JP2003007138A - 多層配線板用層間絶縁ワニスとそれを用いた層間絶縁材料と多層配線板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半田耐熱性や表面平滑性が高く、基板の薄型
化、高密度化が可能な多層配線用層間絶縁ワニス、絶縁
材料、これを用いた多層配線板とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 シリコーン重合体と充填材と溶剤を主成
分とする多層配線板用層間絶縁ワニス、この多層配線板
用層間絶縁ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重ね、
加熱・加圧して、金属箔と内層回路板を貫通する孔をあ
け、孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチン
グ除去する多層配線板の製造方法、この方法によって製
造された多層配線板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なシリコーン
重合体の製造法、その方法により製造されたシリコーン
重合体、熱硬化性樹脂組成物、樹脂フィルム、絶縁材料
付金属箔及び金属張積層板に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型・高機能化に伴い、プリ
ント配線板では薄型・軽量でかつ高密度配線が可能な基
板材料が求められられるようになった。近年、小径でか
つ必要な層間のみを非貫通穴で接続するＩＶＨ構造のビ
ルドアップ積層方式プリント配線板が開発され、急速に
普及が進んでいる。ビルドアップ積層方式プリント配線
板の絶縁層にはガラス布等の基材を含まない耐熱性樹脂
が用いられており、ＩＶＨ用の穴は、感光性樹脂を利用
したフォトリソグラフィあるいは熱硬化性樹脂をレーザ
ー加工機によって熱分解する等の方法で形成されてい
る。

【０００３】また、高密度配線のための配線の微細化が
求められており、これに伴って、プリント配線板や金属
張積層板にはこれまで以上の優れた信頼性が要求されて
いる。特に、耐リフロー性に直接影響する耐熱性、低吸
湿性及び低応力性、層間や実装時の接続信頼性に直接影
響する低熱膨張性などの向上が求められている。このよ
うな状況のなか、半導体搭載用基板などの配線の高密度
化要求に対応し、基材によらずに樹脂自体で優れた低応
力性と低熱膨張率を兼ね備えた新規材料が待望されてい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】多層配線板は、通常、
内層回路を形成した内層回路板の上に絶縁層を形成し、
その上に金属層を形成して、配線板全体を貫通する孔を
あけたり、内層回路に達するバイアホールを形成して内
層回路と金属箔とを電気的に接続し、金属箔の不要な箇
所をエッチング除去して製造しているが、通常の絶縁材
では、樹脂の使用量が少ないと内層回路の凹凸に追従で
きず、半田耐熱性などに影響が出る。内層回路の凹凸に
追従させるためには樹脂の使用量を増加させなければな
らず、薄型化が難しく、また、経済的でないという課題
があった。また、通常の絶縁材を用いた場合には、内層
回路板上に形成した絶縁層表面の内層回路に由来する凹
凸の影響が、配線を微細化する上での隘路となってい
る。本発明は、半田耐熱性や表面平滑性が高く、基板の
薄型化、高密度化が可能な多層配線用層間絶縁ワニス、
絶縁材料、これを用いた多層配線板とその製造方法を提
供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下の特徴を
有する。 （１） シリコーン重合体と充填材と溶剤を主成分とす
る多層配線板用層間絶縁ワニス。

【０００６】（２） シリコーン重合体が、一般式
（Ｉ）

【化３】Ｒ′_m（Ｈ）_kＳｉＸ_4-(m+k) （Ｉ） （式中Ｘは、加水分解、重縮合可能な基であり、例え
ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
のアリール基を示す。ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ
＋ｋは１又は２を意味する。）で表されるシラン化合物
３５〜１００モル％及び一般式（ＩＩ）

【０００７】

【化４】Ｒ′_nＳｉＸ_4-n （ＩＩ） （式中Ｘは、加水分解、重縮合可能な基であり、例え
ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
のアリール基を示す。ｎは０〜２の整数を意味する。）
で表されるシラン化合物６５〜０モル％を加水分解・重
縮合反応をさせ、次いでヒドロシリル化反応剤とのヒド
ロシリル化反応をさせることによって製造されるシリコ
ーン重合体であることを特徴とする（１）に記載の多層
配線板用層間絶縁ワニス。 （３） ヒドロシリル化反応剤が、ヒドロシリル化反応
のための二重結合及びこれ以外の官能基を有する化合物
である（２）に記載の多層配線板用層間絶縁ワニス。 （４） ヒドロシリル化反応剤の二重結合以外の官能基
が、エポキシ基又はアミノ基である（３）に記載の多層
配線板用層間絶縁ワニス。 （５） シリコーン重合体１００重量部に対する無機充
填剤の配合量が、１００重量部以上である（１）〜
（４）のうちいずれかに記載の多層配線板用層間絶縁ワ
ニス。 （６） シリコーン重合体１００重量部に対して、硬化
剤０．８〜１当量及び無機充填剤１００〜２０００重量
部を含有してなる（１）〜（５）のうちいずれかに記載
の多層配線板用層間絶縁ワニス。 （７） 硬化後の熱膨張係数が５０×１０^−６／℃以下
である（１）〜（６）のいずれかに記載の多層配線板用
層間絶縁ワニス。

【０００８】（８） 内層回路を形成した内層回路板の
上に、（１）〜（７）のうちいずれかに記載の多層配線
板用層間絶縁ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重
ね、加熱・加圧して、金属箔と内層回路板を貫通する孔
をあけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッ
チング除去する多層配線板の製造方法。 （９） 内層回路を形成した内層回路板の上に、（１）
〜（７）のうちいずれかに記載の多層配線板用層間絶縁
ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重ね、加熱・加圧
して、金属箔の上から内層回路に達する孔をあけ、孔内
壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除去す
る多層配線板の製造方法。 （１０） 内層回路を形成した内層回路板の上に、
（１）〜（７）のうちいずれかに記載の多層配線板用層
間絶縁ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重ね、加熱
・加圧して、金属箔と内層回路板を貫通する孔をあけ、
孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除
去したものを内層回路板とする（８）又は（９）のいず
れかに記載の多層配線板の製造方法。 （１１） 内層回路を形成した内層回路板の上に、
（１）〜（７）のうちいずれかに記載の多層配線板用層
間絶縁ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重ね、加熱
・加圧して、金属箔の上から内層回路に達する孔をあ
け、孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチン
グ除去したものを内層回路板とする（８）又は（９）の
いずれかに記載の多層配線板の製造方法。

【０００９】（１２） 支持フィルムの上に、（１）〜
（７）のうちいずれかに記載の多層配線板用絶縁ワニス
を塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、内層回路を形成
した内層回路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さ
らに金属箔を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔と
内層回路板を貫通する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金
属箔の不要な箇所をエッチング除去する多層配線板の製
造方法。 （１３） 支持フィルムの上に、（１）〜（７）のうち
いずれかに記載の多層配線板用絶縁ワニスを塗布し、乾
燥させた層間絶縁材料を、内層回路を形成した内層回路
板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さらに金属箔を
重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔の上から内層回
路に達する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不要
な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造方法。 （１４） （８）〜（１３）で作成した多層配線板を内
層回路板とし、支持フィルムの上に多層配線板用絶縁ワ
ニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、その内層回
路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さらに金属箔
を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔と内層回路板
を貫通する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不要
な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造方法。 （１５） （８）〜（１４）で作成した多層配線板を内
層回路板とし、支持フィルムの上に多層配線板用絶縁ワ
ニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、その内層回
路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さらに金属箔
を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔の上から内層
回路に達する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不
要な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造方法。 （１６） （８）〜（１５）に記載した方法によって製
造された多層配線板。

