CN101156221B - 变阻器和使用该变阻器的电子部件模块 - Google Patents

变阻器和使用该变阻器的电子部件模块 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种变阻器，包括：具有绝缘性的陶瓷基板、设置在陶瓷基板上以氧化锌为主要成分的变阻器层、设置在变阻器层上的玻璃陶瓷层和设置在变阻器层内且彼此相对的第一内部电极与第二内部电极。该变阻器小型且较薄，且对浪涌电压具有优异的变阻器特性。而且，利用该变阻器，能够获得对静电和浪涌电压具有耐性的小型电子部件模块。

Description

变阻器和使用该变阻器的电子部件模块
技术领域
本发明涉及用于各种电子装置以防止因静电或浪涌电压而产生故障的变阻器(varistor)、以及具有该变阻器和电子部件的电子部件模块。
背景技术
近年来，便携式电话等电子装置的小型化、低耗电化正迅速发展，伴随于此，构成电子装置电路的各种电子部件的耐压降低。因此，在人体与电子装置的导通部接触时所产生的静电脉冲等引起各种电子部件、特别是半导体装置出现故障，从而导致电子装置的故障增多。
作为一种电子部件和半导体装置，发光二极管用于显示装置的背光或小型照相机的闪光灯等中，在广泛领域中得到普及。该发光二极管对静电脉冲的耐压较低。
作为保护这种发光二极管不受静电脉冲影响的对策，将变阻器连接在具有静电脉冲的线路与地线之间，使静电脉冲分流到地线中，从而抑制施加到发光二极管中的高电压。
图24是日本专利特开平8-31616号公报所公开的现有的叠层片式变阻器105的截面图。叠层片式变阻器适于小型化，多用于小型电子装置中。叠层片式变阻器105包括：具有内部电极100的变阻器层102、和在变阻器层102的端面与内部电极100连接的端子103。在变阻器层102的上下表面设置有保护层104。
在现有的变阻器105中，为了确保能够防止破损和碎裂的物理强度，需要变阻器层102具有一定程度的厚度，因此难以实现薄型化。例如，长度为1.25mm、宽度为2.0mm左右的叠层片式变阻器需要具有0.5mm以上的厚度，由此，难以实现薄型化。即使保持了机械强度，但越薄则越会导致变阻器层102中所含的成分之一氧化铋在烧制中蒸发，从而可能会导致变阻器特性和可靠性的劣化。
发明内容
本发明提供一种变阻器，其特征在于，包括：具有绝缘性的陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的以氧化锌为主要成分的变阻器层、设置在变阻器层上的玻璃陶瓷层、和设置在变阻器层内且彼此相对的第一与第二内部电极。
该变阻器小型且较薄，对于浪涌电压具有优异的变阻器特性。而且，利用该变阻器，能够获得对静电和浪涌电压具有耐性的小型电子部件模块。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的变阻器的立体图。
图2是图1所示的变阻器的沿线2-2的截面图。
图3A是实施方式1的变阻器的截面图。
图3B表示实施方式1的变阻器的构成元素的分布。
图3C表示实施方式1的变阻器的构成元素的分布。
图3D表示实施方式1的变阻器的构成元素的分布。
图3E表示实施方式1的变阻器的构成元素的分布。
图4A表示测定实施方式的样品的变阻器特性的结果。
图4B表示测定实施方式的样品的变阻器特性的结果。
图5是本发明的实施方式2的变阻器的立体图。
图6是图5所示的变阻器的沿线6-6的截面图。
图7A是实施方式2的其他变阻器的立体图。
图7B是实施方式2的另一其他变阻器的立体图。
图7C是实施方式2的另一其他变阻器的立体图。
图8是本发明的实施方式3的变阻器的放大截面图。
图9是实施方式3的其他变阻器的立体图。
图10是本发明的实施方式4的电子部件模块的立体图。
图11A是实施方式4的其他电子部件模块的立体图。
图11B是实施方式4的另一其他电子部件模块的立体图。
图11C是实施方式4的另一其他电子部件模块的立体图。
图11D是实施方式4的另一其他电子部件模块的立体图。
图12A是本发明的实施方式5的变阻器的立体图。
图12B是图12A所示的变阻器的沿线12B-12B的截面图。
图12C是实施方式5的变阻器的顶视立体图。
图13是实施方式5的变阻器的顶视图。
图14是实施方式5的电子部件模块的截面图。
图15是实施方式5的其他变阻器的截面图。
图16是实施方式5的变阻器的截面图。
图17是实施方式5的变阻器的截面图。
图18是实施方式5的变阻器的截面图。
图19是本发明的实施方式6的变阻器的截面图。
图20是本发明的实施方式7的变阻器的截面图。
图21A是实施方式7的其他变阻器的顶视图。
图21B是图21A所示的变阻器的沿线21B-21B的截面图。
图22A是实施方式7的其他变阻器的顶视图。
图22B是图22A所示的变阻器的沿线22B-22B的截面图。
图23是本发明的实施方式7的其他变阻器的截面图。
图24是现有变阻器的截面图。
符号说明
11A    内部电极(第一内部电极)
11B    内部电极(第二内部电极)
12     变阻器层
12A    变阻器层的面(变阻器层的第二面)
13     陶瓷基板
13A    陶瓷基板的面(陶瓷基板的第二面)
13B    陶瓷基板的面(陶瓷基板的第一面)
14     玻璃陶瓷层(第一玻璃陶瓷层)
14A    玻璃陶瓷层的面(第一玻璃陶瓷层的第二面)
14B    玻璃陶瓷层的面(第一玻璃陶瓷层的第一面)
15A    外部电极(第一外部电极)
15B    外部电极(第二外部电极)
16A    端子电极(第一外部电极)
16B    端子电极(第二外部电极)
17A    通孔电极(第一通孔电极)
17B    通孔电极(第二通孔电极)
18     发光二极管(电子部件)
18A    端子(第一端子)
18B    端子(第二端子)
20A    端子电极(第一外部电极)
20B    端子电极(第二外部电极)
21     孔
21A    壁面
22A    通孔电极(第一通孔电极)
24     孔
24A    壁面
24B    开口部
25     光反射层
27     玻璃陶瓷层(第二玻璃陶瓷层)
30     绝缘层
32     传热层
38     发光二极管(电子部件)
38A    端子(第一端子)
38B    端子(第二端子)
56A    端子电极(第一外部电极)
56B    端子电极(第二外部电极)
66A    端子电极(第一外部电极)
66B    端子电极(第二外部电极)
117A   通孔电极(第一通孔电极)
117B   通孔电极(第二通孔电极)
217A   通孔电极(第一通孔电极)
217B   通孔电极(第二通孔电极)
124    孔
124A   壁面
124B      开口部
317A      通孔电极(第一通孔电极)
317B      通孔电极(第二通孔电极)
511A      内部电极(第一内部电极)
511B      内部电极(第二内部电极)
611A      内部电极(第一内部电极)
611B      内部电极(第二内部电极)
711A      内部电极(第一内部电极)
711B      内部电极(第二内部电极)
811A      内部电极(第一内部电极)
811B      内部电极(第二内部电极)
911A      内部电极(第一内部电极)
911B      内部电极(第二内部电极)
5012B     变阻器层的面(变阻器层的第一面)
5021B     开口部
5022B     通孔电极(第二通孔电极)
具体实施方式
(实施方式1)
图1是本发明的实施方式1的变阻器201的立体图。图2是图1所示的变阻器201的沿线2-2的截面图。变阻器201包括：陶瓷基板13、设置在陶瓷基板13的面13A上的变阻器层12、和设置在变阻器层12的面12A上的玻璃陶瓷层14。变阻器层12的面12A的相反面5012B与陶瓷基板13的面13A接触。陶瓷基板13由氧化铝基板等具有耐热性和绝缘性的材料构成。变阻器层12内设置有彼此相对的内部电极11A、11B。即，变阻器层12由玻璃陶瓷层14和陶瓷基板13所夹持。内部电极11A、11B各自的端部111A、111B露出在变阻器层12的端面12C、12D上。露出在变阻器201外部的外部电极15A、15B分别与内部电极11A、11B所露出的端部111A、111B连接，构成表面安装式变阻器201。
