CN101282427A - 成像装置、成像系统、其控制方法和其程序的存储介质 - Google Patents

Abstract

一种成像装置、成像系统、其控制方法和其程序的存储介质。测量将偏压施加于转换元件之后直到用于得到图像的转换元件的累积的开始为止的空闲时间段和从累积的开始到累积的终止的累积时间段。通过使用基于测量的空闲时间段和累积时间段以及存储的暗电流响应特性计算的累积中的暗电流累积电荷量来进行图像的偏移校正。因而，即使刚在将偏压施加于转换元件之后，也可正确地进行偏移校正。提供一种成像装置，即使刚在将偏压施加于转换元件之后，该成像装置也可执行良好的放射照相，而不增加成本和尺寸。

Description

成像装置、成像系统、其控制方法和其程序的存储介质

技术领域

本发明涉及一种成像装置、成像系统、其控制方法及其程序，更具体地讲，涉及一种关于拍摄的图像的偏移校正技术。

背景技术

迄今为止，大多数照片为通过使用光学相机和银盐胶片而获得的胶片照片(银盐照片)。与半导体技术的发展相关联地，研制了诸如视频摄录机机的成像装置，其可通过使用固态成像器件来拍摄运动图像，所述固态成像器件使用由CCD类型的传感器或MOS类型的传感器作代表的硅(Si)单晶传感器。然而，就像素的数量和S/N比率而言，通过这样的使用固态成像器件的成像装置而获得的图像比胶片照片差。为了拍摄静止图像，通常使用胶片照片。

另一方面，最近几年，对通过计算机进行的图像处理、通过电子文件的保存、通过电子邮件的图像的传输等的需求日益增加。需要这样的电子成像装置，其用于输出作为数字信号的不比胶片照片图像差的照片图像。这不仅适用于一般的照片，而且还适用于检验和医学领域。

例如，在医学领域中存在作为使用照片技术的照片的X射线放射照片。将从X射线源产生的X射线照射到作为目标的人体的患处，X射线放射照片用于基于X射线的透射信息来辨别骨折或肿瘤等的存在或不存在。长期以来，X射线放射照片广泛用于医学诊断。通常，透射穿过患处的X射线进入磷光体一次，被转换为可见光，其后，被曝光到银盐胶片上。

然而，虽然银盐胶片具有灵敏度和分辨率高的这样的优点，但是存在这样的缺点，即，显影麻烦，保存和管理要花费时间，不能将胶片立刻发送到远程感光板上，等等。因此，需要这样的电子X射线成像装置，其用于输出作为数字信号的不比如上所提及的胶片照片图像差的照片图像。这不仅适用于医学领域，而且还适用于标本(诸如结构等)的无损检验领域。

为了满足这样的需求，正研制这样的成像装置(平板检测器；以下，缩写为“FPD”)，其使用通过两维布置具有由非晶氢化硅构成的光电转换元件的成像器件而获得的大规模传感器。通过使用这样的原理来实现FPD，即，当将反向电场施加于光电转换元件时，根据入射光的量的光电电流在半导体层中流动。

根据FPD，例如通过使用溅射装置、化学汽相蒸发沉积装置(CVD装置)等使金属层、非晶硅层等沉积到其一侧等于大约30-50cm的绝缘基底上，并形成光电转换元件(光电二极管)和薄膜晶体管(以下，缩写为“TFT”)。因而，例如，形成大约(2000×2000)的光电转换元件，反向偏压的电场被施加于这些光电转换元件，同时，可通过形成的TFT分别检测每个光电转换元件的反向流动的电荷。

然而，根据FPD，即使在没有光照射的状态下，称为暗电流的电流也流过，从而引起图像中的伪像。此外，暗电流对图像施以作为散粒噪声的影响，并变成引起检测能力退化的因素之一，所述检测能力即整个装置的灵敏度(S/N比率)。存在这样的情况，即，这样的退化对医学诊断和关于检验的判断产生不利的影响。例如，自然地，如果由于作为起因的散粒噪声而导致焦点和缺陷部分中的一个被忽略，则问题发生。因此，重要的是尽可能地减小暗电流。

发明内容

如图11所示，FPD中的暗电流具有时间依赖的响应特性。如图11所示，刚将偏压施加于光电转换元件之后的暗电流最大，该暗电流随着时间的流逝而逐渐降低(平稳)。考虑它的以下两个起因。

这两个起因之一在于，通常，在通过作为主组分材料的非晶硅半导体形成光电转换元件的情况下，通过非晶半导体膜中的悬挂键和在形成工艺中混合的杂质中的一个形成缺陷级。这些缺陷级起陷获级的作用。甚至就在施加偏压之后或者施加偏压之前，电子和空穴中的一种也被俘获，并且在几毫秒至几十秒时间过去之后，它们被热激发到导带或价带，并且传导电流(暗电流)流动。

在MIS(金属绝缘体半导体)类型的光电转换元件的情况下，通常已知存在许多陷获级，特别是在半导体层(I层)和注入阻止层(例如，N层)之间的界面部分中。在使用结晶类型的MIS类型的光电转换元件而不使用非晶半导体膜的情况下，通常已知，虽然它取决于形式该元件时的处理条件和装置，但是不存在与使用非晶半导体膜的情况下的陷获级一样多的陷获级。然而，在半导体层(I层)和注入阻止层(例如，N层)之间的界面部分中，存在许多不匹配的晶格，陷获级不等于零，并且存在图11中示出的光电转换元件的输出的趋势。

考虑所述起因中的另一起因与注入阻止层的特性相关。例如，当注入阻止层由N类型的非晶硅构成时，理想情况是，没有空穴注入到半导体层侧。然而，实际上，具体地讲，在非晶的情况下，N层没有非常好地阻断空穴。已穿过N层并被注入到半导体层(I层)的空穴变成暗电流。空穴在半导体层(I层)和绝缘层之间的界面中累积。随着空穴的累积，I层中的内部电场发光。由于从N层注入到I层的空穴的量随着电场的发光而减少，所以暗电流衰减。

以与MIS类型的光电转换元件类似的方式，同样，在具有作为组分材料的非晶硅的PIN类型的光电转换元件的情况下，在施加偏压之后，直到暗电流变稳定，要经过预定时间。考虑这是由于膜中存在的缺陷级而引起的。类似地，在吸收辐射并直接转换为电信号的非晶硒、砷化镓、碘化汞、碘化铅或碲化镉的情况下，同样，直到暗电流变稳定，要经过预定时间。