【００１０】（１７） 内層回路を形成した内層回路板
の上に、金属箔の上に、（１）〜（７）のうちいずれか
に記載の多層配線板用絶縁ワニスを塗布し、乾燥させた
層間絶縁材料を金属箔が外側になるように重ね、加熱・
加圧して一体化し、金属箔と内層回路板を貫通する孔を
あけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチ
ング除去する多層配線板の製造方法。 （１８） 内層回路を形成した内層回路板の上に、金属
箔の上に、（１）〜（７）のうちいずれかに記載の多層
配線板用絶縁ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料
を金属箔が外側になるように重ね、加熱・加圧して一体
化し、金属箔の上から内層回路に達する孔をあけ、孔内
壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除去す
る多層配線板の製造方法。

【００１１】（１９） （１７）または（１８）で作成
した多層配線板を内層回路板とし、支持フィルムの上に
多層配線板用絶縁ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁
材料を、その内層回路板の上に重ね、支持フィルムを除
去し、さらに金属箔を重ね、加熱・加圧して一体化し、
金属箔と内層回路板を貫通する孔をあけ、孔内壁を金属
化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除去する多層配
線板の製造方法。 （２０） （１７）または（１８）で作成した多層配線
板を内層回路板とし、支持フィルムの上に多層配線板用
絶縁ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、その
内層回路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さらに
金属箔を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔の上か
ら内層回路に達する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属
箔の不要な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造
方法。 （２１） （１７）または（１８）で作成した多層配線
板を内層回路板とし、金属箔の上に多層配線板用絶縁ワ
ニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、金属箔が外
側となるようにその内層回路板の上に重ね、加熱・加圧
して一体化し、金属箔と内層回路板を貫通する孔をあ
け、孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチン
グ除去する多層配線板の製造方法。 （２２） （１７）または（１８）で作成した多層配線
板を内層回路板とし、金属箔の上に多層配線板用絶縁ワ
ニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、金属箔が外
側となるようにその内層回路板の上に重ね、加熱・加圧
して一体化し、金属箔の上から内層回路に達する孔をあ
け、孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチン
グ除去する多層配線板の製造方法。 （２３） （１７）〜（２２）に記載した方法によって
製造された多層配線板。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明における絶縁ワニスには、
多層配線用層間絶縁層を形成する際に、内層回路の凹凸
に追従でき、表面平滑性に優れ、かつ接続信頼性を高め
るために低応力性と低熱膨張性を兼ね備えた樹脂組成物
を用いることが必要とされる。接続信頼性を高めるため
には硬化物の熱膨張係数小さい樹脂組成物を用いること
が好ましく、樹脂硬化物の熱膨張係数が５０×１０^−６
／℃以下となる樹脂組成物を用いて作製することが好ま
しい。同様に、接続信頼性の観点から、熱膨張係数は３
０×１０^−６／℃以下であることがさらに好ましく、１
５×１０^−６／℃以下であることが特に好ましい。この
ような樹脂組成物の例としては、熱硬化性シリコーン重
合体とその硬化剤及び無機充填剤を含有してなる樹脂組
成物が挙げられる。

【００１３】ここで、シリコーン重合体は、一般式
（Ｉ）

【化５】Ｒ′_m（Ｈ）_kＳｉＸ_4-(m+k) （Ｉ） （式中Ｘは、加水分解してＯＨ基を生成する基であり、
例えば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、こ
こで、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
アルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基で
あり、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基
等のアリール基、ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ＋ｋ
は１又は２を意味する。）で表されるシラン化合物とヒ
ドロシリル化反応剤とを反応させて得ることができる。
一般式（Ｉ）のシラン化合物は加水分解、重縮合によっ
てＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合体とされ、ヒドロシリ
ル化反応剤をＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合体のＳｉ−
Ｈ基との間でヒドロシリル化反応させて、熱硬化性官能
基が導入されたシリコーン重合体が得られる。

【００１４】一般式（Ｉ）のＳｉ−Ｈ基含有シラン化合
物に一般式（ＩＩ）

【化６】Ｒ′_nＳｉＸ_4-n （ＩＩ） （式中Ｒ′及びＸは一般式（Ｉ）に同じであり、ｎは０
〜２の整数を意味する。）で表されるアルコキシシラン
化合物を併用することができる。

【００１５】前記一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含
有シラン化合物は、具体的には

【化７】 ＨＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、ＨＣ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、 Ｈ₃ＣＨ₇Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、ＨＣ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、 ＨＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、ＨＣ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、 ＨＣ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、ＨＣ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、 ＨＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、ＨＣ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、 ＨＣ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、ＨＣ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、 ＨＣＨ₃Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、ＨＣ₂Ｈ₅Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、 ＨＣ₃Ｈ₇Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、ＨＣ₄Ｈ₉Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、 等のアルキルジアルコキシシラン

【００１６】

【化８】 Ｈ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、Ｈ₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、 Ｈ₂Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、Ｈ₂Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、 等のジアルコキシシラン

【００１７】

【化９】ＨＰｈＳｉ（ＯＣＨ₃）₂、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ₂
Ｈ₅）₂、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、 ＨＰｈＳｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、 （ただし、Ｐｈはフェニル基を示す。以下同様）等のフ
ェニルジアルコキシシラン

【００１８】

【化１０】Ｈ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、Ｈ₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）
₂、Ｈ₂Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、Ｈ₂Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、 等のジアルコキシシランなどの２官能性シラン化合物
（以下、シラン化合物における官能性とは、縮合反応性
の官能基を有することを意味する。）

【００１９】

【化１１】ＨＳｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＨＳｉ（ＯＣ
₂Ｈ₅）₃、ＨＳｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₃、ＨＳｉ（ＯＣ
₄Ｈ₉）₃、 等のトリアルコキシシランなどの３官能性シラン化合物
などがある。

【００２０】一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物
は、具体的には、

【化１２】Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₄、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄、 Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄、Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₄ 等のテトラアルコキシシランなどの４官能性シラン化合
物、

【００２１】

【化１３】 Ｈ₃ＣＳｉ（ＯＣＨ₃）₃、Ｈ₅Ｃ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、 Ｈ₇Ｃ₃Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、Ｈ₉Ｃ₄Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃、 Ｈ₃ＣＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、Ｈ₅Ｃ₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、 Ｈ₇Ｃ₃Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、Ｈ₉Ｃ₄Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、 Ｈ₃ＣＳｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₃、Ｈ₅Ｃ₂Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₃、 Ｈ₇Ｃ₃Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₃、Ｈ₉Ｃ₄Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₃、 Ｈ₃ＣＳｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₃、Ｈ₅Ｃ₂Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₃、 Ｈ₇Ｃ₃Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₃、Ｈ₉Ｃ₄Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₃、 等のモノアルキルトリアルコキシシラン、

【００２２】

【化１４】 ＰｈＳｉ（ＯＣＨ₃）₃、ＰｈＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、 ＰｈＳｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₃、ＰｈＳｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₃ （ただし、Ｐｈはフェニル基を示す。以下同様）等のフ
ェニルトリアルコキシシラン、