变阻器层12的变阻器材料含有：作为主要成分的80重量％以上的氧化锌，和总计0～20重量％的氧化铋、氧化锑、氧化锰、氧化钴等添加物，利用该组成使变阻器层具有优异的变阻器特性。此外，通过添加玻璃等，可以获得能够在900℃左右进行烧制的变阻器材料。另外，只要具有优异的变阻器特性，添加物可以是上述材料以外的材料。
将变阻器层12叠层在机械强度较大的陶瓷基板13上，因此，即使变阻器层12的机械强度小，也能够实现变阻器201的薄型化。
通过将玻璃陶瓷层14叠层在变阻器层12的面12A上，能够抑制在对变阻器材料进行烧制时铋等添加物的蒸发。因此，即使变阻器层12较薄，也能够具有优异的变阻器特性，且具有高可靠性。结果，能够获得对微小浪涌电压具有优异的变阻器特性、可靠性优异、且能够实现小型薄型化的变阻器201。
而且，利用陶瓷基板13，能够获得具有多个变阻器的变阻器阵列。
下面，说明变阻器201的制造方法。
首先，配制上述变阻器材料的粉末、粘合剂树脂、增塑剂和溶剂后，使它们混合并分散，制作陶瓷浆料。此后，采用刮刀法制作厚度约为50μm的陶瓷生片。利用网板印刷法将以银为主要成分的导电膏印刷到陶瓷生片上，形成内部电极11A、11B。如图2所示，以内部电极11A、11B隔着变阻器层12的一部分12E相对的方式配置并叠层陶瓷生片。
为了获得例如长度L1为1.0mm、宽度W1为0.5mm的小型表面安装型的变阻器201，优选将内部电极11A、11B的面积设为0.3～0.5mm2，将内部电极11A、11B间的距离T1设为5～50μm。
在变阻器层12的面12A上，叠层制成与变阻器材料在大致相同的烧制温度下烧结的玻璃陶瓷材料的玻璃陶瓷层14的陶瓷生片，形成叠层体。作为该玻璃陶瓷材料，可以是例如以50∶50的重量比混合氧化铝陶瓷粉末和硼硅酸钙/铝/玻璃粉末而成，只要是在变阻器材料的烧制温度下烧结的材料即可，并不特别规定于上述材料。
在变阻器层12的未叠层玻璃陶瓷层14的面5012B上，涂布溶解于甲苯的丙烯酸树脂等粘接剂，重叠厚度为0.33mm、纯度为96％的氧化铝基板构成的陶瓷基板13的面13A，在温度100℃下，施加100kg/cm2的压力1分钟，使叠层体与陶瓷基板13完全粘合。将该叠层体放入烧制炉中，在约550℃的温度下燃烧树脂成分，然后在约900℃下烧制2小时。利用该烧制，使玻璃陶瓷层14、变阻器层12和由氧化铝基板构成的陶瓷基板13形成为一体。尤其是当变阻器材料中含有氧化铋等铋化合物时，因氧化铋扩散，而使玻璃陶瓷层14、变阻器层12和陶瓷基板13进一步一体化。
使用纯度为96％的氧化铝基板作为陶瓷基板13，也可使用不与变阻器材料过反应、具有可以耐受变阻器层12与玻璃陶瓷层14的烧制温度的耐热性、含有氧化铝、氧化锆、氧化硅和氧化镁中任一种为主要成分的机械强度优异的陶瓷基板13。
为了提高生产率，经过烧制的叠层体通常包括排列为格子状的多个变阻器。利用切割机等切断机切断经过烧制的叠层体，将其分割为单片的变阻器。经过分割的单片的变阻器201中，内部电极11A、11B的端部111A、111B分别露出在变阻器层12的端面12C、12D上。在端部111A、111B所露出的端面12C、12D上涂布银膏等导电膏，在规定的温度下进行烧制，由此形成外部电极15A、15B，从而获得变阻器201。
采用上述方法制作变阻器201的样品。实施方式1中实施例样品的内部电极11A、11B间的距离T1约为25μm。切割该样品，并对其切断面进行研磨后，利用扫描式电子显微镜观察变阻器层12和玻璃陶瓷层14。图3A是表示变阻器201的变阻器层12与玻璃陶瓷层14的界面12H附近的微细结构的截面图。图3B～图3E分别表示使用能量色散式荧光X射线装置测定的变阻器层12与玻璃陶瓷层14的界面12H附近的锌(Zn)、铋(Bi)、钴(Co)和锑(Sb)的分布。
如图3B～图3E所示，作为变阻器材料主要成分的锌(Zn)仅存在于变阻器层12中，在玻璃陶瓷层14中几乎不存在。作为添加物的铋(Bi)、钴(Co)、锑(Sb)向玻璃陶瓷层14扩散，也存在于玻璃陶瓷层14的内部。
采用相同的制造方法制作比较例的样品，该样品中，未将玻璃陶瓷层14叠层在变阻器层12上，即，变阻器层12露出。比较例样品的距离T1约为38μm。
图4A表示测定变阻器201的实施例样品和比较例样品的变阻器特性的结果。图4A表示向样品通入1mA、0.1mA、0.01mA、0.001mA的电流时外部电极15A、15B间的电压。
如图4A所示，比较例样品的电压高于实施例样品的电压。流过1mA电流时的电压V(1mA)与流过0.1mA电流时的电压V(0.1mA)的比值越小，非线性越优异，变阻器特性越优异。实施例样品的非线性优于比较例样品的非线性。
接着，图4B表示将这些样品放置在85℃、85％的高温高湿槽中24小时后测定出的电气特性。
如图4B所示，放置前后实施例样品的变阻器电压几乎没有变化，而比较例样品的变阻器电压却大幅下降，非线性也明显恶化。
比较例样品中，由于变阻器材料并未得到充分烧结，所以电压增大，如果放置在高温高湿槽中，就会吸收水分而导致变阻器电压下降，引起非线性的劣化。其理由可以认为，比较例样品中，氧化铋、氧化钴、氧化锑等添加物在烧制中向大气中飞散。特别是氧化铋是使以氧化锌为主要成分的变阻器层表现出变阻器特性的重要的氧化物。因氧化铋沸点较低，所以容易飞散。比较例样品中，大部分该氧化铋在烧制中向大气中飞散，在烧制后的变阻器层12内部不含有规定的必要含量的氧化铋，或者其含量不均匀。因此，比较例样品的烧结不充分，从而无法获得预期的特性。
实施例样品中，氧化铋等添加物通过烧制向玻璃陶瓷层14的内部部分扩散。然而，如果玻璃陶瓷层14的氧化铋浓度超过某值，玻璃陶瓷层14内的氧化铋的量就会达到饱和，达到饱和以后，氧化铋则无法从变阻器层12向玻璃陶瓷层14扩散。因此，使规定的必要含量的氧化铋可靠地残留在变阻器层12中，变阻器层12充分烧结，能够获得预期的电气特性。
另外，如果玻璃陶瓷层14烧制后的厚度超过50μm，则氧化铋向玻璃陶瓷层14的扩散量会变得过多。在这种情况下，变阻器层12无法充分烧结，从而引起变阻器特性恶化或因放置在高温高湿的环境下而带来的特性恶化。而且，若玻璃陶瓷层14烧制后的厚度小于5μm，则由于氧化铋等添加物向玻璃陶瓷层14扩散，引起玻璃陶瓷层14的电阻值大幅降低。为了提高外部电极15A、15B的可靠性，有时在外部电极15A、15B的表面形成镍、锡、金等镀膜。如果玻璃陶瓷层14的电阻值降低，则在玻璃陶瓷层14上也会形成镀膜，因而不优选。因此，优选玻璃陶瓷层14的厚度在5～50μm范围内。通过在变阻器层12上叠层具有该范围厚度的玻璃陶瓷层14，能够获得变阻器特性与可靠性优异的小型薄型的变阻器201。
如图3B～图3E所示，玻璃陶瓷层14与变阻器层12的界面12H附近的组成中，添加物的浓度有些不均匀，从而导致变阻器层12处于略为不稳定的状态。并且，该状态比变阻器层12与陶瓷基板13的界面的状态更不稳定。
因此，不优选在这些界面附近表现出变阻器特性，而优选内部电极11A、11B不形成在变阻器层12与玻璃陶瓷层14的界面12H以及变阻器层12与陶瓷基板13的界面附近。根据图3B～图3F的结果可知，优选与变阻器层12的面5012B、12A距离10μm以上，在变阻器层12内设置内部电极11A、11B。即，优选从变阻器层12的面12A分别到内部电极11A、11B的距离D1、D2为10μm以上。而且，优选从变阻器层12的面5012B分别到内部电极11A、11B的距离D3、D4为10μm以上。
另外，通过在该变阻器层12与玻璃陶瓷层14的界面12H或者变阻器层12与陶瓷基板13的界面上设置扩散防止层，能够防止氧化铋的扩散，提高各界面上的接合强度。优选该扩散防止层中含有氧化铋。
(实施方式2)
