WO2013168311A1

WO2013168311A1 - チップバリスタ素子およびその製造方法

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Publication number: WO2013168311A1
Application number: PCT/JP2012/078859
Authority: WO
Inventors: 三浦　忠将
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2012-05-11
Filing date: 2012-11-07
Publication date: 2013-11-14

Abstract

　チップバリスタ素子は、主面（Ｆ１）を有する絶縁性基材（１）と、相対向する第一面（Ｆ３）および第二面（Ｆ４）と、該第一面（Ｆ３）および該第二面（Ｆ４）を繋ぐ第三面（Ｆ５）とを有し、該第二面（Ｆ４）が絶縁性基材（１）の主面（Ｆ１）と接合されるバリスタ部（３）と、絶縁性基材（１）に接合されたバリスタ部（３）の第一面（Ｆ３）および第三面（Ｆ５）を覆う保護部（７）と、バリスタ部（３）の一部または全てを挟むように形成される第一内部電極（５ａ）および第二内部電極（５ｂ）と、第一内部電極（５ａ）および第二内部電極（５ｂ）と接続される第一外部電極（９ａ）および第二外部電極（９ｂ）と、を備える。

Description

チップバリスタ素子およびその製造方法

　本発明は、非直線性抵抗特性を有するチップバリスタ素子およびその製造方法に関する。

　従来のチップバリスタ素子としては、例えば特許文献１に記載の積層型チップバリスタがある。この積層型チップバリスタは、バリスタ部、複数の内部電極対、接続導体および複数の端子電極を備える。バリスタ部は、互いに対向する第一主面および第二主面を有する。各内部電極対は、少なくともその一部同士が互いに対向するようにバリスタ部内に配された第一内部電極および第二内部電極を有する。接続導体は、複数の内部電極対のうちの所定の内部電極対の第一内部電極同士を電気的に接続するように第一主面に形成されている。端子電極は、複数の内部電極対の各第二内部電極に対応して設けられ、該第二内部電極に電気的に接続されるように第二主面に形成される。

特開２００７－１６５６４１号公報

　バリスタ部は、一般的に酸化亜鉛からなる。酸化亜鉛は、酸、アルカリおよび水分に対し耐性が低い。よって、従来の積層型チップバリスタのように、バリスタ部が外部に露出する構成では、例えばニッケルやスズでのメッキ時にバリスタ部が溶解して劣化したり、高温高湿環境下での使用により非直線性抵抗特性が劣化したりするという問題点があった。

　それゆえに、本発明の目的は、高温高湿環境下での使用時に非直線性抵抗特性の劣化を防止可能なチップバリスタ素子を提供することである。また、本発明の他の目的は、メッキ時にバリスタ部の溶解を防止可能なチップバリスタ素子の製造方法を提供することである。

　上記目的を達成するために、本発明の第一局面は、チップバリスタ素子であって、主面を有する絶縁性基材と、相対向する第一面および第二面と、該第一面および該第二面を繋ぐ第三面とを有し、該第二面が前記絶縁性基材の主面と接合されるバリスタ部と、前記絶縁性基材に接合された前記バリスタ部の第一面および第三面を覆う保護部と、前記バリスタ部の一部または全てを挟むように形成される第一内部電極および第二内部電極と、前記第一内部電極および前記第二内部電極と接続される第一外部電極および第二外部電極と、を備える。

　また、本発明の第二局面は、チップバリスタ素子の製造方法であって、主面を有する絶縁性基材を作製する第一工程と、相対向する第一面および第二面と、該第一面および該第二面を繋ぐ第三面とを有し、該第二面が前記絶縁性基材の主面と接合されるバリスタ部と、該バリスタ部の一部または全てを挟む第一内部電極および第二内部電極と、を形成する第二工程と、前記第一内部電極および前記第二内部電極と接続される第一外部電極および第二外部電極を形成する第三工程と、前記絶縁性基材に接合された前記バリスタ部の第一面および第三面を覆う保護部を形成する第四工程と、前記第三工程で形成された前記第一外部電極および前記第二外部電極をメッキする第五工程と、を備える。