【００２３】

【化１５】 （Ｈ₃ＣＣＯＯ）₃ＳｉＣＨ₃、（Ｈ₃ＣＣＯＯ）₃ＳｉＣ₂Ｈ₅、 （Ｈ₃ＣＣＯＯ）₃ＳｉＣ₃Ｈ₇、（Ｈ₃ＣＣＯＯ）₃ＳｉＣ₄Ｈ₉ 等のモノアルキルトリアシルオキシシラン

【００２４】

【化１６】Ｃｌ₃ＳｉＣＨ₃、Ｃｌ₃ＳｉＣ₂Ｈ₅、 Ｃｌ₃ＳｉＣ₃Ｈ₇、Ｃｌ₃ＳｉＣ₄Ｈ₉ Ｂｒ₃ＳｉＣＨ₃、Ｂｒ₃ＳｉＣ₂Ｈ₅、 Ｂｒ₃ＳｉＣ₃Ｈ₇、Ｂｒ₃ＳｉＣ₄Ｈ₉ 等のモノアルキルトリハロゲノシランなどの３官能性シ
ラン化合物、

【００２５】

【化１７】 （Ｈ₃Ｃ）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、（Ｈ₅Ｃ₂）₂Ｓｉ（ＯＣＨ３）₂、 （Ｈ₇Ｃ₃）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、（Ｈ₉Ｃ₄）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、 （Ｈ_３Ｃ）₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、（Ｈ₅Ｃ₂）₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、 （Ｈ₇Ｃ₃）₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、（Ｈ₉Ｃ₄）₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂、 （Ｈ₃Ｃ）₂Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、（Ｈ₅Ｃ₂）₂Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、 （Ｈ₇Ｃ₃）₂Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、（Ｈ₉Ｃ₄）₂Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₂、 （Ｈ₃Ｃ）₂Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、（Ｈ₅Ｃ₂）₂Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、 （Ｈ₇Ｃ₃）₂Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂、（Ｈ₉Ｃ₄）₂Ｓｉ（ＯＣ₄Ｈ₉）₂ 等のジアルキルジアルコキシシラン、

【００２６】

【化１８】 Ｐｈ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂、Ｐｈ₂Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂ 等のジフェニルジアルコキシシラン、

【００２７】

【化１９】 （Ｈ₃ＣＣＯＯ）₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂、（Ｈ₃ＣＣＯＯ）₂Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₂、 （Ｈ₃ＣＣＯＯ）₂Ｓｉ（Ｃ₃Ｈ₇）₂、（Ｈ₃ＣＣＯＯ）₂Ｓｉ（Ｃ₄Ｈ₉）₂ 等のジアルキルジアシルオキシシラン、

【００２８】

【化２０】 Ｃｌ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂、Ｃｌ₂Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₂、 Ｃｌ₂Ｓｉ（Ｃ₃Ｈ₇）₃、Ｃｌ₂Ｓｉ（Ｃ₄Ｈ₉）₂、 Ｂｒ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂、Ｂｒ₂Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₂、 Ｂｒ₂Ｓｉ（Ｃ₃Ｈ₇）₂、Ｂｒ₂Ｓｉ（Ｃ₄Ｈ₉）₂ 等のアルキルジハロゲノシランなどの２官能性シラン化
合物がある。

【００２９】シリコーン重合体を製造する際には、前記
一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物は
必須成分として使用される。また、前記一般式（Ｉ）で
表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式（ＩＩ）
で表されるシラン化合物のうち、３官能性シラン化合物
又は４官能性アルコキシシラン化合物が必須成分として
用いられ、一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物のう
ち、２官能性アルコキシシラン化合物は任意成分とされ
る。特に、４官能性シラン化合物としてはテトラアルコ
キシシランが好ましく、３官能性シラン化合物としては
モノアルキルトリアルコキシシラン又はトリアルコキシ
シランが好ましく、２官能性シラン化合物としてはジア
ルキルジアルコキシシラン又はアルキルジアルコキシシ
ランが好ましい。

【００３０】シリコーン重合体の製造方法はシラン化合
物の総量に対して、Ｓｉ−Ｈ基含有アルコキシシラン化
合物３５モル％以上配合するものであり、シラン化合物
の総量に対して、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含
有アルコキシシラン化合物３５〜１００モル％（より好
ましくは３５〜８５モル％）及び一般式（ＩＩ）で表さ
れるアルコキシシラン化合物０〜６５モル％（１５〜６
５モル％）の割合で使用されることが好ましい。

【００３１】前記シリコーン重合体は三次元架橋してお
り、一般式（ＩＩ）で表されるアルコキシシラン化合物
のうち１５〜１００モル％が４官能性シラン化合物又は
３官能性シラン化合物であることが好ましく、２０〜１
００モル％が４官能性シラン化合物又は３官能性シラン
化合物であることがより好ましい。すなわち、一般式
（ＩＩ）で表されるアルコキシシラン化合物のうち２官
能性シラン化合物は、０〜８５モル％であることが好ま
しく、より好ましくは０〜８０モル％の割合で使用され
る。

【００３２】特に好ましくは、一般式（ＩＩ）で表され
るアルコキシシラン化合物のうち４官能性シラン化合物
が１５〜１００モル％、より好ましくは２０〜１００モ
ル％、３官能性シラン化合物が０〜８５モル％、より好
ましくは０〜８０モル％及び２官能性シラン化合物が０
〜８５モル％、より好ましくは０〜８０モル％の割合で
使用される。２官能性シラン化合物が８５モル％を越え
ると、シリコーン重合体の鎖が長くなり、メチル基等の
疎水性基の配向等により無機材料表面に横向きとなる可
能性が高く、リジットな層を形成しやすいため、低応力
化が難しくなる。

【００３３】前記シリコーン重合体は、前記した一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式
（ＩＩ）で表されるシラン化合物を加水分解・重縮合さ
せ、さらにヒドロシリル化反応して製造されるが、この
とき、加水分解・重縮合触媒としては、塩酸、硫酸、リ
ン酸、硝酸、フッ酸等の無機酸、シュウ酸、マレイン
酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸を使用することが好ま
しく、アンモニア、トリメチルアンモニウムなどの塩基
性触媒を用いることもできる。これら加水分解・重縮合
触媒は、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン
化合物と一般式（ＩＩ）で表されるシラン化合物の量に
応じて適当量用いられるが、好適には一般式（Ｉ）で表
されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式（ＩＩ）で
表されるシラン化合物１モルに対し０．００１〜１０モ
ルの範囲で用いられる。ヒドロシリル化触媒としては、
白金、パラジウム、ロジウム系の遷移金属化合物を用い
ることができ、特に塩化白金酸等の白金化合物を使用す
ることが好ましく、過酸化亜鉛、過酸化カルシウム、過
酸化水素、過酸化ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、過酸化ストロ
ンチウム、過酸化ナトリウム、過酸化鉛、過酸化バリウ
ム等の過酸化物、また、３級アミン、ホスフィンを用い
ることもできる。これらヒドロシリル化触媒は、一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有アルコキシシラン化合
物のＳｉ−Ｈ基１モルに対し、好ましくは０．００００
００１〜０．０００１モルの範囲で用いられる。

