CN101057000A - 钼溅射靶 - Google Patents

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Abstract

特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管－液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。

Description

钼溅射靶
技术领域
本发明涉及多种形式的钼、它们作为溅射靶的应用和它们的制造方法。
发明背景
溅射技术为薄膜形成技术，利用它可使用等离子产生轰击溅射靶的离子，从而导致溅射靶的原子沉积在衬底上作为薄膜。溅射技术尤其用于在半导体和光电子工业中所用的各种制造工艺中产生金属层。溅射过程中形成的薄膜的性质与溅射靶自身的性质有关，如各自晶粒的尺寸和具有分布特征的二次相的形成。
为了实现衬底表面上薄膜的沉积，使用各种溅射技术。沉积的金属薄膜如平板显示装置上的金属薄膜可通过磁控管溅射装置或其它溅射技术来形成。磁控管溅射装置诱导气体的等离子体离子轰击靶，使靶材料的表面原子从中射出并作为薄膜或层沉积在衬底表面上。通常，使用平面圆盘或长方形形式的溅射源作为靶，射出的原子沿视线轨迹行进并沉积到沉积面平行于靶腐蚀面的晶片顶部。
但是，也可使用管状溅射靶。在这种情况下，等离子体在外部，原子从管的外部被溅射。使平面衬底缓慢经过靶。通常，其运动是水平的，并在与靶轴成直角的方向上，靶轴也是水平的。这样，当衬底经过靶时，可逐渐使其被镀覆。
在许多情况下，溅射靶，尤其是包含钼的那些，具有带非均匀晶粒织构的精细微观织构，其可从一个溅射靶到下一个变化。这些“不均匀性”导致沉积到衬底和装置上的薄膜不均匀，尤其是不能最优地工作的平板显示器。
在其它情况下，使用常规热机械加工步骤制造钼基溅射靶。不幸地是，这种方法通常引起晶粒尺寸和织构的不均匀性。溅射靶中的不均匀性一般导致不具有大多数半导体和光电应用中所需要的均匀性的溅射薄膜。
在一些应用中，需要大的纯钼板作为溅射靶。在这种情况下，通过机械加工和组装经常称为分割板的多个板完成大板的生产。与生产单板锭相比，分割板的制备需要数量增加的机械加工和组装成本。另外，不同板的组装在大的分割板中形成差异，这会导致通过溅射大板靶形成的薄膜的差异不能接受。
因此，本领域中存在对能克服现有技术缺陷并具有细晶粒尺寸和均匀晶粒织构的钼溅射靶的需要。
发明概述
本发明涉及特征在于没有或具有最少织构带或全厚度梯度的钼溅射靶。具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构的钼溅射靶具有高的纯度并可被微合金化至提高的性能。
本发明另外涉及通过以下形成的管状溅射靶：
A)将钼粉末放在模具中，在200-250MPa的压力下压制粉末，并在1780-2175℃温度下烧结压制块形成毛坯；
B)除去毛坯的中心形成具有内径ID1和外径OD1的管状毛坯；
C)加工管状毛坯形成具有内径ID和外径ODf使得OD1对ODf的比为至少3∶1的加工毛坯；和
D)在815-1375℃的温度下热处理管状毛坯。
本发明还涉及包含具有均匀织构的钼的管状溅射靶，其特征具体在于110取向平行于纵向，111取向相对于径向。
本发明另外涉及制造管状溅射靶的方法，其包括：
A)将钼粉末放在模具中，在200-250MPa的压力下压制粉末，并在1780-2175℃温度下烧结压制块形成毛坯；
B)除去毛坯的中心形成具有内径ID1和外径OD1的管状毛坯；
C)加工管状毛坯形成具有内径ID和外径ODf使得OD1对ODf的比为至少3∶1的加工毛坯；和
D)在815-1375℃的温度下热处理管状毛坯。
本发明的实施方案涉及通过以下形成的圆盘状溅射靶：
I)将钼粉末放在模具中，在200-250MPa的压力下压制粉末，并在1780-2175℃温度下烧结压制块形成具有直径D0的毛坯；
II)挤压毛坯形成具有直径D2使得D0对D2的比为3∶1至5∶1的挤压毛坯；
III)在900-1300℃的温度下对挤压毛坯施加第一热处理；
IV)在870-1200℃的温度下镦锻挤压毛坯形成具有直径Df使得Df对D2的比为1.5∶1至3∶1的锻造毛坯；和
V)在1200-1400℃的温度下对锻造毛坯施加第二热处理。
本发明的实施方案还涉及包含具有均匀晶粒和织构的钼的圆盘状溅射靶。
本发明的其它实施方案涉及具有非分割构造的大钼板，重至少300kg，并包含至少99wt％的钼。
本发明的另外实施方案涉及制备上述板的方法，其包括步骤：
i)将粉末倒入到薄板坯模具内；
ii)通过在100-250MPa(15-36ksi)的压力下冷等静压(C.I.P.)固结粉末形成薄板坯；
iii)在至少1600℃的温度下烧结薄板坯形成密度为理论密度至少90％的锭；
iv)在1100-1450℃的温度下预加热锭；
v)在1050-1400℃的温度下热轧锭实现锭厚度的减少和长度的增加；和
vi)在850-950℃的温度下热处理轧制的锭。
本发明还涉及包括上述钼板的溅射靶和烧结瓦。
本发明另外涉及包括使上述溅射靶中的任何一种经受溅射条件并由此溅射靶的溅射方法。
本发明还涉及使上述溅射靶经受溅射条件并由此溅射靶的溅射方法。
本发明还涉及制备薄膜的方法，包括步骤：
(a)溅射上述溅射靶；
(b)从靶中移出Mo原子；和
(c)在衬底上形成包括钼的薄膜。
本发明还提供按照上述方法制备的薄膜。薄膜可用在电子元件中，电子元件如半导体器件、薄膜晶体管、TFT-LCD器件、能增强平板显示器中图象对比度的黑基质器件、太阳能电池、传感器和具有可调逸出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
附图描述
图1为根据本发明的固结中空毛坯的示意图；
