KR20130024040A - 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치 - Google Patents

광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130024040A
KR20130024040A KR1020110087231A KR20110087231A KR20130024040A KR 20130024040 A KR20130024040 A KR 20130024040A KR 1020110087231 A KR1020110087231 A KR 1020110087231A KR 20110087231 A KR20110087231 A KR 20110087231A KR 20130024040 A KR20130024040 A KR 20130024040A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
transistor
voltage level
layer
Prior art date
Application number
KR1020110087231A
Other languages
English (en)
Inventor
송형준
이창호
오일수
윤진영
고희주
조세진
이보라
송영우
이종혁
김성철
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110087231A priority Critical patent/KR20130024040A/ko
Priority to US13/315,140 priority patent/US8659010B2/en
Publication of KR20130024040A publication Critical patent/KR20130024040A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
    • H10K85/215—Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

구동 전압을 낮출 수 있는 광 발광 다이오드가 제공된다. 광 발광 다이오드는 애노드, 캐소드, 상기 애노드와 캐소드 사이의 발광층, 및 상기 발광층과 캐소드 사이의 풀러렌, 메타노풀러렌, 도핑된 풀러렌, 도핑된 메타노풀러렌, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 전자 억셉터층을 포함한다.

Description

광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치{PHOTO LUMINESCENCE DIODE AND PHOTOLUMINESCENCE DIPLAY HAVING THE SAME}
발광 다이오드 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이며, 보다 상세하게는 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치에 관한 것이다.
렘머(Lemmer)의 1994년 논문(U.Lemmer et al., Synthetic Metals, 67(1994) 162-172, "Dynamics of photoexcitations in electric fields in poly(p-phenylenevinylene)diodes")에 ITO/PPV/Al 구조에 있어서 광 발광 퀀칭(photo luminescence quenching) 실험 관찰 결과가 개시되어 있다.
대한민국공개특허 제 2010-0039910 호에는 광 발광 퀀칭을 이용한 광 발광 표시 장치가 개시되어 있다. 그런데, 상기 특허에 개시되어 있는 광 발광 표시 장치의 경우 20V 이상이 되는 구동 전압이 요구된다. 이로 인해 표시 장치의 소비 전력이 증가되고 광 발광 다이오드의 수명을 단축시킨다.
구동 전압을 낮출 수 있는 광 발광 다이오드를 제공하고자 한다.
구동 전압을 낮출 수 있는 광 발광 다이오드를 포함하는 광 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
광 발광 다이오드는 애노드, 캐소드, 상기 애노드와 캐소드 사이의 발광층, 및 상기 발광층과 캐소드 사이의 풀러렌, 메타노풀러렌, 도핑된 풀러렌, 도핑된 메타노풀러렌, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 전자 억셉터층을 포함한다.
상기 전자 억셉터층과 상기 캐소드 사이에 Li, Cs, Mg, LiF, CsF, MgF2 , NaF, KF, BaF2, CaF2 , Li2O, BaO, Cs2CO3, Cs2O, CaO, MgO 또는 리튬 퀴놀레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 발광층의 두께는 400Å 초과 1000Å 이하일 수 있다.
상기 발광층의 두께는 500Å을 초과할 수 있다.
상기 전자 억셉터층의 두께는 10Å 초과 100Å 이하일 수 있다.
상기 전자 억셉터층과 상기 전자 주입층의 두께의 총합은 20Å 내지 200 Å 일 수 있다.
광 발광 표시 장치는 상기 광 발광 다이오드, 현재 스캔 신호에 응답하여 전압레벨의 데이터 신호를 전달하는 p형 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터를 통해 전달되는 전압레벨의 데이터신호에 따라 상기 광 발광 다이오드의 구동전류를 발생하는 p형 제2 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터에 전달되는 전압레벨의 데이터신호를 저장하기 위한 커패시터를 포함하는 화소를 포함하며, 상기 p형 제2 트랜지스터의 제1 단자는 상기 광 발광 다이오드의 캐소드에 연결되고 제2 단자는 제1 전원에 연결되고, 상기 광 발광 다이오드의 애노드는 제2 전원에 연결된다.
상기 광 발광 다이오드가 광 여기 퀀칭 모드로 동작시에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 높으며, 상기 광 발광 다이오드가 전계 여기 모드로 동작시에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 낮을 수 있다.
광 발광 표시 장치는 상기 광 발광 다이오드, 현재 스캔 신호에 응답하여 전압레벨의 데이터 신호를 전달하는 n형 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터를 통해 전달되는 전압레벨의 데이터신호에 따라 상기 광 발광 다이오드의 구동전류를 발생하는 n형 제2 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터에 전달되는 전압레벨의 데이터신호를 저장하기 위한 커패시터를 포함하는 화소를 포함하며, 상기 광 발광 다이오드의 캐소드는 제1 전원에 연결되고, 상기 n형 제2 트랜지스터의 제1 단자는 상기 광 발광 다이오드의 애노드에 제2 단자는 제2 전원에 연결된다.