　上記第一局面によれば、バリスタ部の全周囲が保護部および絶縁性基材により覆われるため、高温高湿環境下での使用により非直線性抵抗特性が劣化することを防止可能となる。

　また、第二局面によれば、第五工程前に行われる第四工程において、バリスタ部が保護部で覆われるので、第五工程でのメッキ時にバリスタ部が劣化することを防止可能となる。

第一実施形態に係るチップバリスタ素子の縦断面図である。図１の線Ａ－Ａ’に沿うチップバリスタ素子の断面を矢印Ｂから見た横断面図である。図１のチップバリスタ素子の底面図である。図１のバリスタ部の非直線性抵抗特性を示すグラフである。本発明の第二実施形態に係るチップバリスタ素子の縦断面図である。本発明の第三実施形態に係るチップバリスタ素子の縦断面図である。

　（はじめに）
　以下、本発明の各実施形態に係るチップバリスタ素子の説明に先立ち、いくつかの図面に示すＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸を定義する。Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸は、チップバリスタ素子の左右方向、前後方向および上下方向を示す。

　（第一実施形態の構成）
　図１～図４において、ＢＧＡ（Ball Grid Array）実装対応可能なチップバリスタ素子が例示されている。このチップバリスタ素子は、絶縁性基材１と、バリスタ部３と、第一内部電極５ａと、第二内部電極５ｂと、保護部７と、第一外部電極９ａと、第二外部電極９ｂと、第一ビア電極１１ａと、第二ビア電極１１ｂと、第一Ｎｉ皮膜１３ａと、第二Ｎｉ皮膜１３ｂと、第一Ｓｎ皮膜１５ａと、第二Ｓｎ皮膜１５ｂと、を備えている。

　絶縁性基材１は、電気的な絶縁性を有し、焼成時の元素拡散を極力抑えるために、Ｆｅ系スピネル材料を主成分とするセラミック材料とすることが好ましい。絶縁性基材１は、主成分としてのＦｅ系スピネル材料と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、酸化ニッケル（ＮｉＯ）と、を含むセラミック材料からなること、がさらに好ましい。このセラミック材料には、ＺｎＯがＮｉＯよりも多く含有される。

　また、絶縁性基材１は、主面Ｆ１および背面Ｆ２を有する。主面Ｆ１およびＦ２は、上下方向に互いに正対しており、ＸＹ平面に略平行な面である。本実施形態では、例示的に、主面Ｆ１および背面Ｆ２は互いに同一の矩形形状を有するとする。主面Ｆ１および背面Ｆ２の間のＺ軸方向の距離（つまり、絶縁性基材１の厚さ）は、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下の値に設計される。

　バリスタ部３は、図４に例示する非直線性抵抗特性を有する材料からなる。このような材料としてはＺｎＯが典型的である。また、バリスタ部３は、複数のバリスタ層の積層構造を有する。

　また、バリスタ部３は、第一面Ｆ３および第二面Ｆ４と、第一面Ｆ３および第二面Ｆ４を繋ぐ少なくとも一つの第三面Ｆ５と、を有する。第一面Ｆ３および第二面Ｆ４は、上下方向に互いに正対しており、ＸＹ平面に略平行な面である。本実施形態では、例示的に、バリスタ部３は直方体形状を有する。具体的には、第一面Ｆ３および第二面Ｆ４は、互いに同一の矩形形状を有し、四個の第三面Ｆ５で接続される、とする。ここで、第一面Ｆ３および第二面Ｆ４の間のＺ軸方向の距離（つまり、バリスタ部３の厚さ）は、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下の値に設計される。

