CN101047363A - 低通滤波器和低通滤波器阵列 - Google Patents

低通滤波器和低通滤波器阵列 Download PDF

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Abstract

低通滤波器，具备电容器、第1可变电阻和第2可变电阻、电阻元件、和第1～第3外部电极。电容器包括，具有互相相对的第1面和第2面的电介体、和第1～第3内部电极。第1可变电阻、第2可变电阻和电阻元件，配置于电介体的第1面。第1～第3外部电极，配置于电介体的第2面。第1内部电极，物理连接且电连接于第3外部电极。第2内部电极，物理连接且电连接于第2外部电极。第3内部电极，物理连接且电连接于第1外部电极。第1可变电阻，并联连接于由第1内部电极和第3内部电极构成的电容器。第2可变电阻，并联连接于由第1内部电极和第2内部电极构成的电容器。电阻元件，分别电连接于第2内部电极和第3内部电极。

Description

低通滤波器和低通滤波器阵列
技术领域
本发明涉及低通滤波器和低通滤波器阵列。
背景技术
随着数字家电的增加，高速传送电路的需要也在增加。对于高速传送电路而言，有具有ESD保护功能的低通滤波器。例如，已知有具备π型滤波器和齐纳二极管的低通滤波器，其中π型滤波器具备线圈和两个电容器，齐纳二极管与该π型滤波器所具备的一个电容器并联连接(例如，参照日本特开平10-191555号公报)。
现在，为了实现日本特开平10-191555号公报所记载的低通滤波器，需要在基板上分别安装线圈部件、电容器部件和齐纳二极管。因此，日本特开平10-191555号公报所记载的低通滤波器，安装面积较大。特别是齐纳二极管，其高度尺寸大，所以安装所需要的区域也变大。
发明内容
于是，本发明为了解决上述问题而做出，目的是提供既具有ESD保护功能又提高安装密度的低通滤波器和低通滤波器阵列。
本发明的低通滤波器，具备：具有互相相对的第1面和第2面的电介体，包含配置在该电介体内的第1～第3内部电极的电容器，配置在第1面上的第1可变电阻和第2可变电阻，配置在第1面上的电阻元件，配置在第2面上的第1～第3外部电极；第1内部电极，物理连接且电连接于第3外部电极，同时，在与第1面和第2面的相对方向平行的方向上延伸配置；第2内部电极，物理连接且电连接于第2外部电极，同时，至少其一部分夹着电介体的至少一部分，与第1内部电极相对配置；第3内部电极，物理连接且电连接于第1外部电极，同时，至少其一部分夹着电介体的至少一部分，与第1内部电极相对配置；第1可变电阻，并联连接于由第1内部电极和第3内部电极构成的电容器；第2可变电阻，并联连接于由第1内部电极和第2内部电极构成的电容器；电阻元件分别电连接于第2内部电极和第3内部电极。
本发明的低通滤波器中，利用由第1内部电极和第3内部电极构成的电容器、由第1内部电极和第2内部电极构成的电容器以及电阻元件构成π型RC滤波器。而且，第1可变电阻并联连接于由第1内部电极和第3内部电极构成的电容器、第2可变电阻并联连接于由第1内部电极和第2内部电极构成的电容器，由此构成具有ESD保护功能的低通滤波器。另外，在电介体的第1面上配置有第1和第2可变电阻和电阻元件，在第2面上配置有第1～第3外部电极，因此能够用一块芯片实现上述结构的低通滤波器。由此，可以提高具有ESD保护功能的低通滤波器的安装密度。
优选，第1可变电阻具有第1和第2电极以及包括位于第1和第2电极之间的区域且表现出电流电压非线性特性(nonlinearcurrent-voltage characteristic)的第1可变电阻层，第2可变电阻具有第3和第4电极以及包括位于第3电极和第4电极之间的区域且表现出电流电压非线性特性的第2可变电阻层。
这种情况下，能够在第1电极和第2电极之间显现出可变电阻功能，在第3电极和第4电极之间也显现出可变电阻功能。
优选，第1～第4电极配置在第1面上，第1可变电阻层配置成覆盖第1电极和第2电极各自的至少一部分，第2可变电阻层配置成覆盖第3电极和第4电极各自的至少一部分，第1内部电极物理连接且电连接于第2电极和第4电极，第2内部电极物理连接且电连接于第3电极，第3内部电极物理连接且电连接于第1电极，电阻元件物理连接且电连接于第1电极和第3电极。
这种情况下，第1～第4电极配置在第1面上，第1、第2可变电阻层配置成覆盖对应的两个电极，因此可以简单地构成第1和第2可变电阻。另外，能够进一步减小与第1面垂直的方向的尺寸，并能够将上述结构的低通滤波器制成一块更加小型的芯片。
优选，第1可变电阻进一步具有夹着第1可变电阻层且与第1和第2电极相对配置的电极，第2可变电阻进一步具有夹着第2可变电阻层且与第3和第4电极相对配置的电极。
这种情况下，在第1可变电阻中，由于第1和第2电极和与该第1和第2电极相对配置的电极之间的领域显现出电流电压非线性特性，所以第1可变电阻在第1电极和第2电极之间作为串联连接的两个可变电阻成分起作用。另外，在第2可变电阻中，由于第3和第4电极和与该第3和第4电极相对配置的电极之间的领域显现出电流电压非线性特性，所以第2可变电阻在第3电极和第4电极之间作为串联连接的两个可变电阻成分起作用。
