JPH07173434A - 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 - Google Patents
酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法Info
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- JPH07173434A JPH07173434A JP32200593A JP32200593A JPH07173434A JP H07173434 A JPH07173434 A JP H07173434A JP 32200593 A JP32200593 A JP 32200593A JP 32200593 A JP32200593 A JP 32200593A JP H07173434 A JPH07173434 A JP H07173434A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 経時的に安定で、成膜性に優れ、得られる酸
化物被膜にクラックの発生のない酸化物被膜形成用塗布
液を提供する。 【構成】 （Ａ）トリアルコキシシラン化合物、（Ｂ）
ジアルコキシシラン化合物および（Ｃ）金属アルコキシ
ド化合物を加水分解、重縮合させて得られる反応物を含
む酸化物被膜形成用塗布液およびこれを用いた酸化物被
膜の製造法。
化物被膜にクラックの発生のない酸化物被膜形成用塗布
液を提供する。 【構成】 （Ａ）トリアルコキシシラン化合物、（Ｂ）
ジアルコキシシラン化合物および（Ｃ）金属アルコキシ
ド化合物を加水分解、重縮合させて得られる反応物を含
む酸化物被膜形成用塗布液およびこれを用いた酸化物被
膜の製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物被膜形成用塗布
液及び酸化物被膜の製造法に関し更に詳しくは熱的に安
定でかつ成膜性の良好な酸化物被膜の製造法及びこの酸
化物被膜形成用塗布液に関する。
液及び酸化物被膜の製造法に関し更に詳しくは熱的に安
定でかつ成膜性の良好な酸化物被膜の製造法及びこの酸
化物被膜形成用塗布液に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の層
間絶縁の方法として、シラノール化合物の加水分解・縮
合物を焼成し、酸化物被膜を形成する方法がよく用いら
れている。テトラエトキシシラン等の４官能シランを用
いる方法が最も多く知られているが、４官能シランのみ
を用いる方法では、焼成してシリカ系被膜を形成する際
に発生する収縮応力が大きいために、膜厚が厚くなると
クラックが発生するという問題がある。更に、シリカ系
被膜の密度が低いためドライエッチングでシリカ系被膜
を加工する際、シリカ系被膜のエッチング速度がＣＶＤ
等で形成される酸化膜と比較して著しく速く、その後の
半導体製造工程で配線の断線が生じるといった問題があ
る。
間絶縁の方法として、シラノール化合物の加水分解・縮
合物を焼成し、酸化物被膜を形成する方法がよく用いら
れている。テトラエトキシシラン等の４官能シランを用
いる方法が最も多く知られているが、４官能シランのみ
を用いる方法では、焼成してシリカ系被膜を形成する際
に発生する収縮応力が大きいために、膜厚が厚くなると
クラックが発生するという問題がある。更に、シリカ系
被膜の密度が低いためドライエッチングでシリカ系被膜
を加工する際、シリカ系被膜のエッチング速度がＣＶＤ
等で形成される酸化膜と比較して著しく速く、その後の
半導体製造工程で配線の断線が生じるといった問題があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
技術の欠点を除去し、成膜性の良好な酸化物被膜の製造
法および酸化物被膜形成用塗布液を提供するものであ
る。
技術の欠点を除去し、成膜性の良好な酸化物被膜の製造
法および酸化物被膜形成用塗布液を提供するものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するため種々研究した結果、シリコン、アルミ等
の基体上でクラックが発生せず、更にドライエッチング
速度をＣＶＤ酸化膜等と同等になるような酸化物被膜を
形成するためには、（１）焼成時の硬化収縮歪を小さく
する、（２）膜の熱膨張係数を基体の値に近づける、
（３）膜の密度を高くするという条件を満たす塗布液を
用いることが必要であることを見出し、本発明に到達し
た。
を達成するため種々研究した結果、シリコン、アルミ等
の基体上でクラックが発生せず、更にドライエッチング
速度をＣＶＤ酸化膜等と同等になるような酸化物被膜を
形成するためには、（１）焼成時の硬化収縮歪を小さく
する、（２）膜の熱膨張係数を基体の値に近づける、
（３）膜の密度を高くするという条件を満たす塗布液を
用いることが必要であることを見出し、本発明に到達し
た。
【０００５】本発明は、（Ａ）一般式
【化５】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素また
はフッ素を意味する）で表されるトリアルコキシシラン
化合物、（Ｂ）一般式
はフッ素を意味する）で表されるトリアルコキシシラン
化合物、（Ｂ）一般式
【化６】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素また
はフッ素を意味する）で表されるジアルコキシシラン化
合物および（Ｃ）一般式
はフッ素を意味する）で表されるジアルコキシシラン化
合物および（Ｃ）一般式
【化７】 （式中Ｍは原子価２の金属原子、Ｒ′は、炭素数１〜４
のアルキル基を意味する）または一般式
のアルキル基を意味する）または一般式