　このようなバリスタ部３は、絶縁性基材１の主面Ｆ１上に形成される。より具体的には、バリスタ部３は、絶縁性基材１の主面Ｆ１上に焼成により接合される。

　ここで、図２は、図１に示す線Ａ－Ａ’に沿うチップバリスタ素子の断面を、主面Ｆ１の法線方向Ｂ（Ｚ軸に平行な方向）から見た図である。なお、説明の便宜上、図２では、保護部７の図示を省略している。図２には、法線方向Ｂから平面視（上面視）した場合における、絶縁性基材１の外形線Ｌ１と、バリスタ部３の外形線Ｌ２と、が示されている。本実施形態では、バリスタ部３は、外形線Ｌ２が外形線Ｌ１に内包されるように、絶縁性基材１の主面Ｆ１上に形成される。

　第一内部電極５ａおよび第二内部電極５ｂは、空気中で酸化し難い貴金属材料からなる。この貴金属材料としては、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金等が典型的である。本実施形態では、第一内部電極５ａおよび第二内部電極５ｂは、バリスタ部３の内部に、上下方向に対向するように形成される。ただし、本実施形態の例では、後述する第一ビア電極１１ａおよび第二ビア電極１１ｂを形成するために、第一内部電極５ａおよび第二内部電極５ｂは、左右方向にずらされている。このような第一内部電極５ａおよび第二内部電極５ｂは、法線方向Ｂに、バリスタ部３の一部を挟み込む。第一および第二内部電極５ａ，５ｂの間の電位差が例えば１０［Ｖ］（図４を参照）を超えると、量子力学的なトンネル効果によって大電流が流れる。

　また、本実施形態では、第一内部電極５ａは、図１に示すように、主面Ｆ１から所定距離ｄだけＺ軸方向に離れた位置に形成される。詳細は後述されるが、バリスタ部３と絶縁性基材１とは焼成により接合される。その時、絶縁性基材１の構成物質がバリスタ部３側に元素拡散し侵入してくる。もし絶縁性基材１からの拡散物質が第一内部電極５ａおよび第二内部電極５ｂの間に侵入すると、チップバリスタ素子の非直線性抵抗特性を劣化させることもある。このような背景から、本実施形態では、所定距離ｄは、焼成により絶縁性基材１からの拡散物質が第一内部電極５ａおよび第二内部電極５ｂの間に到達しない値が選択される。本願発明者による実験では、所定距離ｄを５μｍ以上にすると、絶縁性基材１からの拡散物質の侵入を防止できることが判明した。

　保護部７は、耐環境性の高い材料からなる。このような材料としては、例えばポリテトラフルオロエチレンのように、絶縁性を有する樹脂材料が例示される。この保護部７は、主面Ｆ１上に接合されたバリスタ部３の第一面Ｆ３および各第三面Ｆ５を覆うように、該主面Ｆ１上に形成される。

　再度図２を参照する。保護部７は主面Ｆ１上に密着してバリスタ部３をシールすることが求められる。密着性やシール性を確保するには、外形線Ｌ１，Ｌ２の間の面積（つまり、マージン）は大きい方が好ましい。しかしながら、外形線Ｌ２（つまり、バリスタ部３）の面積が大きい方が耐圧面で有利となる。もし、耐圧面を優先する場合には、マージンは小さくされる。

　ここで、図３を参照する。図３はチップバリスタ素子の底面図である。なお、説明の便宜上、図３では、第一および第二Ｎｉ皮膜１３ａ，１３ｂと、第一および第二Ｓｎ皮膜１５ａ，１５ｂの図示は省略される。図３において、第一外部電極９ａおよび第二外部電極９ｂは、例えば銀のような金属材料からなる。本実施形態では、第一外部電極９ａおよび第二外部電極９ｂは絶縁性基材１の背面Ｆ２に形成される。第一外部電極９ａおよび第二外部電極９ｂの周囲のマージンは、チップバリスタ素子の寸法およびその実装基板のランドパターンに合わせて調整される。

