JP2002322370A - シルセスキオキサン含有樹脂組成物 - Google Patents
シルセスキオキサン含有樹脂組成物Info
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- JP2002322370A JP2002322370A JP2001126435A JP2001126435A JP2002322370A JP 2002322370 A JP2002322370 A JP 2002322370A JP 2001126435 A JP2001126435 A JP 2001126435A JP 2001126435 A JP2001126435 A JP 2001126435A JP 2002322370 A JP2002322370 A JP 2002322370A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅、アルミニウムのような各種の金属材料や
各種のセラミックス材料との接着性に優れた樹脂組成物
の提供。 【解決手段】 樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開
裂構造体を含有することを特徴とする樹脂組成物。
各種のセラミックス材料との接着性に優れた樹脂組成物
の提供。 【解決手段】 樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開
裂構造体を含有することを特徴とする樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料の分野に
おいて電子材料どうしの接着性に優れた樹脂組成物に関
するものである。更に詳しくは銅、アルミニウムのよう
な各種の金属材料や各種のセラミックス材料との接着性
に優れた樹脂組成物に関するものである。
おいて電子材料どうしの接着性に優れた樹脂組成物に関
するものである。更に詳しくは銅、アルミニウムのよう
な各種の金属材料や各種のセラミックス材料との接着性
に優れた樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化、軽量化が
急速に進むのに伴い、電子部品の搭載密度も高くなり、
部品の微細化に伴って、それらの接着に用いられる樹脂
材料への要求が益々高まってきている。例えば、より高
精細な回路パターンを製造することを目的として、逐次
積層型ビルドアッププリント配線板が用いられている
が、その配線板の絶縁層上には、より薄型の銅箔が使用
されている。さらに、配線幅も狭くなってきている。
急速に進むのに伴い、電子部品の搭載密度も高くなり、
部品の微細化に伴って、それらの接着に用いられる樹脂
材料への要求が益々高まってきている。例えば、より高
精細な回路パターンを製造することを目的として、逐次
積層型ビルドアッププリント配線板が用いられている
が、その配線板の絶縁層上には、より薄型の銅箔が使用
されている。さらに、配線幅も狭くなってきている。
【０００３】しかしながら、従来、配線に用いられる銅
箔に代表される金属と、配線板に用いられる絶縁層の接
着強度を向上させるには、接着用の樹脂を用いるだけで
は不充分で金属表面を粗化しさらにクロメート処理等に
よりアンカー効果を発現させる工程が必須であった。し
かしながら、近年の金属箔の薄膜化、配線幅の狭小化に
伴い粗化工程が非常に困難になってきており、電子材料
の部品の微細化に限界が生じている。
箔に代表される金属と、配線板に用いられる絶縁層の接
着強度を向上させるには、接着用の樹脂を用いるだけで
は不充分で金属表面を粗化しさらにクロメート処理等に
よりアンカー効果を発現させる工程が必須であった。し
かしながら、近年の金属箔の薄膜化、配線幅の狭小化に
伴い粗化工程が非常に困難になってきており、電子材料
の部品の微細化に限界が生じている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】即ち、本発明の課題
は、銅、アルミニウムのような各種の金属材料や各種の
セラミックス材料との接着性に優れた樹脂組成物の提供
にあり、具体的には、配線板に粗化を行うことなく配線
を接着強度が高く接着させることが可能な樹脂組成物の
提供にある。
は、銅、アルミニウムのような各種の金属材料や各種の
セラミックス材料との接着性に優れた樹脂組成物の提供
にあり、具体的には、配線板に粗化を行うことなく配線
を接着強度が高く接着させることが可能な樹脂組成物の
提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決すべく各種金属やセラミックスとの接着性に優れ
た樹脂組成物について鋭意研究を行った。その結果、各
種籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を含有する
樹脂組成物が卓越した接着性を発現することを見出し、
本発明を完成した。すなわち本発明は、 （１）樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体
を含有することを特徴とする樹脂組成物。 （２）樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体
を含有し、かつ、下記式（１）で表される接着強度比が
１．１以上であることを特徴とする樹脂組成物。 接着強度比＝ｘ／ｙ （１） （ｘは籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を含有
する樹脂組成物の接着強度、ｙは籠状シルセスキオキサ
ンの部分開裂構造体を含有しない以外は先記樹脂組成物
と同一の樹脂組成物） （３）（１）または（２）に記載の樹脂が、熱硬化性樹
脂及び／または熱可塑性樹脂である事を特徴とする
（１）または（２）に記載の樹脂組成物。 （４）（３）に記載の熱硬化性樹脂が、シアネートエス
テル樹脂である事を特徴とする（３）に記載の樹脂組成
物。
を解決すべく各種金属やセラミックスとの接着性に優れ
た樹脂組成物について鋭意研究を行った。その結果、各
種籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を含有する
樹脂組成物が卓越した接着性を発現することを見出し、
本発明を完成した。すなわち本発明は、 （１）樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体
を含有することを特徴とする樹脂組成物。 （２）樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体
を含有し、かつ、下記式（１）で表される接着強度比が
１．１以上であることを特徴とする樹脂組成物。 接着強度比＝ｘ／ｙ （１） （ｘは籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を含有
する樹脂組成物の接着強度、ｙは籠状シルセスキオキサ
ンの部分開裂構造体を含有しない以外は先記樹脂組成物
と同一の樹脂組成物） （３）（１）または（２）に記載の樹脂が、熱硬化性樹
脂及び／または熱可塑性樹脂である事を特徴とする
（１）または（２）に記載の樹脂組成物。 （４）（３）に記載の熱硬化性樹脂が、シアネートエス
テル樹脂である事を特徴とする（３）に記載の樹脂組成
物。
【０００６】（５）（３）に記載の熱可塑性樹脂がポリ
スルホン樹脂であることを特徴とする（３）または
（４）に記載の樹脂組成物。 （６）該熱可塑性樹脂（ａ）と、該熱硬化性樹脂（ｂ）
と、該籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体（ｃ）
とが、樹脂全体に対する熱硬化性樹脂の重量割合（ｂ／
（ａ＋ｂ））が1〜50重量％であり、樹脂組成物全体に
対する籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体の重量
割合（ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ））が0.1〜50重量％であるこ
とを特徴とする３）〜５）のいずれかに記載の樹脂組成
物。 （７）該籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体が一
般式（ＲＳｉＯ3/2）n− m（Ｏ1/2Ｈ）2+m（Rは水素原
子、炭素数１から２０のアルキル基、アルケニル基、ア
ラアルキル基、アリール基及びケイ素原子数１から１０
のケイ素原子含有基のいずれか一種を表し、複数のRは
同じでも異なっても良く、ｎは６から１４の整数であ
り、ｍは０又は１である。なお、当該構造分子のOH基の
一部が、ケイ素原子数１から１０のケイ素原子含有基に
よって置換された構造でも良い）で表されるケイ素化合
物である事を特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記
載の樹脂組成物に関する。
スルホン樹脂であることを特徴とする（３）または
