CN101202014A - 有源矩阵显示装置和电子装置 - Google Patents

Abstract

一种有源矩阵显示装置，包括其上具有扫描线、信号线和像素的基板。每个像素包括用于接收视频信号的采样晶体管、用于生成驱动电流的驱动晶体管以及发射具有与视频信号的亮度一致的光的发光设备。二端子薄膜发光设备包括阳极和阴极，以及布置于阳极和阴极间的发光层。将电极的至少一个划分成块，由此发光设备被划分成子发光设备，子发光设备从驱动晶体管接收驱动电流并发射具有与视频信号的亮度一致的光。包括短路缺陷的子发光设备与相应的像素之一分离，并且驱动电流被供应到其余子发光设备，由此维持与视频信号一致的亮度。

Description

有源矩阵显示装置和电子装置

技术领域

本发明涉及具有诸如有机EL设备的发光设备作为像素的有源矩阵显示装置，并涉及结合这种显示装置的电子装置。本发明特别涉及校正具有缺陷的像素的技术。

背景技术

近些年来，有机电致发光(EL)显示装置作为平板屏幕显示装置已经受到关注。由于该有机EL显示装置使用自发光设备作为像素，实现了宽视角，并进一步消除了对背光的需要，因此实现薄显示装置。此外，这种有机EL显示装置的使用降低了功率损耗，并导致即时响应。

这种有机EL显示装置包括基板和以矩阵方式排列于其上的有机EL设备。每个有机EL设备包括阳电极和阴电极以及夹在阳电极和阴电极之间并具有发光功能的有机发光层。

当生产有机EL设备时，如果大气中细小的污染物颗粒在粘附在阳极和阴极之间，则生成短路缺陷。在该情况下，有机EL设备不发射得以识别出所谓暗点缺陷的光。已经发展并公开了校正这种暗点缺陷的技术，例如在公开号为2003-178871、2003-233329和2003-280593的日本未审查专利申请中。

公开号为2003-178871的日本未审查专利申请公开了当由于短路而生成缺陷部分时，使用光学显微镜在具有暗点的像素中发现缺陷部分的技术。当发现短路缺陷部分时，发射激光束，使得短路缺陷部分处的有机EL层被隔离。当隔离了短路缺陷部分时，像素正常发光，即，校正了像素。

公开号为2003-233329的日本未审查专利申请公开了发射激光束到与有机EL设备中的暗点对应的短路缺陷部分上，以移除排列在包括像素中短路缺陷部分的区域中的电极。从而，其中电极被移除的有机EL设备的部分不发光。然而，由于电流流经有机EL设备的其余部分，所以像素发射光。因而，像素基本正常化。

公开号为2003-280593的日本未审查专利申请公开了使用包括多个子像素的像素的有源驱动显示装置。该显示装置包括至少一个像素单元，该像素单元具有由光调制设备形成的像素并具有用于驱动控制像素的有源设备，以驱动包括第一子像素和第二子像素的有源驱动显示装置。显示装置包括用于驱动控制第一子像素的第一子像素控制器，以显示包括中间色的多色调，并包括用于驱动控制第二子像素的第二子像素控制器，以进行亮显示或暗显示的二元显示。

发明内容

在公开号为2003-178871和2003-233329的日本未审查专利申请中公开的恢复像素技术中，激光束发射到小区域上，即包括有机EL设备的短路缺陷的部分上，以校正缺陷像素。具体地，在公开号为2003-178871的日本未审查专利申请中，通过向缺陷部分中的有机EL层发射激光束来隔离该缺陷部分中的有机EL层。在公开号为2003-233329的日本未审查专利申请中，缺陷部分中的电极被移除。在这两种情况下，将激光束发射到小区域上，即短路缺陷部分上，并且这使得校正处理很困难。而且，由于这种缺陷部分通常是小部分，需要很大努力使用显微镜来发现该缺陷部分。此外，由于将激光束发射到小区域上，校正处理变得复杂。

在公开号为2003-280593的日本未审查专利申请中，公开了一种处理暗点缺陷的技术，其中在像素中提供多个驱动晶体管作为子像素，并且排列子像素以使它们重叠并集成在像素中。然而在该技术中，驱动晶体管和开关晶体管的数量与子像素数量成比例地增加。另外，信号线数量和像素电容量也增加了。像素电路元件增加的数量是高分辨率面板生产中难度的重要因素。因而，现有技术具有使高分辨率面板的生产困难的缺点，并且没有满足当前高分辨率面板的强烈需求。

希望提供这样一种有源矩阵显示装置：该有源矩阵显示装置能够通过没有复杂配置的像素电路的简单操作来校正由于发光设备的短路缺陷而生成的暗点缺陷。根据本发明的实施例，提供了一种有源矩阵显示装置，其具有：作为供应控制信号的行的扫描线、作为供应视频信号的列的信号线、以矩阵排列以便与扫描线和信号线交叉点对应的像素、以及其上排列了扫描线、信号线和像素的基板，每个像素包括：采样晶体管，用于响应于控制信号之一而获得视频信号之一；驱动晶体管，用于根据所获得的视频信号生成驱动电流；以及发光设备，当供应驱动电流时，其发射具有与视频信号的亮度一致的光。发光设备包括：一对电极，即阳极和阴极；以及排列在电极对之间的发光层，因此，该发光设备是两端子薄膜设备。将对电极的至少一个分成多个块，由此发光设备被分成多个子发光设备。该多个子发光设备从驱动晶体管接收驱动电流，并发射具有总体上与视频信号的亮度一致的光。当子发光设备之一包括短路缺陷时，从相应像素之一分离包括短路缺陷的子发光设备，并且向其余的子发光设备供应驱动电流，并且使用其余子发光设备维持了与视频信号一致的亮度。

优选地，将通过划分电极对之一而获得的多个电极中的一个与通过相应的线路从单一驱动晶体管供应的电流的相应通路连接，并且当线路被从基板外部发射的激光束断开时，包括短路缺陷的子发光设备从当前通路分离。

相应地，多个像素的一个中包括的发光设备被预先划分成多个子发光设备，比如一对子发光设备。当在子发光设备对之一中生成短路缺陷时，包括短路缺陷的子发光设备从相应的多个像素电路之一分离。通过这样，很容易校正暗点缺陷。由于污染物颗粒的粘附所导致在子发光设备对的两个中生成短路缺陷的概率非常低。通常，仅在子发光设备对之一中生成短路缺陷。然而，当生成短路缺陷时，由于电流集中到短路部分上，子发光设备对的两个都不发光，导致生成像素中的暗点缺陷。相应地，在本发明的实施例中，由于包括短路缺陷的子发光设备从相应像素电路之一分离，因而将驱动电流供应到其余子发光设备，并且校正了暗点缺陷。在该校正处理中，可以消除发射到小区域上，即短路缺陷部分上的激光束，但是仅仅子发光设备之一从相应像素电路之一分离。相应地，简化了校正处理。特别地，在本发明中，没有使用在其中在多个像素的每一个中排列两个像素电路的多余结构，而是使用了多个像素的每个包括单一采样晶体管、单一驱动晶体管、以及多个子发光设备的多个像素的配置。从而，像素配置并不复杂。

