JP4432586B2 - 静電気対策部品 - Google Patents

静電気対策部品 Download PDF

Info

Publication number
JP4432586B2
JP4432586B2 JP2004109779A JP2004109779A JP4432586B2 JP 4432586 B2 JP4432586 B2 JP 4432586B2 JP 2004109779 A JP2004109779 A JP 2004109779A JP 2004109779 A JP2004109779 A JP 2004109779A JP 4432586 B2 JP4432586 B2 JP 4432586B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
layer
varistor
bismuth oxide
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004109779A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005294673A (ja
Inventor
英則 勝村
竜也 井上
博司 加賀田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2004109779A priority Critical patent/JP4432586B2/ja
Priority to EP05727186A priority patent/EP1715494A4/en
Priority to CN2005800119448A priority patent/CN1942981B/zh
Priority to PCT/JP2005/005322 priority patent/WO2005098877A1/ja
Priority to US10/591,255 priority patent/US7864025B2/en
Publication of JP2005294673A publication Critical patent/JP2005294673A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4432586B2 publication Critical patent/JP4432586B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H01C17/06533Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/148Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/18Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

本発明は、各種電子機器等に用いる静電気対策部品に関するものである。
以下、従来の静電気対策部品について図面を参照しながら説明する。
近年、携帯電話等の電子機器の小型化、高性能化は急速に進み、それに伴い電子機器回路が高密度化し電子機器の耐電圧は低下している。そのため、人体と電子機器の端子が接触したときに発生する静電気パルスによる機器内部の電気回路の破壊が増えてきている。
従来、このような静電気パルスへの対策としては、静電気が入るラインとグランド間に積層チップバリスタ等を設け、静電気をバイパスさせ、電子機器の電気回路に印加される電圧を抑制する方法が行われている。
図9は上記積層チップバリスタの断面図である。
図9において、積層チップバリスタは、内部電極1を有するバリスタ層2と、このバリスタ層2の端面に内部電極1と接続された端子3とを備えている。バリスタ層2の上下面には保護層4が設けられている。
なお、静電気パルスの対策に用いられる従来の積層チップバリスタに関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開平8−31616号公報
上記従来の積層チップバリスタでは、バリスタ層2の物理的な強度の制約から、ある程度の厚みを確保しなければ割れや欠けが生じるため、薄型化が困難であるという問題点を有していた。
例えば、長さ1.25mm、幅2.0mm程度の積層チップバリスタの場合、0.5mm程度以上の厚みが必要であり、これ以上に厚さを薄くする場合は、長さと幅を小さくせざるを得ず、微小サージ電圧に対するバリスタ特性を保持したまま薄型化を図ることは困難であった。
