CN101278025A - 从金属基底中剥离高温膜和/或器件的方法 - Google Patents

从金属基底中剥离高温膜和/或器件的方法 Download PDF

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D·E·卡索里斯
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Abstract

通过(i)施加聚倍半硅氧烷树脂的涂层到金属基底上，(ii)加热涂布的金属基底到足以固化聚倍半硅氧烷树脂的温度，(iii)施加聚合物膜到在金属基底上的固化涂层上，(iv)进一步加热涂布的金属基底到足以固化聚合物膜的温度，(v)任选地，在聚合物膜上制造电子器件，和(vi)从金属基底上剥离该聚合物膜，从而可从金属基底上剥离膜和电子器件。

Description

从金属基底中剥离高温膜和/或器件的方法
发明领域
[0001]本发明涉及从金属或其它基底中容易地剥离高温聚合物膜和/或在该膜上的器件的方法。在一个特别的应用中，从不锈钢箔中剥离聚酰亚胺膜。贵金属膜例如金也可从金属基底中剥离。
发明背景
[0002]制造常规的光伏器件(PV电池)以及显示器和其它光电器件要求许多高温工艺。大多数常见的这种器件在玻璃基底上建造。最近在柔性光伏器件上的进展包括利用金属基底，例如不锈钢，以供在大的面积上有效地制造柔性太阳能电池。在许多地面应用中使用这些光伏器件作为在玻璃基底上建造的常规硬质电池的替代。类似地，已开始在不锈钢基底上制造柔性显示器。也可在不锈钢基底上开发其它技术，例如薄膜电池。金属基底例如不锈钢提供许多优点。它们以各种厚度向下一直到25微米的厚度以卷材形式商购，因此可采用连续的模式加工，所述连续模式通常比间歇模式更加成本有效。它们在器件制造所需的高加工温度过程中可保留其尺寸稳定性变化最小。可使它们具有磁性，和因此易于通过磁场实施连续加工。关于在光电、能量和其它领域中使用不锈钢基底，可提到下述公开出版物：(i)Cannella等人，“Flexible Stainless-Steel Substrates”InformationDisplay，2005年6月，第24页；(ii)Kessler等人，“MonolithicallyIntegrated Cu(IN，Ga)Se2 Thin-Film Solar Modules on FlexiblePolymer and Metal Foils”，19th European Photovoltaic Solar EnergyConference，2004年6月7-11日，法国巴黎，第1702页；(iii)Baojie，Y.等人，“High Efficiency Triple-Junction Solar Cells withHydrogenated Nanocrystalline Silicon Bottom Cell”，ConferenceRecord of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference(2005)，31st，第1456-1459页；和(iv)Beernink等人，“Ultralight amorphoussilicon alloy photovoltaic modules for spaceapplications”，Materials Research Society SymposiumProceedings(2002)，730(Materials for Energy Storage Generationand Transport)，第193-198页。
