JP4602700B2 - シリカ系被膜形成用塗布液 - Google Patents
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Description
本発明のシリカ系被膜形成用塗布液は、下記一般式(1)で表される化合物の加水分解生成物からなる。
ビストリメトキシシリルジエチルベンゼン5.0g(0.013モル)をプロピレングリコールモノプロピルエーテル25.7gに溶解し攪拌した。次いで、1.4g(0.078モル)の水に硝酸30μlを混合して調整した硝酸水溶液をゆっくりかき混ぜながら滴下していった。滴下終了後、攪拌を止め、室温(25℃)で1日間静置させることにより、SiO2換算濃度5質量%、固形分分子量(Mw)14000程度の溶液1を得た。
ビストリメトキシシリルヘキサン3.0g(0.009モル)をプロピレングリコールモノプロピルエーテル18.0gに溶解し、攪拌した。次いで、1.1g(0.054モル)の水に硝酸20μlを混合して調整した硝酸水溶液をゆっくりかき混ぜながら滴下していった。滴下終了後、攪拌を止め、室温(25℃)で1日間静置させることにより、SiO2換算濃度5質量%、固形分分子量(Mw)12000程度の溶液2を得た。
合成例1で調整した塗布液(溶液1)をスピンコート法によって6インチシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で大気中、80℃、1分間の加熱処理を行った。次いで150℃で1分間、さらに200℃で1分間の加熱処理を行った(乾燥処理)。
次いで、窒素雰囲気中、400℃で30分間の加熱処理(焼成処理)を行い、被膜1を形成した。得られた被膜1に対して、下記の誘電率測定、耐熱性評価、及び耐湿性評価を行った。
比較合成例1で調整した塗布液(溶液2)をスピンコート法によって6インチシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で大気中、80℃、1分間の加熱処理を行った。次いで150℃で1分間、さらに200℃で1分間の加熱処理を行った(乾燥処理)。
次いで、窒素雰囲気中、400℃で30分間の加熱処理(焼成処理)を行い、被膜2を形成した。得られた被膜2に対して、下記の誘電率測定、耐熱性評価、及び耐湿性評価を行った。
上記実施例1、比較例1で得られた被膜1、2に対して誘電率測定装置SSM495(日本SSM社製)を用いて、被膜の膜厚方向の真空に対する比誘電率を測定した。測定結果を表1に示す。
上記実施例1、比較例1で得られた被膜1、2の膜表面を観察し、400℃、30分間の加熱処理後も熱分解現象が見受けられなかったものを「〇」、熱分解現象が見受けられたものを「×」として表した。測定結果を表1に示す。
上記実施例1、比較例1で得られた被膜1、2が形成された基板を温度25℃、湿度40%雰囲気下にて10日間放置し、放置後の被膜の誘電率測定及びIR測定を行った。その結果、10日後も誘電率測定値の変動が少なく、またIR測定から求められるヒドロキシル基の波形の変化が小さかったものを、吸湿性が優れている膜と判断し、「〇」と記載し、誘電率測定値の変動が大きく、またヒドロキシル基の波形の変化が大きかったものを、吸湿性に劣る膜と判断し、「×」と記載した。測定結果を表1に示す。
Claims (3)
- 前記多価アルコールのモノアルキルエーテルがプロピレングリコールモノプロピルエーテルであることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリカ系被膜形成用塗布液。
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Patent Citations (2)
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JP2003213001A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-30 | Sekisui Chem Co Ltd | 光反応性組成物 |
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