本发明的低通滤波器阵列，具备：具有互相相对的第1面和第2面的电介体，包括配置在该电介体内且具有第1～第3内部电极的N个(N≥2的整数)内部电极群的电容器，分别对应于N个内部电极群而配置在第1面上的N个第1可变电阻和N个第2可变电阻，分别对应于N个内部电极群而配置在第1面上的N个电阻元件，分别对应于N个内部电极群而配置在第2面上并具有第1～第3外部电极的N个外部电极群；在各内部电极群中，第1内部电极，物理连接且电连接于对应的外部电极群的第3外部电极，同时，在与第1面和第2面的相对方向平行的方向上延伸配置；第2内部电极，物理连接且电连接于对应的外部电极群的第2外部电极，同时，配置成至少其一部分夹着电介体的至少一部分且与对应的第1内部电极相对；第3内部电极，物理连接且电连接于对应的外部电极群的第1外部电极，同时，配置成至少其一部分夹着电介体的至少一部分且与对应的第1内部电极相对；各第1可变电阻，并联连接于由对应的内部电极群的第1内部电极和第3内部电极构成的电容器；各第2可变电阻，并联连接于由对应的内部电极群的第1内部电极和第2内部电极构成的电容器；各电阻元件分别电连接于对应的内部电极群的第2内部电极和第3内部电极。
本发明的低通滤波器阵列，利用由N个第1内部电极和N个第3内部电极构成的N个电容器、由N个第1内部电极和N个第2内部电极构成的N个电容器、N个电阻元件，构成N个π型RC滤波器。并且，N个第1可变电阻分别并联连接于由N个第1内部电极和N个第3内部电极构成的N个电容器，N个第2可变电阻分别并联连接于由N个第1内部电极和N个第2内部电极构成的N个电容器。因此，本发明的低通滤波器阵列，构成具有ESD保护功能的N个低通滤波器。此外，由于在电介体的第1面上配置有N个第1和第2可变电阻和N个电阻元件，在第2面上配置有N个第1～第3外部电极，因此可以用一块芯片实现上述结构的低通滤波器阵列。因此，可以提高具有ESD保护功能的低通滤波器阵列的安装密度。
优选，N个内部电极群进一步具备内部电极，该内部电极，在电介体内，沿着第1内部电极与第2和第3内部电极相对的方向并设，在互相相邻的内部电极群之间，在与第1面和第2面相对的方向平行的方向上延伸配置，同时电连接于第3外部电极的任何一个。
这种情况下，内部电极，由于在互相相邻的内部电极间配置且电连接于第3外部电极的任何一个，因而发挥屏蔽效应。因此，能够抑制互相相邻的内部电极群间的串扰。
优选，各第1可变电阻具有，第1和第2电极，和包含位于第1和第2电极之间的区域且表现电流电压非线性特性的第1可变电阻层；各第2可变电阻具有，第3和第4电极，和包含位于第3和第4电极之间的区域且表现电流电压非线性特性的第2可变电阻层。
这种情况下，各第1可变电阻能够在第1电极和第2电极之间表现出可变电阻功能。另外，各第2可变电阻能够在第3电极和第4电极之间表现出可变电阻功能。
优选，第1～第4电极配置在第1面上，第1可变电阻层配置成覆盖第1电极和第2电极各自的至少一部分，第2可变电阻层配置成覆盖第3电极和第4电极各自的至少一部分，第1内部电极物理连接且电连接于第2电极和第4电极，第2内部电极物理连接且电连接于第3电极，第3内部电极物理连接且电连接于第1电极，电阻元件物理连接且电连接于第1电极和第3电极。
这种情况下，由于第1～第4电极配置在第1面上，第1、第2可变电阻层配置成覆盖对应的两个电极，所以能够简易地构成各第1和各第2可变电阻。另外，能够进一步减小与第1面垂直的方向上的尺寸，并将上述结构的低通滤波器制成一块更加小型的芯片部件。
优选，各第1可变电阻进一步具有夹着第1可变电阻层且与第1和第2电极相对配置的电极，各第2可变电阻进一步具有夹着第2可变电阻层且与第3和第4电极相对配置的电极。
这种情况下，在各第1可变电阻中，在第1和第2电极与相对于该第1和第2电极配置的电极之间的区域显现出电流电压非线性特性，所以各第1可变电阻在第1电极和第2电极之间作为串联连接的两个可变电阻成分起作用。另外，在各第2可变电阻中，由于在第3和第4电极与相对于该第3和第4电极配置的电极之间的区域显现出电流电压非线性特性，所以各第2可变电阻在第3电极和第4电极之间作为串联连接了上述区域的两个可变电阻成分起作用。
优选，N个内部电极群，在电介体内，沿着第1内部电极与第2和第3内部电极相对的方向并设；各第1可变电阻的第1和第2电极分别沿着N个内部电极群的并设方向并设；各第1可变电阻的第1可变电阻层一体化形成；各第2可变电阻的第3和第4电极分别沿着N个内部电极群的并设方向并设；各第2可变电阻的第2可变电阻层一体化形成。
这种情况下，第1、第2可变电阻层能够发挥作为增强材料的功能，能够增强低通滤波器的机械强度。
优选，各外部电极群的第3外部电极，一体化形成。
根据本发明，能够提供既具有ESD保护功能又提高了安装密度的低通滤波器和低通滤波器阵列。
附图说明
图1是表示与第1实施方式相关的低通滤波器的平面示意图。
图2是表示与第1实施方式相关的低通滤波器中包含的可变电阻部的图。
图3是表示与第1实施方式相关的低通滤波器的截面结构的示意图。
图4是表示与第1实施方式相关的低通滤波器中包含的电容器部的分解图。
图5是表示沿着图3中的V-V线的截面结构的示意图。
图6是表示沿着图3中的VI-VI线的截面结构的示意图。
图7是与第1实施方式相关的低通滤波器的等效电路图。
图8是表示与第2实施方式相关的低通滤波器阵列中包含的可变电阻部的图。
图9是表示与第2实施方式相关的低通滤波器阵列的截面结构的示意图。
图10是表示沿着图9中的X-X线的截面结构的示意图。
图11是与第2实施方式相关的低通滤波器阵列的等效电路图。
具体实施方式
下面，参照附图，详细说明实施本发明的最佳方式。另外，在图的说明中，对同一要素用同一符号表示，省略重复的说明。
(第1实施方式)