图2为用于管挤出的根据本发明挤出的中空毛坯的示意图；
图3A、3B和3C分别显示了根据本发明的管状溅射靶相对于纵向(z)、径向(ND)和切向(x)的电子反向散射衍射(EBSD)电子显微照片；
图4显示了3B在更高放大倍数下的EBSD显微照片；
图5显示了根据本发明的管状溅射靶的EBSD极象图分析；
图6显示了根据本发明的管状溅射靶的EBSD极象图分析；
图7为用于中间工件的根据本发明挤出的实心毛坯的示意图；
图8A和8B显示了镦锻根据本发明的毛坯的示意图；
图9A和9B显示了从锻造毛坯切割的根据本发明的溅射靶板；和
图10A和10B显示了根据本发明一种实施方案锤锻的毛坯。
发明详述
除了在操作例中或另外指明的地方外，说明书和权利要求书中使用的所有涉及成分、反应条件等数量的数字或表达在任何情况下都应被理解为用术语“约”修饰。本专利申请中公开了各种数值范围。因为这些范围是连续的，因此它们包括在最小和最大值之间的每一个值。除非另外专门指明，本申请中指定的各种数值范围都是近似值。
本文中使用的术语“条带”指晶粒或织构中的不均匀性，即晶粒尺寸或晶粒取向沿溅射靶的表面以条或图案形式出现。本文使用的术语“全厚度梯度”指晶粒或织构的变化，即晶粒尺寸或晶粒取向从靶的边缘到靶的中心变化。
本文下面描述的钼溅射靶的形式特征在于没有或具有最少的条带或全厚度梯度。因而，本发明涉及钼溅射靶，其具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，基本没有织构条带和从靶中心到边缘的全厚度梯度，具有高纯度，并为了提高的性能而任选地被微合金化。
在本发明中，钼溅射靶是非常纯的，因而钼溅射靶具有至少99.5％的纯度，一些情况下至少99.9％，另外一些情况下至少99.95％，一些情况下至少99.99％，另外一些情况下至少99.999％。本文使用的术语“纯度”指溅射靶中钼的重量百分比。
本发明提供管状溅射靶和它的制造方法。本方法包括使用纯钼粉末作为原料，和将它固结成管形式的实体充分致密的制品。产生的管形式具有细的均匀晶粒尺寸和整体基本均匀的织构，并且不会在管与管之间变化。这种管形式能产生具有所需纯度并且厚度既可容易预测又在给定衬底范围内均匀的薄膜。
在发明的实施方案中，管状溅射靶具有基本没有条带且基本没有任何全厚度梯度的织构。
根据本发明，通过压制和烧结钼粉末形成毛坯、除去毛坯中心、加工毛坯和热处理毛坯形成管状溅射靶来形成管状溅射靶。
在本发明中，选择二钼酸铵以满足要求的纯度规格，然后使用常规氢气还原方法在氢气中还原成钼金属粉末。二钼酸铵可为至少95％纯，在一些情况下为至少99％纯，在另外一些情况下为至少99.5％纯，在一些情况下为99.999％纯。二钼酸铵的纯度可在上述的任意值之间变化。
通常，将钼粉末放在模具中，在至少16ksi的压力下压制粉末，在一些情况下在至少30ksi下，在另外一些情况下在至少32ksi下。而且，可在最高40ksi的压力下压制粉末，在一些情况下在最高37ksi下，在另外一些情况下在最高35ksi下。可在上述的任何压力下或在任何上述压力之间的压力下压制模具中的粉末。
另外，当在模具中烧结压制毛坯时，在至少1785℃的温度下烧结它，一些情况下在至少1800℃下，在另外一些情况下在至少1850℃下。而且，可在最高2200℃的温度下烧结压制毛坯，在一些情况下最高为2175℃，在另外一些情况下最高为2150℃。可在上述任何温度下或在上述任何温度之间的温度下烧结模具中压制的钼毛坯。
在本发明的一种实施方案中，等静压地进行压制。在本发明的另外实施方案中，在氢气中烧结粉末。
如图1所示，通过开孔除去固结毛坯的中心，使得ID1小于最终管形式的内径。选择OD1使得横截面面积法向的减少对毛坯长度的比为至少3∶1，在一些情况下为至少3.5∶1，在另外一些情况下为至少4∶1。而且，横截面面积法向的减少比毛坯长度为至多12∶1，在一些情况下为至多10∶1，在另外一些情况下为至多8∶1。在本发明的特定实施方案中，横截面面积法向的减少比毛坯长度为4.9∶1或更高。横截面面积法向的减少比毛坯长度可为任何上述任何值或任何上述值之间的范围。
加工管状毛坯形成具有内径ID和外径ODf使得OD1对ODf的比为如上所述的加工毛坯。
在发明的一种实施方案中，通过挤出毛坯加工管状毛坯，如图2所示。在这种实施方案中，挤出毛坯具有如上所述的横截面面积减少比例(通过改变OD1/ODf形成)。毛坯长度可变化。通过使用心轴工具控制产品型式ID。
在本发明的一种特定实施方案中，可在至少925℃的温度下挤出管状毛坯，一些情况下为至少950℃，另外一些情况下为至少1000℃。而且，可在最高1370℃的温度下挤出管状毛坯，一些情况下最高1260℃，另外一些情况下最高1175℃。可在任何上述温度下或在任何上述温度之间的温度下挤出管状毛坯。
在本发明的另一种实施方案中，通过代替挤出的旋转锻造方法完成加工，即横截面面积减少比例(通过改变OD1/ODf形成)。
在本发明的一种实施方案中，在加工毛坯后，在至少815℃的温度下热处理它，一些情况下在至少925℃下，一些情况下在至少950℃下，另外一些情况下在至少1000℃下。而且，可在最高1375℃下进行热处理，一些情况下最高为1260℃，另外一些情况下最高为1175℃。可在上述任何温度下或任何上述温度之间的范围内进行热处理。
在发明的一种特定实施方案中，在1250-1375℃下进行热处理。
在发明的另一种特定实施方案中，在815-960℃下进行热处理。
尽管不希望受任何单一理论限制，但在一些热处理条件下，认为对挤出的管形式进行热处理会导致再结晶，产生无应变的等轴晶粒结构。
但是，在发明的一些实施方案中，只为了“消除应力”目的应用热处理。
在热处理后，机械加工管形式至它的最终尺寸。