作为用于消除如上所提及的这样的依赖于时间的暗电流响应的方法，存在总是连续地将偏压施加于光电转换元件的方法。然而，如果连续地将偏压施加于光电转换元件，则流动的电流使半导体中的缺陷的数量增加，特性逐渐退化，并且诸如暗电流增加、光电电流降低等的现象出现。如果通过施加偏压来连续地施加电场，则不仅缺陷的数量增加，而且存在这样的情况，即，它变成TFT的阈值偏移的起因以及由于离子和电解的移动而造成用于配线的金属的腐蚀的起因，这导致整个装置的可靠性的降低。当制造医学装置和检验装置的产品时，可靠性的降低是不期望的。例如，在需要应急的诊断、治疗或检验期间所述装置失效是不期望的。因此，必须以这样的方式设计FPD，即，当不使用FPD时，使光电转换元件不操作。

与使用胶片的摄影不同，根据FPD，由于可将照片图像显示到监视器上并且可在摄影之后马上进行诊断，所以预料将在如在急救医疗服务中那样在短时间内执行摄影和诊断的领域中使用FPD。然而，由于如上所提及的光电转换元件的暗电流具有依赖于时间的响应特性，所以在刚将偏压施加于光电转换元件之后，暗电流大，并且伪像和噪声发生，从而画面质量退化。

因此，在第6127684号美国注册专利的官方公报中，在暗电流的响应平稳之后，执行X射线放射照相。在X射线放射照相之后或之前，对没有X射线照射到其的偏移图像进行放射照相，并计算通过X射线放射照相获得的X射线图像和偏移图像之间的差，从而去除X射线图像的暗电流分量(以下，这样的过程称为偏移校正)。根据前一方法，由于在将偏压施加于光电转换元件之后操作者必须等待预定时间，所以存在这样问题，即，在紧急的情况下，不能使用所述装置，并且可操作性低。根据后一方法，由于刚将偏压施加于光电转换元件之后暗电流大，所以存在这样的问题，即，即使所述差被计算，也不能非常好地去除暗电流分量。

在第5818898号美国注册专利的官方公报中，将每单位时间的暗电流(噪声量数据)存储到存储器中。基于通过累积时间段测量电路测量的放射照相时的累积时间段和每单位时间的噪声量数据来计算累积噪声量数据，并从X射线图像减去累积噪声量数据，从而进行偏移校正。然而，由于如上所提及的，暗电流具有依赖于将偏压施加于光电转换元件之后过去的时间的响应特性，所以存在这样的问题，即，不能从X射线图像完全地减去暗电流分量。

在第6965111号美国注册专利的官方公报中，通过使用诸如LED、EL等的光源将光照射到光电转换元件上，使暗电流稳定。然而，必须配备光源，这导致成本和FPD的尺寸的增加。

本发明的目的在于提供一种成像装置，在该成像装置中，即使刚在将偏压施加于光电转换元件之后，也可执行良好的放射照相，而不增加成本和所述装置的尺寸。

根据本发明，提供一种成像装置，包括：检测单元，包括在基底上按阵列布置的多个转换元件，这些转换元件用于将入射辐射或入射光转换为电信号，以得到基于该电信号的图像；存储器单元，用于存储在将偏压施加于转换元件之后的检测单元的暗电流响应特性；第一时间段测量单元，用于测量第一时间段，第一时间段从偏压到转换元件的施加直到用于得到所述图像的转换元件的累积的开始为止；第二时间段测量单元，用于测量第二时间段，第二时间段从累积的开始直到累积的结束为止；累积电荷量算术运算单元，用于基于暗电流响应特性以及第一和第二时间段来计算包括在累积中的暗电流累积电荷量；和图像处理单元，基于暗电流累积电荷量进行得到的图像的偏移校正。

根据本发明，提供一种成像系统，包括：所述图像装置；和辐射产生装置，用于产生辐射。

根据本发明，提供一种成像装置的控制方法，所述成像装置具有：检测单元，包括在基底上按阵列布置的多个转换元件，这些转换元件用于将入射辐射或入射光转换为电信号，以得到基于该电信号的图像；和存储器单元，用于存储在将偏压施加于转换元件之后的检测单元的暗电流响应特性，所述方法包括以下步骤：测量第一时间段，第一时间段从偏压到转换元件的施加直到用于得到所述图像的转换元件的累积的开始为止；测量第二时间段，第二时间段从累积的开始直到累积的结束为止；基于暗电流响应特性以及第一和第二时间段来计算包括在累积中的暗电流累积电荷量；基于计算的暗电流累积电荷量进行得到的图像的偏移校正。

根据本发明，提供一种用于存储成像装置的控制方法的程序的存储介质，所述成像装置具有：检测单元，包括在基底上按阵列布置的多个转换元件，这些转换元件用于将入射辐射或入射光转换为电信号，以得到基于该电信号的图像；和存储器单元，用于存储在将偏压施加于转换元件之后的检测单元的暗电流响应特性，其中，所述程序控制计算机执行以下步骤：测量第一时间段，第一时间段从偏压到转换元件的施加直到用于得到所述图像的转换元件的累积的开始为止；测量第二时间段，第二时间段从累积的开始直到累积的结束为止；基于暗电流响应特性以及第一和第二时间段来计算包括在累积中的暗电流累积电荷量；基于计算的暗电流累积电荷量进行得到的图像的偏移校正。

根据本发明，基于空闲时间段、放射照相时的累积时间段和暗电流响应特性来计算暗电流累积电荷量，所述空闲时间段从偏压到转换元件的施加直到用于得到所述图像的放射照相的开始为止。由于通过使用计算的暗电流累积电荷量进行图像的偏移校正，所以即使刚在施加偏压之后，也正确地进行偏移校正，而不增加所述装置的成本和尺寸，并且可执行良好的放射照相。

从以下参考附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出第一实施例中的成像系统的示意性构造的示图。

图2是示出第一实施例中的成像系统的处理操作的流程图。

图3是示出第一实施例中的成像系统的驱动时序的时序图。

图4是示出按二维矩阵形式布置各自由光电转换元件和切换元件构成的集合的示例的示图。

图5是示出图4中示出的构造中的驱动时序的时序图。

图6是示出第二实施例中的成像系统的示意性构造的示图。

图7是示出第二实施例中的成像系统的驱动时序的时序图。

图8是示出第二实施例中的成像系统的处理操作的流程图。

图9是示出第三实施例中的成像系统的驱动时序的时序图。

图10是示出第三实施例中的成像系统的处理操作的流程图。

图11是示出光电转换元件的暗电流响应特性的示图。

具体实施方式

以下将参考附图描述本发明的示例性实施例。

(第一实施例)

图1是示出本发明的第一实施例中的成像系统的示意性构造图。在图1中，不包括用作辐射产生装置的X射线源101及其控制系统的构造对应于成像装置。第一实施例中的成像系统由X射线源101、其控制系统和所述成像装置构成。在第一实施例中的成像装置中，可自由地选择性地设置运动图像摄影模式和静止图像摄影模式，运动图像摄影模式用于执行荧光透视法等，静止图像摄影模式用于执行放射照相。