상기 광 발광 다이오드가 광 여기 퀀칭 모드로 동작시에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 높으며, 상기 광 발광 다이오드가 전계 여기 모드로 동작시에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 낮을 수 있다.
구동 전압을 낮출 수 있는 광 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 그리고, 구동 전압을 낮출 수 있는 광 발광 다이오드를 포함하는 광 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 발광 다이오드의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 발광 다이오드의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 발광 다이오드가 광 여기 퀀칭 모드(light excited quenching mode)로 동작할 때의 발광 원리 및 구동 전압이 감소하는 원리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 발광 다이오드가 전계 여기 모드(electric field excited mode)로 동작할 때의 발광 원리 및 구동 전압이 감소하는 원리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치 화소의 등가회로도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치 화소의 등가회로도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치의 예시적인 단면도이다.
도 8은 실험예에 따라 제조한 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치와 비교예에 따라 제조한 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치의 역방향 바이어스 전압과 전류 밀도의 관계를 측정한 그래프이다.
도 9는 실험예에 따라 제조한 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치와 비교예에 따라 제조한 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치의 순방향 바이어스 전압과 전류 밀도의 관계를 측정한 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참고하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있을 것이며, 본 실시예들은 단지 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 즉, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 개략도들을 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 또한 본 발명에 도시된 각 도면에 있어서 각 구성 요소들은 설명의 편의를 고려하여 다소 확대 또는 축소되어 도시된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 광 발광 다이오드의 단면도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)는 애노드(110)와 캐소드(160)로 이루어진 한 쌍의 전극 사이에 발광층(130)을 포함한다. 발광층(130)과 애노드(110) 사이에는 정공 주입/수송층(120)이 개재된다. 제1 실시예에 따른 광 발광 다이오드(PLD1)에서는 발광층(130)과 캐소드(160) 사이에 발광층(130)과 접촉하며 풀러렌(fullerene), 메타노풀러렌(methanofulleren), 및 이들의 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 물질로 이루어진 전자 억셉터층(140) 및 캐소드와 접촉하는 전자 주입층(150)이 개재되고, 제2 실시예에 따른 광 발광 다이오드(PLD2)에서는 발광층(130)과 캐소드(160) 사이에 전자 억셉터층(140)만이 개재된다. 즉, 전자 주입층(150)은 다이오드에 요구되는 특성에 따라 그 형성을 생략할 수도 있다.
애노드(110)와 캐소드(160)는 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 역방향 바이어스가 인가되었을 때 전자 및 홀을 발광층(130)으로 주입하지 않는 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 애노드(110)는 좋은 투과율, 낮은 면저항(sheet resistance) 및 좋은 제조 가공성을 가지는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 등의 투명 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 또한 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 발광 방향에 따라 투명 전도성막 위에 도전성 반사막과 추가 투명 전도성막을 더 포함할 수도 있다. 반사막은 발광 효율을 높이면서 전기 전도도(electrical conductivity)를 개선하는 기능을 수행하며, 일례로 알루미늄(Al), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은(Ag), 은-합금(Ag-alloy), 금(Au) 또는 금-합금(Au-alloy)으로 이루어질 수 있다. 추가 투명 전도성막은 반사막의 산화를 억제하면서 ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다.
캐소드(160)는 애노드(110)와 마찬가지로 투명 전도성 물질, 예컨대, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)으로 이루어질 수 있다. 다른 한편으로, 캐소드(160)는 투명 또는 반사성의 금속 박막, 일례로 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 또는 칼슘(Ca)-알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
정공 주입/수송층(120)은 애노드(110)와 발광층(130) 사이에서 정공이 효율적으로 이동할 수 있도록 한다. 정공 주입/수송층(120)은 정공 주입층과 정공 수송층이 분리된 층으로 형성될 수도 있고 하나의 층으로 형성될 수도 있다. 정공 주입 물질의 비제한적인 예로는 구리 프탈로시아닌(CuPc) 또는 스타버스트(Starburst)형 아민류를 들 수 있다. 정공 수송 물질의 비제한적인 예로는 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐, 폴리비닐카바졸, m-비스카바졸릴페닐, 4,4'-비스카바졸릴-2,2'-디메틸비페닐, 4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민, 1,3,5-트리(2-카바졸릴페닐)벤젠, 1,3,5-트리스(2-카바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠, 비스(4-카바졸릴페닐)실란, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(NPB), IDE320 (이데미쯔사 제품), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민) (poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl) diphenylamine)(TFB) 또는 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-비스-N,N-페닐-1,4-페닐렌디아민(poly(9,9 -dioctylfluorene-co-bis-(4-butylphenyl-bis-N,N-phenyl-1,4 -phenylenediamin) (PFB)등을 들 수 있다.