【００３４】ヒドロシリル化反応剤は、ビニル基等のヒ
ドロシリル化反応のための二重結合と、エポキシ基やア
ミノ基等の有機化合物と反応（硬化）する際に作用する
官能基とを有しているものである。ここで、反応（硬
化）する際に作用する官能基とは、硬化剤又は架橋剤と
反応する反応性有機基、自硬化反応する反応性有機基、
無機充填剤の分散性、耐熱性向上のための有機基、水酸
基と反応する基等である。（本発明において、これら官
能基を、熱硬化性官能基と記載する。）具体例として
は、エポキシ基を有するヒドロシリル化反応剤としてア
リルグリシジルエーテル等を用いることができ、また、
アミノ基を有するヒドロシリル化反応剤としてアリルア
ミン、塩酸アリルアミン、アミノエチルアクリレート等
のアミノアルキルアクリレート、アミノエチルメタクリ
レート等のアミノアルキルメタクリレートなどを用いる
ことができる。これらヒドロシリル化反応剤は、一般式
（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有アルコキシシラン化合
物１モルに対し、０.１〜２モルの範囲とすることが好
ましく、特に０．２〜１．５モルが好ましい。

【００３５】また、上記の加水分解・重縮合、ヒドロシ
リル化反応は、メタノール、エタノールなどのアルコー
ル系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテルなど
のエーテル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドなどのアミド系溶剤、トルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素系溶剤、酢酸エチルなどの
エステル系溶剤、ブチロニトリルなどのニトリル系溶剤
等の溶剤中で行うことが好ましい。これら溶剤は単独で
用いてもよく、数種類を併用した混合溶剤を用いること
もできる。また、この反応に際して、水が存在させられ
る。水の量も適宜決められるが、多すぎる場合には塗布
液の保存安定性が低下するなどの問題があるので、水の
量は、前記シラン化合物の総量１モルに対して０〜５モ
ルの範囲とすることが好ましく、特に、０．５〜４モル
が特に好ましい。

【００３６】シリコーン重合体の製造は、上記の条件、
配合を調整してゲル化しないように行われる。シリコー
ン重合体は、上記の反応溶媒と同じ溶媒に溶解して使用
することが作業性の点で好ましい。このためには、上記
の反応生成溶液をそのまま使用してもよく、反応生成溶
液からシリコーン重合体を分離し、改めて上記溶媒に溶
解してもよい。

【００３７】前記シリコーン重合体は、完全硬化又はゲ
ル化していないが、３次元架橋しているものであり、本
発明おけるシリコーン重合体の３次元架橋は、例えば、
反応溶媒に溶解する程度に制御される。このために、シ
リコーン重合体の製造、保管及び使用に際し、温度は、
常温以上２００℃以下であることが好ましく、１５０℃
以下であることがより好ましい。

【００３８】前記シリコーン重合体は、Ｓｉ−Ｈ基含有
シリコーン重合体を中間生成物として作成することがで
きる。このＳｉ−Ｈ基含有シリコーン重合体のＳｉ−Ｈ
基はＳｉ−Ｈ基含有２官能性シロキサン単位（ＨＲ′Ｓ
ｉＯ_2/2）又は（Ｈ₂ＳｉＯ_{2/ 2}）（式中、Ｒ′は前記の
通りであり、シリコーン重合体中のＲ′基は互いに同一
であってもよいし、異なってもよい。以下同様）又はＳ
ｉ−Ｈ基含有３官能性シロキサン単位（ＨＳｉＯ_3/2）
によって導入されている。また、Ｓｉ−Ｈ基含有シリコ
ーン重合体は、Ｓｉ−Ｈ基含有３官能性シロキサン単位
（ＨＳｉＯ_3/2）、３官能性シロキサン単位（Ｒ′Ｓｉ
Ｏ_3/2）又は４官能性シロキサン単位（ＳｉＯ_4/2）（式
中、Ｒ′は有機基であり、シリコーン重合体中のＲ基は
互いに同一であってもよいし、異なってもよい）を含有
し、Ｓｉ−Ｈ基含有２官能性シロキサン単位（ＨＲ′Ｓ
ｉＯ_2/2）又は（Ｈ₂ＳｉＯ_2/2）及び２官能性シロキサ
ン単位（Ｒ′₂ＳｉＯ_2/2）を任意成分とするものであ
る。

【００３９】シリコーン重合体は、重合度が７０００以
下で三次元架橋しているものであることが好ましい。さ
らに好ましい重合度は４０００以下であり、特に好まし
い重合度は２０００以下である。このシリコーン重合体
の側鎖及び末端には、Ｓｉ−Ｈ基に対するヒドロシリル
化反応によって導入された熱硬化性官能基が存在する。
ここで、シリコーン重合体の重合度は、その重合体の分
子量（低重合度の場合）又はゲルパーミエーションクロ
マトグラフィーにより標準ポリスチレン若しくはポリエ
チレングリコールの検量線を利用して測定した数平均分
子量から算出したものである。

【００４０】なお、シリコーン重合体を作製する際に
は、前記の様にシリコーン重合体を製造してからヒドロ
シリル化反応剤を添加してヒドロシリル化反応を行って
もよく、また、ヒドロシリル化反応剤を前記シラン化合
物と同時に配合し、シラン化合物の加水分解・重縮合と
同時に又はその途中でヒドロシリル化反応を行ってもよ
い。

【００４１】上記のシリコーン重合体を含有してなる樹
脂組成物には、無機充填剤を多量に配合することができ
る。無機充填剤としては、その種類は特に制約はなく、
例えば、炭酸カルシウム、アルミナ、酸化チタン、マイ
カ、炭酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸マ
グネシウム、ケイ酸アルミニウム、シリカ、ガラス短繊
維、ホウ酸アルミニウムウィスカや炭化ケイ素ウィスカ
等の各種ウィスカ等が用いられる。また、これらを数種
類併用しても良い。無機充填剤の形状、粒径については
特に制限はなく、通常用いられている粒径０．００１〜
５０μｍのものを本発明においても用いることができ、
好ましくは０．０１〜１０μｍのものが好適に用いられ
る。これら無機充填剤の配合量は、シリコーン重合体１
００重量部に対して１００〜２０００重量部が好まし
く、３００〜１５００重量部が特に好ましい。硬化後の
樹脂の熱膨張係数を無機充填剤の配合量が少なすぎると
熱膨張係数が大きくなる傾向があり、無機充填剤が多す
ぎるとフィルム化が困難になる傾向がある。

【００４２】前記シリコーン重合体を含有する樹脂組成
物の硬化剤は、シリコーン重合体の熱硬化性官能基と反
応（硬化）する化合物であればよく、特に制限はない。
例えば熱硬化性官能基がエポキシ基の場合には、アミン
系硬化剤やフェノール系硬化剤などの一般にエポキシ樹
脂用硬化剤として用いられるものを利用することができ
る。エポキシ樹脂用硬化剤としては多官能フェノール化
合物が好ましい。多官能フェノール化合物としては、ビ
スフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシン、カテコール等の多価フェノールがあ
り、また、これらの多価フェノール又はフェノール、ク
レゾール等の一価のフェノール化合物とホルムアルデヒ
ドを反応させて得られるノボラック樹脂などがある。多
官能フェノール化合物は臭素等のハロゲンで置換されて
いてもよい。硬化剤の使用量は、シリコーン重合体の熱
硬化性官能基１当量に対して、０．２〜１．５当量使用
することが好ましく、０．５〜１．２当量使用すること
が特に好ましい。硬化物と金属との接着性を向上させる
ためにはエポキシ樹脂用硬化剤にアミン化合物を含むこ
とが好ましく、また、硬化剤が過剰に含まれていること
が好ましい。このアミン化合物は接着性補強剤として作
用するものであり、具体例については後に記載する。耐
熱性などの他の特性と接着性とのバランスを考慮する
と、アミン化合物を含む硬化剤をシリコーン重合体の熱
硬化性官能基１当量に対して１．０〜１．５当量用いる
ことが好ましく、熱硬化性官能基１当量に対して１．０
〜１．２当量用いることが特に好ましい。