附图说明

图1是阐述根据本发明的实施例的显示装置的基本配置的方框图；

图2是示意性示出图1中所示的显示装置的像素电路参考示例的电路图；

图3是示意性示出图2中所示像素电路参考示例的配置的剖面图；

图4是阐述图2中所示像素电路参考示例的剖面图；

图5是示意性阐述根据本发明实施例的显示装置的操作的剖面图；

图6是用于说明根据本发明实施例的显示装置的电路图；

图7为用于说明根据图6中所示实施例的显示装置的操作的电路图；

图8是阐述根据一个参考示例的显示装置的电路图；

图9是阐述根据本发明另一个实施例的显示装置的电路图；

图10是阐述根据本发明另一个实施例的显示装置的电路图；

图11A是阐述根据本发明另一个实施例的显示装置的电路图；

图11B是用于说明图11A中所示显示装置操作的时序图；

图12是阐述根据本发明另一实施例的显示装置的电路图；

图13是阐述根据本发明另一实施例的显示装置的电路图；

图14是阐述根据本发明另一实施例的显示装置的电路图；

图15是阐述根据本发明另一实施例的显示装置的电路图；

图16是阐述根据本发明另一实施例的显示装置的电路图；

图17是用于说明图16中所示的显示装置的操作的时序图；

图18是阐述根据本发明实施例的显示装置一个示例的模块配置的平面图；

图19是阐述包括根据本发明任一实施例的显示装置的电视机的透视图；

图20A和20B是阐述包括根据本发明任一实施例的显示装置的数码相机的透视图；

图21是阐述包括根据本发明任一实施例的显示装置的膝上型个人计算机的透视图；

图22A和22B是阐述包括根据本发明任一实施例的显示装置的移动终端装置的示意图；以及

图23是阐述包括根据本发明任一实施例的显示装置的摄像机的透视图。

具体实施方式

以下将参考附图描述本发明的实施例。图1是阐述有源矩阵显示装置的整体配置的方框图。如图1所示，有源矩阵显示装置包括：像素阵列部分1，其是该装置主要部分；以及外围电路。外围电路包括信号驱动器3、写扫描器4和驱动扫描器5。像素阵列部分1包括以矩阵排列以便与作为行的扫描线WS和作为列的信号线SL的交叉点对应的像素R、G和B。虽然提供像素R、G和B用于进行颜色显示，但本发明不限于此。由信号驱动器3驱动信号线SL。信号驱动器3向信号线SL供应视频信号。由写扫描器4扫描扫描线WS。注意，其它扫描线DS也与扫描线WS平行排列。由驱动扫描器5扫描扫描线DS。写扫描器4和驱动扫描器5组成扫描器部分，并且在每个水平期顺序驱动像素行。当使用扫描线WS选择像素时，采样从信号线SL供应的视频信号。当使用扫描线DS进一步选择像素时，响应于所采样的视频信号而驱动像素中包括的发光设备。

通常将像素阵列部分1排列在例如玻璃基板的绝缘基板上，并且形成平板。每个像素包括发光设备和用于驱动发光设备的像素电路。每个像素电路包括非晶态硅薄膜晶体管(TFT)或低温多晶硅TFT。当使用非晶态硅TFT时，扫描器部分由与平板分离的TAB(带式自动接合(tape automated bonding))构成，并且使用柔性电缆与平板连接。另一方面，当使用低温多晶硅TFT时，由于扫描器部分可以由与像素单元相同的低温多晶硅TFT构成，因而在平板上整体形成像素阵列部分1和扫描器部分。

图2是示意性示出图1中所示的显示装置的像素配置参考示例的电路图。如图2所示，每个像素包括像素电路2和发光设备EL。像素电路2包括N沟道采样晶体管Tr1、P沟道驱动晶体管Tr2，N沟道开关晶体管Tr3和保持电容Cs。N沟道采样晶体管Tr1至N沟道开关晶体管Tr3为薄膜晶体管(TFT)，而保持电容Cs为薄膜电容元件。发光设备EL包括电极对，即阳极A和阴极K，并包括夹在两者之间的发光层，因此是二端子薄膜设备。

P沟道驱动晶体管Tr2的源极S与电源但是Vcc连接。P沟道驱动晶体管Tr2的漏极D通过N沟道开关晶体管Tr3与发光设备EL的阳极A连接。N沟道开关晶体管Tr3的栅极通过相应扫描线DS之一与驱动扫描器5连接。发光设备EL的阴极K与地电势GND连接。P沟道驱动晶体管Tr2的栅极G通过N沟道采样晶体管Tr1与相应信号线SL之一连接。N沟道采样晶体管Tr1的栅极通过相应扫描线WS之一与写扫描器4连接。保持电容Cs连接在P沟道驱动晶体管Tr2的栅极G和电源电势Vcc之间。

将采取一个像素电路作为示例来描述像素电路2的操作。首先，扫描线WS之一达到选择状态(此后称为“高电平状态”)。当将视频信号从信号驱动器3供应到相应信号线SL之一时，N沟道采样晶体管Tr1达到传导状态，并且将视频信号写入保持电容Cs。被写入保持电容Cs的视频信号的信号电势为P沟道驱动晶体管Tr2的栅极电势。随后扫描线WS之一达到非选择状态(此后称为“低电平状态”)，并且相应信号线SL之一和P沟道驱动晶体管Tr2相互电断开。然而，P沟道驱动晶体管Tr2的栅极电势Vgs由保持电容Cs稳定保持。随后，扫描线DS之一达到选择状态(此后称为“高电平状态”)，N沟道开关晶体管Tr3达到传导状态，并且驱动电流从电源电势Vcc经过P沟道驱动晶体管Tr2、N沟道开关晶体管Tr3和发光设备EL流向地电势GND。当扫描线DS之一达到非选择状态时，N沟道开关晶体管Tr3截止，并且驱动电流停止流动。N沟道开关晶体管Tr3用于控制发光设备EL的发光时间。

流经P沟道驱动晶体管Tr2和发光设备EL的驱动电流具有与P沟道驱动晶体管Tr2的栅极G和源极S之间电压Vgs相应的值。发光设备EL发出具有根据电流值的亮度的光。如上所述，将选择扫描线WS之一并将被供应到相应信号线SL之一的视频信号供应到像素电路2内部的操作称为“写入”。如上所述，一旦写入视频信号，发光设备EL保持发射具有一定亮度的光，直到写入下一视频信号。