图5是本发明的实施方式2的变阻器301的立体图。图6是图5所示的变阻器301的沿线6-6的截面图。对于与图1和图2所示的实施方式1的变阻器201相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细说明。与实施方式1的变阻器201不同，实施方式2的变阻器301中，包括内部电极311A、311B，取代内部电极11A、11B。内部电极311A、311B并未露出在变阻器层12的端面12C、12D上。玻璃陶瓷层14具有位于变阻器层12的面12A上的面14B和面14相反侧的面14A。变阻器301包括作为外部电极的端子电极16A、16B，所述端子电极16A、16B设置在玻璃陶瓷层14的面14A上，且露出在变阻器301的外部。端子电极16A、16B通过通孔电极17A、17B分别与内部电极311A、311B连接。
可以利用设置在玻璃陶瓷层14的面14A上的端子电极16A、16B，将其他部件安装在面14A上。而且，使面14A与电路基板相对，将变阻器301安装在该电路基板上，从而使端子电极16A、16B直接连接于该电路基板上的电路图案。由此，可以将部件高密度地安装在电路基板上，并且能够提高电路基板与变阻器301之间的连接对于弯曲、扭曲、下落的可靠性。
将导电膏涂布在玻璃陶瓷层14的面14A上形成端子电极16A、16B，将导电膏填充在陶瓷层12的通孔12F、12G中形成通孔电极17A、17B。此时，如果使用通常的导电膏，则可能会产生在通孔电极17A、17B的周边出现较大的孔，或者在端子电极16A、16B的周边产生龟裂等缺陷。
上述缺陷可能因下述原因而产生。在变阻器301中，将变阻器层12与玻璃陶瓷层14贴附在陶瓷基板13上并进行烧制。在进行该烧制时，陶瓷基板13几乎不发生收缩，因此由于陶瓷基板13，变阻器层12与玻璃陶瓷层14在与面13A平行的方向301A上的收缩受到限制，仅在与面12A呈直角的厚度方向301B上收缩。制成端子电极16A、16B及通孔电极17A、17B的导电膏，由于烧制在方向301A、301B上均产生收缩，从而产生上述缺陷。而且，在烧制时，该导电膏与玻璃陶瓷层14和变阻器层12相比，在较低温度下开始收缩。已开始收缩的导电膏施加使未开始收缩的变阻器层12和玻璃陶瓷层14向方向301A收缩的力。该力会使尚未烧结从而不具有机械强度的变阻器层12和玻璃陶瓷层14产生缺陷。
为了提高制成端子电极16A、16B及通孔电极17A、17B的导电膏在烧制时开始收缩的温度，并且提高端子电极16A、16B及通孔电极17A、17B与变阻器层12和玻璃陶瓷层14接合的强度，向导电膏中添加三氧化钼。导电膏含有银等金属粉，并添加相对于该金属粉为0.5重量％以上的三氧化钼。三氧化钼的熔点约为800℃左右。因此，在变阻器层12和玻璃陶瓷层14还未开始烧结的600℃以下的温度时，三氧化钼以固体分散存在于金属粉的颗粒间，抑制导电膏的收缩。并且，如果温度超过650℃，则三氧化钼的一部分开始熔融并扩散，并从导电膏的内部向变阻器层12或玻璃陶瓷层14的界面附近移动，露出在外部的一部分三氧化钼升华。此外，三氧化钼的另外一部分与玻璃陶瓷层14和变阻器层12发生反应，作为结合材料起到使端子电极16A、16B与玻璃陶瓷层14结合、并使通孔电极17A、17B与变阻器层12和玻璃陶瓷层14结合的作用。在发生该反应的温度下，变阻器层12与玻璃陶瓷层14在烧制中开始收缩，因此能够增强这些层的强度。并且，如果三氧化钼从导电膏的内部开始移动，则对端子电极16A、16B和通孔电极17A、17B进行烧制，并使它们开始收缩。
根据所添加的三氧化钼的量，控制导电膏开始收缩的温度，使其与所述层12、14在大致相同的温度下烧制并开始收缩。由此，能够使端子电极16A、16B、通孔电极17A、17B、变阻器层12和玻璃陶瓷层14以大致相同的温度在厚度方向301B上得到烧制并使其收缩。结果，在通孔电极17A、17B、端子电极16A、16B的周边不会产生孔或龟裂等缺陷，能够对导电膏进行烧制并收缩。如果温度达到800℃以上，则三氧化钼熔融并升华，根据其添加量，部分三氧化钼会残留在导电膏中。残留的三氧化钼的一部分能提高端子电极16A、16B与玻璃陶瓷层14的界面以及通孔电极17A、17B与玻璃陶瓷层14和变阻器层12的界面上的接合强度。
另外，通过向内部电极311A、311B中添加少量的三氧化钼，能够防止因烧制收缩而产生的上述缺陷。
而且，通过向制成端子电极16A、16B的导电膏中添加三氧化钼，可以使作为变阻器层12的添加物的氧化物或者玻璃陶瓷层14的玻璃成分难以在端子电极16A、16B中移动扩散。因此，端子电极16A、16B的表面116A、116B上几乎不存在氧化物或玻璃成分。为了提高端子电极16A、16B的可靠性，在端子电极16A、16B的表面116A、116B上，利用镍、锡、金等金属的电镀形成镀膜1116A、1116B。因为端子电极16A、16B的表面116A、116B上几乎不存在氧化物或玻璃成分，所以可以很容易且均匀地形成镀膜1116A、1116B。
如果在制成端子电极16A、16B和通孔电极17A、17B的导电膏中，三氧化钼的添加量相对于金属粉为0.5重量％以上，则能够提高防止缺陷的效果。如果其添加量超过5重量％，则会在端子电极16A、16B和通孔电极17A、17B中残存过剩的三氧化钼。由此，增大端子电极16A、16B和通孔电极17A、17B的电阻，并且在端子电极16A、16B的表面116A、116B析出三氧化钼，会阻止镀膜1116A、1116B的形成，因此不优选。
图7A是实施方式2的其他变阻器302的立体图。变阻器302中，在图6和图5所示的变阻器301中设置有图1和图2所示的变阻器201的外部电极15A、15B。变阻器302包括图2所示的变阻器201的内部电极11A、11B，取代变阻器301的内部电极311A、311B。即，变阻器302中，端子电极16A、16B分别与内部电极11A、11B连接，外部电极15A、15B分别与内部电极11A、11B连接。因此，变阻器302中，端子电极16A、16B分别通过内部电极11A、11B与外部电极15A、15B导通。
图7B是实施方式2的另一其他变阻器303的立体图。变阻器303包括作为外部电极的端子电极56A、56B，取代图5与图6所示的变阻器301的端子电极16A、16B，所述端子电极56A、56B设置在陶瓷基板13的面13A相反侧的面13B上，且露出在变阻器303的外部。变阻器303包括埋设在变阻器层12和陶瓷基板13中的通孔电极117A、117B，取代通孔电极17A、17B。通孔电极117A、117B分别与变阻器层12内的内部电极311A、311B连接，从陶瓷基板13的面13B露出的端子电极56A、56B分别与通孔电极117A、117B的从面13B露出的部分连接。
图7C是实施方式2的其他变阻器304的立体图。变阻器304中，在图7B所示的变阻器303上设置有图1和图2所示的变阻器201的外部电极15A、15B。变阻器304包括图2所示的变阻器201的内部电极11A、11B，取代变阻器303的内部电极311A、311B。即，变阻器304中，端子电极56A、56B分别与内部电极11A、11B连接，外部电极15A、15B分别与内部电极11A、11B连接。因此，变阻器304中，端子电极56A、56B分别通过内部电极11A、11B与外部电极15A、15B导通。
(实施方式3)
图8是本发明的实施方式3的变阻器401的放大截面图。对于与图6和图5所示的实施方式2的变阻器301相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细说明。
便携式电子装置必须能够应对下落等需要较大强度的使用环境。因此，这种电子装置中所使用的变阻器等部件需要对于搭载有所述部件的电路基板的弯曲、扭曲、下落等冲击具有较大的机械强度。
变阻器401中，包括露出在变阻器401外部的作为外部电极的端子电极66B，取代图6和图5所示的实施方式2的变阻器301的端子电极16B。另外，端子电极66B埋设在玻璃陶瓷层14内，具有从玻璃陶瓷层14露出的表面166B。而且，变阻器401中，包括相同形状的端子电极，取代实施方式2的变阻器301的端子电极16A。端子电极66B的表面166B的端部1116B的周围被玻璃陶瓷层14C所覆盖，利用这种结构，使端子电极66B具有较大的强度。
