WO2020162024A1 - 放射線撮像装置および放射線撮像システム - Google Patents
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Abstract
放射線画像を取得するための検出部に配され、入射する放射線を検出する検出素子と、放射線の照射中に検出素子から出力される信号に基づいて、入射した放射線量を測定するための演算部と、を含む放射線撮像装置であって、演算部は、放射線の照射前に、設定された撮像情報から推定される、検出素子が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値に応じて、検出素子のオフセット成分をサンプリングする回数を決定し、サンプリングする回数にわたってサンプリングされた検出素子のオフセット成分からオフセット補正値を取得し、放射線の照射中に、検出素子から出力される信号値をオフセット補正値に従って補正した補正値に基づいて、入射した放射線量を測定する。
Description
本発明は、放射線撮像装置および放射線撮像システムに関するものである。
医療画像診断や非破壊検査において、半導体材料によって構成される平面検出器(フラットパネルディテクタ:FPD)を用いた放射線撮像装置が広く使用されている。こうした放射線撮像装置において、放射線撮像装置に入射する放射線をモニタすることが知られている。放射線量をリアルタイムで検出することによって、放射線の照射の開始や終了の検出や、放射線の照射中に入射した放射線の積算線量を把握し自動露出制御(Automatic Exposure Control:AEC)を行うことが可能となる。特許文献1には、放射線検出素子から読み出した画像データが所定の閾値以上になった時点で、放射線発生装置に対して放射線の照射終了を指示する放射線画像撮影装置が示されている。また、特許文献1には、ユーザが曝射スイッチを押下したことに応じて、放射線検出素子内で発生する暗電流などに起因するオフセット成分の取得を開始し、オフセット成分の取得後、放射線発生装置に放射線を照射するための信号を送信することが示されている。放射線の照射中に放射線検出素子から読み出した画像データからオフセット成分を除去することによって、AECの精度を高めることが可能となる。
放射線の積算線量を測定する際に必要とされるオフセット成分の精度は、信号をサンプリングした際の信号値に依存する。つまり、信号値が小さい場合、信号値が大きい場合よりもオフセット成分の精度の影響は、相対的に大きくなりうる。このため、放射線の照射条件によって、オフセット成分の精度が十分でない可能性がある。また、放射線の照射条件によって、オフセット成分の精度を高めるためにオフセット成分のサンプリングを必要以上に行い、ユーザの曝射スイッチの押下から撮像までに本来は必要のないディレイが生じてしまう可能性がある。
本発明は、撮像条件に対して適切なオフセット成分を取得するのに有利な技術を提供することを目的とする。
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る放射線撮像装置は、放射線画像を取得するための検出部に配され、入射する放射線を検出する検出素子と、放射線の照射中に検出素子から出力される信号に基づいて、入射した放射線量を測定するための演算部と、を含む放射線撮像装置であって、演算部は、放射線の照射前に、設定された撮像情報から推定される、検出素子が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値に応じて、検出素子のオフセット成分をサンプリングする回数を決定し、サンプリングする回数にわたってサンプリングされた検出素子のオフセット成分からオフセット補正値を取得し、放射線の照射中に、検出素子から出力される信号値をオフセット補正値に従って補正した補正値に基づいて、入射した放射線量を測定することを特徴とする。
上記手段によって、撮像条件に対して適切なオフセット成分を取得するのに有利な技術を提供する。
本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述と共に本発明の原理を説明するために用いられる。
本発明に係る放射線撮像装置を用いたシステムの構成例を示すブロック図。
本発明に係る放射線撮像装置を用いたシステムの構成例を示すブロック図。
図1の放射線撮像装置の検出部の構成例を示す回路図。
図1の放射線撮像装置の画素の構成例を示す平面図。
図1の放射線撮像装置の画素の構成例を示す平面図。
図1の放射線撮像装置の画素の構成例を示す断面図。
図1の放射線撮像装置を用いたシステムの動作例を示すフロー図。
図1の放射線撮像装置を用いたシステムの動作例を示すフロー図。
図1の放射線撮像装置を用いたシステムの動作例を示すタイミング図。
図5のタイミング図の変形例を示す図。
図4のフロー図の変形例を示す図。
本発明に係る放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムの構成例を説明する図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。
また、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子(光子を含む)の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども含みうる。
第1の実施形態
図1A、2~6を参照して、本発明の実施形態における放射線撮像装置について説明する。図1Aは、本発明の第1の実施形態における放射線撮像装置200を用いた放射線撮像システムSYSの構成例を示す図である。放射線撮像システムSYSは、放射線撮像装置200と放射線撮像装置200に放射線を照射するための放射線源227とを含む。
図1A、2~6を参照して、本発明の実施形態における放射線撮像装置について説明する。図1Aは、本発明の第1の実施形態における放射線撮像装置200を用いた放射線撮像システムSYSの構成例を示す図である。放射線撮像システムSYSは、放射線撮像装置200と放射線撮像装置200に放射線を照射するための放射線源227とを含む。
放射線撮像装置200は、検出部223、信号処理部224、制御部225、電源回路226を含む。制御部225は、検出部223、信号処理部224および電源回路226のそれぞれに制御信号を供給し、放射線撮像装置200の各構成要素を制御する。検出部223は、支持基板100、画素アレイ228、駆動回路221、読出回路222を含む。画素アレイ228は、検出部223の支持基板100上に配される。画素アレイ228には、放射線画像を生成するための複数の画素が配される。また、放射線画像を取得するための検出部223には、入射する放射線を検出するための検出素子が配される。制御部225は、入射する放射線量を測定するための信号を取得するために、放射線の照射中に検出素子を制御する。本実施形態において、検出素子は、後述するように画素アレイ228に配される。また、例えば、放射線画像を生成するための複数の画素のうち何れかが、検出素子として機能してもよい。また、検出素子は、画素アレイ228の中ではなく、検出部223の画素アレイ228の周辺部に配されていてもよい。