（４）に記載の樹脂組成物。 （６）該熱可塑性樹脂（ａ）と、該熱硬化性樹脂（ｂ）
と、該籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体（ｃ）
とが、樹脂全体に対する熱硬化性樹脂の重量割合（ｂ／
（ａ＋ｂ））が1〜50重量％であり、樹脂組成物全体に
対する籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体の重量
割合（ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ））が0.1〜50重量％であるこ
とを特徴とする３）〜５）のいずれかに記載の樹脂組成
物。 （７）該籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体が一
般式（ＲＳｉＯ3/2）n− m（Ｏ1/2Ｈ）2+m（Rは水素原
子、炭素数１から２０のアルキル基、アルケニル基、ア
ラアルキル基、アリール基及びケイ素原子数１から１０
のケイ素原子含有基のいずれか一種を表し、複数のRは
同じでも異なっても良く、ｎは６から１４の整数であ
り、ｍは０又は１である。なお、当該構造分子のOH基の
一部が、ケイ素原子数１から１０のケイ素原子含有基に
よって置換された構造でも良い）で表されるケイ素化合
物である事を特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記
載の樹脂組成物に関する。
【０００７】以下に本発明を詳細に説明する。本発明の
樹脂組成物は、樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開
裂構造体を含有することを特徴としている。本発明に用
いられる樹脂は、用途により、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂、あるいはそれらの中から選ばれる複数の樹脂の混
合物が使用される。本発明に使用される熱可塑性樹脂と
は、具体的にはポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホ
ン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リアリレート樹脂、ポリオキシメチレン樹脂、ポリフェ
ニレンエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹
脂等のエンジニアリングプラスチックや、ポリスチレン
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン
樹脂等の付加重合ポリマーが挙げられる。
樹脂組成物は、樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開
裂構造体を含有することを特徴としている。本発明に用
いられる樹脂は、用途により、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂、あるいはそれらの中から選ばれる複数の樹脂の混
合物が使用される。本発明に使用される熱可塑性樹脂と
は、具体的にはポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホ
ン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リアリレート樹脂、ポリオキシメチレン樹脂、ポリフェ
ニレンエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹
脂等のエンジニアリングプラスチックや、ポリスチレン
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン
樹脂等の付加重合ポリマーが挙げられる。
【０００８】熱可塑性樹脂の中でも好ましくはTgが150
℃以上のエンジニアリングプラスチックが用いられる。
このようなエンジニアリングプラスチックの具体例とし
ては、例えばポリスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、
ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエー
テルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテル
エーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げら
れる。エンジニアリングプラスチックの中でも、特にポ
リスルホン樹脂が耐熱性や電気特性、溶剤可溶性に優れ
好ましい。
℃以上のエンジニアリングプラスチックが用いられる。
このようなエンジニアリングプラスチックの具体例とし
ては、例えばポリスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、
ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエー
テルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテル
エーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げら
れる。エンジニアリングプラスチックの中でも、特にポ
リスルホン樹脂が耐熱性や電気特性、溶剤可溶性に優れ
好ましい。
【０００９】本発明の熱可塑性樹脂は単独でも、２種類
以上のポリマーアロイ、複合材料としても用いることが
できる。本発明において好適に用いられるポリスルホン
樹脂はコーティング法によりシート成形を実施するた
め、汎用の有機溶媒に可溶であることが重要である。ま
たプリント配線板に用いられる場合は耐熱性や難燃性も
満たす必要がある。従って、好適には、芳香族のポリス
ルホン樹脂が好ましく、ポリ（オキシ-p-フェニレンス
ルホニル-p-フェニレンオキシ-p-フェニレンイソプロピ
リデン-p-フェニレン）、ポリ（オキシ-p-フェニレンス
ルホニル-p-フェニレン）などが好ましい。
以上のポリマーアロイ、複合材料としても用いることが
できる。本発明において好適に用いられるポリスルホン
樹脂はコーティング法によりシート成形を実施するた
め、汎用の有機溶媒に可溶であることが重要である。ま
たプリント配線板に用いられる場合は耐熱性や難燃性も
満たす必要がある。従って、好適には、芳香族のポリス
ルホン樹脂が好ましく、ポリ（オキシ-p-フェニレンス
ルホニル-p-フェニレンオキシ-p-フェニレンイソプロピ
リデン-p-フェニレン）、ポリ（オキシ-p-フェニレンス
ルホニル-p-フェニレン）などが好ましい。
【００１０】また、本発明に使用される熱硬化性樹脂と
は、具体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリア
ジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン
樹脂、ケイ素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアネー
トエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹
脂、又はこれらの種々の変性樹脂類が挙げられる。これ
らの熱硬化性樹脂の中でも、プリント配線板等には、接
着性、電気特性の面から、特にシアネートエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂が好
適であり、特に、シアネートエステル樹脂が好ましい。
は、具体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリア
ジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン
樹脂、ケイ素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアネー
トエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ポリイミド樹
脂、又はこれらの種々の変性樹脂類が挙げられる。これ
らの熱硬化性樹脂の中でも、プリント配線板等には、接
着性、電気特性の面から、特にシアネートエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂が好
適であり、特に、シアネートエステル樹脂が好ましい。
【００１１】以下にシアネートエステル樹脂について詳
細に説明する。本発明のシアネートエステル樹脂とは、
一般式（ＮＣＯ−Ａｒ−ＸＲ1Ｒ2−Ａｒ−ＯＣＮ）（Ｘ
はＣ又はＳを表し、Ｒ1とＲ2は同一でも異なってもよ
く、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニ
ル基、及びそのフッ素体のいずれか一種を表し、Ａｒは