如果玻璃陶瓷层14C覆盖端子电极66B的端部1166B周围的宽度T2为20μm以上，则端子电极66B对于实际应用中的冲击具有足够大的强度。如果考虑到电子装置中所使用的部件的尺寸与端子电极66B的尺寸和形状，则宽度T2优选为100μm以下。而且，如果玻璃陶瓷层14C的厚度T3为3μm以上，则在实际应用中可充分确保端子电极66B的强度。如果厚度T3超过10μm，则玻璃陶瓷层14C与端子电极66B的表面的凹凸增大，难以安装变阻器401，因此不优选。
可以采用几种方法形成变阻器401的端子电极66B、玻璃陶瓷层14C。可以在玻璃陶瓷层14的面14A上形成端子电极66B，然后印刷由玻璃陶瓷材料形成的玻璃陶瓷膏，从而形成玻璃陶瓷层14C。或者也可以在玻璃陶瓷层14的面14A上形成端子电极66B，在陶瓷玻璃层14的面14A上叠层具有比端子电极66B的面166B稍小的孔的玻璃陶瓷生片，从而形成玻璃陶瓷层14C。优选玻璃陶瓷层14C的材料与玻璃陶瓷层14相同，但只要是不与玻璃陶瓷层14发生剧烈反应，其材料无特别限定。
变阻器401中，用厚度T3为5μm的玻璃陶瓷层14C覆盖端子电极66B的端部1166B周围的宽度T2为25μm。端子电极66B的面166B是面积为2mm2的正方形，将导线连接在端子电极66B上，在与面166B垂直的方向上进行拉伸导线的试验，结果可知，平均拉伸强度为14kg。相对于此，不具有玻璃陶瓷层14C的比较例中的变阻器的平均拉伸强度为6kg，实施方式3中的变阻器401的强度是比较例中变阻器强度的2倍。通常，如果采用印刷法等形成端子电极，端子电极的端部周边变薄，与玻璃陶瓷层的粘结强度变小。
相对于此，变阻器401中，端子电极66B的端部1166B周围的粘结强度较大。特别是在端子电极66B的面166B上形成有镍、锡、金等金属的镀膜2166B时，平均拉伸强度为13kg，但在具有相同镀膜的比较例的变阻器中，平均拉伸强度为3kg。比较例的变阻器中，电镀液和酸液或者碱液等清洗液从端子电极的端部周边较薄的部分浸入，使接合玻璃陶瓷层与端子电极的接合界面溶解析出，从而降低了粘结强度。相对于此，变阻器401中，由于玻璃陶瓷层14C覆盖端子电极66B的端部1166B的周围，能够防止接合界面的溶解析出。
另外，优选玻璃陶瓷层14C覆盖整个端子电极66B的端部1166B周围。然而，根据端子电极66B的配置，即使仅覆盖端子电极66B的端部1166B周围的一部分，也能够提高端子电极66B的拉伸强度。
图9是实施方式3的其他变阻器402的立体图。变阻器402中，在图8所示的变阻器401上设置有图1和图2所示的变阻器201的外部电极15A、15B。即，变阻器402中，端子电极66A、66B分别与内部电极11A、11B连接，外部电极15A、15B分别与内部电极11A、11B连接。因此，变阻器402中，端子电极66A、66B分别通过内部电极11A、11B与外部电极15A、15B导通。
(实施方式4)
图10是作为本发明的实施方式4的电子部件模块的发光二极管模块501的立体图。发光二极管模块501包括：实施方式1的变阻器201、和安装在变阻器201的玻璃陶瓷层14的面14A上作为电子部件的白色或蓝色的发光二极管18。特别是由于白色或蓝色的发光二极管的发热量较大，需要放出发光二极管所发出的热量，因此，从强度、传热率和生产率的观点考虑，陶瓷基板13优选使用纯度为90％以上的氧化铝基板。发光二极管18具有端子18A、18B，采用引线接合法等接线方法，通过导线19A、19B使端子18A、18B分别与变阻器201的外部电极15A、15B连接。发光二极管18与由埋设在变阻器层12中的内部电极11A、11B所形成的变阻器元件并联地连接。
图11A是作为实施方式4的其他电子部件模块的发光二极管模块502的立体图。发光二极管模块502包括实施方式2的变阻器301，取代图10所示的发光二极管模块501的变阻器201。发光二极管18安装在玻璃陶瓷层14上，分别采用焊料安装或者凸块(bump)安装等安装方法，将端子18A、18B安装在端子电极16A、16B上。
图11B是表示作为实施方式4的另一其他电子部件模块的发光二极管模块503的立体图。发光二极管模块503包括图7A所示的变阻器302，取代图11A所示的发光二极管模块502的变阻器301。发光二极管18安装在玻璃陶瓷层14上，分别采用焊料安装或者凸块安装等安装方法，将端子18A、18B安装在端子电极16A、16B上。利用外部电极15A、15B，能够将发光二极管模块503安装在电路基板上。
图11C是作为实施方式4的另一其他电子部件模块的发光二极管模块504的立体图。发光二极管模块504包括图7B所示的变阻器303，取代图11A所示的发光二极管模块502的变阻器301。发光二极管18安装在陶瓷基板13的面13B上，分别采用焊料安装或者凸块安装等安装方法，将端子18A、18B安装在端子电极56A、56B上。
图11D是作为实施方式4的另一其他电子部件模块的发光二极管模块505的立体图。发光二极管模块505包括图7C所示的变阻器304，取代图11C所示的发光二极管模块504的变阻器303。发光二极管18安装在玻璃陶瓷层14上，分别采用焊料安装或者凸块安装等安装方法，将端子18A、18B安装在端子电极56A、56B上。利用外部电极15A、15B，能够将发光二极管模块503安装在电路基板上。
实施方式4的发光二极管模块501～505中，通常通过向端子18A、18B间施加电压而使发光二极管18发光。如果向发光二极管18的端子18A、18B施加高于通常电压的静电浪涌电压等电压，则该电压产生的大电流会向在变阻器层12内部的相对的内部电极11A、11B或者内部电极311A、311B绕行。由此，能够获得变阻器层12保护发光二极管18的小型发光二极管模块501～505。
而且，利用机械强度大的陶瓷基板13，能够实现发光二极管模块501～505的薄型化。此外，由于能够以较短的距离连接发光二极管18与变阻器，所以在实施方式4的发光二极管模块中，能够进一步保护发光二极管18不受电压较高的静电脉冲的影响。
另外，发光二极管模块501～505中，除了变阻器之外，还可以形成由电阻、线圈或电容器等构成的电路。例如，可以获得在陶瓷基板13的面13B上安装有各种电子部件的发光二极管模块。利用该结构，能够获得更高密度的发光二极管模块。
另外，实施方式4的电子部件模块具备发光二极管18作为电子部件，该电子部件不仅限于发光二极管，还可以是半导体元件等其他电子部件。利用变阻器保护该电子部件不受静电或浪涌电压的影响，从而获得对静电和浪涌电压耐受的小型电子部件模块。
(实施方式5)
图12A是本发明的实施方式5的变阻器601的立体图。图12B是图12A所示的变阻器601的沿线12B-12B的截面图。图12C是变阻器601的顶视立体图。图13是变阻器601的顶视图。对于与图1和图2所示的实施方式1的变阻器201相同的部分标注相同的附图标记，并省略其说明。
实施方式5的变阻器601与实施方式1的变阻器201不同，形成有贯通变阻器层12和玻璃陶瓷层14的孔21，以使陶瓷基板13的面13A的一部分13C露出在底部。孔21具有在玻璃陶瓷层14的面14A上开口的开口部5021B。在面13A的部分13C上设置有用于安装电子部件的端子电极20A、20B。端子电极20A、20B是露出在变阻器601外部的外部电极。变阻器层12内设置有内部电极611A、611B，在变阻器层12与陶瓷基板13的界面，即陶瓷基板13的面13A上，设置有分别具有位于部分13C上的端部1511A、1511B的内部电极511A、511B。内部电极611A、611B分别通过设置在变阻器层12内的通孔电极22A、5022B与内部电极511A、511B连接。端子电极20A、20B分别设置在从孔21露出的内部电极511A、511B的端部1511A、1511B上，且分别与端部1511A、1511B连接。
