JP2005029862A - 薄膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上にMo合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、その組成が、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなり、相対密度が95%以上であり、かつ抗折力が300MPa以上である薄膜形成用スパッタリングターゲットである。また、上記の薄膜形成用スパッタリングターゲットの金属組織は、結晶粒径が300μm以下である。また、Mo、Tiの単独相および拡散相からなる金属組織、またはMo、Tiで構成される拡散相からなる金属組織を有する薄膜形成用スパッタリングターゲットである。
【選択図】 図1
Description
また、TiはAgと同様にCuやAuとも固溶域を有する。このために、MoにTiを添加したMo−Ti合金膜はCu、AuやCu、Auを主体とする合金膜との密着性も向上するため、これらの膜の下地膜、カバ−膜として用いることが可能である。
まず、下記した各種の製造方法で純金属およびMo合金ターゲットを製造した。
[製法A]
真空度3×10−3Paの到達圧力の電子ビーム溶解装置を用いて直径150mmのインゴットを製造し、切り出してターゲットを製造する方法を(AE)。プラズマ溶解により直径100mmのインゴットを作製し、同様に製造にする方法を(AP)とする。
[製法B]
所定の組成になるよう粉末を混合し、焼結する方法である。うち、カーボンのモールド中に挿入し、ホットプレスにより製造した焼結体から切り出す方法を(BP)とする。なお、そのホットプレスの面圧は30MPaとし、その温度はMo合金においては1300℃とした。一方、軟鋼製のカプセルに封入し、HIP処理して製造した焼結体から切り出す方法を(BH)とする。なお、Mo合金においてそのHIP処理の圧力は120MPa、加熱温度は1000℃とした。また、粉末を冷間静水圧プレス(CIP)で加圧成形体としたものを焼結する方法を(BS)とする。なお、焼結の際には水素焼結炉を用いて、その加熱温度は1700℃とした。
以上の各種製造方法にて板状のターゲット素材を作製し、機械加工により所定の大きさのターゲットを製造した。
Claims (6)
- 基板上にMo合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、その組成が、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなり、相対密度が95%以上であり、抗折力が300MPa以上であることを特徴とする薄膜形成用スパッタリングターゲット。
- 結晶粒径が300μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成用スパッタリングターゲット。
- Mo、Tiの1種以上の単独相およびこれらの元素で構成される拡散相からなる金属組織を有することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜形成用スパッタリングターゲット。
- Mo、Tiで構成される拡散相からなる金属組織を有することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜形成用スパッタリングターゲット。
- ガス成分を除き、Mo、Tiの合計が99.9質量%以上の純度を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の薄膜形成用スパッタリングターゲット。
- O含有量が1000ppm以下、C含有量が500ppm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の薄膜形成用スパッタリングターゲット。
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