说明与第1实施方式相关的低通滤波器。图1是表示与第1实施方式相关的低通滤波器F1的平面图。与本实施方式相关的低通滤波器F1，具备电容器部1、可变电阻部3、一对输入输出端子电极5、7(第1、第2外部电极)、接地端子电极9(第3外部电极)。
电容器部1，形成为大致呈长方体形状，具有互相相对的第1面1a和第2面1b，及与第1、第2面1a、1b垂直且互相相对的端面1c和端面1d。可变电阻部3，在电容器部1的第1面1a上配置。电容器部1和可变电阻部3构成本体4。本体4，大致呈长方体形状。例如，本体4，纵向尺寸为0.5mm左右，横向尺寸为1.6mm左右，厚度尺寸为0.6mm左右。
一对输入输出端子电极5、7，一个发挥作为输入端子电极的功能，另一个发挥作为输出端子电极的功能。接地端子电极9连接于安装有低通滤波器F1的外部基板(未图示)的接地图形(ground pattern)。
输入输出端子电极5、7及接地端子电极9，互相电绝缘地配置在第2面1b上。输入输出端子电极5在端面1c侧配置。输入输出端子电极7在端面1d侧配置。接地端子电极9，配置在输入输出端子电极5和输入输出端子电极7之间。由输入输出端子电极5、7及接地端子电极9，构成了球栅阵列结构。
输入输出端子电极5，具备在第2面1b上形成的金属垫片(pad)5a和与金属垫片5a物理连接且电连接的焊球5b。金属垫片5a形成为从与第2面1b垂直的方向看大致呈矩形状。
输入输出端子电极7，具备在第2面1b上形成的金属垫片7a和与金属垫片7a物理连接且电连接的焊球7b。金属垫片7a形成为从与第2面1b垂直的方向看大致呈矩形状。
接地端子电极9，具备在第2面1b上形成的金属垫片9a和与金属垫片9a物理连接且电连接的焊球9b。金属垫片9a形成为从与第2面1b垂直的方向看大致呈矩形状。
图2是表示与第1实施方式相关的低通滤波器中包含的可变电阻部的图。图3是与第1实施方式相关的低通滤波器的截面图。可变电阻部3具备，保护层30、第1可变电阻V40、第2可变电阻V50、电阻元件R60。第1、第2可变电阻V40、V50及电阻元件R60配置在电容器部1的第1面1a上。
保护层30在第1面1a上形成为覆盖第1、第2可变电阻V40、V50及电阻元件R60。保护层30，形成可变电阻部3的外形，使第1、第2可变电阻V40、V50和电阻元件R60配置在保护层30的内部。
保护层30是以玻璃为主要成分的绝缘体。保护层30具有使第1、第2可变电阻V40、V50和电阻元件R60与外部电绝缘的功能。另外，保护层具有保护第1、第2可变电阻V40、V50和电阻元件R60的功能。图2是可变电阻部的平面图，保护层30被省略。
第1可变电阻V40配置在第1面1a上的端面1c侧。第2可变电阻V50配置在第1面1a上的端面1d侧。电阻元件R60配置在第1面1a上的第1可变电阻V40和第2可变电阻V50之间。
第1可变电阻V40，具备第1可变电阻电极41(第1电极)、第2可变电阻电极42(第2电极)、第3可变电阻电极43(电极)、第1可变电阻层44。
第1可变电阻电极41，配置在第1面1a上的电阻元件R60侧。第2可变电阻电极42，配置在第1面1a上的端面1c侧。第1可变电阻电极41和第2可变电阻电极42互相电绝缘。第1、第2可变电阻电极41、42，从与第1面1a垂直的方向看分别大致呈长方形状。
第1可变电阻层44，配置在第1面1a上，同时，形成为覆盖第1可变电阻电极41的端面1c侧的一部分和第2可变电阻电极42的全部。即，第1可变电阻层44，具有覆盖第1可变电阻电极41的部分、覆盖第2可变电阻电极42的部分、以及覆盖第1面1a的部分。第1可变电阻层44的覆盖第1面1a的部分中的一部分，位于第1可变电阻电极41和第2可变电阻电极42之间。第1可变电阻层44，从与第1面1a垂直的方向看，大致呈长方形状。第1可变电阻层44，表现出电流电压非线性特性。第1可变电阻层44，以ZnO为主要成分，且含有Co。
第3可变电阻电极43，配置在第1可变电阻层44上。第3可变电阻电极43，从与第1面1a垂直的方向看，大致呈长方形状。第3可变电阻电极43，在中间夹着第1可变电阻层44而与第1可变电阻电极41的一部分相对配置。另外，第3可变电阻电极43，在中间夹着第1可变电阻层44而与第2可变电阻电极42的一部分相对配置。
第1可变电阻层44，从与第1面1a垂直的方向看，具有与第1可变电阻电极41和第3可变电阻电极43相互重叠的区域。因此，第1可变电阻电极41、第3可变电阻电极43和第1可变电阻层44，作为一个可变电阻成分发挥作用。另外，第1可变电阻层44，从与第1面1a垂直的方向看，具有与第2可变电阻电极42和第3可变电阻电极43相互重叠的区域。因此，第2可变电阻电极42、第3可变电阻电极43和第1可变电阻层44，作为一个可变电阻成分发挥作用。即，第1可变电阻V40，在第1可变电阻电极41和第2可变电阻电极42之间，作为串联连接的两个可变电阻成分发挥作用。
第2可变电阻V50，具备第1可变电阻电极51(第3电极)、第2可变电阻电极52(第4电极)、第3可变电阻电极53(电极)、以及第2可变电阻层54。
第1可变电阻电极51，配置在第1面1a上的电阻元件R60侧。第2可变电阻电极52，配置在第1面1a上的端面1d侧。第1可变电阻电极51和第2可变电阻电极52互相电绝缘。第1、第2可变电阻电极51、52，从与第1面1a垂直的方向看，分别呈长方形状。
