构成的薄膜,其厚度为500
Figure C200480019401001112
,从而形成电子输送层。作为电子输送层的形成条件,PBD的加热温度设定在700℃,Na@C60的加热温度设定在600℃。然后,在电子输送层上用蒸镀法沉积由LiF构成的薄膜,其厚度为5
Figure C20048001940100121
,从而形成电子注入层。在电子注入层上用蒸镀法沉积由Al构成的薄膜,其厚度为1000
Figure C20048001940100122
,从而形成阴极。最后在阴极上贴合透明玻璃基板(康宁1713、30mm×30mm、厚0.8mm),得到实施例2涉及的发光元件。
(发光元件的评价方法)
在阴极形成后五小时之内,在常温常压的一般实验室环境中测定了通过上述方法制造的实施例1和2以及比较例涉及的发光元件的发光效率(cd/A)和最低驱动电压(V)。将最低驱动电压定义为200cd/m2的发光开始电压。以下表示的测定数据是通过各种制作方法做成的10个发光元件的测定值的平均值。
发光元件        发光效率(cd/A)        最低驱动电压(V)
比较例            4.2                    4.5
实施例1           9.5                    3.8
实施例2           8.2                    4.3
由上述测定数据可知,实施例1和2的发光元件与比较例的发光元件相比,其发光效率都有显著提高。对于最低驱动电压,实施例1和2也都比现有发光元件有所改善。特别是实施例1的改善更为显著。
产业可利用性
碱金属内包富勒烯类将碱金属内包在作为球形碳簇的富勒烯内,所以由碱金属内包富勒烯类或掺杂有碱金属内包富勒烯类的有机材料形成的电子输送层或电子注入层不易与大气中的水分及其他杂质发生反应。因此,生产管理变得容易,发光元件或发光装置的密封也可采用较简易的封装构造,另外,能够延长发光元件的寿命。
碱金属内包富勒烯类或掺杂有碱金属内包富勒烯类的有机材料与掺杂有碱金属的有机材料相比,电子迁移率大,因此发光元件的发光效率高。另外,由于发光元件的内部电阻小,因此可采用低电压驱动。
碱金属内包富勒烯类或掺杂有碱金属内包富勒烯类的有机材料与空腔富勒烯相比,电子亲和力大,因此电子注入效率高,能提高发光效率。

Claims (6)

1.一种发光元件,该发光元件包含阳极、发光层、以及阴极,且阴极与发光层之间存在电子注入层和/或电子输送层,其特征为,电子注入层和/或电子输送层中的至少一层由内包碱金属的富勒烯类或掺杂有内包碱金属的富勒烯类的有机材料构成。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中,电子输送层为内包碱金属的富勒烯类或掺杂有内包碱金属的富勒烯类的有机材料。
3.如权利要求1或2所述的发光元件,其中,阳极与发光层之间存在空穴注入层和/或空穴输送层。
4.一种发光装置,其中,包括多个如权利要求1~3之任一项所述的发光元件,这些发光元件配置成阵列状或矩阵状。
5.一种显示装置,其中,包括权利要求4所述的发光装置。
6.一种照明装置,其中,包括权利要求4所述的发光装置。
CNB2004800194016A 2003-07-10 2004-07-12 发光元件及发光装置 Expired - Fee Related CN100477873C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003273100 2003-07-10
JP273100/2003 2003-07-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1820552A CN1820552A (zh) 2006-08-16
CN100477873C true CN100477873C (zh) 2009-04-08