　再度図１を参照する。第一ビア電極１１ａおよび第二ビア電極１１ｂは、導電性材料からなり、バリスタ部３および絶縁性基材１に形成される。第一ビア電極１１ａは、第一内部電極５ａと第一外部電極９ａとを電気的に接続する。また、第二ビア電極１１ｂは、第二内部電極５ｂと第二外部電極９ｂとを電気的に接続する。

　第一Ｎｉ皮膜１３ａは、第一外部電極９ａに、メッキにより形成されたニッケル皮膜であり、第一Ｓｎ皮膜１５ａは、第一Ｎｉ皮膜１３ａ上に形成されたスズ（Ｓｎ）皮膜である。また、第二Ｎｉ皮膜１３ｂは、第二外部電極９ｂを皮膜し、第二Ｓｎ皮膜１５ｂは、第二Ｎｉ皮膜１３ｂを皮膜する。これら第一および第二Ｎｉ皮膜１３ａ，１３ｂおよび第一および第二Ｓｎ皮膜１５ａ，１５ｂは、チップバリスタ素子をハンダ実装するために形成される。

　（第一実施形態の製造方法例）
　次に、上記チップバリスタ素子の製造方法例について説明する。

　まず、絶縁性基材１の作製工程を詳説する。この作製工程は、第一工程の典型例であり、以下の（１）～（５）の詳細な工程を含む。
　　（１）セラミック素原料であるＦｅ₂Ｏ₃、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯが所定量秤量される。
　　（２）上記（１）で秤量されたセラミック素原料は、ジルコニア等の粉砕媒体が内有されたボールミルに投入され、十分に湿式粉砕される。
　　（３）上記（２）で粉砕されたセラミック素原料は、８００℃、５時間の条件で仮焼処理され、これによって、フェライト粉末が作製される。
　　（４）上記（３）で作製されたフェライト粉末には、水、分散剤および有機バインダが加えられる。この混合物は、湿式で混合処理され、スラリー状にされる。
　　（５）上記（４）で得られたスラリーはドクターブレード法等により成形加工され、その結果、上記絶縁性基材１の一例であるフェライトのグリーンシートが得られる。

　次に、第一および第二ビア電極１１ａ，１１ｂの形成工程について詳細に説明する。この形成工程は、以下の（６）～（８）の詳細な工程を含む。
　　（６）上記（５）で得られたグリーンシートには、レーザや打ち抜きプレスを利用して、上記第一および第二ビア電極１１ａ，１１ｂ用のスルーホールが形成される。
　　（７）上記（６）で形成されたスルーホールは、スクリーン印刷法等により、ＡｇＰｄ合金からなる電極ペーストで充填され、上記第一および第二ビア電極１１ａ，１１ｂが形成される。
　　（８）焼成後の厚さが１００μｍ～５００μｍ（図１を参照）となるよう、第一および第二ビア電極１１ａ，１１ｂが形成されたグリーンシートは逐次圧着される。これにより、ビア電極付きの積層基材が作製される。

　次に、バリスタ部３および第一および第二内部電極５ａ，５ｂの形成工程を詳説する。この形成工程は、第二工程の典型例であり、以下の（９）～（１３）の詳細な工程を含む。
　　（９）上記（１）～（８）とは別に、セラミック素原料としてのＺｎＯ、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、ＭｎＣＯ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃が所定量秤量される。
　　（１０）上記（９）で秤量されたセラミック素原料は、上記（２）、（３）と同様に処理される。その結果、バリスタ粉末が作製される。
　　（１１）上記（１０）で作製されたバリスタ粉末には、有機溶剤、水およびワニスが加えられる。この混合物は、三本ロールで分散処理され、その結果、スクリーン印刷用のセラミックペーストが得られる。
　　（１２）上記（１１）で得られたセラミックペースト、および、ＡｇＰｄ合金の電極ペーストを用いて、上記（８）で作製された積層基材上に、第一および第二内部電極５ａ，５ｂの図形と、バリスタ部３の図形とが繰り返し印刷され積層される。
　　（１３）上記（１２）で得られたバリスタ部３等が印刷・積層された積層基材は、例えば９００℃、２時間の条件で焼成される。その結果、第一および第二内部電極５ａ，５ｂを内蔵するバリスタ部３が積層基材上に形成される。