【００４３】また、硬化剤とともに硬化促進剤を加えて
もよい。例えば熱硬化性官能基がエポキシ基の場合に
は、イミダゾール化合物などが一般に使用されており、
本発明においてもこれを用いることができる。硬化促進
剤として用いられるイミダゾール化合物の具体例として
はイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル
−４−メチルイミダゾール２−フェニルイミダゾール、
２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチ
ルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４，
５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリ
ン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダ
ゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロ
ピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２
−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミ
ダゾリン、２−イソプロピルイミダゾリン、２，４−ジ
メチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾリン等が挙げられる。硬化促進剤の十分な効果を得る
ためには、シリコーン重合体１００重量部に対して０．
０１重量部以上使用することが好ましく、熱膨張率や伸
び等の観点から１０重量部以下が好ましい。

【００４４】本発明おけるシリコーン重合体を含有する
樹脂組成物には必要に応じて両末端シリル基変性エラス
トマを加えることができる。樹脂組成物に両末端シリル
基変性エラストマを加えることで樹脂硬化物の破断応力
が大きくなり、取り扱い性が向上する。本発明における
両末端シリル基変性エラストマとは、重量平均分子量が
３０００〜１０万程度の長鎖状エラストマであり、主鎖
の両末端にアルコキシシリル基を有する。エラストマの
主鎖については特に制限はなく、ポリイソブチレンやポ
リプロピレンなどのポリオレフィン、ポリプロピレンオ
キシドなどのポリエーテル、ブタジエンゴム又はアクリ
ルゴム等の主鎖骨格を有するエラストマが利用できる。
アルコキシシリル基はＳｉ元素に１〜３個のアルコキシ
基が結合したものでよく、Ｓｉ元素に結合したアルコキ
シ基の炭素数は１〜４であることが好ましい。両末端シ
リル基変性エラストマとしては、例えばＳＡＴ２００
（両末端シリル基変性ポリエーテル、鐘淵化学工業株式
会社製商品名）、ＥＰ１０３Ｓ、ＥＰ３０３Ｓ（両末端
シリル基変性ポリイソブチレン、鐘淵化学工業株式会社
製商品名）等を用いることができる。両末端シリル基変
性エラストマの配合量は、シリコーン重合体１００重量
部に対して０．１〜３０重量部であることが好ましい。
０．１重量部未満では配合することによる効果が現れに
くく、３０重量部を越えると熱膨張率が大きくなる傾向
がある。

【００４５】本発明おける樹脂組成物には、本発明のシ
リコーン重合体に換えて、シリコーン重合体とエポキシ
基を持つシリコーンオイル（本発明において、エポキシ
変性シリコーンオイルと記載する）とを併用することも
できる。例えば、本発明のシリコーン重合体１００重量
部に換えて、本発明のシリコーン重合体５０重量部とエ
ポキシ変性シリコーンオイル５０重量部を併用すること
ができる。シリコーン重合体とエポキシ変性シリコーン
オイルの合計１００重量部中にシリコーン重合体が０．
１重量部以上含まれていることが好ましく、熱膨張率、
伸び、破断応力の観点から、シリコーン重合体が５重量
部以上含まれていることが特に好ましい。シリコーン重
合体が０．１重量部未満の場合は無機充填剤の分散性が
低下する傾向がある。シリコーン重合体とエポキシ変性
シリコーンオイルの配合比は熱膨張係数と伸びの値か
ら、目的に応じて決めることができる。すなわち、シリ
コーン重合体の配合比が大きいほど熱膨張係数が小さく
なり、エポキシ変性シリコーンオイルの配合比を増やす
ことで伸びの値を大きくすることができる。ここで、エ
ポキシ変性シリコーンオイルとは側鎖にエポキシ基を含
む官能基を有する鎖状ポリシロキサン化合物であり、２
５℃における粘度が１０〜１０^-6ｃｓの範囲にあるもの
である。なお、本発明における粘度は東京計器（株）製
ＥＭＤ型粘度計を用いて、２５℃で測定した。エポキシ
変性シリコーンオイルのエポキシ当量は１５０〜５００
０であることが好ましく、３００〜１０００であること
が特に好ましい。

【００４６】本発明における樹脂組成物には、金属箔と
の接着性を高め、樹脂硬化物と金属箔との引き剥がし強
度を高めるために、必要に応じて接着性補強材を加える
ことができる。接着性補強材としてはアミノ基や水酸基
などの反応性官能基を複数持つ化合物を用いることがで
き、反応性官能基を複数持つアミン化合物が好ましい。
反応性官能基を複数持つアミン化合物としては、例え
ば、ｍ−フェニレンジアミン、４，４'−ジアミノベン
ズアニリド、４，４'−ジアミノ−２，２'−ジメチルビ
フェニル等の分子内に複数のアミノ基を持つ化合物やジ
シアンジアミドなどの、分子内に複数の活性Ｎ−Ｈ基を
有する化合物、３−アミノ−１−プロパノール、４−ア
ミノフェノール等の分子内にアミノ基と水酸基を併せ持
つ化合物などを用いることができる。接着性補強材の配
合量はシリコーン重合体１００重量部に対して０．０１
〜９重量部であることが好ましく、０．１〜６重量部で
あることが特に好ましい。０．０１重量部未満の場合は
配合による効果が現れにくく、また、９重量部を越える
場合は、硬化物の耐熱性が低下する傾向がある。

【００４７】前記樹脂組成物は、溶剤に溶解ないし分散
させて絶縁ワニスとすることができる。絶縁ワニスの濃
度は、作業性等を考慮して適宜決定される。また、シリ
コーン重合体の合成に続いて、樹脂組成物の調整を行う
場合、シリコーン重合体の合成に用いた溶剤と同じもの
を使用することが好ましい。溶剤としては、メタノー
ル、エタノールなどのアルコール系溶剤、エチレングリ
コールモノメチルエーテルなどのエーテル系溶剤、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンな
どのケトン系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど
のアミド系溶剤、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素系溶剤、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、ブチロ
ニトリルなどのニトリル系溶剤等が好ましく使用され
る。また、これら溶剤の数種類を併用した混合溶剤を用
いることもできる。溶剤は水を含有していてもよいが、
水が多すぎる場合には塗布液の保存安定性が低下するな
どの問題があるので、水の量は、シリコーン重合体１モ
ルに対して０〜５モルの範囲とすることが好ましい。

【００４８】内層回路板上に前記絶縁ワニスを塗布し、
その上に回路配線を設けることで多層配線板を作製する
ことができる。例えば、内層回路板上に前記絶縁ワニス
を塗布し、乾燥させ、その上に金属箔を積層し、加熱・
加圧により一体化したのち、層間導通をとり、ついで、
金属箔の不要部分をエッチング除去することによって、
多層配線板を作製することができる。

