JPH09205019A - 複合機能素子及びその製造方法 - Google Patents
複合機能素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09205019A JPH09205019A JP8011040A JP1104096A JPH09205019A JP H09205019 A JPH09205019 A JP H09205019A JP 8011040 A JP8011040 A JP 8011040A JP 1104096 A JP1104096 A JP 1104096A JP H09205019 A JPH09205019 A JP H09205019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- oxide
- main components
- mol
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 8
- 229910017344 Fe2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018663 Mn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates the magnetic material being applied in the form of particles, e.g. by serigraphy, to form thick magnetic films or precursors therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/1006—Thick film varistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/0027—Thick magnetic films
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】磁性体磁器と半導体磁器が一体化焼結されたも
のからなるノイズ除去用の複合機能素子において、磁性
体磁器成分の半導体磁器への拡散を抑えた、バリスタ特
性及びコンデンサ特性に優れた複合機能素子及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを主成分とする磁
性体磁器１３と、酸化亜鉛を主成分として、ニッケル及
び鉄のうち少なくとも１種の酸化物をそれぞれＮｉＯ又
はＦｅ2 Ｏ3 に換算して０．００１〜０．１モル％含有
するバリスタ特性を有する半導体磁器１１、１２とが、
一体焼結されたものからなる。
のからなるノイズ除去用の複合機能素子において、磁性
体磁器成分の半導体磁器への拡散を抑えた、バリスタ特
性及びコンデンサ特性に優れた複合機能素子及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを主成分とする磁
性体磁器１３と、酸化亜鉛を主成分として、ニッケル及
び鉄のうち少なくとも１種の酸化物をそれぞれＮｉＯ又
はＦｅ2 Ｏ3 に換算して０．００１〜０．１モル％含有
するバリスタ特性を有する半導体磁器１１、１２とが、
一体焼結されたものからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バリスタ特性とコ
ンデンサ特性、並びに磁性特性を兼ね備えた小型の複合
機能素子及びその製造方法に関する。
ンデンサ特性、並びに磁性特性を兼ね備えた小型の複合
機能素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器において、ＩＣなどの半
導体デバイスの、ノイズによる誤動作や破壊を防止し、
さらには電子機器外へのノイズの伝播を防止すること
が、重要な課題の１つとなってきている。
導体デバイスの、ノイズによる誤動作や破壊を防止し、
さらには電子機器外へのノイズの伝播を防止すること
が、重要な課題の１つとなってきている。
【０００３】このために、バリスタチップ、コンデンサ
チップ、フェライトチップなどを電子回路基板に装着す
る方法が行なわれている。しかしながら、これらの部品
を個々に多種類にわたって回路基板に装着することは、
電子機器の回路基板面積が大きくなり、かつコストアッ
プとなる。このため、複合化されたノイズ対策用の素子
が要求されている。
チップ、フェライトチップなどを電子回路基板に装着す
る方法が行なわれている。しかしながら、これらの部品
を個々に多種類にわたって回路基板に装着することは、
電子機器の回路基板面積が大きくなり、かつコストアッ
プとなる。このため、複合化されたノイズ対策用の素子
が要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のような要求に答
える方法として、磁性体磁器組成物とバリスタ特性を有
する半導体磁器組成物を一体焼結させて接合することに
より、複合機能を有する素子を形成する方法がある。し
かしながら、このような複合機能を有する素子を得るた
めには、異種材料組成物同士を一体焼結させる際の、相
互の反応を特性に影響を及ぼさない程度に抑える必要が
ある。
える方法として、磁性体磁器組成物とバリスタ特性を有
する半導体磁器組成物を一体焼結させて接合することに
より、複合機能を有する素子を形成する方法がある。し
かしながら、このような複合機能を有する素子を得るた
めには、異種材料組成物同士を一体焼結させる際の、相
互の反応を特性に影響を及ぼさない程度に抑える必要が