如图12C所示，内部电极611A、611B将变阻器层12的部分35夹在中间并彼此相对，变阻器601在部分35具有作为变阻器的特性。
图14是作为实施方式5的电子部件模块的发光二极管模块701的截面图。发光二极管模块701包括图12A～图12C及图13所示的变阻器601、和作为电子部件的白色或蓝色的发光二极管38。特别是由于白色或蓝色的发光二极管的发热量较大，需要放出发光二极管所发出的热量，因此，从强度、传热率和生产率的观点考虑，陶瓷基板13优选使用纯度为90％以上的氧化铝基板。发光二极管38设置在孔21内，具有分别与端子电极20A、20B连接的端子38A、38B。通过将发光二极管38收容在孔21内，能够实现发光二极管模块701的薄型化。
如图13和图14所示，优选从上方观察时孔21的形状大致为圆形，即，孔21在玻璃陶瓷层14上开口的开口部21的形状大致为圆形。利用大致为圆形的形状，能够抑制容易在孔21与陶瓷基板13的面13A的界面上产生的缺陷。从安装在孔21内的发光二极管38所发射的光能够有效地在大致为圆形的孔21的壁面21A反射，从而能够获得更明亮的光。
发光二极管模块701中，通常通过向端子38A、38B间施加电压而使发光二极管38发光。如果向发光二极管38的端子38A、38B施加高于通常电压的静电浪涌电压等电压，则因该电压产生的大电流会向在变阻器层12内部相对的内部电极511A、511B、611A、611B绕行。由此，能够获得利用变阻器层12保护发光二极管38的小型发光二极管模块701。
而且，利用机械强度大的陶瓷基板13，能够实现发光二极管模块701的薄型化。此外，由于能够以较短的距离连接发光二极管38与变阻器，所以发光二极管模块701中，能够进一步保护发光二极管38不受电压较高的静电脉冲的影响。
另外，发光二极管模块701中，除了变阻器之外，还可以形成由电阻、线圈和电容器等构成的电路。例如，可以获得在陶瓷基板13的面13B上安装有各种电子部件的发光二极管模块。利用该结构，能够获得更高密度的发光二极管模块。
另外，电子部件模块701具备发光二极管38作为电子部件，但该电子部件不仅限于发光二极管，还可以是半导体元件等其他电子部件。利用变阻器保护该电子部件不受静电和浪涌电压的影响，从而获得对静电和浪涌电压耐受的小型电子部件模块。
图15是实施方式5的其他变阻器602的截面图。除了不具有通孔电极22A、5022B以外，变阻器602的结构与图12A～图12C所示的变阻器601相同。端子电极20A、20B与内部电极611A、611B电性并联连接。由此，即使向发光二极管18施加静电浪涌电压等高电压时，该高电压产生的大电流会向与端子电极20A、20B并联连接的内部电极611A、611B绕行，从而能够保护发光二极管18。
图16是实施方式5的另一其他变阻器603的截面图。图12A～图12C及图13所示的变阻器601的孔21具有圆柱形状，取代孔21，变阻器603形成有孔24，所述孔24具有从变阻器层12向玻璃陶瓷层14扩展的锥形。
孔24的底部即陶瓷基板13的面13A的露出部分13C的直径D5、与在玻璃陶瓷层14开口的孔24的开口部24B的直径D6满足D5＜D6的关系。将发光二极管安装在孔24内时，孔24的倾斜壁面24A使来自发光二极管的光向一个方向聚集，结果，能够获得更加明亮的光。
图17是实施方式5的另一其他变阻器604的截面图。变阻器604还包括设置在图16所示的变阻器603的孔24的壁面24A上的光反射层25。光反射层25由金属等能够反射光的材料构成。将发光二极管安装在孔24内时，孔24的倾斜壁面24A上的光反射层25使来自发光二极管的光向一个方向聚集，结果，能够获得更明亮的光。
图18是实施方式5的另一其他变阻器605的截面图。变阻器605还包括设置在图16所示的变阻器603的玻璃陶瓷层14的面14A上的玻璃陶瓷层27。形成有具有在玻璃陶瓷层27开口的开口部124B的孔124，取代图16所示的变阻器603的孔24。玻璃陶瓷层14的面14A的相反面14B位于变阻器层12的面12A上。玻璃陶瓷层27由软化温度比构成玻璃陶瓷层14的玻璃的软化温度低100℃以上的玻璃形成，具有50μm～500μm的厚度。玻璃陶瓷层27能够抑制作为变阻器层12的添加物的铋在烧制时的蒸发，维持变阻器层12作为变阻器的特性，也能够确保可靠性。孔124可以比图17所示的孔24更深，且具有面积大于壁面24A的壁面124A。因此，将发光二极管安装在孔124内时，发光二极管的光在壁面124A发生反射，能够进一步向一个方向聚集，获得更明亮的光。
上述构造可以分别单独使用，也可以加以组合后使用。
(实施方式6)
图19是本发明的实施方式6的变阻器801的截面图。变阻器801在图12A～图12C及图13所示的变阻器601中，还包括形成在孔21的壁面21A上的由绝缘材料构成的绝缘层30，其中所述孔21设置在变阻器层12与玻璃陶瓷层14上。绝缘层30使得内部电极611A、611B不从孔21的壁面21A露出。
由于内部电极611A、611B不露出，例如，当利用电镀在变阻器801上形成端子时，能够防止电镀液侵入内部电极611A、611B，能够从更多种类的药品中选择电镀液，提高端子制造方法的自由度。
(实施方式7)
图20是本发明的实施方式7的变阻器802的截面图。变阻器802在图12A～图12C及图13所示的变阻器601中，还包括传热层32，该传热层32设置在陶瓷基板13的面13A相反侧的面13B上。传热层32由金属等具有高传热性的材料形成，促进陶瓷基板13的散热。从散热性的观点考虑，优选传热层32中所含的含有90重量％以上的银。传热层32可以仅形成在端子电极20A、20B的相反侧，还可以形成在更广的范围内，能够获得更好的散热性。
而且，在传热层32使用金属等导电性材料时，且在变阻器802上形成图1所示的外部电极时，规定形成传热层32的范围，防止外部电极与传热层32发生短路。
图21A是实施方式7的其他变阻器803的顶视立体图。图21B是图21A所示的变阻器803的沿线21B-21B线的截面图。变阻器803包括内部电极711A、711B，取代图15所示的变阻器602的内部电极511A、511B，还包括外部电极15A、15B。
变阻器803中，在变阻器层12和玻璃陶瓷层14上形成有孔21，使陶瓷基板13的面13A的一部分13C露出。在面13A的部分13C上设置有用于安装电子部件的端子电极20A、20B。内部电极711A、711B设置在变阻器层12与陶瓷基板13的界面，即陶瓷基板13的面13A上，且分别具有位于部分13C上的端部1711A、1711B。端子电极20A、20B分别设置在从孔21露出的内部电极711A、711B的端部1711A、1711B上，分别与端部1711A、1711B连接。内部电极611A、711A各自的端部2611A、2711A从变阻器层12的端面12C露出，内部电极611B、711B各自的端部2611B、2711B从变阻器层12的端面12D露出。外部电极15A设置在变阻器层12的端面12C上，与内部电极611A、711A的端部2611A、2711A连接。外部电极15B设置在变阻器层12的端面12D上，与内部电极611B、711B的端部2611B、2711B连接。
如图21A所示，内部电极611A、611B将变阻器层12的部分35夹在中间并彼此相对，变阻器803在部分35具有作为变阻器的特性。
图22A是实施方式7的另一其他变阻器804的顶视立体图。图22B是图22A所示的变阻器804的沿线22B-22B的截面图。变阻器804包括内部电极811A、811B，取代图21A和图21B所示的变阻器803的内部电极611A、611B，还包括通孔电极217A、217B和端子电极16A、16B。
变阻器804中，与图21B所示的内部电极611A、611B不同，内部电极811A、811B并未从变阻器层12露出。通孔电极217A与内部电极711A、811A连接，具有露出在玻璃陶瓷层14的面14A上的部分1217A。端子电极16A设置在玻璃陶瓷层14的面14A上，与通孔电极217A的部分1217A连接。同样，通孔电极217B与内部电极711B、811B连接，具有露出在玻璃陶瓷层14的面14A上的部分1217B。端子电极16B设置在玻璃陶瓷层14的面14A上，与通孔电极217B的部分1217B连接。