图3是示意性详细示出图2中所示的像素的层配置的剖面图。出于简单示出两个像素。如图3所示，在诸如玻璃基板的基板10上形成像素。基板10的背表面覆盖有诸如金属膜的遮光膜11。如上所述，每个像素通常包括发光设备EL和用于驱动发光设备EL的像素电路2。包括诸如薄膜晶体管和薄膜电容的薄膜设备的每个像素电路2排列在基板10上。电源线(Vcc)12也排列在基板10上。像素电路2和电源线12覆盖有平坦膜13。在平面膜13上形成发光设备EL。每个发光设备EL包括阳极A、阴极K、和插入两者之间的有机发光层14。将阳极A之一提供给每个像素，并且通过在平面膜13中形成的相应接触孔之一与相应像素电路2之一连接。除阳极A之外，辅线(auxiliary line)(GND)15也排列在平面膜13上。阳极A和辅线15覆盖有有机发光层14。在有机发光层14上形成阴极K。正常形成用于像素的阴极K，并且该阴极K通过在有机发光层14中形成的接触孔与辅线(GND)15连接。阴极K由诸如ITO的透明电极材料形成。

图4是示出像素的短路缺陷的示意图。出于简单，在图4中使用与图3中所示的附图标记相同的附图标记，以指示相同的组件。在图4所示的两个像素中，左侧像素为正常像素，而右侧像素具有短路缺陷并且因此具有暗点缺陷。具体地，粘附在阴极K和阳极A之间的可传导污染物颗粒17导致短路缺陷。在左侧的正常像素中，通过像素电路2将驱动电流从电源线(Vcc)12供应到阳极A。通过有机发光层14进一步将驱动电流供应到阴极K，并且进一步供应到辅线(GND)15以接地。因而，发光设备EL进行具有根据驱动电流亮度的正常发光。另一方面，在具有短路缺陷的右侧像素中，从像素电路2供应到阳极A的驱动电流不供应到有机发光层14，而是集中在可传导污染物颗粒17上，并且其后被供应到阴极K和辅线15以接地。相应地，尽管供应驱动电流，但是有机发光层14几乎不光，导致暗点缺陷。由于暗点缺陷的生成导致图像质量的劣化，因而应该校正缺陷。缺陷的校正导致面板生产成品率的改善。

图5是示意性示出根据本发明的有源矩阵显示装置的部分剖面图。出于简单，在图5中使用与图3和4中所示的附图标记相同的附图标记，以指示相同组件。根据本发明的有源矩阵显示装置包括作为主要供应控制信号的行的扫描线、作为供应视频信号的列的信号线、排列以与扫描线和信号线的交叉点相应的像素以及基板10。扫描线、信号线和像素排列在基板10上。注意，遮光膜11形成在基板10的背表面上。

每个像素包括响应于控制信号而接收视频信号并且根据所供应的视频信号生成驱动电流的像素电路2，以及响应于所供应的驱动电流发出具有根据所供应的视频信号的亮度的光的发光设备EL。发光设备EL包括一对电极，即，阳极A和阴极K，并包括夹在两者之间的发光层14，因而为二端子薄膜设备。根据本发明，将电极对的至少一个划分成至少两部分，由此发光设备EL被划分成一对子发光设备EL1和EL2。在图5中所示示例中，阳极A被划分成阳极A1和A2，而正常形成用于像素的阴极K。在发现由于可传导污染物颗粒17的粘附而在子发光设备EL1中生成短路缺陷的情况下，从像素电路2分离子发光设备EL1，使得驱动电流仅供应到正常子发光设备EL2，由此维持具有与视频信号的亮度一致的发光。

所划分的电极A1和A2通过线路与像素电路2连接。当线路被从基板10外部发射的激光束断开时，其中生成短路缺陷的子发光设备EL1与像素电路2断开。注意，像素电路2由包括薄膜晶体管和薄膜电容的薄膜设备形成。类似于上面所述，薄膜设备覆盖有平面膜13，并且在平面膜13上形成发光设备EL。

图6是示出根据图5中所示的本发明的显示装置的电路配置的电路图。出于简单，在图6中使用与图2中所阐述参考示例的像素配置中的附图标记相同的附图标记，以指示相同组件。配置基本上与图2中所阐述参考示例的像素配置相同，并且像素电路2包括采样晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2、开关晶体管Tr3、和保持电容Cs。图6中所示配置不同于图2中所示配置在于，发光设备被划分成两部分，即发光设备由子一对子发光设备EL1和EL2组成。子发光设备EL1具有与开关晶体管Tr3连接的阳极和接地的阴极。子发光设备EL2具有与开关晶体管Tr3连接的阳极和接地的阴极，这是与子发光设备EL1类似的配置。在子发光设备EL1和EL2两者都正常的情况下，从驱动晶体管Tr2供应的驱动电流被划分，并且被供应到子发光设备EL1和EL2两者。相应地，子发光设备EL1和EL2的发光总亮度与驱动电流相应。

在该实施例中，尽管驱动晶体管被划分成两个子发光设备，但是本发明不局限于此。驱动晶体管可以被划分成三个部分、四个部分或者更多。如像素电路的剖面图所示，像素中的阳电极被划分成多个部分(在该实施例中为两个部分)。所划分的阳电极通过开关晶体管Tr3与单一驱动晶体管Tr2连接。所划分的子发光设备与公共驱动晶体管Tr2连接，并且由驱动晶体管Tr2控制的电流值被一分为二，并且将所划分的电流值的电流供应到子发光设备。光发射亮度与发光面积无关，而是取决于所供应的电流值。相应地，将发光设备划分成子发光设备不会导致亮度劣化。如上所述，由于发光设备被划分成子发光设备，因而可以校正暗点缺陷。

在该实施例中，采取像素被划分成两个子像素的情况作为示例。假定灰尘粘附到通过划分发光设备EL所获得的子发光设备EL1上，并且因此暗点缺陷发生。该情况下像素的等价电路如图6所示。如图5所示，由于灰尘(可传导污染物颗粒)17，子发光设备EL1的阳极和阴极之间的连接短路。相应地，在每个子发光设备EL1和EL2中，阳极和阴极的电势变得大体相同，因此，电流几乎不供应到发光设备EL1，导致生成暗点。然而，在根据本发明的像素电路中，校正了暗点缺陷。例如，通过激光束，断开由于灰尘而短路的子发光设备EL1的TFT侧线路或阳极线。通过这样，短路的子发光设备EL1进入浮动状态(floating state)，并且没有短路的子发光设备EL2发光。这里，由于从驱动晶体管Tr2供应的电流量没有改变，因而，即使当仅具有发光设备EL的一半的面积的子发光设备EL2用于发光时，亮度也不会劣化。在这种情况下，每个像素面积的电流量增加。在子发光设备EL2短路的情况下，进行类似处理。