本発明は上記問題点を解決するもので、微小サージ電圧に対するバリスタ特性を保持しつつ、薄型化を図った静電気対策部品を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を有する。
本発明は、バリスタ層と、前記バリスタ層を積層した基板とを備え、前記バリスタ層は少なくとも酸化ビスマスを含有する材料からなり、前記バリスタ層と前記基板とを焼結させて前記酸化ビスマスを前記基板に拡散させ、前記基板に酸化ビスマス拡散層を設けた構成である。
本発明によれば、基板にバリスタ層を積層しているので、バリスタ層の機械的強度が小さくても、基板の機械的強度が付加されるため、薄型化を図ることができる。
特に、単に基板にバリスタ層を積層しただけでは、バリスタ層と基板との剥離が生じ易いが、バリスタ層は少なくとも酸化ビスマスを含有する材料からなり、このバリスタ層と基板とを焼結させて酸化ビスマスを基板に拡散させ、基板に酸化ビスマス拡散層を設けているので、バリスタ層と基板とが一体的な物質となり、バリスタ層と基板との界面部分における剥離を防止することができる。
この結果、微小サージ電圧に対するバリスタ特性を保持しつつ、薄型化を図った静電気対策部品を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を用いて、本発明の全請求項に記載の発明について説明する。
図1は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図、図2は同静電気対策部品の分解斜視図、図3は同静電気対策部品の斜視図である。
図1〜図3において、本発明の一実施の形態における静電気対策部品は、複数の平面状の内部電極11を埋設したバリスタ層12と、このバリスタ層12を積層したアルミナを含有する基板13と、バリスタ層12の内部電極11に接続し、バリスタ層12の側面に形成した端子14とを備えている。
バリスタ層12は、酸化亜鉛を主成分とし、少なくとも酸化ビスマスを添加物とするバリスタ材料の粉末を含有した未焼成のグリーンシート15を複数積層するとともに焼成して形成している。特に、バリスタ材料の粉末の平均粒径は0.5〜2.0μmとするとともに、酸化ビスマスの粉末の平均粒径は1.0μm以下としている。このグリーンシート15に銀等の材料からなる平面状の導電ペーストを積層すれば、バリスタ層12に内部電極11を埋設させることができる。
また、バリスタ層12と基板13とは焼結させてバリスタ層12の酸化ビスマスを基板13に拡散させ、基板13に酸化ビスマス拡散層16を形成している。バリスタ材料の粉末を含有した未焼成のグリーンシート15を焼成してバリスタ層12を形成することと、バリスタ層12と基板13との焼結は同時に行っている。この際、図4に示すように、基板13に含有されたアルミナ粒子の界面に酸化ビスマス粒子17が介在するように、酸化ビスマスは基板13に拡散される。基板13を低焼成温度セラミック基板(低温度で焼成可能な未焼成のセラミックシートを焼成して形成するもの)とすれば、低温度で焼成可能な未焼成のセラミックシートにバリスタ材料の粉末を含有した未焼成のグリーンシート15を積層し、これらを一般の温度よりも低い焼成温度で同時焼成して、バリスタ層12と基板13とを焼結させられるので、内部電極11として銀等の材料を用いても、熱に起因した悪影響を内部電極11に与えることもない。
さらに、図5に示すように、バリスタ層12と基板13との焼結前には、バリスタ層12と基板13との間に接着層18を設けており、バリスタ層12と基板13との焼結の際に、この接着層18を介して酸化ビスマスを基板13に拡散させている。焼結後には、この接着層18は完全に消失する、または、その成分の一部が接着層18として残存する、または、その成分の一部がバリスタ層12または基板13に拡散している。バリスタ層12と基板13との界面近傍の成分組成分析グラフは図6に示すようになり、バリスタ層12には主成分の酸化亜鉛と酸化ビスマスが含有され、基板13には酸化ビスマスが拡散され、その含有量が多い部分に酸化ビスマス拡散層16が形成されている。
上記構成により、基板13にバリスタ層12を積層しているので、バリスタ層12の機械的強度が小さくても、基板13の機械的強度が付加されるため、薄型化を図ることができる。
特に、基板13はアルミナを含有するアルミナ基板20としているので、バリスタ層12の機械的強度よりもアルミナ基板20の機械的強度の方が大きくなり、バリスタ層12を非常に薄くするとともに、基板13そのものも非常に薄くしても、バリスタ層12に割れや欠けを発生することを抑制でき、薄型化をより図ることができる。