第2可变电阻层54，配置在第1面1a上，同时，形成为覆盖第1可变电阻电极51的端面1d侧的一部分和第2可变电阻电极52的全部。即，第2可变电阻层54具有，覆盖第1可变电阻电极51的部分、覆盖第2可变电阻电极52的部分、以及覆盖第1面1a的部分。第2可变电阻层54的覆盖第1面1a的部分中的一部分，位于第1可变电阻电极51和第2可变电阻电极52之间。第2可变电阻层54，从与第1面1a垂直的方向看，大致呈长方形状。第2可变电阻层54，表现出电流电压非线性特性。第2可变电阻层54，以ZnO为主要成分，且含有Co。
第3可变电阻电极53，配置在第2可变电阻层54上。第3可变电阻电极53，从与第1面1a垂直的方向看，大致呈长方形状。第3可变电阻电极53，在中间夹着第2可变电阻层54而与第1可变电阻电极51的一部分相对配置。另外，第3可变电阻电极53，在中间夹着第2可变电阻层54而与第2可变电阻电极52的一部分相对配置。
第2可变电阻层54，从与第1面1a垂直的方向看，具有与第1可变电阻电极51和第3可变电阻电极53相互重叠的区域。因此，第1可变电阻电极51、第3可变电阻电极53和第2可变电阻层54，作为一个可变电阻成分发挥作用。另外，第2可变电阻层54，从与第1面1a垂直的方向看，具有与第2可变电阻电极52和第3可变电阻电极53相互重叠的区域。因此，第2可变电阻电极52、第3可变电阻电极53和第2可变电阻层54，作为一个可变电阻成分发挥作用。即，第2可变电阻V50，在第1可变电阻电极51和第2可变电阻电极52之间，作为串联连接的两个可变电阻成分发挥作用。
电阻元件R60，配置在第1面1a上，同时，配置成覆盖第1可变电阻电极41的电阻元件R60侧的一部分和第1可变电阻电极51的电阻元件R60侧的一部分。电阻元件R60物理连接且电连接于第1可变电阻电极41、51。另外，电阻元件R60，从与第1面1a垂直的方向看，大致呈长方形状。
图4是表示与第1实施方式相关的低通滤波器中包含的电容器部的分解图。图5是表示沿着图3中的V-V线的截面结构的示意图。图6是表示沿着图3中的VI-VI线的截面结构的示意图。
电容器部1，通过层叠电介体11和多层(在本实施方式中为6层)电介体12～17而构成，多层电介体12～17形成有第1内部电极21、23、25、第2内部电极22、24以及第3内部电极26。实际的低通滤波器F1，多个电介体11～17适当一体化到该电介体11～17间的边界无法目视辩认。电介体11～17，以BaTiO3为主要成分，且含有Co。
各电介体11～17为大致长方形的板状。通过层积电介体11～17，构成了大致呈长方体形状的电介体10。该电介体10形成电容器部1的外形。即，电介体10具有，互相相对的第1面1a和第2面1b以及互相相对的端面1c和端面1d。电介体11～17的层积方向是，与电容器部1的第1面1a和第2面1b相对的方向垂直且与电容器部1的端面1c和端面1d相对的方向垂直的方向。即，各电介体11～17为，与长度方向平行且互相相对的侧面分别构成了电容器部1的第1面1a和第2面1b。另外，电介体11～17为，与宽度方向平行且互相相对的侧面分别构成了电容器部1的端面1c和端面1d。
第1内部电极21、23、25，通过分别在电介体12、14、16上印刷大致长方形状的图形而形成。第1内部电极21、23、25包括：主电极部21a、23a、25a，第1引出部21b、23b、25b，第2引出部21c、23c、25c，第3引出部21d、23d、25d。主电极部21a、23a、25a呈大致长方形状。另外，主电极部21a、23a、25a形成为，中央部位于电介体12、14、16的中央部。
第1引出部21b、23b、25b，从主电极部21a、23a、25a的第1面1a侧的靠近端面1c侧的部分，向第1面1a引出，露出于第1面1a。第2引出部21c、23c、25c，从主电极部21a、23a、25a的第2面1b侧的中央部分，向第2面1b引出，露出于第2面1b。第3引出部21d、23d、25d，从主电极部21a、23a、25a的第1面1a侧的端面1d侧的部分，向第1面1a引出，露出于第1面1a。
第2内部电极22、24，通过在电介体13、15上印刷大致长方形状的图形而形成。第2内部电极22、24含有，主电极部22a、24a，第1引出部22b、24b，第2引出部22c、24c。主电极部22a、24a，呈大致长方形状。另外，主电极部22a、24a形成为，中央部位于电介体13、15的中央部。
第1引出部22b、24b，从主电极部22a、24a的第1面1a侧的中央部分和端面1d侧的部分之间的中间附近，向第1面1a引出，露出于第1面1a。第2引出部22c、24c，从主电极部22a、24a的第2面1b侧的中央部分和靠近端面1d侧的部分之间的中间附近，向第2面1b引出，露出于第2面1b。
第3内部电极26，通过在电介体17上印刷线状的图形而形成。第3内部电极26，在电介体17的中央部和端面1c侧的部分之间的中间附近，与电介体17的端面1c侧的边缘平行形成。第3内部电极26，一个端部26a露出于第1面1a，另一个端部26b露出于第2面1b。
第1内部电极21和第2内部电极22层积为，夹着电介体12而使主电极部21a和主电极部22a互相相对。第2内部电极22和第1内部电极23层积为，夹着电介体13而使主电极部22a和主电极部23a互相相对。第1内部电极23和第2内部电极24层积为，夹着电介体14而使主电极部23a和主电极部24a互相相对。第2内部电极24和第1内部电极25层积为，夹着电介体15而使主电极部24a和主电极部25a互相相对。第1内部电极25和第3内部电极26层积为，夹着电介体16而使一部分互相相对。