[0003]不锈钢的一些缺点是，与塑料基底相比，它的比重高，它不透明且它的表面粗糙度低，除非通过昂贵的化学-机械抛光(CMP)技术抛光。对于空间光伏应用来说，希望具有比重低、透明度良好和表面光滑的高温塑料膜作为基底。在显示器应用中，希望具有光学透明度和光滑的表面。关于使用用于柔性PV器件的聚酰亚胺基底，可提到以下公开出版物：(i)Beernink，K.J.等人，“High specific poweramorphous silicon alloy photovoltaic modules”，ConferenceRecord of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference(2002)，29th，第998-1001页；(ii)Guha，S.等人，“Amorphous silicon alloysolar cells for space applications”，European Commission，[Report]EUR(1998)，(EUR 18656，2nd World Conference onPhotovoltaic Solar Energy Conversion，1988，Vol.III，第3609-3613页)；和(iii)关于制造薄膜太阳能电池和薄膜柔性电路板方法的美国专利63001158(2001年10月9日)。除了其轻质以外，常见的聚合物基底易于器件的单片集成，这是因为它们绝缘。
[0004]被工业上的技术人员考虑的目前方法的一种变通方案是流延在不锈钢箔上的聚酰亚胺膜上的光伏电池。然后在该工艺最后，从不锈钢箔上剥离具有光伏电池的聚酰亚胺膜。这一策略提供两个优点。第一，作为聚合物基底的紧密载体存在不锈钢具有在高温加工过程中部分限制聚合物变形的潜力。此外，不锈钢基底(若具有磁性的话)可允许使用磁场以供连续的辊到辊加工。换句话说，它允许使用在单独的不锈钢基底上制造器件所使用的相同的设备和工艺。第二，使用介电聚酰亚胺膜允许以成本有效的方式随后单片集成器件。第三个经济的优点是不锈钢的潜在回收。
[0005]然而，这一改性尚未成为可行的商业现实，这是因为(i)从未剥离的不锈钢基底中剥离聚酰亚胺膜要求170g/cm的剥离力，这一剥离力将损害在膜之上的脆性的光伏器件。另外，目前在该工业中所使用的剥离涂料材料，例如聚四氟乙烯(PTFE)、聚己二酸乙二酯(PEA)和交联密度低的硅氧烷，不可能维持425℃的温度，这一温度是在加工过程中聚酰亚胺膜经受的最高温度。这一温度对于在聚酰亚胺膜上获得由CIGS(二硒化镓铟铜)电池测量的可接受效率来说是强制性的。类似地，CdTe-基PV电池要求与其制造相同大小的温度。使用多晶硅(例如薄膜晶体管)、微晶硅和无定形硅(PV-电池)的器件要求280℃和以上的某一范围的高温加工。本发明提出了这些问题的解决方法，从而对于电子器件制造工业来说，使得以上提及的工艺改性能变为商业上可行的现实。
发明简述
[0006]本发明涉及一种方法，该方法包括：
(i)施加聚倍半硅氧烷树脂的涂层到金属基底上，
(ii)加热涂布的金属基底到足以固化聚倍半硅氧烷树脂的温度，
(iii)施加聚合物膜到在金属基底上的固化涂层上，
(iv)进一步加热涂布的金属基底到足以固化该聚合物膜的温度，任选地
(v)在聚合物膜上制造电子器件，和
(vi)从金属基底中剥离聚合物膜。
[0007]本发明还涉及一种方法，该方法包括：
(i)在电子器件和金属基底之间施加聚倍半硅氧烷树脂的涂层，
(ii)加热涂布的金属基底到足以固化聚倍半硅氧烷树脂的温度，和
(iii)从金属基底上剥离电子器件。
[0008]本发明进一步涉及一种方法，该方法包括：
(i)施加聚倍半硅氧烷树脂的涂层到金属基底上，
(ii)加热涂布的金属基底到足以固化聚倍半硅氧烷树脂的温度，