该实施例中的成像系统的整个操作受控制单元114A控制。控制台单元112具有显示器121上的触摸面板、鼠标、键盘、操纵杆、脚踏开关等。在该实施例中的成像系统中，操作者113可从控制台单元112进行各种类型的设置，诸如放射照相条件(静止图像、运动图像、电子管电压、电子管电流、照射时间段等)、放射照相时序、图像处理条件、目标ID、取出的图像的处理方法等。

控制单元114A将基于以下指令的放射照相条件命令给用于控制放射照相序列的放射照相控制单元115A，所述指令为通过控制台单元112输入的操作者113的指令和辐射信息系统的指令中的一个，并取出数据。基于所述指令，放射照相控制单元115A驱动作为辐射源的X射线源101、用于放射照相的床架(未显示)和辐射检测单元103，取出图像数据，并传送到图像处理单元110A。图像处理单元110A对传送的图像数据执行由操作者113指定的图像处理，对显示器121显示，同时，将通过执行基本图像处理获得的原始数据存储到存储器111中，所述基本图像处理诸如偏移校正、白色校正、缺陷校正等。

此外，基于操作者113的指令，控制单元114A执行关于存储在存储器111中的图像数据的重新图像处理和再现显示、图像数据到网络上的装置的传送和保存、到显示器上的显示、对胶片的打印等。

随后，将根据信号的流程顺序地描述图1中示出的成像系统的操作。X射线源101包括X射线管和X射线光圈。受放射照相控制单元115A控制的高压产生电源驱动X射线管，X射线管照射作为辐射的X射线束122。放射照相控制单元115A驱动X射线光圈，X射线光圈与放射照相区域中的变化相关联地对X射线束122进行成形，从而不执行不必要的X射线照射。

从X射线源101照射的X射线束122直达位于穿透用于放射照相的床架的X射线上的目标102。基于放射照相控制单元115A的指令驱动放射照相床架。照射到目标102上的X射线束122穿透目标102和放射照相床架，其后，进入辐射检测单元103。

辐射检测单元103具有格栅(未显示)、磷光体106、光电转换元件104、切换元件105、读取电路107、A/D转换器(ADC)108、驱动电路109和X射线曝光量监视器(未显示)。格栅减小在X射线束122穿透目标102之后引起的X射线散射的影响。格栅由X射线低吸收材料和X射线高吸收材料形成，具有例如Al(铝)和Pb(铅)的条纹结构。在X射线照射时，格栅基于放射照相控制单元115A的指令而振动，以使不引起由于辐射检测单元103(更详细地讲，布置在基底上的光电转换元件104)的栅格比率和格栅之间的关系而引起的云纹。

作为波长转换器的磷光体106吸收穿透目标102的X射线，使磷光体106中的发光中心激励，并发射可见光。也就是说，磷光体106转换入射的X射线的波长。从磷光体106发射的可见光照射到布置在绝缘基底上的光电转换元件104的感光面上，并被光电转换。此外，通过同样布置在绝缘基底上的切换元件105将光电转换的信号电荷供应到读取电路107，读取电路107的积分放大器将这些信号电荷转换为电压信号。ADC 108将被读取电路107的积分放大器转换的电压信号从模拟信号转换为数字信号，并将其传送到辐射检测单元103的外部。驱动电路109基于来自放射照相控制单元115A的控制来驱动光电转换元件104、切换元件105和读取电路107，从而以这种方式执行所述信号的读取操作。

作为光电转换元件104，例如，将非晶氢化硅用作主组分材料的MIS类型或PIN类型的薄膜光电转换元件、使用单硅(单晶硅)的PN光电二极管等可被提及。作为切换元件105，使用非晶硅、多硅(多晶硅)、单硅等的薄膜晶体管或者公知的MOS晶体管可被使用。

作为绝缘基底的材料，主要使用碱组分小的透明玻璃。作为磷光体106的材料，使用Gd₂O₂S:Tb、CsI:Tl等。磷光体106不限于这样的材料，而是可由例如作为主组分材料的选自Gd₂O₂S、Gd₂O₃、CaWO₄、CdWO₄、CsI和ZnS的一种类型构成。

还可构造光电转换元件104，以使具有这样的功能，其用于吸收X射线，而不穿过磷光体106并直接转换为电信号。例如，光电转换元件104还可由作为主组分材料的选自非晶硒、砷化镓、碘化汞、碘化铅或碲化镉的一种类型构成。

X射线曝光量监视器监视X射线透射量。X射线曝光量监视器能够通过使用由结晶硅等构成的感光元件来直接检测X射线，或者可检测穿透光电转换元件104和切换元件105的可见光。将X射线曝光量监视器检测到的信息传输到放射照相控制单元115A。放射照相控制单元115A基于X射线曝光量监视器检测到的信息切断或调节X射线源101。虽然在该实施例中在辐射检测单元103的外部提供放射照相控制单元115A，但是本发明不限于这样的构造，而是可在辐射检测单元103中提供放射照相控制单元115A。

执行放射照相的X射线室和操作者113执行操作的控制室不同。将来自辐射检测单元103的图像信号从用于放射照相的X射线室传送到在操作者113执行操作的控制室中提供的图像处理单元110A。当传送时，在X射线室中由X射线产生而引起的噪声大，并且存在由于噪声而导致没有精确地传送图像数据的情况。因此，需要提高传送路径的噪声电阻。例如，理想情况是，使用具有纠错功能的传输系统、由LVDS(低压微分信令)作代表的微分信号传输系统、或者通过光纤的传送路径。

图像处理单元110A基于放射照相控制单元115A的指令切换显示数据。作为其它功能，图像处理单元110A以实时方式执行图像数据的校正(偏移校正、白色校正、缺陷校正)、空间滤波、递归过程等，此外，图像处理单元110A可执行分级过程、散射线校正、各种类型的空间频率过程等。在图像处理单元110A中处理的图像显示在显示器121上。与实时图像处理同时地，将仅进行数据校正的基本图像存储在存储器111中。作为存储器111，可满足大容量、高速和高可靠性的数据存储设备是理想的。例如，RAID等的硬盘阵列是理想的。

重新构造存储在存储器111中的图像数据，以满足预定标准(例如，IS&C)，其后，将该图像数据存储到外部存储设备(未显示)中。外部存储设备可为，例如，磁光盘、LAN中的文件服务器中的硬盘等。

该实施例中的成像系统还可通过LAN板连接至LAN，具有拥有与HIS的数据兼容性的结构。自然，多个成像系统可连接至LAN，并且用于显示运动图像/静止图像的监视器、用于对图像数据进行存档的文件服务器等连接至LAN。用于将图像输出到胶片上的图像打印机、用于执行复杂的图像处理并支持诊断的图像处理终端等也被连接。该实施例中的成像系统根据预定协议(例如，DICOM)输出图像数据。另外，当进行X射线放射照相时可通过使用连接至LAN的监视器执行由医生进行的实时远程诊断。