발광층(130)은 적(red; R), 녹(green; G) 또는 청(blue; B)을 내는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 발광층(130)이 적을 내는 유기 물질로 이루어지는 경우, DCM1(4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran), DCM2(2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-benzo [ij] quinolizin-9-yl) ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene] propane-dinitrile]), , Eu(thenoyltrifluoroacetone)3 (Eu(TTA)3 또는 부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸 줄로리딜-9-에닐)-4H-피란){butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H- pyran: DCJTB}이 사용될 수 있다. 다른 한편으로, 적을 내는 유기 물질로 Alq3에 DCJTB와 같은 도펀트가 도핑된 물질 또는 Alq3와 루브렌이 공증착되고 도펀트가 도핑된 물질이 사용될 수도 있다. 또 다른 한편으로, 적을 내는 유기 물질로 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐(4,4'-N-N'-dicarbazole -biphenyl)(CBP)에 BTPIr 또는 Ir(piq)3 같은 도펀트가 도핑된 물질이 사용될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(130)이 녹을 내는 유기 물질로 이루어지는 경우, 쿠마린 6(Coumarin 6), C545T, 퀴나크리돈(Quinacridone) 또는 Ir(ppy)3 이 사용될 수 있다. 다른 한편으로, 녹을 내는 유기 물질로 CBP([4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl])에 Ir(ppy)3의 도펀트가 도핑된 물질이 사용될 수도 있고, 호스트로서 Alq3에 쿠마린계 도펀트가 도핑된 물질이 사용될 수도 있으나 이에 한정되지 않는다. 이때, 쿠마린계 도펀트로 C314S, C343S, C7, C7S, C6, C6S, C314T 또는 C545T가 사용될 수 있다.
또한, 발광층(130)이 청을 내는 유기 물질로 이루어지는 경우, 옥사디아졸 다이머 염료(oxadiazole dimer dyes(Bis-DAPOXP)), 스피로 화합물(spiro compounds)(Spiro-DPVBi, Spiro-6P), 트리아릴아민 화합물(triarylamine compounds), 비스(스티릴)아민(bis(styryl)amine)(DPVBi, DSA), 화합물(A), Flrpic, CzTT, 안트라센(Anthracene), TPB, PPCP, DST, TPA, OXD-4, BBOT, AZM-Zn 또는 나프탈렌 모이어티를 함유하고 있는 방향족 탄화수소 화합물인 BH-013X (이데미츠사) 등이 다양하게 사용될 수 있다. 다른 한편으로, 청을 내는 유기 물질로 이데미쯔사(JP)에 의해 제조된 IDE140에 이데미쯔사에 의해 제조된 IDE105 도펀트가 도핑된 물질이 사용될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
또한, 발광층(130)은 폴리-페닐렌비닐렌(Poly-Phenylenevinylene; PPV)계 물질 또는 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 물질로도 이루어질 수 있다.
발광층(130)을 구성하는 물질로 좋은 광 발광 물질인 동시에 좋은 전자 발광 물질을 선택하는 경우에는 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)가 듀얼 모드로 동작하도록 할 수 있다. 좋은 광 발광 물질인 동시에 좋은 전자 발광 물질의 비제한적인 예로는 Ir(piq)3(적), Ir(ppy)3(녹), Fir(pic)(청)을 들 수 있다.
발광층(130)은 광 발광 휘도의 향상을 위하여 종래의 유기 발광 다이오드의 발광층에 비해 그 두께가 두꺼울 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 다이오드의 발광층은 100Å 내지 400Å의 두께로 형성되는 것이 일반적이나, 본 발명의 실시예에 따른 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에서는 발광층(130)의 두께가 400Å을 초과할 수 있다. 더욱 바람직하기로는 발광층(130)의 두께가 500 Å을 초과할 수 있다. 예를 들면 500Å 초과 1000Å 이하의 두께로 형성될 수 있다.
전자 억셉터층(140)은 풀러렌(fullerene), 메타노풀러렌(methanofulleren), 도핑된 풀러렌, 도핑된 메타노풀러렌, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹에서 선택된 물질로 이루어진다. 도핑된 풀러렌 또는 메타노풀러렌의 비제한적인 예로는 유기 n- 불순물이 도핑된 풀러렌 또는 메타노풀러렌을 들 수 있다. 유기 n-불순물의 비제한적인 예로는 피로닌 비(pyronine B) 또는 디카르보시아닌 요오드(dicarbocyanine iodide)를 들 수 있다. 풀러렌 또는 메타노풀러렌 유도체의 비제한적인 예로는 대한민국공개특허 제2009-0113607에 개시되어 있는 에틸렌옥시기를 포함하는 메타노풀러렌 또는 대한민국공개특허 제2009-0061613에 개시되어 있는 불소기로 치환된 메타노풀러렌 등을 들 수 있다.