駆動回路221は、制御部225に従って、画素アレイ228を駆動する。読出回路222は、制御部225に従って、画素アレイ228の各画素および検出素子に入射した放射線によって生成された信号を電気信号として読み出す。信号処理部224は、読出回路222から読み出された検出素子の電気信号を制御部225に転送する。制御部225は、この検出素子からの電気信号に応じて、検出部223での放射線のサンプリング動作や、放射線源227の放射線の照射を制御するための信号を出力する。また、信号処理部224は、制御部225から供給される制御信号に応じて、読出回路222から読み出された電気信号を放射線撮像装置200の外部に配された画像処理部(不図示)に供給する。電気信号の供給を受けた画像処理部(不図示)は、電気信号から画像を生成しディスプレイ(不図示)などに出力してもよい。これによって、放射線撮像装置200のユーザは、撮像した放射線画像を観察することができる。また、電気信号の画像化処理は、信号処理部224で行ってもよい。電源回路226は、放射線撮像装置200の各構成要素にバイアス電圧を供給する。本実施形態において、信号処理部224および制御部225は、それぞれ別の構成になっているが、例えば制御部225が信号処理部224で実施される処理を行う一体の構成になっていてもよい。
放射線撮像装置200には、放射線を照射する放射線源227と放射線源227を制御する放射線制御部229とが接続されている。放射線制御部229は、制御部225から供給される制御信号に応じて放射線源227を制御する。本実施形態において、放射線制御部229によって放射線源227が制御されているが、制御部225が、放射線制御部229を介さずに放射線源227に制御信号を直接、供給してもよい。また、例えば、本実施形態において、放射線撮像装置200と放射線制御部229とは、それぞれ別個に配される構成となっているが、放射線撮像装置200が、次に述べる放射線制御部229の機能の少なくとも一部を含んでいてもよい。また、放射線撮像装置200と放射線制御部229とが、一体で構成されていてもよい。つまり、放射線撮像装置200と放射線制御部229とをあわせて、本発明の「放射線撮像装置」といってもよい。
放射線撮像の際、管電流や管電圧などの条件は、放射線制御部229に外部から入力されうる。また放射線の照射時間などの条件も、放射線制御部229に外部から入力され、放射線源227の制御に用いられうる。管電流、管電圧、照射時間などの撮像情報は、ユーザによって放射線制御部229に値を直接入力されてもよい。また、撮像情報は、撮像モードごとに予め設定され、例えば放射線制御部229に保存された撮像情報のレシピからユーザによって選択されてもよい。放射線制御部229は、ユーザから撮像の条件などの情報の入力を受け付けるユーザインターフェースを有し、構成の一部に例えばパソコンを用いてもよいし、また、放射線源227を含む放射線発生装置に付属の制御卓を含んでいてもよい。
次に、図2を用いて検出部223について説明する。検出部223は、上述したように画素アレイ228の配された支持基板100、駆動回路221、読出回路222を含む。画素アレイ228は、行列状に配された複数の画素を含む。本実施形態において、複数の画素は、互いに形状が異なる画素101と画素121とを含む。
画素101は、放射線画像を取得するために、入射した放射線又は光を入射した量に応じた電荷に変換する変換素子102と、変換素子102で生成された電荷を信号線に出力するスイッチ素子103とを含む。変換素子102は、例えば放射線を光に変換するシンチレータと、シンチレータで変換された光を電荷に変換する光電変換素子とを用いた間接型の変換素子であってもよい。この場合、シンチレータは、複数の画素101で共有されていてもよい。また、変換素子102として、例えば放射線を直接電荷に変換する直接型の変換素子を用いてもよい。スイッチ素子103として、例えば非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ(TFT)を用いることができる。例えば、TFTに求められる特性に応じて、多結晶シリコンを用いてもよい。また、TFTに用いる半導体材料は、シリコンに限られるものではなく、ゲルマニウムや化合物半導体などの他の半導体材料を用いてもよい。
変換素子102の第1電極には、スイッチ素子103の第1主電極が電気的に接続され、変換素子102の第2電極には、バイアス線108が電気的に接続される。バイアス線108は、列に沿って配された複数の変換素子102の第2電極に共通して接続される。各列に配されたバイアス線108には、共通のバイアス電圧が供給される。バイアス線108は、図1に示す電源回路226からバイアス電圧の供給を受ける。
スイッチ素子103の第2主電極には、信号線106が電気的に接続される。信号線106には、列に沿って配された画素のスイッチ素子103の第2主電極が共通に接続される。信号線106は、画素の列ごとに配される。それぞれの信号線106は、読出回路222に電気的に接続される。スイッチ素子103の制御電極には、駆動線104が電気的に接続される。駆動線104は、行に沿って配された複数の画素101のスイッチ素子103の制御電極に共通に接続され、駆動線104には、駆動回路221からゲート制御電圧Vg1~Vgnが印加される。
画素121は、入射する放射線の総量を放射線の照射中に取得するために、入射した放射線または光を入射した量に応じた電荷に変換する検出素子122と、検出素子122で生成された電荷を信号線に出力するスイッチ素子123とを含む。また、画素121は、図2に示されるように、放射線画像を生成するための変換素子102とスイッチ素子103とを含んでいてもよい。検出素子122は変換素子102と、スイッチ素子123はスイッチ素子103と、それぞれ同様の構成を有していてもよい。
検出素子122の第1電極には、スイッチ素子123の第1主電極が電気的に接続され、検出素子122の第2電極には、列ごとに配されたバイアス線108が電気的に接続される。検出線110には、列に沿って配されたスイッチ素子123の第2主電極が接続される。それぞれの検出線110は、読出回路222に電気的に接続される。スイッチ素子123の制御電極には、行ごとに配された駆動線124が接続される。駆動線124には、駆動回路221からゲート制御電圧Vd1~Vdnが印加される。
検出素子122を含む画素121は、図2に示すように撮像領域に複数配されていてもよいし、例えば、1つだけ配されていてもよい。複数の画素121が配されている場合、入射する放射線量の検出は、複数配されている画素121の検出素子122のうち1つだけで行われてもよいし、複数の検出素子122によって行われてもよい。また、画素121を配置せず、放射線の照射中に駆動線104を駆動させることによって、上述したように、画素101を検出素子として機能させ、入射する放射線量を取得してもよい。