　以降、（１４）～（１８）の工程が行われる。
　　（１４）　この工程は第三工程の典型例である。この工程で、上記（１３）で得られた積層基材の背面に、第一および第二外部電極９ａ，９ｂが形成される。
　　（１５）　この工程は第四工程の典型例である。この工程で、上記（１３）で得られたバリスタ部３は耐酸性を有する樹脂材料で密封される。
　　（１６）　この工程は第五工程の典型例である。この工程で、積層基材の背面上の第一および第二外部電極９ａ，９ｂに、メッキ処理が行われ、第一および第二Ｎｉ皮膜１３ａ，１３ｂおよび第一および第二Ｓｎ皮膜１５ａ，１５ｂが形成される。
　　（１７）　上記（１６）の後、耐酸性樹脂材料が除去され、その後、バリスタ部３は絶縁性材料からなる保護部７で覆われる。
　　（１８）　上記（１７）までの処理が行われた積層基材は、例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍの素子サイズにダイシング処理され、個々のチップバリスタ素子に分離される。

　（第一実施形態の作用・効果）
　以上説明したように、第一実施形態に係るチップバリスタ素子によれば、耐環境性の高い材料からなる保護部７が、主面Ｆ１上に接合されたバリスタ部３の第一面Ｆ３および各第三面Ｆ５を覆う。これにより、高温高湿環境下での使用であっても、非直線性抵抗特性の劣化を防止可能なチップバリスタ素子を提供することが可能となる。

　また、上記製造方法例によれば、メッキ処理の前に、バリスタ部３の耐酸性の保護部が形成されるので、メッキ処理時にバリスタ部３の劣化を防止することが可能となる。

　なお、バリスタ部３は、上記（１５）の工程において耐酸性樹脂材料で密封され、上記（１７）の工程において保護部７で覆われていた。しかし、保護部７が耐酸性を有するのであれば、（１５）の工程において保護部７でバリスタ部３を密封しても構わない。この場合、（１７）の工程は省略される。これによって、非直線性抵抗特性の劣化だけでなく、例えばメッキ処理時にバリスタ部３が溶解して劣化することを防止することも可能となる。

　また、第一内部電極５ａを主面Ｆ１から上記所定距離ｄだけ離れた位置に形成されるため、焼成による絶縁性基材１からの拡散物質が第一内部電極５ａおよび第二内部電極５ｂの間に侵入することを防止できる。これによっても、非直線性抵抗特性の劣化を防止することが可能となる。この点については、第二実施形態および第三実施形態にも同様に当てはまる。

　また、絶縁性基材１にＦｅ系スピネル材料を主成分とし、ＮｉＯよりも多いＺｎＯを含有するセラミック材料を用いることで、絶縁性基材１からの元素拡散を抑制することができる。これによっても、チップバリスタ素子の非直線性抵抗特性の劣化を防止することが可能となる。この点については、第二実施形態および第三実施形態にも同様に当てはまる。

　（付記１）
　なお、上記第一実施形態では、バリスタ部３を上面視した時の形状は矩形形状として説明した。しかし、この形状は、矩形形状に限らず、例えば円形等、どのような形状でも構わない。この点については、後述の第二実施形態および第三実施形態でも同様である。

　（付記２）
　第一および第二外部電極９ａ，９ｂは、ＢＧＡ実装対応の実施形態とするため、絶縁性基材１の背面Ｆ２に形成されるとして説明した。しかし、これに限らず、第一および第二外部電極９ａ，９ｂは、絶縁性基材１の両側面に形成されても構わない。この点については、後述の第二実施形態および第三実施形態でも同様である。