アリール基を表する）で表される2,2'-ジ（4-シアナト
フェニル）プロパン、ジ（4-シアナト-3.5-ジメチルフ
ェニル）メタン、ジ（4-シアナトフェニル）チオエーテ
ル、2,2'-ジ（4-シアナトフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、ジ（4-シアナトフェニル）エタン、フェノール
とジクロペンタジエンの共重合体のジシアネートなど、
分子内に２つ以上のシアネート基を有する多官能シアネ
ートエステル及びその混合物である。またこれら多官能
シアネートエステルの３量体で構成されるトリアジン環
構造を有するプレポリマー、およびこのプレポリマーと
モノマーの混合物も本発明のシアネートエステル樹脂に
含まれる。また、シアネートエステル樹脂がトリアジン
環構造を基本構造とした３次元網状の架橋構造体も本発
明に含まれる。
細に説明する。本発明のシアネートエステル樹脂とは、
一般式（ＮＣＯ−Ａｒ−ＸＲ1Ｒ2−Ａｒ−ＯＣＮ）（Ｘ
はＣ又はＳを表し、Ｒ1とＲ2は同一でも異なってもよ
く、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニ
ル基、及びそのフッ素体のいずれか一種を表し、Ａｒは
アリール基を表する）で表される2,2'-ジ（4-シアナト
フェニル）プロパン、ジ（4-シアナト-3.5-ジメチルフ
ェニル）メタン、ジ（4-シアナトフェニル）チオエーテ
ル、2,2'-ジ（4-シアナトフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、ジ（4-シアナトフェニル）エタン、フェノール
とジクロペンタジエンの共重合体のジシアネートなど、
分子内に２つ以上のシアネート基を有する多官能シアネ
ートエステル及びその混合物である。またこれら多官能
シアネートエステルの３量体で構成されるトリアジン環
構造を有するプレポリマー、およびこのプレポリマーと
モノマーの混合物も本発明のシアネートエステル樹脂に
含まれる。また、シアネートエステル樹脂がトリアジン
環構造を基本構造とした３次元網状の架橋構造体も本発
明に含まれる。
【００１２】以上の熱硬化性樹脂は単独で用いても、２
種類以上の樹脂を組み合わせてもかまわない。また、本
発明では上記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を混合して用
いてもかまわない。次に、本発明における籠状シルセス
キオキサンの部分開裂構造体について説明する。
種類以上の樹脂を組み合わせてもかまわない。また、本
発明では上記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を混合して用
いてもかまわない。次に、本発明における籠状シルセス
キオキサンの部分開裂構造体について説明する。
【００１３】シリカが［ＳｉＯ2］の一般式で表される
のに対し、シルセスキオキサンは［Ｒ'ＳｉＯ3/2］で表
される化合物である。シルセスキオキサンは通常Ｒ'Ｓ
ｉＸ3（Ｒ'＝水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
リール基、アラアルキル基等、Ｘ＝ハロゲン原子、アル
コキシ基等）型化合物の加水分解−重縮合で合成される
ポリシロキサンであり、分子配列の形状として、代表的
には無定形、ラダー状、籠状（完全縮合ケージ状）（下
記一般式（１））や完全縮合ケージ状からケイ素原子が
一原子少ないタイプや、一部ケイ素−酸素結合が切断さ
れた部分開裂したタイプが知られている。このうち、籠
状（完全縮合ケージ状）（下記一般式（１））や完全縮
合ケージ状からケイ素原子が一原子少ないタイプや一部
ケイ素−酸素結合が切断された部分開裂したタイプが接
着強度に効果があるが、中でも籠状のものの部分開裂し
たタイプが好ましい。以下に籠状のものの部分開裂した
タイプについて説明する。
のに対し、シルセスキオキサンは［Ｒ'ＳｉＯ3/2］で表
される化合物である。シルセスキオキサンは通常Ｒ'Ｓ
ｉＸ3（Ｒ'＝水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
リール基、アラアルキル基等、Ｘ＝ハロゲン原子、アル
コキシ基等）型化合物の加水分解−重縮合で合成される
ポリシロキサンであり、分子配列の形状として、代表的
には無定形、ラダー状、籠状（完全縮合ケージ状）（下
記一般式（１））や完全縮合ケージ状からケイ素原子が
一原子少ないタイプや、一部ケイ素−酸素結合が切断さ
れた部分開裂したタイプが知られている。このうち、籠
状（完全縮合ケージ状）（下記一般式（１））や完全縮
合ケージ状からケイ素原子が一原子少ないタイプや一部
ケイ素−酸素結合が切断された部分開裂したタイプが接
着強度に効果があるが、中でも籠状のものの部分開裂し
たタイプが好ましい。以下に籠状のものの部分開裂した
タイプについて説明する。
【００１４】
【化１】
【００１５】本発明で用いられる籠状シルセスキオキサ
ンの一部のケイ素−酸素結合が部分開裂してできた、一
般式［ＲＳｉＯ3/2］n-m（Ｏ1/2Ｈ）2+m（ｎは６〜１４
の整数であり、ｍは０又は１である。）で表わされるケ
イ素化合物としては、合成化学的側面、化合物の安定
性、合成収率の高さ、それに起因するコスト等を考慮す
れば、特に一般式（１）の一部が開裂したトリシラノー
ル体、すなわち、［ＲＳｉＯ3/2］7（Ｏ1/2Ｈ）3の化学
式で表されるタイプ（下記一般式（２））、［ＲＳｉＯ
3/2］8（Ｏ1/2Ｈ）2の化学式で表されるタイプ（下記一
般式（３）および（４））が好ましく使用され、さらに
好ましくは［ＲＳｉＯ3/2］7（Ｏ1/2Ｈ）3の化学式で表
されるトリシラノール体（一般式（２））が使用され
る。なお、一般式（２）、（３）及び（４）において、
同一ケイ素原子に結合しているＲとＯＨはお互いの位置
を交換したものでもよい。
ンの一部のケイ素−酸素結合が部分開裂してできた、一
般式［ＲＳｉＯ3/2］n-m（Ｏ1/2Ｈ）2+m（ｎは６〜１４
の整数であり、ｍは０又は１である。）で表わされるケ
イ素化合物としては、合成化学的側面、化合物の安定
性、合成収率の高さ、それに起因するコスト等を考慮す
れば、特に一般式（１）の一部が開裂したトリシラノー
ル体、すなわち、［ＲＳｉＯ3/2］7（Ｏ1/2Ｈ）3の化学
式で表されるタイプ（下記一般式（２））、［ＲＳｉＯ
3/2］8（Ｏ1/2Ｈ）2の化学式で表されるタイプ（下記一
般式（３）および（４））が好ましく使用され、さらに
好ましくは［ＲＳｉＯ3/2］7（Ｏ1/2Ｈ）3の化学式で表
されるトリシラノール体（一般式（２））が使用され
る。なお、一般式（２）、（３）及び（４）において、
同一ケイ素原子に結合しているＲとＯＨはお互いの位置
を交換したものでもよい。
【００１６】
【化２】
【００１７】
【化３】
【００１８】
【化４】
【００１９】本発明に使用される籠状シルセスキオキサ
ン部分開裂構造体におけるＲの種類としては、水素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基、シクロアルキル基、
アルケニル基、アラアルキル基、アリール基及び後述す
る一般式（５）及び一般式（６）で表わされるケイ素原
子数１〜１０のケイ素原子含有基が挙げられる。上記Ｒ
のうちアルキル基の例としては、メチル、エチル、プロ
ピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチ
ル、ｉ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、ｉ−
ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｉ−ヘプチル、ｎ−オクチ
ル、ｉ−オクチル、ｎ−ノニル、ｉ−ノニル、ｎ−デシ
ル、ｉ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｉ−ウンデシル、ｎ
−ドデシル、ｉ−ドデシル基等が挙げられる。シクロア
ルキル基の例としては、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、
メチルシクロペンチル、メチルシクロヘキシル等が挙げ
られる。
ン部分開裂構造体におけるＲの種類としては、水素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基、シクロアルキル基、
アルケニル基、アラアルキル基、アリール基及び後述す
る一般式（５）及び一般式（６）で表わされるケイ素原
子数１〜１０のケイ素原子含有基が挙げられる。上記Ｒ
のうちアルキル基の例としては、メチル、エチル、プロ
ピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチ
ル、ｉ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、ｉ−
ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｉ−ヘプチル、ｎ−オクチ