图7是阐述当子发光设备EL1中生成短路缺陷时所进行的校正操作的示意图。假定灰尘粘附到通过划分发光设备EL所获得的子发光设备EL1，因此生成短路缺陷。在这种情况下，由于由驱动晶体管Tr2供应的大多数驱动电流经过短路缺陷部分流到地电势GND，因而子发光设备对EL1和EL2几乎不发光，导致暗点缺陷。在本发明的实施例中，为了克服该问题，通过激光束断开其中生成短路缺陷的子发光设备EL1的阳极线18。相应地，其中生成短路缺陷的子发光设备EL1进入浮动状态，并且驱动电流全部供应到正常子发光设备EL2，并且子发光设备EL2发射具有预定亮度的光。这里，由于从驱动晶体管Tr2供应的驱动电流量没有改变，因而，即使当仅将具有处于正常状态完全发光的发光设备EL的面积的一半的子发光设备EL2用于发光时，亮度也不会劣化。另一方面，在子发光设备EL2中生成短路缺陷的情况下，子发光设备EL2从开关晶体管Tr3分离，并且只有正常的子发光设备EL1用于光发光。相应地，通过使用如上所述的激光束校正暗点缺陷，有机EL面板的生产成品率显著提高。注意，由于污染物颗粒的粘附而生成短路缺陷的概率非常低，即十万分之一或百万分之一。因此，同时在子发光设备EL1和EL2对两者中生成短路缺陷的概率非常低。因此，本实施例的校正方法在用于提高成品率的实际使用中显著有效。通常，引起暗点的灰尘相当小，因此与发光面积相比较，粘附灰尘的面积非常小。相应地，尽管可能在通过划分发光设备EL所获得的一个或更多个子发光设备中生成暗点，但是由于灰尘而在所有子发光设备中生成暗点的概率相当低。即，发光设备被划分成多个子发光设备，并且该多个子发光设备与公共驱动晶体管连接。这使得能够使用激光束校正暗点缺陷，并能够显著提高有机EL面板的生产成品率。

图8是阐述参考示例的显示装置的电路图。出于简单，在图8中使用与图6中所示显示装置的附图标记相同的附图标记，以指示相同组件。如图8所示，显示装置包括像素电路2和用于驱动控制像素电路2的有源设备。每个像素电路2包括第一子像素和第二子像素。第一和第二子像素具有相同配置，即第一和第二子像素组成冗余结构(redundant structure)。第一和第二子像素的一个包括采样晶体管Tr1A、驱动晶体管Tr2A、开关晶体管Tr3A和保持电容CsA。另一个包括采样晶体管Tr1B、驱动晶体管Tr2B、开关晶体管Tr3B和保持电容CsB。在该参考示例中，每一像素电路2被划分成一对子像素，而在本发明实施例中，仅将每个发光设备划分成一对子发光设备。

图9是阐述根据本发明的图6中所示的显示装置的变型的电路图。出于简单，在图9中使用与图6中所示显示装置的附图标记相同的附图标记，以指示相同组件。图9中所示的显示装置与图6中所示的显示装置的不同之处在于，附加晶体管Tr9排列在子发光设备EL2和开关晶体管Tr3之间。使用多个扫描线TL中的另一个控制附加晶体管Tr9的栅极。在正常发光期间，当选择扫描线TL之一时，附加晶体管Tr9导通，并且子发光设备EL2与开关晶体管Tr3连接。

在图6和7中所示的实施例中，例如，需要使用光学显微镜指明子发光设备对EL1和EL2中的哪一个包括短路缺陷。即，需要使用光学显微镜指明子发光设备对EL1和EL2中的哪个引起像素的暗点缺陷。另一方面，在图9所示的变型中，利用附加晶体管Tr9指明其中生成短路缺陷的子发光设备。具体地，在将驱动电流供应到引起暗点缺陷的像素的同时，附加晶体管Tr9截止。在这种状态中，当像素仍然引起暗点缺陷时，确定子发光设备EL1包括短路缺陷。另一方面，当校正例如暗点缺陷被时，确定子发光设备EL2包括短路缺陷。如上所述，仅仅通过导通/截止附加晶体管Tr9来指明具有短路缺陷的子发光设备。指明具有短路缺陷的子发光设备之后所进行与图7相同的校正方法。

图10是阐述根据本发明显示装置的另一个实施例的电路图。出于简单，在图10中使用与图6中所示显示装置的附图标记相同的附图标记，以指示相同组件。该实施例与图6中所示的实施例的相同之处在于划分发光设备，但是像素电路2的具体配置不同。如图10中所示，每一像素电路2包括N沟道晶体管Tr1、Tr2和Tr3，以及保持电容Cs。发光设备EL连接在驱动晶体管Tr2的源极S和地电势GND之间。根据本发明该实施例，将发光设备EL划分成多个子发光设备EL1、EL2和EL3。子发光设备EL1的阳极与驱动晶体管Tr2的源极S连接，而子发光设备EL1的阴极与地电势连接。其它每个子发光设备EL2和EL3具有与子发光设备EL1类似的配置，即每个子发光设备EL2和EL3的阳极与驱动晶体管Tr2的源极S连接，并且每个子发光设备EL2和EL3的阴极与地电势连接。驱动晶体管Tr2的源极S与开关晶体管Tr3的漏极和保持电容Cs的第一电极连接，并且驱动晶体管Tr2的栅极G与保持电容Cs的第二电极连接。开关晶体管Tr3的源极与恒定电势(在该实施例中为地电势GND)连接，并且开关晶体管Tr3的栅极与多个扫描线DS的相应一个连接。采样晶体管Tr1的源极和漏极连接在多个信号线SL的相应一个和驱动晶体管Tr2的栅极G之间。采样晶体管Tr1的栅极与多个扫描线WS的相应一个连接。注意，驱动晶体管Tr2的漏极D与电源电势Vcc连接。

根据该实施例，由于驱动晶体管Tr2的源极S与子发光设备EL1、EL2和EL3的阳极连接，驱动晶体管Tr2的漏极D与电源电势Vcc连接，保持电容Cs连接在驱动晶体管Tr2的栅极G和源极S之间，并且驱动晶体管Tr2的源极电势通过开关晶体管Tr3与恒定电势连接，因而获得了以下优点。即，即使发光设备EL的I-V特性随时间改变，也能够进行实现亮度无劣化的源极跟随器输出。相应地，由于将驱动晶体管Tr2配置为源极跟随器电路，因而将N沟道晶体管用作被包括在发光设备EL中的驱动晶体管Tr2，同时使用迄今已用在驱动晶体管Tr2中的阳电极和阴电极。相应地，由于像素电路2仅包括N沟道晶体管，因而在TFT生产时可以使用a-Si处理。因此，降低了TFT基板的生产成本。