　（第二実施形態の構成）
　次に、第二実施形態に係るリップバリスタ素子について説明する。図５において、チップバリスタ素子は、図１のものと比較すると、まず、第一および第二内部電極５ａ，５ｂに代えて第一および第二内部電極５ｃ，５ｄを備えている点で相違する。また、図５のチップバリスタ素子は、バリスタ部３に代えてバリスタ部３ａを備えている点で相違する。この二点以外に、両チップバリスタ素子の間に相違点はないので、図５において図１の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。

　バリスタ部３ａは、図１のバリスタ部３と比較すると、単層のバリスタ層からなる点で相違する。それ以外の点については、バリスタ部３ａは、バリスタ部３と同様であるため、それぞれの説明を省略する。

　第一および第二内部電極５ｃ，５ｄは、図５に示すように、バリスタ部３ａを、上下方向（法線方向Ｂ）に挟み込むように形成される。より具体的には、第一内部電極５ｃは、絶縁性基材１の主面Ｆ１上に接触し、第二内部電極５ｄはバリスタ部３ａの第一面Ｆ３に接触するように形成される。

　（第二実施形態の製造方法例）
　次に、第二実施形態のチップバリスタ素子の製造方法例について説明する。この製造方法例は、第一実施形態に記載のものと比較すると、上記（１）～（１８）の工程のうち、（１２）の工程が下記のように異なる点で相違する。つまり、（１２）の工程では、（８）で作製された積層基材上に、第一および第二内部電極５ｃ，５ｄの図形と、単層のバリスタ部３ａの図形とが印刷され積層される。

　（第二実施形態の作用・効果）
　第二実施形態に係るチップバリスタ素子は、（第一実施形態の作用・効果）にて説明したものと同様の作用および効果を奏する。さらに、第二実施形態ではバリスタ部３ａは単層であるため、チップバリスタ素子を低背化できるという効果を奏する。

　（第三実施形態の構成）
　次に、第三実施形態に係るチップバリスタ素子について説明する。図６において、チップバリスタ素子は、図１のものと比較すると、まず、第一および第二内部電極５ａ，５ｂに代えて第一および第二内部電極５ｅ，５ｆを備えている点で相違する。また、図６のチップバリスタ素子は、バリスタ部３に代えてバリスタ部３ｂを備えている点で相違する。これら以外に、両チップバリスタ素子の間に相違点はないので、図６において、図１の構成に相当するものには同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。

　バリスタ部３ｂは、図１のバリスタ部３と比較すると、まず、単層のバリスタ層からなる点で相違する。他にも、バリスタ部３ｂは、上下方向に正対する第一面Ｆ３および第二面Ｆ４と、第一面Ｆ３および第二面Ｆ４を繋ぐ少なくとも二つの第三面Ｆ５，Ｆ６と、を有する点で相違する。ここで、第三面Ｆ５，Ｆ６は、左右方向に正対しており、実質的にＹＺ平面に略平行な面である。

　第一および第二内部電極５ｅ，５ｆは、図６に示すように、バリスタ部３ｂを、左右方向から挟み込むように形成される。より具体的には、第一内部電極５ｅは、少なくとも、バリスタ部３ｂの第三面Ｆ６に接触し、第二内部電極５ｆはバリスタ部３ｂの第三面Ｆ５に接触するように形成される。

　（第三実施形態の製造方法例）
　第三実施形態のチップバリスタ素子の製造方法例は、実質的に、第二実施形態のチップバリスタ素子のものと同様であるため、その説明を省略する。

　（第三実施形態の作用・効果）
　第三実施形態に係るチップバリスタ素子は、（第一実施形態の作用・効果）にて説明したものと同様の作用および効果を奏する。さらに、第三実施形態では、バリスタ部３ｂが単層構造を有しており、かつ第一および第二内部電極５ｅ，５ｆがバリスタ部３ｂの側方に配置されるため、チップバリスタ素子を低背化できるという効果を奏する。