可以在变阻器804中设置图21A和图21B所示的外部电极15A、15B。
如图22A所示，内部电极811A、811B将变阻器层12的部分135夹在中间并彼此相对，变阻器804在部分135具有作为变阻器的特性。
图23是实施方式7的另一其他变阻器805的截面图。在该结构中，由内部电极711A和内部电极711B形成变阻器部。变阻器805包括内部电极911A、911B，取代图21A和图21B所示的变阻器803的内部电极611A、611B，还包括通孔电极317A、317B和端子电极16A、16B。
内部电极711A、711B设置在陶瓷基板13的面13A上，且分别具有分别露出在变阻器层12的端面12C、12D上的部分2711A、2711B。外部电极15A、15B分别设置在端面12C、12D上，分别与内部电极711A、711B的端部2711A、2711B连接。变阻器内部电极711A、711B将变阻器层12的部分12E夹在中间并相对，利用部分12E能够获得作为变阻器的特性。
内部电极911A、911B分别具有从变阻器层12的端面12C、12D露出并与外部电极15A、15B连接的端部2911A、2911B。通孔电极317A、317B分别与内部电极911A、911B连接，分别具有从玻璃陶瓷层14的面14A露出的部分1317A、1317B。端子电极16A、16B设置在面14A上，分别与通孔电极317A、317B的部分1317A、1317B连接。即，内部电极711A通过外部电极15A、内部电极911A和通孔电极317A与端子电极16A导通，内部电极711B通过外部电极15B、内部电极911B和通孔电极317B而与端子电极16B导通。
产业上的可利用性
本发明的变阻器为小型且较薄，对浪涌电压具有优异的变阻器特性。因此，适用于小型且对静电和浪涌电压具有耐性的电子部件模块。

Claims (77)

1.一种变阻器，其特征在于，包括：
具有绝缘性的陶瓷基板；
具有位于所述陶瓷基板上的第一面和所述第一面相反侧的第二面、以氧化锌为主要成分的变阻器层；
设置在所述变阻器层的所述第二面上且含有玻璃的第一玻璃陶瓷层，所述第一玻璃陶瓷层的厚度范围是5μm～50μm；
设置在所述变阻器层内的第一内部电极；
设置在所述变阻器层内、且在所述变阻器层内与所述第一内部电极相对的第二内部电极；
露出在所述变阻器的外部且与所述第一内部电极导通的第一外部电极；
露出在所述变阻器的外部且与所述第二内部电极导通的第二外部电极；
第一通孔电极，埋设在所述第一玻璃陶瓷层与所述变阻器层内，与所述第一内部电极和所述第一外部电极连接；和
第二通孔电极，埋设在所述第一玻璃陶瓷层与所述变阻器层内，与所述第二内部电极和所述第二外部电极连接，
所述第一玻璃陶瓷层具有位于所述变阻器层的所述第二面上的第一面、和所述第一玻璃陶瓷层的所述第一面相反侧的第二面，
所述第一外部电极和所述第二外部电极从所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面露出。
2.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述第一内部电极与所述第二内部电极距离所述变阻器层的所述第一面10μm以上。
3.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述第一内部电极与所述第二内部电极距离所述变阻器层的所述第二面10μm以上。
4.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板含有氧化铝、氧化锆、氧化硅、氧化镁中的任一种为主要成分。
5.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述变阻器层还具有端面，
所述第一内部电极和所述第二内部电极分别具有从所述变阻器层的所述端面露出的第一端部和第二端部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极设置在所述变阻器层的所述端面上，分别与所述第一端部和所述第二端部连接。
6.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述变阻器层具有第一端面和第二端面，
所述第一内部电极具有从所述变阻器层的所述第一端面露出的第一端部，
所述第二内部电极具有从所述变阻器层的所述第二端面露出的第二端部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极分别设置在所述变阻器层的所述第一端面和所述第二端面上。
7.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极和所述第二外部电极含有金属粉和相对于所述金属粉为0.5重量％～5.0重量％的三氧化钼。
8.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述第一通孔电极和所述第二通孔电极含有金属粉和相对于所述金属粉为0.5重量％～5.0重量％的三氧化钼。
9.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极设置在所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面上。
10.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极具有被所述第一玻璃陶瓷层部分覆盖、且从所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面露出的面。
11.如权利要求10所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极的所述面具有被所述第一玻璃陶瓷层的部分覆盖的端部，
所述第一玻璃陶瓷层的所述部分的厚度为3μm～10μm，宽度为20μm～100μm。
12.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板具有位于所述变阻器层的所述第一面上的面，
在所述变阻器层和所述第一玻璃陶瓷层上形成有孔，所述孔贯通所述变阻器层和所述第一玻璃陶瓷层，具有在所述第一玻璃陶瓷层上开口的开口部，且使所述陶瓷基板的所述面的部分露出在底部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极设置在所述孔内。
13.如权利要求12所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极和所述第二外部电极与所述第一内部电极和所述第二内部电极电性并联连接。
14.如权利要求12所述的变阻器，其特征在于，
所述孔的所述开口部为圆形。
15.如权利要求12所述的变阻器，其特征在于，
所述孔从所述变阻器层向所述第一玻璃陶瓷层扩展。
16.如权利要求15所述的变阻器，其特征在于，
所述孔还具有壁面，
还包括设置在所述孔的所述壁面上的光反射层。
17.如权利要求12所述的变阻器，其特征在于，
所述第一玻璃陶瓷层具有位于所述变阻器层的所述第二面上的第一面和所述第一玻璃陶瓷层的所述第一面相反侧的第二面，
还包括第二玻璃陶瓷层，所述第二玻璃陶瓷层设置在所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面上，由软化温度比所述第一玻璃陶瓷层的所述玻璃的软化温度低100℃以上的玻璃构成，
所述孔的所述开口部在所述第二玻璃陶瓷层上开口。
18.如权利要求17所述的变阻器，其特征在于，
所述第二玻璃陶瓷层的厚度为50μm～500μm。
19.如权利要求12所述的变阻器，其特征在于，
所述孔还具有壁面，
还包括设置在所述孔的所述壁面上的绝缘层。