(iii)施加贵金属膜到在金属基底上的固化涂层上，和
(iv)从金属基底上剥离贵金属膜。
[0009]在每一种方法中，可使用酸或碱，用化学方法从金属基底上剥离膜或器件。在第一种方法中，也可通过切割涂布的金属基底，然后施加剥离力到金属基底上以分离金属基底与聚合物膜，从而用机械方法从金属基底中剥离聚合物膜。考虑到下述详细说明，本发明的这些和其它特征将变得显而易见。
发明详述
[0010]本发明涉及从诸如不锈钢箔之类的金属基底上剥离诸如聚酰亚胺膜之类的高温聚合物膜和/或在该膜上的器件的方法。在一个实施方案中，氢倍半硅氧烷(HSQ)树脂用作在聚合物膜和金属基底之间的剥离涂层。通过在裂缝尖端保持少量碱的水溶液，生成氢气，从而引发剥离机理。不要求剥离力来剥离聚合物膜，但小的力可辅助加速该过程。在采用最小或者不采用剥离力的情况下，聚合物膜容易地从金属基底上剥离。在第二个实施方案中，甲基苯基倍半硅氧烷(MPSQ)树脂用作在聚合物和金属基底之间的剥离涂层。当在金属基底上施加并固化时，在聚合物膜和金属基底的界面处用酸蚀刻使得聚合物膜从金属基底上剥离。在第三个实施方案中，甲基苯基倍半硅氧烷树脂用作在聚合物膜和金属基底之间的剥离涂层，和当它在金属基底上施加并固化时，可使用机械方式使聚合物膜从甲基苯基倍半硅氧烷树脂剥离涂层和金属基底这二者上剥离。
[0011]本发明的聚倍半硅氧烷树脂剥离涂层不同于目前和以前的剥离涂层之处在于，该聚倍半硅氧烷树脂能维持在聚合物膜例如聚酰亚胺膜上加工无定形硅(α-Si)、微晶硅(μ-Si)、碲化镉(CdTe)和CIGS时所要求的温度。它们还能在很少或者不具有剥离力的情况下进行剥离。这将最小化对精密器件例如承载在聚合物基底上的光伏电池机械损害的危险。
聚倍半硅氧烷树脂
[0012]用作剥离涂层的聚倍半硅氧烷树脂可以是本领域已知的任何树脂，其中至少50％的硅原子具有氢取代和正因为如此它可以是均聚物或共聚物。不特别限定树脂的结构，然而优选氢倍半硅氧烷树脂。该树脂可含有诸如羟基、三有机基甲硅烷氧基、二有机基氢甲硅烷氧基、三烷氧基、二烷氧基和其它基团之类的端基。尽管不以这一结构为代表，但这些树脂还可含有最大约50％具有0或者2个氢原子连接到其上的硅原子，或者少量的SiC基，例如CH3SiO3/2或HCH3SiO2/2基。有用的树脂可例举但不限于：
(HSiO3/2)n，
(HSiO3/2)x(R1SiO3/2)y，
(HSiO3/2)x(R1R2SiO)y，
(HSiO3/2)x(R1R2SiO)y(SiO2)z，和
(HSiO3/2)x(H2SiO)y
[0013]在这些式中，R1是在最多约600℃下加热时不被除去的取代基，R1可例举但不限于：烷基，例如甲基、乙基和丙基；芳基，例如苯基；不饱和烃基，例如乙烯基和烯丙基；及其取代基团，其中包括：芳烷基，例如苯乙基；烷芳基，例如甲苯基；和卤代烃基，例如氯代甲基。R2可以是R1或者氢，n为大于或等于8，摩尔分数x、y和z在上述每一个共聚物中总计为1，和x为x、y和z之和的至少0.5。该树脂的优选重均分子量为1,000-150,000，其中优选范围为20,000-100,000。
[0014]上述树脂及其生产方法是本领域已知的。例如，美国专利3615272(1971年10月26日)公开了通过在苯磺酸水合物水解介质内水解三氯硅烷、然后用水或含水硫酸洗涤所得树脂的方法，生产含有最多100-300ppm硅烷醇的几乎充分缩合的氢化硅氧烷树脂。类似地，美国专利5010159(1991年4月23日)公开了在芳基磺酸水合物水解介质中水解氢化硅烷以形成树脂，然后使该树脂与中和剂接触的可供替代方法。