ある。
【０００５】例えば、バリスタ特性を有する半導体磁器
組成物と、磁性体磁器組成物の間では一体焼結時に相互
拡散がおこる。半導体磁器組成物がＺｎＯ系であって磁
性体磁器組成物がＮｉ−Ｚｎフェライトの場合には、Ｎ
ｉやＦｅの化合物がバリスタ材料内に拡散する。そし
て、このＮｉやＦｅの化合物の拡散によって、半導体磁
器組成物のもつバリスタ特性やコンデンサ特性が劣化す
る。即ち、バリスタ特性としては非直線性が低下し、コ
ンデンサ特性としては誘電損失が増大する。
組成物と、磁性体磁器組成物の間では一体焼結時に相互
拡散がおこる。半導体磁器組成物がＺｎＯ系であって磁
性体磁器組成物がＮｉ−Ｚｎフェライトの場合には、Ｎ
ｉやＦｅの化合物がバリスタ材料内に拡散する。そし
て、このＮｉやＦｅの化合物の拡散によって、半導体磁
器組成物のもつバリスタ特性やコンデンサ特性が劣化す
る。即ち、バリスタ特性としては非直線性が低下し、コ
ンデンサ特性としては誘電損失が増大する。
【０００６】そこで、本発明の目的は、磁性体磁器と半
導体磁器が一体焼結されたものからなるノイズ除去用の
複合機能素子において、磁性体磁器成分の半導体磁器へ
の拡散を抑えた、バリスタ特性及びコンデンサ特性に優
れた複合機能素子及びその製造方法を提供することにあ
る。
導体磁器が一体焼結されたものからなるノイズ除去用の
複合機能素子において、磁性体磁器成分の半導体磁器へ
の拡散を抑えた、バリスタ特性及びコンデンサ特性に優
れた複合機能素子及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の複合機能素子は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
を主成分とする磁性体磁器と、酸化亜鉛を主成分とし
て、ニッケル及び鉄のうち少なくとも１種の酸化物をそ
れぞれＮｉＯ又はＦｅ2 Ｏ3 に換算して０．００１〜
０．１モル％含有するバリスタ特性を有する半導体磁器
とが、一体焼結されたものからなることを特徴とする。
め、本発明の複合機能素子は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
を主成分とする磁性体磁器と、酸化亜鉛を主成分とし
て、ニッケル及び鉄のうち少なくとも１種の酸化物をそ
れぞれＮｉＯ又はＦｅ2 Ｏ3 に換算して０．００１〜
０．１モル％含有するバリスタ特性を有する半導体磁器
とが、一体焼結されたものからなることを特徴とする。
【０００８】又、本発明の複合機能素子の製造方法は、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを主成分とする磁性体材料の成
形体と、酸化亜鉛を主成分として、ニッケル及び鉄のう
ち少なくとも１種の酸化物をそれぞれＮｉＯ又はＦｅ2
Ｏ3 に換算して０．００１〜０．１モル％含有するバリ
スタ特性を有する半導体材料の成形体とを接合した後、
一体焼結させることを特徴とする。
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを主成分とする磁性体材料の成
形体と、酸化亜鉛を主成分として、ニッケル及び鉄のう
ち少なくとも１種の酸化物をそれぞれＮｉＯ又はＦｅ2
Ｏ3 に換算して０．００１〜０．１モル％含有するバリ
スタ特性を有する半導体材料の成形体とを接合した後、
一体焼結させることを特徴とする。
【０００９】これにより、焼成時に、磁性体磁器成分が
半導体磁器へ拡散するのが抑えられて、バリスタ特性及
びコンデンサ特性に優れた複合機能素子を得ることがで
きる。
半導体磁器へ拡散するのが抑えられて、バリスタ特性及
びコンデンサ特性に優れた複合機能素子を得ることがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の複合機能素子の実
施の形態を図面に基づき説明する。図１は、本発明の一
実施例による複合機能素子の、焼成前の積層圧着体の分
解斜視図である。図２は、図１に示す複合機能素子の、
焼成前の積層圧着体の斜視図である。
施の形態を図面に基づき説明する。図１は、本発明の一
実施例による複合機能素子の、焼成前の積層圧着体の分
解斜視図である。図２は、図１に示す複合機能素子の、
焼成前の積層圧着体の斜視図である。
【００１１】図３は、図１、２に示す積層圧着体を用い
て得られる複合機能素子１０の斜視図である。同図にお
いて、１１、１２は半導体磁器、１３は磁性体磁器、１
４、１５はライン用の端子電極、１６、１７はアース用
の端子電極である。
て得られる複合機能素子１０の斜視図である。同図にお
いて、１１、１２は半導体磁器、１３は磁性体磁器、１
４、１５はライン用の端子電極、１６、１７はアース用
の端子電極である。
【００１２】以下、図１及び図２に基づいて、図３に示
す複合機能素子１０の製造方法を説明する。
す複合機能素子１０の製造方法を説明する。
【００１３】まず、バリスタ材料即ち半導体材料からな
るグリーンシート１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ
を準備した。
るグリーンシート１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ
を準備した。
【００１４】即ち、原料として、純度９９％以上のＺｎ
Ｏ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｏＣＯ3 、ＭｎＯ2 及びＳｂ2 Ｏ3
粉末を用意した。そして、ＺｎＯ：９８モル％、Ｂｉ2
Ｏ3：０．５モル％、ＣｏＣＯ3 ：０．５モル％、Ｍｎ