ル、ｉ−オクチル、ｎ−ノニル、ｉ−ノニル、ｎ−デシ
ル、ｉ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｉ−ウンデシル、ｎ
−ドデシル、ｉ−ドデシル基等が挙げられる。シクロア
ルキル基の例としては、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、
メチルシクロペンチル、メチルシクロヘキシル等が挙げ
られる。
【００２０】アルケニル基の例としては、ビニル、プロ
ペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニ
ル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、
ドデセニル、シクロヘキセニル、シクロヘキセニルエチ
ル、ノルボルネニルエチル等が挙げられる。アラアルキ
ル基の例としてはベンジル、フェネチル、２−メチルベ
ンジル、３−メチルベンジル、４−メチルベンジル、
２，６−ジメチルベンジル、２，４−ジメチルベンジ
ル、２，５−ジメチルベンジル、２−エチルベンジル、
３−エチルベンジル、４−エチルベンジル、２−メチル
フェネチル、３−メチルフェネチル、４−メチルフェネ
チル、２−プロピルベンジル、３−プロピルベンジル、
４−プロピルベンジル、２−エチル−６−メチルベンジ
ル、２−エチル−５−メチルベンジル、２−エチル−４
−メチルベンジル、６−エチル−２−メチルベンジル、
５−エチル−２−メチルベンジル、４−エチル−２−メ
チルベンジル、２，６−ジメチルフェネチル、２，５−
ジメチルフェネチル、２，４−ジメチルフェネチル、２
−エチルフェネチル、３−エチルフェネチル、４−エチ
ルフェネチル、２，６−ジエチルベンジル、２，５−ジ
エチルベンジル、２，４−ジエチルベンジル、２−エチ
ル−６−メチルフェネチル、２−エチル−５−メチルフ
ェネチル、２−エチル−４−メチルフェネチル、６−エ
チル−２−メチルフェネチル、５−エチル−２−メチル
フェネチル、４−エチル−２−メチルフェネチル、２，
６−ジエチルフェネチル、２，５−ジエチルフェネチ
ル、２，４−ジエチルフェネチル基等が挙げられる。ア
リール基の例としては、フェニル基、あるいは炭素数１
〜１４、より好ましくは炭素数１〜８のアルキル基で１
置換あるいは複数置換されたフェニル基等が挙げられ
る。
ペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニ
ル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、
ドデセニル、シクロヘキセニル、シクロヘキセニルエチ
ル、ノルボルネニルエチル等が挙げられる。アラアルキ
ル基の例としてはベンジル、フェネチル、２−メチルベ
ンジル、３−メチルベンジル、４−メチルベンジル、
２，６−ジメチルベンジル、２，４−ジメチルベンジ
ル、２，５−ジメチルベンジル、２−エチルベンジル、
３−エチルベンジル、４−エチルベンジル、２−メチル
フェネチル、３−メチルフェネチル、４−メチルフェネ
チル、２−プロピルベンジル、３−プロピルベンジル、
４−プロピルベンジル、２−エチル−６−メチルベンジ
ル、２−エチル−５−メチルベンジル、２−エチル−４
−メチルベンジル、６−エチル−２−メチルベンジル、
５−エチル−２−メチルベンジル、４−エチル−２−メ
チルベンジル、２，６−ジメチルフェネチル、２，５−
ジメチルフェネチル、２，４−ジメチルフェネチル、２
−エチルフェネチル、３−エチルフェネチル、４−エチ
ルフェネチル、２，６−ジエチルベンジル、２，５−ジ
エチルベンジル、２，４−ジエチルベンジル、２−エチ
ル−６−メチルフェネチル、２−エチル−５−メチルフ
ェネチル、２−エチル−４−メチルフェネチル、６−エ
チル−２−メチルフェネチル、５−エチル−２−メチル
フェネチル、４−エチル−２−メチルフェネチル、２，
６−ジエチルフェネチル、２，５−ジエチルフェネチ
ル、２，４−ジエチルフェネチル基等が挙げられる。ア
リール基の例としては、フェニル基、あるいは炭素数１
〜１４、より好ましくは炭素数１〜８のアルキル基で１
置換あるいは複数置換されたフェニル基等が挙げられ
る。
【００２１】アルキル基、シクロアルキル基、アルケニ
ル基、アラアルキル基、アリール基などの炭化水素系置
換基Ｒの中でも接着性向上効果、シルセスキオキサン部
分開裂構造体の合成のしやすさ、シルセスキオキサン部
分開裂構造体の精製、取り扱いやすさより、特に以下の
炭素数のものが好ましい。すなわち、Rがアルキル基の
場合には好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは２
〜６。Rがシクロアルキル基の場合には好ましくは炭素
数５〜１６、特に好ましくは５〜９。Rがアルケニル基
の場合には好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは
２〜９。Rがアラアルキル基の場合には好ましくは炭素
数７〜１６、特に好ましくは７〜９。Rがアリール基の
場合には好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは６
〜９。Ｒとして採用されるケイ素原子数１〜１０のケイ
素原子含有基としては、広範な構造のものが採用される
が、例えば下記一般式（５）、あるいは一般式（６）の
構造の基が挙げられる。
ル基、アラアルキル基、アリール基などの炭化水素系置
換基Ｒの中でも接着性向上効果、シルセスキオキサン部
分開裂構造体の合成のしやすさ、シルセスキオキサン部
分開裂構造体の精製、取り扱いやすさより、特に以下の
炭素数のものが好ましい。すなわち、Rがアルキル基の
場合には好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは２
〜６。Rがシクロアルキル基の場合には好ましくは炭素
数５〜１６、特に好ましくは５〜９。Rがアルケニル基
の場合には好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは
２〜９。Rがアラアルキル基の場合には好ましくは炭素
数７〜１６、特に好ましくは７〜９。Rがアリール基の
場合には好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは６
〜９。Ｒとして採用されるケイ素原子数１〜１０のケイ
素原子含有基としては、広範な構造のものが採用される
が、例えば下記一般式（５）、あるいは一般式（６）の
構造の基が挙げられる。
【００２２】当該ケイ素原子含有基中のケイ素原子数と
しては、通常１〜１０の範囲であるが、好ましくは１〜
６の範囲、より好ましくは１〜３の範囲である。ケイ素
原子の数が大きくなりすぎると籠状シルセスキオキサン
部分開裂構造体は粘ちょうな液体となり、ハンドリング
や精製が困難になるので好ましくない。
しては、通常１〜１０の範囲であるが、好ましくは１〜
６の範囲、より好ましくは１〜３の範囲である。ケイ素
原子の数が大きくなりすぎると籠状シルセスキオキサン
部分開裂構造体は粘ちょうな液体となり、ハンドリング
や精製が困難になるので好ましくない。
【００２３】
【化５】
【００２４】一般式（５）中のｎは、通常は１〜１０の
範囲の整数であるが、好ましくは１〜６の範囲の整数、
より好ましくは１〜３の範囲の整数であるまた、一般式
（５）中の置換基Ｒ5及びＲ6は、水素原子又は炭素数１
〜１０、好ましくは炭素数１〜６の有機基である。当該
有機基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基、ビニ
ル基、アリル基等の不飽和結合含有基、あるいはＣＦ3
ＣＨ2ＣＨ2−等の含フッ素アルキルのような置換アルキ
ル基や、フェニル基、トルイル基等のアリール基、ベン
ジル基、フェネチル基等のアラアルキル基が挙げられ
る。
範囲の整数であるが、好ましくは１〜６の範囲の整数、
より好ましくは１〜３の範囲の整数であるまた、一般式
（５）中の置換基Ｒ5及びＲ6は、水素原子又は炭素数１
〜１０、好ましくは炭素数１〜６の有機基である。当該
有機基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基、ビニ
ル基、アリル基等の不飽和結合含有基、あるいはＣＦ3
ＣＨ2ＣＨ2−等の含フッ素アルキルのような置換アルキ
ル基や、フェニル基、トルイル基等のアリール基、ベン
ジル基、フェネチル基等のアラアルキル基が挙げられ
る。
【００２５】一般式（５）中のＲ7は、水素原子又は炭
素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１２、より好まし
くは炭素数１〜８の有機基である。当該有機基の例とし
ては、１）メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シク
ロヘキシル基、２−シクロヘキシル−エチル基、オクチ
ル基、ドデシル基等のアルキル基、２）ビニル基、アリ