【化８】 （式中Ｍは原子価２の金属原子、Ｒ″は炭素数１〜４の
アルキレン基、Ｒ′は、炭素数１〜４のアルキル基を意
味する）で表される金属アルコキシド化合物を、触媒お
よび溶媒の存在下で加水分解、縮重合させて得られる反
応物を含んでなる酸化物被膜形成用塗布液およびこの酸
化物被膜形成用塗布液を用いた酸化物被膜の製造法に関
する。
アルキレン基、Ｒ′は、炭素数１〜４のアルキル基を意
味する）で表される金属アルコキシド化合物を、触媒お
よび溶媒の存在下で加水分解、縮重合させて得られる反
応物を含んでなる酸化物被膜形成用塗布液およびこの酸
化物被膜形成用塗布液を用いた酸化物被膜の製造法に関
する。
【０００６】本発明に用いられる上記の一般式で表され
るトリアルコキシシラン化合物としては、
るトリアルコキシシラン化合物としては、
【化９】 等が挙げられる。
【０００７】本発明に用いられる上記の一般式で表され
るジアルコキシシラン化合物としては、
るジアルコキシシラン化合物としては、
【化１０】 等が挙げられる。
【０００８】本発明に用いられる上記の一般式で表され
る原子価２の金属アルコキシド化合物の原子価２の金属
としてはＭｇ，Ｂａ，Ｃａ等が挙げられ、化合物として
は、
る原子価２の金属アルコキシド化合物の原子価２の金属
としてはＭｇ，Ｂａ，Ｃａ等が挙げられ、化合物として
は、
【化１１】
【０００９】
【化１２】
【００１０】
【化１３】 等が挙げられる。
【００１１】上記のアルコキシシラン化合物および金属
アルコキシド化合物は２種以上を組み合わせて用いても
よい。
アルコキシド化合物は２種以上を組み合わせて用いても
よい。
【００１２】本発明に用いられる前記のアルコキシシラ
ン化合物および金属アルコキシド化合物の割合は、得ら
れる酸化物被膜の耐クラック性及びドライエッチング速
度の点からトリアルコキシシラン化合物１モルに対して
ジアルコキシシラン化合物を０．２〜０．５モル、金属
アルコキシド化合物を０．０５〜０．２０モルの範囲と
することが好ましい。
ン化合物および金属アルコキシド化合物の割合は、得ら
れる酸化物被膜の耐クラック性及びドライエッチング速
度の点からトリアルコキシシラン化合物１モルに対して
ジアルコキシシラン化合物を０．２〜０．５モル、金属
アルコキシド化合物を０．０５〜０．２０モルの範囲と
することが好ましい。
【００１３】本発明に用いられる有機溶媒としては、メ
タノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の
アルコール系、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系、エチレングリコー
ルモノメチルアセテート、エチレングリコールジアセテ
ート等のグリコールアセテート系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、グリコール
エーテル系溶媒など種々の溶媒が挙げられ、これらは１
種または２種以上が用いられる。
タノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の
アルコール系、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル等の酢酸エステル系、エチレングリコー
ルモノメチルアセテート、エチレングリコールジアセテ
ート等のグリコールアセテート系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、グリコール
エーテル系溶媒など種々の溶媒が挙げられ、これらは１
種または２種以上が用いられる。
【００１４】本発明に用いられる触媒としては、塩酸、
硫酸、燐酸、硼酸、フッ酸、硝酸等の無機酸、シュウ
酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸があげら
れる。
硫酸、燐酸、硼酸、フッ酸、硝酸等の無機酸、シュウ
酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸があげら
れる。
【００１５】本発明の酸化物被膜形成用塗布液は、前記
の溶媒の存在下で、前記のアルコキシシラン化合物と前
記の金属アルコキシド化合物を混合し、つぎに触媒と水
を添加した後、必要に応じて加熱し、縮重合させて得ら
れる。反応物の重量平均分子量は、通常５００〜１０，
０００の範囲である。
の溶媒の存在下で、前記のアルコキシシラン化合物と前
記の金属アルコキシド化合物を混合し、つぎに触媒と水
を添加した後、必要に応じて加熱し、縮重合させて得ら
れる。反応物の重量平均分子量は、通常５００〜１０，
０００の範囲である。
【００１６】このようにして得られた塗布液を用いて酸
化物被膜を形成するには、塗布液をガラス、セラミック
ス、シリコンウエハー、回路の形成されたシリコンウエ
ハー等の基体表面上に、浸漬法、回転塗布法等の方法で
塗布した後、通常５０〜２００℃、好ましくは１００〜
１５０℃で乾燥し、ついで通常３００〜１，０００℃、
好ましくは４００〜４５０℃で焼成される。
化物被膜を形成するには、塗布液をガラス、セラミック
ス、シリコンウエハー、回路の形成されたシリコンウエ
ハー等の基体表面上に、浸漬法、回転塗布法等の方法で
塗布した後、通常５０〜２００℃、好ましくは１００〜
１５０℃で乾燥し、ついで通常３００〜１，０００℃、
好ましくは４００〜４５０℃で焼成される。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 実施例１
る。 実施例１
【表１】 表１に示す材料をジメチルホルムアミド５００ｇに溶解
し撹拌した。この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解した