読出回路222では、信号線106および検出線110が、それぞれオペアンプ150の反転入力端子に接続される。また、オペアンプ150の反転入力端子は、帰還容量を介し出力端子に接続され、非反転入力端子は、任意の固定電位に接続される。オペアンプ150は、電荷電圧変換回路として機能する。オペアンプ150の後段には、サンプルホールド回路151、マルチプレクサ152を介してADコンバータ153が接続される。読出回路222は、信号線106および検出線110を介して画素101、画素121それぞれの変換素子102および検出素子122から転送される電荷をデジタル信号の電気信号に変換するデジタル変換回路を構成する。読出回路222は、各回路を集積化していてもよいし、回路ごとに個別に配置されていてもよい。
次いで、図3を用いて、画素101および画素121の構造について説明する。図3Aは、画素101の平面図、図3Bは、画素121の平面図、図3Cは、図3BのA-A’間の画素121の断面図をそれぞれ示す。本実施形態において、画素101、121には、放射線を光に変換するシンチレータとシンチレータで変換された光を電荷に変換する光電変換素子とを用いた間接型の変換素子が用いられる。図3Aに示されるように、画素101には、変換素子102とスイッチ素子103とが配されている。また、図3Bに示されるように、画素121には、変換素子102およびスイッチ素子103と、検出素子122およびスイッチ素子123とが配されている。図3Cに示されるように、変換素子102には、PIN型のフォトダイオード134が用いられてもよい。また、検出素子122にも、変換素子102と同様に、PIN型のフォトダイオード135が用いられてもよい。変換素子102は、ガラス基板などの絶縁性の支持基板100の上に設けられたTFTを用いたスイッチ素子103の上に、層間絶縁層130を挟んで積層されうる。同様に、検出素子122は、支持基板100の上に設けられたTFTを用いたスイッチ素子123の上に、層間絶縁層130を挟んで積層されうる。
変換素子102と検出素子122とは、互いに隣接する変換素子102の第1電極131と検出素子122の第1電極132とが導通しないように絶縁される。第1電極131と第1電極132との間に設置された素子間絶縁膜133によって、第1電極131と第1電極132との間の絶縁性が高められている。第1電極131、132および素子間絶縁膜133上には、それぞれPIN型のフォトダイオード134、135がn層-i層-p層の順で積層される。フォトダイオード134、135上には、それぞれの第2電極136、137が配置される。さらに、フォトダイオード134、135を覆うように保護膜138、第2層間絶縁層139、バイアス線108、保護膜140が配される。保護膜140上には、平坦化膜(不図示)およびシンチレータ(不図示)が配される。第2電極136、137は、共にバイアス線108に接続される。本実施形態において、第2電極136、137には、例えば酸化インジウムスズ(ITO)などの光透過性を有する電極が用いられる。第2電極136、137は、保護膜140上のシンチレータ(不図示)で放射線から変換された光がフォトダイオード134、135に透過可能な構成となっている。
図3Aおよび図3Bに示されるように、画素101と画素121とでは、放射線画像を生成するための変換素子102の大きさが異なる。このため、画素101と画素121とに入射する放射線の線量が同一であった場合においても、それぞれの変換素子102から出力される電荷量が異なる。画素121の変換素子102から出力された電荷から読出回路222で読み出された電気信号を放射線画像に用いる場合、白補正(ゲイン補正)など、適宜必要な補正が行なわれてもよい。また、例えば、画素121に変換素子102を配置せず、検出素子122のみを配置してもよい。この場合、放射線画像を形成するための電気信号を出力しない画素が生じるが、画素121の周囲に配された画素101から出力される電気信号を用いて放射線画像における画素121の信号を補間(生成)してもよい。また、検出素子122において、入射する放射線量の検出に用いた電気信号を放射線画像の形成に用いてもよい。
次いで、放射線画像の撮像における各構成要素の動作フローについて、図4Aを用いて説明する。図4Aは、本実施形態における撮像時のフロー図である。まず、ユーザが、放射線制御部229のユーザインターフェース上で、撮像情報の入力を行う(S401)。撮像情報には、例えば、放射線撮像装置200に放射線を照射するための放射線源227の管電圧および管電流や、放射線の照射時間、目標放射線量などが含まれる。また、複数の検出素子122が画素アレイ228に配されている場合、撮像情報に、複数の検出素子122のうち入射した放射線量を求める検出素子122、換言すると入射する放射線量を取得する位置の情報、つまり、関心領域の位置の情報が含まれていてもよい。また、撮像情報に、放射線源227の管電圧指数、グリッド露出倍数および付加フィルタの放射線吸収率、放射線源227と被写体との距離、被写体厚および被写体の放射線透過率などの情報が含まれていてもよい。また、例えば、撮像情報に、放射線画像の1つの画素を複数の画素101や画素121の変換素子102の出力を用いて形成する場合のビニング数や、読出回路222におけるゲインの設定などが含まれていてもよい。また、撮像情報は、ユーザが1つ1つ入力し設定するのではなく、例えば、予め設定された撮像情報の組み合わせを、放射線制御部229に保存されたレシピからユーザが選択してもよい。また、例えば、ユーザが撮像部位や被写体の年齢、体格などを入力することで、撮像情報の組み合わせを放射線制御部229が自動的に決定してもよい。また、放射線撮像装置200、放射線制御部229および放射線源227の各部にセンサなどを設け、自動で撮像情報の何れかを取得してもよい。例えば、放射線源227に取り付けた赤外線センサによって、放射線源227と被写体との間の距離を測ってもよい。また、例えば、放射線制御部229に接続されたカメラによって、被写体厚が推定されてもよいし、関心領域となる被写体の部位を特定し、被写体関心領域の放射線透過率が推定されてもよい。また、例えば、事前のキャリブレーションによって、放射線源と被写体との距離、グリット露出倍数、付加フィルタの放射線吸収率などが取得されていてもよい。また、例えば、放射線撮像装置200が、ユーザインターフェースを有し、これを用いてユーザが撮像情報を入力してもよい。
放射線制御部229は、管電圧、管電流、照射時間、目標放射線量などの放射線の照射情報を含む撮像情報を、放射線撮像装置200の制御部225に供給する。また、放射線制御部229は、撮像情報を放射線撮像装置200の制御部225に配された演算部240に供給する。本実施形態において、演算部240は、制御部225の中に配され、制御部225の機能の一部として示されているが、これに限られることはない。演算部240は、制御部225とは独立して配されたFPGAなどを含む処理回路であってもよい。演算部240は、放射線の照射中に検出素子122から出力される信号に基づいて、入射した放射線量を測定する。また、演算部240は、詳細は後述するが、入射した放射線量を測定する際の、撮像条件に応じたオフセット補正値を得るために配される。撮像情報は、放射線制御部229に入力された情報に変更がある度に、制御部225および演算部240に供給されうる。また、撮像情報は、ある一定の時間周期で供給されてもよいし、放射線の照射をユーザが指示する曝射スイッチが押されたタイミングで供給されてもよい。