第1～第3内部电极21～26配置成，互相相对的面与第1和第2面1a、1b垂直。即，第1～第3内部电极21～26，在与第1面1a和第2面1b的相对方向平行的方向上延伸配置。另外，第1、第2内部电极21～25配置成，主电极部21a～25a从层积方向看互相重叠。
如图5所示，在第2面1b上，在第2引出部21c、23c、25c露出的位置，配置有金属垫片9a，第2引出部21c、23c、25c和金属垫片9a互相物理连接且电连接。即，第1内部电极21、23、25和接地端子电极9互相物理连接且电连接。
另外，在第2面1b上，在第2引出部22c、24c露出的位置，配置有金属垫片7a，第2引出部22c、24c和金属垫片7a互相物理连接且电连接。即，第2内部电极22、24与输入输出端子电极7互相物理连接且电连接。
另外，在第2面1b上，在第3内部电极26的端部26b露出的位置，配置有金属垫片5a，第3内部电极26的端部26b和金属垫片5a互相物理连接且电连接。即，第3内部电极26和输入输出端子电极5互相物理连接且电连接。
如图6所示，在第1面1a上，在第1引出部21b、23b、25b露出的位置，配置第2可变电阻电极42，第1引出部21b、23b、25b和第2可变电阻电极42互相物理连接且电连接。即，第1内部电极21、23、25和第2可变电阻电极42互相物理连接且电连接。
另外，在第1面1a上，在第3引出部21d、23d、25d露出的位置，配置有第2可变电阻电极52，第3引出部21d、23d、25d和第2可变电阻电极52互相物理连接且电连接。即，第1内部电极21、23、25和第2可变电阻电极52互相物理连接且电连接。
另外，在第1面1a上，在第1引出部22b、24b露出的位置，配置有第1可变电阻电极51，第1引出部22b、24b和第1可变电阻电极51互相物理连接且电连接。即，第2内部电极22、24和第1可变电阻电极51互相物理连接且电连接。
另外，在第1面1a上，在第3内部电极26的端部26a露出的位置，配置有第1可变电阻电极41，端部26a和第1可变电阻电极41互相物理连接且电连接。即，第3内部电极26和第1可变电阻电极41互相物理连接且电连接。
由上所述，第1内部电极25、第3内部电极26和电介体16，构成第1电容器C1。第1和第2内部电极21～25和电介体12～15，构成第2电容器C2。
另外，第1内部电极21、23、25与第2可变电阻电极42物理连接且电连接，第3内部电极26与第1可变电阻电极41物理连接且电连接。即，第1电容器C1和第1可变电阻V40互相并联连接。另外，第1电容器C1的第3内部电极26，通过第1可变电阻电极41与电阻元件R60电连接。
第1内部电极21、23、25与第2可变电阻电极52物理连接且电连接，第2内部电极22、24与第1可变电阻电极51物理连接且电连接。即，第2电容器C2和第2可变电阻V50互相并联连接。另外，第2电容器C2的第2内部电极22、24，通过第1可变电阻电极51与电阻元件R60电连接。
第1内部电极21、23、25与接地端子电极9物理连接且电连接。因此，第1可变电阻V40的第2可变电阻电极42通过第1内部电极21、23、25与接地端子电极9物理连接且电连接。另外，第2可变电阻V50的第2可变电阻电极52，通过第1内部电极21、23、25，与接地端子电极9物理连接且电连接。
即，如图7所示，在低通滤波器F1中，由第1电容器C1和第2电容器C2与电阻元件R60构成π型RC滤波器，同时，构成具备与第1电容器C1并联连接的第1可变电阻V40和与第2电容器C2并联连接的第2可变电阻V50而具有ESD保护功能的低通滤波器。
接着，说明低通滤波器F1的制造方法。首先，准备将要构成电介体11～17的电介体生片。电介体生片可以使用如下得到的生片：用刮刀法，在薄膜上涂布以在主成分BaTiO3中含有Co的混合粉为原料的浆料而形成。
其次，在将要构成电介体12～17的电介体生片上，分别形成对应于第1～第3内部电极21～26的导体图形。各导体图形，例如，通过丝网印刷以银或镍为主成分的导电膏后干燥而形成。然后，依次层积并压接各生片，切断成芯片单元后，在规定的温度(例如800～900℃)下烧结。由此，形成电容器部1。
接下来，按照规定的顺序通过在电容器1的第1面1a上印刷并烧接而形成对应于第1～第3可变电阻电极41～43、51～53的电极部分和对应于第1和第2可变电阻层44、54的部分。第1和第2可变电阻层44、54由以ZnO为主要成分且含有Co的材料形成。第1和第2可变电阻层44、54和电介体11～17，二者都含有Co，所以能够防止Co在第1和第2可变电阻层44、54与电介体11～17的界面上扩散。由此，能够防止第1和第2可变电阻层44、54和电介体11～17的特性的变化。
接着，在第1面1a上形成电阻元件R60后，形成报护层30使其覆盖第1和第2可变电阻V40、V50和电阻元件R60。保护层30由以玻璃为主要成分的材料形成。其次，在第2面1b上，印刷金属垫片5a、7a、9a用的导电膏后，烧接，形成金属垫片5a、7a、9a。然后，形成焊球5b、7b、9b，从而形成输入输出端子电极5、7及接地端子电极9。如上所述，完成低通滤波器F1。