Ｏ2 ：０．５モル％、Ｓｂ2Ｏ3 ：０．５モル％の割合
で秤量し混合した後、硼珪酸亜鉛ガラス（但し、Ｚｎ：
２５モル％，Ｂ：４０モル％，Ｓｉ：３５モル％）を３
重量％秤量し添加した。さらに、表１に示すように、Ｎ
ｉＯ及びＦｅ2 Ｏ3 を０．００１〜１．０モル％秤量し
添加した。
Ｏ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｏＣＯ3 、ＭｎＯ2 及びＳｂ2 Ｏ3
粉末を用意した。そして、ＺｎＯ：９８モル％、Ｂｉ2
Ｏ3：０．５モル％、ＣｏＣＯ3 ：０．５モル％、Ｍｎ
Ｏ2 ：０．５モル％、Ｓｂ2Ｏ3 ：０．５モル％の割合
で秤量し混合した後、硼珪酸亜鉛ガラス（但し、Ｚｎ：
２５モル％，Ｂ：４０モル％，Ｓｉ：３５モル％）を３
重量％秤量し添加した。さらに、表１に示すように、Ｎ
ｉＯ及びＦｅ2 Ｏ3 を０．００１〜１．０モル％秤量し
添加した。
【００１５】
【表１】
【００１６】その後、この原料混合物に純水を加えてボ
ールミルで混合した後、脱水し、８００℃で２時間仮焼
した。そして、この仮焼物に純水を加えてボールミルで
粉砕した後、濾過乾燥させてバリスタ用の原料粉末を得
た。
ールミルで混合した後、脱水し、８００℃で２時間仮焼
した。そして、この仮焼物に純水を加えてボールミルで
粉砕した後、濾過乾燥させてバリスタ用の原料粉末を得
た。
【００１７】その後、この原料粉末を有機バインダとと
もに溶媒中に分散させてスラリーを得た後、ドクターブ
レード法により５０μｍの厚みのグリーンシートを作製
した。そして、このグリーンシートを所定の大きさ、形
状（矩形）に打ち抜き、複数枚のバリスタ材料からなる
グリーンシートを得た。
もに溶媒中に分散させてスラリーを得た後、ドクターブ
レード法により５０μｍの厚みのグリーンシートを作製
した。そして、このグリーンシートを所定の大きさ、形
状（矩形）に打ち抜き、複数枚のバリスタ材料からなる
グリーンシートを得た。
【００１８】その後、グリーンシート１ｂ、１ｃ、１
ｅ、１ｆの上に、銀・パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ＝７０／
３０重量比）を主成分とする導電ペーストを用いて、そ
れぞれ電極３、４、４、３をスクリーン印刷法で形成し
た。電極３は略十字型をなし、そのうち対向する一対の
端部はグリーンシートの端部まで延在している。電極４
は略Ｉ字型をなし、その一方端はグリーンシート端部ま
で延在している。
ｅ、１ｆの上に、銀・パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ＝７０／
３０重量比）を主成分とする導電ペーストを用いて、そ
れぞれ電極３、４、４、３をスクリーン印刷法で形成し
た。電極３は略十字型をなし、そのうち対向する一対の
端部はグリーンシートの端部まで延在している。電極４
は略Ｉ字型をなし、その一方端はグリーンシート端部ま
で延在している。
【００１９】次に、フェライト材料即ち磁性体材料から
なるグリーンシート２ａ、２ｂを準備した。
なるグリーンシート２ａ、２ｂを準備した。
【００２０】即ち、原料として、純度９９％以上のＦｅ
2 Ｏ3 、ＮｉＯ及びＺｎＯ粉末を用意した。そして、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ：４７モル％、ＮｉＯ：３０モル％、ＺｎＯ：
２３モル％の割合で秤量し混合した後、この原料混合物
に純水を加えてボールミルで混合した後、濾過乾燥させ
た。そして、得られた混合物を８００℃で２時間仮焼し
た。その後、この仮焼物を粗粉砕した後、Ｂｉ2 Ｏ3 を
０．１重量％、硼珪酸亜鉛ガラス（上述のバリスタ用の
原料粉末を得たときと同一組成のもの）を３重量％添加
し、純水を加えボールミルで２４時間混合粉砕した後、
濾過乾燥させてフェライト用の原料粉末を得た。
2 Ｏ3 、ＮｉＯ及びＺｎＯ粉末を用意した。そして、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ：４７モル％、ＮｉＯ：３０モル％、ＺｎＯ：
２３モル％の割合で秤量し混合した後、この原料混合物
に純水を加えてボールミルで混合した後、濾過乾燥させ
た。そして、得られた混合物を８００℃で２時間仮焼し
た。その後、この仮焼物を粗粉砕した後、Ｂｉ2 Ｏ3 を
０．１重量％、硼珪酸亜鉛ガラス（上述のバリスタ用の
原料粉末を得たときと同一組成のもの）を３重量％添加
し、純水を加えボールミルで２４時間混合粉砕した後、
濾過乾燥させてフェライト用の原料粉末を得た。
【００２１】その後、この原料粉末を有機バインダとと
もに溶媒中に分散させてスラリーを得た後、ドクターブ
レード法により５０μｍの厚みのグリーンシートを作製
した。そして、このグリーンシートを所定の大きさ、形
状（矩形）に打ち抜き、複数枚のフェライト材料からな
るグリーンシートを得た。
もに溶媒中に分散させてスラリーを得た後、ドクターブ
レード法により５０μｍの厚みのグリーンシートを作製
した。そして、このグリーンシートを所定の大きさ、形
状（矩形）に打ち抜き、複数枚のフェライト材料からな
るグリーンシートを得た。
【００２２】その後、グリーンシート２ｂの上に、銀・
パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０重量比）を主成分
とする導電ペーストを用いて、電極５をスクリーン印刷
法で形成した。電極５は略Ｉ字型をなし、両端はグリー
ンシートの端部まで延在している。
パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０重量比）を主成分