根据图10中所示实施例的详细操作，在采样期间采样晶体管Tr1导通，从信号驱动器3供应到信号线SL的视频信号经历了采样处理，并且将所采样的视频信号存储在保持电容Cs中。这时，开关晶体管Tr3处于导通状态，并且保持电容Cs的第一电极固定到地电势GND。随后，当进入发光期时，扫描线DS的相应一个进入非选择状态，并且开关晶体管Tr3截止。因此，驱动晶体管Tr2的源极S与地电势GND分离，并且根据存储在保持电容Cs中的栅极电势Vgs将驱动电流供应到发光设备EL。由于供应驱动电流，发光设备EL的阳极电势增加，相应地，驱动晶体管Tr2的源极电势增加。由于保持电容Cs的第一电极与地电势分离，因而进行自举操作，并且响应于源极电势的增加，栅极电势增加。相应地，存储在保持电容Cs中的栅极电势Vgs维持恒定。如所述，驱动晶体管Tr2作为源极跟随器恒定电流源操作，并且可以提供根据与发光设备EL的I-V特性变化无关的栅极电势Vgs所获得的恒定驱动电流。

本发明适用于多种类型的像素电路，比如由电压驱动的使用阈值电压校正方法的像素电路和使用迁移率校正方法的像素电路、由电流驱动的像素电路、电流差分电路以及比较器电路等。例如，图11A中所示的像素电路包括四个P沟道晶体管Tr1至Tr4，两个电容Cs1和Cs2，以及发光设备EL。晶体管Tr2为驱动晶体管，晶体管Tr3和Tr4为开关晶体管，而晶体管Tr1为采样晶体管。驱动晶体管Tr2的第一电流端子(源极)与电源Vcc连接，并且驱动晶体管Tr2的第二电流端子(漏极D)通过开关晶体管Tr3与子发光设备EL1和EL2的阳极连接。子发光设备EL1和EL2的阴极与地电势GND连接。开关晶体管Tr3的栅极与平行于扫描线WS排列的漏极驱动线(扫描线)DS的相应一个连接。驱动晶体管Tr2的漏极D通过开关晶体管Tr4与驱动晶体管Tr2的栅极G连接。开关晶体管Tr4的栅极与平行于扫描线WS排列的多个自动零线AZ的相应一个连接。采样晶体管Tr1的第一电流端子与保持电容Cs1的第一端子和保持电容Cs2的第一端子连接。保持电容Cs1的第二端子与预定电源连接。保持电容Cs2的第二端子与驱动晶体管Tr2的栅极G连接。采样晶体管Tr1的第二电流端子与多个信号线SL的相应一个。相应地，采样晶体管Tr1的第一电流端子和驱动晶体管Tr2的控制端子(栅极G)通过保持电容Cs2相互AC连接。采样晶体管Tr1的栅极与扫描线WS的相应一个连接。

图11B示出用于说明图11A中所示像素电路操作的时序图。该时序图阐述了分别与晶体管Tr3、Tr4和Tr1的控制端子(栅极)连接的扫描线DS的相应一个、自动零线AZ的相应一个和扫描线WS的相应一个的电压变化(即控制信号的波形)。另外，该时序图阐述了信号线SL之一的信号电势的变化，以及驱动晶体管Tr2栅极电势变化的波形。

在第一准备期J1中，扫描线DS的相应一个和自动零线AZ的相应一个的电势处于低电平状态，从而晶体管Tr3和Tr4达到传导状态。这时，由于驱动晶体管Tr2以二极管形式与发光设备EL连接，因而漏极电流被供应到晶体管Tr2。

在相继的自动零期J2中，扫描线DS的相应一个的电势变为高电平状态，从而开关晶体管Tr3达到非传导状态。这时，扫描线WS的相应一个处于低电平状态，并且由此采样晶体管Tr1达到传导状态，并且参考电势Vref被供应到信号线的相应一个。由于供应到驱动晶体管Tr2的电流被阻断，驱动晶体管Tr2的栅极电势增加。当驱动晶体管Tr2的栅极电势增加到Vcc-|Vth|的值时，驱动晶体管Tr2达到非传导状态，并且得到稳定电势。将该操作称为“自动零操作”。进行自动零操作以便将与驱动晶体管Tr2阈值电压Vth相应的电压写到驱动晶体管Tr2的栅极G。

随后，在数据写入期间J3中，自动零线AZ的相应一个变为高电平状态，由此开关晶体管Tr4达到非传导状态。另外，信号线的相应一个的电势变为比值Vref低了信号电压ΔVdata的电势。通过电容Cs2，信号线电势中的这种变化使驱动晶体管Tr2栅极电势降低了ΔVg。

在发光期J4中，扫描线WS的相应一个变为高电平状态，由此采样晶体管Tr1达到非传导状态，并且扫描线DS的相应一个变为低电平状态，从而开关晶体管Tr3达到传导状态。相应地，输出电流被供应到驱动晶体管Tr2和发光设备EL，由此子发光设备EL1和EL2发光。

在数据写入期J3中，当假定忽略寄生电容时，值ΔVg和驱动晶体管Tr2的栅极电势Vg由以下等式(1)和(2)表示。

ΔVg＝ΔVdata×Cs1/(Cs1+Cs2)           (1)

Vg＝Vcc-|Vth|-ΔVdata×Cs1/(Cs1+Cs2)    (2)

在发光期J4中，使用与串联的子发光设备EL1和EL2连接的驱动晶体管Tr2控制供应到发光设备EL的电流值(此后称为电流Ioled)。假定驱动晶体管Tr2操作在饱和区，使用上述MOS晶体管的公知特性等式(1)和等式(2)，将电流Ioled表示为以下等式(3)。

Ioled＝μ·Cox(W/L)(1/2)(Vcc-Vg-|Vth|)2

＝μ·Cox(W/L)(1/2)(ΔVdata×Cs1/(Cs1+Cs2))2    (3)

其中μ表示驱动晶体管Tr2的多数载流子迁移率，Cox表示每单元面积的栅极电容，W表示栅极宽度，并且L表示栅极长度。根据等式(3)，Ioled与驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth无关，但是受外部供应的信号电压ΔVdata控制。换句话说，使用图11A中所示像素电路实现了这种显示装置：其与对于每个像素变化的驱动晶体管阈值电压Vth无关，并且具有比较高的电流均匀性和亮度均匀性。