ル基、２−シクロヘキセニル−エチル基等のアルケニル
基、３）フェニル基、トルイル基、アルキル置換フェニ
ル基等のアリール基、４）ベンジル基、フェネチル基等
のアラアルキル基、５）３，３，３−トリフルオロ−ｎ
−プロピル基等の含フッ素アルキル基やＣＦ3ＣＦ2ＣＦ
2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−基のような含フッ素エーテル基等
の部分置換炭化水素基が挙げられる。
素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１２、より好まし
くは炭素数１〜８の有機基である。当該有機基の例とし
ては、１）メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シク
ロヘキシル基、２−シクロヘキシル−エチル基、オクチ
ル基、ドデシル基等のアルキル基、２）ビニル基、アリ
ル基、２−シクロヘキセニル−エチル基等のアルケニル
基、３）フェニル基、トルイル基、アルキル置換フェニ
ル基等のアリール基、４）ベンジル基、フェネチル基等
のアラアルキル基、５）３，３，３−トリフルオロ−ｎ
−プロピル基等の含フッ素アルキル基やＣＦ3ＣＦ2ＣＦ
2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−基のような含フッ素エーテル基等
の部分置換炭化水素基が挙げられる。
【００２６】なお、一般式（５）において、同一のケイ
素原子に２個以上の水素原子が同時に連結しない事が好
ましい。Ｒとして採用されるシロキシ基の具体的例とし
ては、例えばトリメチルシロキシ、ジメチルフェニルシ
ロキシ、ジフェニルメチルシロキシ、ジメチル−ｎ−ヘ
キシルシロキシ、ジメチルシクロヘキシルシロキシ、ジ
メチルオクチルシロキシ、（ＣＨ3）3ＳｉＯ［Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3）2Ｏ］k−（ｋ＝１〜９）、２−フェニル−２，
４，４，４−テトラメチルシロキシ、４−フェニル−
２，２，４，４−テトラメチルシロキシ、４，４−ジフ
ェニル−２，２，４−トリメチルシロキシ、２，４−ジ
フェニル−２，４，４−トリメチルシロキシ等が挙げら
れる。
素原子に２個以上の水素原子が同時に連結しない事が好
ましい。Ｒとして採用されるシロキシ基の具体的例とし
ては、例えばトリメチルシロキシ、ジメチルフェニルシ
ロキシ、ジフェニルメチルシロキシ、ジメチル−ｎ−ヘ
キシルシロキシ、ジメチルシクロヘキシルシロキシ、ジ
メチルオクチルシロキシ、（ＣＨ3）3ＳｉＯ［Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3）2Ｏ］k−（ｋ＝１〜９）、２−フェニル−２，
４，４，４−テトラメチルシロキシ、４−フェニル−
２，２，４，４−テトラメチルシロキシ、４，４−ジフ
ェニル−２，２，４−トリメチルシロキシ、２，４−ジ
フェニル−２，４，４−トリメチルシロキシ等が挙げら
れる。
【００２７】
【化６】
【００２８】一般式（６）において、Ｒａは炭素数１〜
１０の２価の炭化水素基であり、炭素数としては、好ま
しくは２〜６の範囲であり、特に好ましくは２または３
である。Ｒａの具体例としては、例えば、−ＣＨ2ＣＨ2
−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−(ＣＨ2)ｍ−（ｍ＝４〜１
０）等のアルキレン基があげられる。一般式（６）にお
けるＲ5，Ｒ6，Ｒ7は、一般式（５）中のＲ5，Ｒ6，Ｒ7
と同じである。また、Ｒ8，Ｒ9は、 Ｒ5，Ｒ6と同じで
ある。ｎ' は、０または１〜９の範囲の整数であるが、
好ましくは０または１〜５の範囲の整数、特に好ましく
は０、１または２である。なお、一般式（６）におい
て、同一のケイ素原子に２個以上の水素原子が同時に連
結しない事が好ましい。
１０の２価の炭化水素基であり、炭素数としては、好ま
しくは２〜６の範囲であり、特に好ましくは２または３
である。Ｒａの具体例としては、例えば、−ＣＨ2ＣＨ2
−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−(ＣＨ2)ｍ−（ｍ＝４〜１
０）等のアルキレン基があげられる。一般式（６）にお
けるＲ5，Ｒ6，Ｒ7は、一般式（５）中のＲ5，Ｒ6，Ｒ7
と同じである。また、Ｒ8，Ｒ9は、 Ｒ5，Ｒ6と同じで
ある。ｎ' は、０または１〜９の範囲の整数であるが、
好ましくは０または１〜５の範囲の整数、特に好ましく
は０、１または２である。なお、一般式（６）におい
て、同一のケイ素原子に２個以上の水素原子が同時に連
結しない事が好ましい。
【００２９】上記一般式［ＲＳｉＯ3/2］n-m（Ｏ
1/2Ｈ）2+m及び一般式（２）〜（４）中のＲは１種類で
籠状シルセスキオキサン化合物の部分開裂構造体を構成
してもよいし、２種類以上の置換基で構成してもよい。
さらに、一般式［ＲＳｉＯ3/2］n-m（Ｏ1/2Ｈ）2+m及び
一般式（２）〜（４）で示される籠状シルセスキオキサ
ン部分開裂構造体のOH基の一部が、ケイ素原子数１から
１０のケイ素原子含有基、好ましくは一般式（５）のケ
イ素原子含有基によって置換された構造の籠状シルセス
キオキサン部分開裂構造体も本発明に使用する事が出来
る。すなわち、1分子中に3個のＯＨ基を有する籠状シル
セスキオキサン部分開裂構造体の場合にはそのうちの1
個又は2個が、あるいは、1分子中に2個のＯＨ基を有す
る籠状シルセスキオキサン部分開裂構造体の場合にはそ
のうちの1個が、ケイ素原子数１から１０のケイ素原子
含有基によって置換された構造であっても良い。
1/2Ｈ）2+m及び一般式（２）〜（４）中のＲは１種類で
籠状シルセスキオキサン化合物の部分開裂構造体を構成
してもよいし、２種類以上の置換基で構成してもよい。
さらに、一般式［ＲＳｉＯ3/2］n-m（Ｏ1/2Ｈ）2+m及び
一般式（２）〜（４）で示される籠状シルセスキオキサ
ン部分開裂構造体のOH基の一部が、ケイ素原子数１から
１０のケイ素原子含有基、好ましくは一般式（５）のケ
イ素原子含有基によって置換された構造の籠状シルセス
キオキサン部分開裂構造体も本発明に使用する事が出来
る。すなわち、1分子中に3個のＯＨ基を有する籠状シル
セスキオキサン部分開裂構造体の場合にはそのうちの1
個又は2個が、あるいは、1分子中に2個のＯＨ基を有す
る籠状シルセスキオキサン部分開裂構造体の場合にはそ
のうちの1個が、ケイ素原子数１から１０のケイ素原子
含有基によって置換された構造であっても良い。
【００３０】上記一般式（２）〜（４）で表されるトリ
シラノール体及びジシラノール体は、この完全縮合型の
籠状シルセスキオキサン化合物を製造する際に同時に生
成するか（例えば、ＢｒｏｗｎらのＪ．Ａｍ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．，１９６５，８７，４３１３や、Ｆｅｈｅ
ｒらのＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８９，１１
１，１７４１，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９
０，１１２，１９３０，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ
ｓ １９９１，１０，２５２６等が報告されている）、
完全縮合型の籠状シルセスキオキサン化合物からトリフ
ルオロメタンスルフォン酸やテトラエチルアンモニウム
ヒドロキサイドによって部分切断することにより合成で
きることがＦｅｈｅｒらのＣｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，
１９９８，１２７９によって報告されている。
シラノール体及びジシラノール体は、この完全縮合型の
籠状シルセスキオキサン化合物を製造する際に同時に生
成するか（例えば、ＢｒｏｗｎらのＪ．Ａｍ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．，１９６５，８７，４３１３や、Ｆｅｈｅ
ｒらのＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８９，１１
１，１７４１，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９
０，１１２，１９３０，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ
ｓ １９９１，１０，２５２６等が報告されている）、
完全縮合型の籠状シルセスキオキサン化合物からトリフ
ルオロメタンスルフォン酸やテトラエチルアンモニウム
ヒドロキサイドによって部分切断することにより合成で
きることがＦｅｈｅｒらのＣｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，
１９９８，１２７９によって報告されている。