とする導電ペーストを用いて、電極５をスクリーン印刷
法で形成した。電極５は略Ｉ字型をなし、両端はグリー
ンシートの端部まで延在している。
【００２３】次に、図１に示すように、上から順に、グ
リーンシート１ａ、電極３を有するグリーンシート１
ｂ、電極４を有するグリーンシート１ｃ、グリーンシー
ト２ａ、電極５を有するグリーンシート２ｂ、グリーン
シート１ｄ、電極４を有するグリーンシート１ｅ、電極
３を有するグリーンシート１ｆの順に各グリーンシート
を重ね合わせた。
リーンシート１ａ、電極３を有するグリーンシート１
ｂ、電極４を有するグリーンシート１ｃ、グリーンシー
ト２ａ、電極５を有するグリーンシート２ｂ、グリーン
シート１ｄ、電極４を有するグリーンシート１ｅ、電極
３を有するグリーンシート１ｆの順に各グリーンシート
を重ね合わせた。
【００２４】その後、このようにして重ね合わせたグリ
ーンシートを、プレス機にセットして加圧し、各グリー
ンシート１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ，２ｂ，１ｄ，１ｅ，
１ｆを２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で圧着して、図２に示す
積層圧着体を得た。
ーンシートを、プレス機にセットして加圧し、各グリー
ンシート１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ，２ｂ，１ｄ，１ｅ，
１ｆを２ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力で圧着して、図２に示す
積層圧着体を得た。
【００２５】次に、この積層圧着体を９５０℃で２時間
焼成した。その後、銀を主成分とする導電ペーストを用
いて、端面に露出した電極４、５、４に電気的に接続す
る、ライン用の端子電極１４、１５を形成した。同様に
して、アース電極３、３に電気的に接続する、アース用
の端子電極１６、１７を形成した。図４には、この複合
機能素子の等価回路図を示す。
焼成した。その後、銀を主成分とする導電ペーストを用
いて、端面に露出した電極４、５、４に電気的に接続す
る、ライン用の端子電極１４、１５を形成した。同様に
して、アース電極３、３に電気的に接続する、アース用
の端子電極１６、１７を形成した。図４には、この複合
機能素子の等価回路図を示す。
【００２６】以上のようにして得られた複合機能素子１
０の特性を測定した。即ち、バリスタ部分についてバリ
スタ電圧（Ｖ1mA ）、非直線係数（α）、並びに２５
℃、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件で静電容量及び誘電損
失を測定た。さらに、フェライト部分について、１ＭＨ
ｚでのインダクタンス及び１００ＭＨｚでのインピーダ
ンスを測定した。その結果を表２に示す。なお、表２に
おいて、＊印を付したものは本発明の範囲外のものであ
り、その他は本発明の範囲内のものである。
０の特性を測定した。即ち、バリスタ部分についてバリ
スタ電圧（Ｖ1mA ）、非直線係数（α）、並びに２５
℃、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件で静電容量及び誘電損
失を測定た。さらに、フェライト部分について、１ＭＨ
ｚでのインダクタンス及び１００ＭＨｚでのインピーダ
ンスを測定した。その結果を表２に示す。なお、表２に
おいて、＊印を付したものは本発明の範囲外のものであ
り、その他は本発明の範囲内のものである。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２に示す通り、バリスタ組成物にＮｉＯ
及び／又はＦｅ2 Ｏ3 を添加することにより、添加しな
い試料番号２２と比較して、非直線係数（α）が大きく
なり誘電損失が小さくなって、特性が向上する。しかし
ながら、ＮｉＯ又はＦｅ2 Ｏ3 どちらかの添加量が０．
１モル％を超えると、試料番号６、７、１３、１４、１
８、２１に示すように、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）及び非
直線係数（α）が小さくなり誘電損失が大きくなって、
好ましくない。
及び／又はＦｅ2 Ｏ3 を添加することにより、添加しな
い試料番号２２と比較して、非直線係数（α）が大きく
なり誘電損失が小さくなって、特性が向上する。しかし
ながら、ＮｉＯ又はＦｅ2 Ｏ3 どちらかの添加量が０．
１モル％を超えると、試料番号６、７、１３、１４、１
８、２１に示すように、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）及び非
直線係数（α）が小さくなり誘電損失が大きくなって、
好ましくない。
【００２９】又、フェライトの特性に関しては、バリス
タ層内にＮｉＯ及び／又はＦｅ2 Ｏ3 を添加することに
より、フェライトの成分がバリスタ組成物側に拡散しに
くくなることから、高いインダクタンスと高いインピー
ダンスが得られる。しかしながら、ＮｉＯ又はＦｅ2 Ｏ
3 どちらかの添加量が０．１モル％を超えると、試料番
号６、７、１３、１４、１８、２１に示すように、イン
ダクタンス、インピーダンス共に小さくなる傾向を示
し、好ましくない。
タ層内にＮｉＯ及び／又はＦｅ2 Ｏ3 を添加することに
より、フェライトの成分がバリスタ組成物側に拡散しに
くくなることから、高いインダクタンスと高いインピー
ダンスが得られる。しかしながら、ＮｉＯ又はＦｅ2 Ｏ