本发明同样适用于具有校正驱动晶体管阈值电压Vth变化功能的像素电路。图12是阐述具有校正驱动晶体管阈值电压Vth变化功能的像素电路的一个实施例的电路图。出于简单，在图12中使用与图2中所示的附图标记相同的附图标记，以指示相同组件。如图12所示，该实施例的像素电路包括五个P沟道晶体管Tr1至Tr5，两个像素电容Cs1和Cs2，以及两个子发光设备EL1和EL2。像素电路包括作为基本晶体管设备的采样晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2、用于亮度控制的开关晶体管Tr3和用于校正阈值电压Vth的开关晶体管Tr4和Tr5。使用校正扫描器7通过多个扫描线(自动零线)AZ的相应一个来控制每个开关晶体管Tr4和Tr5，在视频信号经历采样处理之前检测驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth，并且在保持电容Cs1中保持与所检测阈值电压Vth相应的电压。相应地，消除了驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth。通过这样，即使驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth对于每个像素变化，也可以消除由这种不同产生的影响。

此外，本发明适用于具有校正驱动晶体管阈值电压Vth和迁移率μ变化功能的像素电路。图13是阐述根据本发明实施例的具有校正驱动晶体管阈值电压Vth和迁移率μ的变化的功能的像素电路的电路图。像素电路2包括五个薄膜晶体管Tr1至Tr5，保持电容(像素电容)Cs，以及包括子发光设备EL1和EL2的发光设备EL。晶体管Tr1、Tr2、Tr4和Tr5为N沟道多晶硅TFT。仅晶体管Tr3为P沟道多晶硅TFT。保持电容Cs组成像素电路2的像素电容。例如，每个发光设备EL1和EL2是具有阳极和阴极的二极管有机EL设备。注意，本发明不限于此，而是每个发光设备可以是通过驱动电流而发光的任意设备。

作为像素电路2的主要部分的驱动晶体管Tr2具有与像素电容Cs一个端子连接的栅极G，并且具有与像素电容Cs另一端子连接的源极S。驱动晶体管Tr2的栅极G通过开关晶体管Tr4与参考电势Vss1连接。驱动晶体管Tr2的漏极通过开关晶体管Tr3与电源Vcc连接。开关晶体管Tr4的栅极与多个扫描线AZ1的相应一个连接，并且开关晶体管Tr3的栅极与多个扫描线DS的相应一个连接。每个子发光设备EL1和EL2的阳极与驱动晶体管Tr2的源极S连接，并且每个子发光设备EL1和EL2的阴极接地。可以在下文将地电势称为地电势Vcath。开关晶体管Tr5连接在驱动晶体管Tr2的源极S和预定参考电势Vss2之间。开关晶体管Tr5的栅极与多个扫描线AZ2的相应一个连接。采样晶体管Tr1连接在多个信号线SL的相应一个和驱动晶体管Tr2的栅极G之间。采样晶体管Tr1的栅极与多个扫描线WS的相应一个连接。

在该配置中，采样晶体管Tr1响应于从扫描线WS的相应一个供应的控制信号WS而达到传导状态，对从信号线SL的相应一个供应的视频信号Vsig进行采样处理，并且将所采样的信号供应到像素电容Cs。像素电容Cs响应于所采样视频信号Vsig，在驱动晶体管Tr2的栅极G和源极S之间施加输入电压Vgs。在预定光发射期中，驱动晶体管Tr2将根据输入电压Vgs的输出电流Ids供应到发光设备EL。注意，输出电流(漏极电流)Ids取决于驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth和沟道面积中的载流子迁移率μ。从驱动晶体管Tr2所供应的输出电流Ids驱动发光设备EL，以发射具有与视频信号Vsig的亮度一致的光。

根据该实施例，每个像素电路2包括由开关晶体管Tr3和Tr4组成的校正单元。该校正单元校正在光发射期较早阶段中被预先存储在像素电容Cs中的输入电压Vgs，以便消除输出电流Ids对载流子迁移率μ的依赖性。具体地，校正单元(开关晶体管Tr3和Tr4)在采样期的部分中根据分别从扫描线WS的相应一个和扫描线DS的相应一个所供应的控制信号WS和DS而操作，并通过在视频信号Vsig经历了采样处理之后从驱动晶体管Tr2获得输出电流Ids、以及通过对要被供应到像素电容Cs的输出电流Ids进行负反馈而校正输入电压Vgs。校正单元(开关晶体管Tr3和Tr4)检测驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth，并在进入采样期之前将所检测的阈值电压Vth添加到输入电压Vgs上，以便消除输出电流Ids对阈值电压Vth的依赖性。

在该实施例中，N沟道驱动晶体管Tr2的漏极与电源Vcc连接，并且其源极S与发光设备EL连接。在这种情况下，校正单元在与采样期间的较晚阶段重叠的光发射期间的较早阶段中从驱动晶体管Tr2获得输出电流Ids，并进行负反馈以将输出电流Ids供应到像素电容Cs。这时，校正单元在光发射期间的较早阶段中控制从驱动晶体管Tr2的源极S获得的输出电流Ids以将其供应到发光设备EL中所包括的电容。具体地，发光设备EL是具有阳极和阴极的二极管发光设备。其阳极与驱动晶体管Tr2的源极S连接，并且其阴极接地。在该配置中，校正单元(开关晶体管Tr3和Tr4)将发光设备EL的阳极和阴极设置到反向偏置状态。相应地，当将从驱动晶体管Tr2的源极S获得的输出电流Ids供应到发光设备EL时，二极管发光设备EL用作电容元件。在采样期间中，使用校正单元从驱动晶体管Tr2获得输出电流Ids的持续时间t是可调整的，并且相应地，用于像素电容Cs的输出电流Ids的负反馈量得以优化。

本发明适于由电流驱动的像素电路。图14是阐述由电流驱动的像素电路实施例的电路图。如图14所示，多个像素中的每个包括像素电路2和具有子发光设备EL1和EL2的发光设备EL。像素电路2包括N沟道采样晶体管Tr1、P沟道驱动晶体管Tr2、N沟道开关晶体管Tr3和Tr4、和保持电容Cs。晶体管Tr1至Tr4为薄膜晶体管(TFT)，并且保持电容Cs为薄膜电容元件。每个子发光设备EL1和EL2具有一对电极，即阳极A和阴极K，并具有发光层，因此为二端子薄膜设备。

P沟道驱动晶体管Tr2的源极S与电源Vcc连接。P沟道驱动晶体管Tr2的漏极D通过N沟道开关晶体管Tr3与每个子发光设备EL1和EL2的阳极连接。N沟道开关晶体管Tr3的栅极通过扫描线DS的相应一个与驱动扫描器5连接。每个子发光设备EL的阴极与地电势GND连接。驱动晶体管Tr2的栅极G通过采样晶体管Tr1与多个信号线SL的相应一个连接。信号线SL与电流驱动器3a连接。采样晶体管Tr1的栅极通过多个扫描线WS的相应一个与写扫描器4连接。保持电容Cs连接在驱动晶体管Tr2的栅极和电源Vcc之间。开关晶体管Tr4连接在驱动晶体管Tr2的栅极和漏极之间。开关晶体管Tr4的栅极通过扫描线AZ的相应一个与校正扫描器7连接。