在本实施方式的低通滤波器F1中，由第1内部电极21、23、25和第3内部电极26构成第1电容器C1。另外，由第1内部电极21、23、25和第2内部电极22、24构成第2电容器C2。由该第1、第2电容器C1、C2和电阻元件R60构成π型RC滤波器。然后，通过使第1可变电阻V40并联连接于第1电容器C1，第2可变电阻V50并联连接于第2电容器C2，构成具有ESD保护功能的低通滤波器。而且，在电容器部1的第1面1a上配置第1和第2可变电阻V40、V50及电阻元件R60，在第2面1b上配置输入输出端子电极5、7及接地端子电极9。由此，能够以一个芯片实现上述结构的低通滤波器。即，能够提高具有ESD保护功能的低通滤波器的安装密度。
另外，在本实施方式的低通滤波器F1中，第1、第2可变电阻电极41、42、51、52在第1面1a上配置，第1、第2可变电阻层44、54配置成覆盖对应的两个可变电阻电极41、42、51、52。由此，能够简便地构成第1和第2可变电阻V40、V50。另外，能够进一步减小与第1面1a垂直的方向的尺寸，能够将上述结构的低通滤波器制成更加小型的一个芯片部件。
另外，本实施方式的低通滤波器F1，使用可变电阻作为ESD保护用的部件，能够比使用齐纳二极管的情况更加廉价地进行制造。
另外，也可以考虑，用具备两个可变电阻和电阻的π型滤波器实现具有ESD保护功能的低通滤波器的方法。然而，使用可变电阻得到所希望的容量是困难的。由此，如本实施方式所述，通过将第1和第2电容器C1、C2并联连接于可变电阻，能够可靠地确保容量。
本发明并不局限于上述实施方式，可以进行各种变形。例如，在上述实施例中，低通滤波器F1具备电阻元件R60，但也可以具备电感器来代替它。这种情况下，构成由电感器和两个电容器形成的π型LC滤波器。
另外，第1、第2可变电阻V40、V50的结构，只要是配置在第1面1a上并分别与第1、第2电容器C1、C2并联连接，就不限于上述结构。例如，也可以没有第3可变电阻电极43、53。
(第2实施方式)
说明与第2实施方式相关的低通滤波器阵列。图8是表示与第2实施方式相关的低通滤波器阵列中含有的可变电阻部的图。图9是表示与第2实施方式相关的低通滤波器阵列的截面结构的示意图。图10是表示沿着图9中的X-X线的截面结构的示意图。与本实施方式相关的低通滤波器阵列F3具备电容器部100、可变电阻部300、N(N≥2的整数；在本实施方式中，N＝4)对输入输出端子电极5、7(第1、第2外部电极)和接地端子电极90(第3外部电极)。
电容器部100，形成为大致呈长方体形状，具有互相相对的第1面100a和第2面100b，及与第1、第2面100a、100b垂直且互相相对的面100c和面100d。可变电阻部300，在电容器部100的第1面100a上配置。由电容器部100和可变电阻部300构成本体400。本体400，呈大致长方体形状。例如，本体400，纵向尺寸为2.1mm左右，横向尺寸为1.6mm左右，厚度尺寸为0.6mm左右。
电容器部100，具有4个电容器部1和3个(在本实施方式中为3个)第4内部电极70。即，电容器部100具有：具有电介体11～17的N个电介体10，具有第1～第3内部电极21～26的N个内部电极群，以及3个第4外部电极70。
4个电容器部1，在电容器部100中，配置成4组第1～第3内部电极21～26从层积方向看互相重叠。即，在电容器部100中，4个内部电极群沿着第1～第3内部电极21～26的相对方向并设。这个内部电极群的并设方向，与电介体11～17的层积方向平行。另外，互相相邻的一个电容器部1的电介体17和另外一个电容器部1的电介体11，一体化到边界无法目视辨认的程度。
另外，电容器部100，具有互相相对的第1面100a和第2面100b。第1面100a，由4个电容器部1的4个第1面1a构成。第2面100b，由4个电容器部1的4个第2面1b构成。
3个第4内部电极70，以主面平行于第1、第2内部电极21～25的主面的方式分别配置在各电容器部1之间。第4内部电极70，配置于互相相邻的一个电容器部1的电介体17和另外一个电容器部1的电介体11之间。即，第4内部电极70，在互相相邻的各组第1～第3内部电极21～26之间配置。
第4内部电极70包括主电极部70a和引出部70b。主电极部70a，形成为大致长方形状，形成为其中央部和各电介体11的中央部重叠。引出部70b从主电极部70a的中央部的第2面100b的一侧引出，在第2面100b上露出。
4对输入输出端子电极5、7，分别与4个电容器部1对应，同时，一个作为输入端子电极起作用，另一个作为输出端子电极起作用。接地端子电极90，与4个电容器部1完全对应，同时，连接于安装有低通滤波器阵列F3的外部基板(未图示)的接地图形。
各输入输出端子电极5、7和接地端子电极90，如上所述，通过具备金属垫片5a、7a、90a和焊球5b、7b、90b而构成。4对输入输出端子电极5、7及接地端子电极90，互相电绝缘，配置于电容器部100的第2面100b上。4个输入输出端子电极5，在第2面100b上的面100c一侧，沿着层积方向排列成一列地配置。4个输入输出端子电极7，在第2面100b上的面100d一侧，沿着层积方向排列成一列地配置。一对输入输出端子电极5、7，在第2面100b上，沿着与层积方向垂直的方向并排配置。
各输入输出端子电极5，物理连接且电连接于对应的电容器部1所具有的第3内部电极26。各输入输出端子电极7，物理连接且电连接于对应的第2内部电极22、24。
接地端子电极90的金属垫片90a，从与第2面100b垂直的方向看，形成为大致长方形状。金属垫片90a配置成，在输入输出端子电极5的列和输入输出端子电极7的列之间，长度方向平行于层积方向。金属垫片90a，从输入输出端子电极5、7的列的一端延伸到另一端。