3 どちらかの添加量が０．１モル％を超えると、試料番
号６、７、１３、１４、１８、２１に示すように、イン
ダクタンス、インピーダンス共に小さくなる傾向を示
し、好ましくない。
【００３０】なお、上記実施例において、ＮｉＯ及び／
又はＦｅ2 Ｏ3 をバリスタ組成物に添加したことによる
焼成収縮率の変化は見られず、焼成収縮率の差によるデ
ラミネーションやハガレなどは観測されなかった。
又はＦｅ2 Ｏ3 をバリスタ組成物に添加したことによる
焼成収縮率の変化は見られず、焼成収縮率の差によるデ
ラミネーションやハガレなどは観測されなかった。
【００３１】又、本発明の複合機能素子は、上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に
変形することができる。例えば、グリーンシートの重ね
合わせ枚数及び順序、バリスタ電極の数及び形状、コイ
ルの数及び形状などは、適宜変更可能である。
に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に
変形することができる。例えば、グリーンシートの重ね
合わせ枚数及び順序、バリスタ電極の数及び形状、コイ
ルの数及び形状などは、適宜変更可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
複合機能素子及びその製造方法は、バリスタ特性を有す
る半導体材料の成形体中にニッケルや鉄の酸化物をあら
かじめ含有させるため、一体化焼成時に磁性体側からの
ニッケルや鉄の化合物の拡散を抑えて、バリスタ特性及
びコンデンサ特性に優れたノイズ除去用の複合機能素子
を得ることができる。
複合機能素子及びその製造方法は、バリスタ特性を有す
る半導体材料の成形体中にニッケルや鉄の酸化物をあら
かじめ含有させるため、一体化焼成時に磁性体側からの
ニッケルや鉄の化合物の拡散を抑えて、バリスタ特性及
びコンデンサ特性に優れたノイズ除去用の複合機能素子
を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例による複合機能素子の、焼成
前の積層圧着体の分解斜視図である。
前の積層圧着体の分解斜視図である。
【図２】図１に示す複合機能素子の、焼成前の積層圧着
体の斜視図である。
体の斜視図である。
【図３】図１、２に示す積層圧着体を用いて得られる複
合機能素子の斜視図である。
合機能素子の斜視図である。
【図４】図３に示す複合機能素子の等価回路図である。
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ 半導体材料
のグリーンシート ２ａ，２ｂ 磁性体材料のグリーンシート ３，４，５ 電極 １１，１２ 半導体磁器 １３ 磁性体磁器 １４、１５ ライン用の端子電極 １６，１７ アース用の端子電極
のグリーンシート ２ａ，２ｂ 磁性体材料のグリーンシート ３，４，５ 電極 １１，１２ 半導体磁器 １３ 磁性体磁器 １４、１５ ライン用の端子電極 １６，１７ アース用の端子電極
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを主成分とする
磁性体磁器と、酸化亜鉛を主成分として、ニッケル及び
鉄のうち少なくとも１種の酸化物をそれぞれＮｉＯ又は
Ｆｅ2 Ｏ3 に換算して０．００１〜０．１モル％含有す
るバリスタ特性を有する半導体磁器とが、一体焼結され
たものからなることを特徴とする、複合機能素子。 - 【請求項２】 Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトを主成分とする
磁性体材料の成形体と、酸化亜鉛を主成分として、ニッ
ケル及び鉄のうち少なくとも１種の酸化物をそれぞれＮ
ｉＯ又はＦｅ2 Ｏ3 に換算して０．００１〜０．１モル
％含有するバリスタ特性を有する半導体材料の成形体と
を接合した後、一体焼結させることを特徴とする、複合
機能素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011040A JPH09205019A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 複合機能素子及びその製造方法 |
| US08/786,754 US5793601A (en) | 1996-01-25 | 1997-01-24 | Composite fuctional device and method for producing the same |
| KR1019970002104A KR100229768B1 (ko) | 1996-01-25 | 1997-01-24 | 복합 기능 소자 및 이의 제조 방법 |
| EP97101151A EP0786927B1 (en) | 1996-01-25 | 1997-01-24 | Composite functional device and method for producing the same |