20.如权利要求1所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板具有第一面和所述第一面相反侧的第二面，
所述陶瓷基板的所述第二面位于所述变阻器层的所述第一面上，
还包括设置在所述陶瓷基板的所述第一面上的传热层。
21.如权利要求20所述的变阻器，其特征在于，
所述传热层含有90重量％以上的银。
22.一种电子部件模块，其特征在于，包括：
权利要求1～21中任一项所述的变阻器；和
具有分别与所述变阻器的所述第一外部电极和所述第二外部电极连接的第一端子和第二端子的电子部件。
23.如权利要求22所述的电子部件模块，其特征在于，
所述电子部件为发光二极管。
24.一种变阻器，其特征在于，包括：
具有绝缘性的陶瓷基板；
具有位于所述陶瓷基板上的第一面和所述第一面相反侧的第二面、以氧化锌为主要成分的变阻器层；
设置在所述变阻器层的所述第二面上且含有玻璃的第一玻璃陶瓷层，所述第一玻璃陶瓷层的厚度范围是5μm～50μm；
设置在所述变阻器层内的第一内部电极；
设置在所述变阻器层内、且在所述变阻器层内与所述第一内部电极相对的第二内部电极；
露出在所述变阻器的外部且与所述第一内部电极导通的第一外部电极；和
露出在所述变阻器的外部且与所述第二内部电极导通的第二外部电极；
所述第一玻璃陶瓷层具有位于所述变阻器层的所述第二面上的第一面、和所述第一玻璃陶瓷层的所述第一面相反侧的第二面，
所述第一外部电极和所述第二外部电极从所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面露出，
所述第一外部电极具有被所述第一玻璃陶瓷层部分覆盖、且从所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面露出的面。
25.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述第一内部电极与所述第二内部电极距离所述变阻器层的所述第一面10μm以上。
26.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述第一内部电极与所述第二内部电极距离所述变阻器层的所述第二面10μm以上。
27.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板含有氧化铝、氧化锆、氧化硅、氧化镁中的任一种为主要成分。
28.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述变阻器层还具有端面，
所述第一内部电极和所述第二内部电极分别具有从所述变阻器层的所述端面露出的第一端部和第二端部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极设置在所述变阻器层的所述端面上，分别与所述第一端部和所述第二端部连接。
29.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述变阻器层具有第一端面和第二端面，
所述第一内部电极具有从所述变阻器层的所述第一端面露出的第一端部，
所述第二内部电极具有从所述变阻器层的所述第二端面露出的第二端部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极分别设置在所述变阻器层的所述第一端面和所述第二端面上。
30.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极和所述第二外部电极含有金属粉和相对于所述金属粉为0.5重量％～5.0重量％的三氧化钼。
31.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极设置在所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面上。
32.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极的所述面具有被所述第一玻璃陶瓷层的部分覆盖的端部，
所述第一玻璃陶瓷层的所述部分的厚度为3μm～10μm，宽度为20μm～100μm。
33.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板具有位于所述变阻器层的所述第一面上的面，
在所述变阻器层和所述第一玻璃陶瓷层上形成有孔，所述孔贯通所述变阻器层和所述第一玻璃陶瓷层，具有在所述第一玻璃陶瓷层上开口的开口部，且使所述陶瓷基板的所述面的部分露出在底部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极设置在所述孔内。
34.如权利要求33所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极和所述第二外部电极与所述第一内部电极和所述第二内部电极电性并联连接。
35.如权利要求33所述的变阻器，其特征在于，
所述孔的所述开口部为圆形。
36.如权利要求33所述的变阻器，其特征在于，
所述孔从所述变阻器层向所述第一玻璃陶瓷层扩展。
37.如权利要求36所述的变阻器，其特征在于，
所述孔还具有壁面，
还包括设置在所述孔的所述壁面上的光反射层。
38.如权利要求33所述的变阻器，其特征在于，
所述第一玻璃陶瓷层具有位于所述变阻器层的所述第二面上的第一面和所述第一玻璃陶瓷层的所述第一面相反侧的第二面，
还包括第二玻璃陶瓷层，所述第二玻璃陶瓷层设置在所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面上，由软化温度比所述第一玻璃陶瓷层的所述玻璃的软化温度低100℃以上的玻璃构成，
所述孔的所述开口部在所述第二玻璃陶瓷层上开口。
39.如权利要求38所述的变阻器，其特征在于，
所述第二玻璃陶瓷层的厚度为50μm～500μm。
40.如权利要求33所述的变阻器，其特征在于，
所述孔还具有壁面，
还包括设置在所述孔的所述壁面上的绝缘层。
41.如权利要求24所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板具有第一面和所述第一面相反侧的第二面，
所述陶瓷基板的所述第二面位于所述变阻器层的所述第一面上，
还包括设置在所述陶瓷基板的所述第一面上的传热层。
42.如权利要求41所述的变阻器，其特征在于，
所述传热层含有90重量％以上的银。
43.一种电子部件模块，其特征在于，包括：
权利要求24～42中任一项所述的变阻器；和
具有分别与所述变阻器的所述第一外部电极和所述第二外部电极连接的第一端子和第二端子的电子部件。
44.如权利要求43所述的电子部件模块，其特征在于，
所述电子部件为发光二极管。
45.一种变阻器，其特征在于，包括：
具有绝缘性的陶瓷基板；
具有位于所述陶瓷基板上的第一面和所述第一面相反侧的第二面、以氧化锌为主要成分的变阻器层；
设置在所述变阻器层的所述第二面上且含有玻璃的第一玻璃陶瓷层，所述第一玻璃陶瓷层的厚度范围是5μm～50μm；
设置在所述变阻器层内的第一内部电极；
设置在所述变阻器层内、且在所述变阻器层内与所述第一内部电极相对的第二内部电极；
露出在所述变阻器的外部且与所述第一内部电极导通的第一外部电极；和
露出在所述变阻器的外部且与所述第二内部电极导通的第二外部电极，
所述陶瓷基板具有位于所述变阻器层的所述第一面上的面，
在所述变阻器层和所述第一玻璃陶瓷层上形成有孔，所述孔贯通所述变阻器层和所述第一玻璃陶瓷层，具有在所述第一玻璃陶瓷层上开口的开口部，且使所述陶瓷基板的所述面的部分露出在底部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极设置在所述孔内。
46.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述第一内部电极与所述第二内部电极距离所述变阻器层的所述第一面10μm以上。