　本発明に係るチップバリスタ素子は、メッキ時におけるバリスタ部の劣化、または高温高湿環境下での使用時におけるバリスタ部の特性劣化を防止可能であり、携帯電話およびノート型ＰＣのような電子機器に好適である。

　１　絶縁性基材
　３，３ａ，３ｂ　バリスタ部
　５ａ，５ｃ，５ｅ　第一内部電極
　５ｂ，５ｄ，５ｆ　第二内部電極
　７　保護部
　９ａ　第一外部電極
　９ｂ　第二外部電極
　１１ａ　第一ビア電極
　１１ｂ　第二ビア電極
　１３ａ　第一Ｎｉ皮膜
　１３ｂ　第二Ｎｉ皮膜
　１５ａ　第一Ｓｎ皮膜
　１５ｂ　第二Ｓｎ皮膜

Claims

　主面を有する絶縁性基材と、
　相対向する第一面および第二面と、該第一面および該第二面を繋ぐ第三面とを有し、該第二面が前記絶縁性基材の主面と接合されるバリスタ部と、
　前記絶縁性基材に接合された前記バリスタ部の第一面および第三面を覆う保護部と、
　前記バリスタ部の一部または全てを挟むように形成される第一内部電極および第二内部電極と、
　前記第一内部電極および前記第二内部電極と接続される第一外部電極および第二外部電極と、を備える、チップバリスタ素子。
　前記第一内部電極は、前記バリスタ部の内部であり、かつ前記主面から所定距離離れた位置に形成され、
　前記第二内部電極は、前記バリスタ部の内部であり、かつ前記第一内部電極を基準として前記バリスタ部の第一面側に形成され、
　前記第一内部電極および前記第二内部電極は、前記主面の法線方向に、前記バリスタ部の一部または全てを挟むように形成される、請求項１に記載のチップバリスタ素子。
　前記バリスタ部と前記絶縁性基材とは焼成によって接合され、
　前記所定距離として、前記焼成により前記絶縁性基材から拡散した物質が前記第一内部電極および前記第二内部電極間に到達しない値が選択される、請求項２に記載のチップバリスタ素子。
　前記所定距離は５μｍ以上である、請求項２または３に記載のチップバリスタ素子。
　前記第一内部電極は、前記絶縁性基材の主面上に形成され、
　前記第一内部電極および前記第二内部電極は、前記主面の法線方向に、前記バリスタ部の一部または全てを挟むように形成される、請求項１に記載のチップバリスタ素子。
　前記第一内部電極および前記第二内部電極は、前記主面と平行な方向に、前記バリスタ部の一部または全てを挟むように形成される、請求項１に記載のチップバリスタ素子。
　前記バリスタ部は単層構造を有する、請求項５または６に記載のチップバリスタ素子。
　前記絶縁基材は、Ｆｅ系スピネル材料を主成分とするセラミック材料からなる、請求項１～７のいずれかに記載のチップバリスタ素子。
　前記絶縁基材は、Ｆｅ系スピネル材料を主成分とし、少なくともＺｎＯおよびＮｉＯを含有するセラミック材料からなり、
　前記ＺｎＯの含有量が前記ＮｉＯの含有量よりも多い、請求項１～７のいずれかに記載のチップバリスタ素子。
　主面を有する絶縁性基材を作製する第一工程と、
　相対向する第一面および第二面と、該第一面および該第二面を繋ぐ第三面とを有し、該第二面が前記絶縁性基材の主面と接合されるバリスタ部と、該バリスタ部の一部または全てを挟む第一内部電極および第二内部電極と、を形成する第二工程と、
　前記第一内部電極および前記第二内部電極と接続される第一外部電極および第二外部電極を形成する第三工程と、
　前記絶縁性基材に接合された前記バリスタ部の第一面および第三面を覆う保護部を形成する第四工程と、
　前記第三工程で形成された前記第一外部電極および前記第二外部電極をメッキする第五工程と、を備える、チップバリスタ素子の製造方法。