现在将描述由电流驱动的像素电路的操作。在扫描线DS的相应一个处于低电平状态的状态下，扫描线WS的相应一个和自动零线AZ的相应一个被设置到高电平状态。相应地，开关晶体管Tr3处于截止状态，而采样晶体管Tr1和开关晶体管Tr4导通。电流驱动器3a通过驱动信号线SL的相应一个来供应信号电流Isig。因此，从电源Vcc通过驱动晶体管Tr2、开关晶体管Tr4和采样晶体管Tr1将信号电流Isig供应到信号线SL的相应一个。这时，在驱动晶体管Tr2的源极和漏极之间生成的栅极电压Vgs被写到像素电容Cs。其后，扫描线WS的相应一个和自动零线AZ的相应一个返回到低电平状态，并且在像素电容Cs中保持栅极电势Vgs。随后，扫描线DS的相应一个变化到高电平状态，从而开关晶体管Tr3导通。相应地，从电源Vcc通过驱动晶体管Tr2和开关晶体管Tr3将驱动电流Ids供应到子发光设备EL1和EL2。基于栅极电压Vgs确定驱动电流Ids的值。这里，通过供应驱动电流Ids已经预先将栅极电压Vgs的值写入像素电容Cs中。相应地，驱动电流Ids与信号电流Isig相同。在该像素电路中，由信号电流Isig驱动子发光设备EL1和EL2。

图15示出了由电流差驱动的像素电路的示例。多个像素电路2中的每个包括六个薄膜晶体管Tr1至Tr6，两个像素电容Cs1和Cs2，以及包括两个子发光设备EL1和EL2的发光元件EL。晶体管Tr1、Tr3、Tr4、Tr5和Tr6为N沟道开关晶体管。晶体管Tr2是用于驱动子发光设备EL1和EL2的P沟道驱动晶体管。在该实施例中，六个薄膜晶体管Tr1至Tr6具有由低温多晶硅薄膜形成的沟道区域。例如，发光设备EL是包括了阳极和阴极的二端子设备，并且由有机EL发光设备形成。注意，在该实施例中，晶体管Tr1、Tr3、Tr4、Tr5和Tr6为N沟道晶体管。然而，晶体管Tr1、Tr3、Tr4、Tr5和Tr6可以是P沟道晶体管，或者可以是N沟道晶体管和P沟道晶体管的组合。

驱动晶体管Tr2的源极S与电源Vcc连接。驱动晶体管Tr2的漏极D与每个子发光设备EL1和EL2的阳极连接。每个子发光设备EL1和EL2的阴极接地。驱动晶体管Tr2的栅极G与像素电容Cs2的第一端子连接，并且像素电容Cs2的第二端子与像素电容Cs1的第一端子连接，并且像素电容Cs1的第二端子与电源Vcc连接。

采样晶体管Tr1的源极和漏极分别与多个信号线SL的相应一个和驱动晶体管Tr2的栅极G连接。采样晶体管Tr1的栅极通过多个扫描线的相应一个WS1与第一写扫描器41连接。开关晶体管Tr5的源极和漏极分别与驱动晶体管Tr2的栅极G和像素电容Cs1的第一端子连接。开关晶体管Tr5的栅极通过多个扫描线WS2的相应一个与第二写扫描器42连接。开关晶体管Tr6的源极和漏极分别与像素电容Cs1和Cs2连接。开关晶体管Tr6的栅极通过多个扫描线WS3的相应一个与第三写扫描器43连接。开关晶体管Tr4的源极和漏极分别与驱动晶体管Tr2的栅极G和漏极D连接。开关晶体管Tr4的栅极通过多个扫描线AZ的相应一个与校正扫描器7连接。开关晶体管Tr3的源极和漏极分别与驱动晶体管Tr2的漏极D和发光设备EL的阳极连接。开关晶体管Tr3的栅极通过多个扫描线DS的相应一个与驱动扫描器5连接。

如上所述，排列图15中所示像素电路以便与供应控制信号的扫描线WS1、WS2、WS3、AZ和DS的交叉点对应。每个像素电路2包括子发光设备EL1和EL2、向子发光设备EL1和EL2供应驱动电流Ids的驱动晶体管Tr2、根据控制信号WS1、WS2、WS3、AZ和DS操作并且根据信号电流Isig控制从驱动晶体管Tr2供应的驱动电流Ids的控制器。该控制器包括第一采样单元、第二采样单元和差分单元。第一采样单元包括晶体管Tr1、Tr6和Tr4，以及像素电容Cs2，并且第一采样单元对被供应到每个信号线SL的信号电流Isig进行采样处理。第二采样单元包括晶体管Tr1、Tr5、Tr6和Tr4，以及像素电容Cs1，并且大约在信号电流Isig经历采样处理时对被供应到信号线SL的每个的预定参考电流Iref进行采样处理。差分单元包括晶体管Tr1、Tr6和Tr4，以及一对像素电容Cs1和Cs2，并且根据所采样的参考电流Iref和所采样的信号电流Isig之间的差生成控制电压(Vref-Vsig)/2。驱动晶体管Tr2在其栅极G处接收控制电压(Vref-Vsig)/2，并且将在源极S和漏极D之间流动的驱动电流Ids供应到发光设备EL，以进行光的发射。

当分别使用第一和第二采样单元而采样的信号电流Isig和参考电流Iref之间的相对差别较小时，子发光设备EL1和EL2的发光量变小，而当相对差别较大时，发光量变大。然而，即使当相对差别较小时，也要将信号电流Isig和参考电流Iref的绝对电平设置成较大，以便经历采样处理。

除了上述第一和第二采样单元以及差分单元之外，像素电路2的控制器还包括校正单元。校正单元包括开关晶体管Tr5和Tr4，以及像素电容Cs1。校正单元检测驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth，并且将所检测的阈值电压Vth添加到控制电压(Vref-Vsig)/2。相应地，消除了阈值电压Vth对驱动电流Ids的影响。

图16是示意性示出其中使用了校正功能的另一像素电路的图。如图16所示，排列像素电路2，以便与信号线SL1和SL2以及控制线WS、RS和SWP的交叉点对应。每个像素电路2包括五个晶体管Tr1至Tr5和像素电容(耦合电容)Cs，并且驱动子发光设备EL1和EL2。晶体管Tr1的栅极与控制线WS的相应一个连接，并且晶体管Tr2的栅极与控制线SWP的相应一个连接。晶体管Tr3的栅极与控制线RS的相应一个连接。晶体管Tr4和Tr5组成反相器元件。晶体管Tr3连接在反相器元件的输入节点B和输出节点C之间。子发光设备EL1和EL2也与反相器元件的输出节点C连接。将视频信号从未示出的驱动器供应到信号线SL1。类似地，将扫描信号从未示出的驱动器供应到信号线SL2。