随后，将描述第一实施例中的成像系统中的偏移校正。以下将参考图1中示出的示意性构造图、图2中示出的流程图和图3中示出的时序图与图2中示出的流程图一起顺序地描述从操作的开始直到图像显示为止的处理操作。在以下描述中，通过照射辐射并执行放射照相(辐射摄影)而获得的光输出(通过输入辐射而获得的辐射图像)被称为X射线帧，在不照射辐射的情况下通过执行放射照相而获得的暗输出被称为偏移帧。

首先，设置目标102的位置和放射照相条件，诸如电子管电压、电子管电流、辐射时间段等(S101)。在此之后，开始放射照相(S102)。当开始放射照相时，放射照相控制单元115A将命令发到辐射检测单元103中的驱动电路109。接收命令的驱动电路109分别将电压施加于偏压配线Vs、栅配线Vg和读取电路107的参考电源Vref。通过将电压施加于栅配线Vg，切换元件105导通，电压(Vs-Vref)被施加于光电转换元件104，并获得可执行光电转换的状态。

图2和图3中示出的空闲表示如上所提及的偏压已被施加于光电转换元件104的状态。在该实施例中，每当操作者113按下X射线照射开关时，操作模式可立即更换到读取操作。当空闲时，为了对由于通过将偏压施加于光电转换元件104而产生的暗电流所引起的累积电荷进行重置，将脉冲周期性地施加于栅配线Vg，从而使切换元件105导通。

作为空闲操作的开始时间，放射照相控制单元115A将当偏压被施加于辐射检测单元103的光电转换元件104时的时间tis供应给X射线帧空闲时间段测量单元117和偏移帧空闲时间段测量单元124。X射线帧空闲时间段测量单元117和偏移帧空闲时间段测量单元124存储供应的空闲操作的开始时间tis(S103)。

随后，操作者113在任意时序按下X射线照射开关。因而，作为空闲操作的终止时间，放射照相控制单元115A将就在压下X射线照射开关之前切换元件105从导通状态更换到截止状态时的时间(暗电流重置时间)txs供应给X射线帧空闲时间段测量单元117。此外，放射照相控制单元115A将作为X射线帧的累积开始时间的时间txs供应给X射线帧累积时间段测量单元120。X射线帧空闲时间段测量单元117存储供应的空闲操作的终止时间txs，X射线帧累积时间段测量单元120存储供应的X射线帧的累积开始时间txs(S104)。

X射线帧空闲时间段测量单元117基于空闲操作的开始时间tis和终止时间txs来计算X射线帧的空闲时间段Txi(＝txs-tis)，并输出。X射线帧空闲时间段测量单元117对应于第一时间段测量单元。由于与放射照相过程并行地执行由X射线帧空闲时间段测量单元117进行的算术运算过程，所以即使在算术运算过程期间，也照射X射线，并且，在照射终止之后，辐射检测单元103将操作模式更换到X射线帧的读取操作。

当读取X射线帧时，通过将电压施加于栅配线Vg来使切换元件105导通，光电转换元件104的电荷被读取电路107取出，被ADC 108转换为数字信号，并被传送到图像处理单元110A。因而，在X射线帧中获得的X射线图像(辐射图像)被传送到图像处理单元110A(S105)。

在X射线帧的读取中，如图3的时序图中的光电转换元件电流所示，从光电转换元件104输出的电荷的量等于暗电流累积电荷量Qwx和X射线电荷量Qx之和。暗电流累积电荷量Qwx表示根据光电转换元件104的暗电流响应特性通过暗电流累积的电荷的量。X射线电荷量Qx表示通过由X射线照射产生的光电转换而获得的电荷的量。

随后，由于切换元件105从导通状态更换到截止状态，所以在光电转换元件104中累积的电荷的传送终止，X射线帧的读取终止。此时，作为X射线帧的读取终止时间，放射照相控制单元115A将当切换元件105从导通状态更换到截止状态时的时间txe供应给X射线帧累积时间段测量单元120。X射线帧累积时间段测量单元120存储供应的X射线帧的读取终止时间txe。X射线帧累积时间段测量单元120基于X射线帧的累积开始时间txs和读取终止时间txe来计算X射线帧的累积时间段Tx(＝txe-txs)，并输出(S106)。X射线帧累积时间段测量单元120对应于第二时间段测量单元。

在X射线帧的读取终止之后，X射线帧累积电荷量的算术运算单元118通过使用X射线帧的空闲时间段Txi和累积时间段Tx以及存储在暗电流响应特性存储器119中的暗电流响应特性来计算和预测X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx。暗电流响应特性存储器119对应于存储器单元。当计算X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx时，通过如以下方程(1)所示相对于从Txi至(Txi+Tx)的范围对通过计算暗电流响应特性f(t)而获得的值进行积分来获得Qwx。

$\mathrm{Qwx}={\∫}_{\mathrm{Txi}}^{\mathrm{Txi}+\mathrm{Tx}}f\left(t\right)\mathrm{dt}\·\·\·\left(1\right)$

在这种情形下，实际的X射线帧的暗电流累积电荷量和计算的X射线帧的暗电流累积电荷量之间的差越小，就可通过偏移校正实现对越小的伪像的图像校正。

关于暗电流响应特性f(t)，如以下方程(2)所示，预先将通过指数函数逼近的系数A和B存储到存储器中，并执行关于X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx的计算。

f(t)＝A exp(-Bt)   …(2)

虽然在该实施例中通过使用指数函数来逼近暗电流响应特性，但是可使用其它函数，只要它可逼近响应特性即可。在获得暗电流响应特性时，存在用于当从工厂装运时获得暗电流响应特性的方法、在装配位置周期性地更新暗电流响应特性的方法等。然而，如果使用刚在放射照相之前的响应特性，则由于在光电转换元件中不存在老化转换的影响，所以可进行更高精度的偏移校正。

随后，对偏移帧进行放射照相。在终止X射线帧的读取之后连续地对偏移帧进行放射照相的情况下，偏移帧的累积开始时间tws变为X射线帧的读取终止时间。在提供时间段以减小关于X射线帧的X射线图像迟延的影响并对偏移帧进行放射照相的情况下，偏移帧的累积开始时间tws变为就在偏移帧之前切换元件105从导通状态更换到截止状态时的时间。在该实施例中，假设在X射线帧的读取终止之后对偏移帧进行放射照相。