次いで、撮像条件に応じたオフセット補正値を得るために、演算部240で行われる処理について説明する。まず、演算部240は、放射線制御部229から供給される、ユーザによって設定された撮像情報から、放射線撮像装置200に入射する放射線量を推定し、検出素子122が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値Sを推定する(S421)。
例えば、演算部240は、放射線制御部229から供給された撮像情報のうち放射線の照射時間と目標放射線量とから、単位時間当たりに放射線撮像装置200に入射すると推定される放射線量を算出する。単位時間当たりに入射する放射線量は、単位時間当たりに検出素子122で検出される信号値と比例する。そのため、演算部240は、撮像情報から推定した単位時間当たりに入射する放射線量と、放射線照射中に放射線信号を検出するサンプリング周期から、1回のサンプルリングで出力される信号値Sを推定してもよい。
また、例えば、演算部240は、放射線制御部229から供給された撮像情報に基づき、以下に示す式(1)を用いて演算を行い、単位時間当たりに入射する放射線量を推定する。そして、放射線の照射中に検出素子122から信号を検出するサンプリング周期から、1回のサンプリングで検出素子122が出力する信号値Sを推定してもよい。
ここで、V:管電圧、n:管電圧指数、I:管電流、SID:被写体距離、B:グリット露出倍数、d:被写体厚、μ:被写体関心領域の放射線透過率、Al(V):付加フィルタの放射線吸収率、E(t):単位時間あたりに入射する放射線の推定される線量である。
ここで、V:管電圧、n:管電圧指数、I:管電流、SID:被写体距離、B:グリット露出倍数、d:被写体厚、μ:被写体関心領域の放射線透過率、Al(V):付加フィルタの放射線吸収率、E(t):単位時間あたりに入射する放射線の推定される線量である。
式(1)に示されるすべての撮像情報が得られない場合、情報が得られなかったパラメータに関しては、例えば、標準的な値を入力すればよい。少なくとも1つの撮像情報を入力することによって、推定される放射線量は実際の放射線量に近付き、入射する放射線量をより精度よく求めることが可能となる。
また、例えば、連続撮像時や、動画の撮像から静止画の撮像に切り替えた場合など、直前の撮像時の照射線量の実測値に基づいて、現在の撮像の1回のサンプリングで得られる信号値Sを推定してもよい。つまり、放射線撮像装置200は、第1の撮像と第1の撮像の次に第2の撮像とを実施する。この場合、演算部240は、第1の撮像において入射した放射線量の実測値に応じて、第2の撮像において検出素子122が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値を取得する。このとき、放射線撮像装置200の制御部225は、図4Aに示されるように、直前の撮像で取得した放射線量の実測値を記憶するメモリ231をさらに含んでいてもよい。メモリ231は、演算部240と同様に、制御部225から独立した構成であってもよい。演算部240は、例えば、連続撮像では前のフレームで撮像した際の放射線量の実測値、動画から静止画の撮像に切り替えた場合は、動画の撮像時の入射した放射線の実測値をそれぞれメモリ231に記憶させ、次の撮像で信号値Sを推定する際に用いてもよい。前の撮像と現在の撮像とで撮像条件が同一の場合、前の撮像において実測した放射線量から、1回のサンプリングあたりの信号値Sを精度よく演算することが可能である。また、前の撮像と現在の撮像とで撮像条件が異なる場合、前の撮像時に実測した放射線量と撮像情報とを、式(1)に代入することで、各パラメータを修正してもよい。修正された式(1)を用いて、現在の撮像情報から放射線量を推定することによって、1回のサンプルリングで検出素子122から出力される信号値Sの推定精度を向上させることができる。
続いて、演算部240は、放射線の照射の前に、撮像情報から推定される検出素子122が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値Sに応じて、検出素子122のオフセット成分をサンプリングする回数nを決定する(S422)。放射線の積算線量を取得する際に必要とされるオフセット成分の精度は、放射線の照射中に信号をサンプリングした際の信号値に依存する。例えば、信号値が小さい場合、信号値が大きい場合よりもオフセット成分の精度の影響は、相対的に大きくなりうる。つまり、弱い放射線が入射する撮像条件の場合、1回のサンプリングによって取得される信号値Sが小さくなるため、オフセット成分を取得する精度を高める必要がある。このため、オフセット成分をサンプリングする回数nを多くする必要がある。一方、強い放射線が入射する撮像条件の場合、1回のサンプリングによって取得される信号値Sが大きくなるため、オフセット成分を取得する精度は、弱い放射線が入射する撮像条件よりも相対的に低くてもよい。このため、オフセット成分をサンプリングする回数nは、弱い放射線が入射する撮像条件よりも少なくてもよく、後述する曝射スイッチがONされてから放射線の曝射開始までのディレイを短くできる。
例えば、信号値Sと、検出素子122が出力する暗電流などに起因するオフセット成分のノイズ値σと、に基づいて、演算部240は、オフセット成分をサンプリングする回数nを決定する。オフセット成分をサンプリングする回数nは、推定される1回のサンプリングで出力される信号値Sに対して、オフセット成分の取得精度の影響が十分に小さくなるように決定される。
例えば、オフセット成分をサンプリングする回数nは、以下に示す式(2)のような判定基準で決定されてもよい。
ここで、Tは、精度基準となるしきい値である。Tの値は、所望の放射線信号検出精度に合わせて任意に設定できる。オフセット成分のノイズσは、メモリ231内に事前に記憶されていてもよいし、オフセット成分をサンプリングする回数を決定する動作に入る前に、実測して取得してもよい。また、メモリ231内にオフセット成分のノイズσを記憶している場合、実測した値を元にノイズσの値を更新してもよい。
ここで、Tは、精度基準となるしきい値である。Tの値は、所望の放射線信号検出精度に合わせて任意に設定できる。オフセット成分のノイズσは、メモリ231内に事前に記憶されていてもよいし、オフセット成分をサンプリングする回数を決定する動作に入る前に、実測して取得してもよい。また、メモリ231内にオフセット成分のノイズσを記憶している場合、実測した値を元にノイズσの値を更新してもよい。
検出素子122が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値Sや、検出素子122のオフセット成分をサンプリングする回数nは、例えば、演算部240に搭載されたFPGAなどの演算素子を用いて演算されてもよい。また、例えば、放射線撮像装置200が、撮像情報から推定される検出素子122が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値Sと、オフセット成分をサンプリングする回数と、の関係を示すルックアップテーブル(LUT)をさらに含んでいてもよい。LUTは、例えば、メモリ231内に格納されていてもよい。演算部240は、例えば、放射線制御部229から供給された照射時間および目標放射線量とオフセット成分のノイズσとの関係から、このルックアップテーブルを参照し、オフセット成分サンプリングする回数nを決定してもよい。