【００４９】ここで、内層回路板とは、最外層に回路形
成された配線板であり、例えば、紙・繊維等の基材を樹
脂に含浸硬化させた基板の片面又は両面に回路形成され
た配線板や、複数の配線板をプリプレグを介して積層し
た多層配線板、ビルドアップ工法で多層化された多層配
線板などが挙げられる。また、本発明の絶縁ワニスを用
いてなる多層配線板を内層回路板として、さらに多層化
することもできる。

【００５０】塗布方法はディップコート法、ロールコー
ト法、フローコート法、スクリーン印刷法、スプレー
法、静電スプレー法等の常法によることができ、内層回
路板上に直接塗工し、本発明の絶縁ワニスからなる樹脂
層を容易に形成することができる。本発明の絶縁ワニス
からなる樹脂層の厚みは内層回路上の部分で最も薄くな
るが、この最も薄い部分での硬化後の厚みが６〜２００
μｍであることが好ましい。６μｍよりも薄い場合に
は、樹脂層表面に内層回路の凹凸の影響が出やすくな
る。また、２００μｍより厚くしてもよいが、厚すぎる
と重量が増え、またコスト高になりやすい。なお、厚い
樹脂層を作製するために、数回に分けて塗布と乾燥を繰
り返すこともできる。

【００５１】また、本発明において、乾燥とは、ワニス
中の溶剤が除去され、樹脂層の室温での流動性がなく、
かつ積層成形の条件下では流動性を有する状態である。
このような乾燥された樹脂の状態は、一般には半硬化状
態、Ｂ−Ｓｔａｇｅ状態などと呼ばれている。乾燥炉内
で８０〜２００℃の範囲で乾燥させることが好ましい。
乾燥時間は、室温での樹脂の流動性がなくなる程度でよ
く、１〜３０分が好ましい。

【００５２】金属箔としては一般に配線板分野で回路導
体として使用されている金属箔を用いて回路配線を形成
することができ、電気的特性やコスト面を考慮すると銅
箔を用いることが好ましい。また、ニッケル、ニッケル
−リン、ニッケル−スズ合金、ニッケル−鉄合金、鉛、
鉛−スズ合金等を中間層とし、この両面に銅層を設けた
３層構造の複合箔や、アルミニウムと銅箔を複合した複
合箔等の複合箔を用いることもできる。特に好ましく
は、少なくとも片面に粗化面を有する電解銅箔、圧延銅
箔又は支持フィルム付き極薄銅箔を使用することができ
る。金属箔は通常用いられている厚さ５〜２００μｍの
ものを使用することができる。

【００５３】積層成形や層間導通、回路加工は、常法に
従い行うことができる。積層成形の際の加熱・加圧条件
としては、温度は通常１５０〜１８０℃の範囲で、場合
によっては１３０〜２００℃の範囲で、また圧力は通常
２〜８ＭＰａの範囲で、場合によっては０．５〜２０Ｍ
Ｐａの範囲で加熱・加圧して行われ、プレス機の能力、
目的の厚さ等により適宜選択される。層間導通は、導電
ペーストやめっきなどによる一般的な方法でとることが
できる。例えば、内層回路板上に絶縁ワニスを塗布し、
その上に金属箔を重ね積層成形したものに、レーザーや
ドリルなどで金属箔と内層回路板を貫通する孔部を設
け、無電解めっきにより孔部内壁を金属で被覆し、層間
導通路を設けることができる。金属箔の上から内層回路
に達する孔部を設けて層間導通をとってもよい。また、
めっきに換えて孔部に導電ペーストを充填することで層
間導通をとってもよい。回路加工は、例えば、レジスト
パターンを形成し、不要な金属をエッチング除去して、
レジストパターンを剥離することによりなされる。

【００５４】絶縁ワニスからなる絶縁層上に回路配線を
設ける方法としては、前記のように絶縁層の上に金属箔
を積層し、金属の不要部分を除去する方法の他、絶縁層
を完全に硬化させた後、必要部分にめっきで回路を形成
する方法などが一般に知られており、本発明においても
適用することができる。

【００５５】絶縁ワニスを、離型性の支持フィルムなど
に塗布・乾燥して樹脂フィルムとすることができ、この
樹脂フィルムを用いて多層配線板を作製することもでき
る。例えば、この樹脂フィルムから支持フィルムを除い
たものを内層回路板と金属箔の間に挟む様に積層し、加
熱・加圧により一体化したのち、層間導通をとり、つい
で、金属箔の不要部分をエッチング除去することによっ
て、多層配線板を作製することもできる。内層回路板に
樹脂フィルムを積層してから支持フィルムを取り除いて
用いてもよく、あらかじめ支持フィルムを取り除いた樹
脂フィルムを用いてもよい。乾燥条件や加熱・加圧条
件、層間導通をとる方法などは、内層回路板に絶縁ワニ
スを塗布する場合と同様の条件又は方法を適用すること
ができる。

【００５６】金属箔上に前記絶縁ワニスを塗布して、こ
れを内層回路板に積層し、回路加工することで多層配線
板を作製することもできる。例えば、金属箔に前記絶縁
ワニスを塗布し、乾燥させ、これを内層回路板上に積層
し、加熱・加圧により一体化したのち、層間導通をと
り、ついで、金属箔の不要部分をエッチング除去するこ
とによって、多層配線板を作製することもできる。乾燥
条件や加熱・加圧条件、層間導通をとる方法などは、内
層回路板に絶縁ワニスを塗布する場合と同様の条件又は
方法を適用することができる。

【００５７】

【実施例】（実施例Ｉ）撹拌装置、コンデンサ及び温度
計を備えたガラスフラスコに、テトラメトキシシラン
（東京化成工業株式会社製）を２０ｇ、ジメトキシジメ
チルシラン（東京化成工業株式会社製）を６０ｇ、ジメ
トキシメチルシラン（東京化成工業株式会社製）を６７
ｇ、合成溶剤としてメタノール（東京化成工業株式会社
製）を３７ｇ配合した溶液に、合成触媒としてマレイン
酸を１.５ｇ、蒸留水を５０ｇ配合して８０℃で２時間
攪拌した後、アリルグリシジルエーテル（東京化成工業
株式会社製）を７２ｇと塩化白金酸塩（２重量％イソプ
ロピルアルコール溶液）を０.２ｇ添加し、更に４時間
撹拌してエポキシ変性のシリコーン重合体を合成した。
得られたシリコーン重合体のシロキサン単位の重合度は
６５であった（ＧＰＣによって標準ポリスチレンの検量
線を利用して測定した数平均分子量から換算、以下同
じ）。