전자 억셉터층(140)은 10Å 초과 100Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 전자 억셉터층(140)의 두께가 10Å을 초과해야 효과적인 전자 주입의 역할을 할 수 있고, 100Å 이하가 되어야 구동 전압 상승을 억제할 수 있다. 특히, 전자 억셉터층(140)만을 가지는 경우에는 전자의 터널링이 가능해야 하므로 전자 억셉터층(140)은 10Å 초과 50Å 이하의 두께를 가질 수 있다.
전자 수송층(150)은 Li, Cs, Mg, LiF, CsF, MgF2 , NaF, KF, BaF2 , CaF2 , Li2O, BaO, Cs2CO3, Cs2O, CaO, MgO 또는 리튬 퀴놀레이트(lithium quinolate)로 이루어질 수 있다.
전자 수송층(150)은 10Å 초과 100Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 전자 억셉터층(140)의 두께가 10Å을 초과해야 효과적인 전자 주입의 역할을 할 수 있고 100Å 이하가 되어야 구동 전압 상승을 억제할 수 있다.
한편, 전자 수송층(150)과 전자 억셉터층(140)의 두께의 총합은 20Å 초과 200Å 이하의 두께를 가질 수 있다. 두께의 총합이 20Å을 초과해야 효과적인 전자주입을 할 수 있고 200Å 이하가 되어야 구동전압 상승을 억제할 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 발광 다이오드(PLD1)가 광 여기 퀀칭 모드(light excited quenching mode)로 동작할 때의 발광 원리 및 구동 전압이 감소하는 원리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3a는 외광(301)이 제공되는 단계를 나타낸다. 여기 소오스로서 외광(301)이 발광층(130)에 제공되면 광에 의해 여기된 여기자(excitions)가 생성되고 여기자가 전자 및 정공으로 분리된다. 외광은 자연광일 수도 있고, 인공적으로 가해지는 조명일 수도 있다.
도 3b는 광 발광 단계를 나타낸다. 바이어스가 인가되지 않은 상태에서는 여기자로부터 분리된 전자는 원래의 평형 상태로 되돌아가면서 흡수된 에너지를 빛 형태(303)로 방출한다.
도 3c는 퀀칭 단계를 나타낸다. 역 방향 바이어스가 인가되면 분리된 정공과 전자는 각각 애노드(110)와 캐소드(160)로 전도되어 퀀칭된다. 따라서, 역 방향 바이어스가 증가함에 따라 광 발광 다이오드(PLD1)는 어두워지게 된다.
도 3d는 퀀칭 단계에서 전자 억셉터층(140)이 어떻게 구동 전압을 감소시키는지를 설명하기 위한 개략도이다. 도 3c를 참고하여 설명하였듯이 역 방향 바이어스가 인가되면 분리된 전자는 캐소드(160)로 전도되어 퀀칭된다. 이 때, 발광층(130)과 캐소드(160) 사이에 존재하는 전자 억셉터층(140)이 발광층(130)으로부터 캐소드(160)로의 전자의 전달이 보다 효율적으로 일어날 수 있도록 한다. 그 결과 종래의 광 발광 다이오드 대비 퀀칭에 필요한 역 방향 바이어스 전압, 즉 구동 전압이 작더라도 퀀칭이 효과적으로 일어날 수 있다. 설명한 바와 같이 광 여기 퀀칭 모드로 동작할때의 광 발광 다이오드(PLD1)는 노말리 화이트(normally white)구조가 된다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 발광 다이오드가 전계 여기 모드(electric field excited mode)로 동작할 때의 발광 원리 및 구동 전압이 감소하는 원리를 설명하기 위한 개략도이다.
발광층(130)을 구성하는 물질로 좋은 광 발광 물질인 동시에 좋은 전자 발광 물질이 선택된 경우 듀얼 모드 표시가 가능할 수 있다. 외광이 존재하는 밝은 조건하에서는 광 여기 퀀칭 모드로 동작하고 외광이 존재하지 않는 덜 밝은 조건하에서는 전계 여기 모드로 동작할 수 있다. 즉, 외광이 존재하는 않는 경우, 도 4a에 도시되어 있는 바와 같이, 광 발광 다이오드(PLD1)에 순 방향 바이어스를 인가하면 전자와 정공이 발광층(130)에서 결합하면서 빛(403)을 낸다. 도 4b는 전계 여기 모드 발광시 전자 억셉터층(140)이 어떻게 구동 전압을 감소시키는지를 설명하기 위한 개략도이다. 순 방향 바이어스가 인가되면 전자가 캐소드(160)로부터 발광층(130)으로 전달되는데, 이 때, 발광층(130)과 캐소드(160) 사이에 존재하는 전자 억셉터층(160)이 캐소드(160)로부터 발광층(130)으로의 전자 전달이 보다 효율적으로 일어날 수 있도록 한다. 그 결과 발광에 필요한 순 방향 바이어스 전압 즉 발광 전압이 작더라도 발광이 효과적으로 일어날 수 있다. 설명한 바와 같이 전계 여기 모드로 동작할때의 광 발광 다이오드(PLD1)는 노말리 블랙(normally black) 구조가 된다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)를 포함하는 표시 장치 화소(500)의 등가회로도이다. 각 화소(500)는 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)와 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터(2T1C) 구조의 화소 회로(510)를 가진다.