イオン交換水９０ｇを滴下し終了後、５０℃に加熱して
３時間反応を行い酸化物被膜形成用塗布液を得た。この
反応物の重量平均分子量を高速液体クロマトグラフ（日
立２６３−５０型）で測定したところ、１，０００であ
った。更に、この塗布液をスピナーを用いて２，０００
ｒｐｍでシリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃に
制御されたホットプレート上で１分間乾燥し、ついで電
気炉中４００℃で１時間焼成したところ、無色透明でク
ラックのない被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定した
ところ０．２５μｍであった。さらに、この酸化物被膜
をバレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−
５０１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の
混合ガスでエッチングしたところエッチング速度は１，
０００Å／ｍｉｎであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸
化膜と同等であった。また前記塗布溶液を、厚さ０．６
μｍ、ライン＆スペース幅０．５〜５．０μｍのアルミ
配線が形成されたシリコンウエハー上に前記と同様な条
件で成膜したところ、無色透明でクラックのない酸化物
被膜が得られた。
し撹拌した。この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解した
イオン交換水９０ｇを滴下し終了後、５０℃に加熱して
３時間反応を行い酸化物被膜形成用塗布液を得た。この
反応物の重量平均分子量を高速液体クロマトグラフ（日
立２６３−５０型）で測定したところ、１，０００であ
った。更に、この塗布液をスピナーを用いて２，０００
ｒｐｍでシリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃に
制御されたホットプレート上で１分間乾燥し、ついで電
気炉中４００℃で１時間焼成したところ、無色透明でク
ラックのない被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定した
ところ０．２５μｍであった。さらに、この酸化物被膜
をバレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−
５０１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の
混合ガスでエッチングしたところエッチング速度は１，
０００Å／ｍｉｎであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸
化膜と同等であった。また前記塗布溶液を、厚さ０．６
μｍ、ライン＆スペース幅０．５〜５．０μｍのアルミ
配線が形成されたシリコンウエハー上に前記と同様な条
件で成膜したところ、無色透明でクラックのない酸化物
被膜が得られた。
【００１８】実施例２
【表２】 表２に示す材料をジメチルホルムアミド５００ｇに溶解
し撹拌した。この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解した
イオン交換水９０ｇを滴下し終了後、５０℃に加熱して
３時間反応を行い酸化物被膜形成用塗布液を作成した。
この反応物の重量分子量を高速液体クロマトグラフ（日
立２６３−５０型）で測定したところ、８００であっ
た。更に、この塗布液をスピナーを用いて２，０００ｒ
ｐｍでシリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃に制
御されたホットプレート上で１分間乾燥し、ついで電気
炉中４００℃で１時間焼成したところ、無色透明でクラ
ックのない被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したと
ころ０．０２μｍであった。さらに、この酸化物被膜を
バレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５
０１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混
合ガスでエッチングしたところエッチング速度は１，３
００Å／ｍｉｎであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸化
膜とほぼ同等であった。また前記塗布溶液を厚さ１．０
μｍ、ライン＆スペース幅０．５〜５．０μｍのアルミ
配線が形成されたシリコンウエハー上に前記と同様な条
件で成膜したところ、無色透明でクラックのない酸化物
被膜が得られた。
し撹拌した。この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解した
イオン交換水９０ｇを滴下し終了後、５０℃に加熱して
３時間反応を行い酸化物被膜形成用塗布液を作成した。
この反応物の重量分子量を高速液体クロマトグラフ（日
立２６３−５０型）で測定したところ、８００であっ
た。更に、この塗布液をスピナーを用いて２，０００ｒ
ｐｍでシリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃に制
御されたホットプレート上で１分間乾燥し、ついで電気
炉中４００℃で１時間焼成したところ、無色透明でクラ
ックのない被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したと
ころ０．０２μｍであった。さらに、この酸化物被膜を
バレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５