作为偏移帧的累积开始时间，放射照相控制单元115A将X射线帧的读取终止时间tws供应给偏移帧空闲时间段测量单元124。偏移帧空闲时间段测量单元124存储供应的偏移帧的累积开始时间(S107)。

偏移帧空闲时间段测量单元124基于当将偏压供应给光电转换元件104时的时间(空闲操作的开始时间)tis和偏移帧的累积开始时间tws计算偏移帧的空闲时间段Twi。

随后，偏移帧累积时间段的算术运算单元116根据以下方程(3)通过使用如上所述计算的X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx、空闲时间段Twi和暗电流响应特性f(t)来计算偏移帧的累积时间段Tw(S108)。

$\mathrm{Qwx}={\∫}_{\mathrm{Twi}}^{\mathrm{Twi}+\mathrm{Tw}}f\left(t\right)\mathrm{dt}\·\·\·\left(3\right)$

偏移帧累积时间段算术运算单元116将计算的偏移帧的累积时间段Tw输出到放射照相控制单元115A。在从偏移帧的累积开始时间tws过去偏移帧的累积时间段Tw之后，放射照相控制单元115A将偏移帧的读取开始命令发到辐射检测单元103。接收命令的辐射检测单元103读出偏移帧(S109、S110)。由于以与X射线帧的方式类似的方式执行偏移帧的读取，所以省略其描述。

在偏移帧的读取终止之后，将读出的偏移校正数据传送到图像处理单元110A。图像处理单元110A执行(X射线图像)-(偏移校正数据)的减法过程(偏移校正)，还执行必要的图像处理，诸如增益校正等(S111)，并允许将校正的图像显示到显示器121上(S112)。

以这种方式，通过使用X射线帧的空闲时间段Txi、X射线帧的累积时间段Tx和暗电流响应特性f(t)来计算和预测X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx。确定偏移帧的累积时间段，该累积时间段用于获得作为偏移校正数据的与计算的X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx相同的量的电荷。通过获得的偏移校正数据进行X射线图像的偏移校正。因而，消除了由于新光源的添加等而导致的所述装置的尺寸的增加，并且即使在这样的暗电流响应特性的情况下，即，刚将偏压施加于光电转换元件104之后的变化大的情况下，也可正确地进行偏移校正，并且也可执行良好的放射照相。通过交替地重复这样的X射线帧的放射照相(辐射摄影)和偏移帧的放射照相，还可执行运动图像的连续的放射照相。

虽然以上基于提供一个光电转换元件104和一个切换元件105的假设进行了描述，但是事实上，以一维或二维阵列形状将多个光电转换元件104和多个切换元件105布置在绝缘基底上。

图4示出以3×3的二维矩阵形状布置各自由光电转换元件和切换元件构成的集合(像素)的示例。虽然为了简化描述示出了(3×3)个像素的矩阵，但是可任意设置像素的数量。本发明还可应用于例如(2000×2000)个像素或更多个像素的面积传感器。

在图4中，Sm-n表示光电转换元件；Tm-n表示切换元件(TFT晶体管)；123表示用于顺序地使切换元件导通的移位寄存器；Vgm表示用于传送用于驱动切换元件的脉冲的栅配线。An表示用于读出在光电转换元件Sm-n中累积的电荷的放大器(算术运算放大器)；Cfn表示用于计算当从光电转换元件Sm-n读出电荷时的信号电荷的积分的积分电容器；Mn表示用于传送所述信号电荷的信号配线；Vs表示用于将偏压施加于光电转换元件Sm-n的偏压配线；Vref表示由放大器An和积分电容器Cfn构成的读取电路的参考电源。m和n中的每个表示下标(m＝1至3的自然数，n＝1至3的自然数；这适用于以下描述)。

第m行和第n列的光电转换元件Sm-n的一端连接至偏压配线Vs，另一端通过第m行和第n列的切换元件Tm-n连接至第n列的信号配线Mn。第m行的切换元件Tm-1至Tm-3的控制终端(晶体管的栅)连接至第m行的栅配线Vgm。第n列的放大器An的一个输入连接至参考电源Vref，另一输入连接至第n列的信号配线Mn。积分电容器Cfn并联在放大器An的另一输入和输出之间。

图5是示出在如图4所示构造辐射检测单元103中的光电转换元件和切换元件的集合的情况下的驱动时序的时序图。在图4中示出的构造的情况下，由于它具有(3×3)个像素的矩阵结构，所以每一栅配线地测量X射线帧的空闲时间段和X射线帧的累积时间段，每一栅配线地测量偏移帧的累积时间段。

首先，当开始放射照相时，放射照相控制单元115A将命令发到辐射检测单元103中的驱动电路109。接收命令的驱动电路109分别将电压施加于偏压配线Vs和读取电路的参考电源Vref。放射照相控制单元115A通过移位寄存器123顺序地驱动栅配线Vg1、Vg2和Vg3，从而顺序地使切换元件T1-n、T2-n和T3-n导通/截止。通过施加偏压和使切换元件Tm-n导通，电压(Vs-Vref)被施加于光电转换元件Sm-n，并且暗电流开始流动。通过将电压施加于栅配线Vgm，可对通过光电转换元件Sm-n的暗电流累积的电荷进行重置。

作为空闲操作的开始时间，放射照相控制单元115A将当偏压被施加于光电转换元件Sm-n时的时间tism供应给X射线帧空闲时间段测量单元117和偏移帧空闲时间段测量单元124。X射线帧空闲时间段测量单元117和偏移帧空闲时间段测量单元124分别将供应的空闲操作的开始时间tism存储到内部存储器中。

随后，操作者按下X射线照射开关。作为空闲操作的终止时间，放射照相控制单元115A将就在压下X射线照射开关之前切换元件Tm-n从导通状态更换到截止状态时的时间txsm供应到X射线帧空闲时间段测量单元117。对于每一栅配线Vgm，X射线帧空闲时间段测量单元117存储供应的空闲操作的终止时间txsm，并且计算X射线帧的空闲时间段Txim(＝txsm-tism)。

作为X射线帧的累积开始时间，放射照相控制单元115A将就在压下X射线照射开关之前切换元件Tm-n从导通状态更换到截止状态时的时间txsm供应到X射线帧累积时间段测量单元120。X射线帧累积时间段测量单元120将供应的X射线帧的累积开始时间txsm存储到内部存储器中。

随后，照射X射线，在光电转换元件Sm-n中执行光电转换，并产生电荷。因而，放射照相控制单元115A顺序地驱动栅配线Vgm，放大器An读出在光电转换元件Sm-n中累积的电荷作为电压信号。读出的电压信号被A/D转换，并被作为X射线图像传送到图像处理单元110A。作为X射线帧的读取终止时间，放射照相控制单元115A将当切换元件Tm-n从导通状态更换到截止状态时的时间txem供应给X射线帧累积时间段测量单元120。对于每一栅配线Vgm，X射线帧累积时间段测量单元120存储供应的X射线帧的读取终止时间txem，并且计算X射线帧的累积时间段Txm(＝txem-txsm)。