제1 트랜지스터(Q1)의 게이트는 현재 스캔신호(Scan[n])와 연결되고, 제1 단자는 데이터 신호(Data[t])와 연결되고, 제2 단자는 제2 트랜지스터(Q2)의 게이트와 커패시터(C1)의 제1 단자에 연결되어 있다.
구동 트랜지스터인 제2 트랜지스터(Q2)의 게이트는 커패시터(C1)의 제1 단자 및 제1 트랜지스터(Q1)의 제2 단자와 연결되고, 제1 단자는 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 캐소드 전극과 연결되고 제2 단자는 제1 전원 (ELVdd)과 연결되어 있다.
커패시터(C1)의 제1 단자는 제1 트랜지스터(Q1)의 제2 단자 및 제2 트랜지스터(Q2)의 게이트와 연결되어 있고, 제2 단자는 제1 전원(ELVdd)에 연결되어 있다.
광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 캐소드 전극은 구동 트랜지스터(Q1)의 제1 단자와 연결되고, 애노드 전극은 제2 전원(ELVss)에 연결되어 있다.
제1 트랜지스터(Q1)는 현재 스캔 신호(scan[n])에 응답하여 해당하는 데이터라인에 인가되는 전압레벨의 데이터 신호(Data[t])를 전달하는 스위칭 트랜지스터이다.
제2 트랜지스터(Q2)는 제1 트랜지스터(Q1)를 통해 게이트에 입력되는 전압 레벨의 데이터 신호(Data[t])에 따라 상기 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터이다.
커패시터(C1)는 구동 트랜지스터(Q2)의 게이트에 인가되는 데이터신호를 저장하기 위한 커패시터이다.
제1 트랜지스터(Q1)와 구동 트랜지스터(Q2)는 P-채널 전계 효과 트랜지스터이다.
광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 캐소드 단자가 구동 트랜지스터(Q2)의 제1 단자에 전기적으로 접속된다. 전기적으로 접속되었다는 의미는 단순히 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 캐소드 단자와 구동 트랜지스터(Q2)의 제1 단자가 도면에 표현된 바와 같이 직접적으로 접속된 것뿐만 아니라, 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 캐소드 단자와 구동 트랜지스터(Q2)의 제1 단자 사이에 다른 트랜지스터 등이 있더라도, 이러한 트랜지스터 등의 동작에 의하여 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 캐소드 단자와 구동 트랜지스터(Q2)의 단자 사이에 전류가 흐를 수 있는 경우도 포함하는 것이다.
도 5와 같은 화소 회로(510)를 가짐으로써 커패시터(C1)가 구동 트랜지스터(Q2)의 게이트에 데이터 전압(Data[t])에 대응하는 전압을 인가하고, 구동 트랜지스터(Q2)가 게이트와 소오스 사이의 전압에 대응하는 전류를 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 공급한다.
도 5와 같은 화소(500) 구조를 가지면, 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 애노드가 구동 트랜지스터(Q2)의 출력 단자에 연결되는 종래의 화소 구조에 비해, 광 여기 퀀칭 모드의 동작을 위하여 필요한 구동 트랜지스터(Q2)의 게이트 전압의 스윙 범위를 감소시킬 수 있다. 나아가 도 5와 같은 화소(500) 구조는 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 공급하는 전류에 대응하여 광 여기 퀀칭 모드 또는 전계 여기 모드로 동작할 수 있으므로 듀얼 모드 표시 장치에도 용이하게 적용할 수 있다. 광 여기 퀀칭 모드로 동작시에는 제1 전원의 전압 레벨이 제2 전원의 전압 레벨보다 높도록 하여 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 역방향 바이어스가 인가되도록 할 수 있다. 반대로 전계 여기 모드로 동작시에는 제1 전원의 전압 레벨이 제2 전원의 전압 레벨보다 낮도록 하여 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 순방향 바이어스가 인가되도록 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치 화소(600)의 등가회로도이다.
각 화소(600)는 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)와 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터(2T1C) 구조의 화소 회로(610)를 가진다.
제1 트랜지스터(Q11)의 게이트는 현재 스캔신호(Scan[n])와 연결되고, 제1 단자는 데이터 신호(Data[t])와 연결되고, 제2 단자는 제2 트랜지스터(Q22)의 게이트에 연결되어 있다.
구동 트랜지스터인 제2 트랜지스터(Q22)의 게이트는 커패시터(C1)의 제1 단자 및 제1 트랜지스터(Q11)의 제2 단자와 연결되고, 제1 단자는 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 애노드 전극과 연결되어 있고, 제2 단자는 제2 전원(ELVss)과 연결되어 있다.