Family

ID=34056004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800194016A Expired - Fee Related CN100477873C (zh) 2003-07-10 2004-07-12 发光元件及发光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7528541B2 (zh)
JP (1) JP4435735B2 (zh)
KR (1) KR101102282B1 (zh)
CN (1) CN100477873C (zh)
WO (1) WO2005006817A1 (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101794811A (zh) * 2003-07-02 2010-08-04 松下电器产业株式会社 发光元件以及显示装置
US20060014044A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corporation Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules
US8653537B2 (en) 2004-08-13 2014-02-18 Novaled Ag Layer assembly for a light-emitting component
US7279705B2 (en) 2005-01-14 2007-10-09 Au Optronics Corp. Organic light-emitting device
DE502005002342D1 (de) * 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
KR100622229B1 (ko) 2005-03-16 2006-09-14 삼성에스디아이 주식회사 플러렌계 탄소화합물을 이용한 발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR100712290B1 (ko) 2005-04-12 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자
ATE381117T1 (de) 2005-04-13 2007-12-15 Novaled Ag Anordnung für eine organische leuchtdiode vom pin-typ und verfahren zum herstellen
US7560735B2 (en) * 2005-04-22 2009-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device
CN100431195C (zh) * 2005-04-22 2008-11-05 友达光电股份有限公司 有机发光元件
US8049208B2 (en) * 2005-04-22 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device having composite electrode
TWI306113B (en) * 2005-08-03 2009-02-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic light emitting diode
JP4887741B2 (ja) * 2005-11-07 2012-02-29 三菱化学株式会社 アルカリ金属原子及びフラーレン類を含有する層を有する有機電界発光素子及びその製造方法
EP1806795B1 (de) * 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organisches Bauelement
EP1804309B1 (en) * 2005-12-23 2008-07-23 Novaled AG Electronic device with a layer structure of organic layers
EP1808909A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
WO2007086534A1 (en) * 2006-01-26 2007-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor and semiconductor device
EP1848049B1 (de) * 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
KR100830976B1 (ko) 2006-11-21 2008-05-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
DE102007019260B4 (de) * 2007-04-17 2020-01-16 Novaled Gmbh Nichtflüchtiges organisches Speicherelement
GB2453387A (en) * 2007-10-15 2009-04-08 Oled T Ltd OLED with fullerene charge transporting layer
JP4920548B2 (ja) * 2007-10-31 2012-04-18 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
GB2460646B (en) * 2008-06-02 2012-03-14 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescence element
DE102008036063B4 (de) * 2008-08-04 2017-08-31 Novaled Gmbh Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008036062B4 (de) 2008-08-04 2015-11-12 Novaled Ag Organischer Feldeffekt-Transistor
EP2194110A1 (en) * 2008-11-26 2010-06-09 Gracel Display Inc. Electroluminescent device using electroluminescent compounds
KR20130024040A (ko) 2011-08-30 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치
CN103311444A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 海洋王照明科技股份有限公司 电致发光器件及其制备方法
CN105304497B (zh) * 2015-09-30 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法
CN112614955A (zh) * 2020-12-17 2021-04-06 北京维信诺科技有限公司 有机发光二极管和显示面板及制备方法、显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0693258A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Toshiba Corp 有機薄膜素子
JPH08310805A (ja) * 1995-05-10 1996-11-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性フラ−レン固体とその製造方法
JPH09309711A (ja) * 1996-03-18 1997-12-02 Toyo Tanso Kk 炭素クラスター、それを製造するための原料及びその炭素クラスターの製造方法
EP1051762A1 (en) * 1998-02-02 2000-11-15 Uniax Corporation X-y addressable electric microswitch arrays and sensor matrices employing them
JP2000123976A (ja) * 1998-10-09 2000-04-28 Tdk Corp 有機el素子
JP2002313582A (ja) 2001-04-17 2002-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及び表示装置
JP2003059657A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2002280176A (ja) * 2002-03-07 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜el素子およびその駆動方法
GB0215309D0 (en) * 2002-07-03 2002-08-14 Cambridge Display Tech Ltd Combined information display and information input device

Also Published As

Publication number Publication date
US20060238112A1 (en) 2006-10-26
WO2005006817A1 (ja) 2005-01-20
US7528541B2 (en) 2009-05-05
JP4435735B2 (ja) 2010-03-24
JPWO2005006817A1 (ja) 2007-09-20
KR101102282B1 (ko) 2012-01-03
CN1820552A (zh) 2006-08-16
KR20060035741A (ko) 2006-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100477873C (zh) 发光元件及发光装置
Aziz et al. Degradation phenomena in small-molecule organic light-emitting devices
JP5638176B2 (ja) 有機電子デバイス用の金属化合物−金属多層電極
US9166184B2 (en) Organic light emitting device having three successive light emitting sub-layers with mixture matrix material for the second light emitting sub-layer and method of preparing same and display device thereof
Dobbertin et al. Inverted hybrid organic light-emitting device with polyethylene dioxythiophene-polystyrene sulfonate as an anode buffer layer
Wang et al. Direct comparison of solution-and vacuum-processed small molecular organic light-emitting devices with a mixed single layer
US20050236973A1 (en) Electroluminescent assembly
KR100721428B1 (ko) 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
CN101114698B (zh) 基于芴-咔唑共聚物的有机电致发光器件
Chwang et al. Flexible OLED display development: Strategy and status
Fukagawa et al. P. 140L: Late‐News Poster: Highly Efficient Inverted OLED with Air‐Stable Electron Injection Layer
KR100859821B1 (ko) 이중 계면층을 갖는 유기반도체 소자
Khan et al. Highly power efficient organic light-emitting diodes based on p-doped and novel n-doped carrier transport layers
KR101347656B1 (ko) 도핑된 풀러렌을 함유하는 유기 발광 소자, 및 이의 제조방법
US8491820B2 (en) Process for growing an electron injection layer to improve the efficiency of organic light emitting diodes
Wu et al. Fabrication of efficient polymer light-emitting diodes using water/alcohol soluble poly (vinyl alcohol) doped with alkali metal salts as electron-injection layer
Chuan-Nan et al. Enhanced Brightness and Efficiency in Organic Light-Emitting Devices Using an LiF-Doped Electron-injecting Layer with Aluminium Cathode
CN109244273B (zh) 有机发光二极管及制备方法
KR20070070650A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
Chen et al. The role of LiF buffer layer in tris‐(8‐hydroxyquinoline) aluminum‐based organic light‐emitting devices with Mg: Ag cathode
KR100871910B1 (ko) 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
Li et al. Red phosphorescent polymer light-emitting diodes based on iridium complex and poly [(9, 9-dioctylfluorene)-alt-(pyridine)]
CN112661708A (zh) 一种单层掺杂电子传输层绿光磷光器件及其制备方法与应用
CN103904241B (zh) 有机电致发光器件及制备方法
Shin et al. P‐186: Enhanced Efficiency and Stability of Organic Light‐Emitting Diodes with Copper Hexadecafluorophthalocyanine Doped Hole Transport Layer

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090408

Termination date: 20150712

EXPY Termination of patent right or utility model