また、基板13にバリスタ層12を積層しただけでは、バリスタ層12と基板13との剥離が生じ易いが、バリスタ層12は少なくとも酸化ビスマスを含有する材料からなり、このバリスタ層12と基板13とを焼結させて酸化ビスマスを基板13に拡散させ、基板13に酸化ビスマス拡散層16を設けているので、バリスタ層12と基板13とが一体的な物質となり、バリスタ層12と基板13との界面部分における剥離を防止することができる。
特に、バリスタ層12と基板13との間に接着層18を設けるとともに、この接着層18を介して酸化ビスマスを基板13に拡散させているので、酸化ビスマスがバリスタ層12から基板13に拡散される際、バリスタ層12と基板13との剥離が抑制された状態で酸化ビスマスが拡散されるので、拡散されやすく的確に基板13に酸化ビスマス拡散層16を形成して、バリスタ層12と基板13との剥離を防止することができる。
さらに、バリスタ材料の粉末の平均粒径を0.5μm〜2.0μmとしているので、平均粒径が小さすぎてバリスタ材料の粉末を含有する未焼成のグリーンシート15を形成できなくなったり、平均粒径が大きすぎてグリーンシート15を焼成することができなくなったりすることを抑制できる。特に、酸化ビスマスの粉末の平均粒径を1.0μm以下とすることにより基板13へ拡散させやすく、より剥離を防止することができる。
なお、図7に示すように、基板13はガラスを含有するガラスセラミック層19をアルミナ基板20に積層し、バリスタ層12の酸化ビスマスをガラスセラミック層19に拡散させてガラスセラミック層19に酸化ビスマス拡散層16を形成するとともに、ガラスセラミック層19のガラスをアルミナ基板20に拡散させてアルミナ基板20にガラス拡散層21を形成してもよい。これにより、バリスタ層12とガラスセラミック層19とアルミナ基板20とが互いに剥離されにくくなり、特に、バリスタ層12はガラスセラミック層19と接触しているので、アルミナ基板20とバリスタ層12とが接触している場合に比べて、アルミナ基板20がバリスタ層12に与える影響が少なく、バリスタ特性の劣化を抑制できる。
また、図8に示すように、ガラスセラミック層19とアルミナ基板20との間に接着層18を設けるとともに、接着層18を介してガラスをアルミナ基板20に拡散させてもよい。この場合、バリスタ層12と基板13との焼結の際に、この接着層18を介してガラスをアルミナ基板20に拡散させている。焼結後には、この接着層18は完全に消失する、または、その成分の一部が接着層18として残存する、または、その成分の一部がバリスタ層12またはアルミナ基板20に拡散している。これにより、ガラスがガラスセラミック層19からアルミナ基板20に拡散される際、ガラスセラミック層19とアルミナ基板20との剥離が抑制された状態でガラスが拡散されるので、拡散されやすく的確にアルミナ基板20にガラス拡散層21を形成して、ガラスセラミック層19とアルミナ基板20との剥離を防止することができる。
さらに、バリスタ層12の上面にガラスを含有するガラスセラミック層19を積層してもよく、これによれば、バリスタ層12の酸化ビスマスがバリスタ層12の表面から空気中に放散されることが抑制され、酸化ビスマスが基板13に拡散されやすくなり、バリスタ層12と基板13との剥離を防止しやすくなる。
このような静電気対策部品に別の抵抗やコイルやコンデンサ等からなる電子回路を形成してもよい。例えば、電子部品回路を形成した回路基板を本発明の基板として用いたり、バリスタ層12を積層した側と反対側の基板13の面に、電子部品回路を形成した回路層を積層したりしてもよい。電子部品回路は、薄膜形成等で形成すれば薄型化も可能である。
以上のように本発明にかかる静電気対策部品は、微小サージ電圧に対するバリスタ特性を保持しつつ、薄型化を図ることができるので、各種電子機器等に適用できる。
本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図 同静電気対策部品の分解斜視図 同静電気対策部品の斜視図 基板に拡散された酸化ビスマスの状態を示す基板の拡大模式図 バリスタ層と基板との焼結前における同静電気対策部品の断面図 同静電気対策部品の成分組成分析グラフ 他の実施の形態における静電気対策部品の断面図 バリスタ層と基板との焼結前における同静電気対策部品の断面図 従来の静電気対策部品の積層チップバリスタの断面図
符号の説明
11 内部電極
12 バリスタ層
13 基板
14 端子
15 グリーンシート
16 酸化ビスマス拡散層
17 酸化ビスマス粒子
18 接着層
19 ガラスセラミック層
20 アルミナ基板
21 ガラス拡散層