演算部240は、ユーザが撮像情報を設定した後、ユーザによる放射線画像の撮像の開始を指示する信号を受信する前、つまり、ユーザによって曝射スイッチがONされるまでの期間に、オフセット成分をサンプリングする回数nの決定をしてもよい。曝射スイッチがONされた後にオフセット成分をサンプリングする回数nを決定してもよいが、この場合、曝射スイッチがONされてからオフセット成分サンプリングする回数nが決定するまでの時間が、そのまま曝射ディレイとなる。
ユーザによって、撮像情報が設定された後、ユーザが放射線制御部229に設けられた曝射スイッチをONにすると(S402)、放射線制御部229から放射線撮像装置200へと放射線画像の撮像の開始を指示する信号が送信される(S403)。放射線撮像装置200の制御部225は、放射線制御部229から撮像の開始を指示する信号の受信に応じて、検出素子122から事前に演算部240によって決定されたサンプリングする回数nにわたってオフセット成分をサンプリングする(S423)。演算部240は、n回にわたってサンプリングされたオフセット成分から、放射線の照射中に1回のサンプリングで検出素子122から出力される信号値Sに応じた精度を有するオフセット補正値を取得する。制御部225は、演算部240がオフセット補正値を取得したことに応じて、放射線撮像装置200に放射線を照射するための放射線源227に放射線の照射を許可する信号を出力する。より具体的には、制御部225は、放射線制御部229へと照射許可信号を送信する。オフセット補正値の取得は、曝射スイッチが押される前に完了していてもよい。また、曝射スイッチが、放射線源227の放射線管球のアイドリングを開始させるスイッチと、放射線の被写体への照射を行うスイッチの2段スイッチになっていてもよい。
放射線制御部229は、放射線撮像装置200から照射許可信号を受信すると、曝射命令を放射線源227および放射線撮像装置200の制御部225に出力する(S404)。放射線源227は、曝射命令に従って放射線の照射を開始する(S411)。また、制御部225は、曝射命令に従って検出部223を動作させ、放射線画像の取得を開始する(S424)。具体的には、検出部223の画素アレイ228に配された画素101、121の変換素子102のそれぞれに入射した放射線量に応じた電荷を蓄積させる。また同時に、画素121の検出素子122に入射する放射線量を取得する検出動作を開始させる。
放射線の照射が開始されると、演算部240は、画素121の検出素子122から出力される信号値を、放射線の照射前に取得したオフセット成分から取得したオフセット補正値に従って補正した補正値に基づいて、入射した放射線量を測定する(S425)。制御部225は、演算部240によって測定された放射線量を、放射線制御部229から供給された撮像情報のうち目標放射線量の情報と比較する。具体的には、制御部225は、演算部240が信号値をオフセット補正値に従って補正した補正値から求めた放射線量の累計値を、目標放射線量と比較する。この比較結果に基づいて、放射線の照射を継続させるか、または、停止させるかを判定する曝射停止判定を行う(S426)。ここでは、演算部240が放射線量の累計値を算出するとして説明するが、制御部225が、演算部240によって取得された補正値を積分することによって、入射した放射線量の累計値を求めてもよい。画素121の検出素子122で検出された放射線量の累計値が、目標放射線量に達していない場合、制御部225は、放射線の照射の継続が必要と判定し、放射線画像の取得および検出動作を継続する(S426のNO)。制御部225は、検出素子122で検出された放射線量の累計値が、目標放射線量に達した場合、または、目標放射線量に達すると予想した場合、放射線撮像装置200に放射線を照射する放射線源227に、放射線の照射を停止させるための信号を出力する。より具体的には、制御部225は、放射線の照射を停止させるため照射停止信号を放射線制御部229に出力する(S426のYES)。放射線制御部229は、制御部225から出力される照射停止信号に基づいて曝射停止命令を放射線源227に対して出力する(S405)。曝射停止命令に従い、放射線源227は放射線の照射を停止する(S412)。放射線の照射の停止は、曝射停止命令を出力するのではなく、例えば放射線制御部229から放射線源227に出力していた曝射命令を停止することによって、照射を停止してもよい。また曝射停止命令の出力に応じて、検出部223は、検出動作を停止してもよい。
本実施形態において、曝射停止判定は、放射線撮像装置200の制御部225で行うが、これに限られるものではない。例えば、図4Bに示すように、演算部240が、検出素子122から出力される信号値をオフセット補正値に従って補正した補正値を放射線制御部229に出力する。この補正値に基づいて放射線制御部229が、停止判定を行い曝射停止命令を出力してもよい(S406)。この場合、放射線の照射前に、放射線制御部229は、目標放射線量の情報を制御部225に送らなくてもよい。また、放射線画像の取得および放射線量の検出動作は、放射線制御部229が曝射停止判定を行い曝射停止命令を出力したことに応じて停止してもよい。
また、制御部225は、放射線源227による放射線の被写体に対する照射時間が、放射線の照射前に放射線制御部229から供給された撮像情報のうち照射時間の上限に到達した場合、照射停止信号を出力してもよい。照射停止信号に従って放射線制御部229は、曝射停止命令を放射線源227に出力し、放射線源227は、放射線の照射を停止する。検出素子122に入射した放射線量の累計値が、目標放射線量に達する前、または、目標放射線量に達すると予想する前であっても照射時間の上限に従って放射線の照射を停止する。これによって、例えば、画素121の検出素子122に入射する放射線量の検出が正常にできていない場合であっても、被写体への過剰な放射線照射を避けることができる。
放射線撮像装置200の制御部225は、放射線の照射後に、画素101、121の変換素子102に蓄積された電荷に応じた信号を読み出す。これによって、放射線画像を取得することができる(S427)。
次に、本実施形態において、放射線画像の撮像における各構成要素の動作タイミングについて、上述の図4A、4B、および、図5を用いて説明する。図5は、放射線撮像装置200の各構成要素の動作タイミングを示すタイミング図である。図4A、4B、5に示す期間T1は、待機中のアイドリング期間を表す。この期間T1において、図5に示されるように、駆動回路221から印加される信号によって画素アレイ228に配される画素101、121は、アイドリング動作(リセット動作)を繰り返す。アイドリング動作は、例えば検出部223の電源投入後、オフセット成分のサンプリングが開始されるまで行われてもよい。また、図4A、4Bに示されるように、期間T1は、ユーザが撮像情報の入力をしている時間や、ユーザが曝射スイッチを押すまでの時間、放射線撮像装置200の演算部240がオフセット成分をサンプリングする回数nを決定する時間である。