随后，X射线帧累积电荷量的算术运算单元118从暗电流响应特性存储器119读出X射线帧的空闲时间段Txim、累积时间段Txm和每一栅配线的暗电流响应特性，并计算和预测X射线帧的暗电流累积电荷量。

随后，作为偏移帧的累积开始时间，放射照相控制单元115A将时间twsm供应给偏移帧空闲时间段测量单元124。对于每一栅配线Vgm，偏移帧空闲时间段测量单元124存储供应的偏移帧的累积开始时间twsm，并且计算偏移帧的空闲时间段Twim(＝twsm-tism)。

此外，偏移帧累积时间段的算术运算单元116通过使用X射线帧的暗电流累积电荷量、空闲时间段Twim和每一栅配线Vgm的暗电流响应特性来计算偏移帧的累积时间段Twm。偏移帧累积时间段算术运算单元116将计算的偏移帧的累积时间段Twm输出到放射照相控制单元115A。

以与图1至图3中示出的示例类似的方式，以下基于放射照相控制单元115A的指令执行偏移帧的读取，在图像处理单元110A中执行偏移校正等。

在具有多个像素的面积传感器的情况下，作为决定偏移帧的累积时间段的方法，存在通过使用所有像素的均值来决定偏移帧的累积时间段的方法、与在该实施例中一样针对每一栅配线来决定偏移帧的累积时间段的方法、或者基于像素单位决定偏移帧的累积时间段的方法。由于光电转换元件的暗电流响应特性根据制造时的差异而对于每一像素有所不同，所以理想情况是，基于像素单位决定偏移帧的累积时间段。通过这种方法，可非常好地使由于暗电流而导致的X射线帧的累积电荷量和偏移帧的累积电荷量相等。然而，由于还存在存储器容量、处理时间段和读取时间段增加的情况，所以基于合适的单位控制偏移帧的累积时间段是足够的。

(第二实施例)

现在将描述本发明的第二实施例。在前面的第一实施例中，在对X射线帧进行放射照相(辐射拍摄)之后，对偏移帧进行放射照相。考虑以下情况：也就是说，如果在对X射线帧进行放射照相之后对偏移帧进行放射照相，则由于通过将光照射到光电转换元件上而施加的影响使得图像迟延发生，图像迟延分量被混合到偏移帧中，并且在偏移校正之后获得的图像中伪像发生。

因此，在第二实施例中，在对X射线帧进行放射照相(辐射摄影)之前对偏移帧进行放射照相。从而，可在一定程度上防止由于X射线帧的放射照相所引起的图像迟延的影响施加于偏移帧上，并且可在一定程度上防止伪像发生在完成偏移校正之后获得的图像中，并可在不扩大放射照相时间段的情况下获得良好的图像。

图6是第二实施例中的成像系统的示意性构造图。在图6中，用相同的标号表示基本具有与图1中示出的组成元件的功能相同的功能的组成元件，这里省略其重叠的描述。此外，在图6中，不包括用作辐射产生装置的X射线源101及其控制系统的构造对应于成像装置。成像系统由X射线源101、其控制系统和所述成像装置构成。

该实施例中的成像系统的整个操作受控制单元114B控制。控制单元114B对应于第一实施例中的控制单元114A，虽然在内部构造中存在不同的部分。放射照相控制单元115B对应于第一实施例中的放射照相控制单元115A。图像处理单元110B对应于第一实施例中的图像处理单元110A，关于偏移校正的处理操作与图像处理单元110A的操作处理不同。

虽然将基于提供一个光电转换元件104和一个切换元件105的假设描述第二实施例，但是可以以一维或二维阵列形状在绝缘基底上布置多个光电转换元件104和多个切换元件105。

将描述第二实施例中的成像系统的偏移校正。以下将参考图6中示出的示意性构造图、图7中示出的时序图和图8中示出的流程图与图8中示出的流程图一起顺序地描述从操作的开始直到图像显示为止的处理操作。

首先，设置目标102的位置和放射照相条件(S201)。在此之后，开始放射照相(S202)。当开始放射照相时，以与第一实施例类似的方式，驱动电路109基于来自放射照相控制单元115B的指令分别将电压施加于偏压配线Vs、栅配线Vg和读取电路107的参考电源Vref。当将偏压施加于光电转换元件104时的空闲操作的开始时间tis从放射照相控制单元115B被供应到X射线帧空闲时间段测量单元117和偏移帧空闲时间段测量单元124，并被存储(S203)。

当偏压被施加于光电转换元件104时，暗电流开始在光电转换元件104中流动。因此，在操作者113按下X射线照射开关之前，电压被周期性地施加于栅配线Vg。因而，周期性地对暗电流的累积电荷进行重置，并可减小在偏移帧中累积的暗电流(散粒噪声)。

随后，操作者113按下X射线照射开关(S204)。因而，作为空闲操作的终止时间，放射照相控制单元115B将就在按下X射线照射开关之前切换元件105截止时的时间tws供应给偏移帧空闲时间段测量单元124。此外，作为偏移帧的累积开始时间，放射控制单元115B将时间tws供应给偏移帧累积时间段的测量单元126。偏移帧空闲时间段测量单元124存储供应的空闲操作的终止时间tws，偏移帧累积时间段测量单元126存储供应的偏移帧的累积开始时间tws(S205)。

偏移帧空闲时间段测量单元124基于空闲操作的开始时间tis和偏移帧的累积开始时间tws来计算偏移帧的空闲时间段Twi(＝tws-tis)，并输出。

在此之后，在过去任意累积时间段之后，电压被施加于栅配线Vg，切换元件105导通，并且开始偏移帧的读取(S206)。当切换元件105截止并且偏移帧的读取终止时，作为偏移帧的读取终止时间，放射照相控制单元115B将当读取终止时的时间twe供应给偏移帧累积时间段测量单元126(S207)。

偏移帧累积时间段测量单元126存储供应的偏移帧的读取终止时间twe。偏移帧累积时间段测量单元126基于偏移帧的累积开始时间tws和当读取终止时的时间twe来计算偏移帧的累积时间段Tw(＝twe-tws)，并输出。由偏移帧的读取操作读出的数据被作为偏移数据存储。

偏移帧累积电荷量的算术运算单元127基于偏移帧的空闲时间段Twi和累积时间段Tw以及存储在暗电流响应特性存储器119中的暗电流响应特性来计算偏移帧的暗电流累积电荷量Qw。