接地端子电极90的金属垫片90a形成为，覆盖4个第1内部电极21、23、25的第2引出部21c、23c、25c和3个第4内部电极70的引出部70b在第2面100b上露出的区域。金属垫片90a，分别物理连接且电连接于4个第2引出部21c、23c、25c及3个引出部70b。即，接地端子电极90，物理连接且电连接于4个第1内部电极21、23、25及3个第4内部电极70。
可变电阻部300，具备保护层30、对应于4个电容器部1的4个第1可变电阻40、4个第2可变电阻V50及4个电阻元件R60。4个第1、第2可变电阻V40、V50及电阻元件R60，配置于电容器部100的第1面100a上。
保护层30，如上所述，保护第1、第2可变电阻V40、V50及电阻元件R60，同时，具有与外部电绝缘的功能。另外，图8是可变电阻部的平面图，省略了保护层30。
4个第1可变电阻V40，在第1面100a的端面100c侧，沿着层积方向排列成一列地配置。4个第2可变电阻V50，在第1面100a的端面100d侧，沿着层积方向排列成一列地配置。4个电阻元件R60，在第1面100a上的第1可变电阻V40和第2可变电阻V50之间，沿着层积方向排列成一列配置。互相对应的第1可变电阻V40、第2可变电阻V50和电阻元件R60，在第2面100b上，沿着与层积方向垂直的方向并排排列。
各第1可变电阻V40、各第2可变电阻V50和各电阻元件R60，分别具有上述结构。另外，如上所述，各电阻元件R60与对应的第1可变电阻42、52物理连接且电连接。
但是，各第1可变电阻V40所具有的第1可变电阻层44，一体化形成。各第2可变电阻V50所具有的第2可变电阻层54，一体化形成。第1、第2可变电阻层44、54，从与第1面100a垂直的方向看，形成为大致长方形状，同时形成为长度方向与层积方向平行。这样，能够进一步提高可变电阻300的机械强度。即，能够提高本体400的机械强度。
另外，各第1可变电阻电极41，物理连接且电连接于对应的电容器部1所具有的第3内部电极26。各第2可变电阻电极42，物理连接且电连接于对应的电容器部1所具有的第1内部电极21、23、25。各第1可变电阻电极51，物理连接且电连接于对应的电容器部1所具有的第2内部电极22、24。各第2可变电阻电极52，物理连接且电连接于对应的电容器部1所具有的第1内部电极21、23、25。
即，如图11所示，低通滤波器阵列F3，由4个第1电容器C1及4个第2电容器C2和4个电阻元件R60构成4组π型RC滤波器，同时，构成具备分别并联连接于4个第1电容器C1的4个第1可变电阻V40和分别并联连接于4个第2电容器C2的4个第2可变电阻V50的低通滤波器。
本实施方式的低通滤波器阵列F3，分别由4个第1内部电极21、23、25和4个第3内部电极26构成4个第1电容器C1。由各4个第1内部电极21、23、25和各4个第2内部电极22、24构成4个第2电容器C2。由这4个第1电容器C 1、4个第2电容器C2和4个电阻元件R60，构成4个π型RC滤波器。于是，通过使4个第1可变电阻V40分别并联连接于4个第1电容器C1，4个第2可变电阻V50并联连接于4个第2电容器C2，包含了具有ESD保护功能的4个低通滤波器。另外，在电容器部100的第1面100a上配置4个第1和第2可变电阻V40、V50和4个电阻元件R60，在第2面100b配置4对输入输出端子电极5、7和接地端子电极90，因此，能够以一块芯片实现上述结构的低通滤波器阵列。因此，能够提高具有ESD保护功能的低通滤波器阵列的安装密度。
本实施方式的低通滤波器阵列F3，在互相相邻的电容器部1之间分别配置有电连接于接地端子电极90的第4内部电极70，因而可以抑制各低通滤波器之间的串扰。
本实施方式的低通滤波器阵列F3，对应于4个第1可变电阻V40的第1可变电阻层44一体化形成，对应于4个第2可变电阻V50的第2可变电阻层54一体化形成。由此，第1、第2可变电阻层44、54作为增强材料起作用，能够增强本体400的机械强度。
本实施方式的低通滤波器阵列F3，第1～第4可变电阻电极41、42、51、52在第1面100a上配置，第1、第2可变电阻层44、54配置成覆盖对应的两个电极，因而，可以简便地构成各第1和第2可变电阻层V40、V50。另外，能够进一步减小与第1面100a垂直的方向的尺寸，将具有上述电路结构的低通滤波器阵列制作成更加小型化的一块芯片部件。
本发明，不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施例中，虽然低通滤波器阵列F3具备第4内部电极70，但并不限于此。
另外，上述实施例中，将4个第1、第2可变电阻V40、V50中包含的第1、第2可变电阻层44、54一体化形成，但并不限于此。也可以将第1、第2可变电阻层44、54分割为4个，使4个第1、第2可变电阻V40、V50分别包含各第1、第2可变电阻层。这种情况下，能够抑制4个第1、第2可变电阻间的串扰。

Claims (11)

1.一种低通滤波器，其特征在于：
具备：
具有互相相对的第1面和第2面的电介体，包含配置在该电介体内的第1～第3内部电极的电容器，
在所述第1面上配置的第1可变电阻和第2可变电阻，
在所述第1面上配置的电阻元件，
在所述第2面上配置的第1～第3外部电极，
所述第1内部电极，物理连接且电连接于所述第3外部电极，同时，配置成在平行于所述第1面和所述第2面相对的方向的方向上延伸，