图17示出了从扫描器供应的扫描信号以及控制信号WS、RS和SWP的波形。注意，出于简单，控制信号由与相应控制线的参考标记相同的参考标记表示。如图17所示，扫描信号具有以视频信号电势作为中心、在预定高电势和预定低电势内以往复方式(reciprocating manner)扫描的波形。

当控制信号WS进入高电平状态时，晶体管Tr1导通。大体同时地，控制信号RS进入高电平状态，并且这触发了晶体管Tr3导通。当晶体管Tr1导通时，信号电势被写入节点A。另一方面，当晶体管Tr3导通时，由晶体管Tr4和Tr5组成的反相器元件的输入节点B和输出节点C变成相互连接。基于晶体管Tr4和Tr5的沟道电阻器的分流比确定输入节点B的电势。通常，设置输入节点B的电势，以便作为电源电势Vcc和地电势GND的中间值。

随后，控制信号WS和RS变化到低电平状态，并且晶体管Tr1和Tr3截止。其后，控制信号SWP进入高电平状态，并且这触发了晶体管Tr2导通。这时，从信号线SL2的相应一个供应扫描信号。在扫描信号的电势大于节点A中所存储的信号电势的情况下，节点A中所存储的电势增加，并且通过耦合电容Cs将正耦合电势供应到输入节点B。另一方面，在扫描信号的电势低于节点A中所存储的信号电势的情况下，通过耦合电容Cs将负耦合电势供应到输入节点B。当供应正耦合电势时，反相器元件的晶体管Tr5导通，并且将地电势供应到输出节点C，因此子发光设备EL1和EL2不发光。另一方面，当供应负耦合电势时，反相器元件的晶体管Tr4导通，并且将电源电势Vcc供应到输出节点C，因此子发光设备EL1和EL2发光。如上所述，当由恒定电压驱动时，子发光设备EL1和EL2发光，并且通过比较视频信号的信号电势和扫描信号的电势来确定发光期。换句话说，由一对晶体管组成的反相器元件将视频信号的信号电势调制成为发光持续时间，由此实现预定灰度显示。在该方法中，由于供应到子发光设备EL1和EL2的驱动电流不受每个像素电路中所包括的晶体管的特性变化影响，可以获得均匀的且高质量的图像。即，图16中所示的使用反相器元件的比较器型像素电路能够通过将视频信号的信号电势变换成发光持续时间而消除阈值电压和晶体管迁移率的影响。

根据本发明的显示装置包括图18中所示的平模显示装置。例如，将被配置以使像素集成并以矩阵形式排列的像素阵列部分布置在绝缘基板上。每个像素包括有机EL设备、薄膜晶体管和薄膜电容。布置粘合材料以围绕像素阵列部分(像素矩阵部分)，并且通过粘合材料将例如玻璃基板的对立基板附着于绝缘基板，由此形成显示模块。如果需要，可以为透明对立基板提供颜色过滤器、保护膜以及遮光膜。显示模块可以包括用于接收/供应信号从/到像素阵列部分外部的连接器，比如FPC(柔性印制电路)等。

根据本发明的上述显示装置具有平板，并且适于作为诸如数码相机、膝上型个人计算机、蜂窝电话和视频摄像机的不同领域中的不同电子装置的显示装置，这些显示装置能够将输入到电子装置中的或在电子装置中生成的视频信号显示为图像或视频图像。将在下面描述使用这种显示装置的显示装置的示例。

图19示出了应用本发明的电视机。该电视机包括前面板12和由过滤器玻璃13组成的视频图像显示屏幕11。使用根据本发明的显示装置作为视频图像显示屏幕11。

图20A和20B示出了应用本发明的数码相机，图20A为前视图，并且图20B为后视图。该数码相机包括图像拾取镜头、用于闪光拍摄的发光部分15、显示器16、控制开关、菜单开关和快门19。使用根据本发明的显示装置作为显示器16。

图21示出了应用本发明的膝上型个人计算机。该膝上型个人计算机包括具有用于输入字符的键盘21的主体20、以及具有用于显示图像的显示器22的主体盖。使用根据本发明的显示装置作为显示器22。

图22A和22B示出了应用本发明的移动终端，图22A示出了打开状态的移动终端，并且图22B示出了关闭状态的移动终端。该移动终端包括上主体23、下主体24、连接部分(这里为铰链部分)25、显示器26、子显示器27、画面光28和照相机单元29。使用根据本发明的显示装置作为显示器26和子显示器27。

图24示出了应用本发明的摄像机。该摄像机包括主体30、布置在主体30前侧并用来捕获对象图像的镜头34、用于摄影的开始/停止开关35、以及监视器36。使用根据本发明的显示装置用作监视器36。

本领域技术人员应当理解，只要在所附权利要求书或其等价物的范围内，依据设计需求和其它因素，可以发生各种修改、组合、子组合和变更等，。

相关申请的交叉引用

本发明包含与2006年9月11日在日本特许厅提交的日本专利申请JP2006-244984有关的主题，其全部内容通过引用合并于此。

Claims (3)

1.一种有源矩阵显示装置，包括：扫描线，作为供应控制信号的行；信号线，作为供应视频信号的列；像素，其以矩阵方式排列以便与扫描线和信号线的交叉点对应；以及其上排列了扫描线、信号线和像素的基板，每个像素包括：

采样晶体管，用于响应于控制信号之一而获取视频信号之一；

驱动晶体管，用于根据所获取的视频信号生成驱动电流；以及

发光设备，当供应所述驱动电流时，其发射具有与视频信号的亮度一致的光，

其中，发光设备包括一对电极，即阳极和阴极，并且包括排列在所述一对电极之间的发光层，因此该发光设备是二端子薄膜设备，将所述一对电极的至少一个划分成多个块，由此所述发光设备被划分成多个子发光设备，该多个子发光设备从驱动晶体管接收驱动电流并发射具有总体上与视频信号亮度一致的光，并且当子发光设备之一包括短路缺陷时，该包括短路缺陷的子发光设备从相应的像素的一个分离，并且驱动电流被供应到其余子发光设备，并且使用其余子发光设备维持与视频信号一致的亮度。

2.如权利要求1所述的有源矩阵显示装置，

其中，将通过划分一对电极的一个而获得的多个电极中的每个与通过相应线路从单一驱动晶体管供应的电流的相应通路连接，并且当所述线路被从基板外部发射的激光束断开时，包括短路缺陷的子发光设备与电流通路分离。

3.一种电子装置，包括权利要求1所述的显示装置。

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