期間T1の間、画素101、121の変換素子102で発生する暗電流などに起因するオフセット成分を定期的に除去(リセット)するために、ゲート制御電圧Vg1~Vgnに定期的にHi信号が印加される。同様に、画素121の検出素子122で発生する暗電流などに起因するオフセット成分を除去するために、ゲート制御電圧Vd1~Vdnには常にHi信号が印加され、画素121のスイッチ素子123が導通した状態となる。ここでHi信号は、スイッチ素子103、123がONとなる電圧であり、Lo信号は、スイッチ素子103、123がOFFとなる電圧(例えば、0V)である。また、図5に示す本実施形態のタイミング図において、複数の検出素子122を用いて入射する放射線量を検出する例が示されている。この場合、それぞれの検出素子122には、同じ目標放射線量が設定されていてもよいし、それぞれ異なる目標放射線量が設定されていてもよい。また、制御部225は、複数の画素121の検出素子122のうち1つが目標放射線量に達したときに停止判定信号を出力してもよいし、複数の検出素子122の平均値が目標放射線量に達したときに停止判定信号を出力してもよい。また、制御部225は、すべての検出素子122が目標放射線量に達したときに停止判定信号を出力してもよい。これらの設定は、被写体や撮像条件、検出素子122の画素アレイ228内での位置などによって、適宜設定すればよい。
次に、曝射スイッチが押され、放射線撮像装置200が、放射線制御部229から放射線画像の撮像の開始を指示する信号を受信すると、放射線撮像システムSYSは期間T2に移行する。期間T2は、検出素子122からオフセット成分をサンプリングし、オフセット補正値を取得する期間である。期間T2では、放射線が照射されていない状態で、ゲート制御電圧Vd1~Vdnに定期的にHi信号が印加され、検出素子122からオフセット成分が取得される。Hi信号が印加される回数は、期間T1で演算部240によって決定されたオフセット成分をサンプリングする回数nに基づく。ゲート制御電圧Vd1~VdnにHi信号が印加される周期は、放射線の照射中に検出素子122から信号を検出する周期と同じにしてもよい。つまり、制御部225は、検出素子122から同じサンプリング周期で、オフセット成分のサンプリングおよび入射する放射線量の検出を行う。オフセット成分をサンプリングする際と入射する放射線量を検出する際とで同じ駆動を行うことによって、オフセット補正値を取得する際のオフセット信号量と、入射する放射線量を検出する際のオフセット信号量と、が、互いに近似した値となりうる。これによって、演算部240は、オフセット補正値を精度よく取得し、信頼性の高いオフセット補正を行うことができる。オフセット補正値は、サンプリングされたオフセット成分の複数の信号値の平均値や最頻値であってもよい。また、例えば、オフセット補正値は、サンプリングされたオフセット成分の複数の信号値の最大値と最小値とを除いた平均値であってもよい。オフセット補正値は、サンプリングされたオフセット成分の複数の信号値の統計値に基づいて適宜取得されうる。
オフセット補正値の取得は、上述したように、期間T1において完了していてもよいが、放射線の照射が開始され、かつ、放射線の検出が開始される直前の方が、精度が向上しうる。放射線の照射の直前にオフセット補正値を取得することによって、オフセット成分の時間的な変化の影響を小さくし、オフセット補正値を取得する際のオフセット信号量と、入射する放射線量を検出する際のオフセット信号量とを近しい値にすることができる。また、放射線が照射される直前にオフセット成分のサンプリングを行い、そのまま同一の駆動を続けて入射する放射線量を検出することで、駆動を切り替える際に発生する信号の変動を抑制でき、検出精度の低下を抑制することができる。
次に、放射線制御部229が、放射線撮像装置200から照射許可信号を受信すると、放射線撮像システムSYSは、期間T3に移行する。期間T3は、放射線を照射し放射線画像を取得する期間である。図5は、放射線制御部229が、放射線撮像装置200から照射許可信号を受信することで、撮像が開始される場合のタイミング図を示す。期間T3において、スイッチ素子103を駆動するゲート制御電圧Vg1~VgnにLo信号が印加され、変換素子102のそれぞれは、入射した放射線量に応じた電荷を蓄積する。また、スイッチ素子123を駆動するゲート制御電圧Vd1~VdnにHi信号が一定のサンプリング周期で印加され、検出素子122で検出された電荷が、検出線110を介して読出回路222に送られる。読出回路222は、検出された電荷に基づいた信号を、信号処理部224を介して制御部225の演算部240に供給する。演算部240は、検出素子122から出力された信号値をオフセット補正値に従って補正し、検出素子122に入射する放射線量をサンプリング周期ごとに取得する。図5では、期間T3中に常に入射する放射線量をサンプリング周期ごとに取得する場合を示しているが、照射された放射線の累計値が目標放射線量に達すると予想できた場合、途中で検出を終了し、電荷を蓄積しても良い。また、期間T2~T3において、上述のように、スイッチ素子123は同一のサンプリング周期で駆動し続けてもよい。期間T2から期間T3に移行する際に、サンプリング周期が変更される、または、サンプリングが一時的に停止する場合、駆動の切り替わりによって信号の変動が生じうる。これによって、期間T3の初期の放射線量を検出するための信号値が影響を受け、検出精度が低下する可能性がある。
また、図5では、スイッチ素子123の制御電極に印加されるゲート制御電圧Vd1~Vdnが、同時にHi信号となるが、期間T2における動作は、これに限られるものではない。例えば、図6に示されるように、同じ検出線110に接続された検出素子122用のスイッチ素子123に対応するゲート制御電圧Vd1~VdnのHi信号のタイミングを分けてもよい。この場合、1度に読み出し可能な信号量が減るものの、検出領域の空間解像度を上げることが可能となる。また、検出素子122のオフセット成分のサンプリングは、ぞれぞれのスイッチ素子123の駆動周期と同一の周期で取得される。
検出素子122から読出回路222に送られた電荷は、オペアンプ150で電圧情報に変換される。次いで、サンプルホールド回路151によってサンプリング周期に基づいてサンプリングされ、マルチプレクサ152を介してADコンバータ153でデジタルデータの電気信号に変換される。
演算部240は、検出素子122で検出し電荷から電気信号に変換された放射線量を示す信号値を、事前に取得したオフセット補正値を用いて補正する。その後、制御部225は、演算部240が検出素子122から出力された信号値を補正した補正値に基づいて求めた放射線量の累計値と、事前に放射線制御部229から制御部225に転送された目標放射線量の情報とに基づいて、放射線の曝射停止判定を行う。制御部225は、照射された放射線の累計値が目標放射線量に達した場合、または、目標放射線量に達すると予想した場合、放射線の照射を停止させる停止判定信号を放射線制御部229に出力する。これに従って、放射線制御部229は、放射線源227に放射線の照射を停止させる。また、期間T3は、撮像モードや事前に入力された照射時間ごとに、期間の長さが予め決められていてよい。例えば、上述のように目標放射線量に達しない場合でも、照射情報として入力された照射時間の上限になった場合、放射線の照射を停止させてもよい。検出素子122で検出された放射線量の累計値が目標放射線量に達した後、または、所定の時間が経過した後、放射線撮像システムSYSは、期間T3から期間T4に移行する。