此处可使用的其它树脂例如是(i)美国专利4999397(1991年3月12日)中所述的那些；(ii)通过在酸性或醇类水解介质中水解烷氧基或酰氧基硅烷生产的那些；(iii)美国专利6399210(2002年6月4日)中所述的烷氧基氢化硅氧烷树脂；和(iv)美国专利6924346(2005年8月2日)中所述的含苯基的树脂。在(iii)中的烷氧基氢化硅氧烷树脂由ROSiO3/2硅氧烷单元和HSiO3/2硅氧烷单元组成，其中R是具有10-28个碳原子的烷基，其中烷氧基氢化硅氧烷树脂含有平均5-40mol％与硅键合的烷氧基，和其中烷氧基氢化硅氧烷树脂含有平均至少45mol％与硅键合的氢原子。在(iv)中的树脂由5-50mol％(PhSiO)(3-x)/2(OH)x单元和50-95mol％(HSiO)(3-x)/2(OH)x单元组成，其中Ph是苯基，和x的数值为1-2。
酸和碱剥离剂
[0015]使用剥离剂，使得能从金属基底上除去聚合物膜。剥离剂可以是酸或碱。一般地，它是含有常见酸例如盐酸、硫酸或硝酸的水溶液；或者含有常见碱例如氢氧化钠、氢氧化钙、氢氧化铵或氢氧化钾的溶液。有机酸和碱也可充当剥离剂，它们可单独在溶剂中使用，或者以与无机对应物的混合物形式使用，若溶解度参数允许的话。有机酸的一些实例是乙酸、甲酸和三氟乙酸。有机碱的一些实例是四甲基氢氧化铵，四乙基铵，四丁基氢氧化铵，以及伯、仲和叔胺。然而，这些实例不是穷举性的。
溶剂
[0016]聚倍半硅氧烷树脂通常以含有该树脂的溶剂溶液形式制造和商购并供应。使用许多有机或硅氧烷溶剂。通常，基于溶剂和树脂的重量，可存在10-75wt％用量的溶剂。一些有机溶剂包括饱和脂族烃，例如正戊烷、己烷、正庚烷和异辛烷；脂环族烃，例如环戊烷和环己烷；芳烃，例如苯、甲苯、二甲苯、1，3，5-三甲基苯；醚，例如四氢呋喃、二噁烷、乙二醇二乙醚、乙二醇二甲醚；酮，例如甲基异丁基酮(MI BK)和环己酮；卤素取代的烷烃，例如三氯乙烷；卤代芳烃，例如溴苯和氯苯；和酯，例如异丁酸异丁酯和丙酸丙酯。有用的硅氧烷溶剂包括环状硅氧烷，例如八甲基环四硅氧烷和十甲基环五硅氧烷。可使用单一溶剂或者可使用溶剂的混合物。
施涂
[0017]施加聚倍半硅氧烷树脂到金属基底上的具体方法包括旋涂、浸涂、喷涂、流涂和筛网印刷。施加该树脂到金属基底上的优选方法是旋涂。将薄的(通常小于2.5微米)涂层施加到金属基底上。优选地，涂层的厚度为0.3-1.2微米。
[0018]在施加之后，可从金属基底上除去溶剂。可采用任何合适的方式除去溶剂，例如干燥、采用真空和/或施加热量，所述热量通过使涂布的基底在一个或多个热板上经过而生成。当采用旋涂时，将最小化额外的干燥，这是因为旋涂将驱走大多数溶剂。
[0019]在施加到金属基底上之后，加热聚倍半硅氧烷树脂涂布的基底到合适的温度，以固化该树脂。典型地，加热涂布的金属基底到100-600℃的温度，优选100-450℃，以固化该树脂。
[0020]不限制在固化树脂过程中所使用的氛围。一些有用氛围包括含氧气的氛围例如空气，和惰性氛围例如氮气和氩气。惰性是指该环境含有小于50ppm，优选小于10ppm的氧气。进行固化时的压力不是关键的。典型地在大气压下进行固化，然而也可使用亚大气或超大气压。
[0021]可使用任何加热方法固化树脂。例如，可将金属基底置于石英管炉、对流烘箱、快速热加工设备内，或者允许在热板上静置。在工业中常使用炉，以在基底上产生固化的树脂膜。
[0022]尽管在下述实施例中使用聚酰亚胺膜和不锈钢箔描述了本发明，但此处的方法可应用到其它聚合物膜和金属基底上。该方法也可用于拟作为用于除了光伏电池以外的电子器件例如电池和电子显示器的支持件的聚合物膜上。另外，在进行该方法中，支持器件的聚合物膜可施加到树脂剥离涂层上，或者可仅仅将器件直接施加到树脂剥离涂层上。
实施例