| DE69700455T DE69700455T2 (de) | 1996-01-25 | 1997-01-24 | Verbund-Funktions Bauelement und sein Herstellungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011040A JPH09205019A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 複合機能素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205019A true JPH09205019A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11766950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8011040A Pending JPH09205019A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 複合機能素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5793601A (ja) |
| EP (1) | EP0786927B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09205019A (ja) |
| KR (1) | KR100229768B1 (ja) |
| DE (1) | DE69700455T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020046374A (ko) * | 2000-12-13 | 2002-06-21 | 김동일 | 페라이트에 천연 세라믹을 첨가한 고성능 자성재료 |
| JP2006245258A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880925A (en) * | 1997-06-27 | 1999-03-09 | Avx Corporation | Surface mount multilayer capacitor |
| DE10045195B4 (de) * | 1999-09-22 | 2008-04-10 | Epcos Ag | Thermistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6911889B2 (en) * | 2001-08-20 | 2005-06-28 | Steward, Inc. | High frequency filter device and related methods |
| US20040164269A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Chaby Hsu | Low temperature co-fired ferrite-ceramic composite and the process for manufacturing it |
| DE102004032706A1 (de) | 2004-07-06 | 2006-02-02 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements und das Bauelement |
| JP4586760B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-24 | Ｔｄｋ株式会社 | ローパスフィルタ及びローパスフィルタアレイ |
| JP7235492B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2023-03-08 | Tdk株式会社 | チップバリスタ |
| WO2022138515A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5206620A (en) * | 1987-07-01 | 1993-04-27 | Tdk Corporation | Sintered ferrite body, chip inductor, and composite LC part |
| EP0297565B1 (en) * | 1987-07-01 | 1994-03-23 | TDK Corporation | Sintered ferrite body, chip inductor, and composite LC part |
| JPH0630297B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1994-04-20 | ティーディーケイ株式会社 | フェライト焼結体およびチップ部品 |
| JP2503731B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1996-06-05 | 株式会社村田製作所 | 低温焼結用誘電体磁器組成物 |
| US5277843A (en) * | 1991-01-29 | 1994-01-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Voltage non-linear resistor |
| JP2878919B2 (ja) * | 1991-12-30 | 1999-04-05 | 韓國電子通信研究院 | 高周波ノイズ除去用チップ型キャパシター |
| US5476728A (en) * | 1992-03-31 | 1995-12-19 | Tdk Corporation | Composite multilayer parts |
| US5321573A (en) * | 1992-07-16 | 1994-06-14 | Dale Electronics, Inc. | Monolythic surge suppressor |