０１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混
合ガスでエッチングしたところエッチング速度は１，３
００Å／ｍｉｎであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸化
膜とほぼ同等であった。また前記塗布溶液を厚さ１．０
μｍ、ライン＆スペース幅０．５〜５．０μｍのアルミ
配線が形成されたシリコンウエハー上に前記と同様な条
件で成膜したところ、無色透明でクラックのない酸化物
被膜が得られた。
【００１９】比較例１
【表３】 表３に示す材料をエチルアルコール１０００ｇに溶解
し、この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解させた水７０
ｇを添加し、加水分解、縮合を行い塗布液を作成した。
この反応物溶液をスピナーを用いて２，０００ｒｐｍで
シリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃に制御され
たホットプレート上で１分間乾燥し、ついで電気炉中４
００℃で１時間焼成したところ、０．３μｍでクラック
のない被膜が得られた。さらに、この酸化物被膜をバレ
ル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０１
Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合ガ
スでエッチングしたところエッチング速度は３，０００
Å／ｍｉｎであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜の
３倍であった。
し、この溶液にマレイン酸４．０ｇを溶解させた水７０
ｇを添加し、加水分解、縮合を行い塗布液を作成した。
この反応物溶液をスピナーを用いて２，０００ｒｐｍで
シリコンウエハー上に塗布した後、１５０℃に制御され
たホットプレート上で１分間乾燥し、ついで電気炉中４
００℃で１時間焼成したところ、０．３μｍでクラック
のない被膜が得られた。さらに、この酸化物被膜をバレ
ル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０１
Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合ガ
スでエッチングしたところエッチング速度は３，０００
Å／ｍｉｎであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜の
３倍であった。
【００２０】比較例２
【表４】 表４に示す材料をプロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル６００ｇに溶解し、この溶液にマレイン酸２．０
ｇを溶解させた水１００．０ｇを添加し、加水分解、縮
合を行い塗布液を作成した。また、この反応物の重量分
子量を高速液体クロマトグラフ（日立２６３−５０型）
で測定したところ５００であった。更に、この塗布液を
スピナーを用いて２，０００ｒｐｍでシリコンウエハー
上に塗布した後、１５０℃に制御されたホットプレート
上で１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で１時間焼
成したところ、無色透明でクラックのない被膜が得られ
た。該被膜の膜厚を測定したところ０．２５μｍであっ
た。さらに、この酸化物被膜をバレル型酸素プラズマ灰
化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０１Ａ型）を用いて２０
０Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合ガスでエッチングした
ところエッチング速度は２，０００Å／ｍｉｎであり同
時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜の２倍であった。また
前記塗布液を、厚さ１．０μｍ、ライン＆スペース幅
０．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成されたシリコン
ウエハー上に前記と同様な条件で成膜したところ、被膜
には多数クラックが存在していた。
ーテル６００ｇに溶解し、この溶液にマレイン酸２．０
ｇを溶解させた水１００．０ｇを添加し、加水分解、縮
合を行い塗布液を作成した。また、この反応物の重量分
子量を高速液体クロマトグラフ（日立２６３−５０型）
で測定したところ５００であった。更に、この塗布液を
スピナーを用いて２，０００ｒｐｍでシリコンウエハー
上に塗布した後、１５０℃に制御されたホットプレート
上で１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で１時間焼
成したところ、無色透明でクラックのない被膜が得られ
た。該被膜の膜厚を測定したところ０．２５μｍであっ
た。さらに、この酸化物被膜をバレル型酸素プラズマ灰
化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０１Ａ型）を用いて２０
０Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合ガスでエッチングした
ところエッチング速度は２，０００Å／ｍｉｎであり同
時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜の２倍であった。また
前記塗布液を、厚さ１．０μｍ、ライン＆スペース幅
０．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成されたシリコン