期間T4は、放射線の照射後に、撮像した放射線画像を取得する期間である。期間T4の間、制御部225は、変換素子102に蓄積された信号電荷を読み出すための制御信号を駆動回路221に出力する。駆動回路221は、制御信号に応じてゲート制御電圧Vg1~Vgnに順次Hi信号を印加し、画素101、121のスイッチ素子103を順次走査する。変換素子102に蓄積された電荷は、オペアンプ150で電圧情報に変換され、サンプルホールド回路151によってサンプリングされ、マルチプレクサ152を介してADコンバータ153でデジタルデータの電気信号に変換される。変換素子102によって取得され、読み出された電気信号に基づいて、放射線画像が形成される。
ここで、本実施形態の効果について説明する。図5に示す期間T2において、放射線検出信号に重畳するオフセット成分を取得する。検出素子122から出力されるオフセット成分は、検出素子122やスイッチ素子123の動作条件によって変化しうる。例えば、サンプリング周期や撮像時の温度などによって、検出素子122の暗電流やスイッチ素子123のオフセットレベルが変化する可能性がある。これらの影響によって検出素子122から出力されるオフセット信号量が変化しうる。そこで、本実施形態において、放射線の照射前に、制御部225は、放射線を検出する際と同じサンプリング周期で、放射線照射の直前に検出素子122が出力するオフセット成分を取得する。このため、検出素子122のサンプリング周期や撮像環境に合わせたオフセット成分を取得することができる。このオフセット成分をサンプリングする回数nは、放射線の照射情報などユーザによって設定される撮像情報に基づき演算部240によって決定される。これによって、それぞれの撮像が行われる条件に対して、より適した精度でオフセット成分を取得することができる。また、例えば、オフセット成分の精度を高めるためにオフセット成分のサンプリングを必要以上に行い、ユーザの曝射スイッチの押下から撮影までに本来は必要のないディレイが生じてしまう可能性を抑制できる。このオフセット成分から取得したオフセット補正値を用いることで、期間T3において、放射線の照射中に入射した放射線量を検出するAECの精度を向上させることができる。
第2の実施形態
図1Bおよび図7を参照して、本発明の一部の実施形態による放射線撮像装置について説明する。図1Bは、本発明の第2の実施形態における放射線撮像装置200aの構成例を示す。図1Aに示す第1の実施形態の放射線撮像装置200と比較して、放射線撮像装置200aに接続された放射線源227を制御する放射線制御部229がデータベース230(記録部)と接続される。これ以外の点は、上述した図1Aに示す放射線撮像装置200と同様であってよい。
図1Bおよび図7を参照して、本発明の一部の実施形態による放射線撮像装置について説明する。図1Bは、本発明の第2の実施形態における放射線撮像装置200aの構成例を示す。図1Aに示す第1の実施形態の放射線撮像装置200と比較して、放射線撮像装置200aに接続された放射線源227を制御する放射線制御部229がデータベース230(記録部)と接続される。これ以外の点は、上述した図1Aに示す放射線撮像装置200と同様であってよい。
データベース230には、過去の撮像における撮像情報である過去情報と、過去情報において入射した放射線量の実測値と、が記録(保存)されている。本実施形態において、演算部240は、データベース230から過去情報のうち現在の撮像情報に類似する情報における放射線量の実測値から、検出素子122が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する推定される信号値を取得する。この信号値に応じて、演算部240は、オフセット成分をサンプリングする回数nを決定する。
より具体的には、図7のフロー図に示すように、まず、ユーザによって放射線制御部229に入力された撮像情報を、放射線制御部229が、データベース230に保存された過去情報と比較する(S701)。例えば、ユーザが、放射線制御部229に、放射線源227の管電圧および管電流、照射時間、撮像部位、被写体厚などに関わる撮像情報を入力する。放射線制御部229は、入力された撮像情報に類似する撮像情報を有する過去情報をデータベース230から検索し、実際に放射線を照射したときの単位時間当たりの放射線量の実測値を調査する。次いで、放射線制御部229は、単位時間当たりの放射線量の実測値を演算部240に転送し、この実測値に基づいて演算部240は、オフセット成分をサンプリングする回数nを決定する。また、データベース230に、過去情報においてオフセット成分をサンプリングした回数nが記録されていてもよい。演算部240は、データベース230に記録された回数nに基づいて、現在の撮像におけるオフセット成分をサンプリングする回数nを決定してもよい。
本実施形態では、ユーザによって入力された撮像情報に対して、放射線制御部229がデータベース230の撮像条件を検索するが、これに限られるものではない。例えば、放射線制御部229が、ユーザによって入力された撮像情報のうち、放射線の照射に関する情報を演算部240に転送し、演算部240が、データベース230の過去情報を検索してもよい。
また、データベース230を用いたオフセット成分をサンプリングする回数nの決定方法は、上述の方法に限られるものではない。例えば、経過観察などで同一患者、同一部位の撮像を行う場合、放射線制御部229に患者名や患者識別IDなどを入力することによって、放射線制御部229は、データベース230より過去の撮像時の放射線の照射条件などの撮像情報を取得する。この撮像情報に基づき、放射線制御部229から放射線撮像装置200の制御部225および演算部240に、放射線撮像装置200に照射される放射線の照射量に関わる情報を転送する。演算部240は、この情報に基づいてオフセット成分をサンプリングする回数nを決定してもよい。
データベース230に保存される過去の撮像条件に関わる撮像情報(過去情報)は、実際に撮像を行った被写体の撮像ごとに蓄積してもよい。また例えば、データベース230の工場出荷時やメンテナンス時に人為的に作成した撮像情報を記録していてもよい。
以上、本発明に係る実施形態を2形態示したが、上述した各実施形態は、適宜変更、組み合わせが可能である。例えば、演算部240が、撮像情報に対して、オフセット成分をサンプリングする回数nを決定できない場合、放射線撮像装置200は、放射線源227に放射線の照射を許可しなくてもよい。より具体的には、入力された撮像情報が、被写体の撮像部位、性別、年齢などによって決まるおおよその推奨値から大きく離れている場合、演算部240は、インターロックなどの機構によってオフセット成分をサンプリングする回数nの決定をできなくてもよい。制御部225は、演算部240がオフセット成分をサンプリングする回数nを決定できない場合、放射線制御部229や放射線源227に放射線の照射の開始を許可しなくてもよい。また、例えば、放射線量の実測値がデータベース230に保存されていない場合も、制御部225は放射線の照射の開始を許可しなくてもよい。