[0023]包括下述实施例以说明本发明的优选实施方案。本领域的技术人员应当理解，在随后的实施例中公开的技术代表发明人发现的在本发明的实践中功能很好的技术，因此可被视为构成其实践的优选模式。然而，鉴于本发明的公开内容，本领域的技术人员应当理解，可在没有脱离本发明的精神和范围的情况下，在所公开的具体的实施方案中作出许多变化，且仍然获得相同或类似的结果。所有百分数是重量百分数，除非另有说明。此外，除非另有说明，在实施例中所使用的聚倍半硅氧烷树脂是Dow CorningCorporation，Midland，Michigan的可商购的产品。
实施例1-制备氢倍半硅氧烷树脂涂布的不锈钢箔
[0024]用异丙醇然后用丙酮清洁25微米厚的不锈钢箔。将固体氢倍半硅氧烷(HSQ)树脂溶解在甲基异丁基酮(MIBK)内，以提供20wt％的溶液。使用该溶液，通过旋涂涂布该不锈钢箔。旋涂条件为1000rpm、30秒、未控制的加速。将涂布的不锈钢箔在室温下储存1-24小时，然后移到空气循环烘箱内以固化。固化条件为3℃/分钟到100℃，100℃下30分钟，3℃/分钟到150℃，150℃下30分钟，3℃/分钟到200℃和200℃下60分钟。
实施例2-制备甲基苯基倍半硅氧烷树脂涂布的不锈钢箔
[0025]在这一实施例中使用甲基苯基倍半硅氧烷(MPSQ)树脂作为含60wt％树脂的二甲苯溶液。进一步用MIBK稀释该树脂溶液，提供含18wt％树脂的溶液。在与实施例1所使用的相同涂布和固化条件下，用该树脂溶液涂布不锈钢箔。
实施例3-制备用树脂共混物涂布的不锈钢箔
[0026]混合3g实施例2中所使用的甲基苯基倍半硅氧烷树脂溶液和含60wt％该树脂的MIBK溶液形式的3g固体氢倍半硅氧烷树脂，并添加6g MIBK。在与实施例1所使用的相同涂布和固化条件下，施加该混合物到不锈钢箔上。
实施例4-制备用树脂共混物涂布的不锈钢箔
[0027]将2g甲基苯基倍半硅氧烷薄片树脂溶解在4g MIBK内。将2g固体氢倍半硅氧烷树脂溶解在4g MIBK内，并与所述薄片树脂的MIBK溶液充分混合。在与实施例1所使用的相同涂布和固化条件下，施加该混合物到不锈钢箔上。
实施例5-制备薄片树脂涂布的不锈钢箔
[0028]将甲基苯基倍半硅氧烷薄片树脂溶解在MIBK内，提供含20wt％所述薄片树脂的溶液。将该树脂溶液经0.2微米的过滤器过滤，并旋涂在4×4英寸的不锈钢箔上。在室温下储存涂布的不锈钢箔1-24小时，然后移到红外烘箱中以固化。红外烘箱具有朝空气开放的4个加热区，其中各自的长度为1.5英尺。这些区的温度设定值从样品的入口到出口分别为140℃、180℃、200℃和240℃。控制传输带的速度，以便停留时间为约40分钟。涂层厚度为约1微米。
实施例6-制备用树脂共混物涂布的不锈钢箔
[0029]通过水解甲基三氯硅烷、缩合该水解物，然后真空干燥该树脂，从而制备可溶的甲基倍半硅氧烷树脂。混合0.5g所述甲基倍半硅氧烷树脂和溶解在MIBK内以提供60wt％溶液的2g固体氢倍半硅氧烷树脂，然后溶解在6g MIBK内。使用该共混的倍半硅氧烷树脂溶液涂布不锈钢箔。使用实施例1的涂布和固化条件。
实施例7-在HSQ树脂涂布的不锈钢箔上制备聚酰亚胺膜
[0030]将以其商品名PYRALIN商购于HDMicrosystems，Parlin，New Jersey的聚酰亚胺前体涂布在实施例1中制备的氢倍半硅氧烷树脂涂布的不锈钢箔上。通过移液管施加聚酰亚胺树脂前体，并通过刮涂数为16的涂布棒铺涂。在热板上，在150-160℃下烘烤涂布的不锈钢箔20分钟，并在空气循环烘箱内，在300℃下固化1小时。
实施例8-在MPSQ树脂涂布的不锈钢箔上制备聚酰亚胺膜
[0031]以类似的方式，将实施例7所使用的聚酰亚胺前体施加到实施例2中制备的甲基苯基倍半硅氧烷树脂涂布的不锈钢箔上，然后在与实施例7所使用的相同条件下固化。
实施例9-在树脂共混物涂布的不锈钢箔上制备聚酰亚胺膜
[0032]以类似的方式，将实施例7所使用的相同聚酰亚胺前体施加到实施例3中制备的不锈钢箔上，并在与实施例7所使用的相同条件下固化。所述共混物含有甲基苯基倍半硅氧烷树脂和固体氢倍半硅氧烷树脂。
实施例10-在树脂共混物涂布的不锈钢箔上制备聚酰亚胺膜
[0033]以类似的方式，将实施例7所使用的相同聚酰亚胺前体施加到实施例4中制备的不锈钢箔上，并在与实施例7所使用的相同条件下固化。所述共混物含有薄片甲基苯基倍半硅氧烷树脂和固体氢倍半硅氧烷树脂。
实施例11-在薄片MPSQ涂布的不锈钢箔上制备聚酰亚胺膜
[0034]以类似的方式，将实施例7所使用的相同聚酰亚胺前体施加到实施例5中制备的不锈钢箔上，并在与实施例7所使用的相同条件下固化。
实施例12-在树脂共混物涂布的不锈钢箔上制备聚酰亚胺膜
[0035]以类似的方式，将实施例7所使用的相同聚酰亚胺前体施加到实施例6中制备的不锈钢箔上，并在与实施例7所使用的相同条件下固化。所述共混物含有甲基倍半硅氧烷树脂和固体氢倍半硅氧烷树脂。
实施例13-在未涂布的不锈钢箔上制备聚酰亚胺膜
[0036]使用实施例7-12所述的方法，在未涂布的不锈钢箔上制备聚酰亚胺膜以供比较。
实施例14-在HSQ涂布的不锈钢箔上制备金膜
[0037]通过将实施例1所使用的涂布的不锈钢箔置于溅射腔室内，并从金靶等离子溅射金到其上，从而制备金膜。调节溅射的时间和条件，以便在氢倍半硅氧烷树脂涂布的不锈钢箔上形成0.15微米厚的金膜。
实施例15-使用含水HCl剥离涂层的方法
[0038]将实施例7-13中制备的聚酰亚胺膜浸渍在5或10wt％的含水HCl溶液内。记录在没有施加外力的情况下聚酰亚胺膜离开不锈钢箔的时间。表1中示出了结果。在酸的情况下剥离机理是酸剥离剂蚀刻聚倍半硅氧烷树脂涂层和聚酰亚胺膜之间的界面。这允许聚酰亚胺膜从不锈钢箔上剥离。聚倍半硅氧烷树脂涂层保留在聚酰亚胺膜的表面上。
实施例16-使用含水HCl剥离涂层的方法
[0039]将实施例7-13中制备的聚酰亚胺膜浸渍在20wt％的含水HCl溶液内。记录在没有施加外力的情况下聚酰亚胺膜离开不锈钢箔的时间。表1中示出了结果。剥离机理与实施例15所述的相同。
实施例17-使用含水H2SO4剥离涂层的方法
[0040]将实施例7-13中制备的聚酰亚胺膜浸渍在7.7体积％的H2SO4水溶液内。记录在没有施加外力的情况下聚酰亚胺膜离开不锈钢箔的时间。表1中示出了结果。剥离机理与实施例15所述的相同。
实施例18-使用含水HNO3剥离涂层的方法
[0041]将实施例7-13中制备的聚酰亚胺膜浸渍在17.4体积％的HNO3水溶液内。记录在没有施加外力的情况下聚酰亚胺膜离开不锈钢箔的时间。表1中示出了结果。剥离机理与实施例15所述的相同。
实施例19-使用NaOH剥离涂层的方法
[0042]将实施例7-14中制备的聚酰亚胺膜和金膜浸渍在10wt％的NaOH水溶液内。记录在没有施加外力的情况下聚酰亚胺膜离开不锈钢箔的时间。表1中示出了结果。
[0043]在于聚酰亚胺膜和不锈钢箔之间获得剥离的替代方法中，通过用少量10wt％的NaOH水溶液机械擦拭层叠体的截面(cross-sectional cut)，以便将其引入到楔形区域内，从而引发剥离。在聚酰亚胺膜和不锈钢箔之间的楔形区域的末端处维持的NaOH水溶液使聚酰亚胺膜剥离。表1中示出了结果。
[0044]在碱的情况下剥离机理是牺牲性剥离。因此，碱与氢倍半硅氧烷树脂反应，生成氢气。氢气起到推动聚酰亚胺膜离开不锈钢箔的作用。聚倍半硅氧烷树脂变为可容易地从聚酰亚胺膜和不锈钢箔中洗掉的粉末残渣。聚倍半硅氧烷树脂涂层因此是在聚酰亚胺膜和不锈钢箔之间的牺牲性涂层。
实施例20-仅使用机械力剥离涂层的方法
[0045]在这一实施例中不使用剥离剂。用一把剪刀新切割实施例7-13中制备的聚酰亚胺涂布的不锈钢箔。通过在截面处垂直膜进行擦拭，引发聚酰亚胺膜与涂布的不锈钢箔的分离。然后努力施加剥离力，以从不锈钢箔上剥离聚酰亚胺膜。在这一实施方案中，聚酰亚胺膜从保留在不锈钢箔上的聚倍半硅氧烷树脂涂层上剥离。表1中示出了结果。
[0046]在表1中，n/a表示没有进行该实施例。星号**表示聚酰亚胺膜的质量差或者酸和碱剥离剂使聚酰亚胺膜过度降解，因此该工序没用。
表1聚酰亚胺膜或金膜从涂布和未涂布的不锈钢箔上剥离的行为结果
Figure A20068003608800151
[0047]可在没有脱离本发明的基本特征的情况下，对此处所述的化合物、组合物和方法进行其它变化。此处具体地所述的本发明的实施方案仅仅是例举和不打算限制所附权利要求书定义的本发明的范围。

Claims (16)

1.一种方法，该方法包括：
(i)施加聚倍半硅氧烷树脂的涂层到金属基底上，
(ii)加热涂布的金属基底到足以固化聚倍半硅氧烷树脂的温度，
(iii)施加聚合物膜到在金属基底上的固化涂层上，
(iv)进一步加热涂布的金属基底到足以固化聚合物膜的温度，
(v)任选地，在聚合物膜上制造电子器件，和
(vi)从金属基底上剥离该聚合物膜。
2.权利要求1的方法，其中通过使涂布的金属基底与酸接触，和从聚合物膜上除去金属基底，从而从金属基底上剥离聚合物膜。
3.权利要求1的方法，其中通过使涂布的金属基底与碱接触，和从聚合物膜上除去金属基底，从而从金属基底上剥离聚合物膜。
4.权利要求1的方法，其中通过切割涂布的金属基底，然后施加剥离力到金属基底上以分离金属基底与聚合物膜，从而从金属基底上剥离聚合物膜。
5.权利要求1的方法，其中聚倍半硅氧烷树脂具有下式：
(HSiO3/2)n，
(HSiO3/2)x(R1SiO3/2)y，
(HSiO3/2)x(R1R2SiO)y，
(HSiO3/2)x(R1R2SiO)y(SiO2)z，或
(HSiO3/2)x(H2SiO)y
其中R1是烷基、芳基、不饱和烃基、芳烷基、烷芳基或卤代烃基；R2与R1相同或者是氢；n为大于或等于8；在每一式中，摩尔分数x、y和z总计为1；和x为x、y和z之和的至少0.5。
6.权利要求1的方法，其中电子器件是光伏电池、电池或电子显示器。
7.通过权利要求1的方法制备的电子器件。
8.一种方法，该方法包括：
(i)在电子器件和金属基底之间施加聚倍半硅氧烷树脂的涂层，
(ii)加热涂布的金属基底到足以固化聚倍半硅氧烷树脂的温度，和
(iii)从金属基底上剥离电子器件。
9.权利要求8的方法，其中通过使涂布的金属基底与酸接触，和从电子器件上除去金属基底，从而从金属基底上剥离电子器件。
10.权利要求8的方法，其中通过使涂布的金属基底与碱接触，和从电子器件上除去金属基底，从而从金属基底上剥离电子器件。
11.权利要求8的方法，其中该电子器件是光伏电池、电池或电子显示器。
12.通过权利要求8的方法制备的电子器件。
13.一种方法，该方法包括：
(i)施加聚倍半硅氧烷树脂的涂层到金属基底上，
(ii)加热涂布的金属基底到足以固化聚倍半硅氧烷树脂的温度，
(iii)施加贵金属膜到在金属基底上的固化涂层上，
(iv)从金属基底上剥离贵金属膜。
14.权利要求13的方法，其中通过使涂布的金属基底与酸接触，和从金属基底上除去贵金属膜，从而从金属基底上剥离贵金属膜。
15.权利要求13的方法，其中通过使涂布的金属基底与碱接触，和从金属基底上除去贵金属膜，从而从金属基底上剥离贵金属膜。
16.通过权利要求13的方法制备的贵金属膜。
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