作为X射线帧的累积开始时间，放射照相控制单元115B将当切换元件105截止并且偏移帧的读取终止时的时间txs供应给X射线帧空闲时间段测量单元117和X射线帧累积时间段测量单元120。X射线帧空闲时间段测量单元117存储供应的X射线帧的累积开始时间txs，并基于空闲操作的开始时间tis和X射线帧的累积开始时间txs来计算X射线帧的空闲时间段Txi(＝txs-tis)，并输出。X射线帧累积时间段测量单元120存储供应的X射线帧的累积开始时间txs。X射线帧空闲时间段测量单元117对应于第一时间段测量单元。X射线帧累积时间段测量单元120对应于第二时间段测量单元。

在偏移帧的读取终止之后，照射X射线，并开始X射线帧的读取(S208，S209)。当读取X射线帧时，从光电转换元件104输出的电荷的量等于根据暗电流响应特性通过暗电流累积的电荷的暗电流累积电荷量Qwx和通过由于X射线的照射而引起的光电转换而获得的电荷的X射线电荷量Qx之和。

当X射线帧的读取终止时，作为X射线帧的读取终止时间，放射照相控制单元115B将当读取终止时的时间txe供应给X射线帧累积时间段测量单元120(S210)。X射线帧累积时间段测量单元120存储供应的X射线帧的读取终止时间txe。X射线帧累积时间段测量单元120基于X射线帧的累积开始时间txs和读取终止时间txe来计算X射线帧的累积时间段Tx，并输出。

此外，X射线帧累积电荷量的算术运算单元118根据方程(1)通过使用X射线帧的空闲时间段Txi和累积时间段Tx以及存储在暗电流响应特性存储器119中的暗电流响应特性来计算X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx。

随后，图像处理单元110B通过使用偏移帧的暗电流累积电荷量Qw和X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx来将作为偏移数据的偏移图像与(Qwx/Qw)相乘，从而进行关于暗电流分量的校正。图像处理单元110B通过使用暗电流校正的偏移校正数据来进行X射线图像的偏移校正，随后执行必要的各种类型的图像处理，诸如增益校正等(S211)，从而允许将校正的图像显示到显示器121上(S212)。

如上所述，也可通过图像处理使暗电流累积电荷均衡。即使就在将偏压施加于光电转换元件104之后，也可进行适当的根据暗电流响应特性的偏移校正，而不扩大装置的尺寸，并可执行良好的放射照相。

虽然在第二实施例中基于暗电流累积电荷量来进行偏移校正，所述暗电流累积电荷量通过对通过放射照相而获得的偏移数据进行算术运算而获得，但是本发明不限于这样的方法。例如，也可通过根据这样的计算形成偏移校正数据来进行偏移校正，所述计算基于从工厂装运时测量的空闲时间段、累积时间段和暗电流响应特性等。

还可交替地重复如上所述的偏移帧的放射照相和X射线帧的放射照相(辐射摄影)来执行连续的运动图像放射照相。

此外，可通过按以下顺序执行放射照相并通过对X射线帧之前和之后的偏移帧进行平均而获得的偏移帧进行偏移校正来减小散粒噪声，其中所述顺序即：偏移帧放射照相→X射线帧放射照相→偏移帧放射照相。在这种情形下，除了第二实施例之外，还应用第一实施例的方法，对在X射线帧放射照相之后执行的偏移帧放射照相时的累积时间段进行调整，并且使X射线帧的暗电流累积电荷量以及X射线帧之前和之后的偏移帧的暗电流累积电荷量中的每个均衡，从而能够减少伪像。

(第三实施例)

现在将描述本发明的第三实施例。已关于执行一个X射线帧的放射照相和一个偏移帧的放射照相的情况对第一和第二实施例进行了描述。在以下将描述的第三实施例中，通过连续地对X射线帧进行放射照相，能够实现运动图像放射照相。

由于第三实施例中的成像系统的构造与第二实施例中的成像系统的构造类似，所以省略其描述。

将描述第三实施例中的成像系统中的偏移校正。以下将参考图9中示出的时序图和图10中示出的流程图与图10中示出的流程图的流程一起描述操作。

从操作的开始直到偏移帧的读取的终止为止的步骤S301至S307中的操作与第二实施例中的步骤S201至S207中的操作类似。

在步骤S307中，作为作为第一帧的第一X射线帧的累积开始时间，将当偏移帧的读取终止时的时间txs1供应给X射线帧空闲时间段测量单元117和X射线帧累积时间段测量单元120。X射线帧空闲时间段测量单元117存储供应的第一X射线帧的累积开始时间txs1。X射线帧空闲时间段测量单元117基于第一X射线帧的空闲操作的开始时间tis和累积开始时间txs1来计算第一X射线帧的空闲时间段Txi1(＝txs1-tis)，并输出。X射线帧累积时间段测量单元120存储供应的第一X射线帧的累积开始时间txs1。

在偏移帧的读取终止之后，在第一时间照射X射线，并开始第一X射线帧的读取(S308，S309)。当读取第一X射线帧时，从光电转换元件104输出的电荷的量等于根据暗电流响应特性通过暗电流累积的电荷的暗电流累积电荷量Qwx1和通过X射线照射而引起的光电转换而获得的X射线电荷量Qx1之和。

当第一X射线帧的读取终止时，作为第一X射线帧的读取终止时间，放射照相控制单元115B将当读取终止时的时间txe1供应给X射线帧累积时间段测量单元120(S310)。X射线帧累积时间段测量单元120存储供应的第一X射线帧的读取终止时间txe1。X射线帧累积时间段测量单元120基于第一X射线帧的累积开始时间txs1和读取终止时间txe1来计算第一X射线帧的累积时间段Tx1，并输出。

此外，X射线帧累积电荷量的算术运算单元118根据方程(1)通过使用X射线帧的空闲时间段Txi1和累积时间段Tx1以及存储在暗电流响应特性存储器119中的暗电流响应特性来计算第一X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx1。

随后，图像处理单元110B通过使用偏移帧的暗电流累积电荷量Qw和第一X射线帧的暗电流累积电荷量Qwx1来将偏移图像与(Qwx1/Qw)相乘，从而进行关于暗电流分量的校正。图像处理单元110B通过使用暗电流校正的偏移校正数据来进行第一帧的X射线图像的偏移校正，随后执行必要的各种类型的图像处理，诸如增益校正等(S311)，从而允许将校正的图像显示到显示器121上(S312)。

在步骤S310中，放射照相控制单元115B将作为第二帧的第二X射线帧的累积开始时间txs2供应给X射线帧空闲时间段测量单元117和X射线帧累积时间段测量单元120。X射线帧空闲时间段测量单元117存储供应的第二X射线帧的累积开始时间txs2。X射线帧空闲时间段测量单元117计算第二X射线帧的空闲时间段Txi2(＝txs2-tis)，并输出。X射线帧累积时间段测量单元120存储供应的第二X射线帧的累积开始时间txs2。