| US5312674A (en) * | 1992-07-31 | 1994-05-17 | Hughes Aircraft Company | Low-temperature-cofired-ceramic (LTCC) tape structures including cofired ferromagnetic elements, drop-in components and multi-layer transformer |
| TW293955B (ja) * | 1994-02-09 | 1996-12-21 | Mitsubishi Materials Corp |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP8011040A patent/JPH09205019A/ja active Pending
-
1997
- 1997-01-24 US US08/786,754 patent/US5793601A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-24 KR KR1019970002104A patent/KR100229768B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-01-24 DE DE69700455T patent/DE69700455T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-24 EP EP97101151A patent/EP0786927B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020046374A (ko) * | 2000-12-13 | 2002-06-21 | 김동일 | 페라이트에 천연 세라믹을 첨가한 고성능 자성재료 |
| JP2006245258A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100229768B1 (ko) | 1999-11-15 |
| DE69700455D1 (de) | 1999-10-07 |
| EP0786927A1 (en) | 1997-07-30 |
| KR970060545A (ko) | 1997-08-12 |
| DE69700455T2 (de) | 2000-02-03 |
| EP0786927B1 (en) | 1999-09-01 |
| US5793601A (en) | 1998-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW572864B (en) | Magnetic oxide sinter and high-frequency circuit part employing the same | |
| US8970324B2 (en) | Multilayer component and production method | |
| JPH09205019A (ja) | 複合機能素子及びその製造方法 | |
| JP2002141215A (ja) | 酸化物磁性材料とその製造方法および積層チップインダクタ | |
| US6404616B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| CN113053618A (zh) | 层叠线圈部件 | |
| US6362720B1 (en) | Chip type varistor and method of manufacturing the same | |
| KR100296931B1 (ko) | 칩형의바리스터및이를위한세라믹조성물 | |
| JPH07220906A (ja) | 複合機能素子 | |
| JPH1117483A (ja) | 積層ｌｃ型ノイズフィルタとその製造方法 | |
| KR100425993B1 (ko) | 적층 전자 부품 | |
| JP3622774B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| CN101151680A (zh) | 导电糊及电子零部件 | |
| JP3179121B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02232915A (ja) | チップ型ｌｃ複合セラミックス部品 | |
| JPH0722210A (ja) | 複合機能素子 | |
| JP3744739B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP4081734B2 (ja) | 高周波回路部品 | |
| JP3071627B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4830259B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH11307335A (ja) | 酸化物磁性材および積層チップインダクタとその製造方法 | |
| JP3412607B2 (ja) | 高周波用磁性体の製造方法および高周波回路部品 | |
| JPH07192905A (ja) | 複合機能素子 | |
| JP2001110607A (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
| JPH06196020A (ja) | 誘電体磁器組成物 |