以下、図8を参照しながら本発明の放射線撮像装置200、200aが組み込まれた放射線撮像システムを例示的に説明する。放射線撮像装置6040(上述の放射線撮像装置200、200aに相当する)に放射線を照射するための放射線源であるX線チューブ6050で発生したX線6060は、患者又は被験者6061の胸部6062を透過し、放射線撮像装置6040に入射する。この入射したX線に患者又は被験者6061の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置6040において、X線6060の入射に対応してシンチレータが発光し、これが光電変換素子で光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ6070によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ6080で観察できる。
また、この情報は、電話回線6090などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ6081に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ6100によって記録媒体となるフィルム6110に記録することもできる。
本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
本願は、2019年2月6日提出の日本国特許出願特願2019-019960を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。
Claims (14)
- 放射線画像を取得するための検出部に配され、入射する放射線を検出する検出素子と、
放射線の照射中に前記検出素子から出力される信号に基づいて、入射した放射線量を測定するための演算部と、を含む放射線撮像装置であって、
前記演算部は、
放射線の照射前に、
設定された撮像情報から推定される、前記検出素子が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値に応じて、前記検出素子のオフセット成分をサンプリングする回数を決定し、
前記サンプリングする回数にわたってサンプリングされた前記検出素子の前記オフセット成分からオフセット補正値を取得し、
放射線の照射中に、前記検出素子から出力される信号値を前記オフセット補正値に従って補正した補正値に基づいて、入射した放射線量を測定することを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記演算部は、前記撮像情報から推定される前記検出素子に入射する単位時間あたりの放射線量を算出することによって、前記検出素子が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値を推定することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。
- 前記放射線撮像装置は、第1の撮像と前記第1の撮像の次に第2の撮像とを行い、
前記演算部は、前記第1の撮像において入射した放射線量の実測値に応じて、前記第2の撮像において前記検出素子が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値を推定することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮像装置。 - 前記放射線撮像装置は、過去の撮像における前記撮像情報である過去情報と、前記過去情報において入射した放射線量の実測値と、を記録した記録部をさらに含み、
前記演算部は、前記記録部から前記過去情報のうち現在の前記撮像情報に類似する情報における放射線量の実測値から、前記検出素子が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値を推定することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮像装置。 - 前記放射線撮像装置が、前記撮像情報から推定される前記検出素子が放射線の照射中に1回のサンプリングで出力する信号値と、前記オフセット成分をサンプリングする回数と、の関係を示すルックアップテーブルをさらに含み、
前記演算部は、前記ルックアップテーブルからオフセット成分サンプリングする回数を決定することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。 - 前記撮像情報が、放射線の照射時間および目標放射線量を含むことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記撮像情報が、前記放射線撮像装置に放射線を照射するための放射線源の管電圧、管電圧指数、管電流、グリッド露出倍数および付加フィルタの放射線吸収率、関心領域の位置、放射線源と被写体との距離、被写体厚および被写体の放射線透過率のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記演算部は、前記撮像情報を設定した後、かつ、放射線画像の撮像の開始を指示する信号を受信する前に、オフセット成分をサンプリングする回数を決定することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記放射線撮像装置は、
放射線画像の撮像の開始を指示する信号の受信に応じて、前記検出素子から前記オフセット成分のサンプリングを開始し、
前記演算部が前記オフセット補正値を取得したことに応じて、前記放射線撮像装置に放射線を照射するための放射線源に放射線の照射を許可する信号を出力することを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記放射線撮像装置は、前記演算部によって測定された放射線量が、目標放射線量に達した場合、または、目標放射線量に達すると予想した場合、前記放射線撮像装置に放射線を照射する放射線源に、放射線の照射を停止させるための信号を出力することを特徴とする請求項1乃至9の何れか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記放射線撮像装置が、前記検出素子から同じサンプリング周期で、前記オフセット成分のサンプリングおよび入射する放射線量の検出を行うことを特徴とする請求項1乃至10の何れか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記検出部は、放射線画像を生成するための複数の画素が配された画素アレイを含み、
前記検出素子が、前記画素アレイに配されることを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記検出部は、放射線画像を生成するための複数の画素が配された画素アレイを含み、
前記複数の画素のうち何れかが、前記検出素子として機能することを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の放射線撮像装置。 - 請求項1乃至13の何れか1項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
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