【００３１】本発明に用いられる籠状シルセスキオキサ
ンの部分開裂構造体は単独で用いても良いし、２種類以
上の混合物として用いても良い。また、一般式（１）で
表される籠状シルセスキオキサンなど他のケイ素系化合
物との混合物として用いても良く、その場合、全ケイ素
化合物の重量に対してこれらの籠状シルセスキオキサン
部分開裂構造体のいずれかを１０重量％以上含んでいる
ことが好ましい。さらに好ましくは４０重量％以上、よ
り好ましくは８０重量％以上含んでいれば、他のケイ素
系化合物を含んだ化合物であっても、本願の目的に使用
することができる。
ンの部分開裂構造体は単独で用いても良いし、２種類以
上の混合物として用いても良い。また、一般式（１）で
表される籠状シルセスキオキサンなど他のケイ素系化合
物との混合物として用いても良く、その場合、全ケイ素
化合物の重量に対してこれらの籠状シルセスキオキサン
部分開裂構造体のいずれかを１０重量％以上含んでいる
ことが好ましい。さらに好ましくは４０重量％以上、よ
り好ましくは８０重量％以上含んでいれば、他のケイ素
系化合物を含んだ化合物であっても、本願の目的に使用
することができる。
【００３２】本発明に使用される一般式（２）から
（４）で表される籠状シルセスキオキサンの部分開裂構
造体のかわりに無定形なポリシルセスキオキサンを用い
た場合は、接着性への効果が小さい。本発明の樹脂組成
物は、上記した樹脂と、籠状シルセスキオキサンの部分
開裂構造体とを含有することを特徴とする。本発明の樹
脂組成物中の樹脂の樹脂組成物全体に対する重量割合は
９９．９〜５０重量％、好ましくは９９．９〜７０重量
％、より好ましくは９９．９〜８０重量％、さらに好ま
しくは９９．９〜９０重量％である。又、籠状シルセス
キオキサンの部分開裂構造体の樹脂組成物全体に対する
重量割合は、0.1〜50重量％であることが好ましく、よ
り好ましくは０．１重量％以上３０重量％以下の範囲、
さらに好ましくは０．１重量％以上２０重量％以下の範
囲、最も好ましくは０．１重量％以上１０重量％以下で
ある。
（４）で表される籠状シルセスキオキサンの部分開裂構
造体のかわりに無定形なポリシルセスキオキサンを用い
た場合は、接着性への効果が小さい。本発明の樹脂組成
物は、上記した樹脂と、籠状シルセスキオキサンの部分
開裂構造体とを含有することを特徴とする。本発明の樹
脂組成物中の樹脂の樹脂組成物全体に対する重量割合は
９９．９〜５０重量％、好ましくは９９．９〜７０重量
％、より好ましくは９９．９〜８０重量％、さらに好ま
しくは９９．９〜９０重量％である。又、籠状シルセス
キオキサンの部分開裂構造体の樹脂組成物全体に対する
重量割合は、0.1〜50重量％であることが好ましく、よ
り好ましくは０．１重量％以上３０重量％以下の範囲、
さらに好ましくは０．１重量％以上２０重量％以下の範
囲、最も好ましくは０．１重量％以上１０重量％以下で
ある。
【００３３】籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体
の重量割合が０．１重量％より少ない場合は接着性に対
する効果が小さく、一方、５０重量％より多い場合には
機械的強度などの物性が下がるため好ましくはない。さ
らに、本発明に用いる樹脂に、熱硬化性樹脂（ｂ）と、
熱可塑性樹脂（ａ）の混合物を用いた場合、樹脂全体の
熱硬化性樹脂の重量割合（ｂ／（ａ＋ｂ））は1〜50重
量％であり、好ましくは1〜28重量％、さらに好ましく
は5〜25重量％である。熱硬化性樹脂(b)の割合が1重量
％未満の材料は熱加工温度が高く、通常プリント配線板
の加工に用いられる熱プレス条件では樹脂の密着が不足
し、十分な接着力が発現されない。また同じ理由から熱
プレス時の相手材料が回路配線板である場合には、回路
の埋め込み性に劣り、同様の熱プレス条件では接着材料
として不適当である。一方、５０重量％を超えると相分
離が生じてしまい多層プリント配線板の製造には好まし
くない。
の重量割合が０．１重量％より少ない場合は接着性に対
する効果が小さく、一方、５０重量％より多い場合には
機械的強度などの物性が下がるため好ましくはない。さ
らに、本発明に用いる樹脂に、熱硬化性樹脂（ｂ）と、
熱可塑性樹脂（ａ）の混合物を用いた場合、樹脂全体の
熱硬化性樹脂の重量割合（ｂ／（ａ＋ｂ））は1〜50重
量％であり、好ましくは1〜28重量％、さらに好ましく
は5〜25重量％である。熱硬化性樹脂(b)の割合が1重量
％未満の材料は熱加工温度が高く、通常プリント配線板
の加工に用いられる熱プレス条件では樹脂の密着が不足
し、十分な接着力が発現されない。また同じ理由から熱
プレス時の相手材料が回路配線板である場合には、回路
の埋め込み性に劣り、同様の熱プレス条件では接着材料
として不適当である。一方、５０重量％を超えると相分
離が生じてしまい多層プリント配線板の製造には好まし
くない。
【００３４】本発明の接着性に優れた熱硬化性樹脂組成
物には適宜前記主要成分のほかに樹脂の硬化反応を促進
させる触媒として、オクチル酸亜鉛、アセチルアセトン
コバルト、アセチルアセトン銅、アセチルアセトン鉄、
ナフテン酸コバルト等の金属錯体、ノニルフェノール等
の蒸気圧の低いフェノール類、アルコール類等を単独ま
たは組み合わせて添加する事が可能である。本発明の接
着性に優れた樹脂組成物には組成物本来の特性が損なわ
れない範囲で必要に応じて種々の添加剤を配合すること
ができる。これらの添加剤としては公知の有機、無機フ
ィラー、染料、顔料、消泡剤、分散剤、難燃剤、接着助
剤等が適宜組み合わせて用いられる。
物には適宜前記主要成分のほかに樹脂の硬化反応を促進
させる触媒として、オクチル酸亜鉛、アセチルアセトン
コバルト、アセチルアセトン銅、アセチルアセトン鉄、
ナフテン酸コバルト等の金属錯体、ノニルフェノール等
の蒸気圧の低いフェノール類、アルコール類等を単独ま
たは組み合わせて添加する事が可能である。本発明の接
着性に優れた樹脂組成物には組成物本来の特性が損なわ
れない範囲で必要に応じて種々の添加剤を配合すること
ができる。これらの添加剤としては公知の有機、無機フ
ィラー、染料、顔料、消泡剤、分散剤、難燃剤、接着助
剤等が適宜組み合わせて用いられる。
【００３５】本発明の樹脂組成物は、さらに、下記式
（１）で表される接着強度比が１．１以上であることを
特徴とし、好ましくは１．３以上、より好ましくは１．
５以上、さらに好ましくは２．５以上である。 接着強度比＝ｘ／ｙ （１） （ｘは籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を含有
する樹脂組成物の接着強度、ｙは籠状シルセスキオキサ
ンの部分開裂構造体を含有しない以外は先記樹脂組成物
と同一の樹脂組成物）。
（１）で表される接着強度比が１．１以上であることを
特徴とし、好ましくは１．３以上、より好ましくは１．
５以上、さらに好ましくは２．５以上である。 接着強度比＝ｘ／ｙ （１） （ｘは籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を含有
する樹脂組成物の接着強度、ｙは籠状シルセスキオキサ
ンの部分開裂構造体を含有しない以外は先記樹脂組成物
と同一の樹脂組成物）。
【００３６】接着強度比が、１．１未満の場合は接着強
度が不十分のため、被接着物質表面の粗化工程が必要に
なりプロセスが複雑化して好ましくない。以下に、本発
明の樹脂組成物の製造方法について説明する。本発明の
樹脂組成物の製造方法は、特に規定するものではない
が、例えば、上記籠状シルセスキオキサンの部分開裂構
造体を含有する樹脂組成物を溶融混練するか、又は、溶
媒に溶解してブレンドしてもよい。溶媒を使用してブレ
ンドする方法とは具体的には樹脂と籠状シルセスキオキ
サンの部分開裂構造体の共通溶媒でブレンドすれば良
い。
度が不十分のため、被接着物質表面の粗化工程が必要に
なりプロセスが複雑化して好ましくない。以下に、本発
明の樹脂組成物の製造方法について説明する。本発明の
樹脂組成物の製造方法は、特に規定するものではない
が、例えば、上記籠状シルセスキオキサンの部分開裂構
造体を含有する樹脂組成物を溶融混練するか、又は、溶
媒に溶解してブレンドしてもよい。溶媒を使用してブレ
ンドする方法とは具体的には樹脂と籠状シルセスキオキ
サンの部分開裂構造体の共通溶媒でブレンドすれば良
い。
【００３７】本発明では、溶媒を使用してブレンドした
溶液をキャスト製膜することによって樹脂組成物のフィ
ルム状成形体を製造し、このフィルムを熱プレスを用い
て銅箔に積層することで銅箔とフィルムが強固に接着
し、組成物表面は他の金属材料等に対して接着性を示す
ようになるが、溶融混練後押し出し成形して得たフィル
ムを用いても構わない。尚、熱プレスの方法としては特
に真空プレスが好ましい。
溶液をキャスト製膜することによって樹脂組成物のフィ
ルム状成形体を製造し、このフィルムを熱プレスを用い
て銅箔に積層することで銅箔とフィルムが強固に接着
し、組成物表面は他の金属材料等に対して接着性を示す
ようになるが、溶融混練後押し出し成形して得たフィル