在该实施例中，在X射线帧的读取终止之后，连续地执行下一X射线帧的放射照相。因此，作为第n帧的X射线帧的读取终止时间txen变为作为下一(n+1)帧的X射线帧的累积开始时间txs(n+1)。

在将校正的图像显示到显示器121上之后，控制单元114B将放射照相的帧的号码n的值增加“1”(S313)，并辨别是否已终止放射照相(S314)。

重复步骤S308至S314中的操作，直到确定放射照相的终止为止。在更新时间的同时，按第二帧、第三帧……的顺序执行X射线帧的放射照相。对于每一帧，X射线帧累积电荷量的算术运算单元118计算第n帧的X射线帧的暗电流累积电荷量Qwxn。图像处理单元110B将偏移图像与(Qwxn/Qw)相乘，从而进行关于首先对其进行放射照相的偏移帧的暗电流分量的校正，并通过使用校正的偏移校正数据来进行X射线图像的偏移校正。以这种方式，图像处理单元110B连续地执行X射线帧的放射照相，并执行运动图像的放射照相。

(本发明的其它实施例)

本发明还合并了这样的示例，在该示例中，为了使各种类型的设备操作以实现上述实施例的功能，将实现前述实施例的功能的软件程序供应给连接至各种设备的系统或装置中的计算机(CPU或MPU)，并且根据存储在所述系统或装置的计算机中的程序来使各种设备操作，从而实施这些功能。在这样的情况下，软件的程序自身实现前述实施例的功能，这些程序自身构成本发明。用于将所述程序供应给计算机的单元(例如，已存储这样的程序的存储介质)构成本发明。作为用于存储所述程序的存储介质，例如，软盘、硬盘、光盘、磁光盘、CD-ROM、磁带、非易失性存储卡、ROM等可被使用。自然，即使在供应的程序与在计算机中操作的操作系统、其它应用程序软件等协作实现前述实施例的功能的情况下，这样的程序也被合并在本发明的实施例中。此外，自然地，本发明还合并了这样的情况，即，供应的程序被存储在为关于计算机的功能扩展板或功能扩展单元而配备的存储器中，其后，为功能扩展板、功能扩展单元等配备的CPU等基于所述程序的指令来执行实际过程中的部分过程或所有过程。自然，通过这些过程实现前述实施例的功能的情况也合并在本发明中。例如，本发明还合并了这样的情况，即，通过具有CPU、ROM和RAM的计算机的功能实现控制单元114A(114B)和图像处理单元110A(110B)，预先将用于执行如上所述的处理操作的处理程序存储在ROM中，并且CPU从ROM读出该处理程序并执行该处理程序，从而进行控制用于实现前述的处理操作。

前述的实施例仅仅是用于实施本发明的特定示例。不能通过这些示例对本发明的技术范围进行限制性解释。也就是说，在不脱离本发明的技术概念或其原理特征的情况下，可以以各种形式实施本发明。

尽管已参考示例性实施例描述了本发明，但是应理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。应该给予权利要求的范围以最宽的解释，以包括所有这样的修改以及等同结构和功能。

Claims (9)

1、一种成像装置，包括：

检测单元，包括在基底上按阵列布置的多个转换元件，这些转换元件用于将入射辐射或入射光转换为电信号，以得到基于该电信号的图像；

存储器单元，用于存储基于在将偏压施加于转换元件之后的时间的检测单元的暗电流响应特性；

第一时间段测量单元，用于测量第一时间段，第一时间段从偏压到转换元件的施加直到用于得到所述图像的转换元件的累积的开始为止；

第二时间段测量单元，用于测量第二时间段，第二时间段从累积的开始直到累积的结束为止；

累积电荷量算术运算单元，用于基于暗电流响应特性以及第一和第二时间段来计算包括在累积中的暗电流累积电荷量；和

图像处理单元，基于暗电流累积电荷量进行得到的图像的偏移校正。

2、根据权利要求1所述的成像装置，还包括：

累积时间段算术运算单元，用于基于暗电流响应特性、第一和第二时间段以及暗电流累积电荷量来计算用于从检测单元得到暗电流累积电荷量的第三时间段；和

控制单元，根据第三时间段控制检测单元，其中，

图像处理单元基于从由控制单元根据第三时间段控制的检测单元得到的偏移校正数据来进行所述图像的偏移校正。

3、根据权利要求1所述的成像装置，其中，

图像处理单元基于通过对偏移数据的算术运算处理得到的偏移校正数据进行所述图像的偏移校正，其中预先根据从暗电流响应特性以及第一和第二时间段计算的放射照相的暗电流累积电荷量得到所述偏移数据。

4、根据权利要求1所述的成像装置，其中，

通过作为指数函数的逼近法来计算所述暗电流响应特性。

5、根据权利要求1所述的成像装置，其中，

所述转换元件由作为主组分材料的非晶硅形成。

6、根据权利要求1所述的成像装置，其中，

所述转换元件包括波长转换器和光电转换元件，所述波长转换器用于将入射辐射转换为光，所述光电转换元件用于将所述光转换为电信号。

7、一种成像系统，包括：

根据权利要求1所述的成像装置；和

辐射产生装置，用于产生辐射。

8、一种成像装置的控制方法，所述成像装置包括：

检测单元，包括在基底上按阵列布置的多个转换元件，这些转换元件用于将入射辐射或入射光转换为电信号，以得到基于该电信号的图像；和

存储器单元，用于存储基于在将偏压施加于转换元件之后的时间的检测单元的暗电流响应特性，

所述方法包括以下步骤：

测量第一时间段，第一时间段从偏压到转换元件的施加直到用于得到所述图像的转换元件的累积的开始为止；

测量第二时间段，第二时间段从累积的开始直到累积的结束为止；

基于暗电流响应特性以及第一和第二时间段来计算包括在累积中的暗电流累积电荷量；和

基于计算的暗电流累积电荷量进行得到的图像的偏移校正。

9、一种用于存储成像装置的控制方法的程序的存储介质，所述成像装置包括：

检测单元，包括在基底上按阵列布置的多个转换元件，这些转换元件用于将入射辐射或入射光转换为电信号，以得到基于该电信号的图像；和

存储器单元，用于存储基于在将偏压施加于转换元件之后的时间的检测单元的暗电流响应特性，

其中，通过计算机，所述程序执行以下步骤：

测量第一时间段，第一时间段从偏压到转换元件的施加直到用于得到所述图像的转换元件的累积的开始为止；

测量第二时间段，第二时间段从累积的开始直到累积的结束为止；

基于暗电流响应特性以及第一和第二时间段来计算包括在累积中的暗电流累积电荷量；和

基于计算的暗电流累积电荷量进行得到的图像的偏移校正。

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