ウエハー上に前記と同様な条件で成膜したところ、被膜
には多数クラックが存在していた。
【００２１】
【発明の効果】本発明の酸化物被膜形成用塗布液は、経
時的に安定で、成膜性に優れるため、この塗布液を用い
て基体表面上に形成した酸化物被膜には、２．０μｍ程
度の厚さにしてもクラックの発生が無く、電子部品、特
に半導体の多層配線における層間断差の平坦化に有効で
ある。
時的に安定で、成膜性に優れるため、この塗布液を用い
て基体表面上に形成した酸化物被膜には、２．０μｍ程
度の厚さにしてもクラックの発生が無く、電子部品、特
に半導体の多層配線における層間断差の平坦化に有効で
ある。
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式 【化１】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素また
はフッ素を意味する）で表されるトリアルコキシシラン
化合物、（Ｂ）一般式 【化２】 （式中Ｒは、炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素また
はフッ素を意味する）で表されるジアルコキシシラン化
合物および（Ｃ）一般式 【化３】 （式中Ｍは原子価２の金属原子、Ｒ′は、炭素数１〜４
のアルキル基を意味する）または一般式 【化４】 （式中Ｍは原子価２の金属原子、Ｒ″は炭素数１〜４の
アルキレン基、Ｒ′は、炭素数１〜４のアルキル基を意
味する）で表される金属アルコキシド化合物を、触媒お
よび溶媒の存在下で加水分解、縮重合させて得られる反
応物を含んでなる酸化物被膜形成用塗布液。 - 【請求項２】 トリアルコキシシラン化合物、ジアルコ
キシシラン化合物および金属アルコキシド化合物を、ト
リアルコキシシラン化合物１モルに対してジアルコキシ
シラン化合物を０．２〜０．５モル、金属アルコキシド
化合物を０．０５〜０．２０モルの範囲とした請求項１
記載の酸化物被膜形成用塗布液。 - 【請求項３】 反応物の重量平均分子量を５００〜１
０，０００の範囲とした請求項１記載の酸化物被膜形成
用塗布液。 - 【請求項４】 請求項１記載の塗布液を、基体表面上に
塗布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜１，
０００℃で焼成する酸化物被膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32200593A JPH07173434A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32200593A JPH07173434A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07173434A true JPH07173434A (ja) | 1995-07-11 |
Family
ID=18138863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32200593A Pending JPH07173434A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | 酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07173434A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264523A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | Ｓｏｇ材料およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPH0992648A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Sony Corp | 塗布膜の形成方法 |
| WO2001083369A1 (fr) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Mitsui Chemicals, Inc. | Silice poreuse hydrofuge, son procede de preparation et d'utilisation |
| WO2008035820A1 (fr) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Jsr Corporation | Composition de résine de silicone et procédé de formation d'une isolation de tranchée |
| JP2008101206A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-05-01 | Jsr Corp | シリコーン樹脂、シリコーン樹脂組成物およびトレンチアイソレーションの形成方法 |
| JP2008266119A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-11-06 | Jsr Corp | シリコーン樹脂、シリコーン樹脂組成物およびトレンチアイソレーションの形成方法 |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP32200593A patent/JPH07173434A/ja active Pending
Cited By (7)
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