ムを用いても構わない。尚、熱プレスの方法としては特
に真空プレスが好ましい。
【００３８】本発明によって得られる接着性に優れた樹
脂組成物は、片面又は両面に銅箔が積層されている銅張
り板などで好適に使用する事が出来、積層型多層プリン
ト配線板の製造などに好適に用いられる。特に、パター
ンエッチング工程を経ることにより得られた、両面プリ
ント回路層が電気的に接続されている事を特徴とする両
面プリント配線板の製造に使われる。本発明に好適に使
用される共通溶媒の例としては、非プロトン性極性溶媒
であればよく、例えば、テトラヒドロフラン、ジメチル
アセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、N−メチル−２−ピロリドン、γ―ブチロラク
トン、スルホラン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
これらは単独又は２種類以上を組み合わせて使用され
る。
脂組成物は、片面又は両面に銅箔が積層されている銅張
り板などで好適に使用する事が出来、積層型多層プリン
ト配線板の製造などに好適に用いられる。特に、パター
ンエッチング工程を経ることにより得られた、両面プリ
ント回路層が電気的に接続されている事を特徴とする両
面プリント配線板の製造に使われる。本発明に好適に使
用される共通溶媒の例としては、非プロトン性極性溶媒
であればよく、例えば、テトラヒドロフラン、ジメチル
アセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、N−メチル−２−ピロリドン、γ―ブチロラク
トン、スルホラン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
これらは単独又は２種類以上を組み合わせて使用され
る。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下具体的な実施例により本発明
を示すが、本発明は以下の実施例に限られるものではな
い。本発明の接着強度比を求めるための接着強度はJISC
−６４８１にしたがって測定した９０度剥離強度であ
る。
を示すが、本発明は以下の実施例に限られるものではな
い。本発明の接着強度比を求めるための接着強度はJISC
−６４８１にしたがって測定した９０度剥離強度であ
る。
【００４０】
【実施例１】ポリスルホン樹脂[ポリ（オキシ-p-フェニ
レンスルホニル-p-フェニレンオキシ-p-フェニレンイソ
プロピリデン-p-フェニレン）（Ｕｄｅｌ Ｐ−１７０
０Ａｍｏｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ社製）]８．６ｇとシア
ネートエステル樹脂[2,2'-ジ（4-シアナトフェニル）プ
ロパン（Ｂ−３０ Ｃｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ社製）]０．
４５ｇ、籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体Ｃｙ
ｃｌｏｈｅｘｙｌＴｒｉＳｉｌａｎｏｌ−ＰＯＳＳ[一
般式（２）において、Ｒがシクロヘキシル基であるも
の。]１ｇ、をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４０ｇ中
２５℃で攪拌溶解し、固形分濃度２０ｗｔ％の溶液を調
製した。
レンスルホニル-p-フェニレンオキシ-p-フェニレンイソ
プロピリデン-p-フェニレン）（Ｕｄｅｌ Ｐ−１７０
０Ａｍｏｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ社製）]８．６ｇとシア
ネートエステル樹脂[2,2'-ジ（4-シアナトフェニル）プ
ロパン（Ｂ−３０ Ｃｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ社製）]０．
４５ｇ、籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体Ｃｙ
ｃｌｏｈｅｘｙｌＴｒｉＳｉｌａｎｏｌ−ＰＯＳＳ[一
般式（２）において、Ｒがシクロヘキシル基であるも
の。]１ｇ、をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４０ｇ中
２５℃で攪拌溶解し、固形分濃度２０ｗｔ％の溶液を調
製した。
【００４１】この溶液をマイクログラビアコーター（Ｃ
ＡＤ２８０ 康井精機社製）を用い、シリコーン処理済
みのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
（厚み５０μｍ）上に２ｍ／ｍｉｎで塗布し、１００℃
で乾燥し厚み１５μｍのシート状接着材料を得た。この
シート状絶縁接着材料とガラスエポキシ基板上に電解銅
箔（ＧＴＳ 厚み：１２ｕｍ 古河サーキットフォイル
社製）を貼った片面銅張り板と積層し、真空プレス機
（ＳＦＶ−１０ 神藤金属工業所）を用い２３０℃、圧
力：１００ｋＰａの条件で１時間真空プレスし、積層版
を得た。電解銅箔光沢面に対する９０度剥離強度をＪＩ
ＳＣ−６４８１にしたがって測定した。銅箔光沢面に対
する９０度剥離強度は平均１８Ｎ／ｃｍであり、接着強
度比は１．８であった。
ＡＤ２８０ 康井精機社製）を用い、シリコーン処理済
みのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
（厚み５０μｍ）上に２ｍ／ｍｉｎで塗布し、１００℃
で乾燥し厚み１５μｍのシート状接着材料を得た。この
シート状絶縁接着材料とガラスエポキシ基板上に電解銅
箔（ＧＴＳ 厚み：１２ｕｍ 古河サーキットフォイル
社製）を貼った片面銅張り板と積層し、真空プレス機
（ＳＦＶ−１０ 神藤金属工業所）を用い２３０℃、圧
力：１００ｋＰａの条件で１時間真空プレスし、積層版
を得た。電解銅箔光沢面に対する９０度剥離強度をＪＩ
ＳＣ−６４８１にしたがって測定した。銅箔光沢面に対
する９０度剥離強度は平均１８Ｎ／ｃｍであり、接着強
度比は１．８であった。
【００４２】
【実施例２】ポリスルホン樹脂[ポリ（オキシ-p-フェニ
レンスルホニル-p-フェニレンオキシ-p-フェニレンイソ
プロピリデン-p-フェニレン）（Ｕｄｅｌ Ｐ−１７０
０Ａｍｏｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ社製）]４．５ｇとシア
ネートエステル樹脂[2,2'-ジ（4-シアナトフェニル）プ
ロパン（Ｂ−３０ Ｃｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ社製）]０．
２４ｇ、籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体ｉｓ
ｏＢｕｔｙｌＴｒｉＳｉｌａｎｏｌ−ＰＯＳＳ[一般式
（２）において、Ｒがイソブチル基であるもの。]０．
２５ｇ、をＴＨＦ２０ｇ中２５℃で攪拌溶解し、固形分
濃度２０ｗｔ％の溶液を調製した。
レンスルホニル-p-フェニレンオキシ-p-フェニレンイソ
プロピリデン-p-フェニレン）（Ｕｄｅｌ Ｐ−１７０
０Ａｍｏｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ社製）]４．５ｇとシア
ネートエステル樹脂[2,2'-ジ（4-シアナトフェニル）プ
ロパン（Ｂ−３０ Ｃｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ社製）]０．
２４ｇ、籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体ｉｓ
ｏＢｕｔｙｌＴｒｉＳｉｌａｎｏｌ−ＰＯＳＳ[一般式
（２）において、Ｒがイソブチル基であるもの。]０．
２５ｇ、をＴＨＦ２０ｇ中２５℃で攪拌溶解し、固形分
濃度２０ｗｔ％の溶液を調製した。
【００４３】この溶液をマイクログラビアコーター（Ｃ
ＡＤ２８０ 康井精機社製）を用い、シリコーン処理済
みのＰＥＴフィルム（厚み５０μｍ）上に２ｍ／ｍｉｎ
で塗布し、１００℃で乾燥し厚み１５μｍのシート状接
着材料を得た。このシート状絶縁接着材料とガラスエポ
キシ基板上に電解銅箔（ＧＴＳ 厚み：１２ｕｍ 古河
サーキットフォイル社製）を貼った片面銅張り板と積層
し、真空プレス機（ＳＦＶ−１０ 神藤金属工業所）を
用い２３０℃、圧力：１００ｋＰａの条件で１時間真空
プレスし、積層版を得た。電解銅箔光沢面に対する９０
度剥離強度をＪＩＳＣ−６４８１にしたがって測定し
た。銅箔光沢面に対する９０度剥離強度は平均２４Ｎ／
ｃｍであり、接着強度比は２．４であった。
ＡＤ２８０ 康井精機社製）を用い、シリコーン処理済
みのＰＥＴフィルム（厚み５０μｍ）上に２ｍ／ｍｉｎ
で塗布し、１００℃で乾燥し厚み１５μｍのシート状接
着材料を得た。このシート状絶縁接着材料とガラスエポ
キシ基板上に電解銅箔（ＧＴＳ 厚み：１２ｕｍ 古河
サーキットフォイル社製）を貼った片面銅張り板と積層
し、真空プレス機（ＳＦＶ−１０ 神藤金属工業所）を