커패시터(C1)의 제1 단자는 제1 트랜지스터(Q11)의 제2 단자 및 제2 트랜지스터(Q22)의 게이트와 연결되어 있고, 제2 단자는 제2 전원(ELVss)에 연결되어 있다.
광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(Q22)의 제1 단자와 연결되고, 캐소드 전극은 제1 전원(ELVdd)에 연결되어 있다.
제1 트랜지스터(Q11)는 현재 스캔 신호(scan[n])에 응답하여 해당하는 데이터라인에 인가되는 전압레벨의 데이터 신호(Data[t])를 전달하는 스위칭 트랜지스터이다.
제2 트랜지스터(Q22)는 제1 트랜지스터(Q11)를 통해 게이트에 입력되는 전압 레벨의 데이터 신호(Data[t])에 따라 상기 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터이다.
커패시터(C1)는 구동 트랜지스터(Q22)의 게이트에 인가되는 데이터신호를 저장하기 위한 커패시터이다.
제1 트랜지스터(Q11)와 구동 트랜지스터(Q22)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터이다.
광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 애노드 단자가 구동 트랜지스터(Q22)의 제1 단자에 전기적으로 접속된다. 전기적으로 접속되었다는 의미는 단순히 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 애노드 단자와 구동 트랜지스터(Q22)의 제1 단자가 도면에 표현된 바와 같이 직접적으로 접속된 것뿐만 아니라, 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 애노드 단자와 구동 트랜지스터(Q22)의 제1 단자 사이에 다른 트랜지스터 등이 있더라도, 이러한 트랜지스터 등의 동작에 의하여 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)의 애노드 단자와 구동 트랜지스터(Q2)의 제1 단자 사이에 전류가 흐를 수 있는 경우도 포함하는 것이다.
도 6과 같은 화소(600) 구조를 가짐으로써 커패시터(C1)가 구동 트랜지스터(Q22)의 게이트에 데이터 전압(Data[t])에 대응하는 전압을 인가하고, 구동 트랜지스터(Q22)가 게이트와 소오스 사이의 전압에 대응하는 전류를 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 공급한다.
도 6과 같은 화소(600) 구조를 가짐으로써, 도 5의 화소(500) 구조와 마찬가지로 광 여기 퀀칭 모드의 동작을 위하여 필요한 구동 트랜지스터(Q22)의 게이트 전압의 스윙 범위를 감소시킬 수 있다. 나아가 도 6과 같은 화소(600) 구조는 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 공급하는 전류에 대응하여 광 여기 퀀칭 모드 또는 전계 여기 모드로 동작할 수 있으므로 듀얼 모드 표시 장치에도 용이하게 적용할 수 있다. 광 여기 퀀칭 모드로 동작시에는 제1 전원의 전압 레벨이 제2 전원의 전압 레벨보다 높도록 하여 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 역방향 바이어스가 인가되도록 할 수 있다. 반대로 전계 여기 모드로 동작시에는 제1 전원의 전압 레벨이 제2 전원의 전압 레벨보다 낮도록 하여 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)에 순방향 바이어스가 인가되도록 할 수 있다.
도 5 및 도 6에서는 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터(2T1C) 구조의 화소 회로(510, 610)가 개시되어 있으나, 화소 회로는 2T2C, 3T3C 구조 등 다양한 형태로 변형될 수 있다. 이 경우 추가되는 커패시터 및 트랜지스터는 구동 트랜지스터(Q2, Q22)의 문턱 전압 편차 등을 해결하기 위해서 도입되는 것일 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치의 예시적인 단면도이다.
기판(700) 상에 광 발광 다이오드(PLD1, PLD2)가 형성되어 있다. 광 발광 다이오드(PLD)는 애노드 전극(760), 정공 주입/수송층, 발광층, 전자 억셉터층, 전자 주입층으로 이루어진 광 발광층(770) 및 캐소드 전극(780)을 포함한다. 애노드 전극(760)은 하부에 형성된 화소 회로(도 5 및 도 6의 510, 610)를 덮는 층간 절연막(740) 상에 형성된다. 층간 절연막(740)에 형성된 콘택홀(745)을 통해 애노드 전극(760)이 기판(700) 상에 형성되고 층간 절연막(740)에 의해 덮여 있는 제2 전원(도 5 참고) 또는 구동트랜지스터(Q22)의 제1 단자(도 6 참고)와 전기적으로 연결될 수 있다.
층간 절연막(740) 상에 화소 정의막(750)이 형성되고, 화소 정의막(750)이 형성된 부분은 실질적으로 비발광 영역이 되고, 화소 정의막(200)에 의해 정의되는 개구부(755)는 실질적으로 발광 영역이 된다.
화소 정의막(200)의 개구부(755) 내에 광 발광층(770)이 형성되고 캐소드 전극(760)이 광 발광층(770)과 접촉하도록 형성된다.