在发明的一种实施方案中，管状溅射靶具有均匀的织构，它的110取向平行于纵向，111取向相对于径向。
如上所述，本发明提供管形式的钼源。管可用在溅射过程中，从而薄膜沉积在衬底上。在许多情况下，包含沉积薄膜的衬底的元件用在平板显示器(FPD)中。本发明提供先前不能得到的形式以及性质的钼，这允许FPD的可制造性和性能提高。
本发明的管状溅射靶的一个特别优点是它的均匀织构。测定根据本发明制备的管的晶体织构并在下文详述。
图3A、3B和3C分别显示了样品相对于纵向(z)、径向(ND)和切向(x)的织构。图4显示了图3B在更高放大倍数下的顶部，从而可区分晶粒。图5显示了极象图，图6显示了反极象图。
材料被完全再结晶并且无应变，这从每个晶粒内没有明显色调变化的事实看出。织构轮廓分明，但不是很强(最高的峰为3.6倍随机)。织构的最明显分量为平行于纵向的110，这从图3A的突出红色就可看出。另一显著特征是平行于径向的尖111峰。织构随半径只有最轻微变化。完全没有织构条带。细的均匀晶粒尺寸以及织构在整个管厚度上和沿管长度上的均匀性是区分本发明和现有技术的特征。这些特征允许在溅射操作中更均匀地沉积薄膜。
因此，本发明提供具有均匀的细织构和晶粒结构的溅射靶。在本发明的一种实施方案中，晶粒尺寸为至少22μm，一些情况下为至少45μm。但是，更重要地，平均晶粒尺寸不超过125μm，一些情况下不超过90μm，另外一些情况下不超过65μm。当晶粒尺寸太大时，通过溅射本发明的溅射靶形成的薄膜将不具有所需的均匀织构和/或薄膜厚度。本发明溅射靶中的晶粒尺寸可为上述任何值或上述任何值之间的范围。
本发明的实施方案还涉及制造钼溅射靶的新方法，其产生优于本领域中目前已知的溅射靶的性能。这种制造方法包括使用纯钼粉末作为原料，和将其固结成板形式的实体充分致密的制品。通过如下所述的多方向热机械加工过程生产的本发明的板具有细的均匀晶粒尺寸和在整个板上基本均匀的织构。这种板能产生具有所需纯度并且厚度既可容易预测又在衬底范围内均匀的薄膜。
在发明的一种实施方案中，板具有基本没有条带或基本没有任何全厚度梯度的织构。
在本发明的多方向热机械加工过程中，使用本领域中众所周知的方法在氢气中将二钼酸铵还原成钼金属粉末。在本发明的一种实施方案中，二钼酸铵为99.95％纯，一些情况下为99.9％纯，另外一些情况下为99.5％纯。
因此，在第一个步骤I)中，将钼粉末放在模具中，并在至少100MPa的压力下压制，一些情况下在至少200MPa下，其它一些情况下在至少250MPa下。而且，可在最高275MPa的压力下压制粉末。可在任何上述压力下或在任何上述压力之间的压力下压制模具中的钼粉末。
另外，在模具中压制钼粉末后，在至少1785℃的温度下烧结它。而且，可在最高2175℃的温度下烧结粉末，一些情况下在最高2200℃。可在任何上述温度下或在任何上述温度之间的温度下烧结压制的钼工件。
在本发明的一种实施方案中，等静压地进行压制。在本发明的另一种实施方案中，在氢气中烧结压制的粉末。因此，因此，钼金属粉末可被放在橡胶模具中，等静压压制，然后在氢气中烧结压制的块形成横截面面积为最终溅射靶的预定靶横截面面积大小1.5-4倍的毛坯，一些情况下为2-3倍，在特定的实施方案中为大约2.4倍。换句话说，毛坯具有直径D0。
然后在挤出前预加热毛坯到至少900℃的温度，一些情况下为925℃，另外一些情况下为至少950℃。而且，毛坯可被预加热到最高1260℃的温度，一些情况下为1225℃，另外一些情况下最高到1175℃。预加热温度可为上述任何值或可在上述任何值之间。
如图7所示，挤出毛坯形成具有直径D2的挤出毛坯，使得横截面面积的减小比例(D0∶D2)为至少2.5∶1，一些情况下为至少3∶1，另外一些情况下为至少3.5∶1。而且，减小比例可最高为12∶1，一些情况下为10∶1，另外一些情况下最高为8∶1。减小比例可为上述任何值或上述任何值之间的值。毛坯长度是可变的。
在另一实施方案中，可使用旋转锻造或锤锻代替挤出操作来提供具有上述横截面面积减小比例(D0∶D2)的毛坯。
为了制备用于镦锻的挤出毛坯，进行第一热处理步骤。该热处理步骤通常提供应力释放。在至少800℃的温度下进行第一热处理，一些情况下在至少815℃下，一些情况下在至少830℃下，另外一些情况下在至少850℃的温度下。而且，可在最高960℃的温度下进行第一热处理，一些情况下在最高930℃下，另外一些情况下在最高900℃下。第一热处理步骤的温度可为上述任何值或可在上述任何值之间。
还切割毛坯至它不会弯曲的长度。在本发明的一种实施方案中，切割毛坯至使得毛坯的纵横比(长度/直径)小于或等于2.0、一些情况下小于或等于1.6的毛坯。
在第一热处理步骤后和镦锻前，将热处理过的挤出毛坯预热到至少900℃的温度，一些情况下至少925℃，另外一些情况下至少950℃，有时至少975℃，还有时至少1000℃。而且，热处理过的挤出毛坯可被预热至最高1300℃的温度，一些情况下最高1260℃，另外一些情况下最高1200℃，有时最高1150℃。在镦锻前，热处理过的挤出毛坯可被预热至上述任何温度或可在上述任何温度之间。
如图8A和8B所示，对热处理过的挤出毛坯进行镦锻使得D2即热处理过的挤出毛坯横截面面积对Df即锻造毛坯横截面面积的比例为1∶1.5至1∶3，一些情况下为1∶1.75至1∶2.5，另外一些情况下为1∶1.8至1∶2.25。在本发明的一种实施方案中，D2对Df的比为大约1∶2±0.2。具体地，图8A显示了镦锻过程开始时的毛坯，图8B显示了镦锻过程结束时的毛坯。
在至少800℃的温度下进行挤出毛坯的镦锻，一些情况下在至少900℃下，另外一些情况下在至少925℃下，有时在至少950℃下。而且，可在最高1300℃的温度下进行挤出毛坯的镦锻，一些情况下在最高1260℃下，另外一些情况下在最高1200℃下，有时在最高1100℃，还有时在最高1000℃下。锻造温度能使毛坯被锻造形成具有如上所述直径Df的锻造毛坯。锻造温度可为上述任何温度或可在上述任何温度之间。