所述第2内部电极，物理连接且电连接于所述第2外部电极，同时，配置成至少其一部分夹着所述电介体的至少一部分而与所述第1内部电极相对，
所述第3内部电极，物理连接且电连接于所述第1外部电极，同时，配置成其至少一部分夹着所述电介体的至少一部分而与所述第1内部电极相对，
所述第1可变电阻，并联连接于由所述第1内部电极和所述第3内部电极构成的电容器，
所述第2可变电阻，并联连接于由所述第1内部电极和所述第2内部电极构成的电容器，
所述电阻元件，分别电连接于所述第2内部电极和所述第3内部电极。
2.如权利要求1所述的低通滤波器，其特征在于：
所述第1可变电阻具有：第1和第2电极，和包含位于所述第1和第2电极间的区域且表现出电流电压非线性特性的第1可变电阻层，
所述第2可变电阻具有：第3和第4电极，和包含位于所述第3和第4电极间的区域且表现出电流电压非线性特性的第2可变电阻层。
3.如权利要求2所述的低通滤波器，其特征在于：
所述第1～第4电极，配置在所述第1面上，
所述第1可变电阻层配置成，覆盖所述第1电极和所述第2电极各自的至少一部分，
所述第2可变电阻层配置成，覆盖所述第3电极和所述第4电极各自的至少一部分，
所述第1内部电极，物理连接且电连接于所述第2电极和所述第4电极，
所述第2内部电极，物理连接且电连接于所述第3电极，
所述第3内部电极，物理连接且电连接于所述第1电极，
所述电阻元件，物理连接且电连接于所述第1电极和所述第3电极。
4.如权利要求3所述的低通滤波器，其特征在于：
所述第1可变电阻，还具有夹着所述第1可变电阻层而与所述第1和第2电极相对配置的电极，
所述第2可变电阻，还具有夹着所述第2可变电阻层而与所述第3和第4电极相对配置的电极。
5.一种低通滤波器阵列，其特征在于：
具备：
具有互相相对的第1面和第2面的电介体，包含配置在该电介体内且具有第1～第3内部电极的N个(N≥2的整数)内部电极群的电容器，
分别对应于N个所述内部电极群而配置在所述第1面上的N个第1可变电阻和N个第2可变电阻，
分别对应于N个所述内部电极群而配置在所述第1面上的N个电阻元件，
分别对应于N个所述内部电极群而配置在所述第2面上且具有第1～第3外部电极的N个外部电极群；
在所述各内部电极群中，
所述第1内部电极，物理连接且电连接于对应的所述外部电极群的所述第3外部电极，同时，配置成在平行于所述第1面和所述第2面的相对方向的方向上延伸，
所述第2内部电极，物理连接且电连接于对应的所述外部电极群的所述第2外部电极，同时，配置成至少其一部分夹着所述电介体的至少一部分而与对应的所述第1内部电极相对，
所述第3内部电极，物理连接且电连接于对应的所述外部电极群的所述第1外部电极，同时，配置成至少其一部分夹着所述电介体的至少一部分而与对应的所述第1内部电极相对，
所述各第1可变电阻，并联连接于由对应的所述内部电极群的所述第1内部电极和所述第3内部电极构成的电容器，
所述各第2可变电阻，并联连接于由对应的所述内部电极群的所述第1内部电极和所述第2内部电极构成的电容器，
所述各电阻元件，分别电连接于对应的所述内部电极群的所述第2内部电极和所述第3内部电极。
6.如权利要求5所述的低通滤波器阵列，其特征在于：
N个所述内部电极群，在所述电介体内，沿着所述第1内部电极与所述第2和第3内部电极的相对方向并设，
进一步具备内部电极，该内部电极在互相相邻的所述内部电极群间配置成，在与所述第1面和所述第2面的相对方向平行的所述方向上延伸，同时电连接于所述第3外部电极中的任何一个。
7.如权利要求5所述的低通滤波器阵列，其特征在于：
所述各第1可变电阻具有：第1和第2电极，和包含位于所述第1和第2电极间的区域且表现出电流电压非线性特性的第1可变电阻层，
所述各第2可变电阻具有：第3和第4电极，和包含位于所述第3和第4电极间的区域且表现出电流电压非线性特性的第2可变电阻层。
8.如权利要求7所述的低通滤波器阵列，其特征在于：
所述第1～第4电极，配置在所述第1面上，
所述第1可变电阻层配置成，覆盖所述第1电极和所述第2电极各自的至少一部分，
所述第2可变电阻层配置成，覆盖所述第3电极和所述第4电极各自的至少一部分，
所述第1内部电极，物理连接且电连接于所述第2电极和所述第4电极，
所述第2内部电极，物理连接且电连接于所述第3电极，
所述第3内部电极，物理连接且电连接于所述第1电极，
所述电阻元件，物理连接且电连接于所述第1电极和所述第3电极。
9.如权利要求8所述的低通滤波器阵列，其特征在于：
所述各第1可变电阻，还具有夹着所述第1可变电阻层而与所述第1和第2电极相对配置的电极，
所述各第2可变电阻，还具有夹着所述第2可变电阻层而与所述第3和第4电极相对配置的电极。
10.如权利要求8所述的低通滤波器阵列，其特征在于：
N个所述内部电极群，在所述电介体内，沿着所述第1内部电极与所述第2和第3内部电极的相对方向并设，
所述各第1可变电阻的所述第1和第2电极，分别沿着N个所述内部电极群的并设方向并设，
所述各第1可变电阻的所述第1可变电阻层一体化形成，
所述各第2可变电阻的所述第3和第4电极，分别沿着N个所述内部电极群的并设方向并设，
所述各第2可变电阻的所述第2可变电阻层一体化形成。
11.如权利要求5所述的低通滤波器阵列，其特征在于：
所述各外部电极群的所述第3外部电极一体化形成。
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