기판(700)은 유리, 석영, 세라믹 및 플라스틱 등으로 이루어진 투명한 절연성 기판일 수 있다. 또한 기판(700)은 스테인리스 강으로 이루어진 금속성 기판일 수도 있다. 또한 기판(700)이 플라스틱 등으로 만들어질 경우 플렉서블(flexible)한 기판으로 형성될 수도 있다.
도 7은 광 발광 다이오드를 포함하는 표시 장치의 예시적인 단면도로 레이아웃 및 제조 공정 설계 등에 의해 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다.
이하 실험예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실험예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
발광층을 F8BT:TFB가 4:1의 비율로 혼합된 폴리머를 사용하여 51nm 두께로 형성하고, 풀러렌층을 2nm 두께로 형성하고, LiF층을 1nm 두께로 형성하여 실험예에 따른 광 발광 다이오드를 완성하였다.
한편, 발광층을 F8BT:TFB가 4:1의 비율로 혼합된 폴리머를 사용하여 51nm 두께로 형성하고, LiF층을 1nm 두께로 형성하여 비교예에 따른 광 발광 다이오드를 완성하였다.
실험예에 따라 제조한 광 발광 다이오드와 비교예에 따라 제조한 광 발광 다이오드에 역 방향 바이어스 전압을 인가하면서 퀀칭 전류 밀도를 측정하였다. 그 결과가 도 8에 도시되어 있다. 완전한 퀀칭에 의해 광 발광 방사가 거의 0가 될 때, 즉 퀀칭 전류 밀도 0.25mA/㎠ 일 때의 역 방향 바이어스 전압의 크기가 비교예(②)의 경우 20V인 반면 실험예(①)의 경우 14V로 6V 정도 개선됨을 알 수 있었다. 즉 구동 전압을 30% 정도 감소시킬 수 있음을 알 수 있었다.
도 9는 실험예에 따라 제조한 광 발광 다이오드와 비교예에 따라 제조한 광 발광 다이오드를 전계 여기 모드로 동작시킬 때의 특성을 측정한 그래프이다. 즉, 도 9는 순방향 바이어스 전압과 전류 밀도의 관계를 측정한 그래프이다.
도 9를 참조하면, 실험예(①)에 따라 제조한 광 발광 다이오드(C60/LiF)는 비교예(②)에 따라 제조한 광 발광 다이오드(LiF) 대비 초기 주입 전압이 낮고 2V에서의 전류량이 10배 이상으로 우수함을 알 수 있었다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
110: 애노드 120: 정공 주입/수송층
130: 발광층 140: 전자 억셉터층
150: 전자 주입층 160: 캐소드

Claims (10)

  1. 애노드;
    캐소드;
    상기 애노드와 캐소드 사이의 발광층; 및
    상기 발광층과 캐소드 사이의 풀러렌, 메타노풀러렌, 도핑된 풀러렌, 도핑된 메타노풀러렌, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 전자 억셉터층을 포함하는 광 발광 다이오드.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 전자 억셉터층과 상기 캐소드 사이에 Li, Cs, Mg, LiF, CsF, MgF2 , NaF, KF, BaF2 , CaF2 , Li2O, BaO, Cs2CO3, Cs2O, CaO, MgO 또는 리튬 퀴놀레이트로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 전자 주입층을 더 포함하는 광 발광 다이오드.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 발광층의 두께는 400Å 초과 1000Å 이하인 광 발광 다이오드.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 발광층의 두께는 500Å을 초과하는 광 발광 다이오드.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 전자 억셉터층의 두께는 10Å 초과 100Å 이하인 광 발광 다이오드.
  6. 제2 항에 있어서, 상기 전자 억셉터층과 상기 전자 주입층의 두께의 총합은 20Å 초과 200Å 이하인 광 발광 다이오드.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 따른 광 발광 다이오드;
    현재 스캔 신호에 응답하여 전압레벨의 데이터 신호를 전달하는 p형 제1 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터를 통해 전달되는 전압레벨의 데이터신호에 따라 상기 광 발광 다이오드의 구동전류를 발생하는 p형 제2 트랜지스터; 및
    상기 제2 트랜지스터에 전달되는 전압레벨의 데이터신호를 저장하기 위한 커패시터를 포함하는 화소를 포함하며,
    상기 p형 제2 트랜지스터의 제1 단자는 상기 광 발광 다이오드의 캐소드에 연결되고 제2 단자는 제1 전원에 연결되고,
    상기 광 발광 다이오드의 애노드는 제2 전원에 연결되는 광 발광 표시 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 광 발광 다이오드가 광 여기 퀀칭 모드로 동작시에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 높으며,
    상기 광 발광 다이오드가 전계 여기 모드로 동작시에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 낮은 광 발광 표시 장치.