锻造后，对锻造毛坯进行第二热处理步骤。第二热处理步骤为能提供无应变的等轴晶粒结构的再结晶步骤。在至少1200℃的温度下进行第二热处理，一些情况下在至少1250℃下，一些情况下在至少1275℃下，另外一些情况下在至少1300℃的温度下。而且，可在最高1400℃的温度下进行第二热处理，一些情况下在最高1375℃下，另外一些情况下在最高1350℃下。第二热处理步骤的温度可为上述任何值或可在上述任何值之间。
在另一实施方案中，第二热处理只提供应力释放而不是再结晶。在这种实施方案中，在至少800℃的温度下进行热处理，一些情况下在至少815℃下，另外一些情况下在至少850℃下。而且，可在最高1000℃的温度下进行热处理，一些情况下在最高960℃下，另外一些情况下在最高925℃下。这种实施方案中第二热处理步骤的温度可为上述任何值或可在上述任何值之间。
如上所述，在能提供具有无应变的等轴晶粒结构的毛坯的温度和时间下施加第二热处理。因此，在第二热处理后，提供了完全再结晶和无应变的毛坯。
如图9A所示，除去镦锻过程中受定中心盘(CD)影响的材料。受定中心盘影响的材料通常不能用作靶材料。按照图9B中所示的方向从毛坯上切割溅射靶。一旦定中心盘影响的材料被除去，整个毛坯就可用作靶。
在图10A和10B所示的另一实施方案中，用锤锻/镦锻代替镦锻操作使得D2即热处理过的挤出毛坯横截面面积对Df即锻造毛坯横截面面积的比例如上所述。图10A显示了锤锻操作开始时的毛坯，图10B显示了锤锻操作后的毛坯。在锤锻操作后，按如上所述给予毛坯第二热处理。换句话说，从热处理锻造毛坯上切割圆盘状部分提供圆盘状溅射靶。
通常使用电子反向散射衍射(EBSD)分析得到的溅射靶的晶粒和织构。由于上述过程，靶与靶之间的晶粒和织构非常一致。一般从XZ面即径向面上的中心、中间半径处和边缘取靶样。
在本发明的一种实施方案中，提供具有均匀的细织构和晶粒结构的溅射靶。在本发明的一种实施方案中，晶粒尺寸为至少22μm，一些情况下为至少65μm。但是，更重要地，平均晶粒尺寸不超过125μm，一些情况下不超过90μm，另外一些情况下不超过65μm，通过电子反向散射衍射测定。当晶粒尺寸太大和/或不均匀时，通过溅射本发明的溅射靶形成的薄膜将不具有所需的均匀织构和/或薄膜厚度。本发明的溅射靶中的晶粒尺寸可为上述任何值或上述任何值之间的范围。
本发明还提供制造溅射靶的方法，如上所述包括步骤：
I)将钼粉末放在模具中，在上面指示压力下压制粉末，并在上面指示温度下烧结压制块形成具有直径D0的毛坯；
II)挤压毛坯形成具有直径D2使得D0对D2的比为如上所指示的挤压毛坯；
III)在上面指示温度下对挤压毛坯施加第一热处理；
IV)在上面指示温度下镦锻挤压毛坯形成具有直径Df使得Df对D2的比为如上所指示的锻造毛坯；
V)在上面指示温度下对锻造毛坯施加第二热处理；和任选地，
VI)由热处理过的锻造毛坯切割圆盘状部分提供圆盘状溅射靶。
本发明的实施方案提供具有非分割构造的大钼板。本文使用的术语“非分割”指成整块制造的板而不是通过联合或结合两个或多个板制造的板。通常，本发明的板重至少300kg，一些情况下为至少350kg，另外一些情况下为至少400kg。根据本发明的板包括至少99wt％、一些情况下至少99.5wt％和另外一些情况下至少99.9wt％的钼。
在本发明的一种实施方案中，大钼板具有细的均匀晶粒尺寸，其中平均晶粒不超过100μm，一些情况下不超过60μm，另外一些情况下不超过20μm。在这种实施方案中，晶粒尺寸可为至少5μm，一些情况下为至少10μm。晶粒尺寸可为任何上述值或任何上述值之间的范围。
在本发明的一种实施方案中，大钼板包括背衬板以提供支撑。
在本发明的另一种实施方案中，大板具有基本没有条带和基本没有任何全厚度梯度的织构。
在本发明的一种实施方案中，板具有矩形横截面形状，并具有至少0.8m的长度，一些情况下至少1.2m，另外一些情况下至少2m和最大2.6m，一些情况下最大3.4m，另外一些情况下最大4m；至少0.7m的宽度，一些情况下至少0.9m，另外一些情况下至少1.2m，并且最大为1.7m，一些情况下最大为2.0m，另外一些情况下最大为2.5m；和至少0.008m的高度(厚度)，一些情况下为至少0.012m，另外一些情况下为至少0.018m，并且最大为0.020m，一些情况下最大为0.032m，另外一些情况下最大为0.064m。矩形板的尺寸可为任何上述值和可在任何上述值之间。
在本发明的另一实施方案中，板具有方形横截面形状，并具有至少0.8m的长度，一些情况下为至少1.0m，另外一些情况下为至少1.2m，并且最大为1.6m，一些情况下最大为2.0，有时最大为2.5m，另外一些情况下最大为3.0m；至少0.008m的基本相等的宽度和高度(厚度)，一些情况下为至少0.012m，另外一些情况下为至少0.018m，并且最大为0.020m，一些情况下最大为0.032m，另外一些情况下最大为0.064m。方形板的尺寸可为任何上述值并可在任何上述值之间。
在本发明的另一种实施方案中，可从板切割一部分形成圆形或圆柱形横截面状部分，该部分具有至少0.008m的长度(厚度)，一些情况下为至少0.010m，另外一些情况下为至少0.012m，并且最大为0.018m，一些情况下最大为0.032m，另外一些情况下最大为0.064m；和至少0.7m的直径，一些情况下为至少0.9m，另外一些情况下为至少1.2m，并且最大为1.75m，一些情况下最大为2.0m，另外一些情况下最大为2.5m，有时最大为3.0m。圆形部分的尺寸可为任何上述值并可在任何上述值之间。
本领域中已知，与溅射靶的具体形状无关，当溅射靶的尺寸达到需要支撑的尺寸时，溅射靶包括背衬板。
在制造根据本发明的大钼板时，使用钼粉末。通过钼酸铵的热和氢气还原产生钼金属粉末来制备粉末，其中钼酸铵为至少99％纯，一些情况下为至少99.5％纯，另外一些情况下为至少99.9％纯。通常筛分粉末来产生颗粒形貌和尺寸分布以烧结。颗粒尺寸一般具有至少0.1μm的重均值，一些情况下为至少0.5μm，另外一些情况下为至少1μm，有时为至少5μm，还有时为至少10μm，一些情况下为至少15μm，另外一些情况下为至少20μm。而且，颗粒尺寸一般具有最高150μm的重均值，一些情况下最大为125μm，另外一些情况下最大为100μm，有时最大为75μm，还有时最大为50μm，有时最大为40μm。粉末的颗粒尺寸可为任何上述值和可在任何上述值之间的范围内
颗粒形貌通常可被描述为不规则形状的细颗粒的团聚体。
钼粉末可被倒入到薄板坯模具内并震实/振实。
然后通过在至少100MPa的压力下通过冷等静压(CIP)固结钼粉末，一些情况下在至少125MPa下，另外一些情况在至少150MPa下。而且，CIP压力可最高为250MPa，一些情况下最高为225MPa，另外一些情况下最高为200MPa。CIP压力为足以形成薄板坯的压力。CIP压力可为任何上述值或可在任何上述值之间。
CIP过程后，在至少1600℃的温度下烧结薄板坯，一些情况下在至少1650℃下，另外一些情况下在至少1700℃下。而且，烧结温度可最高为1800℃，一些情况下最高为1750℃，另外一些情况下最高为1725℃。烧结温度为足以形成具有理论密度的至少90％的密度的锭的温度。烧结温度可为任何上述温度或在任何上述温度之间。
进行烧结至少4小时，一些情况下至少10小时，另外一些情况下至少16小时。而且，进行烧结最高32小时，一些情况下最高24小时，另外一些情况下最高20小时。烧结时间为足以获得理论密度至少90％的时间长度。烧结时间长度可为任何上述值或在任何上述值之间。
将烧结的条坯或锭预热到至少1100℃的温度，一些情况下至少1150℃，另外一些情况下至少1200℃。而且，锭可被预热到最高1450℃的温度，一些情况下最高1350℃，另外一些情况下最高1300℃。锭可被预热到任何上述温度或任何上述温度之间的温度。
在至少1050℃的温度下热轧预热的锭，一些情况下在至少1100℃下，另外一些情况下在至少1150℃下。而且，可在最高1400℃的温度下热轧锭，一些情况下最高为1300℃，另外一些情况下最高为1250℃。热轧实现了锭厚度的减小和长度的增加。热轧温度可为任何上述值或在任何上述值之间。
通过热轧获得的预热轧锭的厚度的减少可为至少50％，一些情况下为至少75％，另外一些情况下为至少98％。
而且，锭的长度可增加至少50％，一些情况下至少75％，另外一些情况下至少150％，并可增加最高300％，一些情况下最高400％，另外一些情况下最高500％。锭的长度可提高至任何上述值或在任何上述值之间。
热轧锭的厚度可通过随后的缩减被进一步减小，保持板的完整性。随后的缩减可为热轧锭厚度的至少10％，一些情况下为至少15％，另外一些情况下为至少20％，并可最高为30％，一些情况下最高为28％，另外一些情况下最高为25％。随后的缩减可为任何上述值或在任何上述值之间。
在轧制缩减过程中，板可被重新加热以保持上面指示的温度。通常，在整个轧制过程中检测板的完整性。而且，为了获得所需的最终尺寸，精确校平板以获得用于随后机械加工/研磨操作的最佳平面度。
在至少850℃的温度下热处理轧制缩减的锭，一些情况下为至少860℃，另外一些情况下为至少880℃，并可最高为950℃，一些情况下最高到920℃，另外一些情况下最高到900℃。可在任何上述温度下或在任何上述温度之间的温度下进行这种热处理步骤。
轧制缩减锭热处理进行至少30分钟，一些情况下至少45分钟，另外一些情况下至少60分钟。而且，可进行热处理最高180分钟，一些情况下最高120分钟，另外一些情况下最高90分钟。热处理的时间长度可为任何上述值或在任何上述值之间。
在上述过程中或后，可使用超声技术引导锭的完整性。
在本发明的一种实施方案中，在制备任何上述的溅射靶时，可在压制前在钼粉末中包括微合金。合适的微合金的非限制性例子包括含有选自Ta、Nb、Cr、W和/或V的一种或多种金属材料的那些。在本发明的一种具体实施方案中，微合金具有体心立方(BCC)结构。
当使用微合金时，通常通过在上述的粉末压制阶段前向钼粉末中加入一种或多种金属材料来压制它们。形成锭或毛坯中的上述步骤按如上所述。
当使用微合金时，以能提供具体所需性质的数量包括它们。因而，可包括至多1000ppm的金属材料，一些情况下至多750ppm，另外一些情况下至多500ppm，有时至多300ppm，还有时至多150ppm，有时至多75ppm。而且，当包括时，可包括至少10ppm含量的金属材料，一些情况下至少20ppm，另外一些情况下至少25ppm。
当包括微合金时，通常包括它们以对最终产生的钼提供特定的影响。作为非限制性例子，通过有目的地加入W、V和/或Cr或它们的组合，钼可呈现BCC结构。当钼包括这些BCC金属元素时，它们产生局部晶格应力。应力降低了对以下的能障：(a)溅射时离开溅射靶的原子(即增加了靶的溅射速度)，和(b)光刻过程中的薄膜蚀刻(例如通过液体蚀刻或干法蚀刻，如通过等离子蚀刻或反应性蚀刻)。当包括微合金时，以能提供上述效果的水平包括它们，但不在会损害产生的薄膜的任何性质的水平下。
另外，本发明提供一种溅射方法，从而使任何上述溅射靶经受溅射条件并因此被溅射。
本发明中可使用任何合适的溅射方法。合适的溅射方法包括但不限于磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合。
本发明还提供制备薄膜的方法，包括步骤：
(a)溅射上述溅射靶；
(b)从靶中除去Mo原子；和
(c)在衬底上形成包含钼的薄膜。
在本发明的一种实施方案中，在(b)后，增加包括供应反应性气体到Mo的步骤。反应性气体为包括能与钼反应的气态或一旦沉积到衬底上就形成钼化合物的组分的气体。作为非限制性例子，反应性气体可为氧气、氮气和/或含硅气体。
通过本发明的方法施加的薄膜可具有任何所需的厚度。薄膜的厚度将取决于所需的最终应用。通常，薄膜的厚度可为至少0.5nm，一些情况下1nm，一些情况下至少5nm，另外一些情况下至少10nm，有时至少25nm，还有时至少50nm，一些情况下至少75nm，另外一些情况下至少100nm。而且，薄膜厚度可最高为10μm，一些情况下最高5μm，另外一些情况下最高2μm，有时最高1μm，还有时最高0.5μm。薄膜厚度可为任何上述值或可在任何上述值之间。
薄膜可为平板显示器或平板显示器的一部分。
由于整个钼溅射靶厚度上晶粒尺寸和织构的均匀性，因此由这种靶得到的薄膜具有良好的均匀性。
在本发明的一种特定实施方案中，提供非常薄的薄膜。在这种实施方案中，薄膜为至少100，一些情况下为至少250，另外一些情况下为至少500。在这种实施方案中，薄膜可最大为5000，一些情况下最大为3000，另外一些情况下最大为2500，有时最大为2000。
本发明中可使用任何合适的衬底。用于平板显示器(FPD)所用薄膜的合适衬底包括但不限于柔性箔、塑料衬底、玻璃衬底、陶瓷衬底和它们的组合。塑料衬底包括但不限于聚降冰片烯、聚酰亚胺、聚芳基化物、聚碳酸酯、聚乙烯萘酸酯(PEN)、聚乙二醇对苯二甲酸酯(PET)等。陶瓷衬底的非限制性例子包括蓝宝石。
除了在各种衬底上的钼薄膜外，还可通过反应溅射或离子注入产生MoOx(氧化)、MoNx(氮化)、MoSix(硅化)。
本发明包括在各种应用中使用的产品。在一种实施方案中，按照本发明制造的薄膜可用在薄膜晶体管(TFT)-液晶显示器(LCD)应用中。而且，在另外一些实施方案中，本发明包括用在太阳能电池应用、传感器应用、半导体器件和CMOS技术(互补金属氧化物半导体)用金属栅中的薄膜。在一种实施方案中，本发明涉及包含用作具有优异均匀性的栅电极的钼薄膜的TFT-LCD器件。另一种实施方案涉及薄膜太阳能电池应用，其中本发明包括Mo薄膜用作以下示例性器件结构的后触点的太阳能电池：含MoO2的前触点/p-层/结层/n-层/Mo后触点，其中p-层当被光冲击时释放电子，导致电子缺失，n-层被带负电荷。
在传感器应用中，可通过从Mo靶反应溅射产生MoO3薄膜用作气体传感器，如用于氨检测。在另一种实施方案中，本发明包括用作逸出功随氮掺杂水平可调的CMOS工艺(互补金属氧化物半导体)用栅器件的钼或氮化钼薄膜。
当提高FPD的图像质量时，增加亮度设置中对比度比增加显示器亮度容易。可使用MoOx薄膜通过由钼溅射靶反应溅射形成黑底来增强图像对比度。传统上，使用Cr或CrO2靶形成平板显示器中的黑底，其既存在健康问题又存在环境问题。
上面描述了本发明和它的各种实施方案。显然，对于本领域技术人员来说，只要不脱离说明书和附加权利要求中限定的本发明的范围，就可作出各种改变和变化。

Claims (110)

1.一种钼溅射靶，具有细的均匀晶粒尺寸以及基本没有织构条带和从靶中心到边缘的全厚度梯度的均匀织构，并具有高的纯度，和为了提高性能而任选地被微合金化。
2.如权利要求1所述的钼溅射靶，具有至少99.95％的纯度。
3.如权利要求1所述的钼溅射靶，具有至少99.99％的纯度。
4.如权利要求1所述的钼溅射靶，具有至少99.999％的纯度。
5.如权利要求1所述的钼溅射靶，其中细的均匀平均晶粒尺寸不超过125μm。
6.如权利要求1所述的钼溅射靶，其中细的均匀平均晶粒尺寸不超过100μm。
7.如权利要求1所述的钼溅射靶，其中细的均匀平均晶粒尺寸不超过90μm。
8.如权利要求1所述的钼溅射靶，其中细的均匀平均晶粒尺寸不超过50μm。
9.根据权利要求1的钼溅射靶，其通过加入10ppm-1000ppm的添加元素被微合金化。
10.根据权利要求9的微合金化钼溅射靶，其中添加元素包括选自具有体心立方(BCC)结构的元素中的一种或多种金属材料。
11.根据权利要求9的微合金化钼溅射靶，其中添加元素包括选自Ta、Nb、Cr、W、V和它们的组合中的一种或多种金属材料。
12.根据权利要求1的钼溅射靶，具有选自管状、圆形、方形和矩形的形状。
13.根据权利要求9的微合金化钼溅射靶，具有选自管状、圆形、方形和矩形的形状。
14.通过以下形成的管状溅射靶：
A)将钼粉末放在模具中，在32-40ksi的压力下压制粉末，并在1780-2175℃温度下烧结压制块形成毛坯；
B)除去毛坯的中心形成具有内径ID1和外径OD1的管状毛坯；
C)加工管状毛坯形成具有内径ID和外径ODf使得OD1对ODf的比为至少3∶1的加工毛坯；和
D)在815-1375℃的温度下热处理管状毛坯。
15.根据权利要求14的溅射靶，其中A)中的压制在等静压下进行。
16.根据权利要求14的溅射靶，其中在氢气中烧结A)中的粉末。
17.根据权利要求14的溅射靶，其中ID大于ID1。
18.根据权利要求14的溅射靶，其中C)中的加工包括在925-1260℃的温度下挤出管状毛坯。
19.根据权利要求14的溅射靶，其中C)中的加工包括旋转锻造管状毛坯。
20.根据权利要求14的溅射靶，其中在D)中的热处理后，溅射靶完全再结晶并且无应变。
21.根据权利要求14的溅射靶，其中织构是均匀的，110平行于纵向，111相对于径向。
22.根据权利要求1 4的溅射靶，其中在1250-1375℃的温度下进行D)中的热处理。
23.根据权利要求14的溅射靶，其中在815-960℃的温度下进行D)中的热处理。
24.一种管状溅射靶，包括具有均匀织构的钼，其中110取向平行于纵向，111取向相对于径向。
25.一种制造溅射靶的方法，包括：
A)将钼粉末放在模具中，在32-40ksi的压力下压制粉末，并在1780-2175℃温度下烧结压制块形成毛坯；
B)除去毛坯的中心形成具有内径ID1和外径OD1的管状毛坯；
C)加工管状毛坯形成具有内径ID和外径ODf使得OD1对ODf的比为至少3∶1的加工毛坯；和
D)在815-1375℃的温度下热处理管状毛坯。
26.根据权利要求25的方法，其中A)中的压制在等静压下进行。
27.根据权利要求25的方法，其中在氢气中烧结A)中的粉末。
28.根据权利要求25的方法，其中C)中的加工包括在925-1260℃的温度下挤出管状毛坯。
29.根据权利要求25的方法，其中C)中的加工包括旋转锻造管状毛坯。
30.根据权利要求25的方法，其中在D)中的热处理后，溅射靶完全再结晶并且无应变。
31.根据权利要求25的方法，其中溅射靶织构是均匀的，110平行于纵向，111相对于径向。
32.根据权利要求25的方法，其中在1250-1375℃的温度下进行D)中的热处理。
33.根据权利要求25的方法，其中在815-960℃的温度下进行D)中的热处理。
34.根据权利要求25的方法制造的溅射靶。
35.一种溅射方法，包括使权利要求1的溅射靶经受溅射条件并由此溅射靶。
36.权利要求35的方法，其中使用选自磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合中的溅射方法完成溅射。
37.一种溅射方法，包括使权利要求34的溅射靶经受溅射条件并由此溅射靶。
38.权利要求37的方法，其中使用选自磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合中的溅射方法完成溅射。
39.一种制备薄膜的方法，包括步骤：
(a)溅射根据权利要求1的溅射靶；
(b)从靶中移出Mo原子；和
(c)在衬底上形成包括钼的薄膜。
40.根据权利要求39的方法，还包括步骤：在(b)后，供应反应性气体到Mo。
41.根据权利要求39的方法，其中反应性气体为氧气、氮气和/或含硅气体。
42.权利要求39的方法，其中薄膜具有0.5nm-10μm的厚度。
43.权利要求39的方法，其中溅射方法选自磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合。
44.按照权利要求39的方法制备的薄膜。
45.按照权利要求41的方法制备的薄膜，其中该薄膜具有包括MoOx(氧化)、MoNx(氮化)、MoSix(硅化)的组成，通过与氧、氮或硅原子反应溅射或通过离子注入产生。
46.一种平板显示器件，包括根据权利要求44的薄膜。
47.根据权利要求46的平板器件，其中器件选自薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器和场致发射显示器。
48.根据权利要求14的溅射靶，具有不超过125μm的平均晶粒尺寸。
49.通过以下形成的圆盘状溅射靶：
I)将钼粉末放在模具中，在200-250MPa的压力下压制粉末，并在1780-2175℃温度下烧结压制块形成具有直径D0的毛坯；
II)挤压毛坯形成具有直径D2使得D0对D2的比为3∶1至5∶1的挤压毛坯；
III)在900-1300℃的温度下对挤压毛坯施加第一热处理；
IV)在870-1200℃的温度下镦锻挤压毛坯形成具有直径Df使得Df对D2的比为1.5∶1至3∶1的锻造毛坯；和
V)在1200-1400℃的温度下对锻造毛坯施加第二热处理。
50.根据权利要求49的溅射靶，其中等静压地进行A)中的压制。
51.根据权利要求49的溅射靶，其中钼粉末通过在氢气中还原二钼酸铵得到。
52.根据权利要求51的溅射靶，其中二钼酸铵为至少99.9wt％纯。
53.根据权利要求49的溅射靶，其中在E)中的第二热处理后，溅射靶完全再结晶并且无应变。
54.根据权利要求49的溅射靶，其中在E)后，从热处理过的锻造毛坯上切割圆盘状部分提供圆盘状溅射靶。
55.一种制造溅射靶的方法，包括：
I)将钼粉末放在模具中，在200MPa-250MPa的压力下压制粉末，并在1780-2175℃温度下烧结压制块形成具有直径D0的毛坯；
II)挤压毛坯形成具有直径D2使得D0对D2的比为3∶1至5∶1的挤压毛坯；
III)在900-1300℃的温度下对挤压毛坯施加第一热处理；
IV)在870-1200℃的温度下镦锻挤压毛坯形成具有直径Df使得Df对D2的比为1.5∶1至3∶1的锻造毛坯；和
V)在1200-1400℃的温度下对锻造毛坯施加第二热处理。
56.根据权利要求55的方法，其中等静压地进行A)中的压制。
57.根据权利要求55的方法，其中在氢气中烧结A)中的粉末。
58.根据权利要求55的方法，其中钼粉末通过在氢气中还原二钼酸铵得到。
59.根据权利要求58的方法，其中二钼酸铵为至少99wt％纯。
60.根据权利要求55的方法，其中在E)中的热处理后，溅射靶完全再结晶并且无应变。
61.根据权利要求55的方法，还包括步骤VI)从热处理过的锻造毛坯上切割圆盘状部分提供圆盘状溅射靶。
62.根据权利要求55的方法制备的溅射靶。
63.一种溅射方法，包括使权利要求48的溅射靶经受溅射条件并由此溅射靶。
64.权利要求63的方法，其中使用选自磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合中的溅射方法完成溅射。
65.一种溅射方法，包括使权利要求62的溅射靶经受溅射条件并由此溅射靶。
66.权利要求65的方法，其中使用选自磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合中的溅射方法完成溅射。
67.一种制备薄膜的方法，包括步骤：
(a)溅射根据权利要求49的溅射靶；