Claims (12)

  1. バリスタ層と、前記バリスタ層を積層した基板とを備え、前記バリスタ層は少なくとも酸化ビスマスを含有する材料からなり、前記バリスタ層と前記基板とを焼結させて前記酸化ビスマスを前記基板に拡散させ、前記基板に酸化ビスマス拡散層を設けた静電気対策部品。
  2. 前記基板はアルミナ基板とした請求項1記載の静電気対策部品。
  3. 前記基板はガラスを含有するガラスセラミック層を前記アルミナ基板に積層して形成した請求項2記載の静電気対策部品。
  4. 前記ガラスを前記アルミナ基板に拡散させ、前記アルミナ基板にガラス拡散層を設けた請求項3記載の静電気対策部品。
  5. 前記ガラスセラミック層と前記アルミナ基板との間に接着層を設けるとともに、前記接着層を介して前記ガラスを前記アルミナ基板に拡散させ、前記アルミナ基板にガラス拡散層を設けた請求項3記載の静電気対策部品。
  6. 前記バリスタ層にガラスを含有するガラスセラミック層を積層した請求項1記載の静電気対策部品。
  7. 前記バリスタ層は、バリスタ材料の粉末を含有する未焼成のグリーンシートを複数積層するとともに焼成して形成しており、前記バリスタ材料の粉末の平均粒径を0.5〜2.0μmとした請求項1記載の静電気対策部品。
  8. 前記バリスタ材料は、主成分を酸化亜鉛とするとともに、添加物を少なくとも酸化ビスマスとし、前記酸化ビスマスの粉末の平均粒径を1.0μm以下とした請求項7記載の静電気対策部品。
  9. 前記バリスタ層と前記基板との間に接着層を設けるとともに、前記接着層を介して前記酸化ビスマスを前記基板に拡散させた請求項1記載の静電気対策部品。
  10. 前記基板は、電子部品回路を形成した回路基板とした請求項1記載の静電気対策部品。
  11. 前記基板には、前記バリスタ層を積層した側と反対の側に、電子部品回路を形成した回路層を積層した請求項1記載の静電気対策部品。
  12. 前記基板は、低焼成温度セラミック基板とした請求項1記載の静電気対策部品。
JP2004109779A 2004-04-02 2004-04-02 静電気対策部品 Expired - Fee Related JP4432586B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004109779A JP4432586B2 (ja) 2004-04-02 2004-04-02 静電気対策部品
EP05727186A EP1715494A4 (en) 2004-04-02 2005-03-24 COMPONENT WITH COUNTERMEASURE AGAINST STATIC ELECTRICITY
CN2005800119448A CN1942981B (zh) 2004-04-02 2005-03-24 抗静电部件
PCT/JP2005/005322 WO2005098877A1 (ja) 2004-04-02 2005-03-24 静電気対策部品
US10/591,255 US7864025B2 (en) 2004-04-02 2005-03-24 Component with countermeasure to static electricity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004109779A JP4432586B2 (ja) 2004-04-02 2004-04-02 静電気対策部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005294673A JP2005294673A (ja) 2005-10-20
JP4432586B2 true JP4432586B2 (ja) 2010-03-17

Family

ID=35125337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004109779A Expired - Fee Related JP4432586B2 (ja) 2004-04-02 2004-04-02 静電気対策部品