【００５８】（実施例II−１）撹拌装置、コンデンサ及
び温度計を備えたガラスフラスコに、実施例Ｉ−１で合
成したシリコーン重合体の固形分１００重量部に対して
シリカ粉末（製品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒径：０．５
μｍ，株式会社アドマテックス製）４５０重量部と希釈
溶剤としてメタノールを２０２重量部配合し、８０℃で
１時間攪拌した後、室温まで冷却し、シリコーン重合体
の固形分１００重量部に対してテトラブロモビスフェノ
ールＡを７８重量部と２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール３重量部を配合し、室温で１時間撹拌して絶縁ワニ
スを調製した。この絶縁ワニスの硬化後の熱膨張係数は
２２ｐｐｍ／℃であった。なお、本発明において、熱膨
張係数は、絶縁ワニスを支持フィルム上に塗布し、１７
０℃２時間で硬化させ、支持フィルムを取り除くことで
樹脂フィルムとし、このフィルムを試料として熱機械分
析（ＴＭＡ：ＭＡＣ ＳＣＩＥＮＣＥ社製ＴＭＡ）によ
り引張モードで測定した。

【００５９】（実施例II−２）実施例II−１と同様に、
実施例Ｉ−１で合成したシリコーン重合体の固形分１０
０重量部に対してシリカ粉末（製品名：ＳＯ−２５Ｒ，
平均粒径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）９
００重量部と希釈溶剤としてメタノールを２５０重量部
配合し、８０℃で１時間攪拌した後、室温まで冷却し、
テトラブロモビスフェノールＡをシリコーン重合体の固
形分１００重量部に対して７８重量部と２−エチル−４
−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室温で１時間
撹拌して絶縁ワニスを調製した。この絶縁ワニスの硬化
後の熱膨張係数は１５ｐｐｍ／℃であった。

【００６０】（実施例II−３）実施例II−１と同様に、
実施例Ｉ−１で合成したシリコーン重合体の固形分１０
０重量部に対してシリカ粉末（製品名：ＳＯ−２５Ｒ，
平均粒径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）１
３００重量部と希釈溶剤としてメタノールを４９０重量
部配合し、８０℃で１時間攪拌した後、室温まで冷却
し、テトラブロモビスフェノールＡをシリコーン重合体
の固形分１００重量部に対して７８重量部と２−エチル
−４−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室温で１
時間撹拌して絶縁ワニスを調製した。この絶縁ワニスの
硬化後の熱膨張係数は１０ｐｐｍ／℃であった。

【００６１】（比較例）ビスフェノールＡノボラック型
エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、大日本インキ化学
工業株式会社製、エピクロンＮ８６５（商品名）を使
用）１００部，ビスフェノールＡノボラック樹脂（水酸
基当量１１８、大日本インキ化学工業株式会社製、プラ
イオーフェンＶＨ−４１７０（商品名）を使用）６０部
及びジシアンジアミド２部をメチルエチルケトン１２０
部に溶解し，室温で１時間撹拌して絶縁ワニスを調製し
た。

【００６２】厚さ０．８ｍｍのガラス布基材エポキシ樹
脂両面銅張積層板（日立化成工業株式会社製、ＭＣＬ−
Ｅ−６７（商品名）を使用）に回路加工を施し、その上
に前記で作製した絶縁ワニスを乾燥加熱後の絶縁層の厚
さが5０μｍとなるようにナイフコータにより塗工し、
１３０℃で４分間加熱乾燥し、乾燥後厚さ１８μｍの片
面粗化銅はくの粗化面を絶縁層側にして重ね、温度１７
５℃、圧力３ＭＰａで６０分間加熱・加圧して銅張層積
層板Ａを作製した。銅張積層板Ａの銅箔の上から内層回
路に達する穴をあけ、穴内壁を金属化し、銅箔の不要な
箇所をエッチング除去した多層配線板Ｂを作製した。こ
の多層配線板Ｂの表面粗さを、触針式表面粗さ計にて測
定した。測定箇所は直下に内層回路が存在する部分から
存在しない部分にかけて長さ２５ｍｍの一直線上とし，
直下に内層回路が存在する部分から存在しない部分の段
差の１０点平均粗さを測定した。結果を表に示す。

【００６３】また、上記絶縁ワニスを、厚さ５０μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルムを支持フィルムと
して用い、加熱乾燥後の厚さが5０μｍとなるようにナ
イフコータにより塗工し、温度１3０℃で１０分間加熱
乾燥し、加熱乾燥後に支持フィルムを剥がして絶縁シー
トを作製した。

【００６４】厚さ０．８ｍｍのガラス布基材エポキシ樹
脂両面銅張積層板（日立化成工業株式会社製、ＭＣＬ−
Ｅ−６７（商品名）を使用）に回路加工を施し、その上
に前記で作製した絶縁シートを重ね、１３０℃、３ＭＰ
ａで６０分間加熱・加圧した後、支持フィルムを除去
し、厚さ１８μｍの片面粗化銅はくの粗化面を絶縁層側
にして重ね、温度１７５℃、圧力３ＭＰａで６０分間加
熱・加圧して銅張積層板Ｃを作製した。銅張積層板Cの
銅箔の上から内層回路に達する穴をあけ、穴内壁を金属
化し、銅箔の不要な箇所をエッチング除去した多層配線
板Ｄを作製した。この多層配線板Ｄの表面粗さを、触針
式表面粗さ計にて測定した。測定箇所は直下に内層回路
が存在する部分から存在しない部分にかけて長さ２５ｍ
ｍの一直線上とし，直下に内層回路が存在する部分から
存在しない部分の段差の１０点平均粗さを測定した。結
果を表に示す。

【００６５】また，先に作成した多層配線板Ｂと多層配
線板Ｄの２６０℃で３０秒における半田耐熱性の結果を
表に示す。表に示すように，本発明の絶縁ワニスは、半
田耐熱性を有し，回路埋め込み性、表面平坦性に優れる
ことが分かる。

【００６６】

【表１】

【００６７】

【発明の効果】本発明になる絶縁ワニスを使用して製造
されたプリント配線板は、回路埋め込み性が良好であ
り、表面平坦性に優れる。また、この絶縁ワニスは硬化
後の熱膨張係数が低いことから、接続信頼性にも優れ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｈ０１Ｂ 3/00 Ａ ５Ｇ３０５ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｈ 3/46 3/46 Ｇ Ｔ // Ｃ０８Ｇ 77/38 Ｃ０８Ｇ 77/38 (72)発明者 齊藤 哲也 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4F100 AA00A AA00H AB01B AB33B AK52 AK52A AL06 AT00C BA01 BA02 BA03 BA10B BA10C CA02A CA23A DC11A DC11B DC11C DH01A EH012 EH46A EH462 EJ153 EJ172 EJ333 EJ422 EJ86A GB43 JA02 JA02A JG04 JJ03 JK15 YY00A 4J002 CP031 CP051 CP091 DE136 DE146 DE216 DE236 DJ006 DJ016 DJ056 DK006 DL006 EA057 EC027 EC037 ED027 EE037 EH037 EP017 ET007 FA046 FA066 FD016 FD207 GH00 GQ01 HA08 4J035 CA02U CA021 CA11M CA19M FB02 LA03 LB03 LB20 5E346 AA04 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA43 AA51 CC02 CC08 CC32 DD02 DD12 DD32 EE09 EE13 EE18 EE20 FF04 FF07 GG15 GG17 GG22 GG28 HH11 HH13 HH21 HH31 5G303 AA05 AA08 AB17 BA12 CA09 CA11 5G305 AA06 AA11 AB40 BA09 CA26 CD01

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】シリコーン重合体と充填材と溶剤を主成分
   とする多層配線板用層間絶縁ワニス。
2. 【請求項２】シリコーン重合体が、一般式（Ｉ） 【化１】Ｒ′_m（Ｈ）_kＳｉＸ_4-(m+k) （Ｉ） （式中Ｘは、加水分解、重縮合可能な基であり、例え
   ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
   で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
   ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
   り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
   のアリール基を示す。ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ
   ＋ｋは１又は２を意味する。）で表されるシラン化合物
   ３５〜１００モル％及び一般式（ＩＩ） 【化２】Ｒ′_nＳｉＸ_4-n （ＩＩ） （式中Ｘは、加水分解、重縮合可能な基であり、例え
   ば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここ
   で、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
   ルキルカルボニル基を示す。Ｒ′は、非反応性の基であ
   り、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等
   のアリール基を示す。ｎは０〜２の整数を意味する。）
   で表されるシラン化合物６５〜０モル％を加水分解・重
   縮合反応をさせ、次いでヒドロシリル化反応剤とのヒド
   ロシリル化反応をさせることによって製造されるシリコ
   ーン重合体であることを特徴とする請求項１に記載の多
   層配線板用層間絶縁ワニス。
3. 【請求項３】ヒドロシリル化反応剤が、ヒドロシリル化
   反応のための二重結合及びこれ以外の官能基を有する化
   合物である請求項２に記載の多層配線板用層間絶縁ワニ
   ス。
4. 【請求項４】ヒドロシリル化反応剤の二重結合以外の官
   能基が、エポキシ基又はアミノ基である請求項３に記載
   の多層配線板用層間絶縁ワニス。
5. 【請求項５】シリコーン重合体１００重量部に対する無
   機充填剤の配合量が、１００重量部以上である請求項１
   〜４のうちいずれかに記載の多層配線板用層間絶縁ワニ
   ス。
6. 【請求項６】シリコーン重合体１００重量部に対して、
   硬化剤０．８〜１当量及び無機充填剤１００〜２０００
   重量部を含有してなる請求項１〜５のうちいずれかに記
   載の多層配線板用層間絶縁ワニス。
7. 【請求項７】硬化後の熱膨張係数が５０×１０^−６／℃
   以下である請求項１〜６のいずれかに記載の多層配線板
   用層間絶縁ワニス。
8. 【請求項８】内層回路を形成した内層回路板の上に、請
   求項１〜７のうちいずれかに記載の多層配線板用層間絶
   縁ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重ね、加熱・加
   圧して、金属箔と内層回路板を貫通する孔をあけ、孔内
   壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除去す
   る多層配線板の製造方法。
9. 【請求項９】内層回路を形成した内層回路板の上に、請
   求項１〜７のうちいずれかに記載の多層配線板用層間絶
   縁ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重ね、加熱・加
   圧して、金属箔の上から内層回路に達する孔をあけ、孔
   内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除去
   する多層配線板の製造方法。
10. 【請求項１０】内層回路を形成した内層回路板の上に、
    請求項１〜７のうちいずれかに記載の多層配線板用層間
    絶縁ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重ね、加熱・
    加圧して、金属箔と内層回路板を貫通する孔をあけ、孔
    内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除去
    したものを内層回路板とする請求項８又は請求項９のい
    ずれかに記載の多層配線板の製造方法。
11. 【請求項１１】内層回路を形成した内層回路板の上に、
    請求項１〜７のうちいずれかに記載の多層配線板用層間
    絶縁ワニスを塗布し、乾燥して、金属箔を重ね、加熱・
    加圧して、金属箔の上から内層回路に達する孔をあけ、
    孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除
    去したものを内層回路板とする請求項８又は請求項９の
    いずれかに記載の多層配線板の製造方法。
12. 【請求項１２】支持フィルムの上に、請求項１〜７のう
    ちいずれかに記載の多層配線板用絶縁ワニスを塗布し、
    乾燥させた層間絶縁材料を、内層回路を形成した内層回
    路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さらに金属箔
    を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔と内層回路板
    を貫通する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不要
    な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造方法。
13. 【請求項１３】支持フィルムの上に、請求項１〜７のう
    ちいずれかに記載の多層配線板用絶縁ワニスを塗布し、
    乾燥させた層間絶縁材料を、内層回路を形成した内層回
    路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さらに金属箔
    を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔の上から内層
    回路に達する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不
    要な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造方法。
14. 【請求項１４】請求項８〜１３で作成した多層配線板を
    内層回路板とし、支持フィルムの上に多層配線板用絶縁
    ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、その内層
    回路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さらに金属
    箔を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔と内層回路
    板を貫通する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不
    要な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造方法。
15. 【請求項１５】請求項８〜１４で作成した多層配線板を
    内層回路板とし、支持フィルムの上に多層配線板用絶縁
    ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、その内層
    回路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さらに金属
    箔を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔の上から内
    層回路に達する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属箔の
    不要な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造方
    法。
16. 【請求項１６】請求項８〜１５に記載した方法によって
    製造された多層配線板。
17. 【請求項１７】内層回路を形成した内層回路板の上に、
    金属箔の上に、請求項１〜７のうちいずれかに記載の多
    層配線板用絶縁ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材
    料を金属箔が外側になるように重ね、加熱・加圧して一
    体化し、金属箔と内層回路板を貫通する孔をあけ、孔内
    壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除去す
    る多層配線板の製造方法。
18. 【請求項１８】内層回路を形成した内層回路板の上に、
    金属箔の上に、請求項１〜７のうちいずれかに記載の多
    層配線板用絶縁ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材
    料を金属箔が外側になるように重ね、加熱・加圧して一
    体化し、金属箔の上から内層回路に達する孔をあけ、孔
    内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチング除去
    する多層配線板の製造方法。
19. 【請求項１９】請求項１７または１８で作成した多層配
    線板を内層回路板とし、支持フィルムの上に多層配線板
    用絶縁ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、そ
    の内層回路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さら
    に金属箔を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔と内
    層回路板を貫通する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金属
    箔の不要な箇所をエッチング除去する多層配線板の製造
    方法。
20. 【請求項２０】請求項１７または１８で作成した多層配
    線板を内層回路板とし、支持フィルムの上に多層配線板
    用絶縁ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、そ
    の内層回路板の上に重ね、支持フィルムを除去し、さら
    に金属箔を重ね、加熱・加圧して一体化し、金属箔の上
    から内層回路に達する孔をあけ、孔内壁を金属化し、金
    属箔の不要な箇所をエッチング除去する多層配線板の製
    造方法。
21. 【請求項２１】請求項１７または１８で作成した多層配
    線板を内層回路板とし、金属箔の上に多層配線板用絶縁
    ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、金属箔が
    外側となるようにその内層回路板の上に重ね、加熱・加
    圧して一体化し、金属箔と内層回路板を貫通する孔をあ
    け、孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチン
    グ除去する多層配線板の製造方法。
22. 【請求項２２】請求項１７または１８で作成した多層配
    線板を内層回路板とし、金属箔の上に多層配線板用絶縁
    ワニスを塗布し、乾燥させた層間絶縁材料を、金属箔が
    外側となるようにその内層回路板の上に重ね、加熱・加
    圧して一体化し、金属箔の上から内層回路に達する孔を
    あけ、孔内壁を金属化し、金属箔の不要な箇所をエッチ
    ング除去する多層配線板の製造方法。
23. 【請求項２３】請求項１７〜２２に記載した方法によっ
    て製造された多層配線板。