47.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述第一内部电极与所述第二内部电极距离所述变阻器层的所述第二面10μm以上。
48.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板含有氧化铝、氧化锆、氧化硅、氧化镁中的任一种为主要成分。
49.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述变阻器层还具有端面，
所述第一内部电极和所述第二内部电极分别具有从所述变阻器层的所述端面露出的第一端部和第二端部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极设置在所述变阻器层的所述端面上，分别与所述第一端部和所述第二端部连接。
50.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述变阻器层具有第一端面和第二端面，
所述第一内部电极具有从所述变阻器层的所述第一端面露出的第一端部，
所述第二内部电极具有从所述变阻器层的所述第二端面露出的第二端部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极分别设置在所述变阻器层的所述第一端面和所述第二端面上。
51.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述第一玻璃陶瓷层具有位于所述变阻器层的所述第二面上的第一面、和所述第一玻璃陶瓷层的所述第一面相反侧的第二面，
所述第一外部电极和所述第二外部电极从所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面露出。
52.如权利要求51所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极和所述第二外部电极含有金属粉和相对于所述金属粉为0.5重量％～5.0重量％的三氧化钼。
53.如权利要求51所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极设置在所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面上。
54.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极和所述第二外部电极与所述第一内部电极和所述第二内部电极电性并联连接。
55.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述孔的所述开口部为圆形。
56.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述孔从所述变阻器层向所述第一玻璃陶瓷层扩展。
57.如权利要求56所述的变阻器，其特征在于，
所述孔还具有壁面，
还包括设置在所述孔的所述壁面上的光反射层。
58.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述第一玻璃陶瓷层具有位于所述变阻器层的所述第二面上的第一面和所述第一玻璃陶瓷层的所述第一面相反侧的第二面，
还包括第二玻璃陶瓷层，所述第二玻璃陶瓷层设置在所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面上，由软化温度比所述第一玻璃陶瓷层的所述玻璃的软化温度低100℃以上的玻璃构成，
所述孔的所述开口部在所述第二玻璃陶瓷层上开口。
59.如权利要求58所述的变阻器，其特征在于，
所述第二玻璃陶瓷层的厚度为50μm～500μm。
60.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述孔还具有壁面，
还包括设置在所述孔的所述壁面上的绝缘层。
61.如权利要求45所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板具有第一面和所述第一面相反侧的第二面，
所述陶瓷基板的所述第二面位于所述变阻器层的所述第一面上，
还包括设置在所述陶瓷基板的所述第一面上的传热层。
62.如权利要求61所述的变阻器，其特征在于，
所述传热层含有90重量％以上的银。
63.一种电子部件模块，其特征在于，包括：
权利要求45～62中任一项所述的变阻器；和
具有分别与所述变阻器的所述第一外部电极和所述第二外部电极连接的第一端子和第二端子的电子部件。
64.如权利要求63所述的电子部件模块，其特征在于，
所述电子部件为发光二极管。
65.一种变阻器，其特征在于，包括：
具有绝缘性的陶瓷基板；
具有位于所述陶瓷基板上的第一面和所述第一面相反侧的第二面、以氧化锌为主要成分的变阻器层；
设置在所述变阻器层的所述第二面上且含有玻璃的第一玻璃陶瓷层，所述第一玻璃陶瓷层的厚度范围是5μm～50μm；
设置在所述变阻器层内的第一内部电极；
设置在所述变阻器层内、且在所述变阻器层内与所述第一内部电极相对的第二内部电极；和
设置在所述陶瓷基板上的传热层，
所述陶瓷基板具有第一面和所述第一面相反侧的第二面，
所述陶瓷基板的所述第二面位于所述变阻器层的所述第一面上，
所述传热层设置在所述陶瓷基板的所述第一面上。
66.如权利要求65所述的变阻器，其特征在于，
所述第一内部电极与所述第二内部电极距离所述变阻器层的所述第一面10μm以上。
67.如权利要求65所述的变阻器，其特征在于，
所述第一内部电极与所述第二内部电极距离所述变阻器层的所述第二面10μm以上。
68.如权利要求65所述的变阻器，其特征在于，
所述陶瓷基板含有氧化铝、氧化锆、氧化硅、氧化镁中的任一种为主要成分。
69.如权利要求65所述的变阻器，其特征在于，还包括：
露出在所述变阻器的外部且与所述第一内部电极导通的第一外部电极；和
露出在所述变阻器的外部且与所述第二内部电极导通的第二外部电极。
70.如权利要求69所述的变阻器，其特征在于，
所述变阻器层还具有端面，
所述第一内部电极和所述第二内部电极分别具有从所述变阻器层的所述端面露出的第一端部和第二端部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极设置在所述变阻器层的所述端面上，分别与所述第一端部和所述第二端部连接。
71.如权利要求69所述的变阻器，其特征在于，
所述变阻器层具有第一端面和第二端面，
所述第一内部电极具有从所述变阻器层的所述第一端面露出的第一端部，
所述第二内部电极具有从所述变阻器层的所述第二端面露出的第二端部，
所述第一外部电极和所述第二外部电极分别设置在所述变阻器层的所述第一端面和所述第二端面上。
72.如权利要求69所述的变阻器，其特征在于，
所述第一玻璃陶瓷层具有位于所述变阻器层的所述第二面上的第一面、和所述第一玻璃陶瓷层的所述第一面相反侧的第二面，
所述第一外部电极和所述第二外部电极从所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面露出。
73.如权利要求72所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极和所述第二外部电极含有金属粉和相对于所述金属粉为0.5重量％～5.0重量％的三氧化钼。
74.如权利要求72所述的变阻器，其特征在于，
所述第一外部电极设置在所述第一玻璃陶瓷层的所述第二面上。
75.如权利要求65所述的变阻器，其特征在于，
所述传热层含有90重量％以上的银。
76.一种电子部件模块，其特征在于，包括：
权利要求65～75中任一项所述的变阻器；和
具有分别与所述变阻器的所述第一外部电极和所述第二外部电极连接的第一端子和第二端子的电子部件。
77.如权利要求76所述的电子部件模块，其特征在于，
所述电子部件为发光二极管。
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