  9. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 따른 광 발광 다이오드;
    현재 스캔 신호에 응답하여 전압레벨의 데이터 신호를 전달하는 n형 제1 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터를 통해 전달되는 전압레벨의 데이터신호에 따라 상기 광 발광 다이오드의 구동전류를 발생하는 n형 제2 트랜지스터; 및
    상기 제2 트랜지스터에 전달되는 전압레벨의 데이터신호를 저장하기 위한 커패시터를 포함하는 화소를 포함하며,
    상기 광 발광 다이오드의 캐소드는 제1 전원에 연결되고,
    상기 n형 제2 트랜지스터의 제1 단자는 상기 광 발광 다이오드의 애노드에 제2 단자는 제2 전원에 연결되는 광 발광 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 광 발광 다이오드가 광 여기 퀀칭 모드로 동작시에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 높으며,
    상기 광 발광 다이오드가 전계 여기 모드로 동작시에는 상기 제1 전원의 전압 레벨이 상기 제2 전원의 전압 레벨보다 낮은 광 발광 표시 장치.
KR1020110087231A 2011-08-30 2011-08-30 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치 KR20130024040A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110087231A KR20130024040A (ko) 2011-08-30 2011-08-30 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치
US13/315,140 US8659010B2 (en) 2011-08-30 2011-12-08 Photo luminescence diode and photoluminescence diplay having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110087231A KR20130024040A (ko) 2011-08-30 2011-08-30 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130024040A true KR20130024040A (ko) 2013-03-08

Family

ID=47742314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110087231A KR20130024040A (ko) 2011-08-30 2011-08-30 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8659010B2 (ko)
KR (1) KR20130024040A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101839533B1 (ko) 2010-12-28 2018-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이의 구동 방법 및 그 제조 방법
CA2890253A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Oti Lumionics Inc. Method for depositing a conductive coating on a surface
US9552769B2 (en) 2014-12-17 2017-01-24 Apple Inc. Display with a reduced refresh rate
US10355246B2 (en) 2015-12-16 2019-07-16 Oti Lumionics Inc. Barrier coating for opto-electronics devices
WO2018033860A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
CN113823755A (zh) * 2021-10-28 2021-12-21 北京工业大学 利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6580027B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
GB2379317A (en) 2001-08-30 2003-03-05 Cambridge Display Tech Ltd Optoelectronic display operating by photoluminescence quenching
CN1781198A (zh) 2003-04-28 2006-05-31 吕正红 具有富勒烯层的发光器件
CN100477873C (zh) 2003-07-10 2009-04-08 理想星株式会社 发光元件及发光装置
WO2006045199A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Zheng-Hong Lu Organic light-emitting devices with multiple hole injection layers containing fullerene
KR100688806B1 (ko) 2005-05-26 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 듀얼 모드 유기 발광소자를 이용한 화소 회로
KR100830976B1 (ko) 2006-11-21 2008-05-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
US9174938B2 (en) * 2007-12-21 2015-11-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
KR101043639B1 (ko) 2008-04-28 2011-06-24 한국화학연구원 에틸렌옥시기를 포함하는 메타노플러렌 화합물 및 이를이용한 유기전자소자
JP5491796B2 (ja) * 2008-08-11 2014-05-14 三菱化学株式会社 電荷輸送性ポリマー、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明
KR20090061613A (ko) 2009-05-14 2009-06-16 한국화학연구원 불소기로 치환된 메타노플러렌 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자
US8642363B2 (en) * 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
TWI415075B (zh) * 2010-09-21 2013-11-11 Au Optronics Corp 可切換有機電激發光顯示面板及可切換有機電激發光顯示電路

Also Published As

Publication number Publication date
US8659010B2 (en) 2014-02-25
US20130048953A1 (en) 2013-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100838088B1 (ko) 유기 발광 소자
KR100922759B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101772662B1 (ko) 유기 발광 장치
KR100830976B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
KR20130024040A (ko) 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치
KR100894066B1 (ko) 유기 발광 소자
US9282612B2 (en) Dual mode organic light emitting device and pixel circuit including the same
US6897621B2 (en) Three-terminal organic electro-luminescent device
EP2043174A1 (en) Organic light emitting device
KR101261602B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120065378A (ko) 전류 증폭형 트랜지스터 소자 및 전류 증폭형 발광 트랜지스터 소자
KR20090035874A (ko) 백색 유기발광소자
US9755176B2 (en) Organic light-emitting device
US20140353604A1 (en) Organic light emitting device having a bulk layer comprising a first and second material
KR20070112547A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210000074A (ko) 양자점 발광다이오드, 그 제조 방법 및 양자점 발광표시장치
US20050136289A1 (en) White organic light emitting device
KR100898075B1 (ko) 유기 발광 소자
KR100730221B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
KR100696497B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
KR20080046344A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100659131B1 (ko) 유기 발광 소자
US8735879B2 (en) Organic light-emitting diode comprising at least two electroluminescent layers
KR100751357B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
KR100741075B1 (ko) 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application