(b)从靶中移出Mo原子；和
(c)在衬底上形成包括钼的薄膜。
68.根据权利要求67的方法，还包括步骤：在(b)后，供应反应性气体到Mo。
69.根据权利要求68的方法，其中反应性气体为氧气、氮气和/或含硅气体。
70.权利要求67的方法，其中薄膜具有0.5nm-10μm的厚度。
71.权利要求67的方法，其中溅射方法选自磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合。
72.按照权利要求67的方法制备的薄膜。
73.按照权利要求69的方法制备的薄膜，其中薄膜包括MoOx、MoNx或MoSix中的一种或多种，其中薄膜通过与氧、氮或硅原子反应溅射或通过离子注入产生。
74.根据权利要求49的溅射靶，具有不超过65μm的平均晶粒尺寸。
75.大钼板，具有非分割构造，重至少300kg，并包括至少99wt％的钼。
76.根据权利要求75的板，其中该板具有不超过100μm的细的均匀晶粒尺寸。
77.根据权利要求75的板，其中该板具有基本没有条带且基本没有任何全厚度梯度的织构。
78.根据权利要求75的板，具有矩形横截面形状，并具有0.8-4.0m的长度、0.7-2.5m的宽度和0.008-0.064m的高度。
79.根据权利要求75的板，具有方形横截面形状，并具有0.8-3.0m的长度，0.008-0.064m的基本相等的宽度和高度。
80.根据权利要求75的板，被切割形成圆柱形横截面，并具有0.7-3m的直径，和0.008-0.064m的高度。
81.一种制备根据权利要求75的板的方法，包括：
i)将钼粉末倒入到薄板坯模具内；
a.通过在100-250MPa(15-36ksi)的压力下冷等静压(C.I.P.)固结粉末形成薄板坯；
b.在至少1600℃的温度下烧结薄板坯形成密度为理论密度至少90％的锭；
ii)在1100-1450℃的温度下预加热锭；
a.在1050-1400℃的温度下热轧锭实现锭厚度的减少和长度的增加；和
iii)在850-950℃的温度下热处理轧制的锭。
82.根据权利要求81的方法，其中粉末具有大于99.9％的钼纯度。
83.根据权利要求81的方法，其中粉末通过在氢气中还原二钼酸铵产生。
84.根据权利要求81的方法，其中v)中的厚度减少提供了高度为薄板坯高度0.060-0.140％的锭。
85.根据权利要求81的方法，其中热轧步骤通过连续轧制减少来减少锭的厚度。
86.根据权利要求81的方法，还包括利用超声技术检测锭的完整性的步骤。
87.根据权利要求81的方法，还包括为了获得用于机械加工/研磨操作至最终尺寸的最佳平面度而精确校平锭的步骤。
88.溅射靶，包括根据权利要求75制备的钼板的一部分。
89.一种溅射方法，包括使权利要求88的溅射靶经受溅射条件并由此溅射靶。
90.权利要求89的方法，其中使用选自磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合中的溅射方法完成溅射。
91.一种制备薄膜的方法，包括步骤：
(a)溅射根据权利要求85的溅射靶；
(b)从靶中移出Mo原子；和
(c)在衬底上形成包括钼的薄膜。
92.根据权利要求91的方法，还包括步骤：在(b)后，供应反应性气体到Mo。
93.根据权利要求92的方法，其中反应性气体为氧气、氮气和/或含硅气体。
94.权利要求91的方法，其中薄膜具有0.5nm-10μm的厚度。
95.权利要求91的方法，其中溅射方法选自磁控溅射、脉冲激光溅射、离子束溅射、三极管溅射和它们的组合。
96.按照权利要求91的方法制备的薄膜。
97.按照权利要求93的方法制备的薄膜，其中薄膜包括MoOx、MoNx和MoSix中的一种或多种，其中薄膜通过与氧、氮或硅原子反应溅射或通过离子注入产生。
98.一种器件，包括根据权利要求96的薄膜。
99.根据权利要求98的器件，其中器件选自薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、气体传感器和半导体器件。
100.一种器件，包括根据权利要求97的薄膜。
101.根据权利要求100的器件，其中该器件选自薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、气体传感器和半导体器件。
102.根据权利要求96的薄膜，其中使用形成段的溅射靶。
103.根据权利要求89的方法，其中溅射靶的尺寸最大为6m×5.5m。
104.权利要求4的薄膜，其中该薄膜厚度在100-5000之间。
105.根据权利要求44的薄膜，其中该薄膜随氮含量具有4.5-6eV的逸出功。
106.根据权利要求98的器件，其中薄膜沉积在塑料衬底上，塑料衬底包括选自聚降冰片烯、聚酰亚胺、聚芳基化物、聚碳酸酯、聚萘酸乙二酯和聚对苯二甲酸乙二酯中的一种或多种塑料。
107.根据权利要求98的器件，其中薄膜沉积在陶瓷衬底的至少一部分上，陶瓷衬底包括蓝宝石和/或石英。
108.包括根据权利要求44的薄膜的电子元件。
109.权利要求108的电子元件，其中元件选自薄膜晶体管(TFT)、液晶显示器(TFT-LCD)、等离子显示板(PDP)、有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管显示器(LED)、场致发射显示器(FED)、半导体器件、太阳能电池、传感器、能增强平板显示器中图象对比度的黑基质器件、太阳能电池、传感器和具有可调逸出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
110.根据权利要求49的溅射靶，其中在氢气中烧结A)中的粉末。
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