用い２３０℃、圧力：１００ｋＰａの条件で１時間真空
プレスし、積層版を得た。電解銅箔光沢面に対する９０
度剥離強度をＪＩＳＣ−６４８１にしたがって測定し
た。銅箔光沢面に対する９０度剥離強度は平均２４Ｎ／
ｃｍであり、接着強度比は２．４であった。
【００４４】
【比較例１】実施例１と同様にして、籠状シルセスキオ
キサンの部分開裂構造体を添加せずに熱硬化性樹脂混合
物の成形品を得て、その剥離強度の評価を行ったところ
平均１０Ｎ／ｃｍであった。
キサンの部分開裂構造体を添加せずに熱硬化性樹脂混合
物の成形品を得て、その剥離強度の評価を行ったところ
平均１０Ｎ／ｃｍであった。
【００４５】
【発明の効果】本願発明の樹脂組成物は、銅、アルミニ
ウムのような各種の金属材料や各種のセラミックス材料
との接着性向上せしめる。該樹脂組成物を用いる事によ
り、平滑な金属面であっても、高い接着強度を示すの
で、低コストで信頼性の高い多層プリント配線板を製造
する事が可能になった。即ち、本発明の樹脂組成物は金
属箔表面の粗化処理を不要にせしめ、薄い銅箔の使用を
可能にせしめることで多層プリント配線板の軽量化と薄
型化を可能にしたものである。さらに金属箔表面の粗化
が不要であると、電子回路を製造するパターンエッチン
グ工程において凹凸が残る事（足のこり現象）が無く、
高精細な回路を容易に製造することも可能となる。
ウムのような各種の金属材料や各種のセラミックス材料
との接着性向上せしめる。該樹脂組成物を用いる事によ
り、平滑な金属面であっても、高い接着強度を示すの
で、低コストで信頼性の高い多層プリント配線板を製造
する事が可能になった。即ち、本発明の樹脂組成物は金
属箔表面の粗化処理を不要にせしめ、薄い銅箔の使用を
可能にせしめることで多層プリント配線板の軽量化と薄
型化を可能にしたものである。さらに金属箔表面の粗化
が不要であると、電子回路を製造するパターンエッチン
グ工程において凹凸が残る事（足のこり現象）が無く、
高精細な回路を容易に製造することも可能となる。
Claims (7)
- 【請求項１】 樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開
裂構造体を含有することを特徴とする樹脂組成物。 - 【請求項２】 樹脂と籠状シルセスキオキサンの部分開
裂構造体を含有し、かつ、下記式（１）で表される接着
強度比が１．１以上であることを特徴とする樹脂組成
物。 接着強度比＝ｘ／ｙ （１） （ｘは籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を含有
する樹脂組成物の接着強度、ｙは籠状シルセスキオキサ
ンの部分開裂構造体を含有しない以外は先記樹脂組成物
と同一の樹脂組成物） - 【請求項３】 請求項１または２に記載の樹脂が、熱硬
化性樹脂及び／または熱可塑性樹脂である事を特徴とす
る請求項１または２に記載の樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項３に記載の熱硬化性樹脂が、シア
ネートエステル樹脂である事を特徴とする請求項３に記
載の樹脂組成物。 - 【請求項５】 請求項３に記載の熱可塑性樹脂がポリス
ルホン樹脂であることを特徴とする請求項３または４に
記載の樹脂組成物。 - 【請求項６】 該熱可塑性樹脂（ａ）と、該熱硬化性樹
脂（ｂ）と、該籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造
体（ｃ）とが、樹脂全体に対する熱硬化性樹脂の重量割
合（ｂ／（ａ＋ｂ））が1〜50重量％であり、樹脂組成
物全体に対する籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造
体の重量割合（ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ））が0.1〜50重量％
であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載
の樹脂組成物。 - 【請求項７】 該籠状シルセスキオキサンの部分開裂構
造体が一般式（ＲＳｉＯ3/2）n−m（Ｏ1/2Ｈ）2+m（Rは
水素原子、炭素数１から２０のアルキル基、アルケニル
基、アラアルキル基、アリール基及びケイ素原子数１か
ら１０のケイ素原子含有基のいずれか一種を表し、複数
のRは同じでも異なっても良く、ｎは６から１４の整数
であり、ｍは０又は１である。なお、当該構造分子のOH
基の一部が、ケイ素原子数１から１０のケイ素原子含有
基によって置換された構造でも良い。）で表されるケイ
素化合物である事を特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載の樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001126435A JP2002322370A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | シルセスキオキサン含有樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001126435A JP2002322370A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | シルセスキオキサン含有樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002322370A true JP2002322370A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18975478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001126435A Withdrawn JP2002322370A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | シルセスキオキサン含有樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002322370A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008538718A (ja) * | 2005-04-22 | 2008-11-06 | ハイブリッド・プラスティックス・インコーポレイテッド | ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンを含むバイオミメチック材料 |
| JP2009510216A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-12 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 金属基材からの高温用フィルムおよび／またはデバイスの剥離方法 |
| JP2009520081A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-21 | ハイブリッド・プラスティックス・インコーポレイテッド | 分散助剤及び摩擦低減剤としてのｐｏｓｓナノ構造化学物質 |
| JP2010024400A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | ゴム組成物 |
-
2001
- 2001-04-24 JP JP2001126435A patent/JP2002322370A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008538718A (ja) * | 2005-04-22 | 2008-11-06 | ハイブリッド・プラスティックス・インコーポレイテッド | ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンを含むバイオミメチック材料 |
| JP2009510216A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-03-12 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 金属基材からの高温用フィルムおよび／またはデバイスの剥離方法 |
| JP2009520081A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-21 | ハイブリッド・プラスティックス・インコーポレイテッド | 分散助剤及び摩擦低減剤としてのｐｏｓｓナノ構造化学物質 |
| JP2010024400A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | ゴム組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080701 |