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7864025B2 (ja)
EP (1) EP1715494A4 (ja)
JP (1) JP4432586B2 (ja)
CN (1) CN1942981B (ja)
WO (1) WO2005098877A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269876A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電気対策部品
US7940155B2 (en) * 2005-04-01 2011-05-10 Panasonic Corporation Varistor and electronic component module using same
JP4744609B2 (ja) * 2006-03-10 2011-08-10 ジョインセット カンパニー リミテッド セラミック部品要素、セラミック部品及びその製造方法
US7741948B2 (en) * 2006-10-02 2010-06-22 Inpaq Technology Co., Ltd. Laminated variable resistor
US8508325B2 (en) 2010-12-06 2013-08-13 Tdk Corporation Chip varistor and chip varistor manufacturing method
JP5696623B2 (ja) * 2011-08-29 2015-04-08 Tdk株式会社 チップバリスタ
JP5799672B2 (ja) * 2011-08-29 2015-10-28 Tdk株式会社 チップバリスタ
KR101309479B1 (ko) * 2012-05-30 2013-09-23 삼성전기주식회사 적층 칩 전자부품, 그 실장 기판 및 포장체
KR101309326B1 (ko) 2012-05-30 2013-09-16 삼성전기주식회사 적층 칩 전자부품, 그 실장 기판 및 포장체
KR101483259B1 (ko) 2012-08-28 2015-01-14 주식회사 아모센스 무수축 바리스타 기판 및 그 제조 방법
WO2014035143A1 (ko) * 2012-08-28 2014-03-06 ㈜ 아모엘이디 무수축 바리스타 기판 및 그 제조 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1346851A (en) * 1971-05-21 1974-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Varistors
DE2735484C2 (de) * 1977-08-05 1984-06-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung von Dickfilm-Varistoren mit Zinkoxid als Hauptkomponente
JPS5810842B2 (ja) 1978-12-05 1983-02-28 松下電器産業株式会社 厚膜バリスタの製造方法
JPS5577103A (en) 1978-12-05 1980-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of fabricating thick varistor
JPS57184207A (en) 1981-05-08 1982-11-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thick film varistor
JPS5885502A (ja) 1981-11-17 1983-05-21 松下電器産業株式会社 厚膜バリスタの製造法
JPS63316405A (ja) * 1987-06-18 1988-12-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 厚膜バリスタ
CN1034370A (zh) 1988-01-22 1989-08-02 上海科技大学 电子束辐射合成水凝胶材料的方法
JP2970191B2 (ja) * 1992-03-27 1999-11-02 松下電器産業株式会社 酸化亜鉛バリスタ用電極材料
CA2107906C (en) 1992-02-25 1998-05-05 Kazushige Koyama Zinc oxide varistor and process for the production thereof
JP3453857B2 (ja) 1994-07-20 2003-10-06 松下電器産業株式会社 積層型バリスタの製造方法
TW394961B (en) * 1997-03-20 2000-06-21 Ceratech Corp Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof
JP3832071B2 (ja) 1998-02-10 2006-10-11 株式会社村田製作所 積層バリスタ
JPH11251152A (ja) 1998-03-03 1999-09-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合部品およびその製造方法
JP2001326108A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Mitsubishi Electric Corp 電圧非直線抵抗体およびその製造方法
CN1251250C (zh) 2001-04-05 2006-04-12 佳邦科技股份有限公司 暂态过电压保护元件的材料

Also Published As

Publication number Publication date
EP1715494A4 (en) 2010-03-17
JP2005294673A (ja) 2005-10-20
EP1715494A1 (en) 2006-10-25
US7864025B2 (en) 2011-01-04
US20070171025A1 (en) 2007-07-26
CN1942981A (zh) 2007-04-04
WO2005098877A1 (ja) 2005-10-20
CN1942981B (zh) 2010-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005098877A1 (ja) 静電気対策部品
US9363896B2 (en) Ceramic electronic component and method for manufacturing the same
JP7196732B2 (ja) 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2000306765A (ja) 積層セラミック電子部品
JP2006269876A (ja) 静電気対策部品
JP2005243944A (ja) セラミック電子部品
CN112397309B (zh) 多层电容器和其上安装有该多层电容器的板
KR20140046301A (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
JP3008567B2 (ja) チップ型バリスタ
JP4654690B2 (ja) 積層バリスタ
JP2000106322A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2000012375A (ja) 積層セラミック電子部品
JP2008270391A (ja) 積層型チップバリスタおよびその製造方法
JPH11297508A (ja) 積層型セラミック電子部品
JP5760894B2 (ja) 静電気保護素子
JP2004040023A (ja) 電圧非直線抵抗体素子
JP2006005800A (ja) 圧電スピーカ
JP2006313877A (ja) 静電気対策部品
WO2021112017A1 (ja) Ntcサーミスタ素子
JP2023144962A (ja) 積層セラミック部品
JP2000331805A (ja) 積層型セラミックアレイ
JPH01158702A (ja) 複合機能電子部品
CN116130243A (zh) 电子部件
JPS63285906A (ja) 積層セラミックバリスタ
JP2006186039A (ja) 積層型バリスタ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070227

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20070313

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20